FI122940B - Reaktionskammare - Google Patents
Reaktionskammare Download PDFInfo
- Publication number
- FI122940B FI122940B FI20095124A FI20095124A FI122940B FI 122940 B FI122940 B FI 122940B FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 20095124 A FI20095124 A FI 20095124A FI 122940 B FI122940 B FI 122940B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reaction chamber
- gas
- plate
- reaction
- chamber according
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Claims (21)
1. Reaktionskammare för en atomlagertillväxtreaktor (ALD-reaktor), vilken reaktionskammare har ästadkommits av tvä eller flera tunnplätar (2, 4, 6) som ästadkommer ett reaktionsrum, kännetecknad avatt reaktions- 5 rummet har ästadkommits av tvä eller flera böjliga tunnplätar (2, 4, 6).
2. Reaktionskammare enligt patentkrav 1, kännetecknad av att reaktionskammarens strömningskanaler (15, 14, 24) och/eller reaktionsrum har ästadkommits med hjälp av tunnplätarnas former.
3. Reaktionskammare enligt patentkrav 1 eller 2, känneteck-10 n a d av att reaktionskammaren omfattar en första plät (2) och en andra plät (4) som har ästadkommits av en tunnplät och som bildar ett reaktionsrum miellän dem för att motta ett substrat (8) och behandla det i reaktionsrummet med ett ALD-förfarande.
4. Reaktionskammare enligt patentkrav 3, kännetecknad av 15 att reaktionskammaren ytterligare omfattar en mellanplät (6) som är placerad mellan den första och den andra pläten (2, 4) och som tillsammans med den första pläten (2) bildar ett reaktionsrum.
5. Reaktionskammare enligt patentkrav 4, kännetecknad av att mellanpläten (6) har ästadkommits av en tunnplät.
6. Reaktionskammare enligt patentkrav 1 och 2, känneteck nad av att reaktionskammarens struktur har styvts med kantstycken.
7. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3 -6, kännetecknad av att den första pläten (2) är reaktionskammarens bakplät och den andra pläten (4) är reaktionskammarens framplät, genom vil-25 ken gasingängs- och -avloppsledningar förs in i reaktionskammaren.
^ 8. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 1 δ - 7, k ä n n e t e c k n a d av att en periferi som utgörs av sidoväggarna av re- cö aktionsrummet i reaktionskammaren har över hela sin längd gjorts aktiv pä det o ^ sättet att periferins hela längd utnyttjas i reaktionsrum mets gasväxling för att ^ 30 tillföra och avlägsna gas. a.
9. Reaktionskammare enligt patentkrav 8, kännetecknad av att reaktionskammarens gastillförselledningar har ästadkommits pä det sättet lö att gas kan tillföras in i reaktionsrummet över längden av en eller flera sido- <j> § väggar och att reaktionskammarens gasavloppsledningar har ästadkommits pä CM 35 det sättet att gas kan avlägsnas fran reaktionsrummet över längden av en eller flera sidoväggar.
10. Reaktionskammare enligt patentkrav 8 eller 9, känneteck-n a d av att i reaktionskammaren som omfattar ett rektangulärt reaktionsrum har gastillförselledningarna ästadkommits pä det sättet att gas kan tillföras in i reaktionsrum met över längden av en sidovägg och gasavloppsledningarna pä 5 det sättet att gas kan avlägsnas frän reaktionsrummet över längden av tre si-doväggar.
11. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 1-10, kännetecknad av att reaktionskammarens gastillförselledningar omfattar ett eller flera i gasströmningsriktningen successiva gasfördelningsdon 10 (10, 12) för att fördela gas jämnt över sidoväggens hela längd, varifrän gas till- förs in i reaktionsrummet.
12. Reaktionskammare enligt patentkrav 8, kännetecknad av att gastillförselledningarna har ästadkommits pä det sättet att gas kan tillföras i tvä eller flera riktningar mot reaktionsrummets sidoväggar för att avlägsna gas 15 över längden av sidoväggarna.
13. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 4 - 12, kännetecknad av att mellanpläten (6) är placerad mellan den första och den andra pläten (2, 4) pä det sättet att en spalt (14) bildas mellan mellanpläten (6) och den andra pläten (4), genom vilken spalt gasen avlägsnas 20 frän reaktionsrummet.
14. Reaktionskammare enligt patentkrav 13, kännetecknad av att den andra pläten (4) har gjorts trägformig pä det sättet att den tillsam-mans med mellanpläten (6) bildar en sugkammare (16), dit gasen som avlägsnas frän reaktionsrummet leds genom spalten (14).
15. Reaktionskammare enligt patentkrav 14, kännetecknad av att sugkammaren (16) är försedd med en sugkanal (20) som ästadkommits i 5 den andra pläten (4) för att avlägsna gas frän sugkammaren (16). C\J
^ 16. Reaktionskammare enligt patentkrav 14 eller 15, känne- ° t e c k n a d av att spalten (14) är försedd med ett eller flera gasstyrningsdon 00 30 (18) för att styra gasströmning som avlägsnas frän reaktionsrummet.
17. Reaktionskammare enligt patentkrav 11 eller 16, känne- ^ t e c k n a d av att gasfördelningsdonen (10, 12) och/eller gasstyrningsdonen CVJ ^ (18) har ästadkommits som en hälskiva.
18. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 00 35 3-17, kännetecknad av att den första och den andra pläten (2, 4) är anordnade att placeras mot varandra för att stänga reaktionskammaren.
19. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-18, kännetecknad avatt den första och den andra platen (2, 4) är anordnade att placeras mot substratet (8) eller mot substratets stöd (22) pä det sättet att substratet (8) och/eller substratets stöd (22) bildar en del av reak- 5 tionskammaren.
20. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3-19, kännetecknad av att den första pläten (2) respektive den andra pläten (4) är försedd med förspänningsdon för att pressa substratet (8) mot substratets stöd (22) och/eller mot den andra pläten (4) respektive den första 10 pläten (2).
21. Reaktionskammare enligt nägot av de föregäende patentkraven 3 - 20, k ä n n e t e c k n a d av att den första och den andra pläten (2, 4) är anordnade att röras i vertikal riktning i förhällande tili varandra för att öppna och stänga reaktionskammaren pä det sättet att substratet (8) kan placeras i 15 horisontell riktning mellan den första och den andra pläten (2, 4) och/eller av-lägsnas därifrän dä reaktionskammaren är i öppet tillständ, där den första och den andra pläten (2, 4) är i sär pä ett avständ frän varandra, och pä det sättet att substratet (8) kan behandlas med ALD-förfarandet i reaktionskammarens stängda tillständ. 20 C\J δ c\j i CO o oo c\j X cc CL CVJ δ O) o o c\j
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20095124A FI122940B (sv) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Reaktionskammare |
PCT/FI2010/050077 WO2010089459A1 (en) | 2009-02-09 | 2010-02-08 | Reaction chamber |
TW099103758A TW201040309A (en) | 2009-02-09 | 2010-02-08 | Reaction chamber |
US13/143,314 US20110265719A1 (en) | 2009-02-09 | 2010-02-08 | Reaction chamber |
CN2010800068061A CN102308022A (zh) | 2009-02-09 | 2010-02-08 | 反应室 |
EP10738248A EP2393960A4 (en) | 2009-02-09 | 2010-02-08 | REACTION CHAMBER |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20095124 | 2009-02-09 | ||
FI20095124A FI122940B (sv) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Reaktionskammare |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20095124A0 FI20095124A0 (sv) | 2009-02-09 |
FI20095124A FI20095124A (sv) | 2010-08-10 |
FI122940B true FI122940B (sv) | 2012-09-14 |
Family
ID=40404627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20095124A FI122940B (sv) | 2009-02-09 | 2009-02-09 | Reaktionskammare |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110265719A1 (sv) |
EP (1) | EP2393960A4 (sv) |
CN (1) | CN102308022A (sv) |
FI (1) | FI122940B (sv) |
TW (1) | TW201040309A (sv) |
WO (1) | WO2010089459A1 (sv) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI20115073A0 (sv) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | Beneq Oy | Apparatur, förfarande och reaktionskammare |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59928A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Ushio Inc | 光加熱装置 |
US5194401A (en) * | 1989-04-18 | 1993-03-16 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures |
US5783492A (en) * | 1994-03-04 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus |
US5676757A (en) * | 1994-03-28 | 1997-10-14 | Tokyo Electron Limited | Decompression container |
DE4437050A1 (de) * | 1994-10-17 | 1996-04-18 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen von Hohlkörpern, insbesondere von Innenflächen von Kraftstofftanks |
US6159300A (en) * | 1996-12-17 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device |
US6217972B1 (en) * | 1997-10-17 | 2001-04-17 | Tessera, Inc. | Enhancements in framed sheet processing |
TW364054B (en) * | 1998-12-31 | 1999-07-11 | United Microelectronics Corp | Measurement tool for distance between shower head and heater platform |
EP1122221B1 (de) * | 2000-02-01 | 2003-07-23 | Emil BÄCHLI | Einrichtung zur Oberflächenbehandlung und/oder Beschichtung bzw. zur Fertigung von Bauelementen, insbesondere flacher Bauelemente aus Glas, Glaslegierungen oder Metall, im Durchlaufverfahren |
CZ20021297A3 (cs) * | 2000-02-18 | 2002-11-13 | G. T. Equipment Technologies Inc. | Způsob usazování chemických par polysilikonu a zařízení k provádění tohoto způsobu |
KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
US6806211B2 (en) * | 2000-08-11 | 2004-10-19 | Tokyo Electron Limited | Device and method for processing substrate |
US6541353B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer doping apparatus and method |
TW533503B (en) * | 2000-09-14 | 2003-05-21 | Nec Electronics Corp | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
US6800173B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-10-05 | Novellus Systems, Inc. | Variable gas conductance control for a process chamber |
US9708707B2 (en) * | 2001-09-10 | 2017-07-18 | Asm International N.V. | Nanolayer deposition using bias power treatment |
JP2004014543A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004311640A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理容器 |
US7108753B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-09-19 | Asm America, Inc. | Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects |
US7169233B2 (en) * | 2003-11-21 | 2007-01-30 | Asm America, Inc. | Reactor chamber |
US20060032736A1 (en) * | 2004-02-02 | 2006-02-16 | Lam Research Corporation | Deformation reduction at the main chamber |
DE102004009772A1 (de) * | 2004-02-28 | 2005-09-15 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit Prozesskammerhöhenstabilisierung |
US7641762B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
JP4791110B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空チャンバおよび真空処理装置 |
FI121750B (sv) * | 2005-11-17 | 2011-03-31 | Beneq Oy | ALD-reaktor |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
KR101062253B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2011-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
JP2008169437A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
DE102007057644A1 (de) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Vakuumkammer auf Rahmenbasis für Beschichtungsanlagen |
JP2011523047A (ja) * | 2008-05-13 | 2011-08-04 | ナノインク インコーポレーティッド | ピエゾ抵抗器高さ検知カンチレバー |
-
2009
- 2009-02-09 FI FI20095124A patent/FI122940B/sv active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-08 EP EP10738248A patent/EP2393960A4/en not_active Withdrawn
- 2010-02-08 US US13/143,314 patent/US20110265719A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-08 CN CN2010800068061A patent/CN102308022A/zh active Pending
- 2010-02-08 TW TW099103758A patent/TW201040309A/zh unknown
- 2010-02-08 WO PCT/FI2010/050077 patent/WO2010089459A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201040309A (en) | 2010-11-16 |
US20110265719A1 (en) | 2011-11-03 |
EP2393960A4 (en) | 2012-10-10 |
CN102308022A (zh) | 2012-01-04 |
FI20095124A0 (sv) | 2009-02-09 |
FI20095124A (sv) | 2010-08-10 |
EP2393960A1 (en) | 2011-12-14 |
WO2010089459A1 (en) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102325921B (zh) | 带有圆柱形进气机构的金属有机化合物化学气相沉积反应器 | |
FI97731B (sv) | Förfarande och anordning för framställning av tunnfilmer | |
US6015590A (en) | Method for growing thin films | |
JP3079231U (ja) | 薄膜を成長させる装置 | |
FI118342B (sv) | Anordning för framställning av tunnfilmer | |
EP1283279A2 (en) | Modular injector and exhaust assembly | |
US20080107575A1 (en) | Apparatus and process for reacting fluid over catalyst bed | |
US6352592B1 (en) | Free floating shield and semiconductor processing system | |
WO2019124099A1 (ja) | 成膜装置 | |
JP5369178B2 (ja) | Ald反応器の接続部の構成 | |
FI122940B (sv) | Reaktionskammare | |
CZ579688A3 (en) | Method of coating glass by deposition of chemical vapors and apparatus for making the same | |
JP2009516077A (ja) | Ald反応容器 | |
KR20130074413A (ko) | 기판처리장치 | |
US6056824A (en) | Free floating shield and semiconductor processing system | |
JP4526969B2 (ja) | 気相成長装置 | |
KR20220137883A (ko) | 생물학적 세포 배양물들을 처리하기 위한 장치 | |
KR20220097237A (ko) | 코팅 장치 및 그 캐리어 시트 | |
CN117836467A (zh) | 原子层沉积反应室和原子层沉积反应器 | |
US20230024132A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP3962657B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2004241412A (ja) | 気相成長装置 | |
TWI437120B (zh) | 具有減小的工具足跡之用於均勻薄膜沉積的平行板反應器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Patent granted |
Ref document number: 122940 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |