TWI581311B - 晶圓加工裝置及加工半導體晶圓之方法 - Google Patents

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Description

晶圓加工裝置及加工半導體晶圓之方法
本揭露係關於一種半導體元件生產設備及其加工方法，特別係關於一種半導體晶圓生產設備及加工半導體晶圓之方法。
半導體裝置使用於各種電子應用中，舉例而言，諸如個人電腦、手機、數位相機以及其他電子設備。半導體裝置的製造通常是藉由在半導體基板上依序沉積絕緣或介電層材料、導電層材料以及半導體層材料，接著使用微影製程圖案化所形成的各種材料層，以形成電路組件和零件於此半導體基板之上。
在半導體業界，不斷降低最小特徵尺寸，如此一來可允許更多的裝置集積於一個特定的區域中，藉此持續改善各種電子裝置(例如電晶體、二極體、電阻、電容等等)的集積密度。在某些應用中，相較於過去的產品，這些尺寸更小的電子裝置需要利用較少區域及/或較低高度之更小的封裝。
在製造積體電路時，一磊晶層(epitaxial layer)可藉由化學汽相沈積的製程形成於半導體晶圓上，並且磊晶層利用混合半導體來源氣體沈積而成。由於在半導體來源氣體加熱後，沈積會發生在半導體晶圓任何加熱的暴露表面，故有利 於腔體容納氣體的區域盡可能減少。
然而，磊晶層的輪廓均勻度受矽源氣體(silicon source gas)的分佈所影響。對於具有大面積的半導體晶圓，在化學汽相沈積製程中維持加工氣體均勻流過大面積的半導體晶圓逐漸困難。因此，一個均勻配送加工氣體的改良機制即被需求。
本揭露之一目的在於提供一晶圓加工裝置。
根據本揭露之部分實施例，上述晶圓加工裝置包括一腔體以及一支撐模組。支撐模組設置於腔體。支撐模組包括一基台。基台係用以支撐一半導體晶圓並可繞一旋轉軸旋轉。上述晶圓加工裝置亦包括一排放組件以及一流體排除組件。排放組件以及流體排除組件設置於支撐模組之兩側。排放組件包括一排放通道，其構成不具有垂直流道段。例如，排放通道在一垂直該旋轉軸之方向上延伸。
或者，該排放通道包括一外流道段、一傾斜流道段、以及一內流道段。該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸，且該傾斜流道段以一向上傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
或者，該排放通道包括一外流道段、一傾斜流道段、以及一內流道段。該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸，且該傾斜流道段以一向下傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
在上述實施例中，該排放組件包括一側表面，該 側表面具有至少一開口設置於其上。該開口係配置用以提供一加工氣體至該腔體。該側表面係相鄰該基台並部分圍繞該旋轉軸，該側表面之二端部之距離係等於或大於該基台之寬度。在部分實施例中，該開口之數量大於一，並且該等開口之二係各自相鄰該側表面之二端部排列。
在上述實施例中，上述晶圓加工裝置更包括一中介模組。中介模組包括一中介通道流體連接於該排放通道。在朝向該排放組件之方向上，該中介通道的寬度逐漸增加。
根據本揭露之另一些實施例，上述晶圓加工裝置包括一腔體以及一支撐模組。支撐模組設置於腔體。支撐模組包括一基台。基台係用以支撐一半導體晶圓並可繞一旋轉軸旋轉。上述晶圓加工裝置亦包括一排放組件以及一流體排除組件。排放組件以及流體排除組件設置於支撐模組之兩側。該排放組件包括一側表面相鄰該基台並部分圍繞該旋轉軸。一開口設置於該側表面上。該開口係配置用以提供一加工氣體至該腔體。該側表面之二端部之距離係等於或大於該基台之寬度。
在上述實施例中，開口之數量大於一，並且該等開口之二係各自相鄰該側表面之二端部排列。另外，該基台包括二個端點，該二個端點各自相鄰該側表面之二端部之一，並且該二端點各自對應該等開口中位於最外側之二個開口。
在上述實施例中，該排放組件包括一排放通道，該排放通道之構成不具有一在平行該旋轉軸之方向上延伸的垂直流道段。例如，排放通道在一垂直該旋轉軸之方向上延伸。
或者，該排放通道包括一外流道段、一傾斜流道 段、以及一內流道段。該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸，且該傾斜流道段以一向上傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
或者，該排放通道包括一外流道段、一傾斜流道段、以及一內流道段。該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸，且該傾斜流道段以一向下傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
在上述實施例中，上述晶圓加工裝置更包括一中介模組。中介模組包括一中介通道流體連接於該排放通道。在朝向該排放組件之方向上，該中介通道的寬度逐漸增加。
本揭露之另一目的在於提供一加工半導體晶圓的方法，以沈積一薄膜於半導體晶圓。
根據本揭露之部分實施例，上述方法包括提供一晶圓加工裝置。晶圓加工裝置包括一腔體以及一基台設置於該腔體中。該基台係用於支撐該半導體晶圓。上述方法亦包括經由一相鄰該基台之排放組件對該半導體晶圓提供一製程氣體。該排放組件包括一排放通道，該排放通道之構成不具有垂直流道段。
在上述實施例中，該排放組件包括一相鄰該基台之側表面。一開口係形成於該側表面上，該開口係配置用以自該排放通道排出該加工氣體。該側表面之二端部之距離係等於或大於該基台之寬度。
在上述實施例中，來自該排放組件之加工氣體係實質沿一橫向線而提供。並且上述方法更包括沿一垂直該橫向 線之方向提供該加工氣體。
在上述實施例中，上述方法更包括繞一旋轉軸旋轉該基台，其中該排放通道在一垂直該旋轉軸之方向上延伸。
在上述實施例中，排放通道包括一外流道段、一傾斜流道段、以及一內流道段。該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸。該傾斜流道段以一向上傾斜的角度或一向下傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
1a、1b‧‧‧加工裝置
5‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧殼體
12‧‧‧上方部分
14‧‧‧下方部分
16‧‧‧側方部分
17‧‧‧上方夾持元件
18‧‧‧下方夾持元件
19‧‧‧腔體
20‧‧‧支撐模組
22‧‧‧轉軸
24‧‧‧支架
26‧‧‧基台
261、263‧‧‧端點
265‧‧‧邊緣
30a、30b、30c、30d‧‧‧流體排放模組
31a、31b、31c、31d‧‧‧排放組件
311a、311b、311c、311d‧‧‧側表面
312b、313b‧‧‧端部
321a、323a、325a、327a‧‧‧排放通道
321a1‧‧‧外流道段
321a2‧‧‧垂直流道段
321a3‧‧‧內流道段
322a、324a、326a、328a‧‧‧開口
321b、323b、325b、327b‧‧‧排放通道
321b1‧‧‧外流道段
321b2‧‧‧傾斜流道段
321b3‧‧‧內流道段
322b、324b、326b、328b‧‧‧開口
321c‧‧‧排放通道
322c‧‧‧開口
321d‧‧‧排放通道
321d1‧‧‧外流道段
321d2‧‧‧傾斜流道段
321d3‧‧‧內流道段
322d‧‧‧開口
33a、33b‧‧‧中介組件
34a、34b‧‧‧中介通道
35、39‧‧‧排放連結器組件
37a、37b‧‧‧中介組件
38a、38b‧‧‧中介通道
40‧‧‧流體排除組件
60‧‧‧預熱環
70‧‧‧第一氣體供應模組
71‧‧‧主要氣體來源
73‧‧‧輔助氣體來源
711、713、731、733‧‧‧流體控制手段
80‧‧‧第二氣體供應模組
C‧‧‧旋轉軸
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧寬度
W1、W2‧‧‧寬度
T‧‧‧橫向線
第1圖顯示根據本揭露部分實施例之一晶圓加工裝置之剖面圖。
第2圖顯示根據本揭露部分實施例之一晶圓加工裝置之上視圖。
第3圖顯示根據本揭露部分實施例之一晶圓加工裝置之上視圖。
第4圖顯示根據本揭露部分實施例之一晶圓加工裝置之剖面圖。
第5圖顯示根據本揭露部分實施例之一排放模組之剖面圖。
第6圖顯示根據本揭露部分實施例之一排放模組之剖面圖。
以下特舉出本揭露之實施例，並配合所附圖式作詳細說明。以下實施例的元件和設計係為了簡化所揭露之發 明，並非用以限定本揭露。本揭露於各個實施例中可能使用重複的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述結構之間的關係。此外，說明書中提到在第二製程進行之前實施第一製程可包括第二製程於第一製程之後立即進行第二製程，也可包括有其他製程介於第一製程與第二製程之間的實施例。下述圖形並非依據尺寸繪製，該些圖式僅為了幫助說明。再者，說明書中提及形成第一特徵結構位於第二特徵結構之上，其包括第一特徵結構與第二特徵結構是直接接觸的實施例，另外也包括於第一特徵結構與第二特徵結構之間另外有其他特徵結構的實施例，亦即，第一特徵結構與第二特徵結構並非直接接觸。
為了明確的目的使本揭露之實施例更容易明白，第1-6圖的內容已進行簡化。通篇各圖式以及說明的實施例，相同的標號將標註於相同或相似的元件。
參照第1圖，其顯示根據本揭露部分實施例之一用於沈積一磊晶層(epitaxial layer)於一半導體晶圓5之晶圓加工裝置1a之剖面圖。在部分實施例中，晶圓加工裝置1a包括一殼體10、一支撐模組20、一流體排放模組30a、一流體排除組件40、及一預熱環60。
殼體10包括一上方部分12、一下方部分14、及一側方部分16。上方部分12、下方部分14、及側方部分16定義一腔體19於殼體10內。在部分實施例中，腔體19係可接收一或多個直徑為450mm或更大的半導體晶圓5。
在部分實施例中，上方部分12及下方部分14係以 具有相對高結構強度、在製程中呈現化學穩定的材料所製成。在部分實施例中，上方部分12及下方部分14係透明的，以允許來自燈(圖未示)之光線(可見光或是紅外線光)穿過。在部分實施例中，上方部分12及下方部分14係以透明的石英所製成。
在部分實施例中，側方部分16包括一上方夾持元件17以及一下方夾持元件18。上方夾持元件17以及下方夾持元件18係藉由適當之手段加以共同組合例如鎖合，以固定流體排放模組30a以及流體排除組件40。
支撐模組20包括一轉軸22、複數個支架24、及一基台26。支架24的下端連結於轉軸22，並且支架24的上端連結於基台26的底面。因此，基台26係水平地固定於支架24的上端，半導體晶圓5受其支撐。在部分實施例中，支撐模組20藉由轉軸22耦接至一可變速馬達(圖未示)，以繞一旋轉軸C旋轉。支撐模組20可維持靜止或可在約0rpm至約2000rpm之轉速旋轉。
流體排放模組30a以及流體排除組件40設置於支撐模組20之兩側，以提供一沿基台26的上表面通過的氣流。在部分實施例中，流體排放模組30a以及流體排除組件40設置於支撐模組20之相對兩側。來自流體排放模組30a的加工氣體例如矽源氣體(silicon source gas)流過基台26的上表面並藉由流體排除組件40排出，如第1圖的箭頭所示。
參照第2圖，其顯示根據本揭露部分實施例之晶圓加工裝置1a之上視圖。在部分實施例中，流體排放模組30a包 括一或多個中介組件例如中介組件33a、37a、以及一或多個排放連結器組件，例如排放連結器組件35、39。中介組件33a包括一中介通道34a流體連結於排放連結器組件35。中介組件37a包括一中介通道38a流體連結於排放連結器組件39。
在部分實施例中，流體排放模組30a流體連結於第一氣體供應模組70。來自第一氣體供應模組70的加工氣體經由流體排放模組30a提供於半導體晶圓5。在部分實施例中，第一氣體供應模組70包括一主要氣體來源71、一輔助氣體來源73、及複數個流體控制手段例如流體控制手段711、713、731、及733。
排放連結器組件35經由流體控制手段711流體連結於主要氣體來源71及輔助氣體來源73。排放連結器組件39經由流體控制手段713流體連結於主要氣體來源71及輔助氣體來源73。流體控制手段711、713控制提供至流體排放模組30a的加工氣體的流速。在部分實施例中，流體控制手段711、713常態性關閉。在流體控制手段731、733開啟前，來自輔助氣體來源73的加工氣體無法提供至排放連結器組件35、39。
在部分實施例中，流體排放模組30a更包括一排放組件31a。排放組件31a連結於中介組件33a、37a。排放組件31a具有一側表面311a，側表面311a相鄰基台26的邊緣265排列。排放組件31a可包括一或多個排放通道，排放通道係配置用以允許來自中介組件33a、37a的流體排放至半導體晶圓5。舉例而言，排放組件31a包括複數個排放通道例如排放通道321a、323a、325a、及327a。
在部分實施例中，排放通道321a、323a、325a、及327a流體連結中介通道34a、38a至形成於排放組件31a之側表面311a上的開口。舉例而言，每一排放通道321a、323a的一端係流體連結中介組件33a的中介通道34a。並且，每一排放通道321a、323a的另一端係流體連結於形成於側表面311a上的開口322a、324a之一。另外，每一排放通道325a、327a的一端係流體連結中介組件37a的中介通道38a。並且，每一排放通道325a、327a的另一端係流體連結於形成於側表面311a上的開口326a、328a之一。
如第1圖所示，在部分實施例中，排放通道321a具有一垂直流道段。換言之，一直角形成排放通道321a的一部分。舉例而言，排放通道321a包括一外流道段321a1、一垂直流道段321a2、及一內流道段321a3。外流道段321a1流體連結於中介通道34a。垂直流道段321a2流體連結外流道段321a1至內流道段321a3。外流道段321a1以及內流道段321a3在一垂直旋轉軸C之方向上延伸。垂直流道段321a2以垂直的方式連結外流道段321a1至內流道段321a3。在部分實施例中，排放通道321a、323a、325a、及327a具有相似的配置，排放通道323a、325a、及327a的特徵加以省略，以簡化說明內容。然而，應當理解的是，排放通道321a、323a、325a、及327a可以具有不同的配置。
藉由排放組件31a，加工氣體可以通過半導體晶圓5的大部分面積，以沈積一矽薄膜於半導體晶圓5上。然而，來自排放組件31a的加工氣體在通過半導體晶圓5的中心時，加工 氣體傾向於在半導體晶圓5的中心進行匯聚。為此，沈積於半導體晶圓5的中心以及邊緣上的矽薄膜將會產生變異。
在部分實施例中，如第2圖所示，為解決上述問題，一第二氣體供應模組80為此而提供。第二氣體供應模組80係配置以提供製程氣體例如矽源氣體至腔體19。來自第二氣體供應模組80的製程氣體是沿一個不同於第一氣體供應模組70供應製程氣體的方向而供應。舉例而言，來自第一氣體供應模組70的製程氣體是沿橫向線T而提供，並且來自第二氣體供應模組80的製程氣體是沿垂直橫向線T的方向而提供。藉由上述配置，製程氣體均勻提供至半導體晶圓5，具有均勻輪廓的矽薄膜即可形成於半導體晶圓5。
然而，由於排放通道321a、323a、325a、及327a均具有一垂直流道段，製程氣體通過垂直流道段時將產生擾流(turbulent flow)，進而導致加工失敗。更具體而言，當製程氣體通過流體排放模組30a時，製程氣體會受到排放通道321a所抬升，製程氣體不會如第1圖箭頭所示的方式接觸半導體晶圓5。因此，矽薄膜無法均勻沈積於半導體晶圓5。
因此，一種可減少或解決上述問題的晶圓加工裝置以取代上述晶圓加工裝置1a的需求即存在。
參照第3圖，其顯示根據本揭露部分實施例之晶圓加工裝置1b之上視圖。在部分實施例中，晶圓加工裝置1b與晶圓加工裝置1a之間的差異包括流體排放模組30a為流體排放模組30b所取代。流體排放模組30b包括一排放組件31b、一或多個中介組件例如中介組件33b、37b、以及一或多個排放連結器 組件例如排放連結器組件35、39。
中介組件33b包括一中介通道34b流體連結於排放連結器組件35。中介組件37b包括一中介通道38b流體連結於排放連結器組件39。中介通道34b的寬度W1以及中介通道38b的寬度W2可以具有變化。舉例而言，在朝向排放組件31b並平行橫向線T的方向上，中介通道34b的寬度W1以及中介通道38b的寬度W2逐漸增加。藉由上述配置，來自第一氣體供應模組70的製程氣體可以經由中介組件33b、37b均勻導向並分佈至排放組件31b。
在部分實施例中，中介組件33b的中介通道34b未流體連結於中介組件37b的中介通道38b。通過中介組件33b的中介通道34b的氣體係與通過中介組件37b的中介通道38b的氣體隔絕。因此，通過中介組件33b的中介通道34b的氣體係與通過中介組件37b的中介通道38b的氣體可以獨立受到控制。然而，中介組件33b的中介通道34b亦可流體連結於中介組件37b的中介通道38b。
排放組件31b連結於中介組件33b、37b。排放組件31b具有一側表面311b，側表面311b相鄰基台26的邊緣265排列。在部分實施例中，側表面311b具有一曲面，該曲面部分圍繞旋轉軸C。側表面311b沿橫向線T的二個相反側延伸，並終結於二端部312b、313b。二端部312b、313b各自相鄰基台26的二端點261、263。二端點261、263位於基台26最遠離橫向線T的位置。側表面311b的二端部312b、313b之間的直接距離D1係等於或大於基台26的寬度D2。
排放組件31b可包括一或多個排放通道，排放通道係配置用以允許來自中介組件33b、37b的流體排放至半導體晶圓5。舉例而言，排放組件31b包括複數個排放通道例如排放通道321b、323b、325b、及327b。在部分實施例中，排放通道321b、323b、325b、及327b流體連結中介通道34b、38b至形成於排放組件31b之側表面311b上的開口。
在部分實施例中，每一排放通道321b、323b的一端係流體連結中介組件33b的中介通道34b。每一排放通道321b、323b的另一端係流體連結於形成於側表面311b上的開口322b、324b之一。另外，每一排放通道325b、327b的一端係流體連結中介組件37b的中介通道38b。並且，每一排放通道325b、327b的另一端係流體連結於形成於側表面311b上的開口326b、328b之一。在部分實施例中，開口326b、328b正對於基台26的二端點261、263。開口326b、328b之間的直接距離D1係等於或大於基台26的寬度D2。經由開口322b、324b、326b、及328b，由流體排放組件30b提供的製程氣體均勻供應至基台26。
排放通道321b、323b、325b、及327b的結構特徵說明如下。參照第4圖，其顯示根據本揭露部分實施例之一晶圓加工裝置1b之剖面圖。在部分實施例中，排放通道321b之構成不具有垂直流道段。換言之，沒有直角形成於排放通道321b當中。舉例而言，排放通道321b包括一外流道段321b1、一傾斜流道段321b2、及一內流道段321b3。外流道段321b1流體連結於中介通道34b。外流道段321b1流體連結中介通道34b。傾 斜流道段321b2流體連結外流道段321b1至內流道段321b3。外流道段321b1以及內流道段321b3在一垂直旋轉軸C之方向上延伸。傾斜流道段321b2以一向上傾斜的角度自外流道段延321b1延伸至該內流道段321b3。
在部分實施例中，排放通道321b、323b、325b、及327b具有相似的配置，排放通道323b、325b、及327b的特徵加以省略，以簡化說明內容。然而，應當理解的是，排放通道321b、323b、325b、及327b可以具有不同的配置。流體排放模組30b的結構特徵可以根據使用者需求進行變更。
參照第5圖，其顯示根據本揭露部分實施例之一排放模組30c之剖面圖。在部分實施例中，排放模組30b與排放模組30c之差異包括排放組件31b為排放組件31c所取代。
在部分實施例中，排放組件31c可包括一或多個排放通道，例如排放通道321c。排放通道321c的一端係流體連結中介組件33b的中介通道34b。排放通道321c、323c的另一端係流體連結於形成於排放組件31c的側表面311c上的開口322c。在部分實施例中，排放通道321c之構成不具有垂直流道段。舉例而言，排放通道321c包括一水平流道段，水平流道段沿一垂直旋轉軸C(第4圖)的方向延伸。
參照第6圖，其根據本揭露部分實施例之一排放模組30d之剖面圖。在部分實施例中，排放模組30b與排放模組30d之差異包括排放組件31b為排放組件31d所取代。
在部分實施例中，排放組件31d可包括一或多個排放通道，例如排放通道321d。排放通道321d的一端係流體連結 中介組件33b的中介通道34b。排放通道321d、323d的另一端係流體連結於形成於排放組件31d的側表面311d上的開口322d。
在部分實施例中，排放通道321d之構成不具有垂直流道段。舉例而言，排放通道321d包括一外流道段321d1、一傾斜流道段321d2、及一內流道段321d3。外流道段321d1流體連結於中介通道34b。傾斜流道段321d2流體連結外流道段321d1至內流道段321d3。外流道段321d1以及內流道段321d3在一垂直旋轉軸D之方向上延伸。傾斜流道段321d2以一向下傾斜的角度自外流道段延321d1延伸至內流道段321d3。
流體排放組件30b、30c、及30d至少具有以下優點，擾流因傾斜流道段或水平流道段而避免被發生。相反地，自排放組件30b、30c、及30d流向流體排除組件40的製程氣體產生一層流(laminar flow)，如第4圖所示。製程氣體可接觸於半導體晶圓5，並且矽薄膜可均勻沈積於半導體晶圓5上。
流體排放組件30b、30c、及30d的優點更包括減少製造成本。由於流體排放組件30b、30c、及30d導引製程氣體至半導體晶圓5上方。不用另行配置第二氣體供應模組80，製程氣體的使用因此減少。
關於提供製程氣體至晶圓加工裝置的機制的實施例於此揭露。經由配置有一傾斜流道段或水平流道段的排放通道，製程氣體可以平順提供至半導體晶圓。避免因垂直流道段的設置，使製程氣體在供應過程中所產生的擾流現象。因此，矽薄膜均勻形成於半導體晶圓上。半導體晶圓的製造效率以及產品量率顯著增長。
雖然本揭露已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技術者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視申請專利範圍所界定者為準。
1b‧‧‧加工裝置
5‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧殼體
19‧‧‧腔體
20‧‧‧支撐模組
26‧‧‧基台
30b‧‧‧流體排放模組
31b‧‧‧排放組件
321b‧‧‧排放通道
321b1‧‧‧外流道段
321b2‧‧‧傾斜流道段
321b3‧‧‧內流道段
322b‧‧‧開口
33b‧‧‧中介組件
34b‧‧‧中介通道
35‧‧‧排放連結器組件
40‧‧‧流體排除組件
60‧‧‧預熱環
C‧‧‧旋轉軸

Claims (10)

  1. 一種晶圓加工裝置，包括：一腔體；一支撐模組，設置於該腔體，其中該支撐模組包括一基台，該基台係用以支撐一半導體晶圓並可繞一旋轉軸旋轉；以及一排放組件以及一流體排除組件設置於該支撐模組之兩側，其中該排放組件包括一排放通道，該排放通道之構成不具有垂直流道段。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工裝置，其中該排放通道在一垂直該旋轉軸之方向上延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工裝置，其中該排放通道包括一外流道段、一傾斜流道段、以及一內流道段，其中該外流道段以及該內流道段在該垂直該旋轉軸之方向上延伸，且該傾斜流道段以一向上傾斜或一向下傾斜的角度自該外流道段延伸至該內流道段。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓加工裝置，更包括一中介模組，該中介模組包括一中介通道流體連接於該排放通道，其中在朝向該排放組件之方向上，該中介通道的寬度逐漸增加。
  5. 一種晶圓加工裝置，包括：一腔體；一支撐模組位於該腔體中，其中該支撐模組包括一基台，該基台係用以支撐一半導體晶圓並可繞一旋轉軸旋轉；以 及一排放組件以及一流體排除組件設置於該支撐模組之兩側；其中該排放組件包括一側表面相鄰該基台並部分圍繞該旋轉軸，並且至少一開口設置於該側表面上，該開口係配置用以提供一加工氣體至該腔體，其中該側表面之二端部之距離係等於或大於該基台之寬度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓加工裝置，其中該開口之數量大於一，並且該等開口之二係各自相鄰該側表面之二端部排列。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓加工裝置，其中該基台包括二個端點，該二個端點各自相鄰該側表面之二端部之一，並且該二端點各自對應該等開口中位於最外側之二個開口。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓加工裝置，其中該排放組件包括一排放通道，該排放通道之構成不具有一在平行該旋轉軸之方向上延伸的垂直流道段。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之晶圓加工裝置，更包括一中介模組，該中介模組包括一中介通道流體連接於該排放通道，其中在朝向該排放組件之方向上，該中介通道的寬度逐漸增加。
  10. 一種加工一半導體晶圓之方法，包括：提供一晶圓加工裝置，該晶圓加工裝置包括一腔體以及一基台設置於該腔體中，該基台係用於支撐該半導體晶圓； 以及經由一相鄰該基台之排放組件對該半導體晶圓提供一製程氣體，其中該排放組件包括一排放通道，該排放通道之構成不具有垂直流道段。
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