TWI577500B - Method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus and a double-sided polishing method for a wafer - Google Patents

Method for manufacturing a carrier for a double-sided polishing apparatus and a double-sided polishing method for a wafer Download PDF

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Description

雙面研磨裝置用載具的製造方法及晶圓的雙面研磨方法
本發明關於一種雙面研磨裝置用載具的製造方法、及使用該雙面研磨裝置用載具之晶圓的雙面研磨方法，該雙面研磨裝置用載具，在雙面研磨時，被配置在雙面研磨裝置的貼附有研磨布之上下磨盤之間，以保持晶圓。
在利用拋光等來同時研磨晶圓的雙面時，藉由雙面研磨裝置用載具來保持晶圓。此載具，其厚度形成為小於晶圓，且具備保持孔，該保持孔用以將晶圓保持在雙面研磨裝置的上磨盤與下磨盤之間的預定位置。將晶圓插入並保持在此保持孔中，利用上磨盤與下磨盤的相對面上所設置的研磨布等研磨具，晶圓的上下表面被夾住，且一邊向研磨面供應研磨劑一邊進行研磨。
此處，於這種晶圓的雙面研磨中所使用的載具，主流是例如鈦或不鏽鋼等的金屬製，或者是玻璃環氧樹脂製的載具。在金屬製的載具中，沿著保持孔的內周部，安裝有工程塑膠等的樹脂製的嵌件材料，用以保護晶圓的周邊部而避免載具所造成的損壞。
這樣，將嵌件材料安裝至載具的保持孔與晶圓之間來進 行研磨，藉此能夠防止晶圓的周邊部發生破損。
作為這種雙面研磨裝置用載具的製造方法，例如專利文獻1所記載而列舉的製造方法，該製造方法是藉由嵌入、黏結、射出成形等手法，將嵌件材料固定至載具。
又，在專利文獻2中，記載著：以嵌件材料與載具的高度相同的方式，使嵌件材料嵌合後，藉由研磨加工來使厚度一致。
又，也有使載具本體的保持孔的內周所設置的卡止溝，與嵌件材料外周所設置的卡止突條契合(engage)的製造方法(專利文獻3)，藉此來嘗試使嵌件材料的位置偏差和脫落等難以發生，防止在工件研磨加工時的磨耗、及防止該嵌件材料的磨耗所伴隨的工件外周部的面塌邊。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2004-148497號公報
專利文獻2：日本特開2012-171035號公報
專利文獻3：日本特開2009-12086號公報
在雙面研磨裝置中，例如，通常每一批次同時研磨五片左右的晶圓。設置相當於該片數份量的具有前述保持孔之雙面研磨裝置用載具，同時進行該片數的晶圓的雙面研磨。
然而，在這樣同時進行雙面研磨後的複數片晶圓中，已知平坦度會產生偏差。
本發明是鑒於上述問題點而完成，其目的在於提供一種雙面研磨裝置用載具的製造方法及晶圓的雙面研磨方法，該雙面研磨裝置用載具，能夠抑制在批次內的研磨晶圓的平坦度的偏差。
為了達成上述目的，本發明提供一種雙面研磨裝置用載具的製造方法，是將嵌件材料嵌合並黏結在保持孔中來進行製造，該保持孔是被形成在雙面研磨裝置的貼附有研磨布之上磨盤和下磨盤之間所配置的載具本體上，且用以在研磨時保持晶圓，該嵌件材料接觸前述所保持的晶圓的周邊部，並且，該雙面研磨裝置用載具的製造方法的特徵在於： 對前述嵌件材料施行研光加工(lapping)和研磨加工，之後，將已施行該研光加工和研磨加工的嵌件材料嵌合至前述載具本體的保持孔中，然後，沿著與前述載具本體的主要表面垂直的方向，一邊將負載施加至已嵌合的前述嵌件材料上一邊進行黏結和乾燥，藉此來製造雙面研磨裝置用載具。
依照這種本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法，能夠提高所製造的載具的均等性。更具體來說，藉由上述研光加工和研磨加工，在載具製造時，能夠抑制每個載具中的嵌件材料的厚度的偏差。又，藉由上述一邊施加負載一邊進行黏結和乾燥步驟，能夠在載具製造時，控制每個載具中的載具本體與嵌件材料的位置偏差。藉此，能夠控制每個載具中的幾何學形狀上的偏差。
此處，針對抑制在批次內的研磨晶圓的平坦度的偏 差，載具的均等性是重要的。並且，因為本發明所製造的載具是以上述方式來提高均等性，所以如果使用複數個這種載具來同時進行複數個晶圓的雙面研磨，則能夠抑制相同批次內的研磨晶圓的平坦度的偏差。亦即，能夠提供均等品質的研磨晶圓。
此時，作為進行前述研光加工和研磨加工的嵌件材料，能夠準備比研光加工和研磨加工後的目標厚度更厚20μm以上的材料。
如此，能夠防止由於在嵌件材料上原本存在的面內厚度的偏差，在加工前便已經存在有比目標厚度更薄的部分，並以此作為起因，而造成即使加工成為目標厚度後仍殘留有該厚度偏差。
又，能夠將施加至前述嵌件材料上的負載，設為100至300g/cm2。
藉由設為100g/cm2以上，能夠更有效地防止在壓入不充分而產生有位置偏差的狀態下進行黏結的情況。又，藉由設為300g/cm2以上，能夠更加防止嵌件材料的過度壓入所造成的位置偏差的產生。
又，當一邊對已嵌合的前述嵌件材料施加負載一邊進行黏結和乾燥時，能夠先將嵌合有前述嵌件材料之載具本體載置在水平台上，然後在前述嵌件材料上載置重物來進行，並且，作為前述水平台和重物，使用在其負載面中的平面度為3μm以內的水平台和重物。
如此，能夠抑制在水平台和重物各自的負載面中的 平面度的偏差，並能夠更有效地防止嵌件材料的壓入量在圓周方向上變得不均等。並且，藉此能夠更加防止嵌件材料的位置偏差的產生。
又，本發明提供一種晶圓的雙面研磨方法，其特徵在於：準備藉由上述雙面研磨裝置用載具的製造方法所製造的複數個雙面研磨裝置用載具，在各自的前述保持孔中保持晶圓並配置在前述雙面研磨裝置的上磨盤和下磨盤之間，以將複數個晶圓同時進行雙面研磨。
依照這種本發明的雙面研磨方法，因為能夠抑制在同批次內的研磨晶圓的平坦度的偏差，所以能夠提供均等品質的研磨晶圓。
依照以上的本發明，能夠提供均等性高的雙面研磨裝置用載具。並且，藉此，在雙面研磨中能夠抑制在批次內的研磨晶圓的平坦度的偏差。
11‧‧‧載具本體
12‧‧‧載具本體的主要表面
13‧‧‧保持孔
20‧‧‧嵌件材料
30‧‧‧重物
40‧‧‧薄板
50‧‧‧水平台
第1圖是表示本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法的一例的流程圖。
第2圖是表示本發明中的黏結和乾燥方法的一例的說明圖。
第3圖是表示實施例中的載具本體與嵌件材料的平行度的圖式。
第4圖是表示平行度的圖式的評價的一例的說明圖。
第5圖是表示嵌件材料相對於載具本體的測定角度的符 號的意義的說明圖。
第6圖是表示實施例中的在載具的嵌件材料、載具本體最外周、載具本體內周的厚度的圖式。
第7圖是表示實施例及比較例中的研磨晶圓的ESFQR的測定結果的圖式。
第8A圖是表示實施例中依照每個載具區分的研磨晶圓的ESFQRmax的測定結果的圖式。
第8B圖是表示比較例中依照每個載具區分的研磨晶圓的ESFQRmax的測定結果的圖式。
第9圖是表示實施例中的批次內的每個研磨晶圓的外周剖面的測定結果的圖式。
第10圖是表示比較例中的載具本體與嵌件材料的平行度的圖式。
第11圖是表示比較例中的在載具的嵌件材料、載具本體最外周、載具本體內周的厚度的圖式。
第12圖是表示比較例中的批次內的每個研磨晶圓的外周剖面的測定結果的圖式。
第13圖是表示先前的雙面研磨裝置用載具的製造方法的一例的流程圖。
以下，針對本發明，一邊參照圖式一邊詳細說明實施形態的一例，但是本發明不受限於此實施形態。
在雙面研磨中，關於同批次內的研磨晶圓中所產生的平坦度的偏差，本發明人進行深入的研究。
為了使批次內的研磨晶圓的平坦度均等地一致，載具的均等性是重要的，但是已知由於每個載具中的嵌件材料的厚度偏差、及嵌件材料與載具本體的位置偏差等，會有批次內的載具的幾何形狀不一定均等的問題。
因此，本發明人研究出以下的技術而完成本發明，亦即：在將嵌件材料嵌合至載具的保持孔時，預先對嵌件材料施行研光加工和研磨加工，且一邊對嵌件材料施加負載一邊進行朝向載具本體的黏結和乾燥，藉此來提供均等性高的載具，而能夠減低同批次內的研磨晶圓的品質偏差。
第1圖是表示本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法的一例的流程圖。
另外，至少包含：對嵌件材料施行研光加工和研磨加工的步驟；及，將已施行這些步驟後的嵌件材料，嵌合至載具本體的保持孔，並沿著與載具本體的主要表面垂直的方向，一邊對嵌件材料施加負載一邊進行黏結和乾燥的步驟即可。除了這些步驟以外，如第1圖所示，也能夠適當追加各種步驟。
(步驟1：嵌件材料的切成(從板狀作成環狀))
首先，準備例如EG(乙二醇，Ethylene Glycol)或AFRP(芳綸纖維增強塑膠，Aramid Fiber Reinforced Plastic)等工程塑膠所構成的嵌件材料，切成適合進行研光加工和研磨加工的形狀。例如能夠從板狀嵌件材料，切成比最後嵌合至載具本體孔的保持孔時的形狀(嵌入形狀)更大的環狀。考慮到後續步驟中的研光加工和研磨加工等的加工裕度，能夠如上述般地切 成稍微較大。當然不限定為環狀，能夠以適合進行上述加工的方式來適當決定切成形狀。
另外，也能夠以比研光加工和研磨加工後的目標厚度更厚20μm以上的方式來切成。例如，能夠準備比研光加工和研磨加工後的目標厚度更厚20μm以上厚度的板狀嵌件材料，並且由此嵌件材料來進行切成。利用準備這種厚度的嵌件材料，當為了藉由研光加工等來去除原本存在的厚度偏差時，能夠確保充分的加工裕度。藉此，能夠更確實地防止在研光加工等後殘留有厚度偏差，而能夠製造均等性高的載具。
(步驟2：研光加工)
繼而，對於已切成的環狀嵌件材料施行研光加工。研光加工的條件沒有特別限定，能夠適當決定。
例如，在對上述環狀嵌件材料進行研光加工時，能夠準備適當的環用載具，將環狀嵌件材料和環用載具夾入具有網目溝紋的鑄鐵製的上磨盤與下磨盤之間，且使用GP2000漿液(slurry)等的研光用漿液來進行。
(步驟3：研磨加工)
繼而，對於研光加工後的環狀嵌件材料施行研磨加工。研磨加工的條件沒有特別限定，能夠適當決定。
例如，將環狀嵌件材料和環用載具夾入貼附有硬質發泡聚胺酯墊之上磨盤與下磨盤之間，且使用氧化鈰漿液等的研磨用漿液來進行。
(步驟4：嵌件材料的切成(從環狀作成嵌件形狀))
然後，從環狀嵌件材料，切成實際地與載具本體的保持孔嵌合，且在雙面研磨時與所保持的晶圓的周邊部相接的形狀(嵌件形狀)。
如前述，每個載具的嵌件材料的厚度偏差，是在批次內的研磨晶圓的平坦度偏差的原因之一，但是在本發明的製造方法中的嵌件材料，因為預先進行上述步驟2、3，所以能夠將嵌件材料的面內厚度偏差例如改善至2μm以下，且能夠使各個載具均等。
相對於這種本發明的嵌件材料的製作步驟，第13圖所示的先前方法，僅是從板狀嵌件材料切成嵌件形狀。因此，存在有作為嵌件材料之樹脂等的原來具有的面內厚度偏差，且每個載具會發生嵌件材料的厚度偏差，所以會對於研磨晶圓的平坦度偏差造成較大的不良影響。
與這種先前方法不同，如本發明的施行研光加工等，藉此能夠大幅改善每個載具的嵌件材料的厚度偏差。
(步驟5：朝向載具本體和嵌件材料的嵌合部分，塗布黏結劑)
對載具本體的保持孔的內周部、或嵌件材料(嵌件形狀)的外周等的嵌合部分，塗布黏結劑。黏結劑的種類沒有特別限制，也能夠使用環氧系的黏結劑等適當的黏結劑。
另外，作為載具本體，例如能夠作成鈦或不鏽鋼等的金屬性、或玻璃環氧樹脂製的載具本體。
(步驟6：朝向載具本體的保持孔，將嵌件材料嵌合)
將嵌件材料(嵌件形狀)朝向載具本體的保持孔嵌合。嵌合 方法沒有特別限定，只要能夠適當地嵌合即可。
(步驟7：一邊施加負載一邊進行黏結和乾燥)
繼而，進行嵌合部分的黏結和乾燥。在第2圖中表示此黏結和乾燥方法的一例。如第2圖所示，將保持孔13嵌合有嵌件材料20之載具本體11平放在水平台50上，沿著與載具本體11的主要表面12垂直的方向，經由薄板40載置重物(weight)30而將負載施加至保持孔13內的嵌件材料20上。此時，在載具本體11上也可以載置別的重物30。然後，如此地一邊施加負載一邊使嵌件材料20黏結至載具本體11，進而進行黏結劑的乾燥而使其固化(負載黏結方式)。
藉由這樣地進行黏結和乾燥，此時，能夠抑制嵌件材料與載具本體的位置偏差的產生。因而能夠謀求改善上述位置偏差，該位置偏差是在批次內的研磨晶圓的平坦度發生偏差的另一個原因。
例如，能夠將嵌件材料相對於載具本體的平均角度的絕對值設為0.06°以下，並能夠改善嵌件材料相對於載具本體的平行度，藉此能夠提高每個載具的上述平均角度的均等性。
又，此時施加在嵌件材料上的負載，較佳是100~300g/cm2。藉由設為100g/cm2以上，能夠更有效地防止由於壓入不充分而在產生位置偏差的情況下進行黏結。又，藉由設為300g/cm2以上，能夠更加防止由於嵌件材料的過度壓入而產生位置偏差。
但是，當然不受限於這些負載，而可每次進行決定。
又，此時上述水平台與重物，各自的負載面(亦即， 在水平台中的載具本體的載置面、或是在重物中的與嵌件材料或載具本體等的接觸面)中的平面度，較佳是3μm以內。另外，如第2圖般地經由薄板的情況，該薄板也能夠作為一個重物來將負載施加至載具本體或嵌件材料上，所以其與載具本體或嵌件材料等的接觸面的平面度，較佳是3μm以內。
藉由如此地將平面度設為3μm以內，能夠更有效地防止朝向嵌件材料的壓入量在嵌件材料的圓周方向上變成不均等，並能夠防止嵌件材料發生位置，且在工件研磨加工時，能夠更加防止嵌件材料發生偏磨耗。
另外，平面度不受限於3μm以內，能夠對應於想要的精度來決定。
又，作為平面度的測定方法並沒有特別限制，能夠適當地決定該方法。例如，能夠在水平台或板狀重物的負載面中的六處進行板厚測定來求得平面度。此測定處的數量不限於六處，能夠對應於想要花費的勞力或謀求的精度而有所增減。
但是，當然不受限於此平面度的測定方法，能夠每次進行決定。
相對於這種本發明的嵌件材料與載具本體的黏結和乾燥方式，在如第13圖所示的先前方法中，是先將黏結劑塗布在嵌合部，且在水平台上將嵌件材料進行輥壓(roller press)後，使載具垂直且在空氣中使黏結劑乾燥以使其固定。此時，嵌件材料會發生沒有與載具底面平行、水平，而以相對於載具本體呈朝向斜上方突出的方式產生位置偏差，並於該狀態 下嵌合、固定的情況。此時，嵌件材料相對於載具本體的平均角度的絕對值大，因此傾斜地突出的部分，在工件加工時會造成偏磨耗，也因此會在嵌件材料上產生厚度偏差。
與這種先前方法不同，利用如前述般地進行本發明的黏結和乾燥，能夠改善嵌件材料相對於載具本體的平行度。
(步驟8：完工研磨加工)
如上述般地一邊施加負載一邊進行黏結和乾燥後，施行完工研磨(拋光)加工以作成想要的完工厚度。例如，能夠進行與先前同樣的完工研磨加工。
在本發明的雙面研磨裝置用載具的製造方法中，能夠抑制在先前方法中會產生的在每個載具的嵌件材料中的厚度偏差、或嵌件材料與載具本體的位置偏差。亦即，能夠製造均等性高的載具。
又，在本發明的晶圓的雙面研磨方法中，準備如上述般地製造出來的複數個載具，在各自的保持孔中保持有晶圓的狀態下，配置在雙面研磨裝置的貼附有研磨布之上磨盤與下磨盤之間。然後一邊供給漿液一邊驅動裝置，以將上述複數個晶圓同時進行雙面研磨。
依照這種雙面研磨方法，因為使用的是均等性高的載具，所以能夠抑制同個批次內的研磨晶圓的平坦度的偏差。相較於使用不均等的載具之先前的雙面研磨方法，更加能夠使研磨晶圓的品質一致。
[實施例]
以下，表示實施例及比較例來更具體地說明本發明，但 是本發明不受限於這些例子。
(實施例)
藉由如第1圖所示的本發明的雙面研磨用載具的製造方法來製造載具，使用該載具來進行晶圓的雙面研磨。
將目標的完工厚度(第1圖的步驟8)設定為765μm。使用乙二醇(EG)作為嵌件材料。將具有1000μm的厚度的板狀嵌件材料切成環狀後，利用下述條件施行研光加工和研磨加工。之後，切成嵌件形狀。
表1表示研光加工條件及研磨加工條件。(下述USP-22B、USP-15B為機器型號，MIREK為商標名稱，MH-C15G為型號)
繼而，準備鈦製的載具本體(母材)，在已切成嵌件形狀的嵌件材料與載具本體的保持孔上塗布黏結劑(二液硬化性的環氧樹脂系黏結劑)，將嵌件材料嵌合至保持孔。然後， 如第2圖所示將載具本體平放在水平台上，將重物裝載在載具本體的主要表面和嵌件材料上，藉此進行嵌件材料與保持孔的黏結和乾燥。重物所造成的朝向嵌件材料的負載設為200g/cm2。作為放置載具本體之水平台、金屬用重物(載具本體的主要表面上載置的重物)、樹脂用重物(嵌件材料上載置的重物)、薄板等，是使用在各自的負載面的6處藉由板厚測定而得到的平面度為3μm之物。
然後，施行完工研磨，以製造雙面研磨裝置用載具。
繼而，使用所製造的載具，進行直徑300mm的半導體矽晶圓的雙面研磨加工。使用不二越機械公司製造的DSP-20B(機器型號)，研磨墊是NITTA HAAS公司製造的MH-S15A(型號)，研磨漿液是福吉米股份有限公司(Fujimi Incorporated)製造的GLANZOX2100(型號)。設置5片載具，在該載具的各個保持孔中保持有晶圓，以每一個批次5片晶圓的方式進行雙面研磨。
(比較例)
藉由如第13圖所示的先前的雙面研磨裝置用載具的製造方法來製造載具，使用該載具來進行晶圓的雙面研磨。
準備與實施例同樣的板狀嵌件材料，與實施例相異之處在於不施行研光加工和研磨加工而直接切成嵌件形狀。
繼而，準備與實施例同樣的載具本體，在切成嵌件形狀的嵌件材料與載具本體的保持孔上塗布黏結劑，且將嵌件材料嵌合至保持孔。之後，與實施例相異，在水平台上進行輥壓後，在空氣中使黏結劑乾燥。
然後施行完工研磨，以製造雙面研磨裝置用載具。
繼而，使用製造的載具，與實施例同樣進行直徑300mm的半導體矽晶圓的雙面研磨加工。
此處，於實施例及比較例中，針對嵌件材料、載具、研磨晶圓的品質等，表示測定結果。
首先，針對嵌件材料的厚度資料進行說明。
將實施例中的研光加工和研磨加工後的環狀嵌件材料的厚度資料表示於表2中。厚度測定是使用三豐(Mitutoyo)公司製造的測微器(micrometer)來進行。針對4點(相隔90°)進行測量。
如表2所示，藉由進行研光加工和研磨加工，在任一個試料中，都能夠將每片嵌件材料的面內厚度偏差改善至1~2μm。繼而，能夠使每個嵌件材料的品質(厚度偏差)均等。
另一方面，關於比較例的嵌件材料的厚度資料，為了與實施例進行比較，測定從板狀嵌件材料切成環狀嵌件材料後的嵌件材料的厚度資料。測定結果如表3所示。
另外，實際上載具的製造所使用的嵌件材料具有765μm左右的厚度，而表3所表示的是1000μm的試料。此表3的數值是在實施例中進行研光加工、研磨加工前的數值。又，比較例所使用的具有765μm左右的厚度的嵌件材料，其面內厚度偏差與表3幾乎同樣。
在比較例中，如表3所示，依照嵌件材料的不同，其面內厚度偏差最大是42μm。又，已知最少會產生2μm的偏差。這樣確認了嵌件材料的品質不一致。
繼而，針對完成的載具，針對載具與嵌件材料的平行度進行說明。
針對平行度的測定，使用接觸式分析工具(contact type profiler，泰勒-霍普森(TaylorHobson)公司製造的FormTarysurfIntra(型號))。
作為實施例的測定結果的例子，針對載具的一批號(lot)5片的各片逐個的測定結果，如第3(A)至3(E)圖表示。
另外，第4圖表示由FormTarysurfIntra所得到的測定結果的評價。
如第3圖所示，可知批號內的全部幾乎平行或水平嵌合且固定。可知嵌件材料並沒有傾斜地嵌合，又，能夠極度抑制嵌件材料與載具本體的段差。
另一方面，比較例的測定結果如第10圖所示。如第 10圖所示，可知嵌件材料是傾斜地嵌合，產生大的段差，而在批號內有偏差。
又，針對嵌件材料相對於載具本體的角度進行說明。在測定中使用基恩斯(KEYENCE)公司製造的LJ-V7060K(型號)。每片載具上的測定點設定為4處，從此4處來求得載具的平均值。進而以一批號5片的方式進行測定以求得平均值。第4圖是表示在實施例及比較例的場合的結果。
另外，第5圖表示由LJ-V7060K所得到的測定角度的符號所代表的內容。如果相對於母材突出，則標示為正號。另一方面，如果相對於母材低漥，則標示為負號。
如表4所示，如果以嵌件材料相對於載具本體的平均角度的絕對值作為指標，則在實施例中能夠作成0.06°這樣的較小的數值，可知相較於比較例(0.23°)已大幅改善。
又，測定所製造的載具(一批號5片)的嵌件材料、載具本體最外周、載具本體內周的厚度(各個項目的最大值及最小值)。第6圖是表示實施例的場合的測定結果，第11圖表示比較例的場合的測定結果。
如第6圖所示，在實施例中，任一個嵌件材料的厚度偏差都被抑制，整體的品質一致。
另一方面，在比較例中，如第11圖所示，各個嵌件材料的厚度偏差比較大，又，該厚度偏差在各個載具間的差異也很大，而有偏差。
又，研磨後的晶圓的平坦度及外周部的剖面，是藉由平坦度測定器(Wafersight M49mode)，並以邊緣除外區域為1mm的方式(亦即最外周邊緣1mm範圍內為除外區域)來進行測定。
第7圖是表示實施例及比較例中的研磨晶圓整體的ESFQRmax(邊緣的局部平坦度的最大值)的測定結果。
又，第8A圖是表示實施例中的依照每個載具區分的研磨晶圓的ESFQRmax的測定結果的圖式。第8B圖是表示比較例中的依照每個載具區分的研磨晶圓的ESFQRmax的測定結果的圖式。
又，第9圖是表示實施例中的批次內的每個研磨晶圓的外周剖面(4處)的測定結果的圖式。第12圖是表示比較例中的批次內的每個研磨晶圓的外周剖面(4處)的測定結果的圖式。
如第8圖所示，在實施例中，相較於比較例，已知：由於由於所使用的載具的偏差而產生的研磨晶圓的ESFQRmax的偏差較小且均等化。再者，此均等化也反映在第7圖的柱狀圖(histogram)，且ESFQRmax的偏差σ是4.89nm，屬於很小的值。
另一方面，在比較例中，如第7圖所示，ESFQRmax的偏差σ是11.06nm這樣的很大的值。
又，如第9圖所示，在實施例中，批次內的外周部成為均勻形狀(此處是全部塌邊)。
另一方面，在比較例中，如第12圖所示，外周部的形狀是翹起與塌邊混雜在一起，而造成批次內偏差。
另外，本發明不受限於上述實施形態。上述實施形態是例示，凡是具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想實質上具有相同的構成並發揮同樣的作用效果的技術，不論為何種技術，都包含在本發明的技術範圍內。

Claims (7)

  1. 一種雙面研磨裝置用載具的製造方法，是將嵌件材料嵌合並黏結在保持孔中來進行製造，該保持孔是被形成在雙面研磨裝置的貼附有研磨布之上磨盤和下磨盤之間所配置的載具本體上，且用以在研磨時保持晶圓，該嵌件材料接觸前述所保持的晶圓的周邊部，並且，該雙面研磨裝置用載具的製造方法的特徵在於：對前述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之後，將已施行該研光加工和研磨加工的嵌件材料嵌合至前述載具本體的保持孔中，然後，沿著與前述載具本體的主要表面垂直的方向，一邊將負載施加至已嵌合的前述嵌件材料上一邊進行黏結和乾燥，藉此來製造雙面研磨裝置用載具。
  2. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法，其中，作為進行前述研光加工和研磨加工的嵌件材料，準備比研光加工和研磨加工後的目標厚度更厚20μm以上的材料。
  3. 如請求項1所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法，其中，將施加至前述嵌件材料上的負載，設為100至300g/cm2。
  4. 如請求項2所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法，其中，將施加至前述嵌件材料上的負載，設為100至300g/cm2。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法，其中，當一邊對已嵌合的前述嵌件材料施加負載一邊進行黏結和乾燥時，先將嵌合有前述嵌件材料之載具本體載置在水平台上，然後在前述嵌件材料上載置重物來進行，並且，作為前述水平台和前述重物，使用在其負載面中的平面度為3μm以內的水平台和重物。
  6. 一種晶圓的雙面研磨方法，其特徵在於：準備如請求項1至4中任一項所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法所製造的複數個雙面研磨裝置用載具，在各自的前述保持孔中保持晶圓並配置在前述雙面研磨裝置的上磨盤和下磨盤之間，以將複數個晶圓同時進行雙面研磨。
  7. 一種晶圓的雙面研磨方法，其特徵在於：準備如請求項5所述之雙面研磨裝置用載具的製造方法所製造的複數個雙面研磨裝置用載具，在各自的前述保持孔中保持晶圓並配置在前述雙面研磨裝置的上磨盤與下磨盤之間，以將複數個晶圓同時進行雙面研磨。
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