CN107398779A - 一种晶圆的精抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶圆的抛光方法，包括如下步骤：S1：对晶圆进行双面抛光；S2：对所述晶圆进行清洗；S3：对所述晶圆正面进行精抛光；所述精抛光包括第一、第二及第三阶段；其中，第一阶段的硅抛光速率大于第二、第三阶段的硅抛光速率。本发明在精抛光步骤的第一阶段采用通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光垫（stock pad）及粗抛光液（stock slurry），其硅抛光速率较快，可以快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动；在精抛光步骤的第二阶段及第三阶段采用通常适用于精抛光的精抛光垫（final pad）及精抛光液（final slurry），可以以较低的抛光速率实现光滑的晶圆表面。本发明可以有效提高生产效率及产品品质。

Description

一种晶圆的精抛光方法
技术领域
本发明属于半导体领域，涉及一种晶圆的精抛光方法。
背景技术
通常，为了实现硅晶片的抛光加工精度，达到集成电路硅晶片要求的技术指标，需进行二步化学机械抛光(CMP)(粗抛光和精抛光)，在对硅晶片表面进行分步化学机械抛光时，每步抛光所使用的抛光液及相应的抛光工艺条件均有所不同，所对应的硅晶片各步所要达到的加工精度也不同。在粗抛光步骤中，除去硅晶片切割和成形残留下的表面损伤层，加工成镜面，最后通过对硅晶片进行“去雾”精抛光，从而最大程度上降低表面粗糙及其他微小缺陷。在实际生产中，硅晶片的最终精抛光是表面质量的决定性步骤。
硅晶圆(Silicon wafer)双面抛光(通常为粗抛光)后，由于化学清洗剂的作用，硅晶圆表面会形成氧化膜，并且在粗抛光(Stock Polishing)之后、精抛光(FinalPolishing)之前的工艺等待时间里，由于空气接触也会在硅晶圆表面形成自然氧化膜。一般来说，粗抛光(Stock Polishing)的硅抛光速率是0.5～0.8μm/min，而精抛光(FinalPolishing)的硅抛光速率小于0.1μm/min，要比粗抛光速率慢得多。
现有技术中，在晶圆双面抛光(Double Side Polishing)及晶圆清洗(DoubleSide Polishing Cleaning)工艺之后进行晶圆精抛光(Final Polishing)工艺(针对晶圆正面)，该精抛光工艺包括三个步骤，每个步骤均采用精抛光垫及精抛光液来对晶圆进行抛光。由于氧化膜的抛光速率相较于Si要慢，所以会引起精抛光初期摩擦力上升和抛光速率降低，而精抛光速率本身就比粗抛光速率低很多。因此，相对于粗抛光双面工艺，精抛光单面工艺阶段由于设备生产率降低和研磨驱动过载导致的设备振动会引起更多的晶圆品质下降。
因此，如何提供一种晶圆的抛光方法，以降低晶圆表面氧化层对精抛光工艺的影响，提高生产效率及产品品质，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆的抛光方法，用于解决现有技术中由于晶圆表面氧化层的存在，引起晶圆精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及设备振动，导致晶圆品质下降的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆的抛光方法，包括如下步骤：
S1：对晶圆进行双面抛光；
S2：对所述晶圆进行清洗；
S3：对所述晶圆正面进行精抛光；所述精抛光包括第一阶段、第二阶段及第三阶段；其中，第一阶段的硅抛光速率大于第二阶段、第三阶段的硅抛光速率。
可选地，所述第一阶段采用第一抛光垫及第一抛光液；所述第二阶段采用第二抛光垫及第二抛光液；所述第三阶段采用第三抛光垫及第三抛光液。
可选地，所述第一阶段的硅抛光速率至少为所述第二阶段及第三阶段的硅抛光速率的3倍。
可选地，所述第一阶段的硅抛光速率为0.2～0.7μm/min；所述第二阶段的硅抛光速率为0.01～0.05μm/min；所述第三阶段的硅抛光速率为0.01～0.03μm/min。
可选地，所述第一抛光垫采用粗抛光垫，所述第二抛光垫及第三抛光垫采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液；其中，所述粗抛光垫的粗糙度、硬度分别大于所述精抛光垫的粗糙度、硬度。
可选地，所述粗抛光垫采用聚氨酯抛光垫；所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。
可选地，所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。
可选地，所述第一抛光垫、第二抛光垫及第三抛光垫均采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液。
可选地，所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。
可选地，所述粗抛光液中包含氧化铈磨料；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。
如上所述，本发明的晶圆的抛光方法，具有以下有益效果：本发明的晶圆的抛光方法在晶圆的双面抛光及清洗步骤之后执行精抛光步骤，其中，在精抛光步骤的第一阶段采用通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光垫(stock pad)及粗抛光液(stock slurry)，其硅抛光速率较快，可以快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动；在精抛光步骤的第二阶段采用通常适用于精抛光的精抛光垫(final pad)及精抛光液(final slurry)，其硅抛光速率较慢，可以以较低的抛光速率来控制PID(比例-积分-微分)品质；精抛光步骤的第三阶段为第三阶段抛光的延长线，可以以较低的抛光速率来控制PID和LLS(局部光散射体)品质。本发明的晶圆的抛光方法可以有效提高生产效率及产品品质。
附图说明
图1显示为本发明的晶圆的抛光方法的工艺流程图。
图2显示为本发明的晶圆的抛光方法在精抛光阶段使用的一种抛光装置的结构示意图。
图3显示为晶圆的结构示意图。
图4显示为本发明的晶圆的抛光方法于步骤S1中对晶圆进行双面抛光的示意图。
图5显示为双面抛光后晶圆表面生成氧化层的示意图。
图6显示为本发明的晶圆的抛光方法于步骤S3中在精抛光的第一、第二及第三阶段所去除的材料层的示意图。
元件标号说明
S1～S3，S31～S32 步骤
1 抛光平台
2 抛光垫
3 抛光头
4 晶圆
5 研磨液供应装置
6 氧化层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种晶圆的抛光方法，请参阅图1，显示为该方法的工艺流程图，包括如下步骤：
S1：对晶圆进行双面抛光；
S2：对所述晶圆进行清洗；
S3：对所述晶圆正面进行精抛光；所述精抛光包括第一阶段、第二阶段及第三阶段；其中，第一阶段的硅抛光速率大于第二阶段、第三阶段的硅抛光速率。
本发明在晶圆双面抛光及晶圆清洗工艺之后进行晶圆精抛光。图2显示为本发明的晶圆的抛光方法在精抛光阶段使用的一种抛光装置的结构示意图，包括抛光平台1、铺设于所述抛光平台表面的抛光垫2、悬设于所述抛光平台上方的抛光头3以及研磨液供应装置5。精抛光时，晶圆4安装于曝光头3上，并与所述曝光垫2接触，抛光平台1或抛光头3在电极作用下沿顺时针或逆时针方向旋转，开始抛光过程。
图3显示为未经粗抛光及精抛光的晶圆的结构示意图。本实施例中，所述晶圆4以硅晶圆为例，其为由单晶硅锭切割而成的硅晶片，可预先经过边缘倒圆过程。
本发明步骤S1中双面抛光是指对晶圆正面和晶圆背面均进行抛光，目的是降低晶片厚度，并去除硅晶片切割和成形残留下的表面损伤层。图4显示为对晶圆进行双面抛光的示意图，图中虚线层为双面抛光所去除的材料层。
本发明步骤S2中清洗的目的是清除所述晶圆4表面残留的研磨液及其它杂质，为下一步的精抛光做准备。所述清洗可采用表面活性剂、去离子水等进行清洗，以彻底清洁晶圆表面。
由于化学清洗剂的作用以及在双面抛光并清洗后等待精抛光的过程中由于自然氧化的作用，所述晶圆4表面会生成氧化层。图5显示为双面抛光后晶圆4表面生成氧化层6的示意图。需要指出的是，图5仅示出了晶圆正面的氧化层。本实施例中，所述氧化层为二氧化硅。
本发明步骤S3中精抛光的目的是形成光滑的晶圆正面，其包括三个分步骤：S3-1、S3-2及S3-3，分别为第一阶段抛光、第二阶段抛光及第三阶段曝光。
作为示例，所述第一阶段采用第一抛光垫及第一抛光液；所述第二阶段采用第二抛光垫及第二抛光液；所述第三阶段采用第三抛光垫及第三抛光液。
具体的，所述第一阶段抛光的作用是去除所述晶圆4正面的氧化膜6，以露出硅层；所述第二阶段抛光的作用是对硅层进行精细抛光，第三阶段是第二阶段的延续，进一步去除一部分硅层。
作为示例，所述第二抛光垫与第三抛光垫采用相同的材质，所述第二抛光液与第三抛光液采用相同的配方。图6中示出了第一、第二及第三阶段所去除的材料层的位置。
由于在相同的条件下，氧化膜的抛光速率比硅要慢，为了避免精抛光初期摩擦力上升和抛光速率降低，本发明中通过选择合适的第一抛光垫及第一抛光液，使所述第一阶段的硅抛光速率至少为所述第二阶段及第三阶段的硅抛光速率的3倍。
作为示例，所述第一阶段的硅抛光速率为0.2～0.7μm/min；所述第二阶段的硅抛光速率为0.01～0.05μm/min；所述第三阶段的硅抛光速率为0.01～0.03μm/min。
需要指出的是，第一、第二、第三阶段的抛光速率是以硅抛光速率为标准进行比较的，然而须知，第一阶段抛光主要是去除氧化层，而对硅抛光速率较高的抛光条件，对氧化层的抛光速率也较高。
作为示例，所述第一抛光垫采用粗抛光垫，所述第二抛光垫及第三抛光垫采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液；其中，所述粗抛光垫的粗糙度、硬度分别大于所述精抛光垫的粗糙度、硬度。
作为示例，所述粗抛光液的磨料粒径范围是10-100nm，所述精抛光液的磨料粒径范围是30-60nm。
具体的，本发明中，所述粗抛光垫是指通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光垫(stockpad)，所述粗抛光液是指通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光液(stock slurry)。在本发明精抛光的第一阶段使用粗抛光垫及粗抛光液，使得硅抛光速率较快，可以快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动。而在本发明精抛光的第二阶段采用通常适用于精抛光的精抛光垫(final pad)及精抛光液(final slurry)，其硅抛光速率较慢，可以以较低的抛光速率来控制PID(比例-积分-微分)品质；精抛光步骤的第三阶段为第三阶段抛光的延长线，可以以较低的抛光速率来控制PID和LLS(局部光散射体)品质。
作为示例，所述粗抛光垫采用聚氨酯抛光垫。聚氨酯抛光垫具有耐磨性好、抛光效率高和形变小的特点，其主要成分是发泡体固化的聚氨酯，其表面有许多空球体微孔封闭单元结构。这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用，有益于提高抛光均匀性和抛光效率。孔尺寸越大其运输能力越强，但孔径过大时会影响抛光垫的密度和刚度。但是对于此类的抛光垫，抛光液不能渗透到抛光垫的内部，只存在于工件和抛光垫的空隙中，影响抛光后的残渣或抛光副产物的及时排出，容易阻塞抛光垫表层中的微孔。因此一般在抛光垫表面要做一些沟槽，以利于抛光残渣的排除。
作为示例，所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。无纺布抛光垫的原材料为聚合物棉絮类纤维，此类抛光垫具有渗水性好的特点，抛光液能够渗透到抛光垫的内部，容纳抛光液的效果好。某些无纺布抛光垫还带绒毛结构，这种抛光垫以无纺布为主体，中间一层为聚合物，表面层为多孔的绒毛结构。这类抛光垫具有硬度小、压缩比大和弹性好等特点，适合更精细的抛光。
当然，在其它实施例中，所述粗抛光垫也可采用其它材质的具有较高抛光速率的抛光垫，所述精抛光垫也可采用其它材质的具有较低抛光速率的抛光垫，此处不应过分限制本发明的保护范围。
作为示例，所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。
需要指出的是，抛光垫的粗糙度、抛光液的pH值、浓度、流量和抛光过程中控制的温度及抛光压力均构成抛光速率的影响因素。例如随着抛光液pH值的增大，硅抛光速率逐步提高，但当pH值达到近似13时，硅抛光速率迅速降低，而且抛光片表面质量下降。例如随着抛光压力的增大，晶片的抛光速率也随之增大，但使用过高的压力在增加速率的同时，也增加抛光垫的损耗、不良的温度控制及碎片等特点；而当抛光压力较小时，由于机械抛光速率和化学抛光速率不平衡，机械抛光速率小于化学抛光速率，晶片抛完光后表面平整度也会下降。因此确定适宜的抛光液pH值、抛光压力等工艺参数非常重要。本发明通过调整各阶段的抛光工艺参数，在保证抛光质量的基础上，使得所述第一阶段的硅抛光速率至少为所述第二阶段及第三阶段的硅抛光速率的3倍。
至此，通过本发明步骤S1的粗抛光、步骤S2的清洗及步骤S3的精抛光实现了晶圆的抛光。本发明的晶圆的抛光方法在晶圆的双面抛光及清洗步骤之后执行晶圆正面的精抛光步骤，其中，在精抛光步骤的第一阶段采用通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光垫(stockpad)及粗抛光液(stock slurry)，其硅抛光速率较快，可以快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动；在精抛光步骤的第二阶段采用通常适用于精抛光的精抛光垫(final pad)及精抛光液(finalslurry)，其硅抛光速率较慢，可以以较低的抛光速率来控制PID(比例-积分-微分)品质；精抛光步骤的第三阶段为第三阶段抛光的延长线，可以以较低的抛光速率来控制PID和LLS(局部光散射体)品质。本发明的晶圆的抛光方法可以有效提高生产效率及产品品质。
实施例二
本实施例与实施例一采用基本相同的技术方案，不同之处在于，实施例一在精抛光的第一阶段采用粗抛光垫(stock pad)及粗抛光液(stock slurry)来快速去除氧化层，而本实施例中，在精抛光的第一阶段采用精抛光垫(final pad)及包含二氧化铈磨料的粗抛光液(oxide slurry)来快速去除氧化层。
由于氧化铈磨料比氧化硅磨料抛光硅片的速率更快，因此本实施例中，采用精抛光垫与包含二氧化铈磨料的粗抛光液同样可实现与实施例一中精抛光第一阶段采用粗抛光垫和粗抛光液相当的硅抛光速率。
氧化铈磨料比氧化硅磨料抛光硅片的速率更快可能的原因包括：氧化铈比氧化硅更易腐蚀硅片表面，化学作用更胜一筹，另外，氧化铈腐蚀层莫氏硬度更小也可能是一个影响因素。
本实施例可在精抛光初期快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动，从而有效提高生产效率及产品品质。
综上所述，本发明的晶圆的抛光方法在晶圆的双面抛光及清洗步骤之后执行晶圆正面的精抛光步骤，其中，在精抛光步骤的第一阶段采用通常适用于晶圆粗抛光的粗抛光垫(stock pad)及粗抛光液(stock slurry)，其硅抛光速率较快，可以快速、有效地去除晶圆表面的氧化层，防止精抛光初期摩擦力上升、抛光速率降低及由于研磨驱动过载导致的设备振动；在精抛光步骤的第二阶段采用通常适用于精抛光的精抛光垫(final pad)及精抛光液(final slurry)，其硅抛光速率较慢，可以以较低的抛光速率来控制PID(比例-积分-微分)品质；精抛光步骤的第三阶段为第三阶段抛光的延长线，可以以较低的抛光速率来控制PID和LLS(局部光散射体)品质。本发明的晶圆的抛光方法可以有效提高生产效率及产品品质。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种晶圆的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：对晶圆进行双面抛光；
S2：对所述晶圆进行清洗；
S3：对所述晶圆正面进行精抛光；所述精抛光包括第一阶段、第二阶段及第三阶段；其中，第一阶段的硅抛光速率大于第二阶段、第三阶段的硅抛光速率。
2.根据权利要求1或所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段采用第一抛光垫及第一抛光液；所述第二阶段采用第二抛光垫及第二抛光液；所述第三阶段采用第三抛光垫及第三抛光液。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段的硅抛光速率至少为所述第二阶段及第三阶段的硅抛光速率的3倍。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一阶段的硅抛光速率为0.2～0.7μm/min；所述第二阶段的硅抛光速率为0.01～0.05μm/min；所述第三阶段的硅抛光速率为0.01～0.03μm/min。
5.根据权利要求2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一抛光垫采用粗抛光垫，所述第二抛光垫及第三抛光垫采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液；其中，所述粗抛光垫的粗糙度、硬度分别大于所述精抛光垫的粗糙度、硬度。
6.根据权利要求5所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光垫采用聚氨酯抛光垫；所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。
7.根据权利要求5所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中的磨料包括氧化硅、氧化铝和氧化铈中的一种或多种；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。
8.根据权利要求2所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述第一抛光垫、第二抛光垫及第三抛光垫均采用精抛光垫；所述第一抛光液采用粗抛光液，所述第二抛光液及第三抛光液采用精抛光液。
9.根据权利要求8所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述精抛光垫采用无纺布抛光垫。
10.根据权利要求8所述的晶圆的抛光方法，其特征在于：所述粗抛光液中包含氧化铈磨料；所述精抛光液中包含氧化硅胶体及聚合物。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109129028A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 北京天科合达半导体股份有限公司 一种高效的碳化硅晶片的加工方法
CN110666597A (zh) * 2019-10-10 2020-01-10 菲特晶(南京)电子有限公司 一种石英晶片打磨工艺
CN110919467A (zh) * 2019-12-24 2020-03-27 深圳佰维存储科技股份有限公司 晶圆抛光方法
CN111644906A (zh) * 2020-06-02 2020-09-11 大连理工大学 一种高精度超薄光学零件增厚-光胶-对称减薄加工方法
CN111710600A (zh) * 2020-05-20 2020-09-25 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法
CN113766994A (zh) * 2019-05-09 2021-12-07 信越半导体株式会社 单面抛光方法
CN113903827A (zh) * 2021-09-08 2022-01-07 宁波瑞元天科新能源材料有限公司 一种太阳能电池切割面抛光钝化方法和装置
CN113941952A (zh) * 2021-11-01 2022-01-18 徐州领测半导体科技有限公司 一种半导体晶圆的双面抛光工艺
CN115070512A (zh) * 2022-03-11 2022-09-20 北京爱瑞思光学仪器有限公司 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片
CN115415913A (zh) * 2022-08-16 2022-12-02 上海汉虹精密机械有限公司 一种碳化硅晶圆单面抛光自动化产线
CN115070512B (zh) * 2022-03-11 2024-04-26 北京爱瑞思光学仪器有限公司 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI732244B (zh) * 2019-07-11 2021-07-01 昇陽國際半導體股份有限公司 晶圓拋光方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466642B (en) * 1999-07-14 2001-12-01 Memc Electronic Materials Process for fabricating semiconductor wafers with external gettering
CN1949456A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 联华电子股份有限公司 复合式化学机械抛光法
CN101622695A (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 日立化成工业株式会社 硅膜用cmp研磨液
JP2012011488A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Konica Minolta Opto Inc シリカ微粒子の測定方法
CN103100965A (zh) * 2013-02-05 2013-05-15 中国电子科技集团公司第四十六研究所 InP单晶片双面抛光方法及装置
CN103394994A (zh) * 2013-07-18 2013-11-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆的抛光方法
CN103624665A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石触摸面板两面抛光方法
WO2016031310A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 株式会社Sumco シリコンウェーハの研磨方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104802068B (zh) * 2014-01-24 2017-05-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW466642B (en) * 1999-07-14 2001-12-01 Memc Electronic Materials Process for fabricating semiconductor wafers with external gettering
CN1949456A (zh) * 2005-10-14 2007-04-18 联华电子股份有限公司 复合式化学机械抛光法
CN101622695A (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 日立化成工业株式会社 硅膜用cmp研磨液
JP2012011488A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Konica Minolta Opto Inc シリカ微粒子の測定方法
CN103100965A (zh) * 2013-02-05 2013-05-15 中国电子科技集团公司第四十六研究所 InP单晶片双面抛光方法及装置
CN103394994A (zh) * 2013-07-18 2013-11-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆的抛光方法
CN103624665A (zh) * 2013-11-26 2014-03-12 浙江上城科技有限公司 一种蓝宝石触摸面板两面抛光方法
WO2016031310A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 株式会社Sumco シリコンウェーハの研磨方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
（美）格迪斯（GHODSSI，R）等: "《MEMS材料与工艺手册》", 31 March 2014, 东南大学出版社 *
王自筠: "《硅材料质量与硅器件工艺》", 31 August 1979, 上海科学技术文献出版社 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109129028A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 北京天科合达半导体股份有限公司 一种高效的碳化硅晶片的加工方法
CN113766994A (zh) * 2019-05-09 2021-12-07 信越半导体株式会社 单面抛光方法
CN113766994B (zh) * 2019-05-09 2024-03-08 信越半导体株式会社 单面抛光方法
CN110666597A (zh) * 2019-10-10 2020-01-10 菲特晶(南京)电子有限公司 一种石英晶片打磨工艺
CN110919467A (zh) * 2019-12-24 2020-03-27 深圳佰维存储科技股份有限公司 晶圆抛光方法
CN111710600A (zh) * 2020-05-20 2020-09-25 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法
CN111644906A (zh) * 2020-06-02 2020-09-11 大连理工大学 一种高精度超薄光学零件增厚-光胶-对称减薄加工方法
CN111644906B (zh) * 2020-06-02 2021-09-21 大连理工大学 一种高精度超薄光学零件增厚-光胶-对称减薄加工方法
CN113903827A (zh) * 2021-09-08 2022-01-07 宁波瑞元天科新能源材料有限公司 一种太阳能电池切割面抛光钝化方法和装置
CN113903827B (zh) * 2021-09-08 2024-03-15 宁波瑞元天科新能源材料有限公司 一种太阳能电池切割面抛光钝化方法和装置
CN113941952A (zh) * 2021-11-01 2022-01-18 徐州领测半导体科技有限公司 一种半导体晶圆的双面抛光工艺
CN115070512A (zh) * 2022-03-11 2022-09-20 北京爱瑞思光学仪器有限公司 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片
CN115070512B (zh) * 2022-03-11 2024-04-26 北京爱瑞思光学仪器有限公司 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片
CN115415913A (zh) * 2022-08-16 2022-12-02 上海汉虹精密机械有限公司 一种碳化硅晶圆单面抛光自动化产线

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