FI122940B - Reaktiokammio - Google Patents

Reaktiokammio Download PDF

Info

Publication number
FI122940B
FI122940B FI20095124A FI20095124A FI122940B FI 122940 B FI122940 B FI 122940B FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 122940 B FI122940 B FI 122940B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction chamber
gas
plate
reaction
chamber according
Prior art date
Application number
FI20095124A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20095124A (fi
FI20095124A0 (fi
Inventor
Pekka Soininen
Janne Peltoniemi
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20095124A priority Critical patent/FI122940B/fi
Publication of FI20095124A0 publication Critical patent/FI20095124A0/fi
Priority to CN2010800068061A priority patent/CN102308022A/zh
Priority to EP10738248A priority patent/EP2393960A4/en
Priority to US13/143,314 priority patent/US20110265719A1/en
Priority to PCT/FI2010/050077 priority patent/WO2010089459A1/en
Priority to TW099103758A priority patent/TW201040309A/zh
Publication of FI20095124A publication Critical patent/FI20095124A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI122940B publication Critical patent/FI122940B/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Reaktiokammio
Keksinnön tausta
Keksintö liittyy patenttivaatimuksen 1 johdannon mukaiseen reak-tiokammioon ALD-reaktoria varten.
5 Perinteisesti reaktiokammio ALD-reaktoria, atomikerroskasvatus- menetelmässä käytettävää reaktoria varten, on muodostettu useista paksuista massiivisista levyistä, joihin tarvittavat virtauskanavat on työstetty esimerkiksi jyrsimällä tai poraamalla. Kolmiulotteisen kanaviston aikaansaamiseksi tällaisia levyjä on asetettu päällekkäin useita. Vaihtoehtoisesti on aikaansaatu massii-10 vinen, paksu ja jäykkä laippa, johon on edelleen hitsattu tai kiinnitetty ruuvilla muita tarvittavia osia. Vielä eräs tunnetun tekniikan mukainen ratkaisu on käyttää putkimaista reaktiokammiota, jonne substraatit laitetaan.
Ongelmana yllä kuvatuissa järjestelyssä on se, että vaikka tunnetun tekniikan mukaisten reaktiokammioiden lämpötasapaino on hyvä ja hyvin hallit-15 taessa ja ne ovat itsekantavia rakenteita, on niiden valmistaminen kallista, koska valmistuksen aikana suurin osa niiden osien materiaalista työstetään pois, jolloin myös materiaalikustannukset nousevat korkeiksi. Työstö on lisäksi hidasta ja hankalaa halutun tarkkuuden saavuttamiseksi. Lisäksi reaktiokam-mion koon kasvaessa on näiden massiivisten rakenteiden kestävyys ja muo-20 dossa pysyminen ongelma niiden painosta johtuvan rasituksen takia. Putkimainen reaktiokammio on puolestaan hankala toteuttaa suurille substraateille ja lisäksi putkimaisessa reaktiokammiossa kaasuvirtausten hyvä hallinta ja ma-teriaalihyötysuhde ovat vaikeasti saavutettavissa.
Keksinnön lyhyt selostus ^ 25 Keksinnön tavoitteena on siten kehittää reaktiokammio ALD- o ™ reaktoria varten siten, että yllä mainitut ongelmat saadaan ratkaistua. Keksin- o nön tavoite saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mukaisella cS reaktiokammiolla, jolle on tunnusomaista se, että reaktiokammio on muodosti tettu päällekkäisistä ja/tai sisäkkäisistä ohutlevyistä.
CL
30 Keksinnön edulliset suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaa- £! timusten kohteena.
m g Esillä olevassa keksinnössä ALD-reaktorin reaktiokammio on valoi mistettu ohutlevystä, joka voi olla esimerkiksi teräsohutlevyä tai vastaavaa muuta metallista aikaansaatua ohutlevyä. Reaktiokammio on koottu kahdesta 35 tai useammasta päällekkäisestä ja/tai sisäkkäisestä ohutlevystä. Ohutlevyosat 2 on edullisesti muotoiltu ja sijoitettu siten, että niiden avulla muodostetaan reak-tiokammion reaktioilla ja/tai reaktiokammiossa olevat kaasunvirtauskanavat. Tällöin reaktiokammio voi koostua esimerkiksi etulevystä, jonka kautta kaasu-yhteet tuodaan reaktiokammioon, takalevystä sekä niiden väliin sijoitetusta vä-5 lilevystä. Näiden kolmen ohutlevyosan avulla voidaan muodostaa reaktiokam-mion reaktioilla ja sekä reaktiokammiossa olevan kaasunvirtauskanavat.
Esillä olevan keksinnön etu on se, että mahdollistaa reaktiokammion valmistamisen edullisesti suuren pinta-alan substraatteja varten. Lisäksi ohut-levyrakenne mahdollistaa yksinkertaisella tavalla avattavan reaktiokammiora-10 kenteen aikaansaamisen. Lisäksi ohutlevyistä aikaansaatu reaktiokammio on kevyt, jolloin yksikin työntekijä pystyy purkamaan sen osiin. Lisäksi haluttujen muotojen aikaansaamisen ohutlevyihin ja siten reaktiokammioon on helppoa ohutlevyn helpon muokattavuuden takia. Lisäksi ohutlevyn taipuisuus mahdollistaa reaktiokammion tiiviyden saavuttamisen helposti.
15 Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yhteydessä, viitaten oheisiin piirroksiin, joista: kuvio 1 esittää kaavamaisen sivuleikkauskuvan eräästä esillä olevan keksinnön mukaisen reaktiokammion suoritusmuodosta; ja 20 kuvio 2 esittää kaavamaisesti yläkuvan kuvion 1 reaktiokammiosta.
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Viitaten kuvioon 1 on siinä esitetty eräs suoritusmuoto esillä olevan keksinnön mukaisesta reaktiokammiosta ALD-reaktoria varten. Keksinnön mukainen reaktiokammio on edullisesti sovitettu sijoitettavaksi sisälle ALD- ^ 25 reaktorin alipainekammioon, mutta reaktiokammio voi muodostaa myös sellai- o ™ senaan alipainekammion ja reaktiokammion, jolloin sitä ei enää tarvitse sijoit- o taa erillisen alipainekammion sisälle. Kuviossa 1 esitetty reaktiokammio käsit- c3 tää ensimmäisen levyn 2 ja toisen levyn 4, jotka on valmistettu ohutlevystä ja £ jotka aikaansaavat sisäänsä reaktiotilan. Tässä ratkaisussa ylempi ensimmäi-
CL
30 nen levy 2 toimii reaktiokammion takalevynä ja alempi toinen levy 4 reak-^ tiokammion etulevynä, jonka kautta kaasut syötetään ja poistetaan reak-
LO
g tiokammiosta. Ensimmäinen levy 2 ja toinen levy 4 on sovitettu asetettavaksi ^ toisiaan vasten reaktiotilan tiivistämiseksi. Keksinnön mukaisen reaktiokammi on rakennetta voidaan edelleen jäykistää reunalaipan avulla.
3
Kuvion 1 mukaisesti toinen levy 4 on muotoiltu kaukalomaiseksi tai laatikkomaiseksi siten, että se on ylhäältä avoin. Substraatti 8 on sovitettu syötettäväksi ensimmäisen ja toisen levyn 2, 4 väliin sen käsittelemiseksi ALD-menetelmällä. Kuviossa 1 reaktiokammio on aikaansaatu siten, että siihen 5 muodostuu kaksi rinnakkaista reaktiotilaa, joissa kummassakin voidaan käsitellä substraattia samanaikaisesti. Ensimmäisen ja toisen levyn 2, 4 sisäänsä muodostama tila on jaettu kahteen osaan kaasunsyöttökanavalla 15, joka edullisesti ulottuu reaktiokammion poikki ja ulottuu toisen levyn 4 pohjasta ylöspäin kuvion 1 mukaisesti. Kaasu johdetaan kaasunsyöttökanavaan 15 toi-10 sen levyn 4 pohjaan liitetyn kaasunsyöttöputken 30 kautta. Kaasu virtaa täten kaasukanavassa 15 ylöspäin kohti ensimmäistä levyä 2. Kaasunsyöttökanavaan 15 on asennettu kaasunjakovälineitä 10, 12, joiden tehtävänä on jakaa kaasu mahdollisimman tasaisesti kaasunsyöttökanavan 15 koko leveydelle ja pituudelle sekä tasoittaa kaasun virtausta ja saada sen virtaus halutulle no-15 peudelle ja tasolle. Kaasunjakovälineitä voi 10, 12 yksi tai useampia kaasun virtaussuunnassa peräkkäisiä. Kaasunjakovälineet voi olla toteutettu esimerkiksi törmäyslevyinä tai reikälevyinä 10, 12, joissa on ennalta määrätyn kokoisia ja muotoisia reikiä ennalta määrätyssä kuviossa tai järjestyksessä. Myös kaasunsyöttökanava 15 ja/tai kaasunjakovälineet 10, 12 voi olla valmistettu 20 ohutlevystä. Rako 14 puolestaan on edullisesti kaikille välilevyn 6 ja toisen levyn 4 välisillä sivuilla, toisin sanoen kaikilla välilevyn 6 sivuilla lukuun ottamatta välilevyn 6 sivua, joka on kaasunsyöttökanavaa 15 vastapäätä. Rako 14 on kuvion 1 mukaisesti varustettu yhdellä tai useammalla kaasun virtaussuunnassa peräkkäisellä kaasunohjausvälineellä 18, jotka säätelevät ja ohjaavat kaa-25 sun virtausta rakoon 14 ja pois ensimmäisen levyn 2 ja välilevyn 6 välisestä ti-lasta. Kaasunohjausvälineet 18 voidaan toteuttaa esimerkiksi kuvion 1 mukai-5 sena reikälevynä 18, jossa on ennalta määrätyn kokoisia ja muotoisia reikä
C\J
^ ennalta määrätyssä kuviossa tai järjestyksessä. Reiät voivat reikälevyssä 18 ° olla myös erisuuruisia reikälevyn 18 erikohdissa.
00 30 Kaasunsyöttökanavan 15 molemmille puolille toisen levyn 4 sisään | on asennettu välilevyt 6. Välilevyt 6 voi olla asennettu toisen levyn 4 sisään ^ myös siten, että muodostavat väliinsä kaasunsyöttökanavan 15. Välilevyt 6 on
CVJ
^ tässä suoritusmuodossa muotoiltu kaukalomaisiksi tai laatikkomaisiksi ja poh- o jastaan tai alhaalta avoimiksi. Toisin sanoen tässä kaukalomaisessa välilevys- 00 35 sä 6 ei ole pohjaa. Lisäksi välilevyt 6 on muotoiltu siten, että niiden pystysuori en sivujen ja toisen levyn 4 sivureunojen väliin rako 14. Lisäksi välilevyjen 6 4 pystysuorien sivujen alareunoihin on aikaansaatu lovia tai aukkoja 24. Kuviossa 1 nämä aukot 24 on toteutettu hammastuksena, joka muodostaa aukkoja välilevyn pystysuorien sivujen alareunojen ollessa vasten toisen levyn 4 pohjaa. Toisen levyn 4 pohjaan on lisäksi aikaansaatu kaasunpoistoyhteet 20, joi-5 den kautta kaasu virtaa tai imetään ulos reaktiokammiosta. Nämä kaasunpoistoyhteet 20 on sijoitettu tässä toisen levyn 4 pohjaan molempien välilevyjen 6 peittämän alan kohdalle, ja kuviossa 1 tämän alan keskelle. Tällöin kuvion 1 mukaisesti kaasunsyöttökanavasta 15 tuleva kaasu virtaa kummankin välilevyn 6 päälle ja ylitse välilevyn 6 ja ensimmäisen levyn 2 välistä. Välilevyn 6 ja en-10 simmäisen levyn 2 välisestä tilasta kaasu pyrkii virtaamaan toisen levyn 4 ja välilevyn väliseen rakoon 14 kaasunsyöttökanavasta 15 syötetyn kaasun paineen ja virtausnopeuden ja/tai kaasunpoistoyhteestä 20 tuodun imun tai alipaineen takia. Virrattuaan rakoa 14 pitkin alaspäin reikälevyn 18 läpi ja toisen levyn 4 pohjalle saakka, pääsee kaasu virtaamaan välilevyn 6 pystysuorien si-15 vujen alareunaan aikaansaatujen aukkojen tai lovien 24 kautta välilevyn 6 kau-kalomaisen muodon sisälle, eli toisen levyn 4 pohjan ja välilevyn 6 väliseen tilaan. Tästä toisen levyn 4 pohjan ja välilevyn 6 välisestä tilasta kaasu virtaa tai se imetään edelleen kaasunpoistoyhdettä 20 pitkin pois reaktiokammiosta. Toisen levyn 4 pohjan ja välilevyn 6 välinen tila toimii täten niin sanottuna imu-20 kammiona, joka tasoittaa kaasun imua pois reaktiokammiosta, varastoi syötetyn kaasun yliannosta ja toimii myös esisuodattimena, kun reaktiotilassa reagoimattomat kaasut pääset virtaamaan tähän imukammioon.
Kuvion 1 mukaisessa suoritusmuodossa substraatit 8 on asetettu substraatin kannattimelle tai kannattimille 22. Ladattaessa substraatit 8 reak-25 tiokammion sisälle asettuvat ensimmäinen levy 2 ja toinen levy 4, tai niiden reunat tai reunaosiot, substraatin kannatinta 22 vasten sulkien ja tiivistäen re-
C\J J
5 aktiokammion. Vaihtoehtoisesti ensimmäinen levy 2 ja toinen levy 4 voivat
C\J
^ asettua suoraan substraattia 8 vasten sulkien reaktiokammion. Ensimmäinen ° ja toinen levy 2, 4 voidaan varustaa vastaavasti tiivisteillä 26, 27 jotka asettu- 00 00 30 vat substraatin kannatinta 22 tai substraattia 8 vasten sen vastakkaisilla puolil- | la kun reaktiokammio suljetaan. Tiivisteet 26, 27 voivat olla esimerkiksi elas- ^ tomeeritiivisteitä tai vastaavia. Kuvion 1 suoritusmuodossa tiivisteet 26, 27 on
CVJ
^ asennettu ensimmäisen ja toisen levyn 2, 4 reunoille tai niiden läheisyyteen.
o Kuvion 1 mukaisessa ratkaisussa substraatti 8 on asetettu reak- o 00 35 tiokammioon siten, että sen alapinta kosketuksissa kaasujen kanssa. Täten kuviota 1 tarkasteltaessa voidaan huomata, että reaktiokammio on aikaansaa- 5 tu siten, että sen reaktioilla muodostuu olennaisesti substraatin 8 ja välilevyn 6 väliin. Tällöin substraatti 8 ja myös sen kannattimet 22 muodostavat osan reak-tiotilaa ja/tai määrittävät reaktiotilan. Tällaisella ratkaisulla reaktiokammion virtausdynamiikka saadaan optimoitua. Substraatin 8 pitämiseksi tiiviisti paikoil-5 laan siten, että reaktiokammioon ei synny epäedullisia vuotokohtia, voidaan ensimmäinen levy 2 varustaa esijännitysvälineillä (ei esitetty) substraatin 8 puristamiseksi substraatin kannatinta 22 vasten ja/tai toista levyä 4 vasten reaktiokammion tiiviyden varmistamiseksi. Vaihtoehtoisessa ratkaisussa ensimmäiseen levyyn 2 aikaansaadut esijännitysvälineet voivat puristaa substraatin 10 kannatinta toista levyä 4 vasten. Vielä eräässä ratkaisussa esijännitysvälineet voi olla aikaansaatu toiseen levyyn 4 siten, että ne puristavat substraattia 8 ja/tai sen kannatinta 22 ensimmäistä levyä vasten. Esijännitysvälineet voi olla aikaansaatu esimerkiksi jousista, joita on sijoitettu useita vierekkäisesti. Vaihtoehtoisesti esijännitysvälineet voi olla aikaansaatu jostakin muusta joustavas-15 ta materiaalista tai rakenteesta kuten esimerkiksi elastomeeritiivisteestä.
Kuviossa 2 on esitetty kuvion 1 reaktiokammio ylhäältä päin ensimmäisen levyn 2 ja substraattien 8 ja substraattien kannattimien 4 ollessa poistettuna. Toisin sanoen kuvio 2 esittää toisen levyn 4 ja välilevyjen 6 ja kaasun-virtauskanavat. Kuviosta 2 nähdään kuinka kaasua syötetään kaasunvirtaus-20 kanavasta reikälevyn 12 aukkojen 11 kautta välilevyn 6 yhden sivun koko pituudella reaktiotilaan, joka on määritetty kuvion 1 mukaisesti välilevyn 6 ja substraatin 8 väliin. Reaktiotilasta kaasua puolestaan imetään pois välilevyn 6 kolmelta muulta sivulta raon 14 ja reikälevyn 18 reikien 19 kautta. Täten reaktiokammion reaktiotilan sivuseinämien muodostava kehä on aikaansaatu koko 25 pituudeltaan aktiiviseksi siten, että kehän koko pituutta hyödynnetään reaktioti-lan kaasunvaihdossa kaasun syöttämiseksi ja poistamiseksi. Tämä voidaan to-5 teuttaa vaihtoehtoisesti siten, että reaktiokammion kaasunsyöttöyhteet on ai-
C\J
^ kaansaatu siten, että kaasua on syötettävissä reaktiotilaan sen yhden tai use- ° ämmän sivuseinämän pituudella, ja että reaktiokammion kaasunpoistoyhteet
CO
00 30 on aikaansaatu siten, että kaasua on poistettavissa reaktiotilasta sen yhden tai | useamman sivuseinämän pituudella. Tällöin reaktiokammion reaktiotilan sivuni- seinämien muodostama kehä on jaettu kaasunsyöttövyöhykkeeseen ja kaa-
CVJ
^ sunpoistovyöhykkeeseen. Kuvion 2 suorakulmaisen reaktiotilan käsittävässä o reaktiokammiossa kaasunsyöttöyhteet on aikaansaatu siten, että kaasua on 00 35 syötettävissä reaktiotilaan sen yhden sivuseinämän pituudella, ja kaasunpois toyhteet on aikaansaatu siten, että kaasua on poistettavissa reaktiotilasta sen 6 kolmen sivuseinämän pituudella. Samaa voidaan tietenkin soveltaa myös pyöreän tai soikean tai vastaavan reaktiokammion reaktiotilassa, jossa reaktiotilan sivuseinämien muodostama kehä muodostuu yhdestä kaarevasta sivuseinä-mästä. Tällöin tämä yksi sivuseinämä on jaettu edellisen mukaisesti kaasun-5 syöttövyöhykkeeseen ja kaasunpoistovyöhykkeeseen.
Esillä oleva keksintö ei rajoitu kuvioiden 1 ja 2 edellä selitytetyn mukaiseen suoritusmuotoon, vaan reaktiokammion rakenne voi vaihdella hyvinkin paljon poikkeamatta esillä olevasta keksinnöstä. Olennaista esillä olevan keksinnön reaktiokammiossa on se, että se on valmistettu kahdesta tai useam-10 masta päällekkäin ja/tai sisäkkäin asetetusta ohutlevystä, jotka muotoiltu ja mitoitettu reaktiokammion aikaansaamiseksi. Edullisesti reaktiokammion virtaus-kanavat 15, 14, 24 ja/tai reaktiotila on aikaansaatu ohutlevyjen muotojen avulla siten, että virtauskanavia ja/tai reaktiotilaa ei tarvitse muodostaa reaktiokammion sisälle erillisistä osista. Kuvion 1 mukaista reaktiokammiota voidaan 15 muokata esimerkiksi siten, että välilevy 6 aikaansaadaan suorana levynä, joka ulottuu kaasunsyöttökanavan 15 ja toisen levyn 4 seinämien välillä. Tällöin välilevyn reunoille tai niiden läheisyyteen, jotka rajoittuvat toisen levyn 4 pystysuoriin sivuseinämiin, on aikaansaatu reikälevyn 18 reikiä 19 vastaavia aukkoja kaasun poistamiseksi reaktiotilasta. Tällainen välilevy muodostaa myös 20 imukammion välilevyn 6 ja toisen levyn 4 väliseen tilaan. Lisäksi edelleen on huomioitava, että reaktiokammio voidaan aikaansaada siten, että se käsittää vain yhden reaktiokammiontilan eikä kahta vierekkäistä kuten kuvioiden 1 ja 2 mukainen suoritusmuoto. Rakenteessa voidaan kuitenkin hyödyntää myös koneistettuja osia rakenteen jäykistämiseen, jolloin voidaan käyttää taivuttamat-25 tornia levyjä ja jotka puolestaan voidaan tiivistää näitä apukappaleita vasten. Tällaista osaa voidaan käyttää esim levyn 4 reunojen ja siinä olevien taivutettuja jen muotojen korvaamiseen. Vaihtoehtoisessa suoritusmuodossa kaasunsyöt-
C\J
^ töyhde on aikaansaatu siten, että kaasu jakautuu kahteen tai useampaan ° suuntaan, edullisesti reaktiokammion keskellä. Tällöin reaktiokammiossa ei ole
CO
00 30 ulkoseiniä, vaan imu on sijoitettu ulkokehälle kehälle. Toisin sanoen kaasun- | syöttöyhteet on aikaansaatu siten, että kaasua on syötettävissä kahteen tai ^ useampaan suuntaan kohti reaktiokammion sivuseinämiä kaasun poistamisek-
CVJ
si sivuseinämien pituudella.
o Keksinnön mukainen reaktiokammio on edullisesti aikaansaatu o 00 35 avattavaksi siten, että ensimmäinen ja toinen levy 2, 4 on sovitettu liikutetta vaksi pystysuorassa suunnassa suhteessa toisiinsa reaktiokammion avaami- 7 seksi ja sulkemiseksi siten, että substraatti 8 on ladattavissa vaakasuorassa suunnassa ensimmäisen ja toisen levyn 2, 4 väliin ja/tai poistettavissa niiden välistä reaktiokammion ollessa avoimessa tilassa, jossa ensimmäinen ja toinen levy 2, 4 ovat etäisyyden päässä toisistaan erillään, ja siten, että substraatti 8 5 on käsiteltävissä ALD-menetelmällä reaktiokammion suljetussa tilassa. Tällöin esimerkiksi toista levyä 4 ja siten myös välilevyä 6 voidaan liikuttaa pystysuorassa suunnassa reaktiokammion avaamiseksi ja sulkemiseksi. Avoimessa tilassa ensimmäinen levy 2 ja toinen levy 4 ovat erillään toisistaan ja substraatti on syötettävissä ja poistettavissa niiden välistä reaktiokammiosta. Sullo jetussa tilassa ensimmäinen ja toinen levy 2, 4 ovat toisiaan vasten ja substraatti on käsiteltävissä ALD-mentelmällä reaktiokammiossa.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että tekniikan kehittyessä keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdel-15 la patenttivaatimusten puitteissa.
C\J
δ
CvJ
CD
cp
CO
CvJ
X
X
Q.
CvJ
δ o o o
CvJ

Claims (21)

1. Reaktiokammio atomikerroskasvatusreaktoria (ALD-reaktoria) varten, joka reaktiokammio on aikaansaatu kahdesta tai useammasta ohutle-vystä (2, 4, 6), jotka aikaansaavat reaktiotilan, tunnettu siitä, että reaktioti- 5 la on aikaansaatu kahdesta tai useammasta taipuisasta ohutlevystä (2, 4, 6).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammion virtauskanavat (15, 14, 24) ja/tai reaktiotila on aikaansaatu ohutlevyjen muotojen avulla.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen reaktiokammio, tunnet- 10 tu siitä, että reaktiokammio käsittää ohutlevystä aikaansaadun ensimmäisen levyn (2) ja toisen levyn (4), jotka muodostavat väliinsä reaktiotilan substraatin (8) vastaanottamiseksi ja käsittelemiseksi reaktiotilassa ALD-menetelmällä.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää lisäksi ensimmäisen ja toisen levyn (2, 4) vä-
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että välilevy (6) on aikaansaatu ohutlevystä.
6. Patenttivaatimuksen 1 ja 2 mukainen reaktiokammio, tunnettu si- 20 tä, että reaktiokammion rakennetta on jäykistetty reunapaloin.
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 3 - 6 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen levy (2) on reaktiokammion takalevy ja toinen levy (4) on reaktiokammion etulevy, jonka kautta kaasuntulo-ja poistoyhteet tuodaan reaktiokammioon.
8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 7 mukainen reak- ^ tiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammion reaktiotilan sivuseinämien δ muodostava kehä on aikaansaatu koko pituudeltaan aktiiviseksi siten, että ke- cd hän koko pituutta hyödynnetään reaktiotilan kaasunvaihdossa kaasun syöttä- o ^ miseksi ja poistamiseksi. 00 30
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen reaktiokammio, tunnettu £ siitä, että reaktiokammion kaasunsyöttöyhteet on aikaansaatu siten, että kaa- sua on syötettävissä reaktioillaan sen yhden tai useamman sivuseinämän piilo tuudella, ja että reaktiokammion kaasunpoistoyhteet on aikaansaatu siten, että O) § kaasua on poistettavissa reaktiotilasta sen yhden tai useamman sivuseinämän CVJ 35 pituudella.
10. Patenttivaatimuksen 8 tai 9 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että suorakulmaisen reaktiotilan käsittävässä reaktiokammiossa kaasunsyöttöyhteet on aikaansaatu siten, että kaasua on syötettävissä reaktioillaan sen yhden sivuseinämän pituudella, ja kaasunpoistoyhteet on aikaan- 5 saatu siten, että kaasua on poistettavissa reaktiotilasta sen kolmen sivuseinämän pituudella.
11. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-10 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammion kaasunsyöttöyhteet käsittävät yhden tai useamman kaasun virtaussuunnassa peräkkäisen kaasunjako- 10 välineen (10, 12) kaasuvirtauksen jakamiseksi tasaisesti koko sivuseinämän pituudelle, josta kaasua syötetään reaktiotilaan.
12. Patenttivaatimuksen 8 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että kaasunsyöttöyhteet on aikaansaatu siten, että kaasua on syötettävissä kahteen tai useampaan suuntaan kohti reaktiokammion sivuseinämiä kaa- 15 sun poistamiseksi sivuseinämien pituudella.
13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 4-12 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että välilevy (6) on sijoitettu ensimmäisen ja toisen levyn (2, 4) väliin siten, että välilevyn (6) ja toisen levyn (4) väliin muodostuu rako (14), jonka kautta kaasu poistetaan reaktiotilasta.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että toinen levy (4) on aikaansaatu kaukalomaiseksi siten, että se muodostaa välilevyn (6) kanssa imukammion (16), jonne reaktiotilasta poistettava kaasu raon (14) kautta ohjataan.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen reaktiokammio, tunnettu 25 siitä, että imukammio (16) varustettu toiseen levyyn (4) aikaansaadulla imu-kanavalla (20) kaasun poistamiseksi imukammiosta (16).
15 Iin sijoitetun välilevyn (6), joka muodostaa ensimmäisen levyn (2) kanssa reaktiotilan.
16. Patenttivaatimuksen 14 tai 15 mukainen reaktiokammio, tun- C\J ^ nettu siitä, että rako (14) on varustettu yhdellä tai useammalla kaasunoh- ° jausvälineellä (18) reaktiotilasta poistettavan kaasun virtauksen ohjaamiseksi. 00 30
17. Patenttivaatimuksen 11 tai 16 mukainen reaktiokammio, tun- | nettu siitä, että kaasunjakovälineet (10, 12) ja/tai kaasunohjausvälineet (18) ^ on aikaansaatu reikälevynä. CVJ
^ 18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 3-17 mukainen reak- o tiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen levy (2, 4) on sovi- 00 35 tettu asetettavaksi toisiaan vasten reaktiokammion sulkemiseksi.
19. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 3-18 mukainen reak-tiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen levy (2, 4) on sovitettu on sovitettu asetettavaksi substraattia (8) tai substraatin kannatinta (22) vasten siten, että substraatti (8) ja/tai substraatin kannatin (22) muodostaa 5 osan reaktiokammiosta.
20. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 3-19 mukainen reak-tiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen levy (2) tai vastaavasti toinen levy (4) on varustettu esijännitysvälineillä substraatin (8) puristamiseksi substraatin kannatinta (22) vasten ja/tai toista levyä (4) tai vastaavasti ensimmäis- 10 tä levyä (2) vasten.
21. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 3-20 mukainen reak-tiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen levy (2, 4) on sovitettu liikutettavaksi pystysuorassa suunnassa suhteessa toisiinsa reaktiokam-mion avaamiseksi ja sulkemiseksi siten, että substraatti (8) on ladattavissa 15 vaakasuorassa suunnassa ensimmäisen ja toisen levyn (2, 4) väliin ja/tai poistettavissa niiden välistä reaktiokammion ollessa avoimessa tilassa, jossa ensimmäinen ja toinen levy (2, 4) ovat etäisyyden päässä toisistaan erillään, ja siten, että substraatti (8) on käsiteltävissä ALD-menetelmällä reaktiokammion suljetussa tilassa. 20 C\J δ c\j i CD O oo CVJ X cc CL CVJ δ O) o o CVJ
FI20095124A 2009-02-09 2009-02-09 Reaktiokammio FI122940B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095124A FI122940B (fi) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktiokammio
CN2010800068061A CN102308022A (zh) 2009-02-09 2010-02-08 反应室
EP10738248A EP2393960A4 (en) 2009-02-09 2010-02-08 REACTION CHAMBER
US13/143,314 US20110265719A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber
PCT/FI2010/050077 WO2010089459A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber
TW099103758A TW201040309A (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095124A FI122940B (fi) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktiokammio
FI20095124 2009-02-09

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20095124A0 FI20095124A0 (fi) 2009-02-09
FI20095124A FI20095124A (fi) 2010-08-10
FI122940B true FI122940B (fi) 2012-09-14

Family

ID=40404627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20095124A FI122940B (fi) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktiokammio

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110265719A1 (fi)
EP (1) EP2393960A4 (fi)
CN (1) CN102308022A (fi)
FI (1) FI122940B (fi)
TW (1) TW201040309A (fi)
WO (1) WO2010089459A1 (fi)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20115073A0 (fi) 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Laitteisto, menetelmä ja reaktiokammio

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59928A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Ushio Inc 光加熱装置
US5194401A (en) * 1989-04-18 1993-03-16 Applied Materials, Inc. Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures
US5783492A (en) * 1994-03-04 1998-07-21 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
US5676757A (en) * 1994-03-28 1997-10-14 Tokyo Electron Limited Decompression container
DE4437050A1 (de) * 1994-10-17 1996-04-18 Leybold Ag Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks
US6159300A (en) * 1996-12-17 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device
US6217972B1 (en) * 1997-10-17 2001-04-17 Tessera, Inc. Enhancements in framed sheet processing
TW364054B (en) * 1998-12-31 1999-07-11 United Microelectronics Corp Measurement tool for distance between shower head and heater platform
DE50002987D1 (de) * 2000-02-01 2003-08-28 Emil Baechli Einrichtung zur Oberflächenbehandlung und/oder Beschichtung bzw. zur Fertigung von Bauelementen, insbesondere flacher Bauelemente aus Glas, Glaslegierungen oder Metall, im Durchlaufverfahren
SK5872002A3 (en) * 2000-02-18 2003-06-03 Equipment Technologies Inc Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
AU2001277755A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-25 Tokyo Electron Limited Device and method for processing substrate
US6541353B1 (en) * 2000-08-31 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer doping apparatus and method
TW533503B (en) * 2000-09-14 2003-05-21 Nec Electronics Corp Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US9708707B2 (en) * 2001-09-10 2017-07-18 Asm International N.V. Nanolayer deposition using bias power treatment
JP2004014543A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2004311640A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 処理容器
US7108753B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Asm America, Inc. Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US7169233B2 (en) * 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US20060032736A1 (en) * 2004-02-02 2006-02-16 Lam Research Corporation Deformation reduction at the main chamber
DE102004009772A1 (de) * 2004-02-28 2005-09-15 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit Prozesskammerhöhenstabilisierung
JP4791110B2 (ja) * 2005-09-02 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空チャンバおよび真空処理装置
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP2008169437A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 製膜装置
DE102007057644A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Vakuumkammer auf Rahmenbasis für Beschichtungsanlagen
WO2009140440A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Nanoink, Inc. Dual-tip cantilever

Also Published As

Publication number Publication date
FI20095124A (fi) 2010-08-10
EP2393960A1 (en) 2011-12-14
US20110265719A1 (en) 2011-11-03
FI20095124A0 (fi) 2009-02-09
CN102308022A (zh) 2012-01-04
EP2393960A4 (en) 2012-10-10
TW201040309A (en) 2010-11-16
WO2010089459A1 (en) 2010-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102325921B (zh) 带有圆柱形进气机构的金属有机化合物化学气相沉积反应器
FI97731B (fi) Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6015590A (en) Method for growing thin films
JP3079231U (ja) 薄膜を成長させる装置
FI118342B (fi) Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6890386B2 (en) Modular injector and exhaust assembly
US20080107575A1 (en) Apparatus and process for reacting fluid over catalyst bed
US6352592B1 (en) Free floating shield and semiconductor processing system
WO2019124099A1 (ja) 成膜装置
JP5369178B2 (ja) Ald反応器の接続部の構成
FI122940B (fi) Reaktiokammio
CZ579688A3 (en) Method of coating glass by deposition of chemical vapors and apparatus for making the same
JP2009516077A (ja) Ald反応容器
US6056824A (en) Free floating shield and semiconductor processing system
JP4526969B2 (ja) 気相成長装置
KR20220137883A (ko) 생물학적 세포 배양물들을 처리하기 위한 장치
KR20220097237A (ko) 코팅 장치 및 그 캐리어 시트
CN113906156A (zh) 衬底处理方法和装置
CN117836467A (zh) 原子层沉积反应室和原子层沉积反应器
US20230024132A1 (en) Substrate processing apparatus and method
JP3962657B2 (ja) 真空処理装置
JP2004241412A (ja) 気相成長装置
TWI437120B (zh) 具有減小的工具足跡之用於均勻薄膜沉積的平行板反應器

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122940

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B