FI122940B - Reaktionskammare - Google Patents

Reaktionskammare Download PDF

Info

Publication number
FI122940B
FI122940B FI20095124A FI20095124A FI122940B FI 122940 B FI122940 B FI 122940B FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 122940 B FI122940 B FI 122940B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction chamber
gas
plate
reaction
chamber according
Prior art date
Application number
FI20095124A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20095124A0 (sv
FI20095124A (sv
Inventor
Pekka Soininen
Janne Peltoniemi
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20095124A priority Critical patent/FI122940B/sv
Publication of FI20095124A0 publication Critical patent/FI20095124A0/sv
Priority to PCT/FI2010/050077 priority patent/WO2010089459A1/en
Priority to TW099103758A priority patent/TW201040309A/zh
Priority to US13/143,314 priority patent/US20110265719A1/en
Priority to CN2010800068061A priority patent/CN102308022A/zh
Priority to EP10738248A priority patent/EP2393960A4/en
Publication of FI20095124A publication Critical patent/FI20095124A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI122940B publication Critical patent/FI122940B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (21)

1. Reaktionskammare för en atomlagertillväxtreaktor (ALD-reaktor), vilken reaktionskammare har ästadkommits av tvä eller flera tunnplätar (2, 4, 6) som ästadkommer ett reaktionsrum, kännetecknad avatt reaktions- 5 rummet har ästadkommits av tvä eller flera böjliga tunnplätar (2, 4, 6).
2. Reaktionskammare enligt patentkrav 1, kännetecknad av att reaktionskammarens strömningskanaler (15, 14, 24) och/eller reaktionsrum har ästadkommits med hjälp av tunnplätarnas former.
3. Reaktionskammare enligt patentkrav 1 eller 2, känneteck-10 n a d av att reaktionskammaren omfattar en första plät (2) och en andra plät (4) som har ästadkommits av en tunnplät och som bildar ett reaktionsrum miellän dem för att motta ett substrat (8) och behandla det i reaktionsrummet med ett ALD-förfarande.
4. Reaktionskammare enligt patentkrav 3, kännetecknad av 15 att reaktionskammaren ytterligare omfattar en mellanplät (6) som är placerad mellan den första och den andra pläten (2, 4) och som tillsammans med den första pläten (2) bildar ett reaktionsrum.
5. Reaktionskammare enligt patentkrav 4, kännetecknad av att mellanpläten (6) har ästadkommits av en tunnplät.
6. Reaktionskammare enligt patentkrav 1 och 2, känneteck nad av att reaktionskammarens struktur har styvts med kantstycken.
7. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3 -6, kännetecknad av att den första pläten (2) är reaktionskammarens bakplät och den andra pläten (4) är reaktionskammarens framplät, genom vil-25 ken gasingängs- och -avloppsledningar förs in i reaktionskammaren.
^ 8. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 δ - 7, k ä n n e t e c k n a d av att en periferi som utgörs av sidoväggarna av re- cö aktionsrummet i reaktionskammaren har över hela sin längd gjorts aktiv pä det o ^ sättet att periferins hela längd utnyttjas i reaktionsrum mets gasväxling för att ^ 30 tillföra och avlägsna gas. a.
9. Reaktionskammare enligt patentkrav 8, kännetecknad av att reaktionskammarens gastillförselledningar har ästadkommits pä det sättet lö att gas kan tillföras in i reaktionsrummet över längden av en eller flera sido- <j> § väggar och att reaktionskammarens gasavloppsledningar har ästadkommits pä CM 35 det sättet att gas kan avlägsnas fran reaktionsrummet över längden av en eller flera sidoväggar.
10. Reaktionskammare enligt patentkrav 8 eller 9, känneteck-n a d av att i reaktionskammaren som omfattar ett rektangulärt reaktionsrum har gastillförselledningarna ästadkommits pä det sättet att gas kan tillföras in i reaktionsrum met över längden av en sidovägg och gasavloppsledningarna pä 5 det sättet att gas kan avlägsnas frän reaktionsrummet över längden av tre si-doväggar.
11. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 1-10, kännetecknad av att reaktionskammarens gastillförselledningar omfattar ett eller flera i gasströmningsriktningen successiva gasfördelningsdon 10 (10, 12) för att fördela gas jämnt över sidoväggens hela längd, varifrän gas till- förs in i reaktionsrummet.
12. Reaktionskammare enligt patentkrav 8, kännetecknad av att gastillförselledningarna har ästadkommits pä det sättet att gas kan tillföras i tvä eller flera riktningar mot reaktionsrummets sidoväggar för att avlägsna gas 15 över längden av sidoväggarna.
13. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 4 - 12, kännetecknad av att mellanpläten (6) är placerad mellan den första och den andra pläten (2, 4) pä det sättet att en spalt (14) bildas mellan mellanpläten (6) och den andra pläten (4), genom vilken spalt gasen avlägsnas 20 frän reaktionsrummet.
14. Reaktionskammare enligt patentkrav 13, kännetecknad av att den andra pläten (4) har gjorts trägformig pä det sättet att den tillsam-mans med mellanpläten (6) bildar en sugkammare (16), dit gasen som avlägsnas frän reaktionsrummet leds genom spalten (14).
15. Reaktionskammare enligt patentkrav 14, kännetecknad av att sugkammaren (16) är försedd med en sugkanal (20) som ästadkommits i 5 den andra pläten (4) för att avlägsna gas frän sugkammaren (16). C\J
^ 16. Reaktionskammare enligt patentkrav 14 eller 15, känne- ° t e c k n a d av att spalten (14) är försedd med ett eller flera gasstyrningsdon 00 30 (18) för att styra gasströmning som avlägsnas frän reaktionsrummet.
17. Reaktionskammare enligt patentkrav 11 eller 16, känne- ^ t e c k n a d av att gasfördelningsdonen (10, 12) och/eller gasstyrningsdonen CVJ ^ (18) har ästadkommits som en hälskiva.
18. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 00 35 3-17, kännetecknad av att den första och den andra pläten (2, 4) är anordnade att placeras mot varandra för att stänga reaktionskammaren.
19. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-18, kännetecknad avatt den första och den andra platen (2, 4) är anordnade att placeras mot substratet (8) eller mot substratets stöd (22) pä det sättet att substratet (8) och/eller substratets stöd (22) bildar en del av reak- 5 tionskammaren.
20. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-19, kännetecknad av att den första pläten (2) respektive den andra pläten (4) är försedd med förspänningsdon för att pressa substratet (8) mot substratets stöd (22) och/eller mot den andra pläten (4) respektive den första 10 pläten (2).
21. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3 - 20, k ä n n e t e c k n a d av att den första och den andra pläten (2, 4) är anordnade att röras i vertikal riktning i förhällande tili varandra för att öppna och stänga reaktionskammaren pä det sättet att substratet (8) kan placeras i 15 horisontell riktning mellan den första och den andra pläten (2, 4) och/eller av-lägsnas därifrän dä reaktionskammaren är i öppet tillständ, där den första och den andra pläten (2, 4) är i sär pä ett avständ frän varandra, och pä det sättet att substratet (8) kan behandlas med ALD-förfarandet i reaktionskammarens stängda tillständ. 20 C\J δ c\j i CO o oo c\j X cc CL CVJ δ O) o o c\j
FI20095124A 2009-02-09 2009-02-09 Reaktionskammare FI122940B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095124A FI122940B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktionskammare
PCT/FI2010/050077 WO2010089459A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber
TW099103758A TW201040309A (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber
US13/143,314 US20110265719A1 (en) 2009-02-09 2010-02-08 Reaction chamber
CN2010800068061A CN102308022A (zh) 2009-02-09 2010-02-08 反应室
EP10738248A EP2393960A4 (en) 2009-02-09 2010-02-08 REACTION CHAMBER

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095124 2009-02-09
FI20095124A FI122940B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktionskammare

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20095124A0 FI20095124A0 (sv) 2009-02-09
FI20095124A FI20095124A (sv) 2010-08-10
FI122940B true FI122940B (sv) 2012-09-14

Family

ID=40404627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20095124A FI122940B (sv) 2009-02-09 2009-02-09 Reaktionskammare

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110265719A1 (sv)
EP (1) EP2393960A4 (sv)
CN (1) CN102308022A (sv)
FI (1) FI122940B (sv)
TW (1) TW201040309A (sv)
WO (1) WO2010089459A1 (sv)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20115073A0 (sv) 2011-01-26 2011-01-26 Beneq Oy Apparatur, förfarande och reaktionskammare

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59928A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Ushio Inc 光加熱装置
US5194401A (en) * 1989-04-18 1993-03-16 Applied Materials, Inc. Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures
US5783492A (en) * 1994-03-04 1998-07-21 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
US5676757A (en) * 1994-03-28 1997-10-14 Tokyo Electron Limited Decompression container
DE4437050A1 (de) * 1994-10-17 1996-04-18 Leybold Ag Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks
US6159300A (en) * 1996-12-17 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device
US6217972B1 (en) * 1997-10-17 2001-04-17 Tessera, Inc. Enhancements in framed sheet processing
TW364054B (en) * 1998-12-31 1999-07-11 United Microelectronics Corp Measurement tool for distance between shower head and heater platform
EP1122221B1 (de) * 2000-02-01 2003-07-23 Emil BÄCHLI Einrichtung zur Oberflächenbehandlung und/oder Beschichtung bzw. zur Fertigung von Bauelementen, insbesondere flacher Bauelemente aus Glas, Glaslegierungen oder Metall, im Durchlaufverfahren
CZ20021297A3 (cs) * 2000-02-18 2002-11-13 G. T. Equipment Technologies Inc. Způsob usazování chemických par polysilikonu a zařízení k provádění tohoto způsobu
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
US6806211B2 (en) * 2000-08-11 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Device and method for processing substrate
US6541353B1 (en) * 2000-08-31 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer doping apparatus and method
TW533503B (en) * 2000-09-14 2003-05-21 Nec Electronics Corp Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US9708707B2 (en) * 2001-09-10 2017-07-18 Asm International N.V. Nanolayer deposition using bias power treatment
JP2004014543A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2004311640A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 処理容器
US7108753B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Asm America, Inc. Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US7169233B2 (en) * 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US20060032736A1 (en) * 2004-02-02 2006-02-16 Lam Research Corporation Deformation reduction at the main chamber
DE102004009772A1 (de) * 2004-02-28 2005-09-15 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit Prozesskammerhöhenstabilisierung
US7641762B2 (en) * 2005-09-02 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber
JP4791110B2 (ja) * 2005-09-02 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 真空チャンバおよび真空処理装置
FI121750B (sv) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktor
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP2008169437A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 製膜装置
DE102007057644A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Vakuumkammer auf Rahmenbasis für Beschichtungsanlagen
JP2011523047A (ja) * 2008-05-13 2011-08-04 ナノインク インコーポレーティッド ピエゾ抵抗器高さ検知カンチレバー

Also Published As

Publication number Publication date
TW201040309A (en) 2010-11-16
US20110265719A1 (en) 2011-11-03
EP2393960A4 (en) 2012-10-10
CN102308022A (zh) 2012-01-04
FI20095124A0 (sv) 2009-02-09
FI20095124A (sv) 2010-08-10
EP2393960A1 (en) 2011-12-14
WO2010089459A1 (en) 2010-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102325921B (zh) 带有圆柱形进气机构的金属有机化合物化学气相沉积反应器
FI97731B (sv) Förfarande och anordning för framställning av tunnfilmer
US6015590A (en) Method for growing thin films
JP3079231U (ja) 薄膜を成長させる装置
FI118342B (sv) Anordning för framställning av tunnfilmer
EP1283279A2 (en) Modular injector and exhaust assembly
US20080107575A1 (en) Apparatus and process for reacting fluid over catalyst bed
US6352592B1 (en) Free floating shield and semiconductor processing system
WO2019124099A1 (ja) 成膜装置
JP5369178B2 (ja) Ald反応器の接続部の構成
FI122940B (sv) Reaktionskammare
CZ579688A3 (en) Method of coating glass by deposition of chemical vapors and apparatus for making the same
JP2009516077A (ja) Ald反応容器
KR20130074413A (ko) 기판처리장치
US6056824A (en) Free floating shield and semiconductor processing system
JP4526969B2 (ja) 気相成長装置
KR20220137883A (ko) 생물학적 세포 배양물들을 처리하기 위한 장치
KR20220097237A (ko) 코팅 장치 및 그 캐리어 시트
CN117836467A (zh) 原子层沉积反应室和原子层沉积反应器
US20230024132A1 (en) Substrate processing apparatus and method
JP3962657B2 (ja) 真空処理装置
JP2004241412A (ja) 気相成長装置
TWI437120B (zh) 具有減小的工具足跡之用於均勻薄膜沉積的平行板反應器

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122940

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B