TWI596236B - 電解製程中適於釋氧用之電極和製法,以及金屬之陰極電解沈積製程 - Google Patents

電解製程中適於釋氧用之電極和製法,以及金屬之陰極電解沈積製程 Download PDF

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Description

電解製程中適於釋氧用之電極和製法,以及金屬之陰極電解沈積製程
本發明係關於電解製程用之電極,尤指在工業電解製程中適於釋氧用之陽極,及其製法。
本發明係關於電解製程用之電極,尤指在工業電解製程中適於釋氧用之陽極。釋氧用氧極廣用於各種電解應用,其中有數種在陰極金屬陰極沈積(電冶金)領域內,涵蓋廣範圍之應用電流密度,可以很小(例如數百A/m2,諸如電解冶金製程),或很大(例如有些賈法尼電極沈積應用,就陽極表面言,可在10kA/m2以上操作);釋氧用陽極之另一應用領域是以外施電流之陰極保護。在電冶金學領域內,特別指涉金屬電解冶金法,傳統上廣用鉛質陽極,對某些應用仍有價值,雖然呈現相當高的釋氧過動壓,還引起使用此材料相關之公知環保和人體健康問題。近來,尤其是高電流密度之應用,最受惠於與更加降低釋氧電位相關之電能節省,由例如鈦及其合金之閥金屬基材,塗佈基於貴金屬或其氧化物的觸媒組成物,所得陽極釋氧用之電極,業已上市。
亦應考慮到基於金屬或金屬氧化物塗佈之閥金屬基材的陽極操作壽命,在是有會建立加速陽極表面腐蝕或污染現象之特別生效污染物存在下,會大大縮短。事實上,又知包括基材塗以觸媒組成物之陽極,具有閥金屬氧化物之外塗層,以改善耐久性。然而,在後一情況下,閥金屬氧化物外層之存在若太厚,會增加電位到不堪承受的程度。
由此可證,亟需一種釋氧用陽極,其特徵為,適當氧過電位和使用期限,以克服先前技術電極在涉及諸如以三價鉻進行裝飾性鍍鉻時添加劑存在下,涉及製程條件之缺點。
本發明諸項要旨列於附帶申請專利範圍。
本發明之一要旨係關於一種在電解製程中適於釋氧用之電極,包括閥金屬基材、觸媒層、介置於基材和觸媒層中間的閥金屬氧化物組成之保護層,以及閥金屬氧化物外層,該觸媒層包括銥、錫以及選自鉍和鉭至少一種摻合元素M之氧化物,Ir:(Ir+Sn)之莫耳比在0.25至0.55之範圍,而M:(Ir+Sn+M)莫耳比在0.02至0.15之範圍。
在一具體例中,本發明電極觸媒層之M:(Ir+Sn+M)莫耳比,在0.05至0.12之範圍。
在又一具體例中,觸媒層內銥莫耳濃度,就銥和錫合計言,介於40和50%間之範圍;本發明人等發現在此組成份範圍內,元素摻合特別有效於形成減小維度且具有高度觸媒活性之微晶體,例如大小在5nm以下。本發明人等又觀察到,當觸媒具有所述組成份和微晶體大小時,沈積具有障壁功能的附加閥金屬外層,可導致更規則性和均質之整體形態學,故由於觸媒層頂面添加此等外層,大為減少電位增加。
在一具體例中,介置於觸媒層和閥金屬基材間的保護層,包括閥金屬氧化物,能夠形成不透過電解質之薄膜,例如選自氧化鈦、氧化鉭,或二者混合物。此優點是進一步保護鈦或其他閥金屬製成之下面基材,在例如典型的鍍金屬製程中,免受生效電解質之侵襲。
在一具體例中,電極是在鈦或視情況為其合金之基材上製得;與其他閥金屬相較,鈦之特徵是,降低成本,與良好耐腐蝕性有關。此外,鈦有優良之機械製作性,可用來獲得各種幾何形狀之基材,例如呈平板、沖孔板、擴張金屬板或網,按照不同應用所需而定。
在又一具體例中,電極在外層內之閥金屬氧化層比填充,在2至25g/m2之範圍。本發明人等意外發現,在上述觸媒層頂面藉熱分解施加之此等障壁層,產生對陽極釋氧所用電極使用期限之有利加長,特別是在2至7g/m2範圍,與對先前技術觸媒層同樣添加所觀察,電位增加較少。
在又一具體例中,本發明電極在外層內的閥金屬氧化物比填充,在9至25g/m2範圍。本發明人等意外觀察到,即使外層內增加此等閥金屬氧化物量,陽極電位仍然比先前技術觸媒層通常添加者為佳,另外此層可做為有效障壁,抵抗電解質內存在之化合物和離子向觸媒層擴散。此 等特點合併,即陽極電位較低並且實質降低擴散,例如對裝飾性鍍鉻甚為重要,因為Cr(Ⅲ)離子擴散較少連帶電位降低即使在1000A/m2時僅僅50mV,也可降低Cr(Ⅲ)氧化成Cr(Ⅵ)之寄生反應動力,此反應會嚴重損害鉻金屬陰極沈積品質。在先前技術中,由於寄生反應之Cr(Ⅵ)生產,往往藉供應添加物補償,需要定期排淨電解浴,隨後以新鮮溶液恢復原狀。
在一具體例中,本發明電極具有閥金屬氧化物外層,係由選自氧化鈦和氧化鉭當中之一成份製成。
本發明另一要旨係關於一種在電解製程中適於用做釋氧陽極的電極之製法,包括於閥金屬基材實施一次或多次塗佈含銥、錫和該至少一種摻合元素M為先質之溶液,隨後在空氣中於溫度480至530℃進行熱處理,使該溶液分解,形成該觸媒塗層,並利用實施含鈦和鉭為先質之溶液,且隨後進行熱分解,而形成該外層。
於該觸媒塗層實施之前,基材可設有閥金屬氧化物之保護層,利用諸如火焰或電漿噴濺之程序實施,延長在空氣氛圍之熱處理,含諸如鈦或鉭等閥金屬化合物之溶液熱分解等等。
本發明另一要旨係關於從水溶液進行陰極電極沈積金屬之製程,其中陽極半反應即上述在電極表面進行之釋氧反應。
本發明又一要旨係關於從含Cr(Ⅲ)水溶液進行陰極電極沈積鉻之製程。
下列實施例用來證明本發明特別具體例,實務上在申請專利範圍之數值範圍內,已獲得驗證。技術專家應知後述實施例揭示之組成份和技術,代表本發明人等所發明組成份和技術,在本發明實施上功用良好;然而,技術專家鑑於本案揭示內容,應知在所揭示特別具體例內,可進行許多變化,仍可得同樣或類似結果,不違本發明之範圍。
實施例1
取200mm×200mm×3mm之一級鈦片,用丙酮在超音波浴內脫脂10分鐘,先經金剛砂粗砂進行噴砂,直到表面粗糙度Rz值為 40至45μm,再於570℃退火2小時,然後以27%重量H2SO4在溫度蝕刻105分鐘,核對所得重量損失在180和250g/m2之間。
乾燥後,於鈦片實施保護層,基於氧化鈦和氧化鉭莫耳比80:20,以金屬計,總體填充0.6g/m2(相當於以氧化物計之0.87g/m2)。實施保護層是以塗漆三次先質溶液(於TiCl4水溶液添加TaCl5水溶液,用HCl酸化而得)進行,隨即在515℃熱分解。
按照WO 2005/014885揭示程序,製備Sn羥基乙醯氯複合物(以下稱SnHAC)1.65M溶液。
製備Ir羥基乙醯氯錯合物(以下稱IrHAC)0.9M溶液,係將IrCl3溶入10%容量乙酸水溶液內,把溶劑蒸發,添加10%乙酸水溶液,俗即將溶劑蒸發,多做二次,最後又把生成物溶入10%乙酸水溶液內,得特定濃度。
製備含50g/l鉍之先質溶液,在含60ml 10%重量HCl之燒杯內,把7.54克BiCl3攪拌中冷溶解。俟完全溶解,得清澈溶液,容積以10%重量HCl調至100ml。
取1.65M SnHAC溶液10.15ml、0.9M IrHAC溶液10ml、50g/l Bi溶液7.44ml,攪拌中添加於第二個燒杯。延長攪拌5分鐘,再添加10%重量乙酸10ml。
部份溶液對先前處理過的鈦片刷塗7次,每次塗後,在60℃進行乾燥步驟15分鐘,隨即在高溫分解15分鐘。高溫分解步驟實施溫度,在第一次塗後是480℃,第二次塗後是500℃,以後每次塗後是520℃。
如此方式實施之觸媒層,Ir:Sn:Bi莫耳比為33:61:6,Ir比填充約10g/m2
然後,進行實施外層(就氧化物計,其量為12g/m2),係刷塗以HCl酸化的TaCl5水溶液8次。從所得電極裁切面積1cm2的三個樣本,經陽極釋氧下之加速使用期限測試,在H2SO4內,於150g/l,溫度60℃和電流密度30kA/m2,測量失活時間(其定義為觀察到電位增加1V所需操作時間)。三個樣本的平均失活時間為600小時。
在1000A/m2測得陽極電位為1.556V/NHE。
實施例2
取200mm×200mm×3mm尺寸的一級鈦片,按上述實施例預處理,具有保護層,基於氧化鈦和氧化鉭,莫耳比為80:20。製備含50g/l鉭之先質溶液,係將10克TaCl5置入含有60ml 37%重量HCl之燒杯內,把全部混合物在攪拌中沸騰15分鐘。然後添加50ml之脫礦物質H2O,溶液保持加熱約2小時,直到容積回到50±3ml,再加60ml 37%重量HCl,得清澈溶液,又煮沸到容積回到50±3ml。容積以脫礦物質H2O調到100ml。於保持攪拌中的第二個燒杯,添加前實施例之1.65M SnHAC溶液10.15ml,前實施例之0.9M IrHAC溶液10ml,以及50g/l Ta溶液7.44ml。攪拌延長5分鐘。然後添加10%重量乙酸10ml。部份溶液於先前處理過的鈦片刷塗8次,每次塗後,在60℃進行乾燥步驟15分鐘,隨即在高溫分解15分鐘。進行高溫分解步驟之溫度,在第一次塗後是480℃,在第二次塗後是500℃,以後各次塗後是520℃。
如此方式實施之觸媒層,Ir:Sn:Ta莫耳比為32.5:60:7.5,Ir比填充約10g/m2
然後,進行實施外層(以氧化物計,其量為15g/m2),係刷塗以HCl酸化之TaCl5水溶液10次。從如此所得電極裁切面積1cm2之三個樣本,經陽極釋氧下之加速使用期限測試,在H2SO4內,於150g/l,溫度60℃和電流密度30kA/m2,測得失活時間(其定義為觀察到電位增加1V所需操作時間)。三個樣本的平均失活時間為520小時。
在1000A/m2測得陽極電位為1.579V/NHE。
比較例1
取200mm×200mm×3mm尺寸之一級鈦片,脫脂後,先經金剛砂粗砂進行噴砂,直到表面粗糙度Rz值為70至100μm,再於20%重量HCl內,在溫度90-100℃蝕刻20分鐘。
乾燥後,於鈦片實施保護層,基於氧化鈦和氧化鉭莫耳比80:20,以金屬計,總體填充0.6g/m2(等於以氧化物計之0.87g/m2)。實施保護層是以塗漆三次先質溶液(於TiCl4水溶液添加TaCl5水溶液,用HCl酸化而得)進行,隨即在500℃熱分解。
在保護層上,再實施觸媒塗層,係基於銥和鉭之氧化物呈65:35重量比(等於約66.3:36.7莫耳比),總體銥填充10g/m2。電極在 515℃熱處理2小時,再進行實施外層(以氧化物計,其量為15g/m2),係刷塗TaCl5水溶液10次。從所得電極裁切面積1cm2之三個樣本,經陽極釋氧下之加速使用期限測試,在H2SO4內,於150g/l,溫度60℃和電流密度50kA/m2測量失活時間(其定義為觀察到電位增加1V所需操作時間)。三個樣本的平均失活時間為525小時。
在1000A/m2測得陽極電位為1.601V/NHE。
比較例2
取200mm×200mm×3mm尺寸之一級鈦片,脫脂後,先經金剛砂粗砂進行噴砂,直到表面粗糙度Rz值為70至100μm,再於20%重量HCl內,在溫度90-100℃蝕刻20分鐘。
乾燥後,於鈦片實施保護層,基於氧化鈦和氧化鉭莫耳比80:20,以金屬計,總體填充0.6g/m2(等於以氧化物計之0.87g/m2)。實施保護層是以塗漆三次先質溶液(於TiCl4水溶液添加TaCl5水溶液,用HCl酸化而得)進行,隨即在500℃熱分解。
在保護層上,再實施觸媒塗層,由二不同層組成,第一層(內層)係基於銥和鉭之氧化物呈65:35重量比(等於約66.3:36.7莫耳比),總體銥填充2g/m2,第二層(外層)係基於銥、鉭和鈦之氧化物呈78:20:2重量比(相當於約80.1:19.4:0.5莫耳比),總體銥填充10g/m2
再進行實施外層(以氧化物計,其量為15g/m2),係刷塗TaCl5水溶液10次,以HCl酸化。從所得電極裁切面積1cm2之三個樣本,經陽極釋氧下之加速使用期限測試,在H2SO4內,於150g/l,溫度60℃和電流密度30kA/m2測量失活時間(其定義為觀察到電位增加1V所需操作時間)。三個樣本的平均失活時間為580小時。
在1000A/m2測得陽極電位1.602V/NHE。
前述無意限制本發明,可按照不同具體例使用,不違本發明範圍,因其程度係以所附申請專利範圍為準。
本案說明書及申請專利範圍內,「包括」及類似用語無意排除其他元件、組件或額外製程步驟存在。
本案說明書包含文件、法規、材料、裝置、物件等之論述,純為提供本發明脈絡。並非主張或代表任何或全部此等事項,形成先前技 術基礎,或本發明相關領域在本案各項申請專利範圍優先權日以前之一般常識。

Claims (10)

  1. 一種電解製程中適於釋氧用之電極,包括閥金屬基材、觸媒層、介置於該基材和該觸媒層間的閥金屬氧化物組成之保護層,以及閥金屬氧化物之外層,該外層係置於該保護層和該觸媒層之外部,該觸媒層包括銥、錫,以及選自鉍和鉭的至少一摻合元素M之混合氧化物,Ir:(Ir+Sn)莫耳比在0.25至0.55之範圍,而M:(Ir+Sn+M)莫耳比在0.02至0.15之範圍者。
  2. 如申請專利範圍第1項之電極,其中該M:(Ir+Sn+M)莫耳比在0.05至0.12之範圍者。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電極,其中該Ir:(Ir+Sn)莫耳比在0.40至0.50之範圍者。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之電極,其中該觸媒層內該銥、錫,以及至少一摻合元素M之氧化物,係由平均大小在5nm以下之微晶體組成者。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之電極,其中該閥金屬氧化物外層係由選自氧化鈦和氧化鉭之一成份製成者。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之電極,其中該外層內之該閥金屬氧化物比填充在2至25g/m2之範圍者。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之電極,其中該外層內之該閥金屬氧化物比填充在9至25g/m2之範圍者。
  8. 一種如申請專利範圍第1或2項中任一項電極之製法,包括對閥金屬基材實施含有銥、錫和至少一摻合元素M為先質之溶液,隨即將該溶液在空氣中,於溫度480至530℃,利用熱處理加以分解,藉實施含鉭或鈦為先質之溶液,並隨後熱分解,而形成該外層者。
  9. 一種從水溶液以陰極電極沈積金屬之製程,包括在申請專利範圍第1至7項任一項電極之表面,進行陽極釋氧者。
  10. 如申請專利範圍第9項之製程,其中該陰極電極沈積係從含Cr(Ⅲ)之水溶液電極沈積鉻者。
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