TW201842103A - 黏著薄片 - Google Patents

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Abstract

一種黏著薄片，其係具有：非黏著性的熱膨脹性基材、與包含黏著性樹脂的黏著劑層，前述熱膨脹性基材包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子，前述熱膨脹性基材滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。

Description

黏著薄片
本發明為關於黏著薄片。
黏著薄片，不僅只使用於半永久性地固定構件之用途，亦有使用於在加工建材、室內材、電子零件等之際，用來將該等暫時固定之暫時固定用途之情形。 　　對於如此般的暫時固定用途的黏著薄片，要求著兼具使用時的接著性、與使用後的剝離性。
例如，專利文獻1揭示一種電子零件切割時的暫時固定用加熱剝離型黏著薄片，其係於基材的至少單面上設置含有熱膨脹性微球體的熱膨脹性黏著層而成。 　　該加熱剝離型黏著薄片係相對於熱膨脹性黏著層的厚度來調整熱膨脹性微球體的最大粒徑，使加熱前的熱膨脹性黏著層的表面的中心線平均粗糙度調整至0.4μm以下。 　　專利文獻1中係記載下述要旨：在電子零件切割時，該加熱剝離型黏著薄片可確保與黏著體的接觸面積，可發揮防止晶片飛散等的接著不良的接著性，另一方面，使用後，以加熱來使熱膨脹性微球體膨脹，藉由減少與黏著體的接觸面積，而可容易地進行剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第3594853號公報
[發明所欲解決之課題]
近年，隨著電子機器的小型化、薄型化、及高密度化之進展，搭載於電子機器的半導體裝置亦被要求著小型化、薄型化、及高密度化。作為可對應如此般要求的半導體封裝技術，FOWLP(Fan out Wafer Level Package)備受矚目。 　　如圖3所示般，FOWLP50為下述般之半導體封裝：藉由密封樹脂層52將半導體晶片51密封，於被密封的半導體晶片51的表面上設置再配線層53，透過再配線層53來使焊球54與半導體晶片51電氣性連接。 　　如圖3所示般，FOWLP50係由於焊球54的端子可擴張(Fan out)至半導體晶片51的外側，故亦可適用於端子數較半導體晶片51的面積為多之用途。
而在FOWLP之製造步驟中，使半導體晶片載置於黏著薄片上，並以加熱至100℃前後而具有流動性狀態的密封樹脂來進行下述(1)或(2)的所謂的密封步驟，(1)填充至半導體晶片及該半導體晶片的周邊的黏著薄片的表面上並加熱，來形成由密封樹脂所構成之層；(2)將密封用樹脂薄膜層合至半導體晶片上並加熱，來進行積層(lamination)。然後，於該密封步驟後將黏著薄片除去，與經由在表露(表面露出)的半導體晶片側的表面上形成再配電層及焊球之步驟，可製造FOWLP。 　　對於上述密封步驟中所使用的黏著薄片要求著：自載置半導體晶片起至以密封樹脂密封為止之期間，未產生半導體晶片的位置偏移，且，在半導體晶片與黏著薄片的接著界面中，密封樹脂為未侵入之程度的接著性。另一方面要求著：於密封後可容易將黏著薄片除去的剝離性。
在上述FOWLP之製造方法的密封步驟中，亦考量使用例如設置含有熱膨脹性微球體的熱膨脹性黏著層而成的加熱剝離型黏著薄片。 　　然而，經本發明人之檢討得知：將該加熱剝離型黏著薄片使用於上述密封步驟之情形時，載置的半導體晶片會下沈至黏著薄片側。 　　若將半導體晶片以下沈至黏著薄片側之狀態下來使密封樹脂硬化的話，除去黏著薄片後的包含密封樹脂的半導體晶片側的表面，會產生半導體晶片的表面與密封樹脂的表面之間的段差，使得平坦性變差。又可能產生下述弊端：產生半導體晶片的位置偏移，晶片間距離無法保持一定等。 　　進一步亦認為，在將專利文獻1記載之黏著薄片除去之際，即使是以加熱來使熱膨脹性黏著層膨脹，亦由於半導體晶片已下沈至黏著薄片側，若未以較大程度的外力的話，將難以進行剝離。
尚，如此般的問題不僅侷限於FOWLP之製造方法的密封步驟，例如，在PSP(面板規模封裝/Panel Scale Package)之製造過程亦可能產生之問題，在將對象物一邊以黏著薄片暫時固定一邊施予加熱處理之步驟中，為可能會產生的擔心事項。
本發明為有鑑於上述問題點所完成之發明，目的在於提供一種黏著薄片，其係在將對象物暫時固定之際，可抑制加熱時的該對象物的下沈之同時，在剝離時亦能僅以些許之力量而可容易剝離。 [解決課題之手段]
本發明人發現，使黏著薄片設為具有：非黏著性的熱膨脹性基材、與包含黏著性樹脂的黏著劑層，該熱膨脹性基材包含樹脂及熱膨脹性粒子，同時將熱膨脹性基材的指定溫度下的儲存模數E’調整成特定範圍，藉此可解決上述課題。
即，本發明為關於下述[1]~[8]。 　　[1]. 一種黏著薄片，其係具有：非黏著性的熱膨脹性基材、與包含黏著性樹脂的黏著劑層，前述熱膨脹性基材包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子， 　　前述熱膨脹性基材滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。 　　[2]. 如上述[1]記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材滿足下述要件(3)， 　　要件(3)：在100℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(100)為2.0×105 Pa以上。 　　[3]. 如上述[1]或[2]記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述熱膨脹性基材的厚度、與前述黏著劑層的厚度之比(熱膨脹性基材/黏著劑層)為0.2以上。 　　[4]. 如上述[1]~[3]中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述熱膨脹性基材的厚度為10~1000μm，前述黏著劑層的厚度為1~60μm。 　　[5]. 如上述[1]~[4]中任一項記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材的表面的探針黏性值為未滿50mN/5mmf。 　　[6]. 如上述[1]~[5]中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)為1.0×104 ~1.0×108 Pa。 　　[7]. 如上述[1]~[6]中任一項記載之黏著薄片，其中，於前述熱膨脹性基材的雙面分別具有2個前述黏著劑層。 　　[8]. 如上述[1]~[7]中任一項記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑為3~100μm。 　　[9]. 如上述[1]~[8]中任一項記載之黏著薄片，其係在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用。 　　[10]. 一種熱膨脹性基材，其係包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子，並為非黏著性，滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。 　　[11]. 一種黏著薄片之使用方法，其係將上述[1]~[9]中任一項記載之黏著薄片貼合於黏著體後，藉由膨脹開始溫度(t)以上的加熱處理來將前述黏著薄片從前述黏著體上剝離。 　　[12]. 如上述[11]記載之黏著薄片之使用方法，其係在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用。 　　[13]. 如上述[1]~[9]中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的熱膨脹性粒子的平均粒徑、與在23℃下的熱膨脹性基材的厚度之比(平均粒徑/熱膨脹性基材)為超過0.3且未滿1.0。 [發明的效果]
使用本發明的熱膨脹性基材而成的黏著薄片，在將對象物暫時固定之際，可抑制加熱時的該對象物的下沈之同時，在剝離時亦能僅以些許之力量而可容易剝離。
[實施發明之最佳形態]
本發明中所謂的「有效成分」，係指在作為對象的組成物所包含的成分之中，將稀釋溶劑除去後的成分。 　　又，質量平均分子量(Mw)，係以凝膠滲透層析(GPC)法所測量的標準聚苯乙烯換算之值，具體而言為依據實施例記載之方法所測量之值。
本發明中，例如所謂的「(甲基)丙烯酸」，係指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之雙方，其他類似用語亦相同。 　　又，關於較佳的數值範圍(例如，含量等之範圍)，階段性記載的下限值及上限值，可分別獨立地進行組合。例如，從「較佳為10~90，又較佳為30~60」之記載中，亦可將「較佳的下限值(10)」與「又較佳的上限值(60)」進行組合，而設為「10~60」。
[本發明的黏著薄片的構成] 　　本發明的黏著薄片，只要是具有：非黏著性的熱膨脹性基材、與包含黏著性樹脂的黏著劑層，該熱膨脹性基材包含樹脂及熱膨脹性粒子，則未特別限定。 　　圖1及2為表示本發明的黏著薄片的構成的黏著薄片的截面概略圖。
作為本發明的一樣態的黏著薄片，如圖1(a)所示般，可舉例於熱膨脹性基材11上具有黏著劑層12的黏著薄片1a。 　　尚，本發明的一樣態的黏著薄片，如圖1(b)所示的黏著薄片1b般，亦可設為於黏著劑層12的黏著表面上進一步具有剝離材13的構成。
作為本發明的其他的一樣態的黏著薄片，亦可設為如圖2(a)所示般的雙面黏著薄片2a，其係具有將熱膨脹性基材11以第1黏著劑層121及第2黏著劑層122挾持的構成。 　　又，如圖2(b)所示的雙面黏著薄片2b般，亦可設為於第1黏著劑層121的黏著表面上進一步具有剝離材131、於第2黏著劑層122的黏著表面上進一步具有剝離材132的構成。
尚，圖2(b)所示的雙面黏著薄片2b中，若第1黏著劑層121從剝離材131上剝離之際的剝離力量、與第2黏著劑層122從剝離材132上剝離之際的剝離力量為相同程度時，若欲將雙方的剝離材往外側拉起並剝離的話，伴隨著2個剝離材而黏著劑層會有產生被分斷、撕離之現象之情形。 　　就抑制如此般的現象的觀點而言，以使用2個剝離材131、132相互間從被貼合的黏著劑層的剝離力量為相異之方式所設計的「2種的剝離材」為佳。
作為其他的黏著薄片，圖2(a)所示的雙面黏著薄片2a中，亦可為具有下述構成的雙面黏著薄片，該構成係將雙面施予剝離處理的剝離材層合至第1黏著劑層121及第2黏著劑層122的一方的黏著表面，並將其捲成輥狀。
在此，本發明的一樣態的黏著薄片中亦可為下述構成，該構成係在熱膨脹性基材與黏著劑層之間具有其他層。 　　但，就成為僅以些許之力量而可容易地剝離的黏著薄片的觀點而言，如圖1所示的黏著薄片1a、1b、及圖2所示的雙面黏著薄片2a、2b般，以具有熱膨脹性基材11與黏著劑層12為直接層合的構成為較佳。
[熱膨脹性基材] 　　本發明的黏著薄片所具有的熱膨脹性基材，其包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子，並為非黏著性的基材，且滿足下述要件(1)~(2)。 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上。 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。 　　尚，本說明書中，在指定溫度下的熱膨脹性基材的儲存模數E’，係意味著藉由實施例記載之方法所測量之值。
例如，FOWLP之製造過程的密封步驟，一般而言，在23℃前後的室溫下將半導體晶片貼合至黏著薄片上，再從其上方以加熱至100℃前後而具有流動性狀態的密封樹脂填充至半導體晶片上，或是，將密封用樹脂薄片層合至半導體晶片上並加熱來進行積層之方法，藉此將半導體晶片予以密封。 　　亦即，上述要件(1)係規定在如上述般將半導體晶片等的對象物貼合至黏著薄片上之際的溫度環境下(23℃)的熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)。 　　半導體晶片，通常而言係以該電路面被黏著表面覆蓋之方式來予以載置。半導體晶片的載置，可使用倒裝晶片接合器(flip chip bonder)、晶粒接合器(die bonder)等的公知裝置。 　　上述程序之中，使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器來將半導體晶片載置於黏著薄片上之際，由於會對半導體晶片施加往黏著薄片的厚度方向的壓入力量，故半導體晶片會有過度下沈至黏著劑層的厚度方向之虞。又，上述程序之中，使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器來將半導體晶片載置於黏著薄片上之際，會對半導體晶片施加往黏著薄片的平面方向的移動力量，故半導體晶片在黏著劑層的平面方向會有位置偏移之虞。
對於如此般的問題，本發明的黏著薄片為藉由使用下述熱膨脹性基材，其係包含樹脂及熱膨脹性粒子，且如上述要件(1)規定般，將在23℃下的儲存模數E’(23)調整為1.0×106 Pa以上，試圖來解決該問題。
藉由使用滿足上述要件(1)的熱膨脹性基材，將半導體晶片等的對象物貼合至黏著薄片上之際，可防止在貼合半導體晶片等的對象物之際的位置偏移。又，在貼合對象物之際，亦可防止過度下沈至黏著劑層。
就上述觀點而言，上述要件(1)所規定的熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)較佳為5.0×106 ~5.0×1012 Pa，又較佳為1.0×107 ~1.0×1012 Pa，更佳為5.0×107 ~1.0×1011 Pa，又更佳為1.0×108 ~1.0×1010 Pa。
另一方面，上述要件(2)為規定在黏著薄片的剝離時的熱膨脹性基材的儲存模數E’。 　　將本發明的黏著薄片從黏著體上進行剝離之際，藉由加熱至熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)以上的溫度，熱膨脹性基材中的熱膨脹性粒子會膨脹，而在熱膨脹性基材的表面形成凹凸之同時，層合至該凹凸上的黏著劑層亦會被擠壓抬高，在黏著表面亦會形成凹凸。 　　然後，藉由在黏著劑層的黏著表面形成凹凸，可使黏著體(半導體晶片及硬化後的密封樹脂)與黏著表面的接觸面積減少之同時，可在黏著體與黏著表面之間產生空間，藉此能僅以些許之力量而容易將黏著薄片從黏著體上進行剝離。
而在熱膨脹性粒子的膨脹前，進行昇溫之同時熱膨脹性基材的儲存模數E’會降低。但如本發明般地使熱膨脹性粒子含有於「基材」中而成的熱膨脹性基材，相較於如專利文獻1地使熱膨脹性粒子含有於「黏著劑層」中而成的熱膨脹性黏著層，因昇溫所造成的熱膨脹性基材的儲存模數E’的降低程度為小。因此，在密封步驟中，亦可防止半導體晶片等的對象物的位置偏移及過度的下沈至黏著劑層。 　　另一方面，為了提升黏著薄片的剝離性，在加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度之際，必須是能在黏著劑層的黏著表面上容易形成凹凸。因此，必須將熱膨脹性基材中所包含的熱膨脹性粒子調整成為易膨脹。
上述要件(2)為規定在熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)，但該規定亦可稱為顯示在熱膨脹性粒子進行膨脹前的熱膨脹性基材的剛性指標。 　　亦即，經本發明人之檢討得知，當在熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)若超過1.0×107 Pa時，即使是加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度來使熱膨脹性粒子膨脹，但膨脹仍會受到抑制而熱膨脹性粒子無法充分地變大，層合至熱膨脹性基材的表面上的黏著劑層的黏著表面的凹凸形成將為不足。
本發明的一樣態所使用的熱膨脹性基材的要件(2)所規定的儲存模數E’(t)，就上述觀點而言，較佳為9.0×106 Pa以下，又較佳為8.0×106 Pa以下，更佳為6.0×106 Pa以下，又更佳為4.0×106 Pa以下。 　　又，就抑制已膨脹的熱膨脹性粒子的流動、提升形成於黏著劑層的黏著表面上的凹凸的形狀維持性、提升剝離性的觀點而言，該熱膨脹性基材的要件(2)所規定的儲存模數E’(t)較佳為1.0×103 Pa以上，又較佳為1.0×104 Pa以上，更佳為1.0×105 Pa以上。
又，本發明的一樣態的黏著薄片所具有的熱膨脹性基材，以進一步滿足下述要件(3)者為較佳。 　　要件(3)：在100℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(100)為2.0×105 Pa以上。
例如，FOWLP之製造過程的密封步驟，一般而言，以加熱至100℃前後而具有流動性狀態的密封樹脂填充至半導體晶片上，或是，將密封用樹脂薄片層合至半導體晶片上並加熱來進行積層之方法，藉此將半導體晶片予以密封。 　　亦即，上述要件(3)係將FOWLP之製造過程的密封步驟中的溫度環境假設為100℃，來規定在密封步驟中的溫度環境下的熱膨脹性基材的儲存模數E’。
一般而言，如專利文獻1記載之黏著薄片所具有的熱膨脹性黏著劑層，由於包含黏著性樹脂，故在溫度上昇之同時，儲存模數E’的降低情況有變得非常大之傾向。 　　在此，若熱膨脹性黏著劑層的儲存模數E’的降低情況變得非常大時，熱膨脹性黏著劑層中所包含的熱膨脹性粒子及黏著性樹脂會容易流動，伴隨於此，熱膨脹性黏著劑層的黏著表面將容易變形。 　　其結果，例如，將加熱至100℃前後而具有流動性狀態的密封樹脂，以該密封樹脂一邊流入到半導體晶片等的對象物上一邊進行密封時，由於該密封樹脂的重量及隨著加熱的黏著薄片的變柔軟，對象物容易下沈至黏著薄片側。對象物之下沈，將會有對象物的位置偏移的產生、對象物間的距離不均的產生、及、密封後的載置對象物側的表面可看見凹凸，而亦成為平坦性變差之原因。尚，該問題，即使是使用密封用樹脂薄膜並以積層來進行密封之方法，亦為同樣。 　　又，即使是在上述熱膨脹性黏著劑層的表面上設置新的黏著劑層而成的黏著薄片中，亦與上述相同地，由於熱膨脹性黏著劑層中的熱膨脹性粒子及黏著性樹脂的流動，容易產生黏著劑層的黏著表面的變形，而產生上述問題。
對於如此般的問題，本發明的一樣態的黏著薄片為藉由使用下述熱膨脹性基材，其係包含樹脂及熱膨脹性粒子，且如上述要件(3)規定般，將在100℃下的儲存模數E’(100)調整為2.0×105 Pa以上，試圖來解決該問題。
藉由具有滿足要件(3)的熱膨脹性基材，即使是在FOWLP之製造過程等的密封步驟中的溫度環境下，亦可適度地抑制熱膨脹性粒子的流動，因而設置在熱膨脹性基材上的黏著劑層的黏著表面將不易變形。 　　其結果，由於層合至半導體晶片等的對象物上的密封樹脂的重量或使用密封用樹脂薄片的積層所伴隨的壓力而造成的對象物下沈至黏著薄片側、難以形成平坦面等的弊端、或對象物的位置偏移的產生，將可得到抑制。
本發明的一樣態中，在23℃下的熱膨脹性基材的厚度較佳為10~1000μm，又較佳為20~500μm，更佳為25~400μm，又更佳為30~300μm。 　　尚，本說明書中，在23℃下的熱膨脹性基材的厚度，係意味著藉由實施例記載之方法所測量之值。
本發明的一樣態的黏著薄片所具有的熱膨脹性基材，其係非黏著性的基材。 　　本發明中，判斷是否為非黏著性的基材，係對於作為對象的基材的表面，依據JIS Z0237：1991所測量的探針黏性值為未滿50N/5mmf，只要是如此之值則將該基材判斷為「非黏著性的基材」。 　　在此，本發明的一樣態所使用的熱膨脹性基材的表面的探針黏性值為未滿50mN/5mmf，較佳為未滿30mN/5mmf，又較佳為未滿10mN/5mmf，更佳為未滿5mN/5mmf。 　　尚，本說明書中，熱膨脹性基材的表面的探針黏性值的具體的測量方法，如實施例記載之方法。
本發明的一樣態的黏著薄片所具有的熱膨脹性基材，其係包含樹脂及熱膨脹性粒子的基材，但在不損及本發明效果之範圍內，因應所需亦可含有基材用添加劑。 　　又，熱膨脹性基材可由包含樹脂及熱膨脹性粒子的樹脂組成物(y)來形成。 　　以下為對於熱膨脹性基材的形成材料的樹脂組成物(y)中所包含的各成分進行說明。
＜樹脂＞ 　　作為樹脂組成物(y)中所包含的樹脂，只要是可形成滿足上述要件(1)及(2)的熱膨脹性基材的聚合物即可。 　　尚，作為樹脂組成物(y)中所包含的樹脂，可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。 　　亦即，樹脂組成物(y)中所包含的樹脂即使是黏著性樹脂，只要在由樹脂組成物(y)來形成熱膨脹性基材之過程中，使該黏著性樹脂與聚合性化合物進行聚合反應而所得之樹脂變成非黏著性樹脂，並使包含該樹脂的熱膨脹性基材變成非黏著性即可。
作為樹脂組成物(y)中所包含的前述樹脂的質量平均分子量(Mw)，較佳為1000~100萬，又較佳為1000~70萬，更佳為1000~50萬。 　　又，當該樹脂為具有2種以上的構成單位的共聚物時，該共聚物的形態未特別限定，可任意為嵌段共聚物、無規共聚物、及接枝共聚物。
前述樹脂的含量，相對於樹脂組成物(y)的有效成分的全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，又較佳為60~95質量%，更佳為65~90質量%，又更佳為70~85質量%。
尚，就形成滿足上述要件(1)及(2)的熱膨脹性基材的觀點而言，作為樹脂組成物(y)中所包含的前述樹脂，較佳為包含選自丙烯酸胺基甲酸酯(acrylic urethan)系樹脂及烯烴系樹脂中的1種以上。 　　又，作為上述丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，較佳為以下的樹脂(U1)。 ・將胺基甲酸酯預聚物(UP)、與包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物進行聚合而成的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)) 　　作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)，可舉例多元醇與多元異氰酸酯的反應物。 　　尚，胺基甲酸酯預聚物(UP)，較佳為進一步使用鏈延長劑施予鏈延長反應而得到者。
作為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料的多元醇，可舉例如伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯・醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。 　　該等的多元醇，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　作為本發明的一樣態所使用的多元醇，較佳為二醇，以酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇為較佳，又較佳為酯型二醇及碳酸酯型二醇，更佳為碳酸酯型二醇。
作為酯型二醇，可舉例如選自1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等的烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等的伸烷基二醇等的二醇類中的1種或2種以上、與選自鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯橋酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫間苯二甲酸、六氫對苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸等的二羧酸及該等的酐中的1種或2種以上而成的縮聚物。 　　具體而言可舉例：聚伸乙基己二酸酯二醇(polyethylene adipate diol)、聚伸丁基己二酸酯二醇、聚六亞甲基己二酸酯二醇、聚六亞甲基間苯二甲酸酯二醇、聚新戊基己二酸酯二醇、聚伸乙基伸丙基己二酸酯二醇、聚伸乙基伸丁基己二酸酯二醇、聚伸丁基六亞甲基己二酸酯二醇、聚二伸乙基己二酸酯二醇、聚(聚四亞甲基醚)己二酸酯二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸酯)二醇、聚伸乙基壬二酸酯二醇、聚伸乙基癸二酸酯二醇、聚伸丁基壬二酸酯二醇、聚伸丁基癸二酸酯二醇及聚新戊基對苯二甲酸酯二醇等。
作為伸烷基型二醇，可舉例如1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等的烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等的伸烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等的聚伸烷基二醇；聚四亞甲基二醇(polytetramethylene glycol)等的聚氧伸烷基二醇等。
作為碳酸酯型二醇，可舉例如1,4-四亞甲基碳酸酯二醇、1,5-五亞甲基碳酸酯二醇、1,6-六亞甲基碳酸酯二醇、1,2-伸丙基碳酸酯二醇、1,3-伸丙基碳酸酯二醇、2,2-二甲基伸丙基碳酸酯二醇、1,7-七亞甲基碳酸酯二醇、1,8-八亞甲基碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
作為胺基甲酸酯預聚物(UP)的原料的多元異氰酸酯，可舉例芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。 　　該等的多元異氰酸酯，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　又，該等的多元異氰酸酯可為三羥甲基丙烷加成物型改質體、與水反應而得的縮二脲型改質體、含有三聚異氰酸酯環的三聚異氰酸酯型改質體。
該等之中，作為本發明的一樣態所使用的多元異氰酸酯，較佳為二異氰酸酯，又較佳為選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)、及脂環式二異氰酸酯中的1種以上。
作為脂環式二異氰酸酯，可舉例如3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，較佳為異佛酮二異氰酸酯(IPDI)。
本發明的一樣態中，作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的主鏈的胺基甲酸酯預聚物(UP)，其係二醇與二異氰酸酯的反應物，且以兩末端具有乙烯性不飽和基的直鏈胺基甲酸酯預聚物為較佳。 　　作為將乙烯性不飽和基導入至該直鏈胺基甲酸酯預聚物的兩末端的方法，可舉例下述方法：將以二醇及二異氰酸酯化合物反應而成的直鏈胺基甲酸酯預聚物的末端NCO基、與(甲基)丙烯酸羥基烷酯反應。
作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。
作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)的側鏈的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。 　　作為(甲基)丙烯酸酯，較佳為選自(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯中的1種以上，又較佳為併用(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯。
當併用(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯時，作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯的調配比例，相對於(甲基)丙烯酸烷酯100質量份，較佳為0.1~100質量份，又較佳為0.5~30質量份，更佳為1.0~20質量份，又更佳為1.5~10質量份。
作為該(甲基)丙烯酸烷酯所具有的烷基碳數，較佳為1~24，又較佳為1~12，更佳為1~8，又更佳為1~3。
又，作為(甲基)丙烯酸羥基烷酯，可舉例與上述為了將乙烯性不飽和基導入至直鏈胺基甲酸酯預聚物的兩末端而使用的(甲基)丙烯酸羥基烷酯為相同者。
作為(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，可舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等的芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等的乙烯基醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、甲基(丙烯醯胺)等的含極性基的單體等。 　　該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸酯的含量，相對於該乙烯基化合物的全量(100質量%)，較佳為40 ~100質量%，又較佳為65~100質量%，更佳為80~100質量%，又更佳為90~100質量%。
作為乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸烷酯及(甲基)丙烯酸羥基烷酯的合計含量，相對於該乙烯基化合物的全量(100質量%)，較佳為40~100質量%，又較佳為65~100質量%，更佳為80~100質量%，又更佳為90~100質量%。 　　本發明的一樣態所使用的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)，可藉由將胺基甲酸酯預聚物(UP)、與包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物進行混合，並使兩者聚合而得到。 　　該聚合中，以進一步添加自由基起始劑來進行為較佳。
本發明的一樣態所使用的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)中，作為來自於胺基甲酸酯預聚物的構成單位(u11)、與來自於乙烯基化合物的構成單位(u12)的含量比[(u11)/(u12)]，以質量比計，較佳為10/90~80/20，又較佳為20/80~70/30，更佳為30/70~60/40，又更佳為35/65~55/ 45。
(烯烴系樹脂) 　　作為樹脂組成物(y)中所包含的樹脂為適合的烯烴系樹脂方面，其係具有至少來自於烯烴單體的構成單位的聚合物。 　　作為上述烯烴單體，較佳為碳數2~8的α-烯烴，具體而言可舉例乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。 　　該等之中，較佳為乙烯及丙烯。
作為具體的烯烴系樹脂，可舉例如超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880kg/m3 以上未滿910kg/m3 )、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3 以上未滿915kg/m3 )、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915kg/m3 以上未滿942kg/ m3 )、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3 以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等的聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亞乙基-2-降莰烯)等的烯烴系三元共聚物等。
本發明的一樣態中，烯烴系樹脂可以是改質烯烴系樹脂，其係進一步施予選自酸改質、羥基改質、及丙烯酸改質中的1種以上的改質而成。
例如，作為對烯烴系樹脂施予酸改質而成的酸改質烯烴系樹脂，可舉例將不飽和羧酸或該酐接枝聚合於上述未改質的烯烴系樹脂而成的改質聚合物。 　　作為上述不飽和羧酸或該酐，可舉例如馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸、戊烯二酸、四氫鄰苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降莰烯二羧酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐等。 　　尚，不飽和羧酸或該酐，可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為對烯烴系樹脂施予丙烯酸改質而成的丙烯酸改質烯烴系樹脂，可舉例將作為側鏈的(甲基)丙烯酸烷酯接枝聚合於主鏈的上述未改質的烯烴系樹脂而成的改質聚合物。 　　作為上述(甲基)丙烯酸烷酯所具有的烷基的碳數，較佳為1~20，又較佳為1~16，更佳為1~12。 　　作為上述(甲基)丙烯酸烷酯，可舉例如與後述作為單體(a1’)所能選擇的化合物為相同者。
作為對烯烴系樹脂施予羥基改質而成的羥基改質烯烴系樹脂，可舉例將含羥基的化合物接枝聚合於主鏈的上述未改質的烯烴系樹脂而成的改質聚合物。 　　作為上述含羥基的化合物，可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的(甲基)丙烯酸羥基烷酯類；乙烯醇、烯丙醇等的不飽和醇類等。
(丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂) 　　本發明的一樣態中，在不損及本發明效果的範圍內，樹脂組成物(y)中亦可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂。 　　作為如此般的樹脂，可舉例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等的乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不屬於丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂的聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醯亞胺、聚醯亞胺等的聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
但，就形成滿足上述要件(1)及(2)的熱膨脹性基材的觀點而言，樹脂組成物(y)中的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂的含有比例以越少越好。 　　作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外的樹脂的含有比例，相對於樹脂組成物(y)中所包含的樹脂的全量100質量份，較佳為未滿30質量份，又較佳為未滿20質量份，又較佳為未滿10質量份，更佳為未滿5質量份，又更佳為未滿1質量份。
＜熱膨脹性粒子＞ 　　在本發明所使用的熱膨脹性粒子，只要是膨脹開始溫度(t)被調整為120~250℃的粒子即可，可因應用途來適當選擇。 　　尚，本說明書中，熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)，係意味著依據以下之方法所測量之值。 [熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)的測量法] 　　將作為測量對象的熱膨脹性粒子0.5mg添加於直徑6.0mm(內徑5.65mm)、深度4.8mm的鋁杯中，在其上方載置鋁蓋(直徑5.6mm、厚度0.1mm)來製作試料。 　　使用動態黏彈性測量裝置，藉由加壓器對該試料從鋁蓋上部起施加0.01N的力量之狀態下，來測量試料的高度。然後，在藉由加壓器施加0.01N的力量之狀態下，以10℃/min的昇溫速度從20℃加熱至300℃為止，測量加壓器在垂直方向之位移量，並將在正方向的位移開始溫度設為膨脹開始溫度(t)。
作為熱膨脹性粒子，以微膠囊化發泡劑為較佳，其係以由熱可塑性樹脂所構成的外殼、與被內包於該外殼中且經加熱至指定溫度下能夠進行氣化的內包成分所構成。 　　作為構成微膠囊化發泡劑的外殼的熱可塑性樹脂，可舉例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。
作為被內包於該外殼中的內包成分，可舉例如丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、異丁烷、異戊烷、異己烷、異庚烷、異辛烷、異壬烷、異癸烷、環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷、新戊烷、十二烷、異十二烷、環十三烷、己基環己烷、十三烷、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、異十三烷、4-甲基十二烷、異十四烷、異十五烷、異十六烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、異十七烷、異十八烷、異十九烷、2,6,10,14-四甲基十五烷、環十三烷、庚基環己烷、n-辛基環己烷、環十五烷、壬基環己烷、癸基環己烷、十五烷基環己烷、十六烷基環己烷、十七烷基環己烷、十八烷基環己烷等。 　　該等的內包成分，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　可藉由適當選擇內包成分的種類，來調整熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)。
本發明的一樣態所使用，在23℃下的熱膨脹性粒子的膨脹前的平均粒徑(D50 )較佳為3~100μm，又較佳為4~70μm，更佳為6~60μm，又更佳為10~50μm。 　　尚，所謂的熱膨脹性粒子的膨脹前的平均粒徑為體積中位粒徑(D50 )，意味著使用雷射繞射式粒度分布測量裝置(例如，Malvern公司製，製品名「Mastersizer3000」)測量的，在膨脹前的熱膨脹性粒子的粒子分布中從膨脹前的熱膨脹性粒子的小粒徑所計算起的累積體積頻率相當於50%的粒徑。 　　在23℃下的熱膨脹性粒子的平均粒徑、與在23℃下的熱膨脹性基材的厚度之比(平均粒徑/熱膨脹性基材)，就抑制對象物的暫時固定之際的下沈及對象物的剝離時的易剝離性的觀點而言，較佳為0.1以上且未滿1.0，又較佳為0.2以上且未滿1.0，更佳為超過0.3且未滿1.0，又更佳為0.35~0.8，又更佳為0.4~0.6，又更佳為0.4~0.5。
本發明的一樣態所使用，在23℃下的熱膨脹性粒子的90%粒徑(D90 )方面，較佳為10~150μm，又較佳為20~100μm，更佳為25~90μm，又更佳為30~80μm。 　　尚，所謂的熱膨脹性粒子的90%粒徑(D90 )，意味著使用雷射繞射式粒度分布測量裝置(例如，Malvern公司製，製品名「Mastersizer3000」)測量的，在膨脹前的熱膨脹性粒子的粒子分布中從膨脹前的熱膨脹性粒子的小粒徑所計算起的累積體積頻率相當於90%的粒徑。
本發明的一樣態所使用的熱膨脹性粒子，加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度之際，體積最大膨脹率較佳為1.5~100倍，又較佳為2~80倍，更佳為2.5~60倍，又更佳為3~40倍。
熱膨脹性粒子的含量，相對於樹脂組成物(y)的有效成分的全量(100質量%)，較佳為1~40質量%，又較佳為5~35質量%，更佳為10~30質量%，又更佳為15~25質量%。
＜基材用添加劑＞ 　　在不損及本發明效果的範圍內，本發明的一樣態所使用的樹脂組成物(y)亦可含有一般的黏著薄片具有的基材中所包含的基材用添加劑。 　　作為如此般的基材用添加劑，可舉例如紫外線吸收劑、光穩定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、滑劑、抗結塊劑、著色劑等。 　　尚，該等的基材用添加劑，可分別單獨使用，亦可併用2種以上。 　　當含有該等的基材用添加劑時，分別的基材用添加劑的含量，相對於樹脂組成物(y)中的前述樹脂100質量份，較佳為0.0001~20質量份，又較佳為0.001~10質量份。
＜無溶劑型樹脂組成物(y1)＞ 　　作為本發明的一樣態所使用的樹脂組成物(y)，就形成滿足上述要件(1)及(2)的熱膨脹性基材的觀點而言，可舉例未調配溶劑的無溶劑型樹脂組成物(y1)，其係將質量平均分子量(Mw)為50000以下的具有乙烯性不飽和基的寡聚物、與能量線聚合性單體和上述熱膨脹性粒子進行調配而成。 　　無溶劑型樹脂組成物(y1)雖然未調配溶劑，但能量線聚合性單體為貢獻於前述寡聚物的可塑性提升之物。 　　對於由無溶劑型樹脂組成物(y1)所形成的塗膜照射能量線，藉此可容易形成滿足上述要件(1)及(2)的熱膨脹性基材。
尚，關於無溶劑型樹脂組成物(y1)中所調配的熱膨脹性粒子的種類或形狀、調配量(含量)，如同上述。
無溶劑型樹脂組成物(y1)中所包含的前述寡聚物的質量平均分子量(Mw)為50000以下，較佳為1000~50000，又較佳為2000~40000，更佳為3000~35000，又更佳為4000~30000。
又，作為前述寡聚物，於上述樹脂組成物(y)中所包含的樹脂之中，只要是質量平均分子量為50000以下的具有乙烯性不飽和基者即可，但較佳為上述胺基甲酸酯預聚物(UP)。 　　尚，作為該寡聚物，亦可使用具有乙烯性不飽和基的改質烯烴系樹脂。
無溶劑型樹脂組成物(y1)中，前述寡聚物及前述能量線聚合性單體的合計含量，相對於無溶劑型樹脂組成物(y1)的全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，又較佳為60~95質量%，更佳為65~90質量%，又更佳為70~85質量%。
作為能量線聚合性單體，可舉例如(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等的脂環式聚合性化合物；丙烯酸苯基羥基丙酯、丙烯酸苄酯、酚環氧乙烷改質丙烯酸酯等的芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等的雜環式聚合性化合物等。 　　該等的能量線聚合性單體，可單獨使用，亦可併用2種以上。
無溶劑型樹脂組成物(y1)中，前述寡聚物、與前述能量線聚合性單體的含量比(寡聚物/能量線聚合性單體)，以質量比計，較佳為20/80~90/10，又較佳為30/70 ~85/15，更佳為35/65~80/20。
本發明的一樣態中，無溶劑型樹脂組成物(y1)係以進一步調配光聚合起始劑而成為較佳。 　　藉由含有光聚合起始劑，即使是藉由較低能量的能量線的照射，亦可使進行充分的硬化反應。
作為光聚合起始劑，可舉例如1-羥基-環己基-苯基-酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苄基、二乙醯基、8-氯蒽醌(chloroanthraquinone)等。 　　該等的光聚合起始劑，可單獨使用，亦可併用2種以上。
光聚合起始劑的調配量，相對於前述寡聚物及能量線聚合性單體的全量(100質量份)，較佳為0.01~5質量份，又較佳為0.01~4質量份，更佳為0.02~3質量份。
[黏著劑層] 　　本發明的一樣態的黏著薄片所具有的黏著劑層，只要是包含黏著性樹脂者即可，因應所需亦可含有交聯劑、增黏劑、聚合性化合物、聚合起始劑等的黏著劑用添加劑。 　　尚，就防止已載置的半導體晶片等的對象物因密封步驟的加熱而下沈至黏著劑層的觀點而言，本發明的一樣態的黏著薄片所具有的黏著劑層較佳為非熱膨脹性黏著劑層。
本發明的一樣態中，在熱膨脹性粒子的膨脹前的23℃，作為被載置半導體晶片等的對象物的黏著劑層的黏著表面的黏著力，較佳為0.1~10.0N/25mm，又較佳為0.2~8.0N/25mm，更佳為0.4~6.0N/25mm，又更佳為0.5~ 4.0N/25mm。 　　該黏著力只要是0.1N/25mm以上，可充分地將半導體晶片等的黏著體固定，以防止在密封步驟等的下個步驟的位置偏移。 　　另一方面，該黏著力只要是10.0N/25mm以下，於剝離時，藉由加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度，能僅以些許之力量而可容易剝離。 　　尚，上述黏著力，係意味著藉由實施例記載之方法所測量之值。
本發明的一樣態的黏著薄片中，作為在23℃下的被載置半導體晶片等的對象物的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)較佳為1.0×104 ~1.0×108 Pa，又較佳為5.0×104 ~5.0×107 Pa，更佳為1.0×105 ~1.0×107 Pa。 　　若為具有複數個黏著劑層的黏著薄片時，被貼合半導體晶片等的對象物的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)較佳為上述範圍內，相較熱膨脹性基材而言被貼合半導體晶片等的對象物側的全部的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)較佳為上述範圍內。又，相較熱膨脹性基材而言與被貼合半導體晶片等的對象物側為相反側的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)可為上述範圍內，亦可為上述範圍外。 　　該黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)只要是1.0×104 Pa以上，可防止在貼合半導體晶片等的對象物之際的位置偏移，又，可防止在此時的過度下沈至黏著劑層。 　　另一方面，黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)只要是1.0×108 Pa以下，於剝離時，藉由加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度而可容易變形，藉由熱膨脹性基材中的熱膨脹性粒子的膨脹，可容易於黏著劑層的表面形成凹凸，其結果，僅以些許之力量而可容易剝離。 　　尚，本說明書中，黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)，係意味著藉由實施例記載之方法所測量之值。
尚，如圖2所示的雙面黏著薄片2a、2b般，若為具有複數個黏著劑層的黏著薄片時，複數個黏著劑層之中，以被載置半導體晶片等的對象物的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)為上述範圍內為較佳。 　　另一方面，為了固定黏著薄片，作為在23℃下的與支撐體等進行貼合之側的黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)，就與支撐體等的良好密著性的觀點而言，較佳為1.0×104 ~1.0×108 Pa，又較佳為3.0×104 ~5.0×107 Pa，更佳為5.0×104 ~1.0×107 Pa。
本發明的一樣態的黏著薄片所具有的黏著劑層的厚度(23℃)，就展現出優異的黏著力的觀點、及、藉由加熱處理的熱膨脹性基材中的熱膨脹性粒子的膨脹而易於所形成的黏著劑層的表面上形成凹凸的觀點而言，較佳為1~60μm，又較佳為2~50μm，更佳為3~40μm，又更佳為5~30μm。
本發明的一樣態的黏著薄片中，作為在23℃下的熱膨脹性基材的厚度、與黏著劑層的厚度之比[熱膨脹性基材/黏著劑層]，就在FOWLP之製造過程等的密封步驟中使密封後的對象物側的表面變得平坦之同時，並防止對象物的位置偏移的觀點而言，較佳為0.2以上，又較佳為0.5以上，更佳為1.0以上，又更佳為5.0以上，又，就可成為於剝離之際能僅以些許之力量而可容易剝離的黏著薄片的觀點而言，較佳為1000以下，又較佳為200以下，更佳為60以下，又更佳為30以下。
尚，本說明書中，如圖2所示的雙面黏著薄片2a、2b般，若為具有複數個黏著劑層的黏著薄片時，上述在23℃下的「黏著劑層的厚度」，係意味著分別的黏著劑層的厚度。亦即，關於分別的黏著劑層，厚度、及、前述比[熱膨脹性基材/黏著劑層]較佳為上述範圍內。 　　又，在23℃下的黏著劑層的厚度，係意味著藉由實施例記載之方法所測量之值。
本發明的一樣態的黏著薄片所具有的黏著劑層，可由包含黏著性樹脂的黏著劑組成物來形成。 　　又，如圖2所示的雙面黏著薄片2a、2b般，在具有複數個黏著劑層的黏著薄片中，可使分別的黏著劑層由相同的黏著劑組成物來形成，亦可由相異的黏著劑組成物來形成。 　　以下對於黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物中所包含的各成分進行說明。
＜黏著性樹脂＞ 　　作為本發明的一樣態所使用的黏著性樹脂，只要是該樹脂單獨為具有黏著性、質量平均分子量(Mw)為1萬以上的聚合物即可。 　　作為本發明的一樣態所使用的黏著性樹脂的質量平均分子量(Mw)，就提升黏著力的觀點而言，較佳為1萬~200萬，又較佳為2萬~150萬，更佳為3萬~100萬。
作為具體的黏著性樹脂，可舉例如丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等的橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、聚矽氧(silicone)系樹脂、聚乙烯基醚系樹脂等。 　　該等的黏著性樹脂，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　又，當該等的黏著性樹脂為具有2種以上的構成單位的共聚物時，該共聚物的形態未特別限定，可任意為嵌段共聚物、無規共聚物、及接枝共聚物。
本發明的一樣態所使用的黏著性樹脂亦可為能量線硬化型的黏著性樹脂，其係於上述黏著性樹脂的側鏈導入聚合性官能基而成。 　　作為該聚合性官能基，可舉例(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。 　　又，作為能量線，可舉例紫外線或電子線，以紫外線為較佳。
黏著性樹脂的含量，相對於黏著劑組成物的有效成分的全量(100質量%)，較佳為30~99.99質量%，又較佳為40~99.95質量%，更佳為50~99.90質量%，又更佳為55~99.80質量%，再更佳為60~99.50質量%。 　　尚，本說明書的以下的記載中，「相對於黏著劑組成物的有效成分的全量的各成分的含量」，係與「由該黏著劑組成物所形成的黏著劑層中的各成分的含量」為同義。
本發明的一樣態中，就展現出優異的黏著力的觀點、及、藉由加熱處理的熱膨脹性基材中的熱膨脹性粒子的膨脹而易於所形成的黏著劑層的表面上形成凹凸的觀點而言，黏著性樹脂較佳為包含丙烯酸系樹脂。 　　作為黏著性樹脂中的丙烯酸系樹脂的含有比例，相對於黏著劑組成物中所包含的黏著性樹脂的全量(100質量%)，較佳為30~100質量%，又較佳為50~100質量%，更佳為70~100質量%，又更佳為85~100質量%。
(丙烯酸系樹脂) 　　本發明的一樣態中，能使用作為黏著性樹脂的丙烯酸系樹脂之方面，可舉例如：含來自於具有直鏈或分支鏈烷基的(甲基)丙烯酸烷酯的構成單位的聚合物、含來自於具有環狀構造的(甲基)丙烯酸酯的構成單位的聚合物等。
作為丙烯酸系樹脂的質量平均分子量(Mw)，較佳為10萬~150萬，又較佳為20萬~130萬，更佳為35萬~120萬，又更佳為50萬~110萬。
作為本發明的一樣態所使用的丙烯酸系樹脂，又較佳為丙烯酸系共聚物(A1)，其係具有來自於(甲基)丙烯酸烷酯(a1’)(以下亦稱為「單體(a1’)」)的構成單位(a1)及來自於含官能基的單體(a2’)(以下亦稱為「單體(a2’)」)的構成單位(a2)。
作為單體(a1’)所具有的烷基的碳數，就提升黏著特性的觀點而言，較佳為1~24，又較佳為1~12，更佳為2~10，又更佳為4~8。 　　尚，單體(a1’)所具有的烷基，可為直鏈烷基，亦可為分支鏈烷基。
作為單體(a1’)，可舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯等。 　　該等的單體(a1’)，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　作為單體(a1’)，較佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，例如以(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯為較佳。
構成單位(a1)的含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為50~99.9質量%，又較佳為60~99.0質量%，更佳為70~97.0質量%，又更佳為80~95.0質量%。
作為單體(a2’)所具有的官能基，可舉例如羥基、羧基、胺基、環氧基等。 　　亦即，作為單體(a2’)可舉例如含羥基的單體、含羧基的單體、含胺基的單體、含環氧基的單體等。 　　該等的單體(a2’)，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　該等之中，作為單體(a2’)較佳為含羥基的單體及含羧基的單體。
作為含羥基的單體，可舉例如與上述的含羥基的化合物為相同者。
作為含羧基的單體，可舉例如(甲基)丙烯酸、丁烯酸酸等的乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等的乙烯性不飽和二羧酸及其酐、2-(丙烯醯氧基)乙基琥珀酸酯、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。
構成單位(a2)的含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為0.1~40質量%，又較佳為0.5~35質量%，更佳為1.0~30質量%，又更佳為3.0~25質量%。
丙烯酸系共聚物(A1)，可進一步具有來自於單體(a1’)及(a2’)以外的其他的單體(a3’)的構成單位(a3)。 　　尚，丙烯酸系共聚物(A1)中，構成單位(a1)及(a2)的含量，相對於丙烯酸系共聚物(A1)的全構成單位(100質量%)，較佳為70~100質量%，又較佳為80~100質量%，更佳為90~100質量%，又更佳為95~100質量%。
作為單體(a3’)，可舉例如乙烯、丙烯、異丁烯等的烯烴類；氯乙烯、偏二氯乙烯等的鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等的二烯系單體類；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯、醯亞胺(甲基)丙烯酸酯等的具有環狀構造的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯啶酮等。
又，丙烯酸系共聚物(A1)亦可作為能量線硬化型的丙烯酸系共聚物，其係於側鏈導入聚合性官能基而成。 　　作為該聚合性官能基及該能量線，如同上述。 　　尚，聚合性官能基可藉由下述反應來導入：使具有上述構成單位(a1)及(a2)的丙烯酸系共聚物、與具有可和該丙烯酸系共聚物的構成單位(a2)所具有的官能基鍵結的取代基及聚合性官能基的化合物進行反應。 　　作為前述化合物，可舉例如(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、縮水甘油(甲基)丙烯酸酯等。
＜交聯劑＞ 　　本發明的一樣態中，當黏著劑組成物含有如上述丙烯酸系共聚物(A1)般的含有官能基的黏著性樹脂時，較佳為進一步含有交聯劑。 　　該交聯劑係與具有官能基的黏著性樹脂進行反應，並以該官能基作為交聯起點，來使黏著性樹脂彼此進行交聯之物。
作為交聯劑，可舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螫合物系交聯劑等。 　　該等的交聯劑，可單獨使用，亦可併用2種以上。 　　該等的交聯劑之中，就提高凝集力並使黏著力提升的觀點、及易取得等的觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
交聯劑的含量，可依據黏著性樹脂所具有的官能基的數量來適當調整，相對於具有官能基的黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，又較佳為0.03~7質量份，更佳為0.05~5質量份。
＜增黏劑＞ 　　本發明的一樣態中，就更提升黏著力的觀點而言，黏著劑組成物可進一步含有增黏劑。 　　本說明書中所謂的「增黏劑」，係指補助提升上述黏著性樹脂的黏著力的成分，且質量平均分子量(Mw)為未滿1萬的寡聚物，並與上述黏著性樹脂為有所區分者。 　　增黏劑的質量平均分子量(Mw)較佳為400~10000，又較佳為5000~8000，更佳為800~5000。
作為增黏劑，可舉例如松香系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、以石油腦的熱分解所生成的戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、將1,3-戊二烯等的C5餾分共聚合而得到的C5系石油樹脂、以石油腦的熱分解所生成的茚、將乙烯基甲苯等的C9餾分共聚合而得到的C9系石油樹脂、及將該等氫化而成的氫化樹脂等。
增黏劑的軟化點，較佳為60~170℃，又較佳為65~160℃，更佳為70~150℃。 　　尚，本說明書中，增黏劑的「軟化點」為意味著依據JIS K 2531所測量之值。 　　增黏劑可單獨使用，亦可併用軟化點或構造為相異的2種以上的增黏劑。 　　然後，當使用2種以上的複數個增黏劑時，該等複數個增黏劑的軟化點的加權平均較佳為屬於上述範圍。
增黏劑的含量，相對於黏著劑組成物的有效成分的全量(100質量%)，較佳為0.01~65質量%，又較佳為0.05~55質量%，更佳為0.1~50質量%，又更佳為0.5~45質量%，再更佳為1.0~40質量%。
＜光聚合起始劑＞ 　　本發明的一樣態中，當包含能量線硬化型的黏著性樹脂來作為黏著性樹脂時，黏著劑組成物較佳為進一步含有光聚合起始劑。 　　藉由設為含有能量線硬化型的黏著性樹脂及光聚合起始劑的黏著劑組成物，由該黏著劑組成物所形成的黏著劑層，即使是藉由較低能量的能量線的照射，亦可使其進行充分的硬化反應，可將黏著力調整成所希望之範圍。 　　尚，作為本發明的一樣態所使用的光聚合起始劑，可舉例與上述無溶劑型樹脂組成物(y1)中所調配的光聚合起始劑為相同者。
光聚合起始劑的含量，相對於能量線硬化型的黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，又較佳為0.03~5質量份，更佳為0.05~2質量份。
＜黏著劑用添加劑＞ 　　本發明的一樣態中，在不損及本發明效果的範圍內，除了上述添加劑以外，黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物亦可含有一般的黏著劑中所使用的黏著劑用添加劑。 　　作為如此般的黏著劑用添加劑，可舉例如抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防鏽劑、顏料、染料、延遲劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑等。 　　尚，該等的黏著劑用添加劑，可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
當含有該等的黏著劑用添加劑時，分別的黏著劑用添加劑的含量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.0001~20質量份，又較佳為0.001~10質量份。
在不損及本發明效果的範圍內，黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物亦可含有熱膨脹性粒子。 　　但，如同上述，本發明的一樣態的黏著薄片所具有的黏著劑層，較佳為非熱膨脹性黏著劑層。因此，該黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物，熱膨脹性粒子的含量以盡可能越少越好。 　　熱膨脹性粒子的含量，相對於黏著劑組成物的有效成分的全量(100質量%)，較佳為未滿5質量%，又較佳為未滿1質量%，更佳為未滿0.1質量%，又更佳為未滿0.01質量%，特佳為未滿0.001質量%。
[剝離材] 　　如圖1(b)的黏著薄片1b及圖2(b)的黏著薄片2b般，本發明的一樣態的雙面黏著薄片，在黏著劑層的貼合表面可進一步具有剝離材。 　　尚，如圖2(b)的黏著薄片2b般，具有2個黏著劑層的黏著薄片，設置在分別的黏著劑層的貼合表面上的2片的剝離材，以剝離力量之差為相異之方式來進行調整者為較佳。 　　作為剝離材，可使用經雙面剝離處理而成的剝離薄片、或經單面剝離處理而成的剝離薄片，可舉例在剝離材用的基材上塗布剝離劑而成者等。
作為剝離材用基材，可舉例如上質紙、玻璃紙、牛皮紙等的紙類；聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂等的聚酯樹脂薄膜、聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等的烯烴樹脂薄膜等的塑膠薄膜等。
作為剝離劑，可舉例如聚矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等的橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。
在23℃下的剝離材的厚度未特別限制，較佳為10~200μm，又較佳為25~170μm，更佳為35~80μm。
[黏著薄片之製造方法] 　　作為本發明的黏著薄片之製造方法未特別限制，可舉例具有下述步驟(1a)及(2a)的製造方法(a)。 ・步驟(1a)：將熱膨脹性基材的形成材料的樹脂組成物(y)塗布至剝離材的剝離處理面上來形成塗膜，將該塗膜以乾燥或照射UV來形成熱膨脹性基材的步驟。 ・步驟(2a)：將黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物塗布至已形成的前述熱膨脹性基材的表面上來形成塗膜，乾燥該塗膜來形成黏著劑層的步驟。
又，作為本發明的黏著薄片之其他製造方法，可舉例具有下述步驟(1b)~(3b)的製造方法(b)。 ・步驟(1b)：將熱膨脹性基材的形成材料的樹脂組成物(y)塗布至剝離材的剝離處理面上來形成塗膜，乾燥該塗膜來形成熱膨脹性基材的步驟。 ・步驟(2b)：將黏著劑層的形成材料的黏著劑組成物塗布至剝離材的剝離處理面上來形成塗膜，乾燥該塗膜來形成黏著劑層的步驟。 ・步驟(3b)：將步驟(1b)所形成的前述熱膨脹性基材的表面、與步驟(2b)所形成的黏著劑層的表面進行貼合的步驟。
上述製造方法(a)及(b)中，樹脂組成物(y)及黏著劑組成物可進一步調配稀釋溶劑，來使成為溶液形態。 　　作為塗布方法，可舉例如旋塗法、噴塗法、棒塗法、刮刀塗布法、輥塗法、刮板塗布法、模塗法、凹版塗布法等。
又，製造方法(a)的步驟(1a)、及、製造方法(b)的步驟(1b)中，在從塗膜來形成熱膨脹性基材的乾燥過程之中，就防止熱膨脹性粒子的膨脹的觀點而言，乾燥溫度係以未滿熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)來進行為較佳。
[本發明的黏著薄片之用途、黏著薄片之使用方法] 　　本發明的黏著薄片，在將對象物暫時固定之際，可抑制加熱時的該對象物的下沈之同時，在剝離時亦能僅以些許之力量而可容易剝離。 　　因此，本發明的黏著薄片較佳在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用，具體而言，以在製造FOWLP之際的密封步驟中來使用為較佳。
在製造FOWLP之際的密封步驟，將半導體晶片載置於本發明的黏著薄片的黏著劑層的黏著表面後，以密封樹脂來被覆半導體晶片的上面及黏著表面，藉由加熱使密封樹脂熱硬化並進行密封。 　　此時，若使用一般的黏著薄片時，因密封步驟中的加熱，構成黏著薄片的各層的彈性率會降低，可看到載置的半導體晶片會下沈至黏著薄片側。 　　對此，由於本發明的黏著薄片為滿足上述要件(1)，故可有效地抑制在密封步驟中可能產生的半導體晶片的下沈至黏著薄片側，可使密封後的半導體晶片側的表面變得平坦之同時，並可抑制半導體晶片的位置偏移的產生。
作為密封樹脂，可從作為半導體密封材料所使用的密封樹脂中任意選擇適當者來使用，可舉例如包含熱硬化性樹脂的密封樹脂、或包含能量線硬化性樹脂的密封樹脂。 　　又，密封樹脂在室溫下可為顆粒狀、薄片狀等的固形，亦可成為如組成物的形態的液狀，就作業性的觀點而言，較佳為薄片狀的密封樹脂。
作為使用密封樹脂來被覆半導體晶片及其周邊部的方法，可從以往適用於半導體密封步驟的方法中，因應密封樹脂的種類而選擇適當方法來予以適用。例如，可適用：輥積層法、真空壓製法、真空積層法、旋塗法、模塗法、轉注成型法、壓縮成型法等。
尚，密封步驟係以在未滿熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)的溫度條件下來進行為佳。 　　又，密封樹脂的被覆處理與熱硬化處理，可分別來實施，當在被覆處理中加熱密封樹脂時，可藉由該加熱來使密封樹脂直接地硬化，而同時實施被覆處理與熱硬化處理。
另一方面，密封步驟結束後，藉由加熱至膨脹開始溫度(t)以上的溫度，可僅以些許之力量而容易地將黏著薄片剝離。 　　作為將黏著薄片進行剝離之際的「膨脹開始溫度(t)以上的溫度」，較佳為「膨脹開始溫度(t)+10℃」以上「膨脹開始溫度(t)+60℃」以下，又較佳為「膨脹開始溫度(t)+15℃」以上「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下。
又，由於本發明的黏著薄片的上述特性，本發明亦可提供下述[1]的黏著薄片之使用方法。 　　[1] 一種黏著薄片之使用方法，其係將上述本發明的黏著薄片貼合於黏著體後，藉由膨脹開始溫度(t)以上的加熱處理來將前述黏著薄片從前述黏著體上剝離。 　　尚，該使用方法較佳在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用。 [實施例]
藉由以下的實施例具體地對於本發明進行說明，但本發明並不受限於以下的實施例。尚，以下之製造例及實施例中的物性值為藉由下述方法所測量之值。
＜質量平均分子量(Mw)＞ 　　使用凝膠滲透色譜裝置(Tosoh(股)公司製，製品名「HLC-8020」)並利用下述條件下進行測量，使用以標準聚苯乙烯換算所測量之值。 (測量條件) ・管柱：依序連結「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(皆為Tosoh(股)公司製)而成者 ・管柱溫度：40℃ ・展開劑：四氫呋喃 ・流速：1.0mL/min
＜各層的厚度的測量＞ 　　使用(股)Teclock製的定壓厚度測量器(型號：「PG-02J」，依據標準規格：JIS K6783、Z1702、Z1709)來測量各層的厚度(23℃)。
＜熱膨脹性粒子的平均粒徑(D50 )、90%粒徑(D90 )＞ 　　使用雷射繞射式粒度分布測量裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer3000」)來測量在23℃下的膨脹前的熱膨脹性粒子的粒子分布。 　　然後，將從粒子分布的小粒徑所計算起的累積體積頻率為相當於50%及90%的粒徑，分別設為「熱膨脹性粒子的平均粒徑(D50 )」及「熱膨脹性粒子的90%粒徑(D90 )」。
＜熱膨脹性基材的儲存模數E’＞ 　　當測量對象為非黏著性的熱膨脹性基材時，使該熱膨脹性基材成為縱5mm×橫30mm×厚度200μm的大小，除去剝離材後將其做為試驗樣品。 　　使用動態黏彈性測量裝置(TA Instruments公司製，製品名「DMAQ800」)，以試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、昇溫速度3℃/分、振動數1Hz、振幅20μm的條件，測量在指定溫度下的該試驗樣品的儲存模數E’。
＜黏著劑層的剪切儲存模數G’、熱膨脹性黏著劑層的儲存模數E’＞ 　　當測量對象為具有黏著性的熱膨脹性黏著劑層及黏著劑層時，使該熱膨脹性黏著劑層及黏著劑層成為直徑8mm×厚度3mm，除去剝離材後將其做為試驗樣品。 　　使用黏彈性測量裝置(Anton Paar公司製，裝置名「MCR300」)，以試驗開始溫度0℃、試驗結束溫度300℃、昇溫速度3℃/分、振動數1Hz的條件，藉由扭轉剪斷法來測量在指定溫度下的試驗樣品的剪切儲存模數G’。 　　然後，儲存模數E’之值為依據所測量的剪切儲存模數G’之值，由近似式「E’=3G’」來算出。
＜探針黏性值＞ 　　將作為測量對象的熱膨脹性基材或熱膨脹性黏著劑層切割成為邊長10mm的正方形後，在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下靜置24小時，除去輕剝離薄膜後將其做為試驗樣品。 　　在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，使用黏性試驗機(日本特殊測器(股)公司製，製品名「NTS-4800」)，對於輕剝離薄膜為已除去且表露的前述試驗樣品，依據JIS Z0237：1991來測量前述試驗樣品的表面的探針黏性值。 　　具體而言，使直徑5mm的不鏽鋼製的探針，以1秒鐘、接觸荷重0.98N/cm2 來接觸於試驗樣品的表面，之後，測量將該探針以10mm/秒的速度從試驗樣品的表面進行脫離時所需要的力量。然後，將該測量之值設為該試驗樣品的探針黏性值。
在以下之製造例中使用來形成各層的黏著性樹脂、添加劑、熱膨脹性粒子、及剝離材之詳細，係如同下述。 ＜黏著性樹脂＞ ・丙烯酸系共聚物(i)：包含Mw60萬的丙烯酸系共聚物的溶液，該丙烯酸系共聚物具有來自於由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)=80.0/20.0(質量比)所成的原料單體的構成單位。稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：40質量%。 ・丙烯酸系共聚物(ii)：包含Mw60萬的丙烯酸系共聚物的溶液，該丙烯酸系共聚物具有來自於由丙烯酸n-丁酯(BA)/甲基丙烯酸甲酯(MMA)/丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)/丙烯酸=86.0/8.0/5.0/1.0(質量比)所成的原料單體的構成單位。稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：40質量%。 ＜添加劑＞ ・異氰酸酯交聯劑(i)：Tosoh(股)公司製，製品名「Coronate L」，固形分濃度：75質量%。 ・光聚合起始劑(i)：BASF公司製，製品名「Irgacure 184」、1-羥基-環己基-苯基-酮。 ＜熱膨脹性粒子＞ ・熱膨脹性粒子(i)：(股)Kureha製，製品名「S2640」、膨脹開始溫度(t)=208℃、平均粒徑(D50 )=24μm、90%粒徑(D90 )=49μm。 ＜剝離材＞ 　　・重剝離薄膜：Lintec(股)公司製，製品名「SP-PET382150」，在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的單面設置有由聚矽氧系剝離劑所形成的剝離劑層而成者，厚度：38μm。 　　・輕剝離薄膜：Lintec(股)公司製，製品名「SP-PET381031」，在PET薄膜的單面設置有由聚矽氧系剝離劑所形成的剝離劑層而成者，厚度：38μm。
製造例1(第1黏著劑層(X-1)的形成) 　　對於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(i)的固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i)5.0質量份(固形分比)，使用甲苯稀釋並攪拌均勻後，調製成固形分濃度(有效成分濃度)25質量%的組成物(x-1)。 　　然後，將已調製的組成物(x-1)塗布至上述重剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度10μm的第1黏著劑層(X-1)。 　　尚，在23℃下的第1黏著劑層(X-1)的剪切儲存模數G’(23)為2.5×105 Pa。
製造例2(第2黏著劑層(X-2)的形成) 　　對於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(ii)的固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i)0.8質量份(固形分比)，使用甲苯稀釋並攪拌均勻後，調製成固形分濃度(有效成分濃度)25質量%的組成物(x-2)。 　　然後，將已調製的組成物(x-2)塗布至上述輕剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度10μm的第2黏著劑層(X-2)。 　　尚，在23℃下的第2黏著劑層(X-2)的剪切儲存模數G’(23)為9.0×104 Pa。
製造例3(熱膨脹性基材(Y-1)的形成) (1)組成物(y-1)的調製 　　使酯型二醇、與異佛酮二異氰酸酯(IPDI)反應得到末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物，使丙烯酸2-羥基乙酯與該預聚物反應而得到質量平均分子量(Mw)5000的2官能丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物。 　　然後，對於上述已合成的丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物40質量%(固形分比)，調配作為能量線聚合性單體的丙烯酸異莰酯(IBXA)40質量%(固形分比)、及丙烯酸苯基羥基丙酯(HPPA)20質量%(固形分比)，相對於丙烯酸胺基甲酸酯系寡聚物及能量線聚合性單體的全量100質量份，進一步調配作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，製品名「Irgacure 184」)2.0質量份(固形分比)、及、作為添加劑的酞青素系顏料0.2質量份(固形分比)，調製成能量線硬化性組成物。 　　然後，對於該能量線硬化性組成物調配上述熱膨脹性粒子(i)，調製成未含溶劑的無溶劑型組成物(y-1)。 　　尚，相對於組成物(y-1)的全量(100質量%)，熱膨脹性粒子(i)的含量為20質量%。
(2)熱膨脹性基材(Y-1)的形成 　　將已調製的組成物(y-1)塗布至上述輕剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜。 　　然後，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics公司製，製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈(Eyegraphics公司製，製品名「H04-L41」)，以照度160mW/cm2 、光量500mJ/cm2 的條件來照射紫外線，使該塗膜硬化後，形成厚度50μm的熱膨脹性基材(Y-1)。尚，紫外線照射時的上述照度及光量為使用照度・光量計(EIT公司製，製品名「UV Power Puck II」)所測量之值。
製造例4(熱膨脹性基材(Y-2)的形成) (1)胺基甲酸酯預聚物的合成 　　在氮氛圍下的反應容器內，以碳酸酯型二醇的羥基與異佛酮二異氰酸酯的異氰酸酯基的當量比成為1/1之方式，對於質量平均分子量1,000的碳酸酯型二醇100質量份(固形分比)調配異佛酮二異氰酸酯(IPDI)，進一步添加甲苯160質量份，以氮氛圍下，一邊進行攪拌，一邊以80℃使反應6小時以上直到異氰酸酯基濃度達到理論量為止。 　　接下來，添加以甲苯30質量份稀釋甲基丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEMA)1.44質量份(固形分比)而成的溶液，進一步以80℃使反應6小時直到兩末端的異氰酸酯基消失為止，得到質量平均分子量2.9萬的胺基甲酸酯預聚物。
(2)丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂的合成 　　在氮氛圍下的反應容器內，添加上述(1)所得到的胺基甲酸酯預聚物100質量份(固形分比)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)117質量份(固形分比)、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEMA)5.1質量份(固形分比)、1-硫甘油1.1質量份(固形分比)、及甲苯50質量份，一邊攪拌一邊昇溫至105℃。 　　然後，對反應容器內，以維持在105℃之狀態下，花費4小時進一步滴下以甲苯210質量份稀釋自由基起始劑((股)Japan Finechem製，製品名「ABN-E」)2.2質量份(固形分比)而成的溶液。 　　滴下結束後，以105℃使反應6小時，得到質量平均分子量10.5萬的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂的溶液。
(3)熱膨脹性基材(Y-2)的形成 　　對於上述(2)所得到的丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂的溶液的固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i)6.3質量份(固形分比)、作為觸媒的二辛基錫雙(2-乙基己酸鹽)1.4質量份(固形分比)、及上述熱膨脹性粒子(i)，使用甲苯稀釋並攪拌均勻後，調製成固形分濃度(有效成分濃度)30質量%的組成物(y-2)。 　　尚，相對於所得到的組成物(y-2)中的有效成分的全量(100質量%)，熱膨脹性粒子(i)的含量為20質量%。 　　然後，將已調製的組成物(y-2)塗布至上述輕剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥120秒鐘，形成厚度50μm的熱膨脹性基材(Y-2)。
製造例5(熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的形成) 　　對於黏著性樹脂的上述丙烯酸系共聚物(ii)的固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i)6.3質量份(固形分比)、及、上述熱膨脹性粒子(i)，使用甲苯稀釋並攪拌均勻後，調製成固形分濃度(有效成分濃度)30質量%的組成物(y-3)。 　　尚，相對於所得到的組成物(y-3)中的有效成分的全量(100質量%)，熱膨脹性粒子(i)的含量為20質量%。 　　然後，將已調製的組成物(y-3)塗布至上述輕剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥120秒鐘，形成厚度50μm的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)。
製造例6(熱膨脹性基材(Y-4)的形成) (1)丙烯酸系共聚物(iii)的合成 　　使丙烯酸n-丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)28質量份在乙酸乙酯溶劑中進行溶液聚合，得到非能量線硬化性的丙烯酸系共聚物。 　　以相對於所得到的該丙烯酸系共聚物的全羥基數而言異氰酸酯基數成為0.9當量之量，將甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)添加至包含該丙烯酸系共聚物的溶液中來使其反應，得到側鏈具有甲基丙烯醯基的Mw100萬的能量線硬化性的丙烯酸系共聚物(iii)。
(2)熱膨脹性基材(Y-4)的形成 　　然後，相對於上述(1)所得到的能量線硬化性的丙烯酸系共聚物(iii)的固形分100質量份，調配上述異氰酸酯系交聯劑(i)0.5質量份(固形分比)、上述光聚合起始劑(i)3.0質量份(固形分比)、上述熱膨脹性粒子(i)，使用甲苯稀釋並攪拌均勻後，調製成固形分濃度(有效成分濃度)30質量%的組成物(y-4)。 　　尚，相對於所得到的組成物(y-4)中的有效成分的全量(100質量%)，熱膨脹性粒子(1)的含量為20質量%。 　　然後，將已調製的組成物(y-4)塗布至上述輕剝離薄膜的剝離劑層的表面上來形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥120秒鐘後，以照度160mW/cm2 、光量500mJ/cm2 的條件來照射紫外線，形成厚度50μm的熱膨脹性基材(Y-4)。尚，紫外線照射時的上述照度及光量為使用照度・光量計(EIT公司製，製品名「UV Power Puck II」)所測量之值。
對於製造例3~4、6所形成的熱膨脹性基材(Y-1)~(Y-2)、(Y-4)及、製造例5所形成的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)，依據上述方法，分別測量在23℃、100℃、及所使用的熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度的208℃下的儲存模數E’(208)及探針黏性值。將該等結果表示於表1。
實施例1 　　將製造例1所形成的第1黏著劑層(X-1)、與製造例3所形成的熱膨脹性基材(Y-1)的表面彼此進行貼合後，除去熱膨脹性基材(Y-1)側的輕剝離薄膜，將製造例2所形成的第2黏著劑層(X-2)貼合至表露的熱膨脹性基材(Y-1)的表面上。 　　藉此來製作依序層合輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X-2)/熱膨脹性基材(Y-1)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離薄膜而成的黏著薄片(1)。
實施例2 　　除了以製造例4所形成的熱膨脹性基材(Y-2)來取代熱膨脹性基材(Y-1)以外，其餘與實施例1為相同地，來製作依序層合輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X-2)/熱膨脹性基材(Y-2)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離薄膜而成的黏著薄片(2)。
比較例1 　　將製造例2所形成的第2黏著劑層(X-2)、與製造例5所形成的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的表面彼此進行貼合。 　　然後，除去熱膨脹性黏著劑層(Y-3)側的輕剝離薄膜，將製造例1所形成的第1黏著劑層(X-1)貼合至表露的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的表面上。 　　藉此來製作依序層合輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X-2)/熱膨脹性黏著劑層(Y-3)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離薄膜而成的黏著薄片(3)。
比較例2 　　除了以製造例6所形成的熱膨脹性基材(Y-4)來取代熱膨脹性基材(Y-1)以外，其餘與實施例1為相同地，來製作依序層合輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X-2)/熱膨脹性基材(Y-4)/第1黏著劑層(X-1)/重剝離薄膜而成的黏著薄片(4)。
比較例3 　　將製造例2所形成的第2黏著劑層(X-2)、與製造例5所形成的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的表面彼此進行貼合，來製作依序層合輕剝離薄膜/第2黏著劑層(X-2)/熱膨脹性黏著劑層(Y-3)/輕剝離薄膜而成的黏著薄片(5)。
又，對於已製作的黏著薄片(1)~(5)進行以下的測量。將該等結果表示於表2。
＜晶片載置時及密封步驟時的半導體晶片的位置偏移評估＞ 　　將已製作的黏著薄片(1)~(5)所具有的第2黏著劑層(X-2)側的輕剝離薄膜予以除去，使表露的第2黏著劑層(X-2)的黏著表面與支撐體進行貼合。 　　然後，將黏著薄片(1)~(4)的重剝離薄膜、及、黏著薄片(5)的另一方的輕剝離薄膜予以除去，使9個半導體晶片(分別的晶片尺寸為6.4mm×6.4mm、晶片厚度為200μm (♯2000))，以該黏著表面與各半導體晶片的電路面為接觸之方式並空出必要的間隔載置於表露的第1黏著劑層(X-1)或熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的黏著表面上。又，將黏著薄片(5)的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)側的輕剝離薄膜予以除去，並與黏著薄片(1)~(4)之情形為相同地，將半導體晶片載置於表露的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的黏著表面上。
如上述般操作將半導體晶片載置於黏著薄片(1)~(5)後，以目視及顯微鏡來觀察第1黏著劑層的黏著表面上的半導體晶片，確認半導體晶片的位置偏移的有無，依據以下的基準來評估。 ・A：未確認到半導體晶片相對於預定載置部位產生25μm以上的位置偏移。 ・F：可確認到半導體晶片相對於預定載置部位產生25μm以上的位置偏移。
之後，使密封樹脂薄膜層合至黏著表面及半導體晶片之上方，使用真空加熱加壓層合機(ROHM and HAAS公司製的「7024HP5」)來密封半導體晶片，而製成密封體。 　　尚，密封條件如同下述。 ・預熱溫度：工作台及隔板皆為100℃ ・抽真空：60秒鐘 ・動態壓製模式：30秒鐘 ・靜態壓製模式：10秒鐘 ・密封溫度：180℃(較熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度的208℃為低溫) ・密封時間：60分鐘
密封後，將黏著薄片(1)~(5)以熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(208℃)以上的240℃加熱3分鐘，將黏著薄片(1)~(5)從該密封體上剝離，以目視及顯微鏡來觀察分離後的密封體的表面(黏著薄片所貼合的面)的半導體晶片，確認半導體晶片的位置偏移的有無，依據以下的基準來評估。 ・A：未確認到半導體晶片產生較密封前為25μm以上的位置偏移。 ・F：可確認到半導體晶片產生較密封前為25μm以上的位置偏移。
＜密封步驟後的半導體晶片側的表面的平坦性的評估＞ 　　將上述「密封步驟時的半導體晶片的位置偏移評估」中所得到的黏著薄片(1)~(5)為已分離的密封體的半導體晶片側的表面，使用接觸式表面粗糙度計(Mitutoyo公司製「SV3000」)來測量段差，依據以下的基準來評估。 ・A：未確認到產生2μm以上的段差的部位。 ・F：可確認到產生2μm以上的段差的部位。
＜在加熱前後的黏著薄片的黏著力的測量＞ 　　將已製作的黏著薄片(1)~(5)所具有的第2黏著劑層(X-2)側的輕剝離薄膜予以除去，使厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東洋紡(股)公司製，製品名「Cosmoshine A4100」)層合至表露的第2黏著劑層(X-2)的黏著表面上，製成附有基材的黏著薄片。 　　然後，亦將黏著薄片(1)~(4)的重剝離薄膜予以除去，使表露的第1黏著劑層(X-1)或熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的黏著表面貼合至黏著體的不鏽鋼板(SUS304 360號研磨)，在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下靜置24小時，將其作為試驗樣品。又，將黏著薄片(5)的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)側的輕剝離薄膜予以除去，對於表露的熱膨脹性黏著劑層(Y-3)的黏著表面進行與黏著薄片(1)~(4)相同的程序，來準備試驗樣品。 　　然後，使用上述試驗樣品，在23℃、50%RH(相對濕度)的環境下，依據JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，以拉起速度300mm/分來測量在23℃下的黏著力。 　　又，將上述試驗樣品以在加熱板上，以熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(208℃)以上的240℃加熱3分鐘，在標準環境(23℃、50%RH(相對濕度))下靜置60分鐘後，亦依據JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，以拉起速度300mm/分來測量在膨脹開始溫度以上的加熱後的黏著力。 　　尚，當幾乎無法貼合至黏著體的不鏽鋼板而難以測量黏著力時，評估為「無法測量」，並將該黏著力設為0(N/25mm)。
由表2可得知，實施例1及2的黏著薄片(1)及(2)，在晶片載置時未看到半導體晶片的位置偏移，又，在密封步驟時亦未看到半導體晶片的位置偏移，密封步驟後的半導體晶片側的表面亦為平坦。 　　又，黏著薄片(1)及(2)在加熱前雖然具有良好的黏著力，但在膨脹開始溫度以上的加熱後，黏著力降低至無法測量之程度，因此，證明了在剝離時能僅以些許之力量而可容易剝離之結果。
另一方面，比較例1的黏著薄片(3)及比較例3的黏著薄片(5)，由於不具有熱膨脹性基材而是具有熱膨脹性黏著劑層，在晶片載置時及密封步驟時可看到半導體晶片的位置偏移，又，密封步驟後的半導體晶片側的表面可看到段差。因此認為不適合在例如製造FOWLP之際的密封步驟中使用。 　　又，比較例2的黏著薄片(4)，即使是在膨脹開始溫度以上的加熱前後，亦具有一定的黏著力，其結果無法稱為可藉由加熱來進行剝離。
1a、1b‧‧‧黏著薄片
2a、2b‧‧‧雙面黏著薄片
11‧‧‧熱膨脹性基材
12‧‧‧黏著劑層
121‧‧‧第1黏著劑層
122‧‧‧第2黏著劑層
13、131、132‧‧‧剝離材
50‧‧‧FOWLP
51‧‧‧半導體晶片
52‧‧‧密封樹脂層
53‧‧‧再配線層
54‧‧‧焊球
[圖1] 表示本發明的黏著薄片的構成之一例的黏著薄片的截面概略圖。 　　[圖2]表示本發明的黏著薄片的構成之一例的雙面黏著薄片的截面概略圖。 　　[圖3]表示FOWLP之一例的截面概略圖。

Claims (13)

  1. 一種黏著薄片，其係具有：非黏著性的熱膨脹性基材、與包含黏著性樹脂的黏著劑層，前述熱膨脹性基材包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子， 　　前述熱膨脹性基材滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。
  2. 如請求項1記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材滿足下述要件(3)， 　　要件(3)：在100℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(100)為2.0×105 Pa以上。
  3. 如請求項1或2記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述熱膨脹性基材的厚度、與前述黏著劑層的厚度之比(熱膨脹性基材/黏著劑層)為0.2以上。
  4. 如請求項1~3中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述熱膨脹性基材的厚度為10~1000μm，前述黏著劑層的厚度為1~60μm。
  5. 如請求項1~4中任一項記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材的表面的探針黏性值為未滿50mN/5mmf。
  6. 如請求項1~5中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的前述黏著劑層的剪切儲存模數G’(23)為1.0×104 ~1.0×108 Pa。
  7. 如請求項1~6中任一項記載之黏著薄片，其中，於前述熱膨脹性基材的雙面分別具有2個前述黏著劑層。
  8. 如請求項1~7中任一項記載之黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑為3~100μm。
  9. 如請求項1~8中任一項記載之黏著薄片，其係在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用。
  10. 一種熱膨脹性基材，其係包含樹脂及膨脹開始溫度(t)為120~250℃的熱膨脹性粒子，並為非黏著性，滿足下述要件(1)~(2)， 　　要件(1)：在23℃下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(23)為1.0×106 Pa以上； 　　要件(2)：在前述熱膨脹性粒子的膨脹開始溫度(t)下的前述熱膨脹性基材的儲存模數E’(t)為1.0×107 Pa以下。
  11. 一種黏著薄片之使用方法，其係將請求項1~9中任一項記載之黏著薄片貼合於黏著體後，藉由膨脹開始溫度(t)以上的加熱處理來將前述黏著薄片從前述黏著體上剝離。
  12. 如請求項11記載之黏著薄片之使用方法，其係在使用密封樹脂並以伴隨加熱的密封步驟中使用。
  13. 如請求項1~9中任一項記載之黏著薄片，其中，在23℃下的熱膨脹性粒子的平均粒徑、與在23℃下的熱膨脹性基材的厚度之比(平均粒徑/熱膨脹性基材)為超過0.3且未滿1.0。
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