CN109129028B - 一种高效的碳化硅晶片的加工方法 - Google Patents

一种高效的碳化硅晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109129028B
CN109129028B CN201710450127.7A CN201710450127A CN109129028B CN 109129028 B CN109129028 B CN 109129028B CN 201710450127 A CN201710450127 A CN 201710450127A CN 109129028 B CN109129028 B CN 109129028B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
wafer
grinding
silicon carbide
grinding wheel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710450127.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109129028A (zh
Inventor
蔡振立
刘春俊
彭同华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd
Tankeblue Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Tianke Heda New Material Co ltd, Xinjiang Tankeblue Semiconductor Co ltd, Tankeblue Semiconductor Co Ltd filed Critical Beijing Tianke Heda New Material Co ltd
Priority to CN201710450127.7A priority Critical patent/CN109129028B/zh
Publication of CN109129028A publication Critical patent/CN109129028A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109129028B publication Critical patent/CN109129028B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0076—Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/0056—Control means for lapping machines or devices taking regard of the pH-value of lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种高效的碳化硅晶片的加工方法，包括晶片倒角、双面机械研磨、砂轮抛光、双面化学机械抛光。本发明采用金刚石砂轮抛光衔接双面机械研磨和双面化学机械抛光，摒弃传统单面加工方法中的有蜡贴片程序，极大的优化了加工工艺流程，同时提高了晶片加工的自动化程度和精度，得到了低翘曲度、高表面质量的碳化硅晶片。该发明方法极大的简化了晶片加工流程，提高了加工效率，有利于商业化大规模生产。

Description

一种高效的碳化硅晶片的加工方法
技术领域
本发明属于半导体材料加工技术领域，涉及一种高效的碳化硅晶片的加工方法，提高了碳化硅晶片晶片的加工质量和加工效率，有利于节约生产加工成本，适合产业化推广。
背景技术
在信息技术快速发展的今天，半导体技术的革新扮演着愈加重要的角色。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体，是继硅、砷化镓之后的第三代宽禁带半导体。与硅和砷化镓为代表的传统半导体材料相比而言，碳化硅在工作温度、耐击穿电压、抗辐射等方面性能具有非常大的优势。碳化硅已经成为目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料，其高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率以及抗辐射的新要求，因此碳化硅被看作是半导体材料领域最具有前景的材料之一。
由于碳化硅生长技术难度较高，加工工艺复杂等因素导致市场出售的碳化硅晶片价格偏高，影响了碳化硅的市场应用和发展。因此，为了扩大碳化硅材料的应用，进一步降低碳化硅晶片的生产加工成本是必要的。碳化硅的莫氏硬度为9.5，与金刚石接近，故碳化硅材料的加工非常困难。鉴于碳化硅材料硬度高、脆性大，目前碳化硅加工效率普遍较低，加工周期较长，影响的碳化硅材料的规模化生产。目前市面销售产品为双面抛光产品，传统的碳化硅加工工艺为单面加工，包括晶片倒角、双面机械研磨、有蜡贴片、粗机械抛光、精机械抛光、晶片翻面贴片、粗机械抛光、精机械抛光、化学机械抛光，采用的单面加工厚重新上蜡贴片翻面加工的工艺程序复杂，加工周期长，不利于碳化硅晶片的商业化大规模生产；同时加工的晶片翘曲度（Warp）、总厚度变化（TTV）大，降低了下游的外延、器件制造的产品质量。
发明内容
本发明提供了一种高效的碳化硅晶片的加工方法，包括晶片倒角、双面机械研磨、砂轮抛光、双面化学机械抛光，加工工序简单，加工周期短，自动化程度高，效率高，晶片的翘曲度（Warp）和总厚度变化（TTV）小，最终加工的碳化硅晶片满足工业客户的使用要求。其中，砂轮抛光工序的砂轮刀头为以金刚石磨料为原料，分别用金属粉、树脂粉、陶瓷和电镀金属作结合剂制作而成。晶片通过真空吸附固定住，金刚石刀头高速旋转，在晶片表面进行抛光，同时加冷却液进行冷却。
本发明方法的技术方案如下：
（1）晶片倒角；
（2）双面机械研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为2-20μm，研磨压力为25-250 g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔5-50mm，槽宽0.5-2mm，槽深0.5-10mm，研磨时间为1-4h；
（3）砂轮抛光，采用全自动砂轮抛光设备，选择合适粒径的金刚石砂轮，对晶片两面进行打磨抛光，砂轮转速为500-3500rpm，磨削速度为0.1-5μm/min，磨削时间为0.5-20分钟；
（4）双面化学机械抛光，使用酸性的抛光液，加入一定比例的氧化剂，调节抛光液的pH值为2-6，施加合适的抛光压力，抛光垫为聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为0.5-5h。
在本发明技术方案中，步骤（3）所述金刚石砂轮颗粒粒径为0.5-2μm或2-5μm或5-10μm的金刚石砂轮。
在本发明技术方案中，步骤（3）砂轮抛光时先用5-10μm的金刚石砂轮，转速500-1500rpm，抛光时间1-5分钟；再用2-5μm的金刚石砂轮，转速1500-2500rpm，抛光时间3-10分钟；再用0.5-2μm金刚石砂轮，转速2500-3500rpm，抛光时间8-20分钟。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述抛光液为氧化铝抛光液或氧化硅抛光液或氧化铈抛光液。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述抛光液中磨粒的质量分数为1%-10%或10%-30%或30%-50%。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述抛光液中磨粒的粒径为30-100nm或100-200nm。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述氧化剂为高锰酸钾或次氯酸钠或双氧水。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述抛光液与氧化剂的体积比为1：（0.1~20）。
在本发明技术方案中，步骤（4）所述聚氨酯类抛光垫的邵氏硬度为60-96。
本发明提供了一种高效、快速的碳化硅晶片加工方法，与传统的晶片加工方法相比，通过本发明方法，可以大大缩短碳化硅晶片的加工时间，提高晶片加工的质量，加工后碳化硅晶片的面型可以达到TTV（总厚度变化）≤4μm，LTV（局部厚度变化）≤2μm，Bow（弯曲度）≤15μm，Warp（翘曲度）≤15μm，Rms（表面粗糙度）<0.1nm，晶片表面无肉眼可见缺陷。
附图说明
图1为本发明的加工方法的工艺流程示意图。
图2为采用本发明的加工方法进行加工后碳化硅晶片的总厚度变化图。
图3为采用本发明的加工方法进行加工后碳化硅晶片的翘曲度图。
图4为采用本发明的加工方法进行加工后碳化硅晶片Si面的AFM结果图。
图5为采用本发明的加工方法进行加工后碳化硅晶片C面的AFM结果图。
图6为采用本发明的加工方法进行加工后碳化硅晶片Si面的Candela CS920结果图。
具体实施方式
实施例1
一种高效的碳化硅晶片的加工方法，其具体步骤如下：
（1）晶片倒角；
（2）倒角后的晶片进行双面研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5μm，研磨压力为115 g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔10mm，槽宽1mm，槽深10mm，研磨时间为3.5h；
（3）采用全自动砂轮抛光设备，对晶片两面进行打磨抛光，先用5μm的金刚石砂轮，转速1500rpm，磨削速度为3μm/min，抛光时间3分钟；再用2μm的金刚石砂轮，转速2500rpm，磨削速度为1.5μm/min，抛光时间6分钟；再用1μm金刚石砂轮，转速3000rpm，磨削速度为0.2μm/min，抛光时间15分钟；
（4）砂轮抛光后的碳化硅晶片进行双面化学机械抛光，使用酸性的氧化铝抛光液，加入一定比例的高锰酸钾溶液，调节抛光液的pH值为3，抛光压力为500g/cm2，抛光垫为聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为3h。
所述的氧化铝抛光液的质量分数为3%，粒度为105nm。
所述的氧化铝抛光液与高锰酸钾的体积比为1：1。
所述的聚氨酯抛光垫的邵氏硬度为92。加工后晶片的总厚度变化如图2，翘曲度如图3所示，Si面、C面的AFM结果图如图4、5所示，CS920测试结果如图6所示，表明本发明方法加工晶片具有较好的加工质量。
实施例2
一种高效的碳化硅晶片的加工方法，其具体步骤如下：
（1）晶片倒角；
（2）倒角后的晶片进行双面研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为3μm，研磨压力为160 g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔10mm，槽宽1mm，槽深10mm，研磨时间为3h；
（3）采用全自动砂轮抛光设备，对晶片两面进行打磨抛光，先用10μm的金刚石砂轮，转速1000rpm，磨削速度为5μm/min，抛光时间2分钟；再用3μm的金刚石砂轮，转速2000rpm，磨削速度为2μm/min，抛光时间8分钟；再用1μm金刚石砂轮，转速3000rpm，磨削速度为0.3μm/min，抛光时间12分钟；
（4）砂轮抛光后的碳化硅晶片进行双面化学机械抛光，使用酸性的氧化硅抛光液，加入一定比例的高锰酸钾，调节抛光液的pH值为4，抛光压力为300g/cm2，抛光垫为聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为3h。
所述的氧化硅抛光液的质量分数为30%，粒度为80nm。
所述的氧化硅抛光液与高锰酸钾的体积比为1：10。
所述的聚氨酯抛光垫的邵氏硬度为85。
实施例3
一种高效的碳化硅晶片的加工方法，其具体步骤如下：
（1）晶片倒角；
（2）倒角后的晶片进行双面研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5μm，研磨压力为160 g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔20mm，槽宽1mm，槽深10mm，研磨时间为3h；
（3）采用全自动砂轮抛光设备，对晶片两面进行打磨抛光，先用10μm的金刚石砂轮，转速800rpm，磨削速度为5μm/min，抛光时间2分钟；再用5μm的金刚石砂轮，转速1600rpm，磨削速度为2μm/min，抛光时间8分钟；再用2μm金刚石砂轮，转速3000rpm，磨削速度为0.8μm/min，抛光时间10分钟；
（4）砂轮抛光后的碳化硅晶片进行双面化学机械抛光，使用酸性的氧化铈抛光液，加入一定比例的高锰酸钾，调节抛光液的pH值为2，抛光压力为400g/cm2，抛光垫为聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为4h。
所述的氧化铈抛光液的质量分数为10%，粒度为140nm。
所述的氧化铈抛光液与高锰酸钾的体积比为1：15。
所述的聚氨酯抛光垫的邵氏硬度为85。
实施例4
一种高效的碳化硅晶片的加工方法，其具体步骤如下：
（1）晶片倒角；
（2）倒角后的晶片进行双面研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为10μm，研磨压力为200 g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔10mm，槽宽1mm，槽深10mm，研磨时间为2.5h；
（3）采用全自动砂轮抛光设备，对晶片两面进行打磨抛光，先用10μm的金刚石砂轮，转速1000rpm，磨削速度为5μm/min，抛光时间2分钟；再用5μm的金刚石砂轮，转速2000rpm，磨削速度为2μm/min，抛光时间10分钟；再用2μm金刚石砂轮，转速3000rpm，磨削速度为1μm/min，抛光时间10分钟；
（4）砂轮抛光后的碳化硅晶片进行双面化学机械抛光，使用酸性的氧化硅抛光液，加入一定比例的次氯酸钠，调节抛光液的pH值为5，抛光压力为600g/cm2，抛光垫为聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为5h。
所述的氧化硅抛光液的质量分数为30%，粒度为120nm。
所述的氧化硅抛光液与次氯酸钠的体积比为1：5。
所述的聚氨酯抛光垫的邵氏硬度为92。
应该指出，上述的具体实施方式只是对本发明进行详细说明，它不应是对本发明的限制。对于熟悉本领域技术的人员而言，在不偏离权利要求的宗旨和范围时，可以有多种形式和细节的变化。

Claims (1)

1.一种高效的碳化硅晶片的加工方法，包括下述步骤：
(1)晶片倒角；
(2)双面机械研磨，使用水基型金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为2～20μm，研磨压力为25～250g/cm2，研磨盘为铸铁盘，铸铁盘表面开槽，开槽间隔5～50mm，槽宽0.5-2mm，槽深0.5～10mm，研磨时间为1～4h；
(3)砂轮抛光，采用全自动砂轮抛光设备，晶片通过真空吸附固定住，选择一定粒径的金刚石砂轮，对晶片两面进行打磨抛光，磨削速度为0.1～5μm/min，先用5～10μm的金刚石砂轮，转速500～1500rpm，抛光时间1～5分钟；再用2～5μm的金刚石砂轮，转速1500～2500rpm，抛光时间3～10分钟；再用0.5～2μm金刚石砂轮，转速2500～3500rpm，抛光时间8～20分钟；
(4)双面化学机械抛光，使用酸性的抛光液，加入一定比例的氧化剂，调节抛光液的pH值为2～6，施加一定的抛光压力，抛光垫为邵氏硬度为60～96的聚氨酯类结构的抛光垫，抛光时间为0.5～5h；所述氧化剂为高锰酸钾或次氯酸钠；
步骤(4)所述抛光液为氧化铝抛光液或氧化硅抛光液或氧化铈抛光液；步骤(4)所述抛光液中磨粒的质量分数为30％～50％；步骤(4)所述抛光液中磨粒的粒径为30～100nm或100～200nm；步骤(4)所述抛光液与氧化剂的体积比为1：(0.1～20)；步骤(4)所述抛光压力为100-600g/cm2；
(5)加工后碳化硅晶片的面型可以达到总厚度变化≤4μm，局部厚度变化≤2μm，弯曲度≤15μm，翘曲度≤15μm，表面粗糙度<0.1nm，晶片表面无肉眼可见缺陷。
CN201710450127.7A 2017-06-15 2017-06-15 一种高效的碳化硅晶片的加工方法 Active CN109129028B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710450127.7A CN109129028B (zh) 2017-06-15 2017-06-15 一种高效的碳化硅晶片的加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710450127.7A CN109129028B (zh) 2017-06-15 2017-06-15 一种高效的碳化硅晶片的加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109129028A CN109129028A (zh) 2019-01-04
CN109129028B true CN109129028B (zh) 2021-11-12

Family

ID=64829659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710450127.7A Active CN109129028B (zh) 2017-06-15 2017-06-15 一种高效的碳化硅晶片的加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109129028B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111515792A (zh) * 2020-04-28 2020-08-11 福建晶安光电有限公司 一种适合石墨烯生长的衬底材料及其制作方法
CN113182938B (zh) * 2021-03-01 2023-02-03 燕山大学 金刚石复相材料表面的加工方法
CN113601376A (zh) * 2021-08-10 2021-11-05 山西烁科晶体有限公司 碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法
CN115338694B (zh) * 2022-07-01 2024-02-02 金华博蓝特新材料有限公司 一种双面抛光晶片的加工方法
CN116435175A (zh) * 2023-05-19 2023-07-14 河北同光半导体股份有限公司 一种应用于碳化硅单晶衬底的加工方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6227944B1 (en) * 1999-03-25 2001-05-08 Memc Electronics Materials, Inc. Method for processing a semiconductor wafer
CN100375770C (zh) * 2005-01-17 2008-03-19 上海大学 核/壳型纳米粒子研磨剂抛光液组合物及其制备方法
DE102009051007B4 (de) * 2009-10-28 2011-12-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
CN102107391B (zh) * 2009-12-24 2014-01-15 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
CN102528597B (zh) * 2010-12-08 2015-06-24 有研新材料股份有限公司 一种大直径硅片制造工艺
CN103286672B (zh) * 2012-02-29 2015-11-04 上海硅酸盐研究所中试基地 快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法
JP5847789B2 (ja) * 2013-02-13 2016-01-27 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
JP6079554B2 (ja) * 2013-10-22 2017-02-15 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの製造方法
CN103897607B (zh) * 2014-03-25 2015-08-19 山东天岳晶体材料有限公司 一种碳化硅用机械抛光液及采用其进行机械抛光的方法
CN104551900B (zh) * 2014-12-10 2017-01-25 盐城工学院 碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机及其操作方法
CN104835731A (zh) * 2015-05-05 2015-08-12 山东天岳晶体材料有限公司 一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法
CN106271942A (zh) * 2015-05-20 2017-01-04 蓝思科技股份有限公司 蓝宝石基片的外形加工方法及含金刚石砂的砂轮
CN105313234B (zh) * 2015-11-17 2017-07-11 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法
CN105647393A (zh) * 2016-02-02 2016-06-08 北京华进创威电子有限公司 一种碳化硅晶片的抛光液
CN105666300A (zh) * 2016-02-02 2016-06-15 北京华进创威电子有限公司 一种碳化硅晶片的双面抛光方法
CN107398779A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶圆的精抛光方法
CN106078493A (zh) * 2016-06-23 2016-11-09 上海汉虹精密机械有限公司 陶瓷盘砂轮片双面研磨加工蓝宝石晶片的方法
CN106378671B (zh) * 2016-12-08 2018-04-03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN109129028A (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109129028B (zh) 一种高效的碳化硅晶片的加工方法
CN103506928B (zh) 超硬半导体材料抛光方法
Lee et al. Application of electrolytic in-process dressing (ELID) grinding and chemical mechanical polishing (CMP) process for emerging hard–brittle materials used in light-emitting diodes
KR102441643B1 (ko) 하드 코어 소프트 셀 복합 연마재 및 그 제조 방법과 응용
US20220288741A1 (en) Method for grinding single-crystal diamond
JP2010540265A (ja) 複合スラリーによるサファイアの研磨
CN110539209B (zh) 一种薄型板状蓝宝石晶片的加工方法
CN109676437B (zh) 碳化硅晶片及其制造方法
CN113831845B (zh) 一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液及抛光方法
CN104835731A (zh) 一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法
JP2021503170A (ja) 高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板及びその製造方法
Yiqing et al. The double-side lapping of SiC wafers with semifixed abrasives and resin–combined plates
Pan et al. Optimization study on magnetorheological fluid components and process parameters of cluster magnetorheological finishing with dynamic magnetic field for sapphire substrates
Zhang et al. An overview of recent advances in chemical mechanical polishing (CMP) of sapphire substrates
CN112809458B (zh) 碳化硅晶片及其加工方法
KR20030031403A (ko) 연마가공판
CN113150741A (zh) 适用于高硬质单晶芯片的化学机械研磨浆料
Liang et al. Experiment on chemical magnetorheological finishing of SiC single crystal wafer
CN112920717A (zh) 一种碳化硅单晶抛光液及其使用方法
JP2010082746A (ja) 研磨処理物の製造方法、基板及びフォトマスク
Yu et al. Highest Quality and Repeatability for Single Wafer 150mm SiC CMP Designed for High Volume Manufacturing
Deng et al. Damage-free and atomically-flat finishing of single crystal SiC by combination of oxidation and soft abrasive polishing
CN110614574A (zh) 一种SiC晶片的快速双面机械抛光方法
Nadimi Bavil Oliaei et al. Technological Advances and Challenges in Chemical Mechanical Polishing
JP2013077661A (ja) 化合物半導体基板の表面研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 301, Building 9, Tianrong Street, Daxing Biomedical Industry Base, Zhongguancun Science and Technology Park, Daxing District, Beijing 102600

Applicant after: TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant after: XINJIANG TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant after: BEIJING TIANKE HEDA NEW MATERIAL CO.,LTD.

Address before: 102600 Beijing Daxing District Tianrong Street 9 Shinong Building 3 Floors

Applicant before: TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant before: XINJIANG TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant before: BEIJING TIANKE HEDA NEW MATERIAL CO.,LTD.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20190104

Assignee: Shenzhen Reinvested Tianke Semiconductor Co.,Ltd.

Assignor: TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.|BEIJING TIANKE HEDA NEW MATERIAL CO.,LTD.|XINJIANG TANKEBLUE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Contract record no.: X2023990000677

Denomination of invention: An Efficient Processing Method for Silicon Carbide Wafers

Granted publication date: 20211112

License type: Common License

Record date: 20230725

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract