TW201929157A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種半導體裝置之製造方法，其係依序具有下述步驟(1)~(3)，且在步驟(3)之後使黏著片(A)之膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)從被黏著物分離。
步驟(1)：將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數半導體晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以伸展的步驟。
步驟(2)：在前述複數半導體晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟。
步驟(3)：將已貼附於黏著片(A)之前述複數半導體晶片與黏著片(B)予以分離的步驟。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於半導體裝置之製造方法。
近年來邁向電子機器之小型化、輕量化及高機能化，伴隨於此，對於搭載於電子機器之半導體裝置亦要求小型化、薄型化及高密度化。
半導體晶片係有安裝於與其尺寸相近之封裝的情況。此種封裝也有稱為CSP(Chip Scale Package，晶片尺寸封裝)的情況。作為CSP，可舉出如以晶圓尺寸進行處理至封裝最後步驟而使其完成之WLP(Wafer Level Package，晶圓級封裝)，以大於晶圓尺寸之面板尺寸進行處理至封裝最後步驟而使其完成之PLP(Panel Level Package)等。
WLP及PLP係分類成扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。在扇出型之WLP(以下，亦稱為「FOWLP」)及PLP(以下，亦稱為「FOPLP」)中，以成為大於晶片尺寸之區域之方式，使用密封材料覆蓋半導體晶片而形成半導體晶片之密封體，且使再配線層及外部電極不僅形成在半導體晶片之電路面，同時也形成在密封材料之表面區域。
例如，專利文獻1記載半導體封裝之製造方法，將由半導體晶圓被個體化之複數半導體晶片，以殘留其電路形成面之方式，使用模具構件包圍其周圍而形成擴張晶圓，在半導體晶片外之區域使再配線圖型延伸存在來形成。專利文獻1記載之製造方法中，半導體晶圓係在被貼附於切割用晶圓安裝帶(以下，亦稱為「切割帶」)之狀態下而被施加個體化之切割步驟。以該切割步驟取得之複數半導體晶片係轉移至伸展用晶圓安裝帶(以下，亦稱為「伸展帶」)，延展該伸展帶使複數之半導體晶片彼此之距離擴大而施加伸展步驟。
伸展帶係在半導體裝置之製造步驟中將切割被加工物並個體化而得之晶片彼此之間隔予以擴大所使用者，上述半導體晶片之外，也能使用於用來擴大將例如LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)、陶瓷裝置、半導體封裝、具有複數裝置之半導體裝置等切割而得之晶片彼此之間隔。在任一情況中，在伸展帶上間隔被擴大之複數晶片為了提供至下個步驟，而有從伸展帶分離之必要。具體而言，例如，提供至前述伸展步驟之半導體晶片在其後係提供至藉由密封樹脂進行密封之步驟，通常密封樹脂由於係熱硬化性樹脂，故在從抑制密封步驟中之熱變形等之觀點，以將半導體晶片移動到比伸展帶之耐熱性還優異之黏著片(以下，亦稱為「暫時固定用片」)上為佳。
作為使晶片移動到暫時固定用片等之其他黏著片之方法，可為從伸展帶直接轉移至其他黏著片之方法，亦可為從伸展帶一度使晶片分離，將晶片提供至使其整列之再配列步驟後，轉移至其他黏著片之方法。
伸展帶由於係在晶片之間隔被擴大後就會與晶片分離者，故會使用因照射能量線進行硬化而黏著力降低之能量線硬化性黏著劑等。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2010/058646號
[發明所欲解決之課題]
使用能量線硬化性黏著劑之伸展帶雖然能藉由照射能量線而黏著力降低，但即便在能量線照射後，晶片與黏著層仍係以接著面全體進行接著，故仍殘留某些程度之接著力。因此，從伸展帶分離晶片之際，則必須逐一拾取晶片，或集體移動至黏著片。
例如，在供給至上述之再配列步驟時，由於難以使已個體化之晶片集體移動至配列用治具，故會產生逐一拾取晶片之必要，但該作業煩雜且生產性差。
另一方面，從伸展帶移動至其他黏著片時，雖然能將複數之晶片集體移動，但其他黏著片若為藉由能量線照射而黏著力降低之類型之過往的黏著片時，如先前所述由於即使在能量線照射後仍會殘留某些程度之接著力，故在分離其他黏著片與晶片之際，仍必須要有一定之外力，而有變得必須要有複雜之裝置，晶片上殘膠等在清淨性上造成問題的情況。該問題在使用上述之暫時固定用片做為其他黏著片之情況亦為相同，在該情況、使暫時固定用片上半導體晶片受到密封樹脂密封而成之硬化密封體，與暫時固定用片分離之際，會有變得必須要有上述之複雜之裝置，或在取得之硬化密封體之清淨性造成問題的情況。
本發明係有鑑於上述問題點所完成者，本發明之目的在於提供半導體裝置之製造方法，其係能將藉由伸展步驟而間隔被擴大之晶片，在保持該間隔之狀態下，容易集體從伸展帶分離，且已分離之晶片能容易提供至下個步驟。

[用以解決課題之手段]
本發明者等發現一種藉由半導體裝置之製造方法而能解決上述課題，該半導體裝置之製造方法，其係使用包含膨脹性粒子之基材及具有黏著劑層之膨脹性黏著片，且依序具有特定之步驟(1)~(3)，在步驟(3)之後使黏著片之膨脹性粒子膨脹而使黏著片從被黏著物分離之製造方法。
即，本發明關於下述[1]~[10]。
[1]　一種半導體裝置之製造方法，其特徵為使用膨脹性黏著片(A)，該膨脹性黏著片(A)具有包含膨脹性粒子之基材(Y1)及黏著劑層(X1)，
且依序具有下述步驟(1)~(3)，在步驟(3)之後使黏著片(A)之膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)由被黏著物分離。
步驟(1)：將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以擴展的步驟。
步驟(2)：在前述複數晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟。
步驟(3)：將已貼附於黏著片(A)之前述複數晶片與黏著片(B)予以分離的步驟。
[2]　如上述[1]之半導體裝置之製造方法，其中前述膨脹性粒子係膨脹起始溫度(t)為60~270℃之熱膨脹性粒子，在步驟(3)之後藉由加熱前述黏著片(A)而使熱膨脹性粒子膨脹，進而使黏著片(A)從被黏著物分離。
[3]　如上述[1]或[2]之半導體裝置之製造方法，其中使前述膨脹性粒子膨脹之前之黏著片(A)之黏著劑層(X1)之黏著力為0.1~10.0N/25mm。
[4]　如上述[1]~[3]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中黏著片(A)所具有之基材(Y1)表面之探針黏性值為未滿50mN/5mmφ。
[5]　如上述[1]~[4]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中前述晶片為半導體晶片。
[6]　如上述[5]之半導體裝置之製造方法，其中更具有下述步驟(4A-1)~(4A-3)。
步驟(4A-1)：使用密封材料將前述複數半導體晶片，與黏著劑層(X1)之黏著表面當中前述複數之半導體晶片之周邊部分予以被覆，使該密封材料硬化，而取得前述複數半導體晶片被硬化密封材料所密封而成之硬化密封體的步驟。
步驟(4A-2)：使前述膨脹性粒子膨脹，而使黏著片(A)與前述硬化密封體分離的步驟。
步驟(4A-3)：在已使前述黏著片(A)分離之硬化密封體上形成再配線層的步驟。
[7]　如上述[5]之半導體裝置之製造方法，其中更具有下述步驟(4B-1)及(4B-2)。
・步驟(4B-1)：使前述膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)與前述複數半導體晶片分離的步驟。
・步驟(4B-2)：使已從黏著片(A)分離之前述複數半導體晶片進行整列的步驟。
[8]　如上述[7]之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟(4B-2)係使用具備複數能收納前述複數半導體晶片之收納部之整列治具，而使已從黏著片(A)分離之前述複數半導體晶片進行整列的步驟。
[9]　如上述[1]~[8]中任一項之半導體裝置之製造方法，其中黏著片(B)於23℃下在MD方向及CD方向所測量之斷裂伸度為100%以上。
[10]　如上述[1]~[9]中任一項之半導體裝置之製造方法，其係扇出型之半導體裝置之製造方法。

[發明之效果]
根據本發明，可提供一種半導體裝置之製造方法，其係能將藉由伸展步驟而間隔被擴大之晶片，在保持該間隔之狀態下，容易集體從伸展帶分離，且已分離之晶片能容易提供至下個步驟。
本說明書中，「有效成分」係指從對象之組成物所包含之成分當中去除稀釋溶劑之成分。
又，質量平均分子量(Mw)係以凝膠滲透層析(GPC)法所測量之標準聚苯乙烯換算之值，具體而言係根據實施例記載之方法進行測量之值。
本說明書中，例如，「(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之雙方，其他類似用語亦為相同。
又，關於較佳數值範圍(例如，含量等之範圍)，可個別獨立地或組合階段性記載之下限值及上限值。例如，從「較佳為10~90，更佳為30~60」之記載，可組合出「較佳下限值(10)」與「更佳上限值(60)」，亦可作成「10~60」。
本說明書中，「晶片之轉移」係指將貼附於一個黏著片上之晶片之表面露出之面貼附在另一個之黏著片後，使晶片從前述一個黏著片分離，使晶片從一個黏著片移動到另一個黏著片之操作。
本實施形態之半導體裝置之製造方法為一種半導體裝置之製造方法，其係使用具有包含膨脹性粒子之基材(Y1)及黏著劑層(X1)之膨脹性黏著片(A)之半導體裝置之製造方法，
且依序具有下述步驟(1)~(3)，在步驟(3)之後使黏著片(A)之膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)從被黏著物分離。
步驟(1)：將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以擴展的步驟。
步驟(2)：在前述複數晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟。
步驟(3)：將已貼附於黏著片(A)之前述複數晶片與黏著片(B)予以分離的步驟。
本實施形態所使用之「晶片」係指被加工物經個體化者，本實施形態中之被加工物係意指例如，半導體晶圓、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)、陶瓷裝置、半導體封裝、具有複數裝置之晶圓等，半導體裝置之製造步驟中受到切割加工者。
以下，首先說明關於本實施形態之製造方法所使用之黏著片(A)，其後說明關於包括步驟(1)~(3)之各製造步驟。
[黏著片(A)]
黏著片(A)為具有包含膨脹性粒子之基材(Y1)及黏著劑層(X1)之膨脹性黏著片。
黏著片(A)在使膨脹性粒子膨脹之前，可高度保持黏著劑層(X1)之黏著性。因此，藉由在伸展帶上之複數晶片之露出表面貼附黏著劑層(X1)，而能使複數晶片穩固地保持在黏著片(A)之黏著劑層(X1)上。藉此，伸展帶能從被穩固地保持在黏著劑層(X1)上之晶片，在不使晶片脫落等產生之狀態下，而集體地容易分離。另一方面，在分離黏著片(A)與晶片之際，藉由使膨脹性粒子進行膨脹而在黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸，藉此能減少黏著劑層(X1)之黏著表面與晶片之接觸面積，進而使黏著力大幅下降。其結果係在分離黏著片(A)與晶片之際，在晶片上皆無殘膠，且在保持其之清淨性之狀態下而能容易地集體分離。
圖1(a)及(b)為黏著片(A)之一種態樣即黏著片1a、黏著片1b之剖面模式圖。
圖1(a)所示之黏著片1a為在基材(Y1)之一側之面具有黏著劑層(X1)。黏著片1a係藉由將黏著劑層(X1)貼附於伸展帶上之晶片，將晶片保持在黏著劑層(X1)上，而使伸展帶與晶片成為能容易分離者。在分離黏著片1a與晶片之際，藉由使基材(Y1)中之膨脹性粒子進行膨脹，而在黏著劑層(X1)之與晶片接觸之表面上產生凹凸，而能使黏著劑層(X1)與晶片在界面之分離變得容易。
圖1(b)所示之黏著片1b為在基材(Y1)之一側之面具有黏著劑層(X1)，而在另一側之面具有非膨脹性基材(Y1’)。黏著片1b係與黏著片1a相同地受到使用者，但在使基材(Y1)中之膨脹性粒子進行膨脹時，藉由非膨脹性基材(Y1’)之存在，而可抑制基材(Y1)在非膨脹性基材(Y1’)側之表面上之凹凸產生，藉此而能更有效率地在黏著劑層(X1)側之表面上形成凹凸。
黏著片(A)之構成並非係受限於圖1(a)及(b)所示之構成者，例如，可為在基材(Y1)與黏著劑層(X1)之間具有其他層之構成。但，從作成僅以些許力道就能分離之黏著片的觀點，以具有基材(Y1)與黏著劑層(X1)係直接層合之構成為佳。又，也可為基材(Y1)之與黏著劑層(X1)為反對側之面上具有其他黏著劑層之構成。
又，黏著片(A)在黏著劑層(X1)上亦可具有剝離材。剝離材係為在將黏著片(A)使用於本實施形態之製造方法時，適宜被剝離除去者。
黏著片(A)之形狀可採用片狀、帶狀、標籤狀等、任意形狀。
(基材(Y1))
黏著片(A)所具有之基材(Y1)為包含膨脹性粒子之非黏著性之基材。
本發明中，判斷是否為非黏著性之基材係對成為對象之基材表面，依據JIS Z0237：1991進行測量而得之探針黏性值若未滿50mN/5mmφ，則判斷該基材為「非黏著性之基材」。
在此，本實施形態使用之基材(Y1)之表面之探針黏性值係通常為未滿50mN/5mmφ，以未滿30mN/5mmφ為佳，較佳為未滿10mN/5mmφ，更佳為未滿5mN/5mmφ。
尚且，本說明書中，基材(Y1)之表面上之探針黏性值之具體測量方法係根據實施例記載之方法。
黏著片(A)中，由於膨脹性粒子並非係被包含在黏著劑層，而係被包含在高彈性模數之非黏著性樹脂，故載置晶片之黏著劑層(X1)之厚度調整、黏著力、黏彈性模數等之控制等設計之自由度提升。藉此而可抑制晶片之位置偏移產生。並且，在使用黏著片(A)時，晶片由於係載置於黏著劑層(X1)之黏著表面，故包含膨脹性粒子之基材(Y1)與晶片不會直接接觸。藉此，源自膨脹性粒子之殘渣及已大幅變形之黏著劑層之一部分附著於晶片，形成於膨脹性黏著層上之凹凸形狀被轉移至晶片受到抑制，而能在保持清淨性之狀態下，將晶片提供至下個步驟。
基材(Y1)之厚度係以10~1000μm為佳，較佳為20~500μm，更佳為25~400μm，較更佳為30~300μm。
尚且，本說明書中，基材(Y1)之厚度係意指藉由實施例記載之方法所測量之值。
基材(Y1)係可從樹脂組成物(y1)來形成。以下，說明關於基材(Y1)之形成材料，即樹脂組成物(y1)所包含之各成分。
[膨脹性粒子]
黏著片(A)係在基材(Y1)中包含膨脹性粒子者。
膨脹性粒子只要係藉由外部刺激而其自身進行膨脹，在黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸，進而造成與被黏著物之接著力降低者，即無特別限定。
作為膨脹性粒子，可舉出例如，因加熱而膨脹之熱膨脹性粒子、藉由照射能量線而膨脹之能量線膨脹性粒子等，從泛用性及操作性之觀點，以熱膨脹性粒子為佳。
熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)係以60~270℃為佳，較佳為70~260℃，更佳為80~250℃。
尚且，本說明書中，熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)係意指根據以下之方法所測量之值。

[熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)之測量法]
準備在直徑6.0mm(內徑5.65mm)、深度4.8mm之鋁杯中添加測量對象之熱膨脹性粒子0.5mg，並從上方放上鋁蓋(直徑5.6mm、厚度0.1mm)之試料。
使用動態黏彈性測量裝置，在藉由加壓頭對該試料從鋁蓋上方施加0.01N之力之狀態下，測量試料之高度。且，藉由加壓頭在施加0.01N之力之狀態下，從20℃至300℃為止以10℃/min之昇溫速度進行加熱，測量加壓頭之垂直方向上之位移量，將朝正方向之位移起始溫度作為膨脹起始溫度(t)。
作為熱膨脹性粒子，以微膠囊化發泡劑為佳，該微膠囊化發泡劑為係由熱可塑性樹脂所構成之外殼，與被該外殼所內包且加熱至規定溫度時則會進行氣化之內包成分所構成者。
作為構成微膠囊化發泡劑之外殼之熱可塑性樹脂，可舉出例如，二氯亞乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為被內包於外殼內之內包成分，可舉出例如，丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、異丁烷、異戊烷、異己烷、異庚烷、異辛烷、異壬烷、異癸烷、環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、新戊烷、十二烷、異十二烷、環十三烷、己基環己烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、異十三烷、4-甲基十二烷、異十四烷、異十五烷、異十六烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、異十七烷、異十八烷、異十九烷、2,6,10,14-四甲基十五烷、環十三烷、庚基環己烷、n-辛基環己烷、環十五烷、壬基環己烷、鬼基環己烷、十五基環己烷、十六基環己烷、十七基環己烷、十八基環己烷等。該等內包成分係可單獨，亦可併用2種以上。
熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)能適宜選擇內包成分之種類而調整。
加熱至熱膨脹性粒子之熱膨脹起始溫度(t)以上之溫度時之體積最大膨脹率係以1.5~100倍為佳，較佳為2~80倍，更佳為2.5~60倍，較更佳為3~40倍。
膨脹前之23℃中之膨脹性粒子之平均粒子徑係以3~100μm為佳，較佳為4~70μm，更佳為6~60μm，較更佳為10~50μm。
尚且，膨脹性粒子膨脹前之平均粒子徑係指體積中位粒子徑(D50 )，雷射使用繞射式粒度分布測量裝置(例如，Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)所測量之膨脹前之膨脹性粒子之粒子分布當中，相當於從膨脹前之膨脹性粒子之粒子徑較小方開始計算之累積體積頻度為50%的粒子徑。
作為膨脹前之23℃中之膨脹性粒子之90%粒子徑(D90 )，以10~150μm為佳，較佳為20~100μm，更佳為25~90μm，較更佳為30~80μm。
尚且，膨脹前之膨脹性粒子之90%粒子徑(D90 )係指使用雷射繞射式粒度分布測量裝置(例如，Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)所測量之在膨脹前之膨脹性粒子之粒子分布中，相當於從膨脹前之膨脹性粒子之粒子徑的粒徑較小方開始計算之累積體積頻度為90%的粒徑。
膨脹性粒子之含量在相對於基材(Y1)之有效成分之總量(100質量%)而言，以1~40質量%為佳，較佳為5~35質量%，更佳為10~30質量%，較更佳為15~25質量%。
[樹脂]
作為樹脂組成物(y1)所包含之樹脂，只要係使基材(Y1)成為非黏著性之樹脂，即無特別限定，可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。亦即，樹脂組成物(y1)所包含之樹脂即便為黏著性樹脂，在從樹脂組成物(y1)形成基材(Y1)之過程中，該黏著性樹脂與聚合性化合物進行聚合反應，而取得之樹脂變成非黏著性樹脂，包含該樹脂之基材(Y1)成為非黏著性即可。
樹脂組成物(y1)所包含之前述樹脂之質量平均分子量(Mw)係以1,000~100萬為佳，較佳為1,000~70萬，更佳為1,000~50萬。
該樹脂為具有2種以上之構成單位之共聚物時，該共聚物之形態並無特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物之任意一者。
前述樹脂之含量在相對於樹脂組成物(y1)之有效成分之總量(100質量%)而言，以50~99質量%為佳，較佳為60~95質量%，更佳為65~90質量%，較更佳為70~85質量%。
樹脂組成物(y1)所包含之前述樹脂係以包含選自丙烯酸胺基甲酸酯(acrylic urethane)系樹脂及烯烴系樹脂之1種以上為佳。作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，以使胺基甲酸酯預聚物(UP)，與包括(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物進行聚合而成之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)為佳。
[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)]
作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)主鏈之胺基甲酸酯預聚物(UP)，可舉出如多元醇與多價異氰酸酯之反應物。
尚且，胺基甲酸酯預聚物(UP)係以更施加使用鏈延長劑之鏈延長反應而得者為。
作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)原料之多元醇，可舉出例如，伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯・醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。
該等多元醇係可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為本實施形態使用之多元醇，以二醇為佳，以酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇為較佳，以酯型二醇、碳酸酯型二醇為更佳。
作為酯型二醇，可舉出例如，由1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷二醇；等之二醇類所選出之1種或2種以上，與由酞酸、異酞酸、對酞酸、萘二羧酸、4,4’-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯橋酸(het acid)、馬來酸、富馬酸、伊康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫酞酸、六氫異酞酸、六氫對酞酸、甲基六氫酞酸等之二羧酸及該等酐所選出之1種或2種以上之縮聚物。
具體而言，可舉出如聚己二酸乙烯酯二醇、聚己二酸丁烯基酯二醇、聚己二酸六亞甲基酯二醇、聚間苯二甲酸六亞甲基酯二醇、聚己二酸新戊基酯二醇、聚己二酸乙烯基丙烯基酯二醇、聚己二酸乙烯基丁烯基酯二醇、聚己二酸丁烯基六亞甲基酯二醇、聚己二酸乙烯基酯二醇、聚己二酸(聚四亞甲基醚)二醇、聚(3-甲基伸戊基己酸酯)二醇、聚壬二酸乙烯基酯二醇、聚癸二酸乙烯基酯二醇、聚壬二酸丁烯基酯二醇、聚癸二酸丁烯基酯二醇、聚新戊基對苯二甲酸乙二酯二醇等。
作為伸烷基型二醇，可舉出例如，1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等之烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等之聚伸烷二醇；聚四亞甲基二醇等之聚氧烷二醇等。
作為碳酸酯型二醇，可舉出例如，1,4-四亞甲基碳酸酯二醇、1,5-五亞甲基碳酸酯二醇、1,6-六亞甲基碳酸酯二醇、1,2-碳酸伸丙酯二醇、1,3-碳酸伸丙酯二醇、2,2-二甲基碳酸伸丙酯二醇、1,7-七亞甲基碳酸酯二醇、1,8-八亞甲基碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
作為成為胺基甲酸酯預聚物(UP)原料之多價異氰酸酯，可舉出如芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。
該等多價異氰酸酯係可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，該等多價異氰酸酯也可為三羥甲基丙烷加成型變性物、與水反應而成之縮二脲型變性物、含有異三聚氰酸酯環而成之異三聚氰酸酯型變性物。
該等之中，作為本實施形態使用之多價異氰酸酯，以二異氰酸酯為佳，以選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-伸甲苯基二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-伸甲苯基二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)、及脂環式二異氰酸酯之1種以上為較佳。
作為脂環式二異氰酸酯，可舉出例如，3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，以異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)為佳。
本實施形態中，作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)主鏈之胺基甲酸酯預聚物(UP)，以二醇與二異氰酸酯之反應物，且兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚物為佳。
作為對該直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基之方法，可舉出如使二醇與二異氰酸酯化合物進行反應而成之直鏈胺基甲酸酯預聚物之末端之NCO基，與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯進行反應之方法。
作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等。
作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)側鏈之乙烯基化合物，至少包括(甲基)丙烯酸酯。
作為(甲基)丙烯酸酯，以選自烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之1種以上為佳，以併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯為較佳。
在併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之情況，作為相對於烷基(甲基)丙烯酸酯100質量份，羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之配合比例係以0.1~100質量份為佳，較佳為0.5~30質量份，更佳為1.0~20質量份，較更佳為1.5~10質量份。
作為烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，以1~24為佳，較佳為1~12，更佳為1~8，較更佳為1~3。
作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，可舉出如與為了對上述之直鏈胺基甲酸酯預聚物之兩末端導入乙烯性不飽和基所使用之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯為相同者。
作為(甲基)丙烯酸酯以外之乙烯基化合物，可舉出例如，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等之乙烯基醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、伊康酸、甲基(丙烯醯胺)等之含極性基單體等。
該等係可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸酯之含量，相對於該乙烯基化合物之總量(100質量%)而言，以40~100質量%為佳，較佳為65~100質量%，更佳為80~100質量%，較更佳為90~100質量%。
作為乙烯基化合物中之烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之合計含量，相對於該乙烯基化合物之總量(100質量%)，以40~100質量%為佳，較佳為65~100質量%，更佳為80~100質量%，較更佳為90~100質量%。
本實施形態所使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)係可藉由混合胺基甲酸酯預聚物(UP)，與包含(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物，且使兩者聚合而得。
該聚合當中，更以添加自由基起始劑來進行為佳。
本實施形態所使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)中，作為源自胺基甲酸酯預聚物(UP)之構成單位(u11)，與源自乙烯基化合物之構成單位(u12)之含量比[(u11)/(u12)]，以質量比計，以10/90~80/20為佳，較佳為20/80~70/30，更佳為30/70~60/40，較更佳為35/65~　55/45。
[烯烴系樹脂]
作為當作樹脂組成物(y1)包含之樹脂所適宜之烯烴系樹脂，為至少具有源自烯烴單體之構成單位之聚合物。
作為上述烯烴單體，以碳數2~8之α-烯烴為佳，具體地可舉出如乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。
該等之中，以乙烯及丙烯為佳。
作為具體之烯烴系樹脂，可舉出例如，超低密度聚乙烯(VLDPE，密度：880kg/m3 以上未滿910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE，密度：910kg/m3 以上未滿915kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE，密度：915kg/m3 以上未滿942kg/m3 )、高密度聚乙烯(HDPE，密度：942kg/m3 以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯基醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亞乙基-2-降莰烯)等之烯烴系三元共聚物等。
本實施形態中，烯烴系樹脂亦可為更被施以選自酸變性、羥基變性、及丙烯醯基變性之1種以上之變性而成之變性烯烴系樹脂。
例如，作為對烯烴系樹脂施以酸變性而成之酸變性烯烴系樹脂，可舉出如使上述之無變性之烯烴系樹脂與不飽和羧酸或其酐進行接枝聚合而成之變性聚合物。
作為上述之不飽和羧酸或其酐，可舉出例如，馬來酸、富馬酸、伊康酸、檸康酸、戊烯二酸(glutaconic acid)、四氫酞酸、烏頭酸(aconitic acid)、(甲基)丙烯酸、無水馬來酸、無水伊康酸、無水戊烯二酸、無水檸康酸、無水烏頭酸、降莰烯二羧酸酐、四氫酞酸酐等。
尚且，不飽和羧酸或其酐係可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為對烯烴系樹脂施以丙烯醯基變性而成之丙烯醯基變性烯烴系樹脂，可舉出如使主鏈即上述之無變性之烯烴系樹脂與作為側鏈之烷基(甲基)丙烯酸酯進行接枝聚合而成之變性聚合物。
作為上述之烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，以1~20為佳，較佳為1~16，更佳為1~12。
作為上述之烷基(甲基)丙烯酸酯，可舉出例如，與能選擇作為後述之單體(a1’)之化合物為相同者。
作為對烯烴系樹脂施以羥基變性而成之羥基變性烯烴系樹脂，可舉出如使主鏈即上述之無變性烯烴系樹脂與含羥基之化合物進行接枝聚合而成之變性聚合物。
作為上述之含羥基之化合物，可舉出例如，2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯醇、烯丙醇等之不飽和醇類等。
[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂]
本實施形態中，在不損及本發明之效果範圍內，樹脂組成物(y1)亦可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂。
作為此種樹脂，可舉出例如，聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等之乙烯基系樹脂；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不該當於丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂之含有比例，相對於樹脂組成物(y1)中所包含之樹脂之總量100質量份而言，以未滿30質量份為佳，較佳為未滿20質量份，較佳為未滿10質量份，更佳為未滿5質量份，較更佳為未滿1質量份。
[基材用添加劑]
樹脂組成物(y1)在不損及本發明之效果範圍內，亦可含有一般性黏著片具有之基材所包含之基材用添加劑。
作為此種基材用添加劑，可舉出例如，紫外線吸收劑、光安定劑、防氧化劑、防帶電劑、助滑劑、防堵劑、著色劑等。
尚且，該等基材用添加劑係可個別單獨使用，亦可併用2種以上。
在含有該等基材用添加劑時，個別之基材用添加劑之含量在相對於樹脂組成物(y1)中之前述樹脂100質量份而言，以0.0001~20質量份為佳，較佳為0.001~10質量份。
[無溶劑型樹脂組成物(y1’)]
作為本實施形態使用之樹脂組成物(y1)之一種態樣，可舉出如配合質量平均分子量(Mw)為50000以下之具有乙烯性不飽和基之寡聚物、能量線聚合性單體，及上述之膨脹性粒子而成，但不配合溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y1’)。
無溶劑型樹脂組成物(y1’)中不配合溶劑，能量線聚合性單體係會賦予前述寡聚物之可塑性提升者。
藉由對由無溶劑型樹脂組成物(y1’)所形成之塗膜照射能量線，而可取得基材(Y1)。
關於無溶劑型樹脂組成物(y1’)所配合之膨脹性粒子之種類、形狀、配合量(含量)，則係如同以上所述。
無溶劑型樹脂組成物(y1’)所包含之前述寡聚物之質量平均分子量(Mw)為50000以下，以1000~50000為佳，較佳為2000~40000，更加為3000~35000，較更佳為4000~30000。
又，作為前述寡聚物，上述樹脂組成物(y1)所包含之樹脂之中，只要係質量平均分子量(Mw)為50000以下之具有乙烯性不飽和基者即可，但以上述之胺基甲酸酯預聚物(UP)為佳。
尚且，作為該寡聚物，也可使用具有乙烯性不飽和基之變性烯烴系樹脂等。
無溶劑型樹脂組成物(y1’)中之前述寡聚物及前述能量線聚合性單體之合計含量在相對於無溶劑型樹脂組成物(y1’)之總量(100質量%)而言，以50~99質量%為佳，較佳為60~95質量%，更佳為65~90質量%，較更佳為70~85質量%。
作為能量線聚合性單體，可舉出例如，異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等之脂環式聚合性化合物；苯基羥基丙基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、酚環氧乙烷變性丙烯酸酯等之芳香族聚合性化合物；四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等之雜環式聚合性化合物等。
該等能量線聚合性單體係可單獨使用，亦可併用2種以上。
無溶劑型樹脂組成物(y1’)中之前述寡聚物與前述能量線聚合性單體之含量比(前述寡聚物/能量線聚合性單體)，以質量比計，以20/80~90/10為佳，較佳為30/70~85/15，更佳為35/65~80/20。
本實施形態中，以無溶劑型樹脂組成物(y1’)係更加配合光聚合起始劑而成為佳。
藉由含有光聚合起始劑，即便藉由照射較低能量之能量線，仍能充分地使硬化反應進行。
作為光聚合起始劑，可舉出例如，1-羥基-環己基-苯基-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、苄基苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮二異丁腈、聯苄、二乙醯基、8-氯蒽醌等。
該等光聚合起始劑係可單獨使用，亦可併用2種以上。
光聚合起始劑之配合量在相對於前述寡聚物及能量線聚合性單體之總量(100質量份)而言，以0.01~5質量份為佳，較佳為0.01~4質量份，更佳為0.02~3質量份。
從提升與基材(Y1)層合之其他層之層間密著性的觀點，對於基材(Y1)之表面，亦可施加使用氧化法、凹凸化法等之表面處理、底漆處理。作為氧化法，可舉出例如，電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸處理(濕式)、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，作為凹凸化法，可舉出例如，噴砂法、溶劑處理法等。
[基材(Y1)之儲藏彈性模數]
基材(Y1)在23℃中之儲藏彈性模數E’(23)係以1.0×106 Pa以上為佳，較佳為5.0×106 ~5.0×1012 Pa，更佳為1.0×107 ~1.0×1012 Pa，較更佳為5.0×107 ~1.0×1011 Pa，再更佳為1.0×108 ~1.0×1010 Pa。藉由使用儲藏彈性模數E’(23)在上述範圍內之基材(Y1)，可防止晶片之位置偏移，且同時亦可防止晶片陷入黏著劑層(X1)。
尚且，本說明書中，規定溫度中之基材(Y1)之儲藏彈性模數E’係意指藉由實施例記載之方法所測量之值。
並且，基材(Y1)之儲藏彈性模數係以滿足以下之要件(1)為佳。
・要件(1)：100℃中之基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(100)為2.0×105 Pa以上。
藉由具有滿足要件(1)之基材(Y1)，在黏著片(A)上密封晶片之情況，即使係在FOWLP及FOPLP之製造過程中之密封步驟之溫度環境下，由於仍能恰當地抑制膨脹性粒子之流動，故設置於基材(Y1)上之黏著劑層(X1)之黏著表面變得不易變形。其結果係能防止晶片之位置偏移，且同時能防止晶片陷入黏著劑層(X1)。
從上述觀點，基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(100)較佳為4.0×105 Pa以上，更佳為6.0×105 Pa以上，較更佳為8.0×105 Pa以上，再更佳為1.0×106 Pa以上。
又，密封步驟中，從有效抑制晶片位置偏移之觀點，基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(100)係以1.0×1012 Pa以下為佳，較佳為1.0×1011 Pa以下，更佳為1.0×1010 Pa以下，較更佳為1.0×109 Pa以下。
又，本實施形態之黏著片所具有之基材(Y1)在含有熱膨脹性粒子作為膨脹性粒子時，其之儲藏彈性模數係以滿足以下之要件(2)為佳。
・要件(2)：前述熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)中之基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。
藉由具有滿足要件(2)之基材(Y1)，在使熱膨脹性粒子進行膨脹之溫度中，基材(Y1)會追隨熱膨脹性粒子之體積膨脹而變得容易變形，而變得在黏著材層(X1)之黏著表面容易形成凹凸。藉此，藉由微小外力就能從對象物分離。
從上述觀點，基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(t)較佳為9.0×106 Pa以下，更佳為8.0×106 Pa以下，較更佳為6.0×106 Pa以下，再更佳為4.0×106 Pa以下。
又，從抑制已膨脹之熱膨脹性粒子之流動，提升於黏著劑層(X1)之黏著表面上所形成之凹凸之形狀維持性，且更加提升分離性之觀點，基材(Y1)之儲藏彈性模數E’(t)係以1.0×103 Pa以上為佳，較佳為1.0×104 Pa以上，更佳為1.0×105 Pa以上。
(非膨脹性基材(Y1’))
黏著片(A)係在基材(Y1)之一側之面具有黏著劑層(X1)，且亦可再另一面具有非膨脹性基材(Y1’)。
本說明書中之「非膨脹性基材」係定義成黏著片(A)所包含之膨脹性粒子在會膨脹之條件下進行處理之際，由下述式所算出之體積變化率為未滿5體積%者。
體積變化率(%)=(處理後之前述層之體積-處理前之前述層之體積)/處理前之前述層之體積×100
由上述式所算出之非膨脹性基材(Y1’)之體積變化率(%)係以未滿2體積%為佳，較佳為未滿1體積%，更加為未滿0.1體積%，較更佳為未滿0.01體積%。
膨脹性粒子會膨脹之條件，在膨脹性粒子為熱膨脹性粒子之情況，則為以膨脹起始溫度(t)施加3分鐘加熱處理之條件。
非膨脹性基材(Y1’)也可含有膨脹性粒子，其之含量係以越少越佳，相對於非熱膨脹性基材(Y1’)之總質量(100質量%)而言，通常係未滿3質量%，以未滿1質量%為佳，較佳未滿0.1質量%，更佳未滿0.01質量%，較更佳為未滿0.001質量%，以不含有膨脹性粒子為最佳。
作為非膨脹性基材(Y1’)之形成材料，可舉出例如，紙材、樹脂、金屬等。
作為紙材，可舉出例如，薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、塗料紙、銅板紙、硫酸紙、玻璃紙等。
作為樹脂，可舉出例如，聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯基共聚物、乙烯-乙烯基醇共聚物等之乙烯基系樹脂；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；聚胺基甲酸酯、丙烯醯基變性聚胺基甲酸酯等之胺基甲酸酯樹脂；聚甲基戊烯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等之聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
作為金屬，可舉出例如，鋁、錫、鉻、鈦等。
該等形成材料係可由1種所構成，亦可併用2種以上。
作為併用2種以上形成材料之非膨脹性基材(Y1’)，可舉出如將紙材以聚乙烯等之熱可塑性樹脂予以層合者、在包含樹脂之樹脂膜或片之表面形成金屬膜者等。
尚且，作為金屬層之形成方法，可舉出例如，將上述金屬藉由真空蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等之PVD法進行蒸鍍之方法，或，使用一般性黏著劑來貼附由上述金屬所構成之金屬箔等。
黏著片(A)在具有非膨脹性基材(Y1’)之情況，使膨脹性粒子膨脹前之膨脹性基材(Y1)與非膨脹性基材(Y1’)之厚度比[(Y1)/(Y1’)]係以0.02~200為佳，較佳為0.03~150，更佳為0.05~100。
從提升與非膨脹性基材(Y1’)層合之其他層之層間密著性的觀點，非膨脹性基材(Y1’)在包含樹脂之情況，對於非膨脹性基材(Y1’)之表面，也可與上述之基材(Y1)同樣地施加使用氧化法、凹凸化法等之表面處理、底漆處理。
非膨脹性基材(Y1’)在包含樹脂之情況，亦可與該樹脂一同地包含樹脂組成物(y1)中也能含有之上述基材用添加劑。
(黏著劑層(X1))
黏著劑層(X1)為具有黏著性之層。黏著劑層(X1)含有黏著性樹脂，且因應必要，亦可含有交聯劑、增黏劑、聚合性化合物、聚合起始劑等之黏著劑用添加劑。
黏著劑層(X1)之黏著表面之黏著力係在膨脹性粒子於膨脹前之23℃中，以0.1~10.0N/25mm為佳，較佳為0.2~8.0N/25mm，更佳為0.4~6.0N/25mm，較更佳為0.5~4.0N/25mm。前述黏著力若在0.1N/25mm以上，則由於能與伸展帶上之晶片穩固地接著，故能使伸展帶與晶片之分離變得容易。另一方面，該黏著力若在10.0N/25mm以下，從晶片分離之際，僅以些許之力就能容易分離。
尚且，上述之黏著力係意指藉由實施例記載之方法所測量之值。
黏著劑層(X1)之儲藏剪切彈性模數G’(23)在23℃中係以1.0×104 ~1.0×108 Pa為佳，較佳為5.0×104 ~ 5.0×107 Pa，更佳為1.0×105 ~1.0×107 Pa。黏著劑層(X1)之儲藏剪切彈性模數G’(23)若在1.0×104 Pa以上，則可防止晶片之位置偏移。另一方面，黏著劑層(X1)之儲藏剪切彈性模數G’(23)若在1.0×108 Pa以下，已膨脹之膨脹性粒子所成之凹凸容易形成於黏著表面，以些許之力就能容易分離。
黏著片(A)為具有複數之黏著劑層之黏著片時，貼附晶片之黏著劑層之儲藏剪切彈性模數G’(23)係以在上述範圍內為佳，比起基材(Y1)以晶片貼附側之全部黏著劑層之儲藏剪切彈性模數G’(23)在上述範圍內為佳。
尚且，本說明書中，黏著劑層(X1)之儲藏剪切彈性模數G’(23)係意指藉由實施例記載之方法所測量之值。
黏著劑層(X1)之厚度，在從展現優異黏著力之觀點，及，從藉由因加熱處理造成之膨脹性基材中之膨脹性粒子之膨脹，而在所形成之黏著劑層之表面上容易形成凹凸之觀點，以1~60μm為佳，較佳為2~50μm，更佳為3~40μm，較更佳為5~30μm。
相對於黏著劑層(X1)厚度之基材(Y1)厚度之比(基材(Y1)/黏著劑層(X1))，從防止晶片之位置偏移之觀點，在23℃中以0.2以上為佳，較佳為0.5以上，更佳為1.0以上，較更佳為5.0以上，又，從作成在分離之際，以些許之力就能容易分離之黏著片的觀點，以1000以下為佳，較佳為200以下，更佳為60以下，較更佳為30以下。
黏著劑層(X1)之厚度係意指藉由實施例記載之方法所測量之值。
黏著劑層(X1)係可由包含黏著性樹脂之黏著劑組成物(x1)所形成。以下，說明關於黏著劑組成物(x1)所包含之各成分。
[黏著性樹脂]
黏著劑層(X1)形成材料之黏著性樹脂係以該樹脂單獨時就具有黏著性，且質量平均分子量(Mw)為1萬以上之聚合物為佳。黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)再從提升黏著力之觀點，較佳為1萬~200萬，更佳為2萬~150萬，較更佳為3萬~100萬。
作為黏著性樹脂，可舉出例如，丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等之橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚乙烯基醚系樹脂等。
該等黏著性樹脂係可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，該等黏著性樹脂為具有2種以上構成單位之共聚物時，該共聚物之形態並無特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物、及接枝共聚物之任意一者。
黏著性樹脂可為對上述黏著性樹脂之側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型黏著性樹脂。
作為前述聚合性官能基，可舉出如(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
又，作為能量線，可舉出如紫外線、電子線等，但以紫外線為佳。
黏著性樹脂之含量在相對於黏著劑組成物(x1)之有效成分之總量(100質量%)而言，以30~99.99質量%為佳，較佳為40~99.95質量%，更佳為50~99.90質量%，較更佳為55~99.80質量%，再更佳為60~99.50質量%。
尚且，再本說明書之以下之記載中，「各成分之含量對黏著劑組成物之有效成分之總量」係與「由該黏著劑組成物所形成之黏著劑層中之各成分之含量」為同義。
從作出展現優異黏著力，且在分離之際，於黏著表面容易形成因膨脹性粒子之膨脹造成之凹凸，而提升分離性之黏著片的觀點，黏著性樹脂係以包含丙烯酸系樹脂為佳。
作為黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂之含有比例，相對於黏著劑組成物(x1)所包含之黏著性樹脂之總量(100質量%)而言，以30~100質量%為佳，較佳為50~100質量%，更佳為70~100質量%，較更佳為85~100質量%。
[丙烯酸系樹脂]
作為能使用當作黏著性樹脂之丙烯酸系樹脂，可舉出例如，包含源自具有直鏈或分枝鏈烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯之構成單位的聚合物、包含源自具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯之構成單位的聚合物等，以具有源自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1’)(以下，亦稱為「單體(a1’)」)之構成單位(a1)及源自含官能基單體(a2’)(以下，亦稱為「單體(a2’)」)之構成單位(a2)之丙烯酸系共聚物(A1)為較佳。
作為單體(a1’)所具有之烷基之碳數，從提升黏著特性之觀點，以1~24為佳，較佳為1~12，更佳為2~10，較更佳為4~8。
尚且，單體(a1’)所具有之烷基可為直鏈烷基，亦可為分枝鏈烷基。
作為單體(a1’)，可舉出例如，甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十三基(甲基)丙烯酸酯、硬脂醯基(甲基)丙烯酸酯等。
該等單體(a1’)係可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為單體(a1’)，以丁基(甲基)丙烯酸酯及2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯為佳。
構成單位(a1)之含量在相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)而言，以50~99.9質量%為佳，較佳為60~99.0質量%，更佳為70~97.0質量%，較更佳為80~95.0質量%。
作為單體(a2’)所具有之官能基，可舉出例如，羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為單體(a2’)，可舉出例如，含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。
該等單體(a2’)係可單獨使用，亦可併用2種以上。
該等之中，作為單體(a2’)，亦以含羥基之單體及含羧基之單體為佳。
作為含羥基之單體，可舉出例如，與上述含羥基之化合物為相同者。
作為含羧基之單體，可舉出例如，(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、伊康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酐、琥珀酸2-(丙烯醯氧基)乙基酯、(甲基)丙烯2-羧基乙基酸酯等。
構成單位(a2)之含量在相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)而言，以0.1~40質量%為佳，較佳為0.5~35質量%，更佳為1.0~30質量%，較更佳為3.0~25質量%。
丙烯酸系共聚物(A1)亦可更具有源自單體(a1’)及(a2’)以外之其他單體(a3’)之構成單位(a3)。
尚且，丙烯酸系共聚物(A1)中，構成單位(a1)及(a2)之含量在相對於丙烯酸系共聚物(A1)之全構成單位(100質量%)而言，以70~100質量%為佳，較佳為80~100質量%，更佳為90~100質量%，較更佳為95~100質量%。
作為單體(a3’)，可舉出例如，乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類；氯乙烯、偏二氯乙烯等之鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之二烯系單體類；環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等之具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯基酯、乙酸乙烯基酯、丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈 、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯啶酮等。
丙烯酸系共聚物(A1)也可作成為對側鏈導入聚合性官能基之能量線硬化型丙烯酸系共聚物。作為該聚合性官能基及該能量線，如同以上所述。尚且，聚合性官能基係可藉由使具有上述構成單位(a1)及(a2)之丙烯酸系共聚物，與，具有能與該丙烯酸系共聚物之構成單位(a2)所具有之官能基結合之取代基及聚合性官能基之化合物進行反應來導入。
作為前述化合物，可舉出例如，(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、環氧丙基(甲基)丙烯酸酯等。
丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)係以10萬~150萬為佳，較佳為20萬~130萬，更佳為35萬~120萬，較更佳為50萬~110萬。
[交聯劑]
黏著劑組成物(x1)在含有如上述之丙烯酸系共聚物(A1)般之含有官能基之黏著性樹脂時，以更含有交聯劑為佳。
該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，將該官能基作為交聯起點，而使黏著性樹脂彼此進行交聯者。
作為交聯劑，可舉出例如，異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。
該等交聯劑係可單獨使用，亦可併用2種以上。
該等交聯劑之中，從提高凝聚力而使黏著力提升之觀點，及從取得容易度等之觀點，以異氰酸酯系交聯劑為佳。
交聯劑之含量係依據黏著性樹脂所具有之官能基之數量而適宜調整者，相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，以0.01~10質量份為佳，較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~5質量份。
[增黏劑]
黏著劑組成物(x1)在從更加提升黏著力之觀點，亦可更含有增黏劑。
本說明書中，「增黏劑」係指輔助性地提升上述之黏著性樹脂之黏著力的成分，且質量平均分子量(Mw)未滿1萬之寡聚物，且係與上述之黏著性樹脂有所區別者。
增黏劑之質量平均分子量(Mw)係以400~10000為佳，較佳為500~8000，更佳為800~5000。
做為增黏劑，可舉出例如，松香系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、使石油腦之熱分解所生成之戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、1,3-戊二烯等之C5餾分進行共聚合而得之C5系石油樹脂、使石油腦之熱分解所生成之茚、乙烯基甲苯等之C9餾分進行共聚合而得之C9系石油樹脂，及將該等氫化而成之氫化樹脂等。
增黏劑之軟化點係以60~170℃為佳，較佳為65~160℃，更佳為70~150℃。
尚且，本說明書中，增黏劑之「軟化點」係意指依據JIS K 2531所測量之值。
增黏劑係可單獨使用，亦可併用軟化點、構造等為相異之2種以上。在使用2種以上之複數增黏劑時，該等複數之增黏劑之軟化點之加重平均係以歸屬在上述範圍內為佳。
增黏劑之含量在相對於黏著劑組成物(x1)之有效成分之總量(100質量%)而言，以0.01~65質量%為佳，較佳為0.05~55質量%，更佳為0.1~50質量%，較更佳為0.5~45質量%，再更佳為1.0~40質量%。
[光聚合起始劑]
本實施形態中，黏著劑組成物(x1)在包含能量線硬化型黏著性樹脂作為黏著性樹脂時，以更含有光聚合起始劑為佳。
藉由作成含有能量線硬化型黏著性樹脂及光聚合起始劑之黏著劑組成物，由該黏著劑組成物所形成之黏著劑層即便係受到較低能量之能量線照射，仍能充分地進行硬化反應，且能將黏著力調整成所欲之範圍。
尚且，作為光聚合起始劑，可舉出如與上述之配合於無溶劑型樹脂組成物(y1)中者為相同者。
光聚合起始劑之含量在相對於能量線硬化型黏著性樹脂100質量份而言，以0.01~10質量份為佳，較佳為0.03~5質量份，更佳為0.05~2質量份。
[黏著劑用添加劑]
本實施形態中，黏著劑層(X1)之形成材料之黏著劑組成物(x1)在不損及本發明之效果範圍內，除了含有上述之添加劑以外，亦可含有一般性黏著劑所使用之黏著劑用添加劑。
作為此種黏著劑用添加劑，可舉出例如，防氧化劑、軟化劑(塑化劑)、防銹劑、顏料、染料、遲延劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。
尚且，該等黏著劑用添加劑係可個別單獨使用，亦可併用2種以上。
在含有該等黏著劑用添加劑時，個別黏著劑用添加劑之含量在相對於黏著性樹脂100質量份而言，以0.0001~20質量份為佳，較佳為0.001~10質量份。
黏著劑層(X1)亦可含有膨脹性粒子。其之含量在相對於黏著性樹脂100質量份而言，以5質量份以下為佳，較佳為2質量份以下，以不含有為最佳。
(剝離材)
作為可任意使用之剝離材，可使用如經兩面剝離處理之剝離片、經單面剝離處理之剝離片等，可舉出如在剝離材用之基材上塗佈剝離劑者。
作為剝離材用之基材，可舉出例如，上質紙、玻璃紙、牛皮紙等之紙類；聚對酞酸乙二酯樹脂、聚對酞酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之烯烴樹脂膜等之塑料膜等。
作為剝離劑，可舉出例如，聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。
剝離材之厚度並無特別限制，以10~200μm為佳，較佳為25~170μm，更佳為35~80μm。
＜黏著片(A)之製造方法＞
作為黏著片(A)之製造方法，並無特別限制，可舉出例如，具有下述步驟(Ia)及(Ib)之製造方法(I)。
步驟(Ia)：在剝離材之剝離處理面上塗佈基材(Y1)之形成材料之樹脂組成物(y1)而形成塗膜，使該塗膜乾燥或UV硬化而形成基材(Y1)的步驟。
步驟(Ib)：在已形成之基材(Y1)之表面上塗佈黏著劑層(X1)之形成材料之黏著劑組成物(x1)而形成塗膜，乾燥該塗膜而形成黏著劑層(X1)的步驟。
作為黏著片(A)之另一製造方法，可舉出例如，具有下述步驟(IIa)~(IIc)之製造方法(II)。
步驟(IIa)：在剝離材之剝離處理面上塗佈基材(Y1)之形成材料之樹脂組成物(y1)而形成塗膜，使該塗膜乾燥或UV硬化而形成基材(Y1)的步驟。
步驟(IIb)：在剝離材之剝離處理面上塗佈黏著劑層(X1)之形成材料之黏著劑組成物(x1)而形成塗膜，乾燥該塗膜而形成黏著劑層的步驟。
步驟(IIc)：將以步驟(IIa)所形成之基材(Y1)之表面，與以步驟(IIb)所形成之黏著劑層(X1)之表面予以貼合的步驟。
上述製造方法(I)及(II)中，樹脂組成物(y1)及黏著劑組成物(x1)也配合稀釋溶劑而作成溶液之形態。
作為塗佈方法，可舉出例如，旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗法、刀塗佈法(knife coating)、輥塗法、刮刀塗佈法(blade coating)、模具塗佈法、凹版塗佈法等。
尚且，製造方法(I)及製造方法(II)中之乾燥或UV照射係以適宜選擇膨脹性粒子不會膨脹之條件進行實施為佳。例如，在乾燥含有熱膨脹性粒子之樹脂組成物(y1)而形成基材(Y1)時，乾燥溫度係以在未滿熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(t)下進行為佳。
又，黏著片(A)在具有基材(Y1)與非膨脹性基材(Y1’)之情況，前述步驟(Ia)及(IIa)中，樹脂組成物(y1)係塗佈在預先已形成之非膨脹性基材(Y1’)之上即可。非膨脹性基材(Y1’)例如係能使用非膨脹性基材(Y1’)之形成材料之樹脂組成物，以與前述步驟(Ia)及(IIa)相同之操作進行形成。
[本實施形態之半導體裝置之各製造步驟]
其次，說明關於本實施形態之半導體裝置之製造方法之各步驟。
本實施形態之半導體裝置之製造方法係依序具有下述步驟(1)~(3)。
步驟(1)：將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以擴展的步驟；
步驟(2)：在前述複數晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟；
步驟(3)：將已貼附於黏著片(A)之前述複數晶片與黏著片(B)予以分離的步驟。
以下，參照圖面並同時說明半導體晶片作為晶片之例。
＜步驟(1)＞
步驟(1)係將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數半導體晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以擴展的步驟。尚且，在步驟(1)之前亦可實施後述之切割步驟及半導體晶片之反轉步驟。
(黏著片(B))
黏著片(B)係使用作為擴展半導體晶片CP彼此之間隔用之伸展帶者。
具體而言，黏著片(B)係用來將具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)，且以拉伸黏著片(B)之方式，將載置於黏著劑層(X2)上之複數半導體晶片CP彼此之間隔予以擴展者。
作為基材(Y2)之材質，可舉出例如，聚氯化乙烯基樹脂、聚酯樹脂(聚對酞酸乙二酯等)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯腈・丁二烯・苯乙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、及聚苯乙烯樹脂等。
基材(Y2)係以含有熱可塑性彈性體、橡膠系材料等為佳，以含有熱可塑性彈性體為較佳。
作為熱可塑性彈性體，可舉出如胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯化乙烯基系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、醯胺系彈性體等。
基材(Y2)可為由上述材料所構成之膜經複數層層合者，亦可為由上述材料所構成之膜，與其他膜經層合者。
基材(Y2)係也可在將上述之樹脂系材料作為主材料之膜內包含顏料、染料、難燃劑、塑化劑、防帶電劑、滑劑、填料等之各種添加劑。
黏著劑層(X2)係可由非能量線硬化性黏著劑所構成，亦可由能量線硬化性黏著劑所構成。
作為非能量線硬化性黏著劑，以具有所欲之黏著力及再剝離性者為佳，可舉出例如，丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯基醚系黏著劑等。該等之中，從延伸黏著片(B)之際能有效抑制半導體晶片等之脫落的觀點，以丙烯酸系黏著劑為佳。
能量線硬化性黏著劑由於係藉由能量線照射而硬化導致黏著力降低，故在使半導體晶片與黏著片(B)分離之際，藉由作成能量線照射之方式，而能容易地使其分離。
作為構成黏著劑層(X2)之能量線硬化性黏著劑，可舉出例如，含有選自(a)具有能量線硬化性之聚合物，以及(b)具有至少1個以上之能量線硬化性基之單體及/或寡聚物的1種以上者。
作為(a)具有能量線硬化性之聚合物，以在側鏈導入不飽和基等之具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物為佳。作為該丙烯酸酯(共)聚合物，可舉出例如，使烷基之碳數為1~18之烷基(甲基)丙烯酸酯，與在分子內具有聚合性之雙鍵，及羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之單體進行共聚合後，再與具有與該官能基結合之官能基之含不飽和基化合物反應而得者。
作為(b)具有至少1個以上能量線硬化性基之單體及/或寡聚物，可舉出如多價醇與(甲基)丙烯酸之酯，具體地可舉出如環己基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯等之單官能性丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等之多官能性丙烯酸酯類、聚酯寡(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯寡(甲基)丙烯酸酯等。
能量線硬化性黏著劑中，除了上述成分以外，亦可適宜配合光聚合起始劑、交聯劑等。
基材(Y2)之厚度並無特別限定，以20~250μm為佳，較佳為40~200μm。
黏著劑層(X2)之厚度並無特別限定，以3~50μm為佳，較佳為5~40μm。
23℃中在MD方向及CD方向所測量之黏著片(B)之斷裂伸度係個別以100%以上為佳。斷裂伸度藉由在上述範圍，而變得能大幅延伸。因此，可適宜使用在稱為扇出型封裝之製造上有必要使半導體晶片彼此充分隔開之用途。
＜切割步驟、半導體晶片之反轉步驟及轉移步驟＞
在黏著片(B)之黏著劑層(X2)上載置複數之半導體晶片CP的方法並無特別限定，可舉出例如，實施下述之切割步驟、反轉步驟及轉移步驟的方法。
切割步驟：在具備基材(Y3)與黏著劑層(X3)之黏著片(C)之黏著劑層(X3)上貼附半導體晶圓W後，切割半導體晶圓W，而取得在黏著劑層(X3)之上經個體化之複數之半導體晶片CP的步驟
半導體晶片之反轉步驟：使用具有基材(Y4)及黏著劑層(X4)之黏著片(D)，在與複數之半導體晶片CP之與黏著劑層(X3)接觸之面為反對側之面貼附黏著片(D)之黏著劑層(X4)，並將複數之半導體晶片CP與黏著片(C)分離的步驟。
轉移步驟：使用具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)，在複數之半導體晶片CP之與黏著劑層(X4)接觸之面為反對側之面貼附黏著片(B)之黏著劑層(X2)，並將複數之半導體晶片CP與黏著片(D)分離的步驟。
(切割步驟)
圖2(a)及(b)為一剖面圖展示說明對黏著片(C)之黏著劑層(X3)貼附半導體晶圓W後，切割半導體晶圓W，而取得在黏著劑層(X3)之上經個體化之複數之半導體晶片CP的切割步驟。
黏著片(C)只要係能達成上述目的者即無特別限制，由於必須要能與半導體晶片貼附及分離，故黏著片(A)等之包含膨脹性粒子之黏著片係如後述之伸展帶般，適宜為由具有再剝離性之非能量線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層的黏著片，具有由能量線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層的黏著片等。
在使用黏著片(A)作為黏著片(C)時，步驟(3)所使用之黏著片(A)之態樣，與本步驟所使用之黏著片(A)之態樣可為相同亦可為相異。
半導體晶圓W係例如可為矽晶圓，亦可為鎵、砷等之化合物半導體晶圓。
半導體晶圓W係在其之電路面W1具有電路W2。作為形成電路W2之方法，可舉出例如，蝕刻法、剝離(lift off)法等。尚且，本說明書中，有將與電路面W1為反對側之面稱為「晶片背面」的情況。
半導體晶圓W係預先研削成規定之厚度，使晶片背面露出而貼附於黏著片(A)。作為研削半導體晶圓W之方法，可舉出例如，使用研磨機(grinder)等之公知方法。
在保持半導體晶圓W之目的上，亦可對黏著片(C)貼附環形框。於此情況，在黏著片(C)之黏著劑層(X3)之上載置環形框及半導體晶圓W，且將該等予以輕壓並固定。
其次，保持在黏著片(C)上之半導體晶圓W係藉由切割而被個體化，而形成複數之半導體晶片CP。切割係使用例如，切割鋸、雷射、電漿切割、隱形切割等之切割手段。切割時之切斷深度係考慮到半導體晶圓之厚度後適宜設定即可，例如，可作成從黏著劑層(X3)之上面算起2μm以內。
尚且，為了使本步驟與後述之其他切割步驟有所區別，而有稱為「第一切割步驟」之情況。
步驟(1)係在切割半導體晶圓W後，為了擴展取得之複數之半導體晶片CP彼此之間隔，亦可包含拉伸黏著片(C)的處理。
(反轉步驟)
圖3(a)及(b)為一剖面圖展示說明使用具有基材(Y4)及黏著劑層(X4)之黏著片(D)，在複數之半導體晶片CP之與黏著劑層(X3)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(D)之黏著劑層(X4)，並將複數之半導體晶片CP與黏著片(C)分離之步驟。
本步驟係因應其後之步驟所實施之任意步驟，以使複數之半導體晶片CP之表裏(即，電路面W1與晶片背面)反轉為目的所實施者。
黏著片(D)只要係能達成上述目的者即無特別限制，由於必須要能與半導體晶片貼附及分離，黏著片(A)等之包含膨脹性粒子之黏著片係如後述之伸展帶般，適宜為由具有再剝離性之非能量線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層的黏著片，具有由能量線硬化性黏著劑所構成之黏著劑層的黏著片等。
將複數之半導體晶片CP與黏著片(C)分離之方法係因應黏著片(C)之態樣決定即可，在黏著劑層(X3)係由非能量線硬化性黏著劑所構成時，以規定之條件再剝離即可，在黏著劑層(X3)係由能量線硬化性黏著劑所構成時，藉由照射能量線照射使其硬化造成黏著力降低後分離即可，黏著片(C)若係如黏著片(A)般包含膨脹性粒子者，使膨脹性粒子膨脹造成黏著力降低後分離即可。在分離之際，至少要以使黏著片(D)之黏著劑層(X4)保有比黏著片(C)之黏著劑層(X3)還高之黏著性之方式來選擇黏著片(C)及黏著片(D)之種類及剝離方法。
(轉移步驟)
圖4(a)及(b)為一剖面圖展示說明使用具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)，在複數之半導體晶片CP之與黏著劑層(X4)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(B)之黏著劑層(X2)，並將複數之半導體晶片CP與黏著片(D)分離之轉移步驟。
本步驟係將藉由反轉步驟而被轉移至黏著片(D)上之複數之半導體晶片CP轉移至伸展帶之黏著片(B)的步驟。藉此，複數之半導體晶片CP之表裏係變得與切割步驟時相反。
將複數之半導體晶片CP與黏著片(D)分離之方法係與黏著片(C)之情況相同，因應黏著片(D)之態樣決定即可。
＜伸展步驟＞
圖5(a)及(b)為一剖面圖展示說明將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數半導體晶片CP彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)來擴展之步驟(1)(伸展步驟)。
經過前述轉移步驟，如圖5(a)所示，複數之半導體晶片CP載置於黏著片(B)之黏著劑層(X2)上。
其次，如圖5(b)所示，拉伸黏著片(B)而將複數之半導體晶片CP彼此之間隔擴展至距離D。
作為拉伸黏著片(B)之方法，可舉出如按壓環狀或圓狀之擴張器而拉伸黏著片(B)之方法、使用把持構件等握住黏著片(B)之外緣部而拉伸之方法等。
伸展後之複數之半導體晶片CP間之距離D係因應所欲之半導體裝置之形態而適宜決定即可，以50~6000μm為佳。
＜步驟(2)及(3)＞
圖6(a)及(b)為一剖面圖展示說明使用具有基材(Y1)及黏著劑層(X1)之黏著片(A)，在伸展帶之黏著片(B)上之複數半導體晶片CP之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟(2)，及從該複數之半導體晶片CP分離黏著片(B)之步驟(3)。
本步驟中，將黏著片(B)與複數之半導體晶片CP分離之方法係與黏著片(C)之情況相同，因應黏著片(B)之態樣決定即可。
經過步驟(1)~(3)，如圖7所示，取得在黏著片(A)之黏著劑層(X1)上互相隔開間隔之複數之半導體晶片CP。
黏著片(A)上之複數半導體晶片CP係可在其後再黏著片(A)上藉由密封樹脂進行密封後提供至再配線形成步驟，亦可與黏著片(A)分離並提供至使半導體晶片整列之步驟後，再提供至密封步驟及再配線形成步驟。
在任一之情況下，黏著片(A)與複數之半導體晶片CP係因應膨脹性粒子之種類藉由熱、能量線等使其膨脹，而在黏著劑層(X1)之黏著表面(X1a)形成凹凸，藉此使黏著表面(X1a)與複數之半導體晶片CP之黏著力降低，而能使黏著片(A)與複數之半導體晶片CP分離。
使膨脹性粒子進行膨脹之方法係因應膨脹性粒子之種類適宜選擇即可，在膨脹性粒子為熱膨脹性粒子時，加熱至膨脹起始溫度(t)以上之溫度即可。在此，作為「膨脹起始溫度(t)以上之溫度」，以「膨脹起始溫度(t)+10℃」以上「膨脹起始溫度(t)+60℃」以下為佳，以「膨脹起始溫度(t)+15℃」以上「膨脹起始溫度(t)+40℃」以下為較佳。具體而言，因應該熱膨脹性粒子之種類，例如，加熱至120~250℃之範圍使其膨脹即可。
膨脹性粒子之膨脹係以在將與基材(Y1)之黏著劑層(X1)為反對側之面(Y1a)予以固定之狀態下實施為佳。藉由固定面(Y1a)，而物理性抑制面(Y1a)側之凹凸產生，且能有效率地在黏著劑層(X1)之黏著表面(X1a)側形成凹凸。前述固定係能採用任意之方法，可舉出例如，將上述非膨脹性基材(Y1’)設置於基材(Y1)之面(Y1a)側之方法、使用具有複數吸引孔之吸引桌台作為固定治具而將基材(Y1)之面(Y1a)予以固定之方法、隔著任意之黏著劑層、兩面黏著片等，而基材(Y1)之面(Y1a)上貼附硬質支撐體之方法等。
前述吸引桌台係具有真空泵等之減壓機構，藉由該減壓機構而從複數之吸引孔來吸引對象物，且藉此而將對象物固定於吸引面者。
前述硬質支撐體之材質係考慮到機械強度、耐熱性等後適宜決定即可，可舉出例如，SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；環氧、ABS、丙烯酸、工程塑料、超級工程塑料、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，該等之中係以SUS、玻璃、及矽晶圓等為佳。作為工程塑料，可舉出如尼龍、聚碳酸酯(PC)、及聚對酞酸乙二酯(PET)等。作為超級工程塑料，可舉出如聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)、及聚醚醚酮(PEEK)等。
其次，說明關於將黏著片(A)上之複數之半導體晶片CP在黏著片(A)上藉由密封樹脂進行密封後形成再配線之步驟(以下，亦稱為「步驟(4A)」)，及實施將複數之半導體晶片CP與黏著片(A)分離，使複數之半導體晶片CP整列之步驟後，形成密封及再配線之步驟(以下，亦稱為「步驟(4B)」)。
＜步驟(4A)＞
步驟(4A)係將黏著片(A)上之複數之半導體晶片CP在黏著片(A)上藉由密封樹脂進行密封後形成再配線之步驟，以具有下述步驟(4A-1)~(4A~3)為佳。
步驟(4A-1)：將複數之半導體晶片CP，及黏著片(A)之黏著劑層(X1)之黏著表面當中複數之半導體晶片CP之周邊部分以密封材料被覆，使該密封材料硬化，而取得前述複數之半導體晶片CP被硬化密封材料密封而成之硬化密封體的步驟
步驟(4A-2)：使前述膨脹性粒子進行膨脹而使黏著片(A)與前述硬化密封體分離的步驟。
步驟(4A-3)：於黏著片(A)已分離之硬化密封體上形成再配線層的步驟
黏著片(A)係如步驟(4A)所示，也係適宜當作密封半導體晶片時之暫時固定用片。黏著片(A)中由於膨脹性粒子並非係被包含在黏著劑層中而係被包含在高彈性模數之非黏著性樹脂中，故載置半導體晶片之黏著劑層(X1)之厚度之調整、黏著力、黏彈性模數等之控制等設計之自由度提升。藉此，可抑制半導體晶片之位置偏移發生，且同時抑制半導體晶片陷入兩面黏著片，而能形成平坦性優異之再配線層形成面。並且，在使用黏著片(A)之情況，半導體晶片由於係載置於黏著劑層(X1)之黏著表面，故包含膨脹性粒子之基材(Y1)與再配線層形成面不會直接接觸。藉此，源自膨脹性粒子之殘渣及大幅變形之黏著劑層之一部分附著於再配線層形成面，或形成於熱膨脹性黏著層上之凹凸形狀轉移至再配線層形成面而導致平滑性降低等受到抑制，而可取得清淨性及平滑性優異之再配線層形成面。
[步驟(4A-1)]
圖8(a)~(c)為一剖面圖展示說明、將複數之半導體晶片CP，及黏著劑層(X1)之黏著表面(X1a)當中複數之半導體晶片CP之周邊部分45以密封材料40被覆(以下，將該步驟亦稱為「被覆步驟」)，使該密封材料40硬化(以下，將該步驟亦稱為「硬化步驟」)，而取得複數之半導體晶片CP被硬化密封材料41密封而成之硬化密封體50的步驟(4A-1)。
密封材料40為具有從外部環境保護複數之半導體晶片CP及附隨於此之要素的功能者。作為密封材料40，並無特別限制，可從過往作為半導體密封材料料所使用者當中，適宜選擇任意者使用。
從機械強度、耐熱性、絕緣性等之觀點，密封材料40為具有硬化性者，可舉出例如，熱硬化性樹脂組成物、能量線硬化性樹脂組成物等。
作為密封材料40之熱硬化性樹脂組成物所含有之熱硬化性樹脂，可舉出例如，環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂等，從機械強度、耐熱性、絕緣性、成形性等之觀點，以環氧樹脂為佳。
前述熱硬化性樹脂組成物除了含有前述熱硬化性樹脂之外，因應必要亦可含有酚樹脂系硬化劑、胺系硬化劑等之硬化劑、硬化促進劑、二氧化矽等之無機填充材、彈性體等之添加劑。
密封材料40在室溫可為固體形狀亦可為液狀。又，室溫在固體形狀之密封材料40之形態並無特別限定，可為例如，顆粒狀、片狀等。
本實施形態中，以使用片狀之密封材料(以下，亦稱為「片狀密封材料」)實施被覆步驟及硬化步驟為佳。使用片狀密封材料之方法係以覆蓋複數之半導體晶片CP及其周邊部分45之方式藉由載置片狀密封材料，而藉由密封材料40被覆複數之半導體晶片CP及其周邊部分45。於此之際，複數之半導體晶片CP彼此之間隙係以未填充密封材料40之部分不會產生之方式，藉由真空層合法等，適宜減壓同時進行加熱及壓著為佳。
藉由密封材料40，被覆複數之半導體晶片CP及其周邊部分45之方法，可從過往適用於半導體密封步驟之方法當中，適宜選擇任意之方法進行適用，可適用例如，輥壓層合法、真空加壓法、真空層合法、旋轉塗佈法、模具塗佈法、轉移成形法、壓縮成形模製法等。
該等方法中，通常為了提高密封材料40之填充性，在被覆時加熱密封材料40而賦予流動性。
前述被覆步驟中加熱熱硬化性樹脂組成物之溫度係根據密封材料40之種類，黏著片(A)之種類等而不同，例如為30~180℃，以50~170℃為佳，以70~150℃為較佳。又，加熱時間例如為5秒~60分鐘，以10秒~45分鐘為佳，以15秒~30分鐘為較佳。
如圖8(b)所示，密封材料40係覆蓋複數之半導體晶片CP之表面露出之面全體，並且也填充複數之半導體晶片CP彼此之間隙。
其次，如圖8(c)所示，在進行被覆步驟後，使密封材料40硬化，而取得複數之半導體晶片CP被硬化密封材料41密封而成之硬化密封體50。
前述硬化步驟中，使密封材料40硬化之溫度係根據密封材料40之種類，黏著片(A)之種類等而不同，例如為80~240℃，以90~200℃為佳，以100~170℃為較佳。又，加熱時間例如為10~180分鐘，以20~150分鐘為佳，以30~120分鐘為較佳。
藉由步驟(4A-1)，而取得以規定距離隔開之複數之半導體晶片CP被埋入於硬化密封材料41之硬化密封體50。
[步驟(4A-2)]
其次，如圖8(d)所示，從硬化密封體50分離黏著片(A)。
分離黏著片(A)之方法係如同上述所說明。
尚且，本實施形態已說明了複數之半導體晶片CP之電路面W1係在與黏著片(A)之黏著劑層(X1)接觸之狀態下實施密封步驟之例，但亦可在電路面W1表面露出之狀態(即，晶片背面與黏著劑層(X1)接觸之狀態)實施密封步驟。於此情況，複數之半導體晶片CP之電路面W1係被密封樹脂所覆蓋，但使密封樹脂硬化後，適宜使用研磨機等削去硬化密封材料，而再度使電路面W1表面露出即可。
[步驟(4A-3)：再配線層形成步驟]
圖9(a)~(c)為一剖面圖展示說明在黏著片(A)已分離之硬化密封體50上形成再配線層的步驟(4A-3)。
圖9(b)為一剖面圖展示說明在半導體晶片CP之電路面W1及硬化密封體50之面50a形成第1絕緣層61的步驟。
在電路面W1及面50a之上，以使半導體晶片CP之電路W2或電路W2之內部端子電極W3露出之方式形成包含絕緣性樹脂之第1絕緣層61。作為絕緣性樹脂，可舉出如聚醯亞胺樹脂、聚苯並噁唑樹脂、聚矽氧樹脂等。內部端子電極W3之材質只要係導電性材料即無限定，可舉出如金、銀、銅、鋁等之金屬、包含該等金屬之合金等。
圖9(c)為一剖面圖展示說明形成與被硬化密封體50所密封之半導體晶片CP電連接之再配線70的步驟。
本實施形態係在形成第1絕緣層61之後形成再配線70。再配線70之材質只要係導電性材料即無限定，可舉出如金、銀、銅、鋁等之金屬、包含該等金屬之合金等。再配線70係可藉由減去法、半加成法法等之公知方法來形成。
圖10(a)為一剖面圖展示說明形成覆蓋再配線70之第2絕緣層62的步驟。
再配線70具有外部端子電極用之外部電極墊70A。第2絕緣層62上設有開口等而使外部端子電極用之外部電極墊70A露出。本實施形態中，外部電極墊70A係露出於硬化密封體50之半導體晶片CP之區域(對應電路面W1之區域)內及區域外(對應硬化密封體50上之面50a之區域)。又，再配線70係以外部電極墊70A配置成陣列狀之方式，而形成於硬化密封體50之面50a。本實施形態由於係具有在硬化密封體50之半導體晶片CP之區域外使外部電極墊70A露出之構造，故可取得FOWLP或FOPLP。
(與外部端子電極之連接步驟)
其次，因應必要可使外部電極墊70A與外部端子電極80連接。
圖10(b)展示一剖面圖說明使外部電極墊70A與外部端子電極80連接的步驟。
再從第2絕緣層62露出之外部電極墊70A載置焊料球等之外部端子電極80，藉由焊接接合等，而使外部端子電極80與外部電極墊70A電連接。焊料球之材質並無特別限定，可舉出如含鉛焊料、無鉛焊料等。
(第二切割步驟)
圖10(c)為一剖面圖展示說明使已連接外部端子電極80之硬化密封體50進行個體化的第二切割步驟。
本步驟係將硬化密封體50以半導體晶片CP為單位進行個體化。使硬化密封體50進行個體化之方法並無特別限定，可藉由切割鉅等之切割手段等來實施。
藉由使硬化密封體50個體化，而製造出以半導體晶片CP為單位之半導體裝置100。在如上述般已扇出至半導體晶片CP區域外之外部電極墊70A連接外部端子電極80而成之半導體裝置100係製造作為FOWLP、FOPLP等。
(安裝步驟)
本實施形態也係以包含將已個體化之半導體裝置100安裝於印刷配線基板等的步驟為佳。
＜步驟(4B)＞
其次，說明關於在步驟(3)之後，將複數之半導體晶片CP與黏著片(A)分離，實施使半導體晶片整列之再配列後，而形成密封及再配線的步驟(4B)。步驟(4B)係以具有下述步驟(4B-1)及(4B-2)為佳。
步驟(4B-1)：使前述膨脹性粒子進行膨脹而使黏著片(A)與複數之半導體晶片CP分離的步驟。
步驟(4B-2)：使從黏著片(A)分離之前述複數之半導體晶片CP進行整列的步驟。
前述步驟(4B-2)係以使用具備複數能收納複數之半導體晶片CP之收納部之整列治具，使從黏著片(A)分離之複數之半導體晶片CP進行整列的步驟為佳。
[步驟(4B-1)]
圖11(a)及(b)為一剖面圖展示說明藉由使黏著片(A)中之膨脹性粒子進行膨脹，使黏著片(A)與複數之半導體晶片CP分離，並將分離之複數之半導體晶片CP移動至載置於保持構件20上之整列治具10的步驟(4B-1)。整列治具10為具備複數能收納半導體晶片CP之收納部11者。
將黏著片(A)與複數之半導體晶片CP分離之條件係同如上述所說明。
如圖11(b)所示，保持構件20係在其之保持面21上載置整列治具10，在整列治具10之開口部即收納部11內收納半導體晶片CP。
保持構件20係亦可藉由未圖示之減壓手段而吸附保持半導體晶片CP。
圖12為表示整列治具10之平面圖，整列治具10具備框狀之本體部12，及能收納半導體晶片CP之收納部11。整列治具10在平面視上，開口成略正方形狀之收納部11係配列成正方格子狀。
[步驟(4B-2)]
圖13(a)及(b)為一剖面圖展示說明使從黏著片(A)分離之複數之半導體晶片CP進行整列的步驟(4B-2)。
如圖13(a)所示，從黏著片(A)分離之複數之半導體晶片CP係載置於具備複數能收納複數之半導體晶片CP之收納部11之整列治具10之收納部11內。
其次，如圖13(b)所示，使保持構件20上之整列治具10向X方向及Y方向移動，而使整列治具10之壁部11a與半導體晶片CP之側面CPa接觸。此時，亦可使保持構件20自身，或保持構件20與整列治具10雙方移動，而使整列治具10之壁部11a與半導體晶片CP之側面CPa接觸。
藉此，如圖13(b)所示，可取得經整列之複數之半導體晶片CP。
以步驟(4B)整列之複數之半導體晶片CP，其後因應必要在進行前述反轉步驟及轉移步驟等後，再次轉移至黏著片(A)等之暫時固定用片上，經過與前述步驟(4A)相同之密封步驟、再配線形成步驟，而可製造出FOWLP、FOPLP。

[實施例]
藉由以下之實施例更具體地說明關於本發明，但本發明並非係受到以下之實施例所限定者。尚且，以下之製造例及實施例中之物性值係藉由以下之方法所測量之值。
＜質量平均分子量(Mw)＞
使用凝膠滲透層析裝置(東曹股份有限公司製，製品名「HLC-8020」)，在下述之條件下進行測量，使用以標準聚苯乙烯換算所測量之值。

(測量條件)
・管柱：將「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為東曹股份有限公司製)依序連結而成者
・管柱溫度：40℃
・展開溶劑：四氫呋喃
・流速：1.0mL/min
＜各層之厚度之測量＞
使用股份有限公司Teclock製之定壓厚度測量器(型號：「PG-02J」、標準規格：根據JIS K6783、Z1702、Z1709)進行測量。
＜熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D50 )、90%粒子徑(D90 )＞
使用雷射繞射式粒度分布測量裝置(例如，Malvern公司製、製品名「Mastersizer 3000」)，測量23℃之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布。
且，將相當於從粒子分布之粒子徑較小處開始計算之累積體積頻度為50%及90%之粒子徑分別作為「熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D50 )」及「熱膨脹性粒子之90%粒子徑(D90 )。
＜膨脹性基材之儲藏彈性模數E’＞
測量對象為非黏著性之膨脹性基材時，將該膨脹性基材作成縱5mm×橫30mm×厚度200μm之大小，且將剝離材除去者作為試驗樣品。
使用動態黏彈性測量裝置(TA儀器公司製，製品名「DMAQ800」)，在試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、昇溫速度3℃/分、振動數1Hz、振寬20μm之條件下，測量規定溫度係之該試驗樣品之儲藏彈性模數E’。
＜黏著劑層之儲藏剪切彈性模數G’＞
測量對象為具有黏著性之黏著劑層時，將該黏著劑層作成直徑8mm×厚度3mm，且將剝離材除去者作為試驗樣品。
使用黏彈性測量裝置(Anton Paar公司製、裝置名「MCR300」)，在試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、昇溫速度3℃/分、振動數1Hz之條件下，藉由扭轉剪切法，測量規定溫度下之試驗樣品之儲藏剪切彈性模數G’。其後，儲藏彈性模數E’之值係根據已測量之儲藏剪切彈性模數G’之值，從近似式「E’=3G’」來算出。
＜探針黏性值＞
將測量對象之膨脹性基材或黏著劑層切成一邊10mm之正方形後，在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置24小時，去除輕剝離膜者作為試驗樣品。
將前述試驗樣品在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下，使用黏性(tacking)試驗機(日本特殊測器股份有限公司製、製品名「NTS-4800」)，依據JIS Z0237：1991測量去除輕剝離膜而表面露出之前述試驗樣品表面之探針黏性值。
具體而言，使直徑5mm之不鏽鋼製之探針以接觸荷重0.98N/cm2 接觸試驗樣品之表面1秒鐘後，測量使該探針以10mm/秒之速度從試驗樣品之表面離開所必須之力。其後，將該測量之值作為該試驗樣品之探針黏性值。
以下之製造例中之各層之形成所使用之黏著性樹脂、添加劑、熱膨脹性粒子、及剝離材之詳細內容係如以下所示。

＜黏著性樹脂＞
・丙烯酸系共聚物(i)：包含具有源自由2-乙基己基丙烯酸酯(2EHA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=80.0/20.0(質量比)所構成之原料單體之構成單位之Mw60萬之丙烯酸系共聚物的溶液。稀釋溶劑：乙酸乙酯、固體成分濃度：40質量%。
・丙烯酸系共聚物(ii)：包含具有源自由n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基甲基丙烯酸酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)/丙烯酸=86.0/8.0/5.0/1.0(質量比)所構成之原料單體之構成單位之Mw60萬之丙烯酸系共聚物的溶液。稀釋溶劑：乙酸乙酯、固體成分濃度：40質量%。

＜添加劑＞
・異氰酸酯交聯劑(i)：東曹股份有限公司製，製品名「coronate L」，固體成分濃度：75質量%。
・光聚合起始劑(i)：BASF公司製，製品名「Irgacure184」，1-羥基-環己基-苯基-酮。

＜熱膨脹性粒子＞
・熱膨脹性粒子(i)：股份有限公司吳羽製，製品名「S2640」，膨脹起始溫度(t)=208℃，平均粒子徑(D50 )=24μm，90%粒子徑(D90 )=49μm。

＜剝離材＞
・重剝離膜：琳德科股份有限公司製，製品名「SP-PET382150」，在聚對酞酸乙二酯(PET)膜之單面設置由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者，厚度：38μm。
・輕剝離膜：在琳德科股份有限公司製，製品名「SP-PET381031」，在PET膜之單面設置由聚矽氧系剝離劑所形成之剝離劑層者，厚度：38μm。
製造例1
(黏著劑層(X1)之形成)
對黏著性樹脂，即上述丙烯酸系共聚物(i)之溶液之固體成分100質量份配合上述異氰酸酯系交聯劑(i)5.0質量份(固體成分比)，以甲苯進行稀釋，均勻地攪拌，而調製成固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物(x1)。
其後，在上述重剝離膜之剝離劑層之表面上塗佈經調製之黏著劑組成物(x1)形成塗膜，以100℃乾燥該塗膜60秒鐘，而形成厚度10μm之黏著劑層(X1)。尚且，23℃之黏著劑層(X1)之儲藏剪切彈性模數G’(23)為2.5×105 Pa。
製造例2
(黏著劑層(X1’)之形成)
對黏著性樹脂，即上述丙烯酸系共聚物(ii)之溶液之固體成分100質量份配合上述異氰酸酯系交聯劑(i)0.8質量份(固體成分比)，以甲苯進行稀釋，均勻地攪拌，而調製成固體成分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物(x1’)。其後，在上述輕剝離膜之剝離劑層之表面上塗佈經調製之黏著劑組成物(x1’)形成塗膜，以100℃乾燥該塗膜60秒鐘，而形成厚度10μm之黏著劑層(X1’)。尚且，23℃之黏著劑層(X1’)之儲藏剪切彈性模數G’(23)為9.0×103 Pa。
製造例3
(膨脹性基材(Y1-1)之形成)
使酯型二醇與異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物再與2-羥基乙基丙烯酸酯反應而取得質量平均分子量(Mw)5000之2官能丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物。
其後，對上述合成之丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物40質量%(固體成分比)配合作為能量線聚合性單體之異莰基丙烯酸酯(IBXA)40質量%(固體成分比)、及苯基羥基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量%(固體成分比)，且相對於丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物及能量線聚合性單體之總量100質量份，再配合光聚合起始劑(i)2.0質量份(固體成分比)，及，作為添加劑之酞花青系顏料0.2質量份(固體成分比)，而調製成能量線硬化性組成物。對該能量線硬化性組成物配合上述熱膨脹性粒子(i)，而調製成不含有溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y1)。尚且，相對於樹脂組成物(y1)之總量(100質量%)之熱膨脹性粒子(i)之含量為20質量%。
其次，上述輕剝離膜之剝離劑層之表面上塗佈已調製之樹脂組成物(y1)形成塗膜。其後，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics公司製，製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(Eyegraphics公司製，製品名「H04-L41」)，在照度160mW/cm2 、光量500mJ/cm2 之條件下照射紫外線，使該塗膜硬化，而形成厚度50μm之膨脹性基材(Y1-1)。尚且，紫外線照射時之上述之照度及光量係使用照度・光量計(EIT公司製、製品名「UV Power Puck II」)進行測量之值。
尚且，上述取得之膨脹性基材(Y1-1)在23℃之儲藏彈性模數E’為5.0×108 Pa，在100℃之儲藏彈性模數E’為4.0×106 Pa，在208℃之儲藏彈性模數E’為4.0×106 Pa。又，膨脹性基材(Y1-1)之探針黏性值為2mN/5mmφ。
製造例4
(黏著片(A)之製作)
貼合製造例1中形成之黏著劑層(X1)與製造例3中形成之膨脹性基材(Y1-1)之表面彼此，除去膨脹性基材(Y1-1)側之輕剝離膜，在表面露出之膨脹性基材(Y1-1)之表面上貼合製造例2中形成之黏著劑層(X1’)。藉此，而製作成依輕剝離膜/黏著劑層(X1’)/膨脹性基材(Y1-1)/黏著劑層(X1)/重剝離膜之順序層合而成之黏著片(A)。
製造例5
(黏著片(B)(伸展帶)之製作)
使丁基丙烯酸酯/2-羥基乙基丙烯酸酯=85/15(質量比)反應而得之丙烯酸系共聚物，與相對於其之2-羥基乙基丙烯酸酯為80莫耳%之甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應而取得能量線硬化型聚合物。此能量線硬化型聚合物之質量平均分子量(Mw)為60萬。使取得之能量線硬化型聚合物100質量份、作為光聚合起始劑之1-羥基環苯基酮(BASF公司製，製品名「Irgacure184」)3質量份，及作為交聯劑之伸甲苯基二異氰酸酯系交聯劑(東曹公司製、製品名「coronate L」)0.45質量份在溶劑中混合，而取得黏著性組成物。
其次，在聚對酞酸乙二酯(PET)膜之單面形成聚矽氧系剝離劑層而成之剝離膜(琳德科股份有限公司製、製品名「SP-PET3811」)之剝劑層之表離面上塗佈上述黏著性組成物，藉由加熱使其乾燥而在剝離膜上形成厚度10μm之黏著劑層(X2)。其後，藉由在此黏著劑層之露出面貼合作為基材(Y2)之聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體片(Sheedom公司製，製品名「Higress DUS202」、厚度50μm)之單面，而在黏著劑層已貼附剝離膜之狀態下取得黏著片(B)(伸展帶)。
[半導體裝置之製造]
實施例1
使用上述取得之黏著片(A)及黏著片(B)，藉由以下之方法製造半導體裝置。

＜步驟(1)＞
將製造例5取得之黏著片(B)裁切成210mm×210mm之大小。此時，已裁切後之片之各邊與黏著片(B)之基材(Y2)之MD方向成為平行或垂直之方式進行裁切。其次，從黏著片(B)剝離剝離片，使切割半導體晶圓(直徑：150mm，厚度：350μm)而得之複數之半導體晶片(1800個)，以電路形成面W1與黏著劑層(X2)成為反對側之方式，貼附於、黏著片(B)之黏著劑層(X2)上。此時，半導體晶片之一群係以變成位於黏著片(B)之中央部之方式進行轉移。又，將半導體晶圓予以個體化時之切割線係以與黏著片(B)之各邊成為平行或垂直之方式進行轉移。
其後，將貼附有複數之半導體晶片之黏著片(B)設置於能雙軸延伸之伸展裝置。伸展裝置係如圖14所示，互相正交之X軸方向(將正之方向設為+X軸方向，負之方向設為-X軸方向)與Y軸方向(將正之方向設為+Y軸方向，負之方向設為-Y軸方向)，且在各方向(即，+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向、-Y軸方向)具有用來延伸之保持手段。將黏著片(B)之MD方向配合X軸或Y軸方向而設置於伸展裝置，藉由前述保持手段，把持黏著片(B)之各邊後，在下述之條件下，拉伸黏著片(B)，而擴展貼附在黏著片(B)之黏著劑層(X2)上之複數之半導體晶片彼此之間隔。
・保持手段之個數：每一邊5個
・延伸速度：5mm/sec
・延伸距離：將各邊各延伸60mm。
＜步驟(2)＞
其次，將製造例4取得知黏著片(A)裁切成230mm×230mm之大小。
從裁切後之黏著片(A)剝離重剝離膜與輕剝離膜，將表面露出之黏著劑層(X1)，貼附在前述複數之半導體晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面，且在表面露出之黏著劑層(X1’)之表面貼附支撐體(SUS板，厚度1mm，尺寸：200mmφ)。
＜步驟(3)＞
其次，從黏著片(B)之基材側之面，照度230mW/cm2 ，光量190mJ/cm2 照射紫外線而使黏著劑層硬化，並將已貼附黏著片(A)之前述複數之半導體晶片與黏著片(B)予以分離。
藉此，取得在黏著片(A)之黏著劑層(X1)上隔開固定間隔而載置之複數之半導體晶片。
＜步驟(4A-1)＞
其次，將密封用樹脂膜(密封材料)層合於黏著表面(X1)及複數之半導體晶片之上，使用真空加熱加壓層合機(ROHM and HAAS公司製之「7024HP5」)，使用密封材料被覆黏著劑層(X1)之黏著表面及半導體晶片，並且使密封材料硬化而製作成硬化密封體。尚且，密封條件係如同下述。
・預熱溫度：桌台及膜片皆為100℃
・真空吸引：60秒鐘
・動態加壓模式：30秒鐘
・靜態加壓模式：10秒鐘
・密封溫度：180℃(比熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度208℃還低之溫度)
・密封時間：60分鐘
＜步驟(4A-2)＞
密封後，以熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(208℃)以上之240℃加熱黏著片(A)3分鐘而從黏著片(A)分離硬化密封體。尚且，在分離黏著片(A)之際，成功地在不使黏著片(A)彎曲且保持平面狀之狀態下集體地分離。
從上述之結果，可得知根據本實施形態之製造方法，可使藉由伸展步驟而擴展間隔之晶片在保持該間隔之狀態下，集體且容易地從伸展帶分離，且能容易地將經分離之晶片提供至下個步驟(密封步驟)。並且，黏著片(A)係藉由使膨脹性粒子進行膨脹，而能使黏著力顯著地變小，故密封步驟後，能容易地分離黏著片(A)。
其次，藉由下述試驗評價本實施形態所使用之黏著片(A)之分離性。
[黏著片之黏著力之測量]
(黏著片(A)之加熱前後之黏著力測量)
除去已製作之黏著片(A)之輕剝離膜，在表面露出之黏著劑層(X1’)之黏著表面上層合厚度50μm之聚對酞酸乙二酯(PET)膜(東洋紡股份有限公司製，製品名「cosmoshine A4100」)，而作成附基材之黏著片。其次，也除去黏著片(A)之重剝離膜，將表面露出之黏著劑層(X1)之黏著表面貼附在被黏著物之不鏽鋼板(SUS304 360號研磨)，並將在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置24小時者作為試驗樣品。
使用上述之試驗樣品，在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下，依據JIS Z0237：2000，藉由180°拉伸法，測量以拉伸速度300mm/分，23℃之黏著力。
又，在加熱板上，以熱膨脹性粒子之膨脹起始溫度(208℃)以上之240℃加熱上述試驗樣品3分鐘，在標準環境(23℃，50%RH(相對濕度))中靜置60分鐘後，在與上述相同條件下，也測量以膨脹起始溫度以上之溫度加熱後之黏著力。
(比較用黏著片之紫外線照射前後之黏著力測量)
將比較用黏著片(琳德科股份有限公司製，商品名「D-820」)之黏著表面貼附於被黏著物之不鏽鋼板(SUS304 360號研磨)，並將在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下靜置24小時者作為試驗樣品，在與黏著片(A)相同之條件下，測量紫外線照射前之23℃之黏著力。
其次，從比較用黏著片之基材側，以照度230mW/cm2 ，光量190mJ/cm2 照射紫外線後，在與上述相同之條件下，測量紫外線照射後之23℃之黏著力。
[表1]
(*) 由於無法將試驗樣品貼附於被黏著物(SUS板)，故無法測量黏著力。
由表1可得知，本實施形態所使用之黏著片(A)係在膨脹性粒子之膨脹後比紫外線照射後之比較用黏著片之黏著力還小，且具有優異之分離性。因此，根據本實施形態之製造方法，例如，即使係在實施再配列步驟作為下個步驟之情況，比起過往之紫外線照射型之黏著片還更能容易分離半導體晶片，而提供至再配列步驟。
1a‧‧‧黏著片(a)
1b‧‧‧黏著片(a)
10‧‧‧整列治具
11‧‧‧收納部
11a‧‧‧整列治具之壁部
12‧‧‧框狀之本體部
20‧‧‧保持構件
40‧‧‧密封材料
41‧‧‧硬化密封材料
45‧‧‧半導體晶片CP之周邊部分
50‧‧‧硬化密封體
50a‧‧‧面
61‧‧‧第1絕緣層
62‧‧‧第2絕緣層
70‧‧‧再配線
70A‧‧‧外部電極墊
80‧‧‧外部端子電極
100‧‧‧半導體裝置
200‧‧‧伸展裝置
210‧‧‧保持手段
CP‧‧‧半導體晶片
CPa‧‧‧半導體晶片之側面
W1‧‧‧電路面
W2‧‧‧電路
W3‧‧‧內部端子電極
[圖1]展示本實施形態之兩面黏著片構成之一例之兩面黏著片剖面圖。
[圖2]說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖3]接續圖2說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖4]接續圖3說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖5]接續圖4說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖6]接續圖5說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖7]接續圖6說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖8]接續圖7說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖9]接續圖8說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖10]接續圖9說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖11]接續圖6說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖12]說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖13]說明本實施形態之製造方法之一例的剖面圖。
[圖14]說明實施例所使用之雙軸延伸伸展裝置的平面圖。

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為使用膨脹性黏著片(A)，該膨脹性黏著片(A)具有包含膨脹性粒子之基材(Y1)及黏著劑層(X1)， 且依序具有下述步驟(1)~(3)，在步驟(3)之後使黏著片(A)之膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)由被黏著物分離； 步驟(1)：將在具有基材(Y2)及黏著劑層(X2)之黏著片(B)之黏著劑層(X2)上所載置之複數晶片彼此之間隔，以拉伸黏著片(B)之方式予以擴展的步驟； 步驟(2)：在前述複數晶片之與黏著劑層(X2)接觸之面為反對側之面上貼附黏著片(A)之黏著劑層(X1)的步驟； 步驟(3)：將已貼附於黏著片(A)之前述複數晶片與黏著片(B)予以分離的步驟。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述膨脹性粒子係膨脹起始溫度(t)為60~270℃之熱膨脹性粒子，在步驟(3)之後藉由加熱前述黏著片(A)而使熱膨脹性粒子膨脹，進而使黏著片(A)從被黏著物分離。
  3. 如請求項1或2之半導體裝置之製造方法，其中使前述膨脹性粒子膨脹之前之黏著片(A)之黏著劑層(X1)之黏著力為0.1~10.0N/25mm。
  4. 如請求項1~3中任一項之半導體裝置之製造方法，其中黏著片(A)所具有之基材(Y1)表面之探針黏性值為未滿50mN/5mmφ。
  5. 如請求項1~4中任一項之半導體裝置之製造方法，其中前述晶片為半導體晶片。
  6. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中更具有下述步驟(4A-1)~(4A-3)； 步驟(4A-1)：使用密封材料將前述複數半導體晶片，與黏著劑層(X1)之黏著表面當中前述複數之半導體晶片之周邊部分予以被覆，使該密封材料硬化，而取得前述複數半導體晶片被硬化密封材料所密封而成之硬化密封體的步驟； 步驟(4A-2)：使前述膨脹性粒子膨脹，而使黏著片(A)與前述硬化密封體分離的步驟； 步驟(4A-3)：在已使前述黏著片(A)分離之硬化密封體上形成再配線層的步驟。
  7. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中更具有下述步驟(4B-1)及(4B-2)； ・步驟(4B-1)：使前述膨脹性粒子膨脹而使黏著片(A)與前述複數半導體晶片分離的步驟； ・步驟(4B-2)：使已從黏著片(A)分離之前述複數半導體晶片進行整列的步驟。
  8. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟(4B-2)係使用具備複數能收納前述複數半導體晶片之收納部之整列治具，而使已從黏著片(A)分離之前述複數半導體晶片進行整列的步驟。
  9. 如請求項1~8中任一項之半導體裝置之製造方法，其中黏著片(B)於23℃下在MD方向及CD方向所測量之斷裂伸度為100%以上。
  10. 如請求項1~9中任一項之半導體裝置之製造方法，其係扇出型之半導體裝置之製造方法。
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