TWI592300B - Film, sheet metal substrate for workpiece processing and workpiece processing sheet - Google Patents

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Description

薄膜、工件加工用板片基材以及工件加工用板片
本發明係關於半導體晶圓等之被加工物(以下，也記載為「工件」)之進行一時的表面保護、研磨、切割等之加工時，適合做為該工件被貼附、保持之工件加工用板片之基材使用之薄膜，以及包含該薄膜之工件加工用板片基材，及具備該基材之工件加工用板片。
矽、砷化鎵等之半導體晶圓係以大徑的狀態被製造，半導體晶圓，係在表面形成回路後，藉由背面研磨研磨到既定厚度，切斷分離(切割)成元件小片(半導體晶片)後，移往下一個工程之接合工程。在此一連串的工程，使用各種黏著板片或薄膜狀接著劑。
在背面研磨工程中，為了在研磨中保持晶圓，且從研磨屑等保護回路表面，使用稱為背面研磨板片之黏著板片。又，在背面研磨工程之後，也會對研磨面進行回路形成等，此時也以黏著板片保持及固定晶圓，進行加工。背面研磨板片等之背面加工時的表面保護板片，係由具有基材與感壓接著性之黏著劑層所形成。特別是為了確實保護在表面上具有凹凸的回路面用了相對的軟質且應力緩和性高之黏著板片被使用。
又，用於切割工程之黏著板片，被稱為切割板片， 係由具有基材與感壓接著性之黏著劑層所形成，用於在切割半導體晶圓等之工件時，固定該工件，或是切割後用於保持晶片。切割後，為了使分開晶片間隔之擴張容易，使用具有比較軟質的基材之黏著板片。
切割工程結束後，進行晶片之挑選、黏晶。此時，雖也有使用液狀的黏著劑之情況，但近年來多使用薄膜狀黏著劑。薄膜狀黏著劑，係貼附於半導體晶圓之單面，在切割工程中與晶圓一同被切斷，之後，做為附接著劑層之晶片而被挑選，透過接著劑層而被接著於既定的部位。如此之薄膜狀接著劑，係在基材薄膜或黏著板片上將環氧樹脂或聚酰亞胺製膜，藉由設置半固化的層而得到。
更且，同時兼備切割時之晶圓固定機能與黏晶時之晶粒接著機能之切割．黏晶兼用板片也被提案。切割．黏晶兼用板片，係由兼具晶圓保持機能與晶粒接著機能之接著性樹脂層與基材所形成。接著性樹脂層，係在切割工程中保持半導體晶圓或晶片，在黏晶時做為固定晶片用之接著劑而作用。接著性樹脂層，在切割時，和晶圓被同時切斷，形成與被切斷之晶片同形狀之接著性樹脂層。切割完了後，進行晶片的挑選時，接著性樹脂層會與晶片一起從基材剝離。將伴隨著接著性樹脂層之晶片載置於基板上，進行加熱，將晶片與基板透過接著性樹脂層接著。如此之切割．黏晶兼用板片，係在基材上形成了兼具晶圓固定機能與晶粒接著機能之接著性樹脂層。
在這些對應黏晶的接著片類，也為了使擴張工程容易進行，而有使用比較軟質的基材之情況。
又，為了在晶片的背面形成保護膜，將半導體晶圓貼附在硬化性樹脂層上，使樹脂層硬化，之後切割半導體晶圓與樹脂層，而製造具有硬化之樹脂(保護膜)之晶片之製程也被提案。如此之保護膜形成用板片，係在剝離基材上具有成為保護膜之接著性樹脂層。在此工程中所使用之板片類，做為用以保持樹脂層之基材，以對於擴張工程之對應為目的，也有使用比較軟質之基材之情況。
以下，將如上述之表面保護板片、背面研磨板片、切割板片、含有薄膜狀接著劑層之層積板片、切割．黏晶兼用板片、保護膜形成用板片總稱為「工件加工用板片」。又，如上述般具有感壓接著性之黏著劑層或薄膜狀接著劑層，兼具晶圓保持基層與晶粒接著機能之接著性樹脂以及成為保護膜接著性樹脂層有僅單純記載為「接著性樹脂層」之情況。
做為如此之工件加工用板片，從以往使用氯乙烯或聚烯烴薄膜等做為基材至今，但近年來，為了確實保護在表面上具有凹凸之回路面，或是為了對於擴張工程之對應為目的，被要求使用比較軟質且應力緩和性高之基材之黏著板片。在如此之工件加工用板片，各種做為軟質基材使用之樹脂薄膜被提案。例如，在專利文獻1(日本專利第3383227號公報)，提案將聚氨酯丙烯酸酯低聚物等之能源線硬化性樹脂製膜，將硬化之薄膜做為基材之背面研磨板片，或是，在專利文獻2(日本專利特開2002-141306號公報)中，提案將聚氨酯丙烯酸酯低聚物能源線硬化性樹脂製膜，將硬化後之薄膜做為基材之切割板片。這些基材為軟質，應力緩和性也優良，因此被檢討 用於以在表面上具有凹凸之半導體晶圓的表面保護為首，做為各種工件加工用板片使用。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利第338227號
【專利文獻2】日本專利特開2002-141306號公報
然而，如專利文獻1或專利文獻2所記載般，將聚氨酯丙烯酸酯低聚物等之能源線硬化性樹脂製膜，硬化後之薄膜，表面多具有快黏性(弱的黏著性)，靜磨擦係數高。因此，將工件加工用板片載置於加工用的工作桌後，板片密著於工作桌，對於移送至後工程有造成妨礙之情況。又，也有發生薄膜發生黏頁，板片黏著於用於運送板片之滾輪類，而板片之製造或運送被中斷之情況。
為了解決如此之問題，一般而言，做為降低薄膜之靜磨擦係數之方法，已知有在成為基材之薄膜表面上形成靜磨擦層係數低之樹脂層做為頂塗層，或是添加矽油等之助流劑方法等。然而，由於附加為了形成頂塗層之工程，因此會成為製品價格上昇的原因。又，由於頂塗層之厚度薄至2~3μm，因此塗布形成頂塗層之樹脂時，發生針孔，或是引起塗布不均等，保持品質的均一性變得困難。
又，做為助流劑而使用之矽油有偏析於薄膜的表面，或是發生流出等之可能性，而有發生工件的汙染或薄膜物 性之差異等重大問題之情況。
本發明，係有鑒於如上述之現況而做成，以提供應力緩和性與擴張性高，且沒有工件汙染的問題，而且表面快黏性減低之基材薄膜為目的。如此之薄膜，做為各種工件加工用板片之基材的適性高，而且也沒有形成頂塗層之必要，製造工程之簡單化及製造成本之減低變得可能。
本發明係為了解決上述課題，係包含下述要旨。
(1)一種薄膜，其特徵在於：係含有在25℃之黏度為100~5,000,000mPa．s之能源線硬化性樹脂，與聚合性矽氧樹脂化合物，將能源線硬化性組成物製膜，硬化而成。
(2)如(1)所記載之薄膜，其中，聚合性矽氧樹脂化合物之質量比率為1.0質量%以下。
(3)如(1)所記載之薄膜，其中，前述聚合性矽氧樹脂化合物，為有機變性聚合性矽氧樹脂化合物。
(4)如(3)所記載之薄膜，其中，前述有機變性聚合性矽氧樹脂化合物，為聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯或聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯低聚物。
(5)如(1)~(4)之任一薄膜，其中，前述能源線硬化性樹脂，為聚氨酯丙烯酸酯系低聚物與能源線聚合性單體之混合物。
(6)一種工件加工用板片基材，其特徵在於：包含上述(1)~(5)之任一薄膜。
(7)一種工件加工用板片，其特徵在於：係在(6) 所記載之基材之至少單面上具有接著性樹脂層。
(8)如(7)所記載之工件加工用板片，其中，接著性樹脂層為具有感壓接著性之黏著劑層。
(9)如(7)所記載之工件加工用板片，其中，接著性樹脂層，為具有感壓接著性，且具有晶粒接著機能之黏接著劑層。
根據本發明，可得到應力緩和性或擴張性高，且沒有工件汙染的問題，並且表面快黏性降低之薄膜。此薄膜，由於上述特性優良，做為各種工件加工用板片之適性高，也沒有形成頂塗層之必要，因此製造工程之簡單化及製造成本之減低成為可能。
1‧‧‧工件加工用板片
2‧‧‧工件加工用板片基材
3‧‧‧接著性樹脂層
第1圖係與本發明之一實施形態有關之工件加工用板片的剖面圖。
以下，對於與本發明有關之薄膜，包含該薄膜之工件加工用板片基材，以及具備該基材之工件加工用板片之實施形態，基於添附圖式說明。
與本發明有關之薄膜，係將含有能源線硬化性樹脂，與聚合性矽氧樹脂化合物之能源線硬化性組成物製膜，硬化而成。
(能源線硬化性樹脂)
能源線硬化性樹脂，在23℃之黏度以在100~ 5,000,000mPa．s為佳，較佳的情況為300~2,000,000mPa．s，更佳的情況為500~1,000,000mPa．s之範圍。又，在60℃之黏度，較佳的情況為100~200,000mPa．s，更佳的情況為在300~100,000mPa．s之範圍。若黏度過低的情況，則厚膜的塗布變得困難，而有無法得到所希望厚度的薄膜之情況。又，若黏度過高之情況，塗布本身有變得困難的情況。
能源線硬化性樹脂，係具有照射能源線則硬化的性質。因此，將適當黏度之能源線硬化性樹脂製膜後，進行能源線照射，即可得到硬化薄膜。
做為能源線硬化性樹脂，例如聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、能源線硬化性單體、環氧變性丙烯酸酯、遠螯聚合物以及這些的混合物被使用，在其中，又以黏度或反應性容易控制，所得到之硬化物的應力緩合性或擴張性高之聚氨酯丙烯酸酯系低聚物與能源線聚合性單體之混合物特別被喜好使用。
聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，例如在聚醚型、聚酯型或是聚碳酸酯型等之多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物反應而得到之末端異氰酸酯聚氨酯聚合物上，使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應而得到。又，(甲基)丙烯酸酯，係以含有丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯之兩者的意思而使用。
多元醇化合物，可為聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇之任一種，但藉由使用聚碳酸酯型多元醇，可得到更良好的效果。又，只要是多元醇即可而沒有特別限定，也可為2官能之二元醇，3官能之三元醇，但從取得的容易性、泛用性、反應性等之觀點來看，以使用二元醇特別為 佳。因此，做為多元醇化合物，聚醚型二元醇、聚酯型二元醇、聚碳酸酯型二元醇等之二元醇類被喜好使用。
聚醚型多元醇，一般而言以HO-(-R1-O-)n-H表示。在此，R1為烯烴基，較佳的情況為碳數1~6之烯烴基，特別以碳數為2~3之烯烴基為佳。又，在碳數1~6之烯烴基中，又以乙烯、丙烯、丁烯或是四甲撐為佳，特別以乙烯或丙烯為佳。又，n以2~200為佳，而以10~100更佳。
具體而言，做為聚醚型多元醇，可舉出聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四甲撐二醇，做為更佳之聚醚型多元醇，可舉出二醇、丙二醇等。
聚醚型多元醇，藉由與後述之多價異氰酸酯化合物之反應，在醚結合部，(-(-R1-O-)n-)被導入，生成末端異氰酸酯聚氨酯聚合物。如此之醚結合部，也可為藉由環氧乙烷、環氧丙烷、四氫呋喃等之環狀醚的開環反應而衍生之構造。
聚酯型多元醇，係指藉由多鹽基酸與二醇類之縮合反應而可得到。
做為多鹽基酸，可使用鄰苯二甲酸、己二酸、鄰苯二甲酸酐、間苯二甲酸、對苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、順-1,2-二羧酸無水物、對苯二甲酸二甲酯、一氯鄰苯二甲酸、二氯鄰苯二甲酸、三氯鄰苯二甲酸、四溴鄰苯二甲酸等之一般已知的多鹽基酸。其中，又以鄰苯二甲酸、己二酸、鄰苯二甲酸酐、間苯二甲酸、對苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、對苯二甲酸二甲酯為佳，特別是鄰苯二甲酸、己二酸、鄰苯二甲酸酐、間苯二甲酸、對苯二甲酸等更佳。
做為乙二醇類，並沒有特別限定，例如，可舉出乙二醇、二甘醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等。
做為其他之聚酯型二元醇，可舉出藉由前述乙二醇類與ε-己內酯等之開環聚合而得到之聚己內酯二醇等。
聚碳酸酯型二元醇，一般而言，係以HO-(-R-O-C(=O)-O)n-R-OH表示，在此，R可為相同也可為不同之2價的碳氫基，以烯烴基為佳，更以碳述2~100之烯烴基為佳，特別是碳述2~12之烯烴基更佳。又，烯烴基中特別又以乙烯、丙烯、丁烯、四甲撐、環戊烷、環己烷為佳，特別是環戊烷、環己烷更佳。又，n以1~200為佳，特別以1~100更佳。
具體而言，做為碳酸酯型二元醇，可舉出1,4-四甲撐碳酸酯二醇、1,5-五甲撐碳酸酯二醇、1,6-六甲撐碳酸酯二醇、1,2-丙烯碳酸酯二醇、1,3-丙烯碳酸酯二醇、2,2-二甲基丙烯碳酸酯二醇、1,7-七甲撐碳酸酯二醇、1,8-八甲撐碳酸酯二醇、1,9-九甲撐碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
二元醇類，可以單獨使用1種，或是也可併用2種以上。上述二元醇類，係藉由與多價異氰酸酯化合物之反應，而生成末端異氰酸酯聚氨酯聚合物。
做為多價異氰酸酯化合物，可使用4,4-二異氰酸酯二環己基甲烷、異佛爾酮二異氰酸酯、2,4-甲苯烯二異氰酸酯、2,6-甲苯烯二異氰酸酯、1,3-苯撐二甲基二異氰酸酯、1,4-苯撐二甲基二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4‘-二異氰酸 酯等，特別以4,4-二異氰酸酯二環己基甲烷、環己二異氰酸酯、四甲撐二異氰酸酯、三甲基環己二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯等被喜好使用。
接著，使上述多元醇類，以及藉由與上述多價異氰酸酯化合物反應而得到之末端異氰酸酯聚氨酯預聚物，與含有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，而可得到聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。做為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，只要為在1分子中含有羥基以及具有(甲基)丙烯醯基之化合物，並沒有特別限定，例如，可舉出2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥環己基(甲基)丙烯酸酯、5-羥環辛基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯基氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等之羥烷基(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等。
聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，係以一般式：Z-(Y-(X-Y)m)-Z所表示(在此，X為由二元醇類衍生之構成單位，Y為從多價異氰酸酯化合物衍生之構成單位，Z為從具有羥基之(甲基)丙烯酸酯衍生之構成單位)。在上述一般式中，m為1~200為佳，更佳的情況為使m成為1~50來選擇。
所得到之聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，具有分子內光聚合性之雙重結合，藉由照射能源線而聚合硬化，而具有形成皮膜的性質。
在本發明被使用之較佳的聚氨酯丙烯酸酯系低聚物的重量平均分子量，以1000~50000為佳，而以在2000~ 40000之範圍更佳。上述的聚氨酯丙烯酸酯低聚物可使用單獨一種，或是組合使用二種以上使用。
由於若僅使用如上述之聚氨酯丙烯酸酯系低聚物，很多情況會難以製膜，因此在本發明，以併用能源線硬化性之單體而調整黏度為佳。能源線硬化性之單體，係在分子內具有能源線聚合性之雙重結合，特別是在本發明中，以使用相對具有較高容積之基的丙烯酸酯系化合物為佳。
做為能源線硬化性之單體的具體例，可舉出異冰片(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊二醇(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛酮(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇丙烯酸酯等之脂環式化合物；苯基羥丙基丙烯酸酯、芐基丙烯酸酯、苯氧乙基變性丙烯酸酯等之芳香族化合物；或是四氫呋喃(甲基)丙烯酸酯、嗎啉(甲基)丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內酰胺等之複數元素環式化合物。又，也可根據必要而使用多官能(甲基)丙烯酸酯。如此之能源線硬化性單體可單獨或是組合複數使用。
上述能源線硬化性單體，相對於聚氨酯丙烯酸酯系低聚物100重量分(固形分)，較佳的情況為5~900重量分，更佳的情況為10~500重量分，特別為佳的情況為以30~200重量分之比率來使用。能源線硬化性之樹脂，較佳的情況為含有聚氨酯丙烯酸酯系低聚物與能源線硬化性之單體。
又，能源線硬化性樹脂，除了含有上述聚氨酯丙烯酸酯系低聚物、能源線硬化性之單體以外，如前述，也可使 用環氧變性丙烯酸酯，遠螯聚合物。
做為環氧變性丙烯酸酯，可舉出雙酚A變性環氧丙烯酸酯、乙二醇變性環氧丙烯酸酯、丙烯變性環氧丙烯酸酯、鄰苯二甲酸變性環氧丙烯酸酯等。
做為遠螯聚合物，可舉出在分子的兩末端上具有(甲基)丙烯酰基等之具有聚合性的雙重結合之基的聚合物，可舉出矽氧樹脂型遠螯丙烯酸酯、聚氨酯型遠螯丙烯酸酯等。
能源線硬化性樹脂，係藉由能源線照射而聚合、硬化，生成薄膜等之硬化物。藉由能源線照射時配合光聚合起始劑，可使由於能源線照射之聚合硬化時間急能源線照射量減少。做為如此之光聚合起始劑，可舉出安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化氫化合物等之光開始劑；胺或醌等之光增感劑等，具體而言可舉出1-羥基環己基苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、聯苄、丁二酮、β-氯蔥醌等。
光聚合起始劑之使用量，對於能源線硬化性單樹脂100重量分，以0.05~15質量分為佳，而以0.1~10重量分更佳，而以0.3~5重量分特別為佳。
能源線硬化性樹脂，係由上述般之具有能源線硬化性之各種聚合物、低聚物、單體類以及光聚合起始劑構成，使在23℃之黏度為100~5,000,000mPa．s之範圍而調整成分比。能源線硬化性樹脂之黏度，若低分子量化合物愈多則愈 低，高分子量體愈多而有增加之傾向，可藉由各成分之配合比而控製黏度。
能源線硬化性樹脂，雖沒有含有溶劑等之必要，但也可含有為了調整黏度用之少量的溶劑。能源線硬化性樹脂包含溶劑之情況，在能源線硬化性組成物之塗布後，為了除去溶劑之工程有變得必要之情況。因此，用於黏度調整之溶劑為少量，對於能源線硬化性樹脂100質量分，也可以未滿70質量分之比率含有。
(聚合性矽氧樹脂化合物)
能源線硬化性組成物，係包含上述能源線硬化性樹脂，與聚合性矽氧樹脂化合物。
聚合性矽氧樹脂化合物，係在分子內藉由矽氧烷聚合而具有主骨骼(矽氧樹脂骨骼)與聚合性基之化合物。
聚合性基，係可與上述能源線硬化性樹脂聚合之基，可舉出(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基等之聚合性的雙重結合之基。在此(甲基)丙烯酰基係包含丙烯酰基以及甲基丙烯酰基之兩者。
因此，較佳之聚合性矽氧樹脂化合物，以矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯或矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯聚合物(以下，一併稱為矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯)為佳。在此，(甲基)丙烯酸酯，係以包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之兩者之意思使用。
又，聚合性矽氧樹脂化合物，從使與上述之能源線硬化性樹脂之相溶性提升的點來看，以在分子內含有使與能 源線硬化性樹脂之相溶性提升之部位之有機變性聚合性矽氧樹脂化合物為佳。做為此有機變性聚合性矽氧樹脂化合物，例如，可舉出聚氨酯變性、氨基變性、烷基變性、環氧變性、羧基變性、乙醇變性、氟變性、烷基芳烷基聚醚變性、環氧．聚醚變性或是聚醚變性之聚合性矽氧樹脂化合物。
例如，在能源線硬化性樹脂含有聚氨酯丙烯酸酯系低聚物之情況，聚合性矽氧樹脂化合物，以聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯為佳。
聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯，例如係對於兩端末為OH之矽氧樹脂化合物，使前述之多價異氰酸酯反映，得到末端異氰酸酯矽氧樹脂化合物，將末端異氰酸酯矽氧樹脂化合物與前述含羥基(甲基)丙烯酸酯反應而可得到。
又，聚合性矽氧樹脂化合物所含有之聚合性基，以平均每一分1~6個為佳，從抑制硬化物之交聯構造變高，應力緩和性或擴張性低下的觀點來看，以2個以下更佳，特別是以1個為佳。如此之聚合性矽氧樹脂化合物可單獨或是組合複數使用。
這些，可使用周知或是市售物，做為市售品，例如，DAICEL-CYTEC股份公司製之商品名「EBECRYL1360」、「EBECRYL350」、「KRM8495」，Arkema股份公司製之商品名「CN9800」、「CN990」等。
聚合性矽氧樹脂化合物，由於具有藉由能源線而具有硬化性之聚合性基，因此可與能源線硬化性組成物中之能源線硬化性樹脂聚合。亦即，藉由將含有上述之能源線硬化性 樹脂與聚合性矽氧樹脂化合物之組成物製膜．硬化，在薄膜上使矽氧樹脂構造固定化，可得到不會發生矽氧樹脂化合物偏析於薄膜表面、流出等之薄膜。特別是，藉由使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物做為能源線硬化性樹脂，具有聚氨酯之結合部位的聚合性矽氧樹脂化合物做為聚合性矽氧樹脂化合物，可得到相溶性高，經時的液物性也安定之能源線硬化性組成物。
(能源線硬化性組成物)
能源線硬化性組成物，係含有上述能源線硬化性樹脂與聚合性矽氧樹脂化合物之物，將該能源線硬化性樹脂組成物製膜、硬化而可得到。
將能源線硬化性組成物製膜．硬化而得到之薄膜，起因於矽氧樹脂構造而表面快黏性被抑制，因此不易產生黏頁等，工程適性優良。又，特別是再使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物之情況，薄膜的應力緩合性與擴張性變高，加工各種工件時被喜好使用。
在達成抑制薄膜表面之快黏性之目的上，薄膜表面之矽氧樹脂構造愈多愈佳。然而，隨著聚合性矽氧樹脂化合物之配合量增加，未反應之矽氧樹脂化合物增加，有未反應的矽氧樹脂化合物黏著於工件或工作桌的情況。因此，在能源線硬化性組成物中聚合性矽氧樹脂化合物之配合量通成在10質量%以下，而以在1質量%以下為佳。聚合性矽氧樹脂化合物，即使是少量的添加，抑制表面快黏性之作用也會顯著出現。因此，在能源線硬化性組成物中聚合性矽氧樹脂化合物之配合量已在0.01以上即充分，為了提高抑制表面快黏性之作用，以 在0.2質量%以上更佳，而以在0.5質量%以上特別為佳。
又，在能源線硬化性組成物中，也可添加碳酸鈣、二氧化矽、雲母等之無機填充劑；鐵、鉛等之金屬填充劑；帶電防止劑、氧化防止劑、有機助流劑。更且，除了上述成分以外，更在能源線硬化性組成物中含有顏料或染料等之著色劑等的添加物。
<薄膜>
與本發明有關之薄膜，係將上述能源線硬化性組成物製膜、硬化而成之物。此薄膜，由於表面快黏性被抑制，因此薄膜不會產生黏頁、板片黏著於用於運送板片之滾輪類，而板片之製造或運送被中斷之情況。又，本發明之薄膜，由於具有可做為自立膜利用之機械強度，擴張性與應力緩合性優良，因此特別被喜好做為背面研磨板片或切割板片等之各種工件加工用板片之基材使用。
又，本發明之薄膜厚度，較佳的情況為10~500μm，更以30~300μm更佳，特別以50~200μm為佳。
做為薄膜之製膜方法，並沒有特別限制，可採用已知的方法。被稱為流延製膜(澆鑄製膜)之手法被喜好採用。具體而言，將能源線硬化性組成物在例如PET薄膜等之工程板片上澆鑄成薄膜狀後，對於塗膜照射紫外線、電子線等之能源線使其聚合硬化，將工程板片剝離而薄膜化。藉由如此之製法，在製膜時施加於樹脂之應力少，魚眼的形成少。又，膜後的均一性也高，厚度精度通成為2%以內。
所得到之薄膜，矽氧樹脂構造中在膜中均一分 散，藉由固定矽氧樹脂構造，表面快黏性被抑制，且矽氧樹脂化合物不會發生偏析於薄膜表面，流出等。具體而言，與工程板片相接側之薄膜表面的靜磨擦係數，以1.0以下為佳。因此，將以該薄膜為基材之工件加工用板片載至於各種工作桌上，之後即使除去，板片也不會黏著於工作桌，對於下一工程之搬運可順利進行。
又，由於矽氧樹脂構造固定在膜中，因此對於其他構件之矽氧樹脂化合物的轉付也會減低。藉由此，可抑制工件的汙染、薄膜物性的差異等問題。具體而言，上述的澆鑄製膜後，剝離工程板片之情況，在工程板片表面上之Si元素比率，成為對於基材表面之矽氧樹脂化合物的流出量的指標，通常為1%以下。又，在此，Si元素比率，係指測定轉付在工成板片上之碳、氧、氮以及矽之元素量，對於轉付之元素的合劑之Si元素的質量比率。
<工件加工用板片基材>
本發明之工件加工用板片基材(以下，有僅稱為「基材」之情況)，係含有上述本發明之薄膜之物。前述基材，可為上述本發明之薄膜單層，也可為上述本發明之薄膜的複層品。又，前述基材，可為上述本發明之薄膜與聚烯烴薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等之與其他薄膜之層積薄膜。其中，從特別可得到本發明之效果的觀點來看，本發明之工件加工用板片基材，以上述本發明之薄膜單層為佳。
又，在本發明，工件加工用板片基材，係指進行半導體晶圓等之被加工物(工件)之一時性的表面保護、研磨、 切割等之加工時，該工件被貼附、保持之表面保護板片、背面研磨板片、切割板片、含薄膜狀接著劑層之層積板片、切割．黏晶兼用板片，保護膜形成用板片等之總稱。
又，在基材上，如後述，在基材之至少單面上具有接著性樹脂層之情況，為了提升與接著性樹脂層的密著性，與基材之接著性樹脂層相接的面上，也可設置施以電暈處理之底漆等之其他的層。更且將接著性樹脂層從基材剝離，將接著性樹脂層轉印之晶片等上之情況，為了使接著性樹脂層與基材之間的剝離容易，也可在基材表面上施以剝離處理。在此情況，基材的表面張力，以40mN/m以下為佳，更以37mN/m以下更佳，特別是以35mN/m以下為佳。做為剝離處理所使用的剝離劑，可使用醇酸系、矽氧樹脂系、氟系、不飽合聚酯系、聚烯烴系、蠟系等，特別以醇酸系、矽氧樹脂系、氟系之剝離劑由於具有耐熱性因此為佳。
為使用上述之剝離劑，將基材的表面剝離處理，可直接使用剝離劑本身，或是以溶劑稀釋或乳膠化，藉由凹版塗布機、繞線棒塗布機、氣刀塗布機、滾輪塗布機等塗布，在常溫或是加熱或是使其電子線硬化，以濕式貼合或乾式貼合、熱溶融貼合、溶融押出貼合、共押出加工等來形成層積體即可。
本發明之工件加工用板片基材，係例如表面保護板片之基材，具體而言係在晶圓之背面研磨中，貼附於在表面上形成了回路之半導體晶圓之回路面，一邊保護回路面而一邊研磨晶圓的背面，適合做為使成為既定厚度之晶圓的表面保護板片之基材。在回路表面上，形成了來自回路之凹凸的情況很 多，藉由貼附表面保護板片，可埋入凹凸差，從加工中所發生之異物或研磨水保護回路面。
在使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物做為上述基材之構成材料之情況，由於基材之應力緩合性高，因此對應晶圓表面之凹凸型狀基材也變形，接著性樹脂層埋入晶圓面，消解凹凸差，而可使晶圓保持平坦的狀態。又，由於基材面之表面快黏性低，因此在既定的工程結束後，可容易的從研磨桌取下，往下一工程之移送也可順利進行。
更且，接著上述背面研磨工程，在晶圓背面有施以各種加工之情況。例如為了在晶圓背面更形成回路圖樣，有進行伴隨蝕刻處理等之發熱之處理的情況。又，也有在晶圓背面加熱壓著黏晶薄膜知情況。在這些工程時，也藉由貼附本發明之工件加工用板片基材而可保護回路圖樣。
又，本發明之工件加工用板片基材，係相對的較軟質，擴張適性優良，特別是，晶片間隔容易等向的擴張，因此擴張後的晶片整列性優良，因此也適合做為切割板片的基材。切割板片，在切割時固定晶圓，切割工程結束後，挑選晶片。此時，使用頂針或吸引夾頭，從切割板片挑選晶片。又，晶片的挑選時，為了使晶片互相的間隔分開，在晶片固定於切割板片的狀態下擴張切割板片為佳。藉由擴張而晶片間隔分開，晶片的認識變得容易，且由於晶片互相接觸造成的破損也降低而良率也提升。
因此，本發明之基材，由於柔軟性、擴張性皆優良，因此也適合做為切割板片之基材使用。
更且，例如將個片化之晶片從別的板片移動而進行擴張後，為了進行晶片的取出(挑選)之板片等，伴隨擴張之用途也從同樣的觀點來看為適合的。
<工件加工用板片>
本發明之工件加工用板片，係上述工件加工用板片基材之至少單面上具有接著性樹脂層之物。
如第1圖所示，本發明之工件加工用板片1，係上述基材2之至少單面上具有接著性樹脂層3。在工件加工用板片之接著性樹脂層，可根據板片之用途而從具有各種機能的樹脂適當選擇。又，接著性樹脂層3，可為單層，也可為複數層。更且，接著性樹脂層3，可以形成於基材2之單面的全表面，也可部分的形成。
(黏著劑層)
將本發明之工件加工用板片做為背面研磨板片等之表面保護板片或是切割板片使用之情況，接著性樹脂層3由具有感壓接著性之黏結劑層形成為佳。
如此之具有感壓接著性之黏結劑層，可藉由以往已知之各種黏結劑形成。做為黏著劑，雖然沒有什麼限定，但可使用例如橡膠系、丙烯基系、矽氧樹脂系、聚乙烯醚等之黏著劑。在其中又特別以黏著力的控制容易之丙烯系基黏著劑為佳。
丙烯基系黏著劑，係以(甲基)丙烯酸酯共聚物為主劑。做為(甲基)丙烯酸酯共聚物，可舉出藉由丙烯酸甲基、丙烯酸乙基、丙烯酸丙基、丙烯酸丁基、丙烯酸-2-乙 基己基、丙烯酸癸基、丙烯酸十三基、丙烯酸十二基、丙烯酸十四基、甲基丙烯酸甲基、甲基丙烯酸乙基、甲基丙烯酸丙基、甲基丙烯酸丁基、丙烯酸苄基、丙烯酸環己基、丙烯酸異佛爾酮等之不具有關能基的烯烴基而形成(甲基)丙烯酸烯烴酯之1種以上的單量體，與根據必要，丙烯酸-2-羥基乙基、丙烯酸-2-羥基丙基、丙烯酸-3-羥基丙基、丙烯酸-3-羥基丁基、丙烯酸-4-羥基丁基、甲基丙烯酸-2-羥基乙基、甲基丙烯酸-2-羥基丙基、甲基丙烯酸-3-羥基丙基、甲基丙烯酸-3-羥基丁基、甲基丙烯酸-4-羥基丁基等之含氫氧基之(甲基)丙烯酸烯烴酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸等之羧基含有化合物；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯酯；丙烯腈、甲基丙烯腈等之氰基含有化合物；丙烯酰胺等之酰胺基含有化合物；苯乙烯、乙烯基吡啶等之芳香族化合物等之重量性單量體所選出之1種以上的單量體的共聚合體等。又、聚合性單量體為1種的情況並非狹義的共聚物，但含有該情況總稱為共聚物。又，(甲基)丙烯基，係包含丙烯基與甲基丙烯基之兩者之意思而使用。
在(甲基)丙烯酸烯烴酯共聚物中，從不具有官能基之烯烴基所形成之(甲基)丙烯酸烯烴酯由來之單位的含有比率，以10~98質量%為佳，20~95質量%較佳，50~93質量%更佳。(甲基)丙烯酸酯共聚物之重量平均分子量，以10萬~250萬為佳，20萬~150萬較佳，30萬~100萬特別為佳。又，在本發明書中，重量平均分子量係藉由凝膠滲透色譜法測定之標準聚苯乙烯換算之值。
這些的黏著劑，可單獨使用1種或組合2種以上使用。這些黏結劑中，丙烯基係黏著劑被喜好使用。特別是，將丙烯基系共聚物，以聚異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮雜環丙烷系交聯劑、螯合系交聯劑之1種以上使其交聯而得到之丙烯基系黏著劑為佳。
做為，環氧系交聯劑，可使用(1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-二甲苯二胺、N,N,N’,N’-四縮水甘油基氨機苯基甲烷、三縮水甘油異氰酸酯、m-N,N-二縮水甘油氨基苯基縮水甘油醚、N,N-二縮水甘油甲苯胺、N,N-二縮水甘油苯胺、季戊四醇聚縮水甘油醚、1,6-己烷二元醇二縮水甘油醚等。
做為聚異氰酸酯系交聯劑，可舉出甲苯二異氰酸酯(TDI)、六甲撐二異氰酸酯(HMDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)二異氰酸酯二甲苯酯(XDI)、氫化甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯以及其水添體、聚甲撐聚苯基聚異氰酸酯、亞萘基-1,5-二異氰酸酯、聚異氰酸酯預聚物、聚羥甲基丙烷變性TDI等。
交聯劑，可單獨使用1種，也可組合2種以上使用。交聯劑的使用量。對於丙烯系共聚物100質量份，以0.01~20質量份為佳。
更且，接著劑層，也可藉由能源線硬化或加熱發泡、水膨潤等控製接著力之接著劑。黏著劑層具有能源線硬化性之情況，對於接著劑層照射能源線，藉由使黏著力低下，而使晶圓或晶片的剝離較容易。又，能源硬化性黏著劑層，可藉 由伽瑪線、電子線、紫外線、可是光等之能源線的照射而硬化之各種能源線硬化型接著劑而形成，特別以使用紫外線硬化型黏著劑為佳。
做為能源線硬化性黏著劑，可舉出例如在丙烯基系黏著劑中，混合能源線硬化樹脂之黏著劑。做為多官能能源線硬化樹脂，可舉出具有複數能源線聚合性的官能基之低分子化合物，聚氨酯丙烯酸酯低聚物等。又，也可使用在側鏈上具有能源線硬化之官能基的丙烯酸基系共聚物之接著劑。做為如此之能源線聚合性官能基，以(甲基)丙烯酰基為佳。
黏著劑層之玻璃轉換溫度(Tg)以-50℃~30℃為佳，-25℃~30℃更佳。在此，黏著劑層之Tg，係指在此黏著劑層層積之試料的頻率在11Hz之動的黏彈性測定中，在-50℃~50℃之領域之損失正切(tanδ)為最大值之溫度。又，黏著劑層為能源線硬化型黏著劑之情況，係指藉由照射能源線而使黏著劑層硬化前之玻璃轉換溫度。黏著劑層為前述丙烯基系黏著劑形成之情況，黏著劑層之玻璃轉換溫度，係規制前述之丙烯基系黏著劑之單量體的種類及聚合比，根據情況也藉由預估所添加之紫外線硬化性化合物或交聯劑之影響而可控制。
(薄膜狀接著劑)
又，在本發明之工件加工用板片1中，接著性樹脂層3也可為薄膜狀接著劑。如此之薄膜狀接著劑，近年來多用於晶片之黏晶工程。如此之薄膜狀接著劑，以製膜、半硬化環氧系接著劑或聚酰亞胺系接著劑者(B-階段狀態)為佳，本發明之工件加工用板片基材上可剝離地形成，而可得到本發明之工件 加工用板片1。又，也可在基材2之單面上形成上述黏著劑層，在黏著劑層上層積薄膜狀接著劑。
薄膜狀接著劑，係貼附於半導體晶圓，藉由將該半導體晶圓與薄膜狀接著劑切割成晶片尺寸，可得到附皆著劑之晶片，將此從基材或黏著板片挑選，透過接著劑層，強固接著於既定位置。又，在附接著劑之晶片的挑選時，同於前述進行擴張為佳，
(黏著劑層)
更且，本發明之工件加工用板片1，也可為同時兼備在切割時之晶圓固定機能與黏晶時之晶粒接著機能之切割．黏晶兼用板片。
本發明之工件加工用板片1若為切割．黏晶兼用板片之情況，接著性樹脂層3係在切割工程中保持半導體晶圓或晶片，在切割時，與晶圓一同被切斷，形成與被切斷之晶片同樣形狀之接著性樹脂層3。然後，切割結束後，若進行晶片之挑選，接著性樹脂層3係與晶片一起從基材2剝離。接著性樹脂層3，係在黏晶時做為固定晶片用之接著劑而作用。將伴隨著接著性樹脂層3之晶片載置於基板，進行加熱等，將晶片與基板或其他之晶片等之被接著體透過接著性樹脂層3接著。在此，接著性樹脂層之加熱，只要將晶片載置於基板後，該時間點並沒有特別限制，例如可與載置同時，或是載置後馬上加熱也可，又，也可在最後進行之樹脂封裝時之加熱工程中加熱接著性樹脂層。
本發明之工件加工用板片1，若為如此之切割．黏 晶兼用板片之情況，在基材2上，形成了兼備感壓接著性與晶粒接著機能之黏接著劑層做為接著性樹脂層3。如此之兼備晶圓固定機能與晶粒接著機能之接著性樹脂層3，例如含有前述丙烯系黏著劑與環氧接著劑，又根據必要，含有能源線硬化型化合物及助硬化劑等。又，為了使接著性樹脂層3之對於晶片的轉印變得容易，在切割．黏晶兼用板片中基材2施以剝離處理為佳。又，在附接著性樹脂層3之晶片的挑選時，同於前述進行擴張為佳。
(保護膜形成層)
更且，在本發明工件加工用板片1做為晶片背面形成保護膜用之保護膜形成用板片使用之情況，接著性樹脂層3，也可為在晶片背面形成保護膜用之保護膜形成層。在此情況，將半導體晶圓貼附在保護膜形成層上，使保護膜形成層硬化，做為保護膜，之後，將半導體晶圓與保護膜切割，而可得到具有保護膜之晶片，但保護膜形成層之硬化，切割的順序沒有特別限定，例如，可在切割前硬化保護膜形成層，也可在切割後硬化保護膜形成層，更且也可在最後所進行之樹脂封裝時之加熱工程硬化保護膜形成層。如此之保護膜形成用板片，在基材2上做為接著性樹脂層3，具有成為保護膜之接著性的樹脂層(保護膜形成層)。又，也可在基材2之單面上形成上述黏著劑層，在黏著劑層上層積保護膜形成層。如此之成為保護膜的接著性樹脂層3，係含有前述之丙烯基系黏著劑與環氧接著劑及助硬化劑，又也可根據必要含有填料等。
在本發明之工件加工用板片1中接著性樹脂層3 之厚度，係根據其用途而各種各樣，做為背面研磨板片等之表面保護板片或切割板片使用之情況，為30~200μm程度，又，做為切割．黏晶兼用板片使用時，為50~300μm程度。
接著性樹脂層3，可在上述基材2之單面上直接塗布，也可在剝離薄膜上形成接著性樹脂層3後，將此轉印在基材2上。
做為形成接著性樹脂層3之方法，選擇已知的方法即可，并沒有特別限定。做為此方法，可無溶劑的直接使用黏著劑等之接著性樹脂形成層材料，或是以溶劑稀釋或乳膠化，藉由凹版塗布機、繞線棒塗布機、氣刀塗布機、滾輪塗布機等塗布，在常溫或是加熱或是使其電子線硬化，以濕式貼合或乾式貼合、熱溶融貼合、溶融押出貼合、共押出加工等來在基材上形成即可。
以上，對於本發明之工件加工用板片，概略地對於接著性樹脂層之代表的組成與用途說明，但在本發明之工件加工用板片中接著性樹脂層並非限定於上述之物，且其用途也沒有特別限定。
【實施例】
以下，將本發明以實施例更具體說明，本發明並非限定於這些實施例。又，實施例及比較例之各種物性係如以下評價。
(靜摩擦係數)
在基材做成時，對於與工程板片相接側之基材面，以下述條件測定勁磨擦係數。
根據JIs K7125，荷重200g被附體：SUS#600接觸時間1秒。測定裝置係使用萬能試驗機(島津製作所股份公司製：AutographAG-Is 500N)。
(在工程板片表面之Si元素比率)
在基材做成時使用之板片表面，以下述條件測定4種類的元素附著量，求得附著之4元素的合劑對矽(Si)的質量比率。
裝置：島津製作所股份公司ESCA-3400
真空度：1.0×10-6Pa
X線源：Mg
放出電流值：10mA
加速電壓：10kV
測定元素：碳(C)、氧(O)、氮(N)、矽(Si)
(黏頁性)
將在實施例、比較例中所得到之薄膜做成捲筒狀，在23℃ 50%R/H環境下保存7天後，捲回薄膜確認有無黏頁。
(工程適性評價)
在下述之背面研磨時之工程適性及切割時之工程適性，皆以工件加工用板片不固定黏著於裝置內的工作桌知情況判定為良好，若是在任一方的工程中固定黏著，或是發生搬運錯誤的情況判定為不良。
(背面研磨時之工程適性)
將實施例、比較例所得到之工件加工用板片，係使用膠帶貼合(Lintec公司製「RAD3510F/12」貼附在晶圓上(直徑8公分、厚度700μm)，以研磨機(DISCO公司製「DFG8760- RAD2700F/12」)將晶圓的背面研磨至50μm，接著在同裝置內，對於已研磨之晶圓在貼合溫度(130℃×3分，固化溫度：180℃×1分)進行黏晶薄膜(日立化成股份公司製「DF-400」)之貼合。工件加工用板片，固定黏著於裝置內的研磨工作桌，或是貼合工作桌，或是發生搬運錯誤之情況，判定背面研磨時之工程適性不良。
(切割時的工程適性)
將在實施例、比較例所得到之本發明之工件加工用板片之內周部之矽晶圓(直徑6吋，厚度350μm)，貼付在外周部之6吋金屬製環狀框架，使用切割裝置(DISCO公司製「DFD-651」)，以以下的條件進行刀片切割，而晶片化。
(切割條件)
裝置：DISCO公司製DFD-651
晶片尺寸：10mm×10mm
切割速度：80mm/sec
刀片：DISCO公司製NBC-ZH2050-27HECC
工件加工用板片，若固定黏著於裝置內的切割工作桌，或是發生搬運錯誤之情況，判定切割時之工程適性不良。
又，做為能源線硬化性樹脂，聚合性矽氧樹脂化合物以及接著性樹脂(黏著劑)，係使用如下述。
(能源線硬化性樹脂)
A：配合了在兩末端具有雙重結合官能基之重量平均分子量(Mw)6,000的聚碳酸酯系聚氨酯丙烯酸酯低聚物60質量份與三環癸烷丙烯酸酯15重量份與環己基丙烯酸酯10重量份 與苯氧基乙基丙烯酸酯15重量份與2,4,6-三甲基苯酰-二苯基-膦氧化物(BASF公司製Lucirin TPO、固形分濃度100質量%)0.5質量分之配合物(荒川化學製BEAMSET 541 η=6,000mPa．s(25℃))
B：配合了在兩末端具有雙重結合官能基之重量平均分子量(Mw)6,000的聚碳酸酯系聚氨酯丙烯酸酯低聚物60質量份與異佛爾酮丙烯酸酯20重量份與四氫糠丙烯酸酯15重量份與苯氧基乙基丙烯酸酯5重量份與2,4,6-三甲基苯酰-二苯基-膦氧化物(BASF公司製Lucirin TPO、固形分濃度100質量%)0.5質量分之配合物(荒川化學製BEAMSET 543 η=5,000mPa．s(25℃))
C：配合了在兩末端具有雙重結合官能基之重量平均分子量(Mw)10,000的聚酯系聚氨酯丙烯酸酯低聚物40質量份與異佛爾酮40重量份與2-羥基苯氧基丙基丙烯酸酯20重量份與2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(BASF公司製DAROCUR 1173、固形分濃度100質量%)0.5質量分之配合物(荒川化學製η=4,500mPa．s(25℃))
D：配合了在兩末端具有雙重結合官能基之重量平均分子量(Mw)30,000的聚丙二醇系聚氨酯丙烯酸酯低聚物60質量份與異佛爾酮40重量份與與2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(BASF公司製DAROCUR 1173、固形分濃度100質量%)0.5質量分之配合物(荒川化學製η=4,100mPa．s(25℃))
(聚合性矽氧樹脂化合物)
a：Ebecryl 350(DAICEL-CYTEC股份公司，矽氧樹脂 二(甲基)丙烯酸酯)
b：CN9800(Arkema股份公司矽氧樹脂二丙烯酸酯)
c：KRM8495(DAICEL-CYTEC股份公司製)
d：CN990(Akrema股份公司，分子內含有聚氨酯結合之聚氨酯變性矽氧樹脂丙烯酸酯低聚物)
(接著性樹脂)
對於丁基丙烯酸酯84重量分、甲基甲基丙烯酸酯10重量分、丙烯酸1種量分、2-羥基乙基丙烯酸酯5重量分所形成之共聚物(重量平均分子量Mw：700,000)之甲苯30重量%溶液，混合多價異氰酸酯化合物(CORONATEL(日本聚氨酯公司製))3重量分之黏著性組成物
(實施例1)
(能源線硬化性組成物)
將表1所記載之能源線硬化性樹脂以及聚合性矽氧樹脂化合物以既定比率混合，得到能源線硬化性組成物。表中之聚合性矽氧樹脂化合物的添加量，係表示對於能源線硬化性樹脂與聚合性矽氧樹脂化合物之合計100質量%之比率。
(薄膜之製作)
將所得到之能源線硬化性組成物在25℃以噴泉塗布方式在工程板片之PET薄膜(東麗製Lumirror T60 PET 50 T-60東麗50μm品)上，使厚度成為100μm而塗布，形成能源線硬化性組成物層。做為紫外線照射裝置係使用Eyegraphics公司製皮帶輸送式紫外線照射裝置(製品名：ECS-401GX)，以高壓水銀燈(Eyegraphics公司製高壓水銀燈製 品名：H04-L41)，以紫外線燈高度150mm、紫外線燈輸出3kw(換算輸出120mW/cm)，光線波長365nm之照度為271mW/cm2，光量為177mJ/cm2(紫外線光量計：ORC製作所股份公司製UV-351)之裝置條件進行紫外線照射。紫外線照射後，馬上在能源線硬化性組成物層上貼合剝離薄膜(Lintec公司製SP-PET3801)。又，貼和係使剝離薄膜之剝離處裡面與能源線硬化性組成物接觸。接著，使用同紫外線照射裝置，以紫外線燈高度150mm，光線波長365nm之照度為271mW/cm2，光量為600mJ/cm2(紫外線光量計：ORC製作所股份公司公司製UV-351)之條件，從貼合後之剝離薄膜側進行2次紫外線照射，對於能源線硬化性組成物層付與之紫外線之總光量為1377mJ/cm2，使能源線硬化性組成物層交聯．硬化。
接著，將工程板片與剝離薄膜從硬化後之能源線硬化性組成物層剝離，而得到厚100μm之薄膜(基材)。
對於與工程板片相接側之基材面，測定了靜摩擦係數。又，在工程板片之表面(與基材相接的面)中，測定Si元素比率。又，評價黏頁性。其結果示於表1。
(工件加工用板片之作成)
之後，將另外調整之厚度10μm之接著性樹脂，使用貼合機貼合於薄膜上，得到工件加工用板片。評價工件加工用板片之工程適性。結果示於表1。
(實施例2~3以及比較例1~4)
除了使用將記載於表1之能源線硬化性樹脂以及聚合性矽氧樹脂化合物以既定比率混合而得到之能源線硬化性組成物 以外，同於實施例1。又，在比較例，不使用聚合性矽氧樹脂化合物，將能源線硬化性樹脂A~D製膜、硬化，得到基材。結果示於表1。
從表1，可知道實施例1~32之工件加工用板片，靜摩擦係數低至1.0以下，表面快黏性減低，因此不會發生黏頁，且在裝置內板片不會密著於工作桌或是不會發生搬運錯誤，工程適性良好。更且，在工程板片表面Si元素比率也少，矽氧樹脂化合物的流出等造成的工件汙染的可能性也低。
另一方面，不含有聚合性矽氧樹脂化合物之比較例的工件加工用板片，靜摩擦係數高至1.0以上，由於表面有快黏性，因此會發生黏頁等，工程適性差。
1‧‧‧工件加工用板片
2‧‧‧工件加工用板片基材
3‧‧‧接著性樹脂層

Claims (8)

  1. 一種含有薄膜之工件加工用板片基材，含有在25℃之黏度為100~5,000,000mPa．s之能源線硬化性樹脂，與聚合性矽氧樹脂化合物，將能源線硬化性組成物製膜，硬化而成。
  2. 如申請專利範圍第1項之工件加工用板片基材，其中，聚合性矽氧樹脂化合物之質量比率為1.0質量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之工件加工用板片基材，其中，前述聚合性矽氧樹脂化合物，為有機變性聚合性矽氧樹脂化合物。
  4. 如申請專利範圍第3項之工件加工用板片基材，其中，前述有機變性聚合性矽氧樹脂化合物，為聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯或聚氨酯變性矽氧樹脂(甲基)丙烯酸酯低聚物。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之工件加工用板片基材，其中，前述能源線硬化性樹脂，為聚氨酯丙烯酸酯系低聚物與能源線聚合性單體之混合物。
  6. 一種工件加工用板片，在申請專利範圍第1~5項中任一項之基材之至少單面上具有接著性樹脂層。
  7. 如申請專利範圍第6項之工件加工用板片，其中，接著性樹脂層為具有感壓接著性之黏著劑層。
  8. 如申請專利範圍第6項之工件加工用板片，其中，接著性樹脂層，為具有感壓接著性，且具有晶粒接著機能之黏接著劑層。
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