JP7168669B2 - 電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置及びそのプローブユニット - Google Patents
電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置及びそのプローブユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP7168669B2 JP7168669B2 JP2020533895A JP2020533895A JP7168669B2 JP 7168669 B2 JP7168669 B2 JP 7168669B2 JP 2020533895 A JP2020533895 A JP 2020533895A JP 2020533895 A JP2020533895 A JP 2020533895A JP 7168669 B2 JP7168669 B2 JP 7168669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- sample
- electron microscope
- measurement
- microelectronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 265
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims description 23
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 title claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 129
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
- G01Q30/02—Non-SPM analysing devices, e.g. SEM [Scanning Electron Microscope], spectrometer or optical microscope
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2653—Contactless testing using electron beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2862—Chambers or ovens; Tanks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B11/00—Communication cables or conductors
- H01B11/18—Coaxial cables; Analogous cables having more than one inner conductor within a common outer conductor
- H01B11/20—Cables having a multiplicity of coaxial lines
- H01B11/206—Tri-conductor coaxial cables
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
Claims (15)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバに配置され、試料を載置する試料台と、
前記試料の上方から電子線を照射可能に配置された電子光学系と、
前記真空チャンバの外に配置される外部機器と同軸ケーブルで接続される複数のプローブユニットと、
前記試料台もしくはその近傍に設けられる電極とを有し、
前記プローブユニットは、前記試料に接触される測定探針と、前記電極に接触されるGND端子と、前記測定探針及び前記GND端子を保持し、前記同軸ケーブルの信号線を前記測定探針に接続し、前記同軸ケーブルのGND線を前記GND端子に接続する探針ホールダとを有し、
前記GND端子は、階段形状を有する板状金属線であり、
前記プローブユニットの前記測定探針が前記試料に接触される際に、前記GND端子が前記電極に接触される、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記電極は円環形状を有して前記試料台に設けられ、円環形状の前記電極の内側に前記試料が載置される、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記電極は円形状を有し、前記試料台は前記電極に設けられた試料台受け上に配置される、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記電極の前記GND端子との接触面は、前記試料台の縁の一部に、互いに対向して設けられ、
前記プローブユニットの前記測定探針は、前記試料台において前記接触面が配置された方向から前記試料に接触される、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記GND端子は、複数の板状金属線の組み合わせである、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記GND端子の前記電極に接触する部分は弧形状である、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記探針ホールダは、前記同軸ケーブルの信号線と前記測定探針とを接続するコネクタ部を有し、
前記コネクタ部は同軸構造を有する、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記同軸ケーブルはトライアキシャルケーブルであり、
前記探針ホールダは、前記トライアキシャルケーブルの中間導体及びGND線を前記GND端子と接続する、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 請求項1において、
前記測定探針は、先端径がR10nm程度である、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置。 - 真空チャンバに配置された試料台に載置された試料に測定探針を接触させる、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニットであって、
同軸ケーブルの信号線と前記測定探針とを接続するコネクタ部を有する探針ホールダと、
前記試料台もしくはその近傍に設けられる電極に接触させるGND端子とを有し、
前記GND端子は階段形状を有する板状金属線であり、前記測定探針が前記試料に接触される際に、前記GND端子が前記電極に接触されるように、前記探針ホールダに取り付けられている、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。 - 請求項10において、
前記GND端子は、複数の板状金属線の組み合わせである、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。 - 請求項10において、
前記GND端子の前記電極に接触する部分は弧形状である、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。 - 請求項10において、
前記コネクタ部は同軸構造を有する、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。 - 請求項10において、
前記同軸ケーブルはトライアキシャルケーブルであり、
前記探針ホールダは、前記トライアキシャルケーブルの中間導体及びGND線を前記GND端子と接続する、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。 - 請求項10において、
前記測定探針は、先端径がR10nm程度である、電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置のプローブユニット。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/028403 WO2020026293A1 (ja) | 2018-07-30 | 2018-07-30 | 半導体検査装置及びプローブユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020026293A1 JPWO2020026293A1 (ja) | 2021-08-02 |
JP7168669B2 true JP7168669B2 (ja) | 2022-11-09 |
Family
ID=69230618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020533895A Active JP7168669B2 (ja) | 2018-07-30 | 2018-07-30 | 電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置及びそのプローブユニット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11513138B2 (ja) |
JP (1) | JP7168669B2 (ja) |
KR (1) | KR102547865B1 (ja) |
TW (1) | TWI718589B (ja) |
WO (1) | WO2020026293A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220349917A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Tektronix, Inc. | Isolated probe tip |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003043079A (ja) | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プロービングシステム及び容量測定方法 |
JP2006194765A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Molex Inc | 高周波プローブ装置 |
JP2010040953A (ja) | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2014016371A (ja) | 2013-10-18 | 2014-01-30 | Japan Electronic Materials Corp | コンタクトプローブ |
JP2015135255A (ja) | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具、測定装置、試験方法 |
JP2016095272A (ja) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置、半導体評価方法および試験治具 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2918164B2 (ja) * | 1989-01-10 | 1999-07-12 | 富士通株式会社 | プローブカード |
JPH04206845A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プローブ針 |
JPH0521543A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | 測定用プローブ |
JPH06258344A (ja) | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プローブを用いた高周波測定方法及び高周波プローバ |
US6051978A (en) | 1998-04-27 | 2000-04-18 | Delaware Capital Formation, Inc. | TDR tester for x-y prober |
US6744268B2 (en) * | 1998-08-27 | 2004-06-01 | The Micromanipulator Company, Inc. | High resolution analytical probe station |
-
2018
- 2018-07-30 JP JP2020533895A patent/JP7168669B2/ja active Active
- 2018-07-30 WO PCT/JP2018/028403 patent/WO2020026293A1/ja active Application Filing
- 2018-07-30 KR KR1020217001184A patent/KR102547865B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-30 US US17/261,615 patent/US11513138B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-17 TW TW108125240A patent/TWI718589B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003043079A (ja) | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プロービングシステム及び容量測定方法 |
JP2006194765A (ja) | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Molex Inc | 高周波プローブ装置 |
JP2010040953A (ja) | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2014016371A (ja) | 2013-10-18 | 2014-01-30 | Japan Electronic Materials Corp | コンタクトプローブ |
JP2015135255A (ja) | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具、測定装置、試験方法 |
JP2016095272A (ja) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置、半導体評価方法および試験治具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210263075A1 (en) | 2021-08-26 |
WO2020026293A1 (ja) | 2020-02-06 |
TW202007978A (zh) | 2020-02-16 |
KR20210020123A (ko) | 2021-02-23 |
KR102547865B1 (ko) | 2023-06-27 |
JPWO2020026293A1 (ja) | 2021-08-02 |
TWI718589B (zh) | 2021-02-11 |
US11513138B2 (en) | 2022-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007502429A (ja) | デバイス試験用のプローブ | |
TW201825920A (zh) | 用於dc參數測試的垂直式超低漏電流探針卡 | |
JP2019060768A (ja) | 抵抗測定装置、基板検査装置、及び抵抗測定方法 | |
JP7168669B2 (ja) | 電子顕微鏡を用いた微小電子デバイス特性評価装置及びそのプローブユニット | |
JP6339834B2 (ja) | 基板検査装置 | |
JP2008107216A (ja) | 測定方法、スイッチ装置、および、該スイッチ装置を備える測定システム | |
JP5538107B2 (ja) | 回路基板検査用プローブユニットおよび回路基板検査装置 | |
JP5731432B2 (ja) | プローブの電気的接点を強化した構造を備えた集積回路用プローブカード | |
JP6918659B2 (ja) | 回路基板検査装置 | |
JP7023276B2 (ja) | プローブ、プローブユニット、およびプローブユニットを備える半導体検査装置 | |
US7535243B2 (en) | Method and program for controlling an apparatus for measurement of characteristics of a semiconductor device under test | |
JP4290316B2 (ja) | 配線ショート箇所の検査方法及び検査装置 | |
JP6412654B2 (ja) | 動的な応答解析プローバ装置 | |
JP2006339409A (ja) | 特性検査用スイッチング素子、及び特性検査方法 | |
CN107870294B (zh) | 评价装置、半导体装置的评价方法 | |
KR20210142157A (ko) | 시험 장치 | |
KR20010039899A (ko) | 플라즈마 손상 평가용 teg 패턴 | |
JP2019124671A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
TWI580980B (zh) | 半導體測試裝置的電力長度測定方法、校準晶圓的導電性區域的方法 | |
Kandalaft et al. | High speed test interface module using MEMS technology | |
JP4066265B2 (ja) | 半導体試験装置のコンタクトリング | |
JP2825073B2 (ja) | 半導体集積回路の検査装置 | |
JP2005043281A (ja) | プローブカード | |
JP2015102374A (ja) | 基板検査装置、集積回路検査装置、集積回路、基板検査方法および集積回路検査方法 | |
JP2014007372A (ja) | 半導体装置の検査装置及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7168669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |