TWI585834B - A plasma processing method and a plasma processing apparatus - Google Patents
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Description
本發明係關於一種對被處理體施以電漿處理之技術，尤其係關於對配置於電漿空間之基板施以離子吸引用高頻之電漿處理方法及電漿處理裝置。
半導體元件及FPD(Flat Panel Display)製程中之蝕刻、沉積、氧化、濺鍍等的處理多係利用能讓處理氣體在較低溫下進行良好反應之電漿。此種電漿製程中，為了在真空處理容器內讓處理氣體放電或電離，係使用高頻(RF)或微波。
例如在電容耦合型電漿處理裝置中，係於處理容器內平行地配置上部電極及下部電極，於下部電極上則載置被處理基板(半導體晶圓、玻璃基板等)，於上部電極或下部電極則施加適於電漿產生之頻率(通常為13.56MHz以上)的高頻。藉由此高頻的施加而產生於相對向之電極間的高頻電場來加速電子，藉由電子與處理氣體之衝撞解離來產生電漿。然後，藉由該電漿所包含之自由基或離子的氣相反應或表面反應來在基板上沉積薄膜、或削減基板表面素材或薄膜。
如此地，電漿製程中，入射至基板之自由基或離子則扮演著重要的角色。尤其是離子藉由入射至基板時的衝撞來達成物理作用這點是重要的。
以往，電漿製程中，多係利用RF偏壓法，係對載置基板的下部電極施加較低頻率(通常為13.56MHz以下)的高頻，而藉由下部電極上所發生之負的偏壓電壓或鞘區電壓來加速電漿中的離子而吸引至基板。藉由此般地加速來自電漿的離子而衝撞基板表面，便可以促進表面反應、異向性蝕刻或膜改質等。
先前技術文獻
專利文獻1：日本特開平7-302786
搭載有上述般RF偏壓功能之習用電漿處理裝置，係將施加於下部電極之離子吸引用高頻限定於1種類(單一頻率)，而將其高頻之電功率、下部電極上之自偏壓電壓或鞘區電壓作為控制參數。
然而，本發明人於電漿製程之技術開發中重複進行關於RF偏壓之作用的研究，得知將單一高頻使用於吸引離子用之習知方式，在尋求複合性電漿特性之最先端電漿製程中，會難以控制離子能量的分布。
更詳細地，解析將單一高頻使用於吸引離子用時的入射至基板之離子能量分布(IED：Ion Energy Distribution)，如圖19A~圖19C及圖20A~圖20C所示，所有的入射離子能量會定型地收斂在連續之能量區帶中，而離子多會集中(呈現波峰)於最大能量附近及最小能量附近。因此，不僅離子能量之平均值，而是可將集中有多數的離子之最大能量及最小能量自由地變化的話，於電漿製程中所尋求之RF偏壓功能之控制性或許便能提升，但並非如此。
依習用方式，在將較低頻率(例如0.8MHz)之高頻用於離子吸引用的情況，其RF功率可變時，離子能量分布特性便會變化如圖19A(低功率)、圖19B(中功率)、圖19C(高功率)所示。亦即，最小能量被固定在略0eV下，最大能量會比例於RF功率而變化為1000eV(圖19A)、2000eV(圖19B)，3000eV(圖19C)。
然而，將較高頻率(例如13MHz)的高頻利用於離子吸引用之情況，其RF功率可變時，離子能量分布特性便會變化如圖20A(低功率)、圖20B(中功率)、圖20C(高功率)所示。亦即，最大能量會比例於RF功率而變化為650eV、1300eV，1950eV，另一方面，最小能量亦會比例於RF功率而變化為350eV、700eV，1050eV。
另外，圖19A~圖19C及圖20A~圖20C之離子能量分布特性係關於Ar+離子，但其他離子亦能見到同樣的特性(圖案)。
如此地，於習知方式中，即使離子能量分布之最大能量或平均能量可任意變化，亦無法任意變化由最大能量所獨立而出的最小能量。因而無法實現例如圖20C之假想線(一點鏈線)K所示般的離子能量分布特性。因此，在本發明實施形態之說明中如後述般，例如HARC(High Aspect Ratio Contact)之電漿蝕刻中，無法巧妙地迴避蝕刻速度及選擇比與蝕刻形狀之間的得失(trade-off)便會成為問題。
本發明係用以解決上述般習知技術問題點，而提供一種提升RF偏壓功能之控制性，而可針對細微加工之各種要求條件來實現電漿製程的最佳化之電漿處理方法及電漿處理裝置。
本發明之電漿處理方法係具有：在配置於可真空排氣之處理容器內的第1電極上載置被處理基板之步驟；於該處理容器內激發處理氣體而產生電漿之步驟；為了從該電漿將離子吸引至該基板而將頻率相異之第1及第2高頻重複施加在該第1電極之步驟；以及，於該電漿下對該基板施以所欲電漿處理之步驟；其中該電漿處理中，係控制該第1及第2高頻之總功率及功率比來使得依存於被吸入至該基板之離子能量的至少1個製程特性最佳化。
又，本發明之電漿處理裝置係具有：可真空排氣之處理容器，係可出入地收納被處理基板；處理氣體供給部，係將所欲處理氣體供給至該處理容器內；電漿產生部，係於該處理容器內產生該處理氣體之電漿；第1電極，係於該處理容器內載置並保持該基板；第1高頻供電部，係用以從該電漿將離子吸引至該第1電極上之該基板而將具有第1頻率之第1高頻施加至該第1電極；第2高頻供電部，係用以從該電漿將離子吸引至該第1電極上之該基板而將具有高於該第1頻率之第2頻率的第2高頻施加至該第1電極；控制部，係控制該第1及第2高頻之總功率及功率比來使得依存於從該電漿被吸入至該基板之離子能量的至少1個製程特性最佳化。
本發明中，係將分別具有適於離子吸引的第1及第2頻率之第1高頻及第2高頻重複地施加至載置有被處理基板的第1電極，而可變地控制該等第1及第2高頻的總功率及功率比。藉此，便可獨立地控制從電漿入射至基板的離子能量分布中的最小能量及最大能量，甚至可將離子能量分布特性形狀控制為凹型或平坦型，可針對各種各樣的製程特性或複合的製程特性來最佳化離子能量分布特性，甚至最佳化製程特性。
依本發明電漿處理方法或電漿處理裝置，藉由上述般的構成及作用，便能提升RF偏壓功能的控制性，針對細微加工之各種要求條件而實現電漿製程最佳化。
以下便參照圖1~圖18，說明本發明之較佳實施形態。
[裝置整體構成]
圖1係顯示本發明一實施形態之電漿處理裝置構成。該電漿處理裝置係構成為下部2頻率/上部1頻率施加方式的電容耦合型電漿蝕刻裝置，具有例如表面施加有耐酸鋁處理(陽極氧化處理)之鋁所構成的圓筒形真空腔室(處理容器)10。腔室10係安全接地。
腔室10底部透過陶瓷等之絕緣板12而配置有圓柱狀的晶座支撐台14，該晶座支撐台14上係設有例如鋁所構成的晶座16。晶座16係構成下部電極，其上載置有作為被處理基板之例如半導體晶圓W。
晶座16上面係設置有以靜電吸附力來用以保持半導體晶圓W之靜電夾具18。該靜電夾具18係將導電膜所構成之電極20挟置於一對絕緣膜或絕緣片之間者，電極20則透過開關24而電連接有直流電源22。藉由來自直流電源22之直流電壓，便能以靜電力將半導體晶圓W吸附保持於靜電夾具18。於靜電夾具18周圍之晶座16上面設置有用以提升蝕刻的面內均勻性之例如矽所構成的聚焦環26。晶座16及晶座支撐台14側面則貼附有例如石英所構成之圓筒狀內壁構件28。
晶座支撐台14內部係設置有例如於圓周方向延伸之冷媒室或冷媒通道30。該冷媒通道30係從外設之冷卻單元(未圖示)透過配管32a,32b而循環供應有既定溫度之冷媒(例如冷卻水cw)。可藉由冷媒cw的溫度來控制晶座16上之半導體晶圓W的處理溫度。再者，來自傳熱氣體供應機構(未圖示)之傳熱氣體(例如He氣)係透過氣體供應管34來供應至靜電夾具18上面與半導體晶圓W內面之間。
晶座16係分別透過下部匹配器40,42及下部供電導體44,46而電連接有離子吸引用之第1高頻電源36及第2高頻電源38。下部供電導體44,46亦可為共通之導體(例如供電棒)。
第1高頻電源36係構成為以可變之功率輸出用以將電漿之離子吸引至晶座16上之半導體晶圓W的較低頻率(例如0.8MHz)之第1高頻RFL1。另一方面，第2高頻電源38構成為以可變之功率輸出用以將電漿之離子吸引至晶座16上之半導體晶圓W的較高頻率(例如13MHz)之第2高頻RFL2。
晶座16上方係平行地面向於該晶座而設置有上部電極48。該上部電極48係由具有多數氣體噴出孔50a之例如Si,SiC等半導體材料所構成的電極板50，及由可裝卸地支撐該電極板50的導電材料(例如表面施以耐酸鋁處理之鋁)所構成的電極支撐體52所構成，並透過環狀的絕緣體54而裝設於腔室10的上部。該上部電極48與晶座16之間係設定為電漿產生空間或處理空間PS。環狀絕緣體54係例如由氧化鋁(Al2O3)所構成，並氣密地封閉上部電極48之外周面與腔室10側壁間之間隙而將上部電極48非接地性地物理支撐。
電極支撐體52於其內部具有氣體緩衝室56，並於其下面具有從氣體緩衝室56連通至電極板50之氣體噴出孔50a的多數氣體通氣孔52a。氣體緩衝室56係透過氣體供應管58而連接有處理氣體供應源60，而氣體供應管58則設有質流控制器(MFC)及開閉閥64。從處理氣體供應源60將既定處理氣體導入至氣體緩衝室56時，處理氣體會從電極板50之氣體噴出孔50a朝向晶座16上之半導體晶圓W而噴淋狀地噴出至處理空間PS。如此般，上部電極48便亦兼作將處理氣體供應至處理空間PS之噴淋頭。
上部電極48係透過上部匹配器68及上部供電導體(例如供電棒70)而電連接有電漿激發用之第3高頻電源66。第3高頻電源66係構成為以可變功率輸出適於處理氣體因電容耦合的高頻放電(亦即適於電漿產生)之頻率(例如60MHz)的第3高頻RFH。另外，電漿產生用之第3高頻RFH的頻率通常係選自於27MHz~300MHz的範圍內。
晶座16及晶座支撐台14與腔室10側壁間所形成之環狀空間係成為排氣空間，該排氣空間底部係設有腔室10之排氣口72。該排氣口72透過排氣管74連接有排氣裝置76。排氣裝置76係具有渦輪分子幫浦等真空幫浦，可將槍示10之室內(尤其適處理空間)減壓至所欲之真空度。又，腔室10側壁組裝有開閉半導體晶圓W之搬出入口78的閘閥80。
腔室10外所設置之可變直流電源82之一側端子(即輸出端子)係透過開關84及直流供電線85而電連接至上部電極48。可變直流電源82係構成為可輸出例如-2000~+1000V的直流電壓VDC。可變直流電源82之另側端子則係接地。可變直流電源82輸出(電壓、電流)之極性及絕對值以及開關84之開閉切換係在來自後述控制部88的指示下藉由DC控制器83加以控制。
直流供電線85中途所設置的濾波器電路86係構成為使得來自於可變直流電源82之直流電壓VDC通過而施加至上部電極48，另一方面則將從晶座16通過處理空間PS及上部電極48而進入到直流供電線85之高頻流向接地線而不流向可變直流電源82側。
又，於腔室10內在面對處理空間PS的適當位置係組裝有由例如Si,SiC等導電性材料所構成之DC接地構件(未圖示)。該DC接地構件係透過接地線(未圖示)而經常性地接地。
控制部88包含有微電腦，而個別地及總括性地控制該電漿蝕刻裝置內的各部(例如靜電夾具用開關24、第1，第2
及第3高頻電源36,38,66、匹配器40,42,68、處理氣體供應部(60,62,64)、排氣裝置76、DC偏壓用可變直流電源82及開關84、冷卻單元、傳熱氣體供應部等)動作。又，控制部88亦連接有遠端控制裝置用之觸控面板(未圖示)及儲存各種程式或設定值等之數據的記憶裝置(未圖示)。另外，本實施形態中，控制部88及DC控制器83係構成DC偏壓控制部。
此電漿蝕刻裝置中，進行蝕刻加工時，首先係使得閘閥80為開啟狀態，將加工對象之半導體晶圓W搬入至腔室10內而載置於靜電夾具18上。然後，從處理氣體供應源60將既定之處理氣體(即蝕刻氣體(通常為混合氣體))以既定流量及流量比導入至腔室10內，藉由排氣裝置76的的真空排氣來使腔室10內壓力達設定值。再來，從第3高頻電源66以既定功率將電漿產生用第3高頻RFH(60MHz)施加至上部電極46。另一方面，從第1及第2高頻電源36,38以既定功率將離子吸引用第1高頻RFL1(0.8MHz)及第2高頻RFL2(13MHz)施加至晶座(下部電極)16。又，將開關24打開，藉由靜電吸附力將傳熱氣體(He氣)封入至靜電夾具18與半導體晶圓W間之接觸界面。又，依需要，將開關84打開，將來自可變直流電源82之既定直流電壓施加至上部電極48。從噴淋頭(上部電極)48所噴出之蝕刻氣體會在兩電極16,48間因高頻放電而電漿化，並藉由該電漿所含有之自由基或離子來蝕刻半導體晶圓W主面的膜。
該實施形態的電漿蝕刻裝置為了控制製程中從電漿入
射至半導體晶圓W之離子的能量，係具有將從2個高頻電源36,38之適於離子吸引的2種類高頻RFL1(0.8MHz),RFL2(13MHz)重複地施加在晶座16的硬體構成(32~46)，而能對應於蝕刻之加工樣式、條件或配方以控制部88來控制兩高頻RFL1,RFL2之總功率及功率比。
[實施形態中之RF偏壓功能]
本實施形態之電漿蝕刻裝置中，如上述般，於製程中，係從第1高頻電源36及第2高頻電源38將離子吸引用第1高頻RFL1(0.8MHz)及第2高頻RFL2(13MHz)重複地施加至晶座(下部電極)16。如此一來，面臨電漿產生空間PS之晶座16或半導體晶圓W之表面所產生的離子鞘區便會如圖2所示地產生重複有兩高頻RFL1,RFL2之負極性鞘區電壓VS(t)。另外，圖2中，為了容易瞭解離子鞘區中重複有兩高頻RFL1,RFL2之狀態，係顯示第2高頻RFL2之電壓(功率)明顯小於第1高頻RFL1之電壓(功率)的情況。
來自電漿的離子會藉由此般的鞘區電壓VS(t)而加速入射至半導體晶圓W表面。此時，入射離子的加速度或能量係依存於該時的鞘區電壓VS(t)之瞬間值(絕對值)。亦即，鞘區電壓VS(t)之瞬間值(絕對值)較大時，進入至離子鞘區內的離子係以大的加速度或運動能入射至晶圓表面，在鞘區電壓VS(t)之瞬間值(絕對值)較小時，進入至離子鞘區內的離子係以小的加速度或運動能入射至晶圓表面。
基本上，在離子鞘區內，離子係相對於鞘區電壓VS(t)以100%(係數1)以下之某感度來回應(加速運動)。該回應感
度或轉換係數α(f)係依存(反比)於圖3所示之RF偏壓所使用之高頻的頻率f而改變，並以下式(1)來表示。
α(f)=1/{(cf τ i)p+1}1/p‧‧‧‧(1)
其中，c=0.3×2 π，p=5，τ i=3s(M/2eVs)，M係離子的質量數，s係離子之鞘區通過時間，Vs係鞘區電壓。
因此，有利於離子鞘區內之離子加速的實質鞘區電壓(即離子的回應電壓Vi(t))係以下式(2)來表示。
Vi(t)=α(f)VS(t)‧‧‧‧(2)
圖2所示之離子回應電壓Vi(t)及圖3所示之轉換係數α(f)係關於Ar+離子，但其他離子針對鞘區電壓VS(t)及RF偏壓的頻率亦顯示同樣特性。
由圖2之電壓波形亦可知，離子鞘區內之離子係相對於頻率較低之第1高頻RFL1(0.8MHz)而以略100%(α(f)≒1)之感度來回應(加速運動)，並相對於頻率較高之第2高頻RFL2(13MHz)而以略50%(α(f)≒0.5)之感度來回應(加速運動)。
基於上述般的離子回應電壓Vi(t)，可由下述式(3)以圖4及圖5所示般的想法來計算求得離子能量分布IED。
圖4係顯示使用具有較低頻率之單一高頻於RF偏壓情況的IED及離子回應電壓Vi(t)。另一方面，圖5係顯示分別使用具有較低頻率及較高頻率之兩個高頻於RF偏壓情況的IED及離子回應電壓Vi(t)。
藉由使用單一高頻於RF偏壓的單頻率偏壓法，便會如圖19A~圖19C及圖20A~圖20C及上述般，離子能量分布(IED)會定型地變成離子多數集中於最大能量附近及最小能量附近(呈現波峰)的分布形狀，而有縱使RF功率如何地改變，也無法任意地改變最小能量之限制。
相對於此，本實施形態係依照使用將兩個高頻RFL1(0.8MHz),RFL2(13MHz)之2頻率偏壓法，藉由調整兩高頻RFL1,RFL2之總功率及/或功率比，而可各自獨立地控制離子能量分布(IED)之最大能量及最小能量。
亦即，本實施形態中，如圖6A~圖6C所示，可在最大能量固定於例如約2000eV下，將最小能量在例如約0eV~1000eV的範圍內任意地調整。
又，如圖7A~圖7C所示可將最小能量在固定於例如約350eV下，將最大能量在例如約650eV~2650eV的範圍內任意地調整。
另外，圖6A~圖6C及圖7A~圖7C中之IED特性係關於Ar+離子而計算者。其他離子於圖案上亦可獲得同樣的特性。又，兩高頻RFL1(0.8MHz)RFL2(13MHz)之電壓值係各頻率之偏壓電壓的振幅值，亦可換算成RF功率。
又，此實施形態中，如圖6B(RFL1(0.8MHz)=340V，RFL2(13MHz)=1000V)、圖7B(RFL1(0.8MHz)=500V，RFL2(13MHz)=500V)所示，藉由2頻率之RF偏壓可使離子略均勻地分布於能量區帶的全區域。甚至如圖7C(RFL1(0.8MHz)=1000V，RFL2(13MHz)=500V)所示，亦可使中間能量的離子入射數多於最小能量及最大能量的離子入射數。
再者，此實施形態中，如圖8A(RFL1(0.8MHz)=1500V，RFL2(13MHz)=0V)、圖8B(RFL1(0.8MHz)=1125V，RFL2(13MHz)=375V)、圖8C(RFL1(0.8MHz)=750V，RFL2(13MHz)=750V)、圖8D(RFL1(0.8MHz)=375V，RFL2(13MHz)=1125V)、圖8E(RFL1(0.8MHz)=0V，RFL2(13MHz)=1500V)所示，藉由2頻率之RF偏壓，亦可在能量平均值或中心值固定在例如約1500V下，將能量區帶的寬度EW在例如約1000eV至約3000eV的範圍內任意地變換。
如此般，於此實施形態中，在僅使用第1高頻RFL1(0.8MHz)於RF偏壓情況的IED特性(圖8A)與僅使用第2高頻RFL2(13MHz)於RF偏壓情況的IED特性(圖8E)之間，便可任意地調整能量區帶EW的寬度而獲得中間之IED特性。
又，即使於中間IED特性中，於第2高頻RFL2相對於第1高頻RFL1之功率比為1125V：375V=3：1時所獲得之圖8B的IED特性也顯示出有特徵的凹型分布形狀。亦即，離子會帶狀地集中於最小能量及其周邊之能量區域(約250eV~約750eV)與最大能量及其周邊之能量區域(約2250eV~約2750eV)，中間能量區域(約750eV~約2250eV)則同樣地分布數較少。該凹型之IED特性亦不同於使用兩高頻RFL1,RFL2任一方時，離子尖頭地集中於最小能量及最大能量之U型的IED特性(圖8A、圖8E)。
另外，雖省略圖式，但在圖8D(RFL1(0.8MHz)=375V，RFL2(13MHz)=1125V)與圖8E(RFL1(0.8MHz)=0V，RFL2(13MHz)=1500V)的中間，即第2高頻RFL2相對於第1高屏RFL1之功率比為約1：30時，能獲得與圖8B同樣的凹型中間IED特性。
如此般，此實施形態中，係藉由將頻率不同的第1高頻RFL1及第2高頻RFL2組合使用於RF偏壓，並控制該等之總功率及/或功率比，便可多種多樣化地控制關於入射至晶座16上之半導體晶圓W表面的離子能量分布(IED)之能量區帶寬度及分布形狀甚至入射能量的總量。
在此，第1高頻RFL1及第2高頻RFL2不限定於上述數值(0.8MHz,13MHz)，在一定範圍內任意選定即可。由圖8A之IED特性與圖8E之IED特性之對比可知，單頻率偏壓中之離子能量分布寬度(能量區帶)EW係頻率越低越寬，頻率越高越窄。
此如圖9所示，對應於頻率與轉換係數α(f)之關係。因此，雖然將能量區帶EW的可變範圍變大，係依存於達到蝕刻製程之支配作用的離子種類(F+、Ar+、C4F6 +等)，但基本上，將第1高頻RFL1之頻率選定為較低數值(較佳為100kHz~6MHz)，將第2高頻RFL2之頻率選定為較高數值(較佳為6MHz~40MHz)即可。尤其是當第2高頻RFL2之頻率變的過高時，亦即高過40MHz時，電漿產生效果會變強而不適於RF偏壓，故希望在40MHz以下之頻率。
[製程相關的實施例]
如上述般，此實施形態中之電漿蝕刻裝置與該種的習知裝置相比能顯著地提升RF偏壓功能的控制性，尤其可發揮異向性蝕刻中之重要製程性能。
在此，可適用於此實施形態之電漿蝕刻裝置的蝕刻加工係以圖10所示之HARC(High Aspect Ratio Contact)製程為例。HARC製程係於絕緣膜或氧化膜(典型上為SiO2膜)形成細且深的接觸孔(或導通孔)92之蝕刻加工技術，而被使用於大規模積體電路製程中之BEOL(Back End Of Line)的接觸性蝕刻(或導通孔蝕刻)。
HARC製程為了形成高外觀比之微細孔洞92，則被要求對高精密度異向性形狀與遮罩94(及下底膜96)有高選擇比。為此，便採用使用碳氟系氣體於蝕刻氣體，藉由CFX自由基來於遮罩94及SiO2膜90之孔洞92的側壁沉積作為側壁保護膜之聚合膜，並藉由RF偏壓來將CFX +或Ar+等離子垂直地吸入SiO2膜90之孔洞92中以進行垂直蝕刻之方法。此時，化學性活性度高的F自由基會降低異向性及選擇性兩者，故廣泛使用F自由基產生較少而較大C/F比的C4F8、C5F8、C4F6等之氣體。
此般HARC製程中，為了提高SiO2膜的蝕刻速度，必須要(1)增加離子入射量；(2)增加自由基中的F總量以及(3)充分的離子能量。因此，係採用下述方法：針對上述(1)的要求條件，係[1]調整電漿產生用高頻的功率；針對上述(2)的要求條件，係[2]調整碳氟氣體(例如C4F8)的流量；針對上述(3)的要求條件，係[3]調整離子吸入用高頻的功率。
又，為了提高對遮罩94(及下底膜96)之SiO2膜90的選擇比，必須要(4)適當的O2/C4F8流量比；及(5)因Ar稀釋而增加全氣體流量。因此，係採用下述方法：針對上述(4)的要求條件，係[4]調整O2氣體流量；針對上述(5)的要求條件，係[5]調整Ar氣體流量。
另外，關於選擇比之上述(4),(5)的要求條件，係基於下述蝕刻的機制。亦即，蝕刻中的穩定狀態係碳氟自由基經常性地照射到SiO2膜表面，並於其表面上存在有數分子層的CF膜。此CF膜的厚度與蝕刻速度有密切的關係。
圖11A及圖11B係顯示使用C4F8/Ar/O2之混合氣體為蝕刻氣體的情況，將Ar氣體與O2氣體之流量固定而改變C4F8氣體流量時之SiO2膜與SiN膜的各蝕刻速度與該等之膜表面所分別沉積的CF聚合膜厚度。
如圖11A所示，於SIO2之蝕刻中，提升C4F8流量時，蝕刻速度(E/R)會增大至11sccm，以11sccm顯示極大值後，CF膜厚的增加會反比例而減少，到22sccm以上則變成橫向延伸。此處，C4F8流量在11sccm時之SiO2上的CF膜厚會薄至1nm，但這是因為SiO2蝕刻時所釋出之氧與CF膜反應而產生揮發性物質(即去除CF膜)之故。
另一方面，如圖11B所示，SiN之蝕刻中，沒有氧的釋出，反而是釋出氮，其CF膜去除能力係顯著小於氧，故SiN上之CF膜厚會厚至5nm，而蝕刻被加以控制。
另外，SiO2蝕刻及SiN蝕刻任一者中，添加氣體之O2係具有調整CF膜去除率的功能。
上述HARC製程中，係使用SiN為下底膜96，而遮罩94則使用一般的有機膜。有機膜在上述條件下，於改變C4F8氣體流量時之蝕刻速度與CF膜厚亦與SiN顯示同樣的特性。
如此般，利用蝕刻時之氧釋出有無或基於釋出量差異的CF膜厚度差異，甚至利用蝕刻速度的差異，藉由[4]調整O2/C4F8流量比，甚至[5]藉由以Ar稀釋(增加全氣體流量)來減少會使得選擇比惡化之F原子自由基，便可以針對下底膜96之SiN或遮罩94之有機膜(亦含有上層之光阻)來充分地提高SiO2膜的選擇比。
如上述般，一般的電漿蝕刻裝置中，藉由驅使關於[1]電漿產生用高頻功率、[2]碳氟氣體(例如C4F8)流量、[3]離子吸引用高頻功率、[4]O2/C4F8流量比(尤其O2流量)、[5]Ar流量之各調整技術，即使是HARC製程亦可達成高蝕刻速度及高選擇比。但是，由於HARC製程需要非常高的選擇比，而必須使用沉積性非常強的條件，結果便要使用附著率高的自由基。
此情況如圖12之(b)所示，側壁98上之沉積膜100的披覆性(覆蓋度)會惡化，使得孔洞92入口附近變窄，而容易產生頸縮(necking)102。發生頸縮102時，對孔洞92底部的自由基或離子的供應會變的不充分，因而關係到孔底CD(Critical Dimension)的縮小，或垂直地削切孔底之蝕刻率降低。又，亦會有入射離子在頸縮102上方被反射、於頸縮102下方之側壁98削挖(弓部)的情事發生。
如此般，為了獲得高選擇比，便需要使用附著率高的自由基(CxFy自由基)，但卻因此會容易發生頸縮102。雖說如此，為了迴避頸縮102而使用附著率低的自由基時，卻會如圖12之(a)所示，遮罩94上之沉積膜100會變的過薄而無法獲得充份的選擇比。
如上述，HARC製程中，覆蓋特性(blanket)(蝕刻速度、選擇比)與蝕刻形狀之間係有得失上的關係，而使用單一頻率之高頻於離子吸引用的習知RF偏壓技術下，係無法解決此種得失上的問題。
圖13(a)係顯示HARC製程中，使用附著率高之自由基的情況之相對入射離子能量的氧化膜(SiO2)及有機膜之蝕刻效益之特性。如上述般使用附著率高的自由基時，於低離能量區域能以沉積膜來保護遮罩(有機膜)的表面，而僅選擇性地蝕刻氧化膜。然後，離子能量超過某閾值Et後，因離子照射之物理性蝕刻會在沉積膜的保護上削減遮罩(有機膜)。當然，藉由使得入射離子能量變大，亦可單純地增大氧化膜的蝕刻效益。
從提高選擇比的觀點來看，係以離子集中分布於閾值Et附近之能量區域的離子能量分布特性為佳。然而，如習知方式(單頻率偏壓法)般以單頻率之RF偏壓對應時，離子能量分布會如圖13之(b)所示，會剛好收歛較閾值Et更低的區域。此時，集中於最小能量附近之離子對氧化膜之蝕刻幾乎沒有貢獻。即使如此，縱然藉由集中於最大能量附近之離子的作動來儘量的獲得高選擇比，也無法迴避或控
制上述般的頸縮102。
本發明人在如圖15所示般harc製程模式中，以針對有機膜表面之法線N的入射角度θ為0°的位置(遮罩上面)與入射角θ為80°的位置(頸縮斜面104)來比較相對於離子能量之蝕刻效益特性，發現如下情事。亦即，如圖14之(a)所示，遮罩上面(θ=0°)較頸縮位置(θ=80°)之蝕刻效益更快提升，但入射離子能量較既定值Es更大時則兩者關係逆轉，變成頸縮斜面104(θ=80°)較遮罩上面(θ=0°)更容易被蝕刻。亦即，藉由離子照射而連遮罩上面亦得以被削減，而甚至頸縮斜面102能有效率地被削減而獲得擴大頸縮CD之改善效果。
有鑑於此般HARC製程中，氧化膜及有機膜(遮罩)之蝕刻效益/離子能量特性，如圖14之(b)所示，得知較橫跨上述閾值Et附近更低的第1能量區域與較上述閾值Et附近更高的第2能量區域之2極化凹型IED特性的情況非常好。
亦即，藉由離子集中分布於上述第1能量區域來提高選擇比，並藉由離子集中分布於上述第2能量區域來有效率地迴避或抑制頸縮102。
又，上述第1能量區域與上述第2能量區域間之能量區域係不論從選擇比提升或頸縮抑制的任一觀點來看都不希望的區域，故此中間區域所分布的離子越少則越有利。
本發明人係將實施形態之電漿蝕刻裝置使用於上述HARC製程的實驗，改變第1高頻RFL1(0.8MHz)及第2高頻RFL2(13MHz)之功率比，比較蝕刻特性而獲得如圖16及
圖17所示般的結果。主要的蝕刻條件如下述。
晶圓口徑：300mm
蝕刻氣體：C4F6O2=60/200/60sccm
腔室內壓力：20mTorr
溫度：上部電極/腔室側壁/下部電極=60/60/20℃
高頻電功率：電漿產生用高頻(60MHz)=1000W
離子吸引用高頻
(13MHz/0.8MHz)=4500/0W,4000/500W,3000/1500W,2000/2500W,1000/3500W,0/4500W(6種)
直流電壓：VDC=-300V
蝕刻時間：2分鐘
本實驗係將離子吸引用第1高頻RFL1(0.8MHz)及第2高頻RFL2(13MHz)之總功率固定(4500W)，並選擇4500/0W到0/4500W的6種功率比來作為參數。
HARC製程中，較好的蝕刻特性係SiO2膜的蝕刻速度大、遮罩選擇比大、頸縮CD與弓部CD的差小、及遮罩側壁傾斜角大。由相關觀點進行評估，得知選擇第1高頻RFL1及第2高頻RFL2之功率為RFL1=1000W,RFL2=3500W時的蝕刻特性顯示出綜合性最佳的結果。此時，兩高頻RFL1,RFL2之功率比為RFL1：RFL2=3.5：1，雖省略圖式，但能獲得與圖8B同樣的IED特性。
如上述般，藉由本發明之2頻率偏壓法，便可巧妙地解決HARC製程中的得失。其他方面，藉由本發明之2頻率偏壓法，便可與上述同樣地解決開孔蝕刻加工中選擇比
與頂部CD/弓部CD/底部CD之得失，或電漿CVD中成長速度與無縫形狀的得失等。
又，本發明之2頻率偏壓法所獲得的凹型IED特性能有效地作用於上述般HARC製程。然而，依本發明2頻率偏壓法所獲得的平坦型IED特性(圖6B、圖7B、圖8C)或山型IED特性(圖7C)亦為習知單頻率偏壓法所無法獲得之獨有特性，而具有可獲得既定製程特性之最佳化的可能性。
[實施形態中DC偏壓功能]
此實施形態之電漿蝕刻裝置係依需要將開關開啟，將來自可變直流電源82之直流電壓VDC施加至上部電極48。如此般，藉由將適當的直流電壓VDC，尤其是為負極性之適度大小(絕對值)之直流電壓VDC施加至上部電極48，便可以強化電漿蝕刻之遮罩所使用之光阻膜(尤其是ArF阻膜)的蝕刻耐受性。
亦即，將來自可變直流電源82之直流電壓VDC以負極性之高壓(較佳是較第3高頻RFH之施加而產生於上部電極48之自偏壓要絕對值大的負極性電壓)施加至上部電極48時，上部電極48與電漿之間所形成的上部離子鞘區會變厚。藉此，電漿中的離子會在上部離子鞘區之電場中被加速，而增加衝撞上部電極48之電極板50時的離子衝撞能量，使得γ放電而從電極板50釋出之2次性電子變多。然後，從電極板50釋出之2次性電子會在上部離子鞘區的電場中與離子反向地加速而通過電漿PR，再進一步地通過下部離子鞘區而以既定的高能量打入晶座16上之半導體晶圓W表面的阻劑遮罩。如此一來，阻劑遮罩之高分子會吸收電子能量而引起組成變化或構造變化、交聯反應等來形成改質層，增強蝕刻耐受性(電漿耐受性)。施加於上部電極48之負極性直流電壓VDC的絕對值越大，越能增大打入阻劑遮罩之電子的能量來提高阻劑遮罩的蝕刻耐受性增加效果。
另一方面，此實施形態之電漿蝕刻裝置中，如上述般係組合使用頻率相異的第1高頻RFL1及第2高頻RFL2於晶座16側的RF偏壓，並藉由控制該等之總功率及/或功率比，便可多種多樣化地控制關於入射至晶座16上之半導體晶圓W表面的離子能量分布(IED)之能量區帶寬度及分布形狀甚至入射能量的總量。特別是將第1高頻RFL1及第2高頻RFL2分別之功率選擇在有意義的數值來加以組合時，於能量分布(IED)中的中間能量之離子入射數會跳躍性地增加而增大入射能量的總量。然而，入射能量的總量變多時，阻劑遮罩會受到損傷而使表面粗糙，即容易變的有LER(Line Edge Roughness)或LWR(Line Width Roughness)等之凹凸變形或蛇行變形。
此處，於此實施形態在控制部88中，係分割出(概算即可)第1高頻RFL1及第2高頻RFL2的總功率及來自功率比的設定值之入射能量的總量，在入射能量的總量較多時，透過DC控制器83來加大施加於上部電極48之負極性直流電壓VDC的絕對值，以強化阻劑遮罩的蝕刻耐受性。但是，在入射能量的總量較少時，不僅缺乏強化阻劑遮罩的蝕刻耐受性之必要性，由於下述理由，將施加於上部電極48之負極性直流電壓VDC的絕對值控制在較小為佳。
亦即，此實施形態之電漿蝕刻裝置中，係藉由蝕刻氣體之高頻放電來讓碳氟氣體CxFy解離而產生F原子或CF3等反應種。該等反應種會與半導體晶圓W表面之被加工膜反應而產生揮發性產物(例如SiF4)，同時產生沉積之聚合膜(例如(CF2)n)。在上部電極48之電極板50為含Si導電材的情況，不僅半導體晶圓W表面，電極板50表面亦會產生同樣反應，而兩方面均會消耗反應種。此處，施加負極性(≦0V)直流電壓VDC於上部電極48時，離子輔助蒸鍍(Ion Assisted Deposition)效果會作動而促進電極板50表面之蝕刻反應(即反應種消耗)，產生大量富含C的CFX，而半導體晶圓W表面之蝕刻率會降低而增強沉積。負極性直流電壓VDC的絕對值越大，則電極板50表面之離子輔助蒸鍍效果會變大，基於上述作用則半導體晶圓W表面之蝕刻率會減速且沉積的增速會變強。故入射至晶座16上半導體晶圓W表面的離子能量總量較少的情況是不被期望的。因此，此時控制部88會透過DC控制器83將施加至上部電極48之負極性直流電壓VDC的絕對值控制為較小。
[其他實施形態或變形例]
上述實施形態係施加第3高頻電源66所輸出之電漿產生用第3高頻RFH於上部電極48。其他實施形態亦可則如圖18所示，係將第3高頻電源66及匹配器68電連接於晶座(下部電極)16來對晶座16施加電漿產生用第3高頻RFH。
上述實施形態係關於在腔室內藉由平行平板電極間之高頻放電來產生電漿之電容耦合型電漿處理裝置。但本發明亦可適用於將天線配置於腔室上面或周圍來於高頻之感應電磁場下產生電漿之感應耦合型電漿處理裝置，或使用微波之功率來產生電漿之微波電漿處理裝置等。
本發明不限定於電漿處理裝置，亦可適用於電漿CVD、電漿氧化、電漿氮化、濺鍍等其他電漿處理裝置。又，本發明中的被處理基板不限於半導體晶圓，亦可以為平板顯示器、EL元件或太陽電池用之各種基板、或光罩、CD基板、印刷基板等。
10．．．腔室
16．．．晶座(下部電極)
36．．．第1高頻電源
38．．．第2高頻電源
48．．．上部電極
60．．．處理氣體供應源
76．．．排氣裝置
82．．．可變直流電源
88．．．控制部
圖1係顯示本發明一實施形態之電漿處理裝置構成的縱剖面圖。
圖2係顯示實施形態之2頻率RF偏壓法中，鞘區電壓與離子回應電壓之波形的圖式。
圖3係顯示實施形態所使用之轉換函數圖。
圖4係顯示單頻率RF偏壓法中，離子能量分布與離子回應電壓之圖式。
圖5係顯示2頻率RF偏壓法中，離子能量分布與離子回應電壓之圖式。
圖6A係顯示實施形態中，固定離子能量分布之最大能量下，可將最小能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖6B係顯示固定離子能量分布之最大能量下，可將最小能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖6C係顯示固定離子能量分布之最大能量下，可將最小能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖7A係顯示實施形態中，固定離子能量分布之最小能量下，可將最大能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖7B係顯示固定離子能量分布之最小能量下，可將最大能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖7C係顯示固定離子能量分布之最小能量下，可將最大能量於一定範圍內任意調整功能之圖式。
圖8A係顯示實施形態中，固定能量中心值下，可將能量區帶寬度於一定範圍內任意變換功能之圖式。
圖8B係固定能量平均值(中心值)下，可將能量區帶寬度於一定範圍內任意變換功能之圖式。
圖8C係固定能量平均值下，可將能量區帶寬度於一定範圍內任意變換功能之圖式。
圖8D係固定能量平均值下，可將能量區帶寬度於一定範圍內任意變換功能之圖式。
圖8E係固定能量平均值下，可將能量區帶寬度於一定範圍內任意變換功能之圖式。
圖9係用以說明實施形態之2頻率RF偏壓法中的頻率組合方法之圖式。
圖10係概略地顯示HARC製程之蝕刻加工的縱剖面圖。
圖11A係顯示SiO2膜的蝕刻中，改變C4F8氣體流量時之蝕刻速度與CF聚合膜厚度的圖表。
圖11B係顯示SiN膜的蝕刻中，改變C4F8氣體流量時之蝕刻速度與CF聚合膜厚度的圖表。
圖12係概略地顯示HARC製程中的頸縮(necking)之縱剖面圖。
圖13係顯示HARC製程中氧化膜及有機膜之蝕刻效益的離子能量依存性，及將其以習知方式的單頻率偏壓來對應之情況的離子能量分布特性之特性圖式。
圖14係顯示HARC製程中氧化膜及有機膜之蝕刻效益的離子能量依存性，及將其以實施形態的2頻率偏壓來對應之情況的離子能量分布特性之特性圖式。
圖15係顯示HARC製程中，將離子入射至遮罩(有機膜)各部時之入射角度之圖式。
圖16係顯示依2頻率偏壓法的HARC製程中所獲得之圖案剖面形狀及特性數據之圖式。
圖17係顯示依2頻率偏壓法的HARC製程中所獲得之圖案剖面形狀(放大圖)及特性數據之圖式。
圖18係顯示其他實施形態中電漿處理裝置之構成的縱剖面圖。
圖19A係顯示使用較低頻率之習知單頻率偏壓法中，降低RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
圖19B係顯示使用較低頻率之習知單頻率偏壓法中，選擇中間值為RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
圖19C係顯示使用較低頻率之習知單頻率偏壓法中，提高RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
圖20A係顯示使用較高頻率之習知單頻率偏壓法中，降低RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
圖20B係顯示使用較高頻率之習知單頻率偏壓法中，選擇中間值為RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
圖20C係顯示使用較高頻率之習知單頻率偏壓法中，提高RF功率時所獲得之離子能量分布圖。
10．．．腔室
12．．．絕緣板
14．．．晶座支撐台
16．．．晶座
18．．．靜電夾具
20．．．電極
22．．．直流電源
24．．．開關
26．．．聚焦環
28．．．內壁構件
30．．．冷媒通道
32a,32b．．．配管
34．．．氣體供應管
36．．．第1高頻電源
38．．．第2高頻電源
40,42,68．．．匹配器
44,46．．．下部供電導體
48．．．上部電極
50．．．電極板
50a．．．氣體噴出孔
52．．．電極支撐體
52a．．．氣體通氣孔
54．．．絕緣體
56．．．氣體緩衝室
58．．．氣體供應管
60．．．處理氣體供應源(部)
62,64．．．處理氣體供應部
66．．．第3高頻電源
70．．．供電棒
72．．．排氣口
74．．．排氣管
76．．．排氣裝置
78．．．搬出入口
80．．．開關
82．．．可變直流電源
83．．．DC控制器
84．．．開關
86．．．濾波器電路
88．．．控制器
RFL1．．．第1高頻
RFL2．．．第2高頻
cw．．．冷卻水
RFH．．．第3高頻
Claims (19)
- 一種電漿處理方法，係具有下述步驟：在配置於可真空排氣之處理容器內的第1電極上載置被處理基板之步驟；於該處理容器內激發處理氣體而產生電漿之步驟；為了從該電漿將離子吸引至該基板而將頻率相異之第1及第2高頻重複施加在該第1電極之步驟；以及於該電漿下對該基板施以所欲電漿處理之步驟；其中該電漿處理中，係控制該第1及第2高頻之總功率及功率比來使得依存於被吸入至該基板之離子能量的既定製程特性最佳化；將負極性之直流電壓施加至該第2電極，並對應該第1及第2高頻之總功率及功率比來控制該直流電壓的絕對值。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其係控制該第1及第2高頻之總功率及功率比來使得依存於被吸入至該基板之離子能量的複數製程特性同時最佳化。
- 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理方法，其係獨立地控制被吸入至該基板之離子能量分布的最小能量及最大能量。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理方法，其中被吸入至該基板之離子能量分布中，最小能量及其附近之能量區域係支配地左右第1製程特性，最大能量及其附近之能量區域係支配地左右第2製程特性。
- 如申請專利範圍第4項之電漿處理方法，其中被吸入至該基板之離子能量分布中，最小能量及其附近之能量區域與最大能量及其附近之能量區域係相對地分布較多的離子，中間能量區域所分布的離子係相對地較少。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理方法，其中被吸入至該基板之離子能量分布中，離子係幾乎均勻地分布於最小能量至最大能量之所有區域。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其中該第1高頻之頻率在100kHz~6MHz之範圍內，該第2高頻之頻率在6MHz~40MHz之範圍內。
- 如申請專利範圍第7項之電漿處理方法，其中為了調整被吸入至該基板之離子能量分布的寬度，係調整該第1及第2高頻之總功率。
- 如申請專利範圍第7項之電漿處理方法，其中為了調整被吸入至該基板之離子能量分布的寬度，係調整該第1高頻相對於該第2高頻之功率比。
- 如申請專利範圍第7項之電漿處理方法，其中為了調整被吸入至該基板之離子的最小能量，係調整該第2高頻之功率。
- 如申請專利範圍第7項之電漿處理方法，其中為了調整被吸入至該基板之離子的最大能量，係調整該第1及第2高頻之總功率。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其係於該處理容器內與該第1電極隔有既定間隔而平行地設置有對向之第2電極，將用以讓該處理氣體放電之第3高頻施加於該第1電極或第2電極。
- 如申請專利範圍第12項之電漿處理方法，其中該第3高頻之頻率在27MHz~300MHz之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理方法，其從該第1及第2高頻之總功率及功率比來求得被吸入至該基板之離子能量的總量，該能量的總量越多則該直流電壓的絕對值越大，該能量的總量越少則該直流電壓的絕對值越小。
- 一種電漿處理裝置，係具有：可真空排氣之處理容器，係可出入地收納被處理基板；處理氣體供給部，係將所欲處理氣體供給至該處理容器內；電漿產生部，係於該處理容器內產生該處理氣體之電漿；第1電極，係於該處理容器內載置並保持該基板；第1高頻供電部，係用以從該電漿將離子吸引 至該第1電極上之該基板而將具有第1頻率之第1高頻施加至該第1電極；第2高頻供電部，係用以從該電漿將離子吸引至該第1電極上之該基板而將具有高於該第1頻率之第2頻率的第2高頻施加至該第1電極；控制部，係控制該第1及第2高頻之總功率及功率比來使得依存於從該電漿被吸入至該基板之離子能量的至少1個製程特性最佳化；可變直流電源，係用以將負極性之直流電壓施加至該第2電極；以及DC偏壓控制部，係對應於該第1及第2高頻之總功率及功率比而控制該直流電壓之絕對值。
- 如申請專利範圍第15項之電漿處理裝置，其中該第1高頻的頻率在100kHz~6MHz之範圍內，該第2高頻之頻率在6MHz~40MHz之範圍內。
- 如申請專利範圍第15或16項之電漿處理裝置，其中該電漿產生部係具有：第2電極，係於該處理容器內與該第1電極隔有既定間隔而平行地對向設置；以及第3高頻供電部，係為了使該處理氣體放電而將具有較該第2頻率更高之第3頻率的第3高頻施加至該第1電極或該第2電極。
- 如申請專利範圍第17項之電漿處理裝置，其中該第3高頻之頻率在27MHz~300MHz之範圍內。
- 如申請專利範圍第15項之電漿處理裝置，其中該DC偏壓控制部係具有：演算部，係由該第1及第2高頻之總功率及功率比來求得被吸入至該基板之離子的能量總量；以及控制器，係使得該能量總量越大則該直流電壓的絕對值越大，該能量總量越小則該直流電壓的絕對值越小。
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