TWI612644B - 有機ｅｌ裝置之製造方法及有機ｅｌ裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之有機EL裝置之製造方法之特徵在於包括：於第1絕緣層上形成第3絕緣層之步驟；藉由對第3絕緣層進行蝕刻而去除第1像素區域之第3絕緣層之步驟；於以連續覆蓋第1反射膜及第2反射膜之方式形成前驅物絕緣層之後，對前驅物絕緣層之上表面進行平坦化處理，藉此形成於第1像素與第2像素中分別具有不同之膜厚且具有平坦面即第1面之第2絕緣層之步驟；及於第2絕緣層之第1面上形成第1像素電極及第2像素電極之像素電極形成步驟；且第1絕緣層藉由蝕刻被去除之速度比第3絕緣層慢。

Description

有機EL裝置之製造方法及有機EL裝置
本發明係關於一種有機EL裝置之製造方法。
有機EL(Electroluminescence，電致發光)裝置具有於陽極(像素電極)與陰極(對向電極)之間夾持有包含發光材料之發光層之構造。例如，如專利文獻1所記載般，已知有如下共振構造，即，於陽極中之與發光層為相反側設置反射膜，使發光層中所發出之光於反射膜與陰極之間往返，提取具有峰強度較高且寬度較窄之光譜之光。藉由此種構造，可提高發光之顏色再現性。
作為有機EL裝置之製造方法，例如，於反射膜上形成陽極，且於其上積層透明導電膜以根據RGB等各顏色改變光程長度。而且，於其上依序形成發光層、陰極。藉此，能夠以於各顏色中成為最佳之光程長度之方式構成，可提高亮度，且可提高顏色再現性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-188653號公報
然而，為了設為最佳之光程長度，必須於各發光區域中對應於各顏色之所需之波長形成透明導電膜等積層膜之厚度，因此，於各顏 色之像素區域之周圍等產生階差。於在像素區域之周圍形成有階差之情形時，有如下問題，即，會產生因最佳之光程長度(共振)之值偏差而導致之意外之寄生發光，從而於階差部發出不同顏色之光。因此，必須形成覆蓋階差部分之遮光性之氧化膜，從而防止寄生發光。由此，製造步驟繁雜化，此外，由於在各顏色之像素區域之周圍形成遮光性膜，故而各顏色之可發光區域減少。
根據以上內容，本發明之若干個態樣之目的之一在於提供一種即便不於各顏色之像素區域之周圍設置遮光性構件，亦可抑制意外之寄生發光之有機EL裝置之製造方法。
本發明係為了解決上述課題之至少一部分而完成者，能夠以如下態樣或應用例之形式實現。
[應用例1]
本應用例之有機EL裝置之製造方法係如下有機EL裝置之製造方法，該有機EL裝置包括：第1像素，其包含第1絕緣層、設置於上述第1絕緣層上之第1反射膜、設置於上述第1反射膜上之第2絕緣層、設置於上述第2絕緣層上之第1像素電極、設置於上述第1像素電極上之第1發光層、及設置於上述第1發光層上之第1對向電極，且使第1顏色之光於上述第1反射膜與上述第1對向電極之間共振；以及第2像素，其包含上述第1絕緣層、設置於上述第1絕緣層上之第3絕緣層、設置於上述第3絕緣層上之第2反射膜、設置於上述第2反射膜上之上述第2絕緣層、設置於上述第2絕緣層上之第2像素電極、設置於上述第2像素電極上之第2發光層、及設置於上述第2發光層上之第2對向電極，且使第2顏色之光於上述第2反射膜與上述第2對向電極之間共振；該有機EL裝置之製造方法之特徵在於包括：於上述第1絕緣層上形成上述第3絕緣層之步驟；藉由對上述第3絕緣層進行蝕刻而去除第1像素 區域之上述第3絕緣層之步驟；於以連續覆蓋上述第1反射膜及上述第2反射膜之方式形成前驅物絕緣層之後，對上述前驅物絕緣層之上表面進行平坦化處理，藉此形成於上述第1像素與上述第2像素中分別具有不同之膜厚且具有平坦面即第1面之上述第2絕緣層之步驟；以及於上述第2絕緣層之上述第1面上形成上述第1像素電極及上述第2像素電極之像素電極形成步驟；且上述第1絕緣層藉由上述蝕刻被去除之速度比上述第3絕緣層慢。
根據本應用例之有機EL裝置之製造方法，藉由包括於第1絕緣層上形成可調整第2絕緣層之膜厚之第3絕緣層之步驟，能夠以簡便之製程提供一種第2絕緣層之第1面經平坦化之有機EL裝置。即，由於在第2絕緣層未形成階差，故而無需另外形成遮光性膜，因此能以更簡便之方法製造寄生發光受到抑制之有機EL裝置。
[應用例2]
於本應用例之有機EL裝置之製造方法中，上述第1反射膜與上述第2反射膜亦可一體地形成。
於第1反射膜與第2反射膜之下層已形成有使第1反射膜與第2反射膜之表面位置不同之第3絕緣層。因此，即便於使用公知成膜技術一體地形成之情形時，亦可容易地使第1反射膜與上述第2反射膜距離第1絕緣層之表面位置不同。因此，可使製造製程更簡便化。
[應用例3]
於本應用例之有機EL裝置之製造方法中，亦可為於形成上述第2絕緣層之步驟中，形成上述前驅物絕緣層之步驟包括於上述第1反射膜及上述第2反射膜上形成第4絕緣層之步驟、及於上述第4絕緣層上形成第5絕緣層之步驟，於上述平坦化處理步驟中，包括藉由對上述第5絕緣膜進行化學機械研磨處理而去除第2像素區域之上述第5絕緣層之步驟，且上述第4絕緣層藉由上述化學機械研磨處理被去除之速 度比上述第5絕緣層慢。
藉此，可提供一種第2絕緣層可具有包含更平坦之面之第1面，且更難以產生寄生發光之有機EL裝置之製造方法。
又，藉由第2絕緣層具備作為擋止層發揮功能之第4絕緣層，而可於化學機械研磨處理中更簡便地控制第2絕緣層40之膜厚。因此，可提供一種可靠性進一步提高之有機EL裝置之製造方法。
[應用例4]
於本應用例之有機EL裝置之製造方法中，亦可第4絕緣層為氮化矽，第5絕緣層為氧化矽。
[應用例5]
於本應用例之有機EL裝置之製造方法中，亦可第1絕緣層為氮化矽，第3絕緣層為氧化矽。
1‧‧‧基板
10‧‧‧第1絕緣層
20、20G、20R‧‧‧第3絕緣層
30、30B、30G、30R‧‧‧反射膜
40、40B、40G、40R、240‧‧‧第2絕緣層
40a‧‧‧第1面
41‧‧‧第4絕緣層
41B、41G、41R‧‧‧第4絕緣層41之上表面
42‧‧‧第5絕緣層
42a‧‧‧第5絕緣層42之上表面
50、50B、50G、50R‧‧‧發光元件
51、51B、51G、51R‧‧‧像素電極
52、52B、52G、52R‧‧‧發光功能層
53、53B、53G、53R‧‧‧對向電極
60‧‧‧元件基板
71‧‧‧彩色濾光片基板
72‧‧‧彩色濾光片
72B‧‧‧藍色用彩色濾光片
72G‧‧‧綠色用彩色濾光片
72R‧‧‧紅色用彩色濾光片
73‧‧‧遮光膜
74‧‧‧開口
75‧‧‧密封層
100、200‧‧‧有機EL裝置
101‧‧‧第1像素區域
102‧‧‧第2像素區域
103‧‧‧第3像素區域
110‧‧‧顯示部
120‧‧‧圖符
130‧‧‧智慧型手機
241‧‧‧階差
245‧‧‧遮光膜
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
Hb、Hg、Hr‧‧‧距離
R‧‧‧紅色
W‧‧‧寬度
圖1係模式性地表示利用本實施形態之有機EL裝置之製造方法而製造之有機EL裝置之構造的剖面圖。
圖2(A)-(C)係模式性地表示本實施形態之有機EL裝置之製造方法之剖面圖。
圖3(A)-(C)係模式性地表示本實施形態之有機EL裝置之製造方法之剖面圖。
圖4(A)-(C)係模式性地表示本實施形態之有機EL裝置之製造方法之剖面圖。
圖5係表示具備有機EL裝置之電子機器之一例之模式圖。
圖6係模式性地表示先前例之有機EL裝置之構造之剖面圖。
以下，使用圖式對本發明之較佳實施形態進行詳細說明。再者，以下所說明之實施形態並非不當地限定申請專利範圍中所記載之 本發明之內容者。又，以下所說明之全部構成不一定為本發明之必要構成條件。
1.有機EL裝置之構成
首先，一面參照圖式一面對利用本實施形態之有機EL裝置之製造方法所製造之有機EL裝置100進行說明。圖1係模式性地表示有機EL裝置100之剖面圖。再者，為了容易理解地表示構成，而使各構成要素之層厚或尺寸之比率、角度等適當不同。於圖1中，中空箭頭表示自各像素區域出射之光，R表示紅色、G表示綠色、B表示藍色。
有機EL裝置100係頂部發光(top emission)方式之發光顯示裝置，具有使光於反射膜30與對向電極53之間共振之共振構造。
如圖1所示，有機EL裝置100成為於基板1之面上排列有包含第1像素、第2像素之複數個發光元件50(50R、50G、50B)之構成。再者，省略設置於基板1上之配線或電路、形成有其等之層等之圖示。各發光元件50(50R、50G、50B)係產生與複數種色彩(紅色、綠色、藍色)中之任一者對應之波長之光的要素。於本實施形態中，既可為如發光元件50R出射紅色光、發光元件50G出射綠色光、發光元件50B出射藍色光之構造，亦可為如各發光元件50出射白色光之構造。
有機EL裝置100係如上所述般為於各發光元件50產生之光朝向基板1之相反側行進之頂部發光構造。因此，除了可採用玻璃等具有透光性之板材以外，亦可採用陶瓷或金屬之片材等不透明之板材作為基板1。
於基板1形成有使各像素區域中之發光元件50驅動之電晶體。於基板1，亦可將複數個電晶體配置成矩陣狀。作為形成於基板1之電晶體，可列舉經由掃描線將掃描信號供給至閘極電極之開關用電晶體、保持自資料線經由該開關用電晶體而供給之像素信號之保持電容、及將藉由保持電容所保持之像素信號供給至閘極電極之驅動用電晶體。 於電晶體之上方，適當設置有配線、貫通電極、包含氮化矽或氧化矽等之層間絕緣膜等。又，於基板1之下方，雖未圖示，但設置有可撓性基板。於可撓性基板配備有與各配線連接之驅動用IC(integrated circuit，積體電路)。
於基板1上設置有第1絕緣層10(第1基底層10)。第1絕緣層10係於形成下述第3絕緣層20時發揮作為蝕刻擋止層之功能之絕緣層。第1絕緣層10之膜厚及材質係只要發揮作為形成第3絕緣層20時之蝕刻擋止層之功能，則並無特別限定。具體而言，第1絕緣層10之材質係選自蝕刻速率小於第3絕緣層20之材質。換言之，選自與第3絕緣層20相比更不易被蝕刻之材質。例如，於第3絕緣層20包含氧化矽之情形時，第1絕緣層10之材質亦可為氮化矽。
於第1絕緣層10上，與各像素區域相對應地適當形成第3絕緣層20。如圖所示，於第1像素101出射波長最長之光(紅光)之情形時，於第1像素區域101不形成第3絕緣層20，而於第2像素區域102、第3像素區域103形成第3絕緣層20(20G、20B)。
第3絕緣層20(第2基底層20)係為了於各像素區域內調整為了調整光程而設置之第2絕緣層30之膜厚而適當設置。第3絕緣層20之膜厚係以自像素出射之光之波長變得越短則其膜厚變得越厚之方式設計。即，第3絕緣層20之膜厚係以於各像素區域內第2絕緣層30成為特定之膜厚之方式適當決定。因此，如圖所示，於出射波長較綠色短之藍色之光之第3像素103中，設置有具有較第3絕緣層20G厚之膜厚之第3絕緣層20B。如圖所示，第3絕緣層20既可為單層(20G)，亦可具有積層複數層而成之積層構造(20B)。如上所述，第3絕緣層20之材質係選自蝕刻速率大於第1絕緣層10之材質。例如，第3絕緣層20之材質亦可為氧化矽。
反射膜30(30R、30G、30B)係設置於設置有第3絕緣層20之第1絕 緣層10上。如圖所示，於第1像素區域101、第2像素區域102、第3像素區域103中，反射膜30亦可以覆蓋第3絕緣層20之方式一體地形成。換言之，亦可以第1反射膜30R、第2反射膜30G、及第3反射膜30B連續之方式設置。又，雖未圖示，但亦可僅於各像素區域中個別地形成。反射膜30係由具有光反射性之材料形成。作為材料，例如可列舉鋁或銀、或者以鋁或銀為主成分之合金等。
第2絕緣層40(光程調整層40)係以覆蓋反射膜30(30R、30G、30B)之方式設置。作為第2絕緣層40之上表面之第1面40a係經平坦化之面(經化學機械研磨處理等平坦化處理之面)。第2絕緣膜40係介電體，例如由氧化矽、氮氧化矽等無機絕緣膜形成。又，第2絕緣膜40亦可由例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機樹脂形成。
第2絕緣層40於各像素區域內具有不同之膜厚(40R、40G、40B)。即，第2絕緣層40具有於各像素區域內調整所出射之光之光程長度之功能。於有機EL裝置100中，由於在各像素區域內適當設置有具有特定之膜厚之第3絕緣層20作為第2絕緣膜40之基底層，故而可具有經平坦化之第1面40a，且可於各像素區域內具有不同之膜厚。
於有機EL裝置100中，第2絕緣層40於各像素區域內具有不同之膜厚(40R、40G、40B)，藉此，採用以產生對於各像素區域101、102、103所要求之發光波長最佳之共振之方式使光程長度最佳化之光共振構造。
第2絕緣層40既可為單層(未圖示)，亦可為第4絕緣層41與第5絕緣層42之積層構造。於此情形時，第4絕緣層41可為化學機械研磨處理中之擋止層。換言之，第4絕緣層41係包含於化學機械研磨處理中較第5絕緣層42更不易被研磨之材質之絕緣層。例如，第4絕緣層41包含氮化矽，第5絕緣層42包含氧化矽。
於第2絕緣層40包含第4絕緣層41與第5絕緣層42之積層構造之情 形時，於第2絕緣層40之膜厚最小之部分(第3像素區域103)中，第1面40a係由第4絕緣層41形成。於其他之第1像素區域101、第2像素區域102中，第1面40a係由第5絕緣層42形成。
於第2絕緣層40上，與各個像素區域相對應地設置有發光元件50(50R、50G、50B)。發光元件50之各者具有像素電極51(51R、51G、51B)、發光功能層52(52R、52G、52B)、及對向電極53(53R、53G、53B)。
像素電極51(51R、51G、51B)係由例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、或ZnO2般之透明氧化物導電材料形成。於本實施形態中，像素電極51係由ITO形成。由於各像素區域間之像素電極51未相互電性連接，因此，可作為發光元件50之個別電極發揮功能。
發光功能層52(52R、52G、52B)係以覆蓋像素電極51之方式形成。若進行詳細敍述，則發光功能層52係遍及複數個發光元件50(50R、50G、50B)而連續形成。發光功能層52之發光特性於複數個發光元件50中共用。再者，發光功能層52係設為例如包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層(第1發光層、第2發光層)、電子傳輸層、及電子注入層者。
發光層係顯現電致發光現象之有機發光物質之層。藉由對像素電極51與對向電極53之間施加電壓，而使電洞自電洞傳輸層注入至發光功能層52(發光層)，又，使電子自電子傳輸層注入至發光功能層52(發光層)，該等於發光層中再結合時進行發光。於本實施形態中，例如發出白色光。
對向電極53(53R、53G、53B)係以覆蓋發光功能層52之方式形成。換言之，對向電極53(53R、53G、53B)係遍及複數個發光元件50而連續形成。即，可為複數個發光元件50中之共用電極。對向電極53作為具有使到達其表面之光之一部分透過並且使另一部分反射之性質 (即半透過反射性)之半透過反射層而發揮功能。
又，對向電極53係由鎂(Mg)或銀(Ag)、或以該等為主成分之鎂銀合金(MgAg)形成。於本實施形態中，使鎂及銀共蒸鍍於發光功能層52上而形成對向電極53。
於有機EL裝置100中，形成使發光功能層52發出之光於反射膜30與對向電極53之間共振之共振器構造。即，發光功能層52發出之光於反射膜30與對向電極53之間往返，藉由共振使特定波長之光增強並透過對向電極53而向觀察側(圖1中之上方)行進(頂部發光方式)。
以發光元件50R中發光功能層52R所發出之白色光中紅色增強，發光元件50G中綠色增強，發光元件50B中藍色增強之方式，調整各發光區域內之第2絕緣膜40(40R、40G、40B)之膜厚。藉此，可於第1像素區域101中將反射膜30R與對向電極53R之距離設為Hr，於第2像素區域102中將反射膜30G與對向電極53G之距離設為短於Hr之Hg，於第3像素區域103中將反射膜30B與對向電極53B之距離設為短於Hg之Hb(Hr>Hg>Hb)。
於對向電極53上形成包含無機材料之鈍化層(未圖示)。鈍化層係用以防止水或外部氣體浸入至發光元件50之保護膜。又，鈍化層係由氮化矽或氮氧化矽等氣體透過率較低之無機材料形成。
於形成有複數個發光元件50之元件基板60上，對向配置有彩色濾光片基板71。彩色濾光片基板71係由玻璃等具有透光性之材料形成。於彩色濾光片基板71中與元件基板60對向之面形成彩色濾光片72(72R、72G、72B)及遮光膜73。遮光膜73係與各發光元件50相對應地形成有開口74之遮光性之膜體。於開口74內形成彩色濾光片72(72R、72G、72B)。
於與發光元件50R相對應之開口74內形成有使紅色光選擇性地透過之紅色用彩色濾光片72R。於與發光元件50G相對應之開口74內形 成有使綠色光選擇性地透過之綠色用彩色濾光片72G。於與發光元件50B相對應之開口74內形成有使藍色光選擇性地透過之藍色用彩色濾光片72B。
形成有彩色濾光片72及遮光膜73之彩色濾光片基板71係經由密封層75與元件基板60貼合。密封層75係由透明之樹脂材料、例如環氧樹脂等硬化性樹脂形成。
又，雖未圖示，但有機EL裝置100於為發光元件50R出射紅色光、發光元件50G出射綠色光、發光元件50B出射藍色光般之構造之情形時，亦可不具有彩色濾光片72。
根據本實施形態之有機EL裝置100，例如具有以下特徵。
根據有機EL裝置100，於為了進行光程長度之調整而必須調整第2絕緣層40之膜厚之第2像素102(或103)中，在第1絕緣層10上設置有膜厚調整用之第3絕緣層20。藉此，可使第2絕緣層40之第1面40a平坦化，無需於第1像素101與第2像素102之間設置遮光性構件，且可防止由階差引起之寄生發光。即，可提高顯示品質。
例如，於圖6中表示未設置第3絕緣層20之先前例之有機EL裝置200之剖面圖。此處，具有與本實施形態之有機EL裝置100相同之構成之構件係標附相同之符號而省略其說明。
如圖6所示，於未設置第3絕緣層20之情形時，為了於各像素區域中進行所出射之光之光程調整，而必須使第2絕緣層240之厚度於各像素區域內不同。因此，如圖6所示，第2絕緣層240之上表面240a於像素區域間形成有階差241。於此種情形時，會產生由該階差241引起之寄生發光，因此，必須於其上表面形成遮光膜245來抑制寄生發光。
相對於此，根據本實施形態之有機EL裝置100，如上所述般不會於第2絕緣層40之上表面40a形成階差，可形成平坦之面，因此，即便 不設置遮光膜，亦可抑制寄生發光。
又，如圖6所示，於在各像素區域間形成階差之情形時，必須形成具有例如寬度W之遮光膜。相對於此，根據本實施形態之有機EL裝置100，無需設置遮光膜形成區域，因此，可使各像素之每個之發光區域增加。亦即，可提供一種能夠使設置於各像素間之遮光膜73之面積於俯視下更小且使開口74之面積於俯視下更大之有機EL裝置100。
2.有機EL裝置之製造方法
其次，一面參照圖式一面對本實施形態之有機EL裝置之製造方法進行說明。圖2~圖4係模式性地表示本實施形態之有機EL裝置之製造方法之剖面圖。再者，圖2~圖4與圖1之剖面圖相對應。
如圖2(A)所示，於基板1上形成第1絕緣層10(第1絕緣層形成步驟)。如上所述，第1絕緣層10係可於利用蝕刻技術對第3絕緣層20進行圖案化時作為蝕刻擋止層而發揮功能之層。第1絕緣層10例如可藉由對包含矽之基板1之上表面進行氮化處理而形成包含氮化矽之絕緣層，亦可利用濺鍍、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、真空蒸鍍等公知之成膜技術而成膜。
其次，如圖2(B)所示，於第1絕緣層10上，將第1絕緣層10作為蝕刻擋止層而利用公知之蝕刻技術形成第3絕緣層20(第3絕緣層形成步驟)。例如，利用濺鍍、CVD等公知之成膜技術或熱氧化處理於整個面成膜氧化矽等無機絕緣膜後，利用公知之光微影技術及蝕刻技術進行圖案化而形成第3絕緣層20。如圖2(B)所示，第3絕緣層20係於各像素區域中以適當積層而具有所需之膜厚之方式形成。
厚度階段性地不同之第3絕緣層20之形成方法並無特別限定，例如，亦可以成為最厚之膜厚之第3絕緣層20B之膜厚於整個面成膜前驅物膜，其後，於第2像素區域102中，進行蝕刻直至成為所需之膜厚為止，藉此形成第3絕緣層20G，於第1像素區域101等其他區域中， 藉由蝕刻去除上述前驅物膜。或者，亦可藉由反覆進行成膜步驟與蝕刻步驟而形成具有所需之膜厚之包含積層體之第3絕緣層20。
繼而，如圖2(C)所示，以覆蓋第1絕緣層10及第3絕緣層20之方式，利用蒸鍍或濺鍍等公知之成膜技術形成反射膜30(30R、30G、30B)(反射膜形成步驟)。例如，亦可藉由利用蒸鍍法成膜鋁膜等，而於複數個像素區域內一體地形成反射膜30(30R、30G、30B)。根據本實施形態之有機EL之製造方法，於反射膜30(例如，反射膜30R與反射膜30G)之下層已形成有使反射膜30R與反射膜30G之表面位置(高度)不同之第3絕緣層20。因此，即便於使用濺鍍等公知成膜技術一體地形成之情形時，亦可容易地使反射膜30R與反射膜30G距離第1絕緣層10之表面位置(高度)不同。
繼而，如圖3(A)~圖3(C)所示，於以連續覆蓋反射膜30(例如，第1及第2反射膜30R、30G)之方式形成前驅物絕緣層之後，對該前驅物絕緣層之上表面進行平坦化處理，藉此形成第2絕緣層40(第2絕緣層形成步驟)。
於形成第2絕緣層之步驟中，形成前驅物絕緣層之步驟亦可包括於反射膜30上形成第4絕緣層41之步驟、及於第4絕緣層41上形成第5絕緣層42之步驟(參照圖3(A)、圖3(B))。
具體而言，如圖3(A)所示，於反射膜30上利用濺鍍等公知之成膜技術形成包含例如氮化矽之第4絕緣層41。藉此，形成於各像素區域內距離第1絕緣層10之高度互不相同之第4絕緣層41之上表面41R、41G、41B。
繼而，如圖3(B)所示，於第4絕緣層41上利用濺鍍等公知之成膜技術形成包含例如氧化矽之第5絕緣層42。此處，如圖3(B)所示，第5絕緣層42之膜厚係以上表面42a之表面位置成為高於第3像素區域103中之第4絕緣層41之上表面41B之位置之方式進行調整。
於平坦化處理步驟中，藉由將圖3(C)第4絕緣層41作為擋止層而對第5絕緣層42之上表面42a進行化學機械研磨處理，可形成具有平坦面的第1面40a之第2絕緣層40。如此，藉由第2絕緣層40具備作為擋止層發揮功能之第4絕緣層41，而於化學機械研磨處理中可更簡便地控制第2絕緣層40之膜厚。因此，化學機械研磨處理製程上所產生之第2絕緣層40之膜厚之誤差較小，故而可提供一種可靠性進一步提高之有機EL裝置之製造方法。
又，雖未圖示，但第2絕緣層40亦可僅由第5絕緣層構成，藉由適當地調整平坦化處理而形成具有所需之膜厚之第2絕緣層40。
繼而，如圖4(A)所示，於經平坦化之第2絕緣層40上形成像素電極51(像素電極形成步驟)。形成像素電極51之方法並無特別限定，例如，於第2絕緣層40上利用蒸鍍等公知之成膜技術於整個面成膜銦錫氧化物(ITO)。繼而，利用光微影技術及蝕刻技術對該膜進行圖案化，而於各像素區域內形成像素電極51(51R、51G、51B)。
繼而，如圖4(B)所示，於設置有像素電極51之第2絕緣層40上成膜發光功能層52(發光功能層形成步驟)。首先，於像素電極51及第2絕緣層40上形成構成發光功能層52之電洞傳輸層(包含電洞注入層)。具體而言，例如，藉由基於眾所周知之蒸鍍法蒸鍍α-NPD等材料而形成。其次，於電洞傳輸層之上表面形成發光層及電子傳輸層(包含電子注入層)。具體而言，藉由基於眾所周知之蒸鍍法進行蒸鍍而形成。
繼而，如圖4(C)所示，於發光功能層52(電子傳輸層)上形成對向電極53(對向電極形成步驟)。具體而言，使鎂(Mg)或銀(Ag)、或以該等為主成分之鎂銀合金(MgAg)例如共蒸鍍於發光功能層52上而形成對向電極53。
又，雖未圖示，但於對向電極53上形成用以防止因氧或水分之 影響而導致發光元件50劣化之鈍化層。具體而言，例如，藉由基於眾所周知之蒸鍍法蒸鍍氮氧化矽等材料而形成。
藉由以上步驟，可製造設置有複數個發光元件50之元件基板60。
繼而，形成密封層75、彩色濾光片基板71等而完成有機EL裝置100(參照圖1)。
密封層75例如為環氧樹脂等硬化性樹脂，利用CVD法而成膜。密封層75較佳為設為積層構造以防止水分之侵入，且不使發光元件50劣化。
繼而，準備設置有濾光片72及遮光膜73之彩色濾光片基板71。首先，使用公知之成膜技術形成彩色濾光片72及遮光膜73。藉此，與各發光元件50(50R、50G、50B)相對應地形成各彩色濾光片72(72R、72G、72B)。
繼而，將元件基板60與彩色濾光片基板71貼合，而完成有機EL裝置100。具體而言，於將大氣阻隔之氮氣環境內，使元件基板60與彩色濾光片基板71介隔密封層75貼合。藉由以上所述，可製造有機EL裝置100。
根據本實施形態之有機EL裝置之製造方法，例如，具有以下特徵。
根據有機EL裝置之製造方法，藉由包括於第1絕緣層10上形成可調整第2絕緣層40之膜厚之第3絕緣層20之步驟，能夠以簡便之製程提供一種第2絕緣層40之第1面經平坦化之有機EL裝置100。即，由於在第2絕緣層40未形成階差，故而無需另外形成遮光性膜(參照圖6)，因此，能夠以更簡便之方法製造寄生發光受到抑制之有機EL裝置。
3.電子機器之構成
圖5係表示智慧型手機作為具備利用本實施形態之有機EL裝置而 製造之有機EL裝置100之電子機器之一例的模式圖。以下，一面參照圖5一面對具備有機EL裝置之智慧型手機之構成進行說明。
如圖5所示，智慧型手機130包含顯示部110及圖符120。顯示部110由於藉由組入至內部之有機EL裝置100而抑制了寄生發光，故而可進行高品質之顯示。再者，上述有機EL裝置100除了可用於上述智慧型手機130以外，還可用於行動電話機、頭戴式顯示器、小型投影器、行動電腦、數位相機、數位視訊攝影機、車載機器、視聽機器、曝光裝置或照明機器等各種電子機器。
本發明包含與實施形態中所說明之構成實質上相同之構成(例如，功能、方法及結果相同之構成、或目的及效果相同之構成)。又，本發明包含對實施形態中所說明之構成之非本質性部分進行置換後之構成。又，本發明包含可發揮與實施形態中所說明之構成相同之作用效果之構成或可達成與實施形態中所說明之構成相同之目的之構成。又，本發明包含對實施形態中所說明之構成附加公知技術而成之構成。
再者，於本發明中，於在特定之A(以下稱作「A」)上設置(形成)特定之B(以下稱作「B」)時，並不限定於在A上直接設置(形成)B之情形。亦包含於不損及本發明之作用效果之範圍內於A上經由他者而設置(形成)B之情形。
1‧‧‧基板
10‧‧‧第1絕緣層
20、20B、20G‧‧‧第3絕緣層
30、30B、30G、30R‧‧‧反射膜
40、40B、40G、40R‧‧‧第2絕緣層
40a‧‧‧第1面
41‧‧‧第4絕緣層
42‧‧‧第5絕緣層
50、50B、50G、50R‧‧‧發光元件
51、51B、51G、51R‧‧‧像素電極
52、52B、52G、52R‧‧‧發光功能層
53、53B、53G、53R‧‧‧對向電極
60‧‧‧元件基板
71‧‧‧彩色濾光片基板
72‧‧‧彩色濾光片
72B‧‧‧藍色用彩色濾光片
72G‧‧‧綠色用彩色濾光片
72R‧‧‧紅色用彩色濾光片
73‧‧‧遮光膜
74‧‧‧開口
75‧‧‧密封層
100‧‧‧有機EL裝置
101‧‧‧第1像素區域
102‧‧‧第2像素區域
103‧‧‧第3像素區域
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
R‧‧‧紅色
Hb、Hg、Hr‧‧‧距離

Claims (5)

  1. 一種有機EL裝置之製造方法，該有機EL裝置包括第1像素與第2像素；上述第1像素包含第1反射膜、第1像素電極、第1發光層、及第1對向電極，且使第1顏色之光於上述第1反射膜與上述第1對向電極之間共振；上述第2像素包含第2反射膜、第2像素電極、第2發光層、及第2對向電極，且使第2顏色之光於上述第2反射膜與上述第2對向電極之間共振；該有機EL裝置之製造方法之特徵在於包括：以使上述第1反射膜之表面位置與上述第2反射膜之表面位置不同之方式，形成上述第1反射膜及上述第2反射膜之反射膜形成步驟；於以連續覆蓋上述第1反射膜及上述第2反射膜之方式形成前驅物絕緣層之後，對上述前驅物絕緣層之上表面進行平坦化處理，藉此形成具有平坦面即第1面之第1絕緣層之步驟；於上述第1絕緣層之上述第1面上形成上述第1像素電極及上述第2像素電極之像素電極形成步驟；於上述反射膜形成步驟前，於第2絕緣層上形成第3絕緣層之步驟；以及於上述反射膜形成步驟前，蝕刻上述第3絕緣層，藉此去除第1像素區域之上述第3絕緣層之步驟；上述反射膜形成步驟中，於上述第2絕緣層上形成上述第1反射膜，於上述第3絕緣層上形成上述第2反射膜；形成上述第1絕緣層之步驟中，於上述第1像素與上述第2像素中形成分別具有不同膜厚、且具有為平坦面之第1面之上述第1 絕緣層；上述第2絕緣層藉由上述蝕刻被去除之速度比上述第3絕緣層慢。
  2. 如請求項1之有機EL裝置之製造方法，其中上述第1反射膜與上述第2反射膜係一體地形成。
  3. 如請求項1之有機EL裝置之製造方法，其中於形成上述第1絕緣層之步驟中，形成上述前驅物絕緣層之步驟包括於上述第1反射膜及上述第2反射膜上形成第4絕緣層之步驟、及於上述第4絕緣層上形成第5絕緣層之步驟；上述平坦化處理步驟中，包括藉由對上述第5絕緣膜進行化學機械研磨處理而去除第2像素區域之上述第5絕緣層之步驟；且上述第4絕緣層藉由上述化學機械研磨處理被去除之速度比上述第5絕緣層慢。
  4. 如請求項3之有機EL裝置之製造方法，其中上述第4絕緣層為氮化矽，上述第5絕緣層為氧化矽。
  5. 如請求項1之有機EL裝置之製造方法，其中上述第2絕緣層為氮化矽，上述第3絕緣層為氧化矽。
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