TWI573183B - 處理基板表面之裝置、將基板載入用以處理基板表面之裝置之方法及反應腔室 - Google Patents

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Description

處理基板表面之裝置、將基板載入用以處理基板表面 之裝置之方法及反應腔室
本發明係有關於用以處理基板表面之裝置，且特別有關於申請專利範圍第1項前述部分(preamble)所述之裝置，用以透過將基板表面進行至少第一及第二前驅物(precursor)之連續表面反應來處理基板表面。本發明進一步有關於反應腔室(reaction chamber)，且特別有關於申請專利範圍之獨立項第6項所述之反應腔室。本發明進一步亦有關於載入基板之方法，且特別有關於申請專利範圍之獨立項第14項所述之方法。
基板，特別是感測基板(sensitive substrates)，為使該等基板不因污染、溼度、氧化、其他氣體、或其他條件導致感測基板惡化，於生產過程中需獨立處理。因此，需處理這些感測基板使其儘可能不受惡化條件影響。舉例而言，感測基板可為對水蒸氣及氧化敏感之有機發光二極體(OLEDs)。
於塗佈(coating)裝置中，當透過將至少一部分之基板進行至少第一及第二前驅物之表面反應，用以塗佈或處理感測基板時，需將感測基板載入塗佈裝置，使基板儘可能不受惡化條件影響。可根據原子層沉積(ALD)原則來將基板進行至少第一及第二前驅物之表面反應，以處理基板。
習知上，係於生產線上將感測基板載入載運箱 (shipment box)或袋中。載運箱通常包括惰性氣體環境(inert gas atmosphere)，像是氮氣環境，用以將基板隔離於惡化條件之外。將基板載入惰性氣體環境之載運箱，然後將載運箱運送至處理場所。於處理場所中，載運箱被卸載至具有惰性氣體環境之手套箱(glove box)中。將基板快速地自手套箱傳送並載入位於大氣環境(ambient atmosphere)之塗佈裝置。於此，大氣環境為ALD反應裝置之任一操作環境所處之環境，係涵蓋範圍從空氣雜質多以及/或者未控制溼度工廠之生產設備，到雜質極低(但通常為非零)且極謹慎調濕像是無塵室(cleanroom)之專用(special-purpose)環境。因此，於載入至塗佈裝置之期間，大氣環境及溼氣會影響基板。於塗佈裝置中，係以惰性氣流沖刷基板。然而，當將受大氣環境及溼氣影響之基板載入塗佈裝置時，無法保證感測基板之品質。
透過將手套箱整合至塗佈裝置之方式可解決習知技術之問題。此一配置允許基板從載運箱至塗佈裝置之惰性處理，以使基板不受大氣環境及其他惡化條件之影響。因此，經由載入緩衝(load-luck)，係包括配有閘閥(gate valve)之單獨真空腔室，用以連接手套箱至塗佈裝置，便可將基板自手套箱之載運箱卸載並載入塗佈裝置。
就習知技術之配置而言，意即將手套箱整合至塗佈裝置，於載入及卸載塗佈裝置期間，其問題在於手套箱會受高溫、製程氣體及可能雜質影響。一般而言，塗佈裝置及手套箱可能會發生相互污染(cross-contamination)。為 盡量減小汙染，必須將塗佈裝置之操作溫度限制在攝氏50度左右。進一步，需固定手套箱及塗佈裝置之整合，用以有效淨化惰性氣體手套箱。固定之整合使得塗佈裝置及手套箱之可用性皆被限制為特定設計之應用，並使得塗佈裝置無法處理各類基板。
本發明之目的在於提供裝置、反應腔室、及方法，用以克服習知之缺點。根據申請專利範圍第1項之部分特徵來實現本發明之裝置。進一步，根據申請專利範圍第6項之部分特徵來實現本發明之反應腔室。除此之外，根據申請專利範圍第14項之部分特徵來實現本發明之方法。
本發明之較佳實施例係揭露於申請專利範圍之附屬項。
本發明提供可拆式或可分開之緊密密封反應裝置。本發明之反應腔室可接收一或多片基板，並可被安裝至塗佈裝置，用以將至少一部分之基板進行至少第一及第二前驅物之表面反應。
反應腔室包括載入門，用以將基板載入反應腔室與自反應腔室卸載。反應腔室更包括前驅物連接管，用以將前驅物提供至反應腔室及自反應腔室排出前驅物。本發明之反應腔室係可被緊密地密封，因此可以氣密方式關閉反應腔室內部之反應空間。藉由具有門密封件之載入門，便可實現以氣密方式關閉載入門。進一步，前驅物連接管亦具 有氣體密封件，用以以氣密方式關閉前驅物連接管。因此，將基板載入反應腔室之後，可緊密地關閉反應腔室。
本發明提供將一或多片基板載入裝置之方法，用以透過將至少一部分之基板進行至少第一前驅物及第二前驅物之連續表面反應來處理該等基板。該方法包括以下步驟：於具有惰性氣體環境之載入腔室中，將一或多片基板載入反應腔室，以及將反應腔室安裝至用來處理基之裝置。該方法更包括：將一或多片基板載入反應腔室之後，緊密地關閉載入腔室內部之反應腔室。可將緊密關閉之反應腔室進一步安裝至裝置或裝置之真空腔室內部。
本發明之優點在於能夠將基板載入反應腔室，並將反應腔室進一步安裝至用來處理基板之裝置中，因此，於載入期間，並不會破壞基板之惰性處理。如此一來，本發明解決習知技術之污染問題。進一步，本發明允許載入腔室，像是手套箱，與塗佈裝置分開設置或為其遙控裝置，這提升了塗佈裝置之彈性及可用性，並具有大範圍之處理溫度。本發明亦於可移動及可緊密關閉之容器中形成反應腔室，亦可將該容器用來儲存或傳送基板，使其不受污染、溼度、氧化、或其他有害條件影響。
第1圖係顯示本發明實施例之示意圖。於第1圖所示之裝置中，係透過將基板表面進行至少第一及第二前驅物之連續表面反應來處理基板表面。因此，可根據原子層沉 積(ALD)原則或任何對應之方法來操作該裝置。如第1圖所示，塗佈裝置包括真空腔室(vacuum chamber)2。因此，該裝置將實現真空之裝置(未圖示)提供至真空腔室2。讓真空腔室2實現真空之裝置可包括真空幫浦(vacuum pump)。除此之外，經由真空腔室2所包括之安裝門或開口(未圖示)將基板安裝至真空腔室2。
於一些實施例中，真空腔室2亦可包括加熱裝置，用以將真空腔室2之內部空間6加熱至高製程溫度。真空腔室2亦可包括之服務門或口(未圖示)用以進行真空腔室2之維修及維護。
如第1圖所示，係將反應腔室4安裝於真空腔室2內部。反應腔室4為可拆式(detachable)之反應腔室4，可被安裝於真空腔室2內部，並自真空腔室2移走。反應腔室4係用以接收一或多片基板，且於反應腔室4內部處理這些基板。
反應腔室4包括本體8及提供給本體8之載入門10，用以將一或多片基板載入反應腔室4內部並自反應腔室4卸載該一或多片基板。於第1圖之實施例中，載入門10係為反應腔室4之本體8上方之蓋體(lid)。蓋體10為可拆式，因此可自反應腔室4之本體8移走。於另一實施例中，蓋體10為可開關式(openable)，因此可移動於關閉位置及開啟位置之間。進一步，於另一實施例中，蓋體10可為閘閥等。於此實施例中，該等基板可經由閘閥被載入及自反應腔室4被卸載。
塗佈裝置更包括前驅物系統，當將反應腔室4安裝於真空腔室2內部時，前驅物系統用以於基板之處理期間將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4。前驅物系統亦用以將過多前驅物自反應腔室4排出。於一實施例中，係利用前驅物系統依序將前驅物以脈衝方式(pulsed manner)提供至反應腔室4及自反應腔室4排出。於第1圖所示之裝置中，經由前驅物系統所包括之前驅物系統連接管18，將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4及自反應腔室4排出。換言之，當反應腔室4被安裝至真空腔室2或塗佈裝置時，將前驅物系統連接管18連接至反應腔室4。因此，前驅物系統連接管18係提供反應腔室4與塗佈裝置之前驅物系統間之流體連接(fluidconnection)。前驅物系統連接管18可為適於傳導，尤指氣體前驅物(gaseous precursors)之導管(pipes)、渠管(channel)等。
於一些實施例中，前驅物系統亦包括前驅物容器或瓶子，以及用來提供與排出前驅物之裝置。用來提供與排出前驅物之裝置可包括泵(pumps)及閥(valves)，用以提供及排出前驅物。
於一實施例中，反應腔室4包括前驅物連接管14，係可被連接至前驅物系統連接管18。前驅物連接管14用以將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4之反應空間，及自反應空間排出。因此，前驅物連接管14係提供反應腔室4之反應空間與前驅物系統連接管18間之流體連接。前 驅物系統連接管18及前驅物連接管14可包括接頭(couplings)，用以將反應腔室4以流體連接方式連接至前驅物系統。
本發明之反應腔室4為可拆式或可移動之反應腔室，並可以氣密(gastight)方式加以密封及關閉。當反應腔室以氣密方式加以密封及關閉時，其成為可儲存或傳送基板之氣密容器。因此，於反應腔室4被安裝至塗佈裝置或真空腔室2內部期間，反應腔室4可被緊密地密封。
本發明之氣密及密封表示反應腔室實質上已被氣密或密封。意即氣體進入反應腔室或自反應腔室漏氣之程度已減至最輕。於本發明之一實施例中，反應漏氣量相當於典型的手套箱之漏氣量。因此，反應腔室之漏氣量，即反應腔室內部之污染濃度，可約為1ppm或更少。於另一實施例中，氣密反應腔室之漏氣量小於1*10-3mbarcm3/s，較佳為小於1*10-5mbarcm3/s，更佳為小於1*10-8mbarcm3/s，而最佳為小於1*10-12mbarcm3/s。可根據實施例及反應腔室之使用調整漏氣值。漏氣值受反應腔室之結構及詳細元件所影響。於一實施例中，當基板位於反應腔室內部時，氣密及密封表示在儲存以及/或者傳送反應腔室期間，少於反應腔室內部氣體容量之10%會被交換。因此，於氣密之反應腔室內，基板實質上不受有害氣體或大氣環境之濕氣所影響。
通常，反應腔室4包括載入門10及前驅物連接管14，皆至少部分對大氣環境開啟。本發明之載入門10及前驅物 連接管14皆為可密封或可關閉，因此避免反應腔室4之反應空間與大氣環境間之氣體交換。為達此目的，反應腔室4之載入門10包括一或多個門密封件(未圖示)，係以氣密方式關閉載入門10。用來將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4及自反應腔室4排出的前驅物連接管14係具有氣體密封件(gas sealing)16，以氣密方式關閉載入門10。當將閘閥作為載入門10時，便能以氣密或密封方式關閉閘閥。因此，閘閥亦可具有一或多個閘閥密封件。不需將閘閥置於反應腔室4之頂壁(top wall)，但可將其置於反應腔室4之側壁(side walls)。
第2圖係顯示根據本發明實施例之反應腔室4示意圖。反應腔室4包括腔室本體8及提供給腔室本體8之載入門12。腔室本體8於反應腔室4內部形成反應空間。於第2圖中，載入門12為腔室本體8側面之開口(hatch)或閘閥。可將開口12移動於用來載入及卸載基板之開啟位置，與用來關閉反應腔室4之關閉位置兩者之間。此外，可將閘閥開啟至用來載入及卸載基板20之開啟位置，並關閉至用來關閉反應腔室4之關閉位置。
開口12包括一或多個密封元件(未圖示)，用以使關閉位置之開口12被緊密地密封。密封元件可為密封鏈(sealing profile)、密封環(sealing ring)、密封條(sealing strip)、金屬焊封材料(metal seal)等，以氣密方式密封關閉位置之開口12。於第2圖中，載入門係由開口形成，然而，於反應腔室4之另一實施例中，載入 門亦可為第1圖所示之蓋體10，或其他種類之載入門。蓋體10、開口12、閘閥、或不同種類之載入門係為可拆式，可自腔室本體8移走，或可移動於開啟位置及關閉位置之間。與載入門之類型無關，可用一或多個密封元件緊密地密封載入門。
如第2圖所示，反應腔室4更包括前驅物連接管14，用以將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4之反應空間，及自反應空間排出。前驅物連接管14可包括導管(pipes)、輸送管(duct)或渠管(channel)，用以傳導前驅物。前驅物連接管14可包括用以將至少第一及第二前驅物提供至反應腔室4之至少一輸入連接管(inlet connection)，以及用以將至少第一及第二前驅物自反應腔室4排出之至少一輸出連接管(outlet connection)。前驅物連接管14亦可用來將清除氣體(purge gases)、載流氣體(carrier gases)、反應產物(reaction products)、以及其他一些過程氣體提供至反應腔室，及自反應腔室排出。
於本發明之一實施例中，前驅物連接管14可被緊密地關閉或密封。因此，前驅物連接管14具有用來關閉前驅物連接管14之氣密密封件(gastight sealings)。可透過將氣體閘閥(gas valve)16提供至前驅物連接管14來實現前驅物連接管14之氣密關閉，用以緊密地密封前驅物連接管14。氣體閘閥16可被手動或自動操作，用以開啟及關閉前驅物連接管14。因此，可將氣體閘閥16設為開啟 狀態，使前驅物或其他流體得以流經前驅物連接管14，以及設為關閉狀態，用以緊密地關閉前驅物連接管14。亦可使用其他種類之閘閥或密封工具來代替氣體閘閥16。
反應腔室亦可為真空密封、負壓密封、以及/或者過壓密封。這意謂著前驅物連接管14、氣體閘閥16及載入門10、12亦為真空密封、以及/或者過壓密封。此種反應腔室4亦可作為真空腔室，且不需單獨真空腔室。於此實施例中，可將反應腔室4僅連接至用來處理基板之前驅物系統連接管18。因此，不需單獨真空腔室。需注意，反應腔室4不需為真空或過壓，但反應腔室於實質上之正常壓力(NTP,0°,1,bar)下可進行操作。反應腔室4可具有內部加熱器，或者於基板20之處理期間，可將其置於加熱單元內部。於一最簡單之實施例中，反應腔室4之前驅物連接管14僅被連接至前驅物系統連接管18，並接著處理基板。
於另一實施例中，反應腔室4不包括任何載入門10、12。於此實施例中，基板20可為粉末、小物體、彈性物體、彈性延伸條等，經由前驅物連接管14可被載入反應腔室4，及自反應腔室4卸載。於此實施例中，可將一前驅物連接管14置於反應腔室4之底壁(bottom wall)，並將另一前驅物連接管14置於反應腔室4之頂壁。因此，前驅物連接管14可用於載入及卸載基板，以及用於提供及排出前驅物。如此一來，本發明之氣密密封容器可用以作為反應腔室4或作為載運箱。因此，本發明所提供之載運箱可功 能性連接至處理基板之裝置，可直接從載運箱將基板卸載至處理腔室或該裝置之單獨反應腔室。
第3圖係顯示將基板20載入塗佈裝置之一實施例，使基板不受汙染或大氣環境影響。換句話說，第3圖係顯示惰性處理基板20之實施例。首先，將反應腔室4及基板20置於載入腔室(loading chamber)22內部。載入腔室22具有惰性氣體環境24。舉例來說，惰性氣體環境24可為氮氣環境。載入腔室22可為手套箱或類似的腔室，用以將基板20手動地或自動地載入反應腔室4。
於生產線上，基板20被裝入具有惰性氣體環境之載運或傳送箱、或袋(未圖示)之中。載運箱係被緊密地關閉並被傳送至具有載入腔室22之處理場所。載運箱被載入至載入腔室22且載入腔室為關閉並充滿惰性氣體。於載入腔室22中，載運箱為開啟，然後將基板20自載運箱移走並經由反應腔室4之載入門12載入反應腔室4。
基板20被載入反應腔室4後，載入腔室22內部之反應腔室4被緊密地關閉。反應腔室4之緊密關閉包括緊密地關閉反應腔室4之載入門12。反應腔室4亦包括前驅物連接管14，因此，緊密地關閉反應腔室4亦包括緊密地關閉前驅物連接管14。值得一提的是，本發明係將基板20以惰性方式載入反應腔室，使基板不受大氣環境或其他汙染條件影響。因此，本發明不限於特定之載入配置，且可透過任何載入配置及任何載入方法來實現基板20之載入。舉例來講，於生產線上或生產過程中，可經由反應腔 室之閘閥將基板20以惰性方式載入反應腔室4。
將基板20載入反應腔室4且緊密地關閉反應腔室4後，開啟載入腔室22，且反應腔室4自載入腔室22被卸載並被傳送至處理基板20之裝置。由於反應腔室4被緊閉地關閉，因此可於大氣環境中傳送反應腔室4，而不會有基板20汙染或惡化之風險。反應腔室4亦可用來緊密地儲存基板20。
根據本發明之另一實施例，於生產線上，基板並不被載入載運箱，而是直接被載入反應腔室4。因此，反應腔室4亦可作為基板20之傳送容器。
接著，將反應腔室4安裝至用以處理基板20之裝置。處理基板20之裝置係被配置來將基板20進行至少第一及第二前驅物之交替表面反應。如第3圖所示，將反應腔室4安裝至裝置之真空腔室2，且真空腔室2為關閉。於關閉真空腔室2之前，將反應腔室4之前驅物連接管14連接至裝置之前驅物系統連接管18。真空腔室2包括安裝反應腔室4之內部空間6，且於關閉反應腔室4後使內部空間6為真空。
之後，可開啟前驅物連接管14之氣體密封件16，用以提供與反應腔室4之間的流體連接。係透過連接反應腔室4之前驅物連接管14與裝置之前驅物系統來實現流體連接。前驅物系統連接管18及前驅物連接管14可包括連接管(未圖示)，用以將兩者連接在一起。於一些實施例中，前驅物系統連接管18亦可包括氣體閘閥或其他種類之氣 體密封件。於開始處理基板20之前，以及緊密關閉之前驅物連接管14被開啟之前或之後，可沖洗或清除前驅物系統。
當開啟閘閥16時，可根據原子層沉積(ALD)原則或類似方法來處理基板20。當處理完成時，可關閉閘閥並將反應腔室自真空腔室2卸載。可進一步於惰性條件下處理基板20。
於一較佳實施例中，載入腔室22可與處理基板20之裝置分開設置並為其遙控裝置，或者與處理基板20之裝置中的真空腔室2分開設置。於一實施例中，裝置並不包括任何真空腔室2，僅包括與反應腔室4之前驅物連接管14連接之前驅物系統連接管18。緊密密封之反應腔室4使此種無真空腔室2之裝置能被使用。
進一步，本發明在將基板進行至少第一及第二前驅物之連續表面反應之處理時，係將氣密密封容器作為反應腔室4，用以接收一或多片基板20。
所屬領域中具有通常知識者應可理解，隨著技術進步，本發明之基本概念能以各種方式實現。因此，本發明及其實施例並非用以限定本發明的範圍，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾。
2‧‧‧真空腔室
4‧‧‧反應腔室
6‧‧‧內部空間
8‧‧‧本體
10、12‧‧‧載入門
14‧‧‧前驅物連接管
16‧‧‧氣體密封件
18‧‧‧前驅物系統連接管
20‧‧‧基板
22‧‧‧載入腔室
24‧‧‧惰性氣體環境
第1圖係顯示根據本發明實施例之塗佈裝置示意圖。
第2圖係顯示根據本發明實施例之反應腔室示意圖。
第3圖係顯示根據本發明所述之將基板載入反應腔室之塗佈裝置示意圖。
2‧‧‧真空腔室
4‧‧‧反應腔室
6‧‧‧內部空間
8‧‧‧本體
10‧‧‧載入門
14‧‧‧前驅物連接管
16‧‧‧氣體密封件
18‧‧‧前驅物系統連接管

Claims (20)

  1. 一種處理基板(20)表面之裝置，係將一基板(20)之表面進行至少一第一前驅物及一第二前驅物之連續表面反應，該裝置包括：一可拆式反應腔室(4)，具有一反應空間，於處理期間，該基板(20)係被置於該反應空間內部，且該可拆式反應腔室(4)係可被安裝於一真空腔室(2)內部及自該真空腔室(2)移出；以及一前驅物系統連接管(18)，用以將至少該第一及第二前驅物提供至該可拆式反應腔室(4)，及將至少該第一及第二前驅物自該可拆式反應腔室(4)排出，其中，用以作為容器之該可拆式反應腔室(4)係以氣密方式被緊密密封以關閉該反應空間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板(20)表面之裝置，其中，於處理該基板(20)期間，該可拆式反應腔室(4)被安裝於該真空腔室(2)內部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之處理基板(20)表面之裝置，其中，該可拆式反應腔室(4)包括具有一門密封件之一載入門(10、12)，用以以氣密方式關閉該載入門(10、12)，或包括以氣密方式可關閉之一載入門。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之處理基板(20)表面之裝置，其中，該可拆式反應腔室(4)包括用來將至少該第一及第二前驅物提供至該可拆式反應腔室(4)及自該可拆式反應腔室(4)排出之前驅物連接管(14)，且該 前驅物連接管(14)具有氣體密封件(16)，係以氣密方式關閉該前驅物連接管(14)。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之處理基板(20)表面之裝置，其中，該裝置之該前驅物系統連接管(18)及該可拆式反應腔室(4)之該前驅物連接管(14)包括接頭，用以將該可拆式反應腔室(4)以流體連接方式連接至前驅物系統。
  6. 一種反應腔室(4)，接收一或多片欲處理之基板(20)，用以將至少一部分之該等基板(20)進行至少一第一前驅物及一第二前驅物之連續表面反應，該反應腔室(4)為一可拆式反應腔室，係可被安裝於一真空腔室內部及自該真空腔室移出，並包括：一本體(8)，形成一反應空間，位於該反應腔室(4)內部；一載入門(10、12)，提供給該本體(8)，用以將該一或多片基板(20)載入該反應腔室(4)並自該反應腔室(4)卸載；以及前驅物連接管(14)，用以將至少該第一及第二前驅物提供至該反應腔室(4)之該反應空間，及自該反應腔室(4)之該反應空間排出，其中，該載入門(10、12)與該前驅物連接管(14)被緊密地密封以在該反應腔室(4)內部提供一緊密密封之反應空間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之反應腔室(4)，其 中，該載入門(10、12)包括一或多個密封元件，用以使關閉位置之該載入門(10、12)被緊密地密封。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之反應腔室(4)，其中，該密封元件為密封鏈、密封環、密封條、金屬焊封材料等。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之反應腔室(4)，其中，該載入門為一可拆式蓋體(10)、可於一關閉位置及一開啟位置間移動之一開口(12)、或可被開啟及關閉之一閘閥。
  10. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之反應腔室(4)，其中，該前驅物連接管(14)包括至少一輸入連接管，用以將至少該第一及第二前驅物提供至反應腔室(4)。
  11. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之反應腔室(4)，其中，該前驅物連接管(14)包括至少一輸出連接管，用以將至少該第一及第二前驅物自反應腔室(4)排出。
  12. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之反應腔室(4)，其中，該前驅物連接管(14)具有氣體密封件(16)，用以緊密密封該前驅物連接管(14)。
  13. 如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之反應腔室(4)，其中，該反應腔室(4)為真空密封或過壓密封，或者真空密封及過壓密封兩者。
  14. 一種將一或多片基板(20)載入一用以處理基板 表面之裝置之方法，該裝置係將至少一部分之該等基板(20)進行至少一第一前驅物及一第二前驅物之連續表面反應來處理該等基板(20)，該方法包括：將該一或多片基板(20)以惰性方式載入一反應腔室(4)；以及將該反應腔室(4)安裝至用來處理該等基板(20)之該裝置，其中，該方法更包括：將該一或多片基板(20)以惰性方式載入該反應腔室(4)之後，緊密地關閉該反應腔室(4)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，將該一或多片基板(20)載入至具有惰性氣體環境之一載入腔室(22)中之一反應腔室(4)，以及於該一或多片基板(20)被載入至該反應腔室(4)後，緊密地關閉該載入腔室(22)內部之該反應腔室(4)。
  16. 如申請專利範圍第14或15項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，緊密地關閉該反應腔室(4)包括緊密地關閉該反應腔室(4)之一載入門(10、12)。
  17. 如申請專利範圍第14或15項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，緊密地關閉該反應腔室(4)包括緊密地關閉該反應腔室(4)之前驅物連接管(14)。
  18. 如申請專利範圍第14或15項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，用以載入該一或多片基板(20)至其內部一反應腔室(4)之一載入腔室(22)係與處理基板(20)之該裝置分開設置並為其遙控裝置，或者，用以載入該一或多片基板(20)至其內部一反應腔室(4)之一載入腔室(22)係與處理基板(20)之該裝置中的一真空腔室(2)分開設置。
  19. 如申請專利範圍第14或15項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，於大氣環境中將被緊閉地關閉之該反應腔室(4)自該載入腔室(22)傳送至該裝置。
  20. 如申請專利範圍第14或15項所述之將一或多片基板(20)載入一用以處理基板表面之裝置之方法，其中，將該反應腔室(4)之前驅物連接管(14)連接至該裝置之一前驅物、清除前驅物系統之氣體管路、以及開啟該反應腔室(4)之被緊密地關閉之前驅物連接管(14)。
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