TWI600910B - Dynamic response analysis probe device - Google Patents

Dynamic response analysis probe device Download PDF

Info

Publication number
TWI600910B
TWI600910B TW105122431A TW105122431A TWI600910B TW I600910 B TWI600910 B TW I600910B TW 105122431 A TW105122431 A TW 105122431A TW 105122431 A TW105122431 A TW 105122431A TW I600910 B TWI600910 B TW I600910B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sample
waveform
probe
probe device
input
Prior art date
Application number
TW105122431A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201704763A (zh
Inventor
古森正明
大木克夫
奈良安彦
水野貴之
Original Assignee
日立全球先端科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立全球先端科技股份有限公司 filed Critical 日立全球先端科技股份有限公司
Publication of TW201704763A publication Critical patent/TW201704763A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI600910B publication Critical patent/TWI600910B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G01R31/2603—Apparatus or methods therefor for curve tracing of semiconductor characteristics, e.g. on oscilloscope
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/265—Contactless testing
    • G01R31/2653—Contactless testing using electron beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
    • G01R31/275—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements for testing individual semiconductor components within integrated circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836—Fault-finding or characterising
    • G01R31/2839—Fault-finding or characterising using signal generators, power supplies or circuit analysers
    • G01R31/2841—Signal generators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2008—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated specially adapted for studying electrical or magnetical properties of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices

Description

動態響應解析探針儀裝置
本發明係關於微小電子元件特性評估用探針儀裝置，尤其關於利用動態響應解析的微小電子元件的不良解析。
因電子元件微細化，逐漸圖求大規模積體電路(Large-Scale Integration，LSI)的高速化、高性能化。另一方面，伴隨如上所示之電子元件微細化，電晶體數、配線條數、接觸子數增大。因此，故障品等的不良解析係更為複雜化。
以往，電子元件的不良解析係藉由各種非破壞分析，限定不良部位之後，觀察所被限定的推定不良部位的構造缺陷來進行。
觀察構造缺陷時，係進行剖面觀察等推定不良部位的破壞分析。因此，若在推定為不良要因的部位未發現異常，變得無法進行不良試樣的再評估。因此，在電子元件的不良解析中，期望一種藉由非破壞分析所為之解析技術、或在半破壞分析的階段，可以高機率找到不良部 位的解析技術。
對於如上所示之迫切要求，已提出一種研磨電子元件至存在不良部位的近傍為止，使極微小的探針直接接觸在電子元件的電路上，來評估電子元件的電特性的探針儀裝置。
在日本特開2013-187510號公報(專利文獻1)中，使用掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)，一邊觀察探針與試料表面的放大影像，一邊在存在於試料表面上的微細電晶體等接觸微小探針，來測定電特性。藉此，可進行至今原為困難之存在於試料內之億單位的電晶體之中僅有1個的電特性的評估。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-187510號公報
本案發明人針對探針儀裝置中的微小電子元件的動態響應解析精心研究的結果，得到以下知見。
在至今為止的微小電子元件特性評估用探針儀裝置中，對當施加直流電壓時，會流通什麼樣的電流的現象亦即靜態電特性進行評估。比較被認為不良的電晶體的靜態電特性、及正常電晶體的靜態電特性，若該等特性 非為同等時，即斷定為不良部位。
另一方面，若實際使用該等電晶體，係以兆赫(megahertz)級或吉赫(gigahertz)級的高速驅動訊號使其進行動作。更精密而言，為了評估電晶體的電特性，期望可進行接近實際動作環境的狀態，亦即動態訊號的響應解析(動態解析或動態評估)。
此外，在電晶體的不良解析中，僅以靜態電特性的評估，係有無法被辨識之不良之虞。因此，近年來，藉由探針儀裝置所為之動態響應解析的必要性增高。
在高速的動態訊號的響應解析中，必須所輸入的高速訊號不會劣化地傳至試料，接著，試料的響應訊號不會劣化地被輸出至示波器。
必須傳送如上所示之高速訊號的測定系統係必須對所測定的頻率具有充分的頻帶。為了傳送更為高速的訊號(高頻訊號)，必須要有較大的頻帶。在如上所示之系統中，用以抑制伴隨傳送的損失的傳送路徑的最適化、或用以防止因存在於傳送路徑的構造物或零件等所致之訊號反射或損失的阻抗變動的抑制等極為重要。
圖1係探針儀裝置的測定路徑的模式圖。在探針儀裝置中，將函數發生器1所發生的輸入訊號透過輸入纜線2送至探針3，且施加至試料4。試料4的響應訊號係透過輸出纜線5而在示波器6予以觀察。在此，在真空腔室7之中，由於必須操作探針3，輸入纜線2係被配置在真空腔室7內。藉此，輸入纜線2的長度被固定，全 纜線長係與積體電路基板等毫米以下的微小標度大幅不同，成為公尺級的標度(scale)。如上所示之標度的不同容易導致傳送損失增大、或構成測定系統的各部的反射，造成高速傳送的弊害。
此外，輸入纜線2或輸出纜線5係被GND被覆，另一方面，探針3並未被GND被覆。藉由如上所示之構造，阻抗變動可變大。
此外，在藉由探針儀裝置所為之測定中，在研磨試料4至欲接觸探針3的層為止之後，配置在探針儀裝置，且使探針3接觸試料4的研磨面來進行測定。
圖2係藉由探針儀裝置所為之測定時的模式圖，(a)為上面圖，(b)為側面圖，顯示使探針3接觸試料4的研磨面的樣子。為了測定試料4的電特性，使探針3接觸試料4的接觸子8，但是該數十奈米級的接觸面中的髒污等接觸電阻亦成為阻抗變動的要因。
因使該等頻帶劣化的要因，探針儀裝置中之動態訊號的響應解析若為如LSI實際動作的兆赫等級，尤其吉赫級的頻率，即極為困難。
本發明之目的係關於在探針儀裝置中，使用兆赫等級以上的動態訊號，來實施構成LSI的微小電晶體等微小電子元件的不良解析。
在本發明中，係關於在探針儀裝置中，當對 微小電子元件實施動態訊號的響應解析時，將被輸入至探針之一的動態電訊號的輸入波形進行整形，觀察透過試料被輸出的動態電訊號的輸出波形，較佳為關於以透過試料被輸出的動態電訊號的輸出波形成為大致脈衝形狀的方式調整輸入波形。
藉由本發明，可對構成LSI的微小電晶體等微小電子元件，進行兆赫等級以上之高速的動態訊號的響應解析。
1‧‧‧函數發生器
2‧‧‧輸入纜線
3‧‧‧探針
4‧‧‧試料
5‧‧‧輸出纜線
6‧‧‧示波器
7‧‧‧真空腔室
8‧‧‧接觸子
9‧‧‧SEM鏡柱
10‧‧‧二次電子檢測器
11‧‧‧試料載台
12‧‧‧半導體參數分析儀
13‧‧‧渦輪分子泵
14‧‧‧乾式泵
15‧‧‧藉由SEM所得之試料觀察區域
16‧‧‧藉由光學顯微鏡所得之試料觀察區域
17‧‧‧探針交換區域
18‧‧‧探針交換室
19‧‧‧探針上拉棒
20‧‧‧CCD攝影機
21‧‧‧CCD攝影機
22‧‧‧顯示器
23‧‧‧資料庫
24‧‧‧運算處理部
圖1係探針儀裝置的測定路徑的模式圖。
圖2係顯示使探針接觸試料的狀態的圖。
圖3係實施例1之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。
圖4係用以說明頻帶對脈衝形狀所造成的影響的圖表。
圖5係實施例2之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的構成圖。
圖6係實施例3之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。
圖7係實施例4之微小電子元件特性評估用探針儀裝 置的概略圖。
圖8係實施例5之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。
在實施例中，揭示一種探針儀裝置，其係具備有：試料載台，其係保持試料；複數探針，其係與試料的預定部位相接觸；試料室，其係在其內部配置有試料載台及複數探針；及觀察試料及探針的帶電粒子線束顯微鏡，該探針儀裝置具備有：輸入波形形成機構，其係將被輸入至探針之一的動態電訊號的輸入波形進行整形；及輸出波形觀察機構，其係觀察透過試料被輸出的動態電訊號的輸出波形。
此外，在實施例中揭示輸入波形係以透過試料被輸出的動態電訊號的輸出波形成為大致脈衝形狀的方式予以調整。此外，在實施例中揭示輸入波形係在波形的前方部為凸形狀、或在波形的後方部分為凹形狀。
此外，在實施例中揭示一種探針儀裝置，其係具備：記錄有動態電訊號的輸入波形的資料庫，按照所輸入的動態電訊號的條件，輸入波形形成機構形成被記錄在資料庫的輸入波形。
此外，在實施例中揭示一種探針儀裝置，其係根據測定系統的等效電路模擬，輸入波形形成機構自動形成輸入波形。
此外，在實施例中揭示一種探針儀裝置，其係輸入波形形成機構根據輸出波形，以該輸出波形成為大致矩形的方式自動修正輸出波形。
以下參考圖面，說明上述及其他新穎的特徵及效果。
[實施例1]
圖3係本實施例之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。
本實施例中的探針儀裝置係在可將內部保持為真空的真空腔室7內，具備有：接觸試料4上的接觸子等，用以測定試料4的電特性的探針3；用以對探針3或試料4照射電子線的SEM鏡柱(column)9；及用以檢測藉由電子線的照射，由探針3或試料4所發生的二次電子的二次電子檢測器10。
此外，該探針儀裝置係設有：用以使探針3驅動的探針驅動機構(未圖示)、及用以移動試料4的位置的試料載台11。
若取得電晶體的電特性，必須使探針接觸源極、汲極、閘極之各接觸子，因此探針3最少亦必須有3支。若考慮到接觸基板的探針3、或供在探針3發生破損時之用的預備探針等，探針數亦可設置多於3支，例如6支以上的探針。
探針3或試料載台11的移動係由測定者以控 制終端(未圖示)進行操作。
試料4的電特性係將探針3移動至所希望的接觸子，且使接觸子與探針3接觸，透過探針3，由函數發生器1對示波器6傳送測定訊號，藉由半導體參數分析儀12，施加驅動電晶體所需的電壓，且取得動態響應特性，藉此予以解析、評估。
在此，如前所述，依探針儀裝置的特有構成，難以確保進行傳送的頻帶。圖4係用以說明頻帶對脈衝形狀所造成的影響的圖表。若被確保充分傳送頻率的頻寬時，若將脈衝波傳送至該系統，維持漂亮的矩形波予以輸出(圖4(a))。另一方面，若傳送訊號的頻帶小，經輸入的脈衝波形係矩形的上升部劣化(圖4(b))。此係基於脈衝波形係由多數頻率成分所構成，脈衝波形中的矩形的上升、下降的部分係相當於高頻率成分之故。亦即，在傳送頻寬較小的測定系統中，該高頻率成分劣化，結果，所得的脈衝波形係如(圖4(b))所示，在上升形狀中，未維持矩形。另一方面，若改變看法，藉由觀察該矩形的上升形式，可掌握在更為高頻下的測定體的特性。
在本實施例中，在以探針儀裝置測定動態響應特性時，以被輸出的訊號波形成為矩形的方式將輸入波形進行整形，且彌補探針儀裝置在傳送系統的訊號劣化。利用該傳送波形，比較維持矩形的標準試料的上升、及比較試料的輸出訊號的上升，藉此可測定在更為高頻下的試 料特性的不同。
圖4(c)係經波形整形之輸入波形的代表性形狀。將相當於被預想劣化的上升、或下降的部分形成為急遽電壓的上升、或下降的形狀，以填補傳送劣化。在實際測定中，本形狀的電壓的上升量或上升時間係藉由測定系統的等效電路模擬來決定。
[實施例2]
在本實施例中，說明藉由微小電子元件特性評估用探針儀裝置所為之不良解析。以下以與實施例1的相異處為中心進行說明。
圖5係本實施例之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的構成圖。微小電子元件特性評估用探針儀裝置係在真空腔室7的內部具備有：用以測定電特性的探針3；及可設置電子元件等試料4的試料載台11。
此外，該探針儀裝置係另外具備有：用以對探針3或試料4照射電子線的SEM鏡柱9；及用以檢測藉由電子線的照射，由探針3或試料4所發生的二次電子的二次電子檢測器10。
在真空腔室7設有用以將其內部進行排氣的渦輪分子泵13及乾式泵14。其中，若為可將真空腔室7的內部保持為真空的泵，則泵的種類不拘，惟以可保持更高真空且不會污染真空腔室7的泵為宜。
真空腔室7的內部係被大致分為：藉由SEM 所致之試料觀察區域15、藉由光學顯微鏡所致之試料觀察區域16、及探針交換區域17。藉由試料載台11移動至該等區域，可進行藉由SEM所為之試料觀察、藉由光學顯微鏡所為之試料觀察、及探針交換。
基本上，試料載台11係被配置在SEM鏡柱9的正下方。此外，在試料載台11與SEM鏡柱9之間配置有探針3。其中，探針3的支數，在本實施例中為4支。接著，該探針3係被固定在探針驅動裝置(未圖示)。
使探針3移動至探針交換區域17，使用探針上拉棒19，將探針3上拉至探針交換室18，藉此可交換探針3。
為進行試料4的電特性的測定，當使探針3接觸試料4時，首先，將試料載台11移動至藉由光學顯微鏡所得之試料觀察區域16。在該區域係設置有由上面方向觀察試料4的第一CCD攝影機20；及由側面方向觀察試料4的第二CCD攝影機21。一邊觀察該等CCD攝影機20、21的影像一邊使探針3驅動，藉此可以約0.1mm左右的精度，使探針3移動至存在所希望接觸子的部位。
試料4之中實際欲測定的圖案大小係多數為直徑100nm以下。因此，在上述對位之後，使試料載台11移動至藉由SEM所得之試料觀察區域15。接著，一邊觀察SEM像一邊操作探針3，更精密地使探針3移動至測定位置。
各自的探針3係被連接在：用以測定電子元 件的電特性的半導體參數分析儀12；發生動態訊號的函數發生器1；及觀察動態響應訊號的波形的示波器6。函數發生器1係具有可任意作成所發生的訊號波形的功能。
以上為止的裝置的操作，例如探針3或試料載台11的移動係藉由顯示器22所顯示的圖形化使用者介面(GUI)來控制。其中，即使未藉由GUI，亦可為藉由操作面板等所為之控制。
接著，說明試料4的測定方法。
首先，限定由故障診斷等被推定為不良的電晶體，研磨試料4至正常電晶體之所希望的接觸子被露出於表面為止。
接著，在將接觸子露出於表面的試料4設置在試料載台11之後，使探針3接觸接觸子。探針3係接觸電晶體的源極、汲極、閘極、基板、各自的接觸子。
接觸汲極及基板的探針係連接於半導體參數分析儀12，接觸閘極的探針係連接於函數發生器1，接觸源極的探針係連接於示波器6。
在使各自的探針3接觸各接觸子之後，對汲極施加1V電壓，對基板施加0V電壓(接地)。對閘極，係藉由函數發生器1，以100MHz的頻率(脈衝寬度5ns)施加1V電壓。以示波器6觀察此時之來自源極的訊號。
被輸出的響應波形若非為矩形，即將輸入波形進行整形。由波形整形，由100MHz的脈衝形狀，實現 0.7ns的上升時間。接著，使用同樣的測定條件及輸入波形，觀察被推測為不良的電晶體的動態響應波形。結果，與正常的電晶體相比，若在上升時間被發現劣化，電晶體呈故障，可判斷為不良。
[實施例3]
在本實施例中，說明由資料庫中選擇輸入波形的情形。以下以與實施例1至2的相異處為中心進行說明。
圖6係本實施例之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。在本實施例中，在使探針3接觸各接觸子8之後，對汲極施加1V電壓，對基板施加0V電壓。藉由函數發生器1，對閘極輸入訊號時，該波形係根據所測定的頻率、或試料的種類，由蓄積有所被使用的波形的資料庫23中進行選擇。藉此，對試料施加最適輸入波形，藉由示波器6，進行動態響應訊號的測定。
[實施例4]
在本實施例中，說明使用搜尋演算法來決定輸入波形的情形。以下以與實施例1至3的相異處進行說明。
圖7係本實施例之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。在本實施例中，在使探針3接觸各接觸子8之後，對汲極施加1V電壓，對基板施加0V電 壓。在藉由函數發生器1對閘極輸入訊號之前，在輸入波形，使用測定系統的等效電路模擬器，導出被輸出的模擬波形。使用以該波形成為矩形的方式反覆修正所輸入的模擬波形的搜尋演算法，來決定最適輸入波形。模擬計算、及搜尋演算法的執行係藉由對函數發生器1進行輸入波形之指示的運算處理部24來進行。對試料施加藉此經最適化的輸入波形，藉由示波器6，進行動態響應訊號的測定。
[實施例5]
在本實施例中，說明一邊修正輸入波形一邊進行動態響應訊號的測定的情形。以下，以與實施例1至4的相異處為中心進行說明。
圖8係本實施例之微小電子元件特性評估用探針儀裝置的概略圖。在本實施例中，在使探針3接觸各接觸子8之後，對汲極施加1V電壓，對基板施加0V電壓。對閘極，係藉由函數發生器1，自動反覆輸入訊號。此時，反覆取得來自試料4的輸出波形，一邊以該波形成為矩形的方式修正輸入波形，一邊進行動態響應訊號的測定。輸入波形的修正係在接收到來自示波器6的訊號資訊的運算處理部24進行。將修正結果由運算處理部24送至函數發生器1，藉此將所發生的輸入波形進行整形。

Claims (5)

  1. 一種探針儀裝置，其係具備有：試料載台，其係保持試料；複數探針，其係與前述試料的預定部位相接觸；試料室，其係在其內部配置有前述試料載台及前述複數探針；及觀察前述試料及前述探針的帶電粒子線束顯微鏡，該探針儀裝置之特徵為：具備有：輸入波形形成機構，其係將被輸入至前述探針之一的動態電訊號的輸入波形進行整形；及輸出波形觀察機構，其係觀察透過前述試料被輸出的動態電訊號的輸出波形，前述輸入波形形成機構根據前述輸出波形，以該輸出波形成為大致矩形的方式修正前述輸入波形。
  2. 如申請專利範圍第1項之探針儀裝置，其中，前述輸入波形係以透過前述試料被輸出的動態電訊號的輸出波形成為大致脈衝形狀的方式予以調整。
  3. 如申請專利範圍第2項之探針儀裝置，其中，前述輸入波形係在波形的前方部為凸形狀、或在波形的後方部分為凹形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之探針儀裝置，其中，具備：記錄有動態電訊號的輸入波形的資料庫，按照所輸入的動態電訊號的條件，前述輸入波形形成 機構形成被記錄在前述資料庫的輸入波形。
  5. 如申請專利範圍第1項之探針儀裝置，其中，根據測定系統的等效電路模擬，前述輸入波形形成機構形成前述輸入波形。
TW105122431A 2015-07-29 2016-07-15 Dynamic response analysis probe device TWI600910B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149172 2015-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201704763A TW201704763A (zh) 2017-02-01
TWI600910B true TWI600910B (zh) 2017-10-01

Family

ID=57884598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105122431A TWI600910B (zh) 2015-07-29 2016-07-15 Dynamic response analysis probe device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10782340B2 (zh)
JP (1) JP6412654B2 (zh)
KR (2) KR102234251B1 (zh)
CN (1) CN108351377B (zh)
TW (1) TWI600910B (zh)
WO (1) WO2017018148A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112313782B (zh) * 2018-06-28 2023-10-13 株式会社日立高新技术 半导体检查装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162276A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Advantest Corp 半導体試験装置
JP2001223585A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Advantest Corp 任意波形発生装置及びこの任意波形発生装置を備えた試験装置
JP2008022392A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Hitachi Ltd シリアアライザ／デシリアライザ方式の転送装置
JP2010040953A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置
JP2011002402A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置及び半導体試験方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3286565B2 (ja) * 1997-07-28 2002-05-27 セイコーインスツルメンツ株式会社 サンプリング走査プローブ顕微鏡
JP3817466B2 (ja) * 2000-11-29 2006-09-06 キヤノン株式会社 非接触型原子間力顕微鏡およびそれを用いた観察方法
US7297945B2 (en) * 2003-12-05 2007-11-20 Hitachi High-Technologies Corporation Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method
WO2006001108A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Japan Science And Technology Agency 探針装置
JP2007064834A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Agilent Technol Inc デバイス特性測定システム
JP4474405B2 (ja) * 2006-12-21 2010-06-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料検査装置及び試料検査方法
CN101119109B (zh) * 2007-09-07 2011-04-20 史宝祥 一种波形整形电路
JP4598093B2 (ja) * 2008-02-15 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 不良検査装置
JP5631549B2 (ja) 2009-02-13 2014-11-26 セイコーインスツル株式会社 バッテリーの保護回路装置
JP2010243218A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Toyota Motor Corp 半導体装置、並びに半導体装置の検査方法及びその検査装置
JP5611661B2 (ja) * 2009-06-04 2014-10-22 株式会社東芝 磁気共鳴イメージング装置
JP5873741B2 (ja) 2012-03-09 2016-03-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体検査装置および半導体検査方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162276A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Advantest Corp 半導体試験装置
JP2001223585A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Advantest Corp 任意波形発生装置及びこの任意波形発生装置を備えた試験装置
JP2008022392A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Hitachi Ltd シリアアライザ／デシリアライザ方式の転送装置
JP2010040953A (ja) * 2008-08-08 2010-02-18 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置
JP2011002402A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置及び半導体試験方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102189053B1 (ko) 2020-12-09
KR20190139323A (ko) 2019-12-17
CN108351377B (zh) 2020-08-11
WO2017018148A1 (ja) 2017-02-02
TW201704763A (zh) 2017-02-01
CN108351377A (zh) 2018-07-31
US10782340B2 (en) 2020-09-22
KR102234251B1 (ko) 2021-04-01
JPWO2017018148A1 (ja) 2018-03-29
KR20180014074A (ko) 2018-02-07
JP6412654B2 (ja) 2018-10-24
US20180299504A1 (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7159312B2 (ja) 半導体検査装置
JP5009506B2 (ja) 試料の１つ又は複数の特性を決定するための方法とシステム
JP3732738B2 (ja) 半導体デバイス検査装置
JP2006105960A (ja) 試料検査方法及び試料検査装置
US11709199B2 (en) Evaluation apparatus for semiconductor device
JP2004150840A (ja) 半導体集積回路の不良解析装置、システムおよび検出方法
KR20220037511A (ko) 멀티-빔 sem 툴들을 위한 자기-참조 건전성 모니터링 시스템
TWI600910B (zh) Dynamic response analysis probe device
US11391756B2 (en) Probe module and probe
JP2010103320A (ja) 半導体検査装置
JP7042071B2 (ja) ｅビーム操作用の局部的に排気された容積を用いる集積回路解析システムおよび方法
JP4290316B2 (ja) 配線ショート箇所の検査方法及び検査装置
CN115236483A (zh) 一种测试设备、失效分析方法和测试系统
US11977099B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2006275527A (ja) 光学系一体型検査装置
US20220244290A1 (en) Method for electrically examining electronic components of an integrated circuit
JP2009290032A (ja) 評価解析システム及びプローブカード
JP4286821B2 (ja) 半導体デバイス検査装置
JP7168669B2 (ja) 電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置及びそのプローブユニット
TWI780880B (zh) 檢查方法
Zhao et al. LF-OCT Based Non-Destructive Testing for IGBT Module
US20210159126A1 (en) Method and device for inspection of semiconductor samples
KR100934793B1 (ko) 반도체 소자 테스트 방법 및 그 장치, 적정 스트레스 전압검출 방법
US20130088585A1 (en) Surface imaging with materials identified by color
JPS6132537A (ja) 半導体解析装置