TWI610320B - 非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器 - Google Patents

非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器 Download PDF

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Abstract

本發明之非晶質合金粉末包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C作為構成成分之非晶質合金材料，且該非晶質合金材料含有Fe作為主成分，Cr之含有率為0.5原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.02原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。藉由使用此種非晶質合金粉末，可獲得兼具降低鐵損與因磁偏之降低而提高磁特性之壓粉磁心。

Description

非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器
本發明係關於一種非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器。
近年來，如筆記型電腦之類的行動機器之小型化、輕量化較為顯著。又，筆記型電腦之性能不斷實現提昇直至不遜色於桌上型電腦之性能之程度。
如此，為了實現行動機器之小型化及高性能化，而要求開關電源之高頻率化。目前，開關電源之驅動頻率已高頻率化至數100kHz左右。隨著開關電源之高頻率化，內置於行動機器之扼流圏或電感器等磁性元件之驅動頻率亦必須應對高頻率化。
例如，專利文獻1中揭示有包含含有Fe、M(其中，M為選自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中之至少1種元素)、Si、B、C之非晶質合金之薄帶。又，揭示有藉由積層該薄帶並實施衝壓加工等而製造之磁心。藉由使用此種磁心而期待交流磁特性之提高。
然而，關於由薄帶製造之磁心，於使磁性元件之驅動頻率進一步高頻率化之情形時，有無法避免由渦電流所致之焦耳損耗(渦電流損耗)之顯著增大之虞。
為了解決上述問題，而使用將軟磁性粉末與結合材料(黏合劑)之 混合物加壓、成形而成之壓粉磁心。
另一方面，包含非晶質合金材料之軟磁性粉末之電阻值較高。因此，包含此種軟磁性粉末之磁心可抑制渦電流損耗，其結果可降低高頻下之鐵損。尤其是，Fe基非晶質合金由於飽和磁通密度較高，故而作為磁性器件用之軟磁性材料較佳。
然而，Fe基非晶質合金之磁偏較高。因此，由Fe基非晶質合金形成之磁性器件有於特定頻率下產生異響且磁特性之提高(例如低保磁力化及高磁導率化)受到阻礙之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-182594號公報
本發明之目的在於提供一種於用作磁心時可兼具降低鐵損與因磁偏之降低而提高磁特性之非晶質合金粉末、使用該非晶質合金粉末而製造之壓粉磁心、具備該壓粉磁心之磁性元件及具備該磁性元件之電子機器。
上述目的可藉由下述本發明而達成。
本發明之非晶質合金粉末係包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C作為構成成分之非晶質合金材料之粒子者，其特徵在於：非晶質合金材料含有Fe作為主成分，Cr之含有率為0.5原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.02原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下， B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
藉此，可獲得於用作磁心時可兼具降低鐵損與因磁偏之降低而提高磁特性之非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為非晶質合金材料中之Cr之含有率為1原子%以上且3原子%以下，非晶質合金材料中之Mn之含有率為0.1原子%以上且3原子%以下。
藉此，可獲得於用作磁心時，使鐵損進一步降低，並且使磁偏進一步降低而可進一步提高磁特性的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，b/(a+b)之值為0.2以上且0.72以下。
藉此，可提高非晶質合金粉末之耐蝕性，且降低保磁力。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且5.5以下。
藉此，可抑制非晶質合金粉末之飽和磁通密度之降低，並且提高非晶質合金粉末之耐蝕性，且降低保磁力。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
藉此，使主要影響保磁力或耐蝕性等之元素與主要影響磁導率或比電阻、非晶質化等之元素之平衡最佳化。藉此，可高度兼具保磁力、磁導率等磁特性與耐蝕性，並且可實現構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料之非晶質化與非晶質合金粉末之微小化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Mn之含有率設為b[原子%]，將Si之含有率設為c[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(b+c)之值為0.07以上且0.27以下。
藉此，可維持優異之磁特性，並且可確實地實現非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之球形化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為非晶質合金材料中之Cr之含有率為1原子%以上且2.5原子%以下，上述非晶質合金材料中之Mn之含有率為1原子%以上且3原子%以下，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值為0.2以上且0.95以下。
藉此，可獲得磁偏較小且可製造兼具高磁導率與低保磁力之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，藉此尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小，因此可使非晶質合金粉末之磁偏特別小。另一方面，可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為a+b之值為2.1以上且5.3以下。
藉此，可尤其提高非晶質合金粉末之耐蝕性，並且可實現非晶質合金粉末之粒子間之電阻之增大。其結果，可獲得可製造渦電流損耗較小之壓粉磁心之非晶質合金粉末。又，可不阻礙非晶質合金粉末之粒子之非晶質之原子配置而降低磁偏，因此可兼具低保磁力化與高磁導率化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為b/a之值為0.4以上且未達1。
藉此，使非晶質合金粉末之耐蝕性提高。又，藉由使非晶質合金材料之非晶質化進一步進行，而可進一步減小非晶質合金粉末之磁偏。其結果，可獲得磁偏更小且耐蝕性更優異之非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為b/a之值為1以上且2以下。
藉此，可獲得磁偏特別小之非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.04以上且0.15以下。
關於此種非晶質合金粉末，因於非晶質合金材料中含有Mn而降低磁偏與因含有Si及B而使電阻值上升可不相互抵消而實現最佳化。其結果，可實現渦電流損耗之最小化。又，於該非晶質合金材料之熔融時，於熔點較低之狀態下氧化錳與氧化矽兩者於非晶質合金材料之粒子表面析出更多。藉此，可實現非晶質合金粉末之粒子表面之絕緣性之提高。藉此，可獲得可製造飽和磁通密度及磁導率較高且渦電流損耗較小之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為非晶質合金材料中之Cr之含有率為2原子%以上且3原子%以下，非晶質合金材料中之Mn之含有率為0.02原子%以上且1原子%以下，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值為0.3以上且0.95以下。
藉此，可獲得磁偏較小且飽和磁通密度較高，並且可製造兼具高飽和磁通密度與低保磁力之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，藉此尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小，因此可使磁偏特別小。另一方面，可將飽和磁通密 度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為a+b之值為2.1以上且3.8以下。
藉此，可尤其提高非晶質合金粉末之耐蝕性，並且可實現非晶質合金粉末之粒子間之電阻之增大。其結果，可獲得可製造渦電流損耗較小之壓粉磁心之非晶質合金粉末。又，可不阻礙非晶質合金粉末之粒子之非晶質之原子配置而降低磁偏，因此可兼具低保磁力化與高磁導率化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為b/a之值為0.02以上且未達0.47。
藉此，可使Cr與Mn之比率最佳化，因此可更進一步地提高低保磁力化及高磁導率化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.01以上且0.05以下。
藉此，可不招致飽和磁通密度之顯著降低而實現因於非晶質合金中含有Mn而降低磁偏與因含有Si及B而使電阻值上升的最佳化。其結果，可使飽和磁通密度維持為相對較高值，並且可實現因低保磁力化及渦電流損耗之最小化引起之低鐵損化。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且5.5以下，且b/a之值為0.3以上且未達1。
藉此，可獲得磁偏較小且耐蝕性優異，並且可製造長期兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為b之值為0.1以上且2.5 以下。
藉此，使非晶質合金材料之磁偏降低，藉此保磁力亦降低。其結果，由非晶質合金粉末製成之壓粉磁心之遲滯損失減少，鐵損降低，因此可降低高頻率下之鐵損。又，磁導率隨著磁偏之降低而上升，從而使壓粉磁心對高頻之外部磁場之磁響應性提高。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.01以上且0.12以下。
藉此，可獲得進一步改善兼具磁偏之降低與非晶質化之非晶質合金粉末。即，可獲得可製造更長期地兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
藉此，可儘可能抑制非晶質合金材料中之Fe以外之元素之含量，並且可促進非晶質化及微細化。其結果，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且6以下，且b/a之值為1以上且2以下。
藉此，可獲得磁偏較小且可獲得可製造兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為b之值為0.5以上且3以下。
藉此，使非晶質合金材料之磁偏降低，藉此保磁力亦降低。其 結果，由非晶質合金粉末製成之壓粉磁心之遲滯損失減少，鐵損降低，因此可降低高頻率下之鐵損。又，磁導率隨著磁偏之降低而上升，從而使壓粉磁心對高頻之外部磁場之磁響應性提高。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.03以上且0.15以下。
藉此，可獲得進一步改善兼具磁偏之降低與非晶質化之非晶質合金粉末。即，可獲得可製造更穩定地兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
藉此，可儘可能抑制非晶質合金材料中之Fe以外之元素之含量，並且可促進非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之微細化。其結果，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑為3μm以上且100μm以下。
藉此，可縮短渦電流流經之路徑，因此可獲得可製造渦電流損耗得到充分抑制之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為保磁力為4[Oe]以下。
藉此，可確實地抑制遲滯損失，可充分地降低鐵損。
關於本發明之非晶質合金粉末，較佳為非晶質合金粉末之粒子中之氧含有率以質量比計為150ppm以上且3000ppm以下。
藉此，可獲得高度兼具低鐵損、優異之磁特性及高耐候性之非 晶質合金粉末。
本發明之非晶質合金粉末較佳為使用水霧化法或高速旋轉水流霧化法中之任一種方法而製造。藉此，可特別迅速地將熔液冷卻，因此可於較廣之合金組成下獲得非晶質化度較高之非晶質合金粉末。
本發明之壓粉磁心係由包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C作為構成成分之非晶質合金材料之粒子之非晶質合金粉末形成者，其特徵在於：上述非晶質合金材料含有Fe作為主成分，Cr之含有率為0.5原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.02原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
藉此，可獲得鐵損較小且磁特性較高之壓粉磁心。
本發明之磁性元件之特徵在於：其具備本發明之壓粉磁心。
藉此，可獲得小型且高性能之磁性元件。
本發明之電子機器之特徵在於：其具備本發明之磁性元件。
藉此，可獲得可靠性較高之電子機器。
10‧‧‧扼流圏
11‧‧‧壓粉磁心
12‧‧‧導線
20‧‧‧扼流圏
21‧‧‧壓粉磁心
22‧‧‧導線
100‧‧‧顯示部
1000‧‧‧磁性元件
1100‧‧‧個人電腦
1102‧‧‧鍵盤
1104‧‧‧本體部
1106‧‧‧顯示單元
1200‧‧‧行動電話機
1202‧‧‧操作按鈕
1204‧‧‧接聽口
1206‧‧‧發話口
1300‧‧‧數位靜態相機
1302‧‧‧殼體
1304‧‧‧受光單元
1306‧‧‧快門按鈕
1308‧‧‧記憶體
1312‧‧‧視訊信號輸出端子
1314‧‧‧輸入輸出端子
1430‧‧‧電視監視器
1440‧‧‧個人電腦
圖1係表示應用本發明之磁性元件之第1實施形態之扼流圏的模式圖(平面圖)。
圖2係表示應用本發明之磁性元件之第2實施形態之扼流圏的模式圖(透視立體圖)。
圖3係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的行動型(或筆記型)之個人電腦之構成的立體圖。
圖4係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的行動電話 機(亦包含PHS)之構成的立體圖。
圖5係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的數位靜態相機之構成的立體圖。
以下，基於隨附圖式所示之較佳實施形態對本發明之非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器進行詳細說明。
[非晶質合金粉末]
本發明之非晶質合金粉末係視需要於粒子表面形成絕緣膜，經由絕緣性之黏結劑使粒子彼此黏結並成形為特定之形狀，藉此成為壓粉磁心。此種壓粉磁心由於高頻率下之磁特性優異，故而被用於各種磁性元件。
本發明之非晶質合金粉末係包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C之非晶質合金材料之粒子之粉末(軟磁性粉末)，其特徵在於：該非晶質合金材料係以Fe為主成分，Cr之含有率為0.5原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.02原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
此種非晶質合金粉末由於為Fe基非晶質合金粉末，故而渦電流損耗較小且飽和磁通密度較高，並且藉由含有Cr與Mn而使保磁力較低，且磁導率變高。因此，藉由使用該非晶質合金粉末，可獲得高頻下之鐵損較小且磁特性較高之壓粉磁心。又，於製成壓粉磁心時，鐵損較小且磁特性較高，因此小型化變得容易。
以下，對本發明之非晶質合金粉末之較佳之實施形態進行說明。
<非晶質合金粉末之第1實施形態>
首先，對本發明之非晶質合金粉末之第1實施形態進行說明。
本實施形態之非晶質合金粉末係包含合金組成以Fe100-a-b-c-d-eCraMnbSicBdCe(a、b、c、d、e均為含有率(原子%))表示之非晶質合金材料之粉末。並且，a、b、c、d及e滿足1≦a≦3、0.1≦b≦3、10≦c≦14、8≦d≦13、及1≦e≦3之關係。
即，本實施形態之非晶質合金粉末包含如下非晶質合金材料，該非晶質合金材料係以Fe為主成分，Cr之含有率為1原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.1原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
藉此，可獲得於用作磁心時，可進一步降低鐵損，且可進一步提高磁特性之非晶質合金粉末。
以下，對本實施形態之非晶質合金粉末進一步進行詳細說明。
各元素中，Cr(鉻)發揮使非晶質合金材料之耐蝕性提高之作用。可認為其原因在於，藉由使非晶質合金材料含有Cr，而使非晶質合金材料變得更容易非晶質化，及於粒子表面形成以Cr之氧化物(Cr2O3等)為主之鈍態皮膜等。藉由耐蝕性之提高而可抑制非晶質合金材料之經時性氧化，因此可防止伴隨氧化之磁特性之降低或鐵損之增加等。
又，Cr藉由與Mn一併使用而於上述耐蝕性之提高方面協同地發揮作用。即，上述組成之非晶質合金粉末與非晶質合金材料不含Mn之情形相比，耐蝕性進一步變高。可認為其原因在於，於粒子表面形成以Cr之氧化物為主之鈍態皮膜，並且Mn或Mn之氧化物會對該鈍態皮膜造成某種影響，藉此使鈍態皮膜強化。而且，可認為，Mn之原子尺寸與Cr之原子尺寸非常接近，因此即便將Mn與Cr併用，利用非晶質合金材料含有Cr之非晶質化之提高亦不會受到阻礙。因此，藉由以適度之比例添加Cr與Mn，可不招致磁特性之降低 而獲得耐蝕性特別高之非晶質合金粉末。再者，耐蝕性較高之非晶質合金粉末可防止無限地進行氧化。因此，例如製造、保管較為容易，並且有助於實現耐候性較高之壓粉磁心。
進而，藉由形成耐蝕性較高之鈍態皮膜，而於粒子表面形成強固之絕緣性皮膜。因此，可實現粒子間所形成之電流路徑中之電阻(粒子間電阻)之增大，可將渦電流所流經之路徑分割為更小。其結果，可獲得可製造渦電流損耗較小之壓粉磁心之非晶質合金粉末。
非晶質合金材料中之Cr之含有率a為1原子%以上且3原子%以下。若Cr之含有率a低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低變得不充分，因此變得無法達成壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化之虞。又，有耐蝕性降低，例如於非晶質合金粉末之粒子表面產生銹而使飽和磁通密度等磁特性經時性惡化之虞。另一方面，若Cr之含有率a超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，因此其結晶磁各向異性增大，由此導致磁偏增大之可能性。其結果，有壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化變得困難之虞。又，有亦招致飽和磁通密度之降低之虞。
又，Cr之含有率a較佳為1.05原子%以上且2.7原子%以下，更佳為1.1原子%以上且2.5原子%以下，進而較佳為1.2原子%以上且2.2原子%以下。
又，各元素中，Mn(錳)尤其發揮降低非晶質合金材料之磁偏之作用。藉由磁偏之降低而保磁力亦降低。藉此，非晶質合金材料之遲滯損失降低，其結果鐵損降低，因此對高頻區域下之鐵損之降低有利。又，磁導率隨著磁偏之降低而上升，從而使對高頻之外部磁場之磁響應性提高。
引起此種現象之理由尚不明確，但可認為如下所述。即，可認 為，Mn之原子尺寸與Fe之原子尺寸非常接近，可藉由Mn之原子將Fe之原子容易地取代，因此藉由含有一定量之Mn，不會阻礙非晶質合金材料之非晶質之原子配置。又，藉由施加磁場而可抑制非晶質合金材料中所含之晶格之長度之變化(晶格之伸縮)。因此，磁偏降低。可認為如此般實現低保磁力化及高磁導率化。然而，於非晶質合金材料含有過量之Mn之情形時，會招致磁偏之上升或飽和磁通密度之降低，因此非晶質合金材料中之Mn含量之最佳化較為重要。
又，Mn藉由與Cr併用，可使上述效果進一步顯在化。關於其理由尚不明確，但作為理由之一，可認為如下所述。即，可認為其原因在於，由於Mn之原子尺寸與Cr之原子尺寸非常接近，故而藉由將適量之Mn與Cr併用，而使利用含有Cr之非晶質合金材料之非晶質化之提高、以及利用其之磁偏之降低之效果得以直接維持。並且，維持該等效果，且協同地增加利用含有Mn之磁偏之降低之效果。藉此，可確實地降低磁偏，又，藉由併用分別適量之Mn與Cr，可抑制其合計之含量，可抑制由在非晶質合金材料中含有Mn或Cr所致之飽和磁通密度之降低。因此，藉由併用Mn與Cr，壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化自不待言，而且亦可實現飽和磁通密度之提高。
非晶質合金材料中之Mn之含有率b為0.1原子%以上且3原子%以下。若Mn之含有率b低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低受到限定，變得無法達成低鐵損化及高磁導率化之虞。另一方面，若Mn之含有率b超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，因此其結晶磁各向異性增大，由此導致磁偏增大之可能性。其結果，有壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化變得困難之虞。又，有亦招致飽和磁通密度之降低之情況。
又，Mn之含有率b較佳為0.5原子%以上且2.7原子%以下，更 佳為0.7原子%以上且2.5原子%以下，進而較佳為1原子%以上且2.3原子%以下。
各元素中，Si(矽)有助於提高非晶質合金材料之磁導率。又，藉由使非晶質合金材料中含有一定量之Si，可提高非晶質合金材料之電阻值，因此可抑制非晶質合金粉末之渦電流損耗。進而，藉由含有一定量之Si，亦可降低保磁力。
非晶質合金材料中之Si之含有率c為10原子%以上且14原子%以下。若Si之含有率c低於上述下限值，則無法充分地提高非晶質合金材料之磁導率及電阻值，無法充分地發揮出對外部磁場之磁響應性之提高或渦電流損耗之降低。另一方面，若Si之含有率c超過上述上限值，則非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，並且飽和磁通密度降低，而無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高。
又，Si之含有率c較佳為10.3原子%以上且13.5原子%以下，更佳為10.5原子%以上且13原子%以下，進而較佳為11原子%以上且12.5原子%以下。
各元素中，B(硼)使非晶質合金材料之熔點降低，使非晶質化變得容易。因此，可提高非晶質合金材料之電阻值，可抑制非晶質合金粉末之渦電流損耗。
非晶質合金材料中之B之含有率d為8原子%以上且13原子%以下。若B之含有率d低於上述下限值，則無法充分降低非晶質合金材料之熔點，非晶質合金材料之非晶質化變得困難。另一方面，若B之含有率超過上述上限值，則仍然無法充分降低非晶質合金材料之熔點，非晶質合金材料之非晶質化變得困難，並且飽和磁通密度降低。
又，B之含有率d較佳為8.3原子%以上且12原子%以下，更佳為8.5原子%以上且11.5原子%以下，進而較佳為8.8原子%以上且 11原子%以下。
各元素中，C(碳)降低非晶質合金材料之熔融時之黏性，使非晶質化及粉末化變得容易。因此，可提高非晶質合金材料之電阻值，可抑制非晶質合金粉末之渦電流損耗。又，非晶質合金材料之結晶磁各向異性變小，且磁偏亦變小。其結果，可實現壓粉磁心之低保磁力化。進而，藉由使非晶質合金材料之熔融時之黏性降低，可更容易地實現非晶質合金粉末之微細化及球形化。藉此，可獲得粒徑較小且相對較接近真球之非晶質合金粉末。此種非晶質合金粉末由於壓粉成形時之填充性較高，因此有助於成形密度較高之壓粉磁心之製造。並且，此種壓粉磁心藉由使填充率變高而使磁導率及飽和磁通密度進一步提高。
非晶質合金材料中之C之含有率e為1原子%以上且3原子%以下。若C之含有率e低於上述下限值，則使非晶質合金材料熔融時之黏性過高，非晶質合金粉末成為異形。因此，無法充分地提高製造壓粉磁心時之填充性，無法充分地提高所製造之壓粉磁心之飽和磁通密度或磁導率。另一方面，若C之含有率e超過上述上限值，則會阻礙非晶質合金材料之非晶質化，其結果使保磁力增加。
又，C之含有率e較佳為1.3原子%以上且2.8原子%以下，更佳為1.5原子%以上且2.6原子%以下，進而較佳為1.7原子%以上且2.5原子%以下。
再者，Cr與Mn如上所述般原子尺寸非常接近，而認為可於非晶質合金粉末中完全固溶地並存，但可藉由改變Cr及Mn之各含量之大小關係而適當調整非晶質合金粉末之特性。於將Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，b/(a+b)之值較佳為0.2以上且0.72以下，更佳為0.3以上且0.7以下，進而較佳為0.4以上且0.6以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料中含有 Cr及Mn，可使耐蝕性之提高與保磁力之降低之平衡最佳化。
又，作為Cr之含有率a與Mn之含有率b之和的(a+b)之值較佳為1.5以上且5.5以下，更佳為1.7以上且5以下，進而較佳為2以上且4.5以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有Cr及Mn，可必要且充分地表現出利用併用Cr與Mn之效果，並且抑制非晶質合金粉末之飽和磁通密度之降低，且提高非晶質合金粉末之耐蝕性，且降低保磁力。
因此，就高度兼具非晶質合金粉末之磁特性(飽和磁通密度或保磁力等)與耐蝕性之觀點而言，有用的是以b/(a+b)之值滿足上述關係且(a+b)之值滿足上述關係之方式使非晶質合金材料含有Cr及Mn。
進而，於將Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值較佳為0.05以上且0.25以下，更佳為0.07以上且0.23以下，進而較佳為0.09以上且0.2以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有各元素，而使主要影響保磁力或耐蝕性等之元素與主要影響磁導率或比電阻、非晶質化等之元素之平衡最佳化，因此可高度兼具保磁力、磁導率等之磁特性與耐蝕性，並且實現非晶質合金材料之非晶質化與非晶質合金粉末之微小化。
再者，作為Si之含有率c與B之含有率d之和的(c+d)之值較佳為19以上且25以下，更佳為20以上且24以下，進而較佳為21以上且23以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有Si及B，可不招致飽和磁通密度之顯著降低而高度兼具非晶質合金材料之鐵損之降低與磁特性之提高。
又，Si之含有率c、B之含有率d、及C之含有率e較佳為滿足c>d>e之關係。藉此，可獲得進一步高度兼具較低之鐵損與較高之磁特性之非晶質合金粉末。
另一方面，表示Mn之含有率b相對於上述和(c+d)之比例的b/(c+d)之值較佳為0.01以上且0.15以下，更佳為0.03以上且0.13以下，進而較佳為0.05以上且0.12以下。藉此，可不使利用非晶質合金材料含有Mn之磁偏之降低與利用含有Si及B之電阻值之上升相互抵消而實現最佳化。其結果，可實現渦電流損耗之最小化。又，於非晶質合金材料之熔融時，在熔點較低之狀態下氧化錳與氧化矽兩者確實地析出，可確實地實現非晶質合金粉末之粒子表面之絕緣性之提高。藉此，可獲得可確實地製造飽和磁通密度及磁導率較高且渦電流損耗較小之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，表示B之含有率d相對於Mn之含有率b與Si之含有率c之和(b+c)之比例的d/(b+c)之值較佳為0.5以上且1.2以下，更佳為0.6以上且1.1以下，進而較佳為0.7以上且1以下。藉此，藉由使非晶質合金材料中含有B，可不阻礙磁特性之提高而確實地降低非晶質合金材料之熔點。其結果，可獲得可確實地製造飽和磁通密度及磁導率較高且渦電流損耗較小之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，表示C之含有率e相對於Mn之含有率b與Si之含有率c之和(b+c)之比例的e/(b+c)之值較佳為0.07以上且0.27以下，更佳為0.10以上且0.25以下，進而較佳為0.15以上且0.2以下。藉此，可維持優異之磁特性且確實地實現非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之球形化。
進而，表示Mn之含有率b相對於B之含有率d與C之含有率e之和(d+e)之比例的b/(d+e)之值較佳為0.01以上且0.3以下，更佳為0.03以上且0.25以下，進而較佳為0.05以上且0.2以下。藉此，可高度兼具磁特性之提高與非晶質化。
又，Fe為非晶質合金材料中含有率(原子比)最高之成分、即主成分，對非晶質合金粉末之基本磁特性或機械特性造成較大影響。
<非晶質合金粉末之第2實施形態>
其次，對本發明之非晶質合金粉末之第2實施形態進行說明。
以下，針對本實施形態之非晶質合金粉末，以與上述第1實施形態之非晶質合金粉末之不同點為中心進行說明，且對相同事項省略其說明。
本實施形態之非晶質合金粉末包含如下非晶質合金材料，該非晶質合金材料係以Fe為主成分，Cr之含有率為1原子%以上且2.5原子%以下，Mn之含有率為1原子%以上且3原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。又，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值滿足0.2以上且0.95以下之關係。
此種非晶質合金粉末藉由含有適量之Cr與Mn且使各元素之比率最佳化而使磁偏降低。因此，藉由使用該非晶質合金粉末，可獲得磁偏較小之壓粉磁心。此種壓粉磁心兼具低保磁力及高磁導率之特徵，因此可獲得於高頻率下亦為低鐵損且於高頻率下磁響應性亦良好之壓粉磁心。
以下，對本實施形態之非晶質合金粉末進行更詳細之說明。
構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料中之Cr之含有率為1原子%以上且2.5原子%以下。若Cr之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低變得不充分，因此變得無法達成壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化之虞。又，有耐蝕性降低，例如於非晶質合金粉末之粒子表面產生銹而使飽和磁通密度等磁特性經時性惡化之虞。另一方面，若Cr之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，因 此其結晶磁各向異性增大，由此導致磁偏增大之可能性。其結果，有壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化變得困難之虞。又，有亦招致飽和磁通密度降低之虞。
再者，Cr之含有率較佳為1.5原子%以上且2.4原子%以下，更佳為1.7原子%以上且2.3原子%以下。
又，非晶質合金材料中之Mn之含有率為1原子%以上且3原子%以下。若Mn之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低受到限定，變得無法達成低鐵損化及高磁導率化之虞。另一方面，若Mn之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，因此其結晶磁各向異性增大，由此導致磁偏增大之可能性。其結果，有壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化變得困難之虞。又，有亦招致飽和磁通密度降低之情況。
再者，Mn之含有率較佳為1.3原子%以上且2.8原子%以下，更佳為1.5原子%以上且2.5原子%以下。
又，Cr及Mn藉由如上所述般併用而發揮出上述效果，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值較佳為2.1以上且5.3以下，更佳為2.5以上且5.0以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料中含有Cr及Mn，可必要且充分地表現出因併用Cr與Mn所致之效果，並且可防止非晶質合金粉末之飽和磁通密度之降低。即，若(a+b)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地表現出併用Cr與Mn之效果之虞，若(a+b)之值超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金粉末之飽和磁通密度降低之虞。
此處，如上所述，Cr與Mn之原子尺寸非常接近，而可認為於非晶質合金粉末中可完全固溶地並存，可藉由改變Cr及Mn之各含 量之大小關係而適當調整非晶質合金粉末之特性。具體而言，於將b/a之值設為0.4以上且未達1之情形時，Cr之含量變得相對多於Mn，因此尤其明顯地表現出因於非晶質合金材料中含有Cr所致之效果。藉此，使非晶質合金粉末之耐蝕性提高，並且使非晶質化進一步進行，藉此磁偏變得更小。其結果，可獲得磁偏更小且耐蝕性更優異之非晶質合金粉末。
又，於將b/a之值設為0.5以上且0.9未達之情形時，上述效果變得更顯著。
另一方面，於將b/a之值設為1以上且2以下之情形時，Mn之含量變得相對多於Cr，因此尤其明顯地表現出利用非晶質合金材料含有Mn之效果。藉此，使非晶質合金粉末之磁偏變得更小。其結果，可獲得磁偏特別小之非晶質合金粉末。
又，於將b/a之值設為1.2以上且1.5以下之情形時，上述效果變得更顯著。
又，於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，表示b相對於(c+d)之值之比例的b/(c+d)之值較佳為0.04以上且0.15以下，更佳為0.05以上且0.13以下，進而較佳為0.06以上且0.12以下。藉此，可不使利用非晶質合金材料含有Mn之磁偏之降低與利用含有Si及B之電阻值之上升相互抵消而實現最佳化。其結果，可實現渦電流損耗之最小化。又，於非晶質合金材料之熔融時，在熔點較低之狀態下氧化錳與氧化矽兩者更多地析出，從而可發揮出非晶質合金粉末之粒子表面之絕緣性之提高。藉此，可獲得可製造飽和磁通密度及磁導率較高且渦電流損耗較小之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
非晶質合金材料中之C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。若C之含有率低於上述下限值，則使非晶質合金材料熔融時之 黏性變高，而變得不易非晶質化。因此，非晶質合金材料之電阻值降低，渦電流損耗增加，磁偏增大，因此低保磁力化變難。另一方面，若C之含有率超過上述上限值，則反而會變得不易非晶質化，招致磁偏之增大。又，Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低。
再者，C之含有率較佳為1.3原子%以上且2.7原子%以下，更佳為1.5原子%以上且2.4原子%以下。
又，可認為C與上述Cr同樣地促進非晶質化，就磁特性之觀點而言，較佳為適當調整其含量。具體而言，於將C之含有率設為e[原子%]時，(a+e)之值較佳為2.2以上且5.5以下，更佳為2.5以上且5.0以下。藉由將(a+e)之值設定為上述範圍內，可將飽和磁通密度等磁特性之惡化抑制為最小限度，並且可確實地促進非晶質合金粉末之粒子之非晶質化，從而可充分地減小磁偏。
進而，如上所述，e/(a+b)之值為0.2以上且0.95以下，較佳為0.3以上且0.9以下，更佳為0.4以上且0.85以下。藉由以滿足此種關係之方式設定Cr、Mn及C之含量，而尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小，因此可使磁偏特別小。另一方面，可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，非晶質合金材料中之Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下。若Si之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地提高非晶質合金材料之磁導率及電阻值，無法充分地發揮出對外部磁場之磁響應性之提高或渦電流損耗之降低之虞。另一方面，若Si之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質化受到阻礙，並且飽和磁通密度降低，無法兼 具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，Si之含有率較佳為10.3原子%以上且13.5原子%以下，更佳為10.5原子%以上且13原子%以下。
又，非晶質合金材料中之B之含有率為8原子%以上且13原子%以下。若B之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地降低非晶質合金材料之熔點，非晶質化變得困難之虞。另一方面，若B之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，B之含有率較佳為8.3原子%以上且12原子%以下，更佳為8.5原子%以上且11.5原子%以下。
再者，於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值較佳為0.09以上且0.27以下，更佳為0.12以上且0.25以下，進而較佳為0.15以上且0.23以下。藉由以滿足該關係之方式含有各元素，可儘可能抑制Fe以外之元素之添加量，並且可促進非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之微細化。藉此，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
又，於本實施形態之非晶質合金粉末中，Fe亦為非晶質合金材料中含有率(原子比)最高之成分、即主成分，對非晶質合金粉末之基本磁特性或機械特性造成較大影響。
<非晶質合金粉末之第3實施形態>
其次，對本發明之非晶質合金粉末之第3實施形態進行說明。
以下，針對本實施形態之非晶質合金粉末，以與上述第1及第2實施形態之非晶質合金粉末之不同點為中心進行說明，且對相同事項省略其說明。
本實施形態之非晶質合金粉末包含如下非晶質合金材料，該非晶質合金材料係以Fe為主成分，且Cr之含有率為2原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為0.02原子%以上且未達1原子%，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。又，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值滿足0.3以上且0.95以下之關係。
此種非晶質合金粉末藉由含有適量之Cr與Mn且使各元素之比率最佳化而使磁偏降低。因此，藉由使用該非晶質合金粉末，可獲得磁偏較小之壓粉磁心。此種壓粉磁心兼具低保磁力及高磁導率之特徵，因此可獲得即便於高頻率下亦為低鐵損且即便於高頻率下磁響應性亦良好之壓粉磁心。
又，尤其藉由將Cr、Mn及C之含有率分別設定為上述範圍內，而可將Fe以外之成分之必需含量抑制為最小限度，並且可實現上述磁偏之降低。藉此，可將磁偏抑制為較小，並且可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此尤其可獲得低保磁力且高飽和磁通密度之非晶質合金粉末。
以下，對本實施形態之非晶質合金粉末進行更詳細之說明。
構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料中之Cr之含有率為2原子%以上且3原子%以下。若Cr之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低變得不充分，因此變得無法達成壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化之虞。又，有耐蝕性降低，例如於非晶質合金粉末之粒子表面產生銹而使飽和磁通密度等磁特性經時性惡化之虞。另一方面，若Cr之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，因此 其結晶磁各向異性增大，由此導致磁偏增大之可能性。其結果，有壓粉磁心之低保磁力化及高磁導率化變得困難之虞。又，有亦招致飽和磁通密度之降低之虞。
再者，Cr之含有率較佳為2.1原子%以上且2.9原子%以下，更佳為2.2原子%以上且2.8原子%以下。
又，非晶質合金材料中所含之Mn之含有率為0.02原子%以上且未達1原子%。若Mn之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低、以及低保磁力化變得困難，而變得無法達成低鐵損化及高磁導率化之虞。另一方面，若Mn之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低之虞。
再者，Mn之含有率較佳為0.10原子%以上且0.95原子%以下，更佳為0.20原子%以上且0.90原子%以下。
又，Cr及Mn藉由如上所述般併用而發揮出上述效果，於將Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值較佳為2.1以上且3.8以下，更佳為2.5以上且3.5以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有Cr及Mn，可必要且充分地表現出利用併用Cr與Mn之效果，並且可防止飽和磁通密度之降低。相對於此，若(a+b)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地表現出併用Cr與Mn之效果之虞，若(a+b)之值超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有飽和磁通密度略微降低之虞。
此處，如上所述，Cr與Mn之原子尺寸非常接近，而認為於非晶質合金粉末中可完全固溶地並存，可藉由改變Cr及Mn之各含量之大小關係而適當調整非晶質合金粉末之特性。具體而言，於將b/a之值設為0.02以上且未達0.47之情形時，使Cr與Mn之比率最佳 化，因此如上所述之併用之效果變得更顯著。即，可更進一步地提高(深化)低保磁力化及高磁導率化。相對於此，若b/a低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有使利用併用Cr與Mn之效果喪失之虞。又，若b/a超過上述上限值，則有Cr或Mn偏離適當之含有率，而無法獲得各自所發揮之效果之虞。
又，於將b/a之值設為0.05以上且未達0.40之情形時，上述效果變得更顯著。
又，於將Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，表示b相對於c+d之值之比例的b/(c+d)之值較佳為0.01以上且0.05以下，更佳為0.02以上且0.04以下。藉此，可不招致飽和磁通密度之顯著降低而實現利用於非晶質合金材料中含有Mn之磁偏之降低、及利用含有Si及B之電阻值之上升。其結果，可使飽和磁通密度維持為相對較高值，並且可實現低保磁力化與渦電流損耗之最小化、即低鐵損化。
非晶質合金材料中之C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。若C之含有率低於上述下限值，則使非晶質合金材料熔融時之黏性變高，而變得不易非晶質化。因此，非晶質合金材料之電阻值降低，渦電流損耗增加或磁偏增大，因此低保磁力化變得困難。另一方面，若C之含有率超過上述上限值，則反而會變得不易非晶質化，招致磁偏之增大。又，Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低。
再者，C之含有率較佳為1.3原子%以上且2.7原子%以下，更佳為1.5原子%以上且2.4原子%以下。
又，可認為C與上述Cr同樣地促進非晶質化，就磁特性之觀點而言，較佳為適當調整其含量。具體而言，於將C之含有率設為e[原子%]時，a+e之值較佳為2.2以上且5.5以下，更佳為2.5以上 且5.0以下。藉由將a+e之值設定為上述範圍內，可將飽和磁通密度等磁特性之惡化抑制為最小限度，並且可確實地促進非晶質合金粉末之粒子之非晶質化，從而可充分減小磁偏。
進而，如上所述，e/(a+b)之值為0.3以上且0.95以下，較佳為0.35以上且0.9以下，更佳為0.4以上且0.85以下。藉由以滿足此種關係之方式設定Cr、Mn及C之含量，而尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小，因此可使磁偏變得特別小。另一方面，可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，非晶質合金材料中之Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下。若Si之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地提高非晶質合金材料之磁導率及電阻值，無法充分地發揮出對外部磁場之磁響應性之提高或渦電流損耗之降低之虞。另一方面，若Si之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質化受到阻礙，並且飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，Si之含有率較佳為10.3原子%以上且13.5原子%以下，更佳為10.5原子%以上且13原子%以下。
又，非晶質合金材料中之B之含有率為8原子%以上且13原子%以下。若B之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分降低非晶質合金材料之熔點，非晶質化變得困難之虞。另一方面，若B之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，B之含有率較佳為8.3原子%以上且12原子%以下，更佳 為8.8原子%以上且11.5原子%以下。
再者，於將非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值較佳為0.09以上且0.2以下，更佳為0.09以上且0.18以下，進而較佳為0.1以上且0.15以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有各元素，可儘可能抑制Fe以外之元素之含量，並且可促進非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之微細化。藉此，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
又，於本實施形態之非晶質合金粉末中，Fe亦為非晶質合金材料中含有率(原子比)最高之成分、即主成分，對非晶質合金粉末之基本磁特性或機械特性造成較大影響。
<非晶質合金粉末之第4實施形態>
其次，對本發明之非晶質合金粉末之第4實施形態進行說明。
以下，針對本實施形態之非晶質合金粉末，以與上述第1、第2及第3實施形態之非晶質合金粉末之不同點為中心進行說明，且對相同事項省略其說明。
本實施形態之非晶質合金粉末包含如下非晶質合金材料，該非晶質合金材料係以Fe為主成分，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。又，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值為1.5以上且5.5以下，且b/a之值滿足0.3以上且未達1之關係。
此種非晶質合金粉末藉由含有適量之Cr與Mn且使各元素之比率最佳化而使磁偏降低。因此，藉由使用該非晶質合金粉末，可獲得磁偏較小之壓粉磁心。此種壓粉磁心兼具低保磁力及高磁導率之特徵，因此成為即便於高頻率下亦為低鐵損且即便於高頻率下磁響應性 亦良好之壓粉磁心。
又，尤其藉由使Cr及Mn之含有率滿足上述條件，而可獲得非常高之耐蝕性，並且可將Fe以外之成分之必需含量抑制為最小限度，並且可實現上述磁偏之降低。藉此，可獲得可製造兼具高磁導率與低鐵損且飽和磁通密度較高之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
以下，對本實施形態之非晶質合金粉末進行更詳細之說明。
構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料中之Cr之含有率較佳為1原子%以上且3原子%以下，更佳為1.05原子%以上且2.7原子%以下，進而較佳為1.1原子%以上且2.5原子%以下。藉由將Cr之含有率設定為上述範圍內，而可獲得具備充分之耐蝕性之非晶質合金粉末，並且可獲得可製造鐵損充分小之壓粉磁心之非晶質合金粉末。再者，若Cr之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有形成於非晶質合金粉末之鈍態皮膜之厚度或形成區域變得不充分，耐蝕性降低，並且飽和磁通密度降低之虞。另一方面，若Cr之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，其電阻值降低，並且保磁力上升，因此壓粉磁心之鐵損增大之虞。又，有Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低之虞。
又，非晶質合金材料中之Mn之含有率較佳為0.1原子%以上且2.5原子%以下，更佳為0.5原子%以上且2.2原子%以下，進而較佳為0.7原子%以上且2.0原子%以下。若Mn之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低變得困難，無法實現低鐵損化及高磁導率化之虞。又，若Mn之含有率高於上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低之虞。
又，Cr及Mn藉由如上所述般併用而發揮出上述效果，於將非 晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值為1.5以上且5.5以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有Cr及Mn，可必要且充分地表現出利用併用Cr與Mn之效果，並且可防止飽和磁通密度之降低。相對於此，若(a+b)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而無法表現出併用Cr與Mn之效果。又，若(a+b)之值超過上述上限值，則有飽和磁通密度降低之虞。
再者，(a+b)之值較佳為1.7以上且5以下，更佳為2以上且4.5以下。
進而，如上所述，Cr與Mn之原子尺寸非常接近，而認為於非晶質合金粉末中可完全固溶地並存，可藉由改變Cr及Mn之各含量之大小關係而適當調整非晶質合金粉末之特性。
具體而言，以使b/a之值成為0.3以上且未達1之方式調整Cr及Mn之各含量。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有Cr及Mn而使Cr與Mn之比率最佳化，因此如上所述之併用之效果變得更顯著。即，藉由使非晶質合金材料含有Cr而可尤其提高耐蝕性及非晶質化，並且藉由使非晶質合金材料含有Mn而可實現磁偏之降低，從而可更進一步地提高低保磁力化及高磁導率化。相對於此，若b/a低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有使利用併用Cr與Mn之效果喪失之可能性。又，若b/a超過上述上限值，則有Cr或Mn偏離適當之含有率之虞，該情形時，有無法獲得各成分(Cr或Mn)所發揮之效果之可能性。
再者，b/a之值較佳為0.4以上且未達0.9。
非晶質合金材料中之C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。若C之含有率低於上述下限值，則使非晶質合金材料熔融時之黏性變高，而變得不易非晶質化。因此，非晶質合金材料之電阻值降 低，又，渦電流損耗增加或磁偏增大，因此低保磁力化變得困難。另一方面，若C之含有率超過上述上限值，則反而變得不易非晶質化，招致磁偏之增大。又，Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低。
再者，C之含有率係設為1.3原子%以上且2.7原子%以下，更佳為設為1.5原子%以上且2.4原子%以下。
又，可認為C與上述Cr同樣地促進非晶質化，就磁特性之觀點而言，較佳為適當調整其含量。具體而言，於將C之含有率設為e[原子%]時，(a+e)之值較佳為2.2以上且5.5以下，更佳為2.5以上且5.0以下。藉由將(a+e)之值設定為上述範圍內，可將飽和磁通密度等磁特性之惡化抑制為最小限度，並且可確實地促進非晶質合金粉末之粒子之非晶質化，從而可充分減小磁偏。
進而，e/(a+b)之值較佳為0.3以上且1以下，更佳為0.35以上且0.9以下，進而較佳為0.4以上且0.85以下。藉由以滿足此種關係之方式設定Cr、Mn及C之含量，而尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小，因此可使磁偏變得特別小。另一方面，可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，非晶質合金材料中之Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下。若Si之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分地提高非晶質合金材料之磁導率及電阻值，無法充分地實現對外部磁場之磁響應性之提高或渦電流損耗之降低之虞。另一方面，若Si之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質化受到阻礙，並且飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，Si之含有率較佳為10.3原子%以上且13.5原子%以下，更佳為10.5原子%以上且13原子%以下。
又，非晶質合金材料中之B之含有率為8原子%以上且13原子%以下。若B之含有率低於上述下限值，則有根據非晶質合金材料之組成而無法充分降低非晶質合金材料之熔點，非晶質化變得困難之虞。另一方面，若B之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，B之含有率較佳為8.3原子%以上且12原子%以下，更佳為8.8原子%以上且11.5原子%以下。
再者，於將非晶質合金材料中所含之Si之含有率設為c原子%，將B之含有率設為d原子%時，關於(a+b)/(c+d+e)之值，較佳為0.05以上且0.25以下，更佳為0.07以上且0.23以下，進而較佳為0.09以上且0.2以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料中含有各元素，而可儘可能抑制Fe以外之元素之含量，並且可促進非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之微細化。藉此，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
又，b/(c+d)之值較佳為0.01以上且0.12以下，更佳為0.03以上且0.11以下，進而較佳為0.05以上且0.10以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有各元素，可獲得進一步改善磁偏之降低與非晶質化之兼具之非晶質合金粉末。相對於此，若b/(c+d)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法使非晶質合金粉末之磁偏充分降低之虞。又，若b/(c+d)之值超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化變得不充分，而難以減小磁偏之虞。
又，於本實施形態之非晶質合金粉末中，Fe亦為非晶質合金材 料中含有率(原子比)最高之成分、即主成分，對非晶質合金粉末之基本磁特性或機械特性造成較大影響。
<非晶質合金粉末之第5實施形態>
其次，對本發明之非晶質合金粉末之第5實施形態進行說明。
以下，針對本實施形態之非晶質合金粉末，以與上述第1、第2、第3及第4實施形態之非晶質合金粉末之不同點為中心進行說明，且對相同事項省略其說明。
本實施形態之非晶質合金粉末包含如下非晶質合金材料，該非晶質合金材料係以Fe為主成分，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。又，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值為1.5以上且6以下，且b/a之值滿足1以上且2以下之關係。
此種非晶質合金粉末藉由含有適量之Cr與Mn而使磁偏降低。因此，藉由使用該非晶質合金粉末，可獲得磁偏較小之壓粉磁心。此種壓粉磁心兼具低保磁力及高磁導率之特徵，因此成為即便於高頻率下亦為低鐵損且即便於高頻率下磁響應性亦良好之壓粉磁心。
又，尤其藉由將Cr及Mn之含有率分別設定為上述範圍內，可將Fe以外之成分之必需含量抑制為最小限度，並且可實現上述磁偏之降低。藉此，可獲得可製造兼具高磁導率與低鐵損且飽和磁通密度較高之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
以下，對本實施形態之非晶質合金粉末進行更詳細之說明。
構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料中之Cr之含有率較佳為1原子%以上且3原子%以下，更佳為1.05原子%以上且2.7原子%以下，進而較佳為1.1原子%以上且2.5原子%以下。藉由將Cr之含有率設定為上述範圍內，可獲得具備充分之耐蝕性之非晶質合金粉末， 並且可獲得可製造鐵損充分小之壓粉磁心之非晶質合金粉末。再者，若Cr之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有形成於非晶質合金粉末之鈍態皮膜之厚度或形成區域變得不充分，耐蝕性降低，並且飽和磁通密度降低之虞。另一方面，若Cr之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金材料之非晶質化受到阻礙，其電阻值降低，並且保磁力上升，因此壓粉磁心之鐵損增大之虞。又，有Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低之虞。
又，非晶質合金材料中之Mn之含有率較佳為0.5原子%以上且3原子%以下，更佳為0.7原子%以上且2.7原子%以下，進而較佳為1.0原子%以上且2.5原子%以下。若Mn之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有磁偏之降低變得困難，無法實現低鐵損化及高磁導率化之虞。另一方面，若Mn之含有率超過上述上限值，則根據組成比而有Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低之虞。
又，Cr及Mn藉由如上所述般併用而發揮出上述效果，於將非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，(a+b)之值為1.5以上且6以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料中含有Cr及Mn，可必要且充分地表現出利用併用Cr與Mn之效果，並且可防止飽和磁通密度之降低。相對於此，若(a+b)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而無法充分地表現出併用Cr與Mn之效果。又，若(a+b)超過上述上限值，則會使飽和磁通密度降低。
再者，(a+b)之值較佳為1.7以上且5以下，更佳為2以上且4.5以下。
進而，如上所述，Cr與Mn之原子尺寸非常近，而認為於非晶 質合金粉末中可完全固溶地並存，可藉由改變Cr及Mn之各含量之大小關係而適當調整非晶質合金粉末之特性。
具體而言，以使b/a之值成為1以上且2以下之方式調整Cr及Mn之各含量。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料中含有Cr及Mn而使Cr與Mn之比率最佳化，因此如上所述之併用之效果變得更顯著。即，藉由使非晶質合金材料含有Mn而可尤其降低磁偏，並且藉由含有Cr而可提高耐蝕性及非晶質化，從而可更進一步地提高低保磁力化及高磁導率化。相對於此，若b/a低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有使利用併用Cr與Mn之效果喪失之可能性。又，若b/a超過上述上限值，則有Cr或Mn偏離適當之含有率之虞，該情形時，有無法獲得各成分(Cr或Mn)所發揮之效果之可能性。
再者，b/a之值較佳為1.1以上且1.9以下。
非晶質合金材料中之C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。若C之含有率低於上述下限值，則使非晶質合金材料熔融時之黏性變高，而變得不易非晶質化。因此，非晶質合金材料之電阻值降低，又，渦電流損耗增加或磁偏增大，因此低保磁力化變得困難。另一方面，若C之含有率超過上述上限值，則反而會變得不易非晶質化，招致磁偏之增大。又，Fe之含有率相對降低，相應地，飽和磁通密度降低。
再者，C之含有率係設為1.3原子%以上且2.7原子%以下，更佳為設為1.5原子%以上且2.4原子%以下。
又，可認為C與上述Cr同樣地促進非晶質化，就磁特性之觀點而言，較佳為適當調整其含量。具體而言，於將C之含有率設為e[原子%]時，(a+e)之值較佳為2.2以上且5.5以下，更佳為2.5以上且5.0以下。藉由將(a+e)設定為上述範圍內，可將飽和磁通密度等 磁特性之惡化抑制為最小限度，並且可確實地促進非晶質合金粉末之粒子之非晶質化，從而可充分地減小磁偏。
進而，e/(a+b)之值較佳為0.3以上且0.95以下，更佳為0.35以上且0.9以下，進而較佳為0.4以上且0.85以下。藉由以滿足此種關係之方式設定Cr、Mn及C之含量，而尤其促進非晶質合金材料之非晶質化，其結晶磁各向異性變得特別小。其結果，可使非晶質合金材料之磁偏特別小。另一方面，可將飽和磁通密度之降低抑制為最小限度，因此可獲得可製造高度兼具低保磁力與高飽和磁通密度之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
又，非晶質合金材料中之Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下。若Si之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而無法充分地提高非晶質合金材料之磁導率及電阻值。因此，有無法充分地實現對外部磁場之磁響應性之提高或渦電流損耗之降低之虞。另一方面，若Si之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質化受到阻礙，並且飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，Si之含有率較佳為10.3原子%以上且13.5原子%以下，更佳為10.5原子%以上且13原子%以下。
又，非晶質合金材料中之B之含有率為8原子%以上且13原子%以下。若B之含有率低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法充分降低非晶質合金材料之熔點，非晶質化變得困難之虞。另一方面，若B之含有率超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有飽和磁通密度降低，無法兼具鐵損之降低與磁特性之提高之虞。
再者，B之含有率較佳為8.3原子%以上且12原子%以下，更佳為8.8原子%以上且11.5原子%以下。
再者，於將非晶質合金材料中所含之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，關於(a+b)/(c+d+e)之值，較佳為滿足0.05以上且0.25以下之關係，更佳為滿足0.07以上且0.2以下之關係，進而較佳為滿足0.09以上且0.15以下之關係。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有各元素，可儘可能抑制Fe以外之元素之含量，並且可促進非晶質合金材料之非晶質化及非晶質合金粉末之微細化。藉此，可更確實地獲得飽和磁通密度較高且磁偏較小之非晶質合金粉末。
又，b/(c+d)之值較佳為0.03以上且0.15以下，更佳為0.04以上且0.13以下，進而較佳為0.05以上且0.12以下。藉由以滿足該關係之方式使非晶質合金材料含有各元素，可獲得進一步改善磁偏之降低與非晶質化之兼具之非晶質合金粉末。相對於此，若b/(c+d)之值低於上述下限值，則根據非晶質合金材料之組成而有無法使非晶質合金粉末之磁偏充分降低之虞。又，若b/(c+d)超過上述上限值，則根據非晶質合金材料之組成而有非晶質合金粉末之粒子之非晶質化變得不充分，而難以減小磁偏之虞。
又，於本實施形態之非晶質合金粉末中，Fe亦為非晶質合金材料中含有率(原子比)最高之成分、即主成分，對非晶質合金粉末之基本磁特性或機械特性造成較大影響。
再者，上述非晶質合金材料除Cr、Mn、Si、B、C及Fe以外亦可於不對非晶質合金材料之特性造成不良影響之範圍內含有其他元素(雜質)。作為其他元素，例如可列舉：N(氮)、P(磷)、S(硫)、Al、Mg、Sc、Ti、V、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Bi等。該等可刻意添加，亦可於製造時不可避免地混入，但於任一情形時，其混入量均較佳為未達0.1原子%，更佳為0.05原子%以下。
又，非晶質合金材料之構成元素及組成比例如可藉由JIS G 1257中所規定之原子吸光法、JIS G 1258中所規定之ICP(inductively coupled plasma，感應耦合電漿)發光分析法、JIS G 1253中所規定之火花發光分析法、JIS G 1256中所規定之螢光X射線分析法、JIS G 1211~G 1237中所規定之重量/滴定/吸光光度法等而特定出。具體而言，SPECTRO公司製造之固體發光分光分析裝置(火花發光分析裝置)，型號：SPECTROLAB，類型：LAVMB08A。
再者，於特定C(碳)及S(硫)時，尤其亦可使用JIS G 1211中所規定之氧氣流燃燒(高頻感應加熱爐燃燒)-紅外線吸收法。具體而言，可列舉LECO公司製造之碳-硫分析裝置CS-200。
進而，於特定N(氮)及O(氧)時，尤其亦可使用JIS G 1228中所規定之鐵及鋼之氮定量方法、JIS Z 2613中所規定之金屬材料之氧定量方法。具體而言，可列舉LECO公司製造之氧-氮分析裝置TC-300/EF-300。
再者，構成非晶質合金粉末之非晶質合金材料是否為「非晶質」可根據例如藉由X射線繞射法所獲得之光譜而進行判斷。具體而言，於在X射線繞射光譜中未確認到明確之繞射峰之情形時，可判斷該受檢物為非晶質。
又，本發明之非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑較佳為3μm以上且100μm以下，更佳為4μm以上且80μm以下，進而較佳為5μm以上且60μm以下。使用包含此種粒徑之粒子之非晶質合金粉末而製造之壓粉磁心可縮短渦電流流經之路徑。藉此，可獲得渦電流損耗被充分抑制之壓粉磁心。
再者，粒子之平均粒徑可藉由雷射繞射法求出以質量基準累積量成為50%時之粒徑。
又，於非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑低於上述下限值之情 形時，有將非晶質合金粉末加壓、成形時之成形性降低，因此所獲得之壓粉磁心之密度降低，飽和磁通密度或磁導率降低之虞。另一方面，於非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑超過上述上限值之情形時，有壓粉磁心中渦電流流經之路徑變長，因此渦電流損耗增大之虞。
又，非晶質合金粉末之粒子之粒度分佈以儘可能窄為佳。具體而言，若非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑為上述範圍內，則最大粒徑較佳為200μm以下，更佳為150μm以下。藉由將非晶質合金粉末之粒子之最大粒徑控制為上述範圍內，可使非晶質合金粉末之粒子之粒度分佈變得更窄，可消除渦電流損耗局部增大等問題。
再者，上述最大粒徑係指以質量基準計累積量成為99.9%時之粒徑。
又，於將非晶質合金粉末之粒子之短徑設為S[μm]，將長徑設為L[μm]時，以S/L定義之縱橫比之平均值較佳為0.4以上且1以下左右，更佳為0.7以上且1以下左右。此種縱橫比之非晶質合金粉末由於其形狀相對較接近球形，故而可提高壓粉成形時之填充率。其結果，可獲得飽和磁通密度及磁導率較高之壓粉磁心。
再者，上述長徑係指於粒子之投影圖像中可取之最大長度，上述短徑係指與其最大長度正交之方向之最大長度。
又，關於本發明之非晶質合金粉末，粒子剖面之中心部之維氏硬度較佳為850以上且1200以下，更佳為900以上且1000以下。包含此種硬度之粒子之非晶質合金粉末為高硬度，但於成形時可略微發生塑性變形，因此有助於提高非晶質合金粉末之填充性。相對於此，若維氏硬度低於上述下限值，則粒子變得容易變形，因此填充性提高，但於在粒子表面形成有絕緣膜時，有絕緣膜隨著粒子之變形而破裂之虞。其結果，有渦電流損耗增大之虞。另一方面，若維氏硬度超過上述上限值，則於成形時不易發生塑性變形，因此有非晶質合金粉 末之填充性降低之虞。
再者，粒子剖面之中心部係指於以通過粒子之最大長度即長軸之方式將粒子切斷時，位於其切剖面上之長軸之中點之部位。又，中心部之維氏硬度可藉由微維氏硬度試驗機進行測定。
又，本發明之非晶質合金粉末之視密度較佳為3g/cm3以上，更佳為3.5g/cm3以上。於如此般使用視密度較大之非晶質合金粉末而製造壓粉磁心之情形時，各粒子之填充率變高，因此尤其可獲得高密度之壓粉磁心。藉此，可獲得磁導率及飽和磁通密度特別高之壓粉磁心。
再者，本發明中之視密度係設為利用JIS Z 2504中所規定之方法所測定之值。
又，本發明之非晶質合金粉末藉由具有如上所述之合金組成，而可降低非晶質合金粉末之保磁力。具體而言，非晶質合金粉末之保磁力較佳為4[Oe](318A/m)以下，更佳為1.5[Oe](119A/m)以下。藉由實現低保磁力化至此種範圍，可確實地抑制遲滯損失，可使鐵損充分降低。
再者，非晶質合金粉末之飽和磁通密度以儘可能大為佳，較佳為0.8T以上，更佳為1.0T以上。若非晶質合金粉末之飽和磁通密度為上述範圍內，則可不使性能降低而使壓粉磁心充分小型化。
又，本發明之非晶質合金粉末之粒子亦可於其粒子中含有微量之氧。該情形時，粒子中之氧含有率以質量比計較佳為150ppm以上且3000ppm以下，更佳為200ppm以上且2500ppm以下，進而較佳為200ppm以上且1500ppm以下。藉由將粒子中之氧含有率抑制為上述範圍內，可獲得高度兼具低鐵損、高飽和磁通密度及耐候性之非晶質合金粉末。相對於此，於粒子內之氧含有率低於上述下限值之情形時，因根據非晶質合金粉末之粒子之粒徑而無法於非晶質合金粉末 之粒子上形成適度之厚度之氧化物被膜等理由而有非晶質合金粉末之粒子間絕緣性降低，鐵損增大或耐候性降低之虞。又，於氧含有率超過上述上限值之情形時，有氧化物被膜變得過厚，相應地，飽和磁通密度等降低之虞。
如上所述之非晶質合金粉末例如可藉由霧化法(例如水霧化法、氣體霧化法、高速旋轉水流霧化法等)、還原法、羰基法、粉碎法等各種粉末化法而製造。
其中，本發明之非晶質合金粉末較佳為藉由霧化法而製造，更佳為藉由水霧化法或高速旋轉水流霧化法而製造。霧化法係藉由使熔融金屬(熔液)碰撞以高速噴射之流體(液體或氣體)，而使熔液細粉化並冷卻，從而製造金屬粉末(非晶質合金粉末)的方法。藉由利用此種霧化法製造非晶質合金粉末，而可高效率地製造極微小之粉末。又，所獲得之粉末之粒子之粒子形狀藉由表面張力之作用而變得接近球形狀。因此，可製造填充率較高之壓粉磁心。藉此，可獲得可製造磁導率及飽和磁通密度較高之壓粉磁心的非晶質合金粉末。
再者，於使用水霧化法作為霧化法之情形時，朝向熔融金屬所噴射之水(以下稱為「霧化水」)之壓力並無特別限定，較佳為75MPa以上且120MPa以下(750kgf/cm2以上且1200kgf/cm2以下)左右，更佳為90MPa以上且120MPa以下(900kgf/cm2以上且1200kgf/cm2以下)左右。
又，霧化水之水溫亦無特別限定，較佳為1℃以上且20℃以下左右。
進而，霧化水多數情況下於熔液之滴落路徑上具有頂點，噴射為如外徑朝向下方遞減之圓錐狀。該情形時，霧化水所形成之圓錐之頂角θ較佳為10°以上且40°以下左右，更佳為15°以上且35°以下左右。藉此，可確實地製造如上所述之組成之非晶質合金粉末。
又，根據水霧化法(尤其是高速旋轉水流霧化法)，可特別快速地將熔液冷卻。因此，可於較廣之合金組成下獲得非晶質化度較高之非晶質合金粉末。
又，霧化法中將熔液冷卻時之冷卻速度較佳為1×104℃/s以上，更佳為1×105℃/s以上。藉由此種快速冷卻，而保持熔液之狀態下之原子排列、即各種原子均勻混合之狀態得以保存之狀態直至固化，因此可獲得非晶質化度特別高之非晶質合金粉末。進而，可抑制非晶質合金粉末之粒子間之組成比之不均。其結果，可獲得均質且磁特性較高之非晶質合金粉末。
又，利用如上所述之方法製造後，對非晶質合金粉末亦可視需要實施退火處理。關於該退火處理中之加熱條件，若為非晶質合金材料之結晶溫度(Tx)-250℃以上且未達Tx之溫度範圍，則較佳為5分鐘以上且120分鐘以下之時間範圍，若為非晶質合金材料之結晶溫度(Tx)-100℃以上且未達Tx之溫度範圍，則更佳為10分鐘以上且60分鐘以下之時間範圍。藉由在此種加熱條件下實施退火處理，可將包含非晶質合金材料之非晶質合金粉末(非晶質合金粒子)退火，可緩和由粉末製造時所產生之急冷凝固所致之殘留應力。藉此，可緩和伴隨殘留應力之非晶質合金粉末之應變而提高磁特性。
再者，亦可對以此種方式獲得之非晶質合金粉末視需要進行分級。作為分級之方法，例如可列舉：如篩分分級、慣性分級、離心分級之類的乾式分級，如沈澱分級之類的濕式分級等。
又，亦可視需要將所獲得之非晶質合金粉末造粒。
進而，亦可視需要於所獲得之非晶質合金粉末之各粒子表面成膜絕緣膜。作為該絕緣膜之構成材料，例如可列舉與後述結合材料之構成材料相同之材料。
[壓粉磁心及磁性元件]
本發明之磁性元件可應用於如扼流圏、電感器、噪音濾波器、反應器、變壓器、馬達、發電機般具備磁心之各種磁性元件。又，本發明之壓粉磁心可應用於該等磁性元件所具備之磁心。
以下，作為磁性元件之一例，以2種扼流圏為代表進行說明。
<磁性元件之第1實施形態>
首先，對應用本發明之磁性元件之第1實施形態之扼流圏進行說明。
圖1係表示應用本發明之磁性元件之第1實施形態之扼流圏的模式圖(平面圖)。
圖1所示之扼流圏10包含環狀(環形(toroidal)形狀)之壓粉磁心11、及捲繞於該壓粉磁心11上之導線12。此種扼流圏10通常被稱為環形線圈(toroidal coil)。
壓粉磁心(本發明之壓粉磁心)11可將本發明之非晶質合金粉末、結合材料(黏合劑)、及有機溶劑混合，將所獲得之混合物供給至成形模具後，進行加壓、成形而獲得。
作為壓粉磁心11之製作中所使用之結合材料之構成材料，例如可列舉：聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、酚系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等有機材料，如磷酸鎂、磷酸鈣、磷酸鋅、磷酸錳、磷酸鎘之類的磷酸鹽、如矽酸鈉之類的矽酸鹽(水玻璃)等無機材料等，尤佳為熱硬化性聚醯亞胺或環氧系樹脂。該等樹脂材料藉由加熱而容易硬化，並且耐熱性優異。因此，可提高壓粉磁心11之製造容易性及耐熱性。
又，結合材料相對於非晶質合金粉末之比例根據所製作之壓粉磁心11之目標飽和磁通密度或所容許之渦電流損耗等而略有不同，較佳為0.5質量%以上且5質量%以下左右，更佳為1質量%以上且3質量%以下左右。藉此，可使非晶質合金粉末之各粒子彼此確實地絕 緣，並且某種程度地確保壓粉磁心11之密度，可防止壓粉磁心11之飽和磁通密度或磁導率顯著降低。其結果，可獲得飽和磁通密度及磁導率更高且更低損耗之壓粉磁心11。
又，作為有機溶劑，只要可溶解結合材料，則並無特別限定，例如可列舉：甲苯、異丙醇、丙酮、甲基乙基酮、氯仿、乙酸乙酯等各種溶劑。
再者，上述混合物中亦可視需要以任意之目的添加各種添加劑。
藉由如上所述之結合材料而使非晶質合金粉末之粒子彼此黏結並且絕緣。藉此，即便對壓粉磁心11賦予以高頻率變化之磁場，伴隨利用對應於該磁場變化之電磁感應所產生之電動勢之感應電流亦僅波及各粒子之相對較窄之區域。因此，可將由該感應電流引起之焦耳損耗(渦電流損耗)抑制為較小。又，由於各粒子之保磁力較小，故而亦可將遲滯損耗抑制為較小。
又，該焦耳損耗會招致壓粉磁心11之發熱，因此藉由抑制焦耳損耗，亦可減少扼流圏10之發熱量。
另一方面，作為導線12之構成材料，可列舉導電性較高之材料，例如可列舉Cu、Al、Ag、Au、Ni等金屬材料、或包含該金屬材料之合金等。
再者，較佳為於導線12之表面具備具有絕緣性之表面層。藉此，可確實地防止壓粉磁心11與導線12之短路。作為該表面層之構成材料，例如可列舉各種樹脂材料等。
其次，對扼流圏10之製造方法進行說明。
首先，將本發明之非晶質合金粉末、結合材料、各種添加劑、及有機溶劑加以混合而獲得混合物。
其次，使混合物乾燥而獲得塊狀之乾燥體後，將該乾燥體粉 碎，藉此形成造粒粉。
其次，將該造粒粉成形為應製作之壓粉磁心之形狀而獲得成形體。
作為該情形之成形方法，並無特別限定，例如可列舉：加壓成形、擠出成形、射出成形等方法。再者，該成形體之形狀尺寸係估算其後之將成形體加熱時之收縮部分而決定。
其次，對所獲得之成形體進行加熱，藉此使結合材料硬化，而獲得壓粉磁心11。此時，加熱溫度根據結合材料之組成等而略有不同，於結合材料包含有機材料之情形時，較佳為100℃以上且500℃以下左右，更佳為120℃以上且250℃以下左右。又，加熱時間根據加熱溫度而有所不同，設為0.5小時以上且5小時以下左右。
藉由以上，可獲得將本發明之非晶質合金粉末加壓、成形而成之壓粉磁心11、及沿著該壓粉磁心11之外周面捲繞導線12而成之扼流圏(本發明之磁性元件)10。該扼流圏10之長期耐蝕性優異，且高頻率區域下之損耗(鐵損)減小(成為低損耗)。
又，根據本發明之非晶質合金粉末，可容易地獲得磁特性優異之壓粉磁心11。藉此，可容易地實現壓粉磁心11之飽和磁通密度之提高、或伴隨於其之扼流圏10之小型化或額定電流之增大、發熱量之降低。即，可獲得高性能之扼流圏10。
再者，壓粉磁心11之形狀並不限定於上述環狀，例如亦可為棒狀、E型、I型等形狀。
<磁性元件之第2實施形態>
其次，對應用本發明之磁性元件之第2實施形態之扼流圏進行說明。
圖2係表示應用本發明之磁性元件之第2實施形態之扼流圏的模式圖(透視立體圖)。
以下，對第2實施形態之扼流圏進行說明，分別以與上述第1實施形態中之扼流圏之不同點為中心進行說明，且對相同事項省略其說明。
如圖2所示，本實施形態之扼流圏20係藉由將成形為盤管狀之導線22埋設於壓粉磁心21之內部而獲得。即，扼流圏20可藉由以壓粉磁心21將導線22塑模而獲得。
此種形態之扼流圏20容易製成相對較小型。並且，於製造此種小型之扼流圏20時，藉由使用飽和磁通密度及磁導率較大且損耗較小之壓粉磁心21而為小型，儘管如此，亦可獲得能夠應對大電流之低損耗、低發熱之扼流圏20。
又，由於導線22被埋設於壓粉磁心21之內部，故而於導線22與壓粉磁心21之間不易產生間隙。因此，亦可抑制由壓粉磁心21之磁偏所致之振動，抑制伴隨該振動之異響之產生。
於製造如上所述之本實施形態之扼流圏20之情形時，首先，於成形模具之空腔內配置導線22，並且以本發明之非晶質合金粉末將空腔內填充。即，以包含導線22之方式填充非晶質合金粉末。
其次，將非晶質合金粉末與導線22一併加壓而獲得成形體。
其次，以與上述第1實施形態之磁性元件相同之方式對該成形體實施熱處理。藉此，可獲得扼流圏20。
[電子機器]
其次，基於圖3~圖5對具備本發明之磁性元件之電子機器(本發明之電子機器)進行詳細說明。
圖3係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的行動型(或筆記型)之個人電腦之構成的立體圖。於該圖中，個人電腦1100包括具備鍵盤1102之本體部1104、及具備顯示部100之顯示單元1106，顯示單元1106經由鉸鏈構造部而可旋動地支持於本體部1104。此種 個人電腦1100中內置有例如開關電源用之扼流圏或電感器、馬達等磁性元件1000。
圖4係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的行動電話機(亦包含PHS(Personal Handy-phone System，個人手持電話系統))之構成的立體圖。於該圖中，行動電話機1200具備複數個操作按鈕1202、接聽口1204及發話口1206，於操作按鈕1202與接聽口1204之間配置有顯示部100。此種行動電話機1200中內置有例如電感器、噪音濾波器、馬達等磁性元件1000。
圖5係表示應用具備本發明之磁性元件之電子機器的數位靜態相機之構成的立體圖。再者，該圖中，對與外部機器之連接亦進行了簡單表示。數位靜態相機1300係藉由CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)等攝像元件對被攝體之光學影像進行光電轉換而產生攝像信號(圖像信號)。
構成為於數位靜態相機1300中之殼體(本體)1302之背面設置有顯示部，基於由CCD產生之攝像信號顯示所拍攝之圖像，顯示部係作為以電子圖像顯示被攝體之取景器而發揮功能。又，於殼體1302之正面側(圖中背面側)設置有包含光學透鏡(攝像光學系統)或CCD等之受光單元1304。
若攝影者對顯示部所顯示之被攝體像進行確認並按下快門按鈕1306，則可將該時間點之CCD之攝像信號傳送、儲存至記憶體1308中。又，於該數位靜態相機1300中，於殼體1302之側面設置有視訊信號輸出端子1312、及資料通信用之輸入輸出端子1314。並且，如圖所示，視訊信號輸出端子1312上視需要連接有電視監視器1430，資料通信用之輸入輸出端子1314上視需要連接有個人電腦1440。進而，構成為藉由特定之操作而將儲存於記憶體1308中之攝像信號輸出至電視監視器1430、或個人電腦1440。此種數位靜態相機1300中 亦內置有例如電感器、噪音濾波器等磁性元件1000。
再者，具備本發明之磁性元件之電子機器除了圖3之個人電腦(行動型個人電腦)、圖4之行動電話機、圖5之數位靜態相機以外，例如亦可應用於噴墨式噴出裝置(例如噴墨印表機)、膝上型個人電腦、電視、視訊相機、磁帶錄像機、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事本(亦包含附有通信功能者)、電子辭典、計算器、電子遊戲機器、文字處理器、工作站、視訊電話、防盜用電視監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(point-of-sale，銷售點)終端、醫療機器(例如電子體溫計、血圧計、血糖計、心電圖計測裝置、超音波診斷裝置、電子內視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例如，車輛、飛機、船舶之計器類)、動態控制機器類(例如，汽車驅動用控制機器等)、飛行模擬器等。
以上，基於較佳之實施形態對本發明之非晶質合金粉末、壓粉磁心、磁性元件及電子機器進行了說明，但本發明並不限定於此。
例如，於上述實施形態中，列舉壓粉磁心作為本發明之非晶質合金粉末之用途例進行說明，但用途例並不限定於此，例如亦可為磁性流體、磁遮蔽片材、磁頭等磁性器件。
[實施例]
其次，對本發明之具體之實施例進行說明。
<非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例>
1.壓粉磁心及扼流圏之製造
(實施例28A)
[1]首先，利用高頻感應爐將原材料熔融而獲得原材料之熔融物。藉由高速旋轉水流霧化法(於各表中，記為「旋轉水」)將該原材料之熔融物粉末化而獲得非晶質合金粉末之粒子。繼而，使用網眼150μm之標準篩將所獲得之非晶質合金粉末之粒子分級。將經分級 之非晶質合金粉末之合金組成示於表1。再者，合金組成之特定中係使用SPECTRO公司製造之固體發光分光分析裝置(火花發光分析裝置)，型號：SPECTROLAB，類型：LAVMB08A。又，非晶質合金粉末之粒子中之C(碳)之定量分析中係使用LECO公司製造之碳-硫分析裝置CS-200。
[2]其次，對所獲得之非晶質合金粉末進行粒度分佈測定。再者，該測定係藉由雷射繞射方式之粒度分佈測定裝置(Micro Track，HRA9320-X100，日機裝股份有限公司製造)而進行。並且，根據粒度分佈求出非晶質合金粉末之粒子之平均粒徑。
[3]其次，將所獲得之非晶質合金粉末與環氧樹脂(結合材料)、甲苯(有機溶劑)混合而獲得混合物。再者，環氧樹脂之添加量係相對於非晶質合金粉末100質量份設為2質量份。
[4]其次，對所獲得之混合物進行攪拌後，於溫度60℃下加熱1小時而使之乾燥，獲得塊狀之乾燥體。繼而，使該乾燥體通過網眼500μm之篩而進行分級，將經分級之乾燥體粉碎，獲得造粒粉末。
[5]其次，將所獲得之造粒粉末填充至成形模具中，基於下述成形條件而獲得成形體。
<成形條件>
‧成形方法：加壓成形
‧成形體之形狀：環狀
‧成形體之尺寸：外徑28mm、內徑14mm、厚度10.5mm
‧成形壓力：20t/cm2(1.96GPa)
[6]其次，將成形體於大氣氛圍中於溫度450℃下加熱0.5小時而使成形體中之結合材料硬化。藉此獲得壓粉磁心。
[7]其次，使用所獲得之壓粉磁心，基於以下製作條件製作圖1所示之扼流圏(磁性元件)。
<盤管製作條件>
‧導線之構成材料：Cu
‧導線之線徑：0.5mm
‧捲繞數(磁導率測定時)：7圈
‧捲繞數(鐵損測定時)：初級側30圈、次級側30圈
(實施例1A~10A及比較例2A~6A)
分別使用具有表1所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00001
(實施例11A~13A及比較例7A~11A)
分別使用具有表2所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00002
(實施例14A~16A、29A及比較例12A~14A、16A)
分別使用具有表3所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00003
再者，針對實施例14A及比較例14A，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
(實施例17A~21A及比較例17A~21A)
分別使用具有表4所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00004
再者，針對實施例17A及實施例19A，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
(實施例22A~27A及比較例22A~24A)
分別使用具有表5所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00005
再者，針對實施例23A及實施例25A，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
2.非晶質合金粉末、壓粉磁心及扼流圏之評價
2.1 非晶質合金粉末之氧含有率之測定
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，藉由氧氮同時分析裝置(LECO公司製造之TC-300/EF-300)測定其粒子中所含之氧含有率。
2.2 非晶質合金粉末之磁特性之測定
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，基於以下測定條件測定其保磁力及飽和磁通密度。
<測定條件>
‧測定最大磁場：10kOe
‧測定裝置：振動試樣型磁力計(玉川製作所製造，VSM1230-MHHL)
2.3 扼流圏之磁特性之測定
針對各實施例及各比較例中所獲得之扼流圏，基於以下測定條件測定各者之磁導率μ'及鐵損(磁芯損耗Pcv)。
<磁導率μ'之測定條件>
‧測定頻率：100kHz、1000kHz
‧測定裝置：阻抗分析器(日本惠普公司製造之HP4194A)
<鐵損(磁芯損耗Pcv)之測定條件>
‧測定頻率：100kHz
‧最大磁通密度：50mT
‧測定裝置：交流磁特性測定裝置(岩通計股份有限公司製造之B-H Analyzer SY8258)
2.4 耐蝕性之評價
針對各實施例及各比較例中所獲得之扼流圏，觀察各者於高溫高濕環境下之外觀並進行比較，藉此評價壓粉磁心之耐蝕性。
再者，高溫高圧環境之製作係利用恆溫恆濕機(大研理化學器械製造)進行，設為溫度85℃、相對濕度90%。將扼流圏放入該高溫高濕環境下，將經過5天後之外觀與試驗前之扼流圏進行比較，依據以下評價基準進行評價。
<耐蝕性之評價基準>
A：產生銹之面積未達扼流圏之表面積之1%
B：對扼流圏之表面積之1%以上且未達10%確認到鏽之產生
C：對扼流圏之表面積之10%以上且未達25%確認到鏽之產生
D：對扼流圏之表面積之25%以上且未達50%確認到鏽之產生
E：對扼流圏之表面積之50%以上確認到鏽之產生
以上，將評價結果示於表1~5。
如由表1~5所明確，確認到各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之飽和磁通密度及磁導率兩者均相對較高，保磁力相對較低。根據該評價結果可確認，各實施例中所獲得之非晶質合金粉末之磁偏小於各比較例中所獲得之非晶質合金粉末。其結果，確認到各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏可高度兼具較低之鐵損與較高之磁特性。又，亦確認到各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏具備優異之耐蝕性。
另一方面，確認到各比較例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之飽和磁通密度或磁導率之任一者相對較低，或保磁力相對較高。即，確認到該等非晶質合金粉末及扼流圏均難於以高次元兼具較低之鐵損與較高之磁特性。又，確認到各比較例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之耐蝕性不充分。
<非晶質合金粉末之第2實施形態之實施例>
1.壓粉磁心及扼流圏之製造(實施例1B~9B、25B及比較例2B~6B)
分別使用具有表6所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00006
(實施例10B及比較例7B~10B)
分別使用具有表7所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00007
(實施例11B~13B)
分別使用具有表8所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00008
再者，針對實施例11B，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
(實施例14B~18B及比較例11B、12B)
分別使用具有表9所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00009
再者，針對實施例14B及實施例16B，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
(實施例19B~24B及比較例13B、14B)
分別使用具有表10中所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00010
再者，針對實施例20B及實施例22B，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
2.非晶質合金粉末、壓粉磁心及扼流圏之評價
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，使用與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例中使用之評價方法相同之評價方法進行評價。將評價結果示於各表。
如由各表所明確，可確認各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之保磁力較小，磁導率μ'較高。由此可確認，用於該扼流圏之非晶質合金粉末之磁偏小於各比較例中所獲得之非晶質合金粉末。又，可確認各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏顯示出優異之耐蝕性。
<非晶質合金粉末之第3實施形態之實施例>
1.壓粉磁心及扼流圏之製造
(實施例1C、8C及比較例2C)
分別使用具有表11所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00011
(實施例2C~5C及比較例3C)
分別使用具有表12所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00012
(實施例6C、7C及比較例4C、5C)
分別使用具有表13所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00013
再者，針對實施例6C，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
2.非晶質合金粉末、壓粉磁心及扼流圏之評價
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，使用與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例中使用之評價方法相同之評價方法進行評價。將評價結果示於各表。
如由各表所明確，確認到各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之保磁力較小，磁導率μ'較高。由此可確認，用於該扼流圏之非晶質合金粉末之磁偏小於各比較例中所獲得之非晶質合金粉末。又，可確認，各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之飽和磁通密度較高且顯示出優異之耐蝕性。
<非晶質合金粉末之第4實施形態之實施例>
1.壓粉磁心及扼流圏之製造
(實施例1D~7D、實施例21D及比較例2D、3D)
分別使用具有表14所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00014
(實施例8D~14D及比較例4D~7D)
分別使用具有表15所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00015
再者，針對實施例9D、10D及12D，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
(實施例15D~20D)
分別使用具有表16所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00016
再者，針對實施例15D、16D及18D，使用水霧化法(於表中，記為「W-atm」)代替高速旋轉水流霧化法。
2.非晶質合金粉末、壓粉磁心及扼流圏之評價
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，使用與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例中使用之評價方法相同之評價方法進行評價。將評價結果示於各表。
如由各表所明確，可確認各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之保磁力較小，磁導率μ'較高。又，可確認，各實施例中所獲得之扼流圏之飽和磁通密度較高且顯示出優異之耐蝕性。由此可確認，用於該扼流圏之非晶質合金粉末可製造長期兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心。
<非晶質合金粉末之第5實施形態之實施例>
1.壓粉磁心及扼流圏之製造
(實施例1E~11E及比較例2E)
分別使用具有表17所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00017
(比較例3E~8E)
分別使用具有表18所示之合金組成之非晶質合金材料作為非晶質合金粉末，除此以外，以與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例28A相同之方式獲得壓粉磁心，並且使用該壓粉磁心獲得扼流圏。
Figure TWI610320BD00018
2.非晶質合金粉末、壓粉磁心及扼流圏之評價
針對各實施例及各比較例中所獲得之非晶質合金粉末與扼流圏，使用與上述非晶質合金粉末之第1實施形態之實施例中使用之評價方法相同之評價方法進行評價。將評價結果示於各表。
如由各表所明確，確認到各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之保磁力較小，磁導率μ'較高。由此可確認，用於該扼流圏之非晶質合金粉末可製造穩定地兼具高磁導率與低鐵損之壓粉磁心。又，可確認，各實施例中所獲得之非晶質合金粉末及扼流圏之飽和磁通密度較高且顯示出優異之耐蝕性。
10‧‧‧扼流圏
11‧‧‧壓粉磁心
12‧‧‧導線

Claims (30)

  1. 一種非晶質合金粉末，其係包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C作為構成成分之非晶質合金材料之粒子者，其特徵在於：上述非晶質合金材料含有Fe作為主成分，Cr之含有率為1.0原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為1.3原子%以上且2.8原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
  2. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，b/(a+b)之值為0.2以上且0.72以下。
  3. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且5.5以下。
  4. 如請求項2之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且5.5以下。
  5. 如請求項2至4中任一項之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
  6. 如請求項2至4中任一項之非晶質合金粉末，其中於將上述非 晶質合金材料中之Mn之含有率設為b[原子%]，將Si之含有率設為c[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(b+c)之值為0.07以上且0.27以下。
  7. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中上述非晶質合金材料中之Cr之含有率為1原子%以上且2.5原子%以下，於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值為0.2以上且0.95以下。
  8. 如請求項7之非晶質合金粉末，其中a+b之值為2.1以上且5.3以下。
  9. 如請求項8之非晶質合金粉末，其中b/a之值為0.4以上且未達l。
  10. 如請求項8之非晶質合金粉末，其中b/a之值為1以上且2以下。
  11. 如請求項7之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.04以上且0.15以下。
  12. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中上述非晶質合金材料中之Cr之含有率為2原子%以上且3原子%以下，於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，e/(a+b)之值為0.3以上且0.95以下。
  13. 如請求項12之非晶質合金粉末，其中a+b之值為2.1以上且3.8以下。
  14. 如請求項13之非晶質合金粉末，其中b/a之值為0.02以上且未達0.47。
  15. 如請求項12之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.01以上且0.05以下。
  16. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且5.5以下，且b/a之值為0.3以上且未達1。
  17. 如請求項16之非晶質合金粉末，其中b之值為0.1以上且2.5以下。
  18. 如請求項16之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.01以上且0.12以下。
  19. 如請求項16之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
  20. 如請求項1之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Cr之含有率設為a[原子%]，將Mn之含有率設為b[原子%]時，a+b之值為1.5以上且6以下，且b/a之值為1以上且2以下。
  21. 如請求項20之非晶質合金粉末，其中b之值為0.5以上且3以下。
  22. 如請求項20之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]時，b/(c+d)之值為0.03以上且0.15以下。
  23. 如請求項20之非晶質合金粉末，其中於將上述非晶質合金材料 中之Si之含有率設為c[原子%]，將B之含有率設為d[原子%]，將C之含有率設為e[原子%]時，(a+b)/(c+d+e)之值為0.05以上且0.25以下。
  24. 如請求項1、2、7至23中任一項之非晶質合金粉末，其中上述粒子之平均粒徑為3μm以上且100μm以下。
  25. 如請求項1、2、7至23中任一項之非晶質合金粉末，其中上述非晶質合金材料之保磁力為4[Oe]以下。
  26. 如請求項1、2、7至23中任一項之非晶質合金粉末，其中上述粒子中之氧含有率以質量比計為150ppm以上且3000ppm以下。
  27. 如請求項1、2、7至23中任一項之非晶質合金粉末，其係使用水霧化法或高速旋轉水流霧化法中之任一種方法而製造。
  28. 一種壓粉磁心，其係使用包含含有Fe、Cr、Mn、Si、B及C作為構成成分之非晶質合金材料之粒子之非晶質合金粉末而形成者，其特徵在於：上述非晶質合金材料含有Fe作為主成分，Cr之含有率為1.0原子%以上且3原子%以下，Mn之含有率為1.3原子%以上且2.8原子%以下，Si之含有率為10原子%以上且14原子%以下，B之含有率為8原子%以上且13原子%以下，C之含有率為1原子%以上且3原子%以下。
  29. 一種磁性元件，其特徵在於：其具備如請求項28之壓粉磁心。
  30. 一種電子機器，其特徵在於：其具備如請求項29之磁性元件。
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