TWI571322B - Substrate cleaning device and cleaning method - Google Patents

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TWI571322B
TWI571322B TW102106514A TW102106514A TWI571322B TW I571322 B TWI571322 B TW I571322B TW 102106514 A TW102106514 A TW 102106514A TW 102106514 A TW102106514 A TW 102106514A TW I571322 B TWI571322 B TW I571322B
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Jumpei Fujikata
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Ebara Corp
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Description

基板洗淨裝置及洗淨方法 發明領域
本發明係有關於裝備於對例如基板之被鍍覆面(表面)施行一連串之鍍覆處理而使其乾燥之鍍覆裝置且以純水等洗淨水洗淨以密封構件密封表面外周部且以基板支持器保持之鍍覆等處理後的基板之該表面之基板洗淨裝置及洗淨方法。
發明背景
本案申請人提出了一種鍍覆裝置，該鍍覆裝置係於半導體晶圓等基板之表面連續形成凸塊等之鍍覆裝置且具有基板支持器，基板支持器使基板介於第1保持構件(固定保持構件)與第2保持構件(可動保持構件)之間，使安裝於第2保持構件之內側密封構件壓接於基板之外周部，使安裝於第2保持構件之外側密封構件壓接於第1保持構件而密封，並且將基板保持成裝卸自如，對以此基板支持器保持之基板之表面進行鍍覆後，在將基板之表面以基板支持器保持之狀態下直接洗淨並使其乾燥(參照專利文獻1)。
此鍍覆裝置具有作為洗淨鍍覆處理後之基板之基板洗淨裝置的水洗槽(洗淨槽)，使基板與基板支持器一同 浸漬於貯存於水洗槽之內部之純水等洗淨水中，而可將基板與基板支持器同時洗淨。
圖1係以步驟順序顯示使以基板支持器保持之半導體晶圓等基板浸漬於洗淨槽之純水等洗淨水中而與基板支持器一同洗淨之習知一般的基板洗淨方法。
首先，如圖1(a)所示，以純水等洗淨水202充滿洗淨槽200之內部，使保持有基板之基板支持器204朝洗淨槽200下降，如圖1(b)所示，使以基板支持器204保持之基板浸漬於洗淨槽200內之洗淨水202。藉此，可以洗淨槽200內之洗淨水202洗淨基板之表面與基板支持器204全體。此洗淨基本上係以因液之濃度差引起之擴散去除附著於基板或基板支持器之藥液的洗淨。
然後，如圖1(c)所示，將藥液因洗淨而擴散之洗淨水202從洗淨槽200排水，此後，如圖1(d)所示，將新之洗淨水202供至洗淨槽200之內部，將以此新之洗淨水202洗淨基板及基板支持器204全體之QDR(快沖槽)洗淨反覆必要之次數、例如2~3次。
接著，如圖1(e)所示，從洗淨槽200內之洗淨水202吊起基板支持器204，而結束洗淨。當此基板支持器204之吊起速度越慢，附著於基板支持器及基板之洗淨水的液量越少，因下個步驟之鍍覆液等引起之污染便越少。為刪減洗淨水(純水)之使用量，殘留於洗淨槽200內之洗淨水202可依需要，用於下個基板之洗淨。
以純水洗淨半導體晶圓之洗淨裝置提出有下述 兩者：(1)一面藉設置於水洗槽之上部及側部之噴頭朝半導體晶圓噴射純水，一面以純水之噴射將貯存於水洗槽內之純水從水洗槽排水，此後，將純水供至水洗槽內，而洗淨半導體晶圓(參照專利文獻2)；(2)一面以設置於水洗槽之上部及底部等之噴頭朝半導體晶圓噴射純水，一面以純水之噴射將貯存於水洗槽內之純水從水洗槽排水而洗淨(參照專利文獻3)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本專利公開公報2003-247098號
專利文獻2 日本專利公開公報昭61-61425號
專利文獻3 日本專利公開公報昭62-160728號
發明概要
在習知以純水洗淨剛鍍覆後之基板表面之QDR洗淨中，當減少QDR洗淨次數時，於使基板乾燥時，於基板表面產生乾燥不均(氧化不均)。使此基板表面產生乾燥不均之原因係因殘留於基板上之洗淨水中之鍍覆液濃度高之故，於殘留於基板上之洗淨水中之鍍覆液濃度低時，不於基板表面產生乾燥不均。殘留於基板上之洗淨水係洗淨槽內之洗淨水。
因此，在習知之QDR洗淨中，以洗淨水洗淨基板，同時，需降低洗淨槽內之洗淨水中之鍍覆液濃度，QDR 洗淨次數增加，洗淨水(純水)之使用量增多。
而且當以密封構件密封例如表面外周部，以基板支持器保持基板時，於表面外周部之接觸密封構件之接觸部D1(參照圖6)產生連續成環狀之段差，在習知QDR洗淨中，由於洗淨槽內之洗淨水之對流小，故附著於上述接觸部D1產生之段差之鍍覆液不太擴散，因此，洗淨附著於從基板之表面外周部之接觸密封構件之接觸部D1至其附近的鍍覆液一般並不易，為均一地洗淨包含基板之外周部之全表面，需更增加QDR洗淨次數。
如此，不易洗淨從基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部至其附近，在將來自洗淨噴嘴(噴頭)之洗淨水之噴流觸及基板表面而洗淨基板表面的方法中亦幾乎相同，為在不使包含基板之外周部之全表面產生乾燥不均下均一地洗淨，考慮需增大從噴嘴噴射之洗淨水之流量。
本發明係鑑於上述情況而發明者，其目的係提供一種基板洗淨裝置及洗淨方法，即使為以密封構件密封表面外周部且以基板支持器保持之基板，亦可在不使純水等洗淨水之使用量增加下，均一地洗淨包含基板之外周部之全表面。
本發明之基板洗淨裝置包含有洗淨槽及複數洗淨噴嘴，該洗淨槽係於內部鉛直地配置以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器；該複數洗淨噴嘴係配置於前述洗淨槽內部之與配置於該洗淨槽內之前述基板 支持器對向之位置，朝前述基板支持器噴射洗淨水；前述複數洗淨噴嘴係在噴流可觸及在基板之上半部區域中之從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的位置，與該接觸部同心狀地配置。
藉此，藉在鉛直地配置之基板之上半部區域，將從洗淨噴嘴噴射之洗淨水之噴流噴及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近，可將前述接觸部以直接或在基板濺起而間接地觸及該接觸部之洗淨水、及沿著該接觸部而流至下方之洗淨水有效率地洗淨，而且可以沿著基板之表面於鉛直方向垂流之洗淨水洗淨基板之全表面。
在本發明之較佳之一態樣中，設置前述複數洗淨噴嘴之位置係：以對應於基板之中心之位置為原點而水平及鉛直地延伸之軸為X軸及Y軸時，分別將在X軸及Y軸上與相對於該Y軸左右對稱之相互相鄰之各洗淨噴嘴、及前述原點連結之線所構成的角是隨著越離開Y軸，逐漸增大。
藉此，可使相互相鄰之洗淨噴嘴間之沿著X軸的長度更相等，而可使沿著基板之表面於鉛直方向垂流之洗淨水平均地遍及基板上。
在本發明之較佳之一態樣中，在噴流可觸及在基板之下側區域中之從基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部至其附近之位置，更具有與該接觸部同心狀地配置之複數洗淨噴嘴。
藉此，可更提高基板之表面外周部之接觸密封構件之接觸部的洗淨效果。
在本發明之較佳之一態樣中，前述洗淨噴嘴係噴流沿著基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部往橫方向擴展成直線狀之扇形噴嘴。
藉此，從各洗淨噴嘴噴射之洗淨水之噴流可觸及從基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部至其附近之較大區域，而沿著基板之表面於鉛直方向流下。
在本發明之較佳之一態樣中，在噴流可噴及從將基板支持器之保持構件間密封之密封構件至其附近之位置，更具有與該密封構件同心狀地配置之支持器洗淨噴嘴。
藉此，可將密封基板支持器之保持構件間之密封構件以從支持器洗淨噴嘴噴出而觸及從該密封構件至其附近之洗淨水、及沿著該密封構件而流至下方之洗淨水有效率地洗淨。
本發明之基板洗淨方法係使以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器浸漬於洗淨槽內之洗淨水中；將前述洗淨槽內之洗淨水排水；一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式從洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；透過前述洗淨噴嘴，將洗淨水供至前述洗淨槽之內部，而使前述基板支持器浸漬於洗淨水中；從前述洗淨槽吊起前述基板支持器。
本發明之另一基板洗淨方法係將以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器配置於洗淨槽內；一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸 部至其附近的方式從洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；透過前述洗淨噴嘴，將洗淨水供至前述洗淨槽之內部，而使前述基板支持器浸漬於洗淨水中；將前述洗淨槽內之洗淨水排水；一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式從前述洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；從前述洗淨槽吊起前述基板支持器。
在本發明之較佳之一態樣中，以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式將洗淨水朝基板噴射之同時，以噴流觸及從將前述基板支持器之保持構件間密封之密封構件至其附近的方式將洗淨水朝前述基板支持器噴射。
根據本發明，可將基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部以直接或在基板濺起而間接地觸及該接觸部之洗淨水、及沿著該接觸部而流至下方之洗淨水有效率地洗淨，而且可以沿著基板之表面於鉛直方向垂下之洗淨水洗淨基板之全表面，藉此，可在不使純水等洗淨水之使用量增加下，均一地洗淨包含基板之外周部之全表面。
10‧‧‧晶圓盒
12‧‧‧晶圓盒台
14‧‧‧對準器
16‧‧‧旋轉式脫水機
18，204‧‧‧基板支持器
20‧‧‧基板裝卸部
22‧‧‧基板搬送裝置
24‧‧‧儲料器
26‧‧‧預濕槽
28‧‧‧預浸槽
30a‧‧‧水洗槽
30b‧‧‧基板洗淨裝置
32‧‧‧吹除槽
34‧‧‧鍍覆槽
36‧‧‧溢流槽
38‧‧‧鍍覆單元
40‧‧‧基板支持器搬送裝置
42‧‧‧第1輸送器
44‧‧‧第2輸送器
46‧‧‧手柄驅動裝置
50‧‧‧軌道
52‧‧‧載置板
54‧‧‧第1保持構件
54a‧‧‧通孔
56‧‧‧鉸鏈
58‧‧‧第2保持構件
60‧‧‧基部
62‧‧‧密封支持器
64‧‧‧壓環
64a，64b‧‧‧突起部
65‧‧‧間隔件
66‧‧‧內側密封構件
68‧‧‧外側密封構件
69a，69b‧‧‧緊固具
70a‧‧‧第1固定環
70b‧‧‧第2固定環
72‧‧‧壓板
74‧‧‧箝位器
80‧‧‧支撐面
82‧‧‧突條部
84‧‧‧凹部
86‧‧‧導電體
88‧‧‧電觸點
89‧‧‧緊固具
90‧‧‧手柄
100，200‧‧‧洗淨槽
100a‧‧‧排出口
102‧‧‧洗淨噴嘴
102a‧‧‧上端洗淨噴嘴
102b‧‧‧下端洗淨噴嘴
102c‧‧‧中間洗淨噴嘴
102d‧‧‧第1上側洗淨噴嘴
102e‧‧‧第2上側洗淨噴嘴
102f‧‧‧第1下側洗淨噴嘴
102g‧‧‧第2下側洗淨噴嘴
104‧‧‧噴嘴板
106，202‧‧‧洗淨水
108‧‧‧支持器洗淨噴嘴
D1‧‧‧接觸部
D2‧‧‧外部接觸部
L1-L3‧‧‧距離
S‧‧‧噴流
W‧‧‧基板
θ1-θ6‧‧‧角度
0‧‧‧原點
圖1(a)~圖1(e)係以步驟順序顯示習知基板洗淨方法之一例之概要圖。
圖2係包含有本發明實施形態之基板洗淨裝置之鍍覆 裝置的全體配置圖。
圖3係顯示圖2所示之基板支持器之概略的立體圖。
圖4係圖2所示之基板支持器之平面圖。
圖5係圖2所示之基板支持器之右側視圖。
圖6係圖5之A部放大圖。
圖7係將圖2所示之基板洗淨裝置之概要與保持有基板之基板支持器之概要一同顯示的縱斷正面圖。
圖8係顯示配置於洗淨槽內之預定位置之基板支持器與設置於噴嘴板之洗淨噴嘴之關係的概要圖。
圖9係顯示從噴嘴板噴出之洗淨水之噴流與基板之外周部表面之接觸密封構件之接觸部的關係之概要圖。
圖10係圖8之一部份放大圖。
圖11(a)~圖11(f)係以步驟順序顯示使用圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之第1洗淨例的概要圖。
圖12(a)~圖12(f)係以步驟順序顯示使用圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之第2洗淨例的概要圖。
圖13係顯示第1、第2實施例及第1比較例之污染量的圖表。
圖14係顯示第1、第2實施例及第1比較例之殘液量之圖表。
圖15係顯示殘留於第3、第4實施例及第2比較例之基板之表面及外周部與內側密封構件上之污染量的圖表。
圖16係顯示本發明另一實施形態之基板洗淨裝置之圖8相當圖。
用以實施發明之形態
以下，就本發明之實施形態，參照圖2至圖16來說明。此外，在以下之例中，顯示將本發明之基板洗淨裝置應用於洗淨對基板表面施行一連串之鍍覆處理之鍍覆裝置的鍍覆後之基板的基板洗淨裝置之例。當然亦可將本發明之基板洗淨裝置應用於使用藥液來處理基板後洗淨並使其乾燥之另一基板處理裝置的基板洗淨裝置。
圖2顯示包含有本發明之基板洗淨裝置之鍍覆裝置的全體配置圖。如圖2所示，於此鍍覆裝置包含有搭載收納有半導體晶圓等基板W之晶圓盒10之2台晶圓盒台12、將基板W之定向平面或缺口等對準預定方向之對準器14、使鍍覆處理後之基板W高速旋轉而使其乾燥之旋轉式脫水機16。進一步，於此附近設載置基板支持器18而進行基板W之與該基板支持器18之裝卸的基板裝卸部20，於該等單元之中央配置有由在該等間搬送基板W之搬送用機器人構成之基板搬送裝置22。
又，從基板裝卸部20側依序配置有進行基板支持器18之保管及暫時放置的儲料器24、使基板W浸漬於純水之預濕槽26、將形成於基板W之表面之晶種層等表面之氧化膜蝕刻去除之預浸槽28、以前述圖1所示之方法將預浸後之基板洗淨之水洗槽30a、進行洗淨後之基板W之除去水分之吹除槽32、洗淨鍍覆後之基板之本發明實施形態之基板洗淨裝置30b及鍍覆槽34。此鍍覆槽34係於溢流槽36之內部 收納複數鍍覆單元38而構成，各鍍覆單元38於內部收納1個基板W，而可施行鍍銅等鍍覆。此外，在此例中，就鍍銅作了說明，當然在鍍鎳、焊料、銀、以及金中亦相同。
進一步，更包含有位於該等各機器之側邊且在該等各機器間將基板支持器18與基板W一同搬送之採用例如線性馬達方式的基板支持器搬送裝置40。此基板支持器搬送裝置40具有在基板裝卸部20與儲料器24間搬送基板W之第1輸送器42、在與儲料器24、預濕槽槽26、預浸槽28、水洗槽30a、基板洗淨裝置30b、吹除槽32及鍍覆槽34間搬送基板W之第2輸送器44。此外，亦可在不具有第2輸送器44下，僅具有第1輸送器42。
又，於此基板支持器搬送裝置40之隔著吹除槽36之對側配置有位於各鍍覆單元38之內部而作為用以攪拌鍍覆液之攪合棒之手柄(圖中未示)的手枘驅動裝置46。
基板裝卸部20具有沿著軌道50於橫向滑動自如之平板狀載置板52，將2個基板支持器18以水平狀態並列地載置於此載置板52，在此其中一基板支持器18與基板搬送裝置22間進行基板W之交接後，使載置板52於橫方向滑動，而在另一基板支持器18與基板搬送裝置22間進行基板W之交接。
如圖3至圖6所示，基板支持器18具有為例如氯乙烯製且為矩形平板狀之第1保持構件(固定保持構件)54、藉由鉸鏈開關自如地安裝於此第1保持構件54之第2保持構件(可動保持構件)58。此外，在此例中，顯示將第2保持構件 58構造成藉由鉸鏈56開關自如之例，舉例言之，亦可將第2保持構件58配置於對峙於第1保持構件54之位置，使此第2保持構件58朝第1保持構件54前進來開關。
第2保持機構件58具有基部60及環狀密封支持器62，為例如氯化烯製，且與下述壓環64之滑動良好。在密封支持器62之與第1保持構件54對向之面，以基板支持器18保持基板W時，壓接基板W之表面外周部而密封此之內側密封構件66突出至內側而安裝。再者，於密封支持器62之與第1保持構件54對向之面安裝有在內側密封構件66之外側位置壓接第1保持構件54而密封此之外側密封構件68。
如圖6所示，內側密封構件66被夾持於密封支持器62與藉由螺栓等緊固具69a安裝於該密封支持器62之第1固定環70a之間而安裝於密封支持器62，外側密封構件68被夾持於密封支持器62與藉由螺栓等緊固具69b安裝於該密封支持器62之第2固定環70b之間而安裝於密封支持器62。
於第2保持構件58之密封支持器62之外周部設段部，壓環64藉由間隔件65旋轉自如地裝設於此段部。此外，壓環64藉安裝成於密封支持器62之側面突出至外側之壓板72(參照圖4)，裝設成無法脫離。此壓環64由對酸耐蝕性優異且具有足夠之剛性之鈦構成，為使壓環64可平順地旋轉，間隔件65以摩擦係數低之材料、例如PTEF構成。
位於壓環64之外側邊且在第1保持構件54，具有突出至內側之突出部之倒L字形箝位器74沿著圓周方向以等間隔直立設置。另一方面，於沿著壓環64之圓周方向之 與箝位器74對向的位置設有突出至外側之突起部64b。又，箝位器74之內側突出部之下面及壓環64之突起部64a之上面形成為沿著旋轉方向相互於相反方向傾斜的錐面。於沿著壓環64之圓周方向之複數處(4處)設有突出至上方之小突起64a。藉此，藉使旋轉銷(圖中未示)旋轉而將小突起64a從旁邊轉動，可使壓環64旋轉。
藉此，在開啟第2保持構件58之狀態下，將基板W插入第1保持構件54之中央部，藉由鉸鏈56，關閉第2保持構件58，使壓環64順時鐘旋轉，使壓環64之突起部64b滑入箝位器74之內側突出部之內部，藉此，藉由分別設於壓環64及箝位器74之錐面，將第1保持構件54及第2保持構件58相互緊固而鎖固，使壓環64逆時鐘旋轉，從倒L字形箝位器74之壓環64之突起部64b拔出，藉此，可解除此鎖固。又，如此進行，鎖固第2保持構件58時，內側密封構件66之內周面側之下方突出部下端壓接以基板支持器18保持之基板W的表面外周部，在外側密封構件68，其外周側之下方突出部下端壓接第1保持構件54之表面，而可將密封構件66、68均一地按壓，而密封此。
如此，當以內側密封構件66按壓基板W之表面外周部而密封時，沿著基板W之表面外周部之與內側密封構件66的接觸部D1，於基板W之表面與內側密封構件66之內周面之間形成連續成環狀延伸之段差。同樣地，沿著外側密封構件68之與第1保持構件54之外部接觸部D2，於第1保持構件54與外側密封構件68之外周面之間形成連續成環狀 而延伸之段差。
於第1保持構件54之周緣部設有配合基板W之大小而突出成環狀且表面抵接基板W之周緣部以作為支撐該基板W之支撐面80的突條部82，於此突條部82之沿著圓周方向之預定位置設有凹部84。
然後，如圖4所示，於此各凹部84內配置分別連接於從設在手部90之外部觸點延伸之複數配線的複數(圖示為12個)導電體(電觸點)86，於將基板W載置於第1保持構件54之支撐面80上之際，此導電體86之端部在基板W之側邊以於第1保持構件54之表面具有彈簧性之狀態露出，而接觸圖6所示之電觸點88之下部。
電性連接於導電體86之電觸點88藉由螺栓等緊固具89固著於第2保持構件58之密封支持器62。此電觸點88構造成形成平板彈簧形狀，具有位於內側密封構件66之外側且於內側突出成平板彈簧狀之觸點部，在此觸點部，具有因其彈性力引起之彈簧性而易彎曲，而且構造成以第1保持構件54及第2保持構件58保持基板W時，電觸點88之觸點部彈性接觸支撐於第1保持構件54之支撐面80上之基板W的外周面。
第2保持構件58之開關以圖中未示之氣缸及第2保持構件58之自身重量進行。亦即，於第1保持構件54設通孔54a，於載置板52上載置基板支持器18時對向於該通孔54a之位置設有氣缸。藉此，使氣缸桿伸展，通過通孔54a，以按壓棒將第2保持構件58之密封支持器62頂推至上方，藉 此，開啟第2保持構件58，使氣缸桿收縮，藉此，可以其自身重量關閉第2保持構件58。
於基板支持器18之第1保持構件54之端部連接有作為搬送或吊掛支撐基板支持器18之際之支撐部的一對約T字形手部90。又，藉在儲料器24內，將手部90之突出端部鉤在此周壁上面，可將此垂直地吊掛保持，以基板支持器搬送裝置40之輸送器42握持此吊掛保持之基板支持器18之手部90，而搬送基板支持器18。此外，在預濕槽26、預浸槽28、水洗槽30a、基板洗淨裝置30b、吹除槽32及鍍覆槽34內，基板支持器18藉由手部90吊掛保持於該等之周壁。
圖7係將本發明實施形態之基板洗淨裝置30b之概要與保持有基板W之基板支持器18一同顯示的縱斷正面圖。如圖7所示，基板洗淨裝置30b具有於上方開放且下端有排出口100a之洗淨槽100，基板支持器18吊掛支撐於此洗淨槽100之周壁，鉛直地配置於洗淨槽100內之預定位置。在洗淨槽100之內部，於位於與基板支持器18對向之位置且噴流可觸及表面W之外周部之接觸密封構件66的接觸部D1至其附近的位置，朝基板支持器18噴射純水等洗淨水之複數洗淨噴嘴102與接觸部D1配置成同心狀。即，為洗淨附著於基板W之表面外周部之接觸密封構件66的接觸部D1及其附近之鍍覆液，複數洗淨配噴嘴102乃配置於下述位置，前述位置係從該各洗淨噴嘴102形成為噴流S(參照圖9)而噴出之洗淨液直接觸及接觸部D1或形成為來自各洗淨噴嘴102之噴流S而一次觸及基板W而濺起的洗淨液沿著基板W擴 展至外側而從與基板約略平行之方向觸及接觸部D1。
在此例，於在接觸部D1配置成同心狀之噴嘴板104固定各洗淨噴嘴102，噴嘴板104固定於洗淨槽100之周壁內周面。亦可於洗淨槽100之周壁內周面直接固定複數洗淨噴嘴102。將複數洗淨噴嘴102於接觸部D1之半徑方向內側與該接觸部D1配置成同心狀時，亦可使洗淨噴嘴102對水平面具有角度來設置，而使從各洗淨噴嘴102之各噴射口噴霧之噴流直接觸及接觸部D1，藉此，可獲得更高之洗淨效果。
亦即，如圖7所示，在此例中，各洗淨噴嘴102之前端與基板支持器18之距離L1設定為9mm(L1=9mm)，各洗淨噴嘴102之前端與以基板支持器18保持之基板W之距離L2設定為15mm(L2=15mm)。又，如圖9所示，各洗淨噴嘴102之中心與基板W之表面外周部之內側密封構件66的接觸部D1之距離L3設定為1~6mm左右、例如3mm(L3=3mm)。藉此，從各洗淨噴嘴102噴射之洗淨水106之噴流S直接觸及基板W之表面外周部側之與內側密封構件66的接觸部D1，或形成為噴流S而從各洗淨噴嘴102噴射且一次觸及基板W而濺起之洗淨水沿著基板W的表面擴展至外側，而從約略平行於基板之方向觸及接觸部D1。
如圖8所示，在此例中，於噴嘴板104設置有共12個洗淨噴嘴102。即，在噴嘴板104，以對應於基板W之中心之位置為原點0，令於水平及鉛直延伸之軸分別為X軸及Y軸時，於Y軸上設置有上端洗淨噴嘴102a及下端洗淨噴嘴 102b，於X軸上設置有一對中間洗淨噴嘴102c，於位於上端洗淨噴嘴102a與中間洗淨噴嘴102c之間且相對於Y軸左右對稱之位置分別設有各一對(共4個)第1及第2上側洗淨噴嘴102d、102e，於位於下端洗淨噴嘴102b與中間洗淨噴嘴102c之間且相對於Y軸左右對稱之位置分別設有各一對(共4個)第1及第2下側洗淨噴嘴102f、102g。
於此，未必需要下端洗淨噴嘴102b、第1及第2下側洗淨噴嘴102f、102g以及中間洗淨噴嘴102c，係為提高基板W之表面外周部之與內側密封構件66之接觸部D1的洗淨效果而設。
再者，在此例中，令連結Y軸、第1上側洗淨噴嘴102d及原點0之線構成之角度為θ1、令連結第1上側洗淨噴嘴102d及原點0之線與連結第2上側洗淨噴嘴102e及原點0之線構成的角度為θ2、及令連結第2上側洗淨噴嘴102e及原點0之線與X軸構成之角度為θ3時，為使該等角度θ1~θ3逐漸增大(θ1<θ2<θ3)，乃將θ1設定為22°(θ1=22°)、θ2設定為31°(θ2=31°)，θ3設定為37°(θ3=37°)。
藉此，上端洗淨噴嘴102a與第1上側洗淨噴嘴102d之間之沿著X軸的長度、第1上側洗淨噴嘴102d與第2上側洗淨噴嘴102e之間之沿著X軸的長度、及第2上側洗淨噴嘴102e與中間洗淨噴嘴102c之間之沿著X軸的長度更相等，從洗淨噴嘴102a、102d、102e噴出之洗淨水沿著基板W之表面於鉛直方向一面相互覆蓋沿著X軸之幾乎相等的區域，一面垂流。藉此，可使洗淨水平均地遍及基板上。
此外，連結X軸、第1下側洗淨噴嘴102f及原點0之線構成之角度θ4、連結第1下側洗淨噴嘴102f及原點0之線與連結第2下側洗淨噴嘴102g及原點0之線構成的角度θ5、及連結第2下側洗淨噴嘴102g及原點0之線與Y軸構成之角度θ6全設定為等間隔(θ4=θ5=θ6=30°)。
再者，在此例中，如圖10詳細地顯示，各洗淨噴嘴102使用從洗淨噴嘴102噴出之洗淨水之噴流S沿著基板W之表面外周部之與內側密封構件66的接觸部D1於橫方向擴展成直線狀之扇形噴嘴。藉此，從各洗淨噴嘴102噴射之洗淨水之噴流S觸及從基板W之表面外周部之接觸內側密封構件66之接觸部D1至其附近之較大的區域，而沿著基板W之表面流下。
根據此例之基板洗淨裝置30b，例如將保持有剛鍍覆後之基板W之基板支持器18鉛直地配置於洗淨槽100之預定位置。然後，從各洗淨噴嘴102朝基板支持器18噴射洗淨水，俾使其噴流S觸及從基板W之表面外周部之接觸內側密封構件66之接觸部D1至其附近，以洗淨水洗淨基板W之表面。供至接觸部D1附近之洗淨水之一部份以表面張力不沿著基板W之表面於鉛直方向垂流，而流動成沿著接觸部D1環繞基板W之表面外周部。
如此，藉從洗淨噴嘴102噴射之洗淨水之噴流S觸及從基板W之表面外周部之接觸內側密封構件66之接觸部D1至其附近，可以直接或在基板濺起而間接地觸及接觸部D1之洗淨水、及沿著形成於該接觸部D1、亦即基板W之 表面外周部與內側密封構件66之間且連續成環狀之段差流至下方的洗淨水有效率地洗淨接觸部D1，而且可以沿著基板W之表面於鉛直方向垂流至下方之洗淨水洗淨基板W全表面。
就使用基板洗淨裝置30b之第1洗淨例，參照圖11來說明。首先，如圖11(a)所示，使以內部密封構件66密封了表面外周部而保持有基板之基板支持器18朝內部充滿了洗淨水106之洗淨槽100下降，如圖11(b)所示，使以基板支持器18保持之基板浸漬於洗淨槽100內之洗淨水106。藉此，可以洗淨槽100內之洗淨水106洗淨基板W之表面與基板支持器18全體。此洗淨基本上係以因液之濃度差引起之擴散去除附著於基板及基板支持器18之藥液的洗淨，且當使基板支持器18浸漬於洗淨水106之時間越長，從基板支持器18及基板擴散之藥液之量越增加，洗淨效果越高。又，藉以起泡或攪煉等攪拌洗淨水106，可在短時間提高洗淨效果。
又，如圖11(c)所示，可從洗淨槽100將藥液因洗淨而擴散之洗淨水106排水。藉使洗淨槽100之底板朝排水口100a(參照圖7)傾斜，洗淨水106可不致殘留於洗淨槽100之內部。
接著，如圖11(d)所示，一面從各洗淨噴嘴102朝基板噴射洗淨水106，俾使噴流S觸及從基板之表面外周部之接觸內側密封構件66之接觸部D1至其附近，一面從洗淨槽100將該噴射之洗淨水106排水。藉此，可以良好效率洗 淨基板W之表面外周部之內側密封構件66之接觸部D1，而且鍍覆液等藥液擴散之洗淨水106不致殘留於洗淨槽100之內部，而可防止洗淨槽100之內部之污染。
然後，如圖11(e)所示，在繼續從洗淨噴嘴102朝基板支持器18之洗淨水之噴射的狀態下，逕關閉洗淨槽100之排水口100a(參照圖7)，藉此，可將新之洗淨水供至洗淨槽100內，使基板支持器18浸漬於該洗淨水106，以液之擴散，洗淨基板與基板支持器18全體。
為以從洗淨噴嘴噴射之洗淨水將基板支持器一樣地洗淨，需配置許多洗淨噴嘴，洗淨水之使用量增加，如此，使基板支持器18浸漬於貯存於洗淨槽100內之洗淨水106中，洗淨基板與基板支持器18全體，可在不增加洗淨水之使用量下，平均地洗淨基板與基板支持器18全體。
此外，亦可將對洗淨槽100之內部之洗淨水106的供給一面使用噴霧等，攪拌洗淨水，一面進行，又，亦可使用洗淨水供給用之其他粗的配管在短時間進行。
此後，如圖11(f)所示，從洗淨槽100內之洗淨水106吊起基板支持器18，而結束洗淨。當此基板支持器18之吊起速度越慢，附著於基板支持器18及基板之洗淨水之液量越少，因下個步驟之鍍覆液等引起之污染便越少。為刪減洗淨水(純水)之使用量，殘留於洗淨槽100內之洗淨水106依需要，用於下個基板之洗淨。
此外，在此例中，為進一步提高基板之表面之洗淨度，亦可進行複數次於洗淨槽100之內部以從洗淨噴嘴 102噴射而供給之洗淨水106洗淨基板及基板支持器18全體的洗淨。
就使用基板洗淨裝置30b之第2洗淨例，參照圖12來說明。首先，如圖12(a)所示，使以內部密封構件66密封表面外周部而保持有基板之基板支持器18朝內部未充滿洗淨水106之空洗淨槽100下降，而設置於洗淨槽100內之預定位置。
接著，如圖12(b)所示，一面從各洗淨噴嘴102朝基板噴射洗淨水106，而使噴流S觸及從基板之表面外周部之接觸內側密封構件66之接觸部D1至其附近，一面從洗淨槽100將該噴射之洗淨水106排水。藉此，可以良好效率洗淨基板W之表面外周部之與內側密封構件66之接觸部D1，而且鍍覆液等藥液擴散之洗淨水106不致殘留於洗淨槽100之內部，而防止洗淨槽100之內部之污染。
然後，如圖12(c)所示，在繼續從洗淨噴嘴102朝基板支持器18之洗淨水之噴射的狀態下，逕關閉洗淨槽100之排水口100a(參照圖7)，藉此，將新的洗淨水106供至洗淨槽100內，使基板支持器18浸漬於該洗淨水106，以液之擴散，洗淨基板及基板支持器18全體。與第1洗淨例同樣地，反覆複數次使此基板支持器18浸漬於該洗淨水106來洗淨基板與基板支持器18全體之步驟。
接著，如圖12(d)所示，從洗淨槽100將藥液因洗淨而擴散之洗淨水106排水。之後，如圖12(e)所示，一面從各洗淨噴嘴102將洗淨水106朝基板噴射，而使噴流S觸及從 基板之表面外周部之接觸內側密封構件66的接觸部D1至其附近，一面從洗淨槽100將該噴射之洗淨水106排水。
然後，如圖12(f)所示，從洗淨槽100吊起基板支持器18，而結束洗淨。此外，亦可於吊起此基板支持器18時，一面從各洗淨噴嘴102朝基板噴射洗淨水106，一面從洗淨槽100將該噴射之洗淨水106排水。
根據此洗淨例，首先，從洗淨噴嘴102朝基板支持器18噴射洗淨水，使附著於基板及基板支持器之藥液掉落，將該洗淨水逕自排水，藉此，可減低洗淨槽100之污染。又，最後，一面從洗淨噴嘴102朝基板支持器18噴射洗淨水，以良好效率洗淨基板W之表面外周部之與內側密封構件66的接觸部D1，一面洗淨基板之全表面，藉此，可提高基板之洗淨度。亦即，對基板(及基板支持器18)之洗淨度為與從洗淨噴嘴102噴射之洗淨水同等的等級。
說明如上述構成之鍍覆裝置之一連串的鍍覆處理。首先，從搭載於晶圓盒台12之晶圓盒10以基板搬送裝置22取出1片基板，搭載於對準器14，將定向平面或缺口等位置對準預定方向。將業經以此對準器14對準方向之基板以基板搬送裝置22搬送至基板裝卸部20。
在基板裝卸部20，以基板支持器搬送裝置40之輸送器42同時握持2台收容於儲料器24內之基板支持器18，將之搬送至基板裝卸部20。然後，使基板支持器18以水平之狀態下降，藉此，可將2台基板支持器18同時載置於基板裝卸部20之載置板52上，使氣缸作動，而呈開啟基板支持器 18之第2保持構件58之狀態。
在此狀態下，將以基板搬送裝置22搬送之基板插入位於中央側之基板支持器18，使氣缸相反作動，關閉第2保持構件58，此後，以鎖固解鎖機構鎖固第2保持構件58。然後，於對其中一基板支持器18之基板之裝設完畢後，使載置板52於橫方向滑動，同樣地，將基板裝設於另一基板支持器18，此後，使載置板52返回原本之位置。
藉此，基板W在使其進行鍍覆處理之面從基板支持器18之開口部露出之狀態下，將周圍以密封構件66、68密封成鍍覆液不致浸入，在以密封構件66、68不致接觸鍍覆液之部份，固定成與複數電觸點88電性導通。在此，從電觸點88連結配線至基板支持器18之手部90，將電源連接於手部90之一部份，藉此，可供電至基板之晶種層等。此外，基板裝卸部20具有確認裝設於基板支持器18之基板W與電觸點88之接觸狀態的感測器。此感測器於判斷基板W與電觸點88之接觸狀態為不良時，可將其信號輸入至控制器(圖中未示)。
接著，以基板搬送裝置40之輸送器42同時握持2台裝設有基板W之基板支持器18，將之搬送至儲料器24。然後，使基板支持器18以垂直之狀態下降，藉此，可將2台基板支持器18吊掛保持(暫時放置)於儲料器24。在該等基板搬送裝置22、基板裝卸部20及基板支持器搬送裝置40之輸送器42中，依序反覆前述作業，將基板依序裝設於收容在儲料器24內之基板支持器18，依序吊掛支撐(暫時放置)於儲 料器24之預定位置。
此外，雖圖中未示，亦可具有將以輸送器42搬送之2台基板支持器鉛直地支撐之固定台取代將2台基板支持器18水平載置之基板裝卸部20，而使鉛直地保持基板支持器之固定台旋轉90°，而使基板支持器形成為水平狀態。
又，在此例中，顯示了具有1個鎖固解鎖機構之例，亦可具有2個鎖固解鎖機構，以配置於相互相鄰之位置之2台基板支持器之鎖固解鎖機構同時進行鎖固、解鎖。
另一方面，在基板支持器搬送裝置40之另一輸送器44，同時握持2台裝設基板且暫時放置於儲料器24之基板支持器18，使其搬送下降至預濕槽26，藉此，將2台基板支持器18放入預濕槽26內。
此外，此時，將收納有以確認裝備於基板裝卸部20之基板與電觸點88之接觸狀態的感測器判斷為此接觸狀態不良之基板的基板支持器18維持暫時放置於儲料器24之狀態。藉此，即使於將基板裝設於基板支持器18時，於該基板與電觸點88間產生接觸不良，亦可在不使裝置停止下，繼續鍍覆作業。不對產生此接觸不良之基板施行鍍覆處理，此時，藉於使晶圓盒返回後，從晶圓盒排除未鍍覆處理之基板，可因應此。
接著，將裝設有此基板之基板支持器18與前述同樣地進行，搬送至預浸槽28，以預浸槽28蝕刻氧化膜，使乾淨之金屬面露出。進一步，將裝設有此基板之基板支持器18與前述同樣地進行，搬送至水洗槽30a，以前述圖1所 示之QDR洗淨等，以放入此水洗槽30a之純水將基板之表面水洗。
將裝設有水洗結束之基板之基板支持器18與前述同樣地進行，搬送至充滿鍍覆液之鍍覆槽34，吊掛保持於鍍覆單元38。基板支持器搬送裝置40之輸送器44反覆進行上述作業，將裝設有基板之基板支持器18依序搬送至鍍覆槽34之鍍覆單元38，吊掛保持於預定位置。
所有基板支持器18之吊掛保持完畢後，使吹除槽36之鍍覆液循環，且一面使其溢流，一面對鍍覆槽34內之正極(圖中未示)與基板W間施加鍍覆電壓，同時，以手柄驅動裝置46使手柄與基板之表面平行地來回移動，藉此，對基板之表面施行鍍覆。此時，基板支持器18在鍍覆單元38之上部以手部90吊掛固定，從鍍覆電源通過導電體86及電觸點88，供電至晶種層等。
於鍍覆結束後，停止鍍覆電源之施加、鍍覆液之供給及手柄來回運動，以基板支持器搬送裝置40之輸送器44同時握持2台裝設有鍍覆後之基板W之基板支持器18，與前述同樣地進行，搬送至基板洗淨裝置30b。
然後，如前述，一面將保持有鍍覆後之基板W之基板支持器18配置於此基板洗淨裝置30b之洗淨槽100的預定位置，一面從洗淨噴嘴102朝基板支持器18噴射洗淨水，進一步，使基板支持器18浸漬於洗淨槽100內之洗淨水106，將基板W之表面及基板支持器18洗淨。
接著，將裝設有此洗淨後之基板W之基板支持器 18與前述同樣地進行，搬送至吹除槽32，在此，藉空氣之吹送，去除附著於以基板支持器18保持之基板W之表面的水滴而使其乾燥。此後，將裝設有此基板W之基板支持器18與前述同樣地進行，返回至儲料器24之預定位置而吊掛保持。
基板支持器40之輸送器44依序反覆上述作業，使裝設有鍍覆結束之基板之基板支持器18依序返回儲料器24之預定位置而吊掛保持。
另一方面，在基板支持器搬送裝置40之另一輸送器42，同時握持2台裝設鍍覆處理後之基板W且返回儲料器24之基板支持器18，與前述同樣地進行，載置於基板裝卸部20之載置板52上。此時，亦將維持裝設以裝備於基板裝卸部20之基板與電觸點之接觸狀態的感測器判斷為此接觸狀態不良之基板且暫時放置於儲料器24的狀態之基板支持器18同時搬送而載置於載置板52上。
然後，藉由鎖固解鎖機構解開位於中央側之基板支持器18之第2保持構件58之鎖固，使氣缸作動，而開啟第2保持構件58。此時，可防止在維持基板W緊靠第2保持構件58之狀態下，第2保持構件58逕開啟。在此狀態下，以基板搬送裝置22取出基板支持器18內之鍍覆處理後之基板W，運送至旋轉式脫水機16，將業經以此旋轉式脫水機16之高速旋轉而旋轉脫水(除去水分)之基板以基板搬送裝置22返回至晶圓盒10。
接著，使裝設於其中一基板支持器18之基板返回 晶圓盒10後，或與此同時進行，使載置板52於橫方向滑動，同樣地進行，將裝設於另一基板支持器18之基板旋轉脫水後返回晶圓盒10。
使載置板52返回原本之狀態後，以基板支持器搬送裝置40之輸送器42同時握持2台已取出基板之基板支持器18，與前述同樣地進行，使此返回儲料器24之預定處。此後，以基板支持器搬送裝置40同時握持2台裝設鍍覆處理後之基板且返回儲料器24之基板支持器18，與前述同樣地進行，載置於基板裝卸部20之載置板52上，反覆與前述同樣之作業。
然後，從裝設鍍覆處理後之基板且返回儲料器24之基板支持器18取出所有基板，旋轉脫水後返回晶圓盒10，使作業完畢。
圖13係將測量使用圖7至圖10所示之基板洗淨裝置而以純水洗淨在圖11所示之洗淨例剛鍍覆後之基板表面時之污染(contamination)量的結果與測定以圖1所示之習知QDR洗淨法將基板以純水洗淨時之污染量的結果一同顯示。污染量係於洗淨後附著於基板及基板支持器之鍍覆液之液量，顯示對下個步驟之污染量。
此外，在圖13中，第1實施例係顯示從裝備於圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之所有洗淨噴嘴102(102a~102g)噴射30秒總流量9.6L/min之純水而進行了圖11(d)所示之洗淨的結果。第2實施例係顯示從裝備於圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之洗淨噴嘴102中位於相當於 基板之上半部之位置的洗淨噴嘴102a、102c、102d、102e噴射30秒總流量4L/min之純水而進行圖11(d)所示之洗淨的結果。又，第1比較例係顯示進行30秒圖1(d)所示之QDR洗淨之結果。此外，圖13之QDR次數顯示上述洗淨之次數。此在以下之圖14亦相同。
從圖13可知，第1、第2實施例相較於第1比較例，可以1次之洗淨抑制在進行習知QDR洗淨3次時以下之污染量，藉此，可減少洗淨水之使用量，並且可提高基板之洗淨度。此外，由於在第1、第2實施例中，可觀察到在基板整面洗淨水往鉛直方向流動，故在基板之洗淨中之基板表面之乾燥等無問題，又，確認了洗淨水沿著基板之表面外周部之與內側密封構件的接觸部，從上往下流。
圖14顯示第1、第2實施例及第1比較例之殘液量。殘液量係洗淨後殘留於洗淨槽內之洗淨水所含之鍍覆液之液量。在圖14中，虛線之基準線R顯示使基板於洗淨後乾燥時是否產生乾燥不均的界線。
從圖14可知，在第1比較例中，為達成基準線R以下之殘液量，需3次之QDR洗淨，相對於此，在第1、第2實施例中，以2次洗淨將殘液量抑制在基準線R以下。
圖15係將測量殘留於使用圖7至圖10所示之基板洗淨裝置而以純水洗淨在圖11及圖12所示之洗淨例剛鍍覆後之基板表面時的基板之表面及外周部及內側密封構件66上之污染(contamination)量之結果與測量殘留於以圖1所示之習知QDR洗淨法將基板以純水洗淨時之基板之表面及外 周部及內側密封構件66上的污染量之結果一同顯示。殘留於基板之表面及外周部與內側密封構件66上之污染量係洗淨後殘留於基板之表面及外周部與內側密封構件66上之金屬量(例如Sn量)，顯示對下個步驟之污染。此係令洗淨後之基板支持器為水平，將酸性藥液(硝酸)滴下至以內側密封構件66包圍之基板表面，液擴張成其液面不超過內側密封構件66之高度，測量溶入該酸性藥液之金屬量。圖13所示之污染量及圖14所示之殘液量反映基板之表面及基板支持器18全體之污染量，而在圖15所示之實驗之測定方法中，限定於基板表面及內側密封構件66之污染來評價。
此外，在圖15中，第3實施例係根據圖11(a)~圖11(f)之步驟進行洗淨之結果，細節顯示從裝備於圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之所有洗淨噴嘴102(102a~102g)噴射總流量7.0L/min之純水而進行圖11(d)所示之洗淨的結果。第4實施例係根據圖12(a)~圖12(f)之步驟進行洗淨之結果，於細節顯示從裝備於圖7至圖10所示之基板洗淨裝置之所有洗淨噴嘴102(102a~102g)噴射30秒總流量7.0L/min之純水30秒而進行圖12(e)所示之洗淨的結果。又，第2比較例顯示進行30秒圖1(d)所示之QDR洗淨的結果。此外，第3、第4實施例及第2比較例各自之QDR次數為2次。
從圖15可知，第3、第4實施例相較於第2比較例，殘留於基板之表面及外周部與內側密封構件66之金屬之量少。特別是可知以最後洗淨步驟以從洗淨噴嘴102噴出之純水洗淨基板之第4實施例係可使殘留於基板之表面及外周 部與內側密封構件66之污染量為最少。
圖16係顯示本發明另一實施形態之基板洗淨裝置。此例與圖7至圖10所示之基板洗淨裝置不同之點在於支持器洗淨噴嘴108位於下述位置且與外側密封構件68配置成同心狀，前述位置係噴流可觸及圖6所示、安裝於基板支持器18之第2保持構件58且以基板支持器18保持基板W時壓接第1保持構件54之表面而密封此之外側密封構件68之接觸第1保持構件54的外側接觸部D2至其周邊。此支持器洗淨噴嘴108安裝於圖7所示之噴嘴板104。
即，從支持器洗淨噴嘴108形成為噴流而噴出之洗淨液直接觸及外側接觸部D2或從支持器洗淨噴嘴108形成為噴流而噴出而觸及第1保持構件54之表面濺起的洗淨水從約略平行於第1保持構件54之表面之方向觸及外側接觸部D2。
如此，在例中，具有支持器洗淨噴嘴108，如前述，藉從支持器洗淨噴嘴108朝配置於洗淨槽100之預定位置之基板支持器18之外側密封構件68之與第1保持構件54的外側接觸部D2噴射洗淨水，可以觸及從外側接觸部D2至其附近之洗淨水的噴流、及沿著該外側接觸部D2而流至下方之洗淨水洗淨。
以從此支持器洗淨噴嘴108噴射之洗淨水所作的基板支持器18之外側接觸部D2之洗淨與以例如從前述洗淨噴嘴102噴射之洗淨水所作之基板W之表面及基板支持器18的洗淨同時進行。
亦可另外設朝直立設於第1保持構件54之箝位器74噴射洗淨水之噴嘴。
此外，在上述例中，將本發明之基板洗淨裝置應用於洗淨鍍覆後之基板的基板洗淨裝置，當然亦可將本發明之基板洗淨裝置應用於洗淨預浸後之基板之水洗槽30a。
至目前為止，就本發明之一實施形態作了說明，本發明不限於上述實施形態，在其技術性思想之範圍內可以各種不同之形態實施是無須贅言的。
18‧‧‧基板支持器
30b‧‧‧基板洗淨裝置
54‧‧‧第1保持構件
58‧‧‧第2保持構件
100‧‧‧洗淨槽
100a‧‧‧排出口
102‧‧‧洗淨噴嘴
102a‧‧‧上端洗淨噴嘴
102b‧‧‧下端洗淨噴嘴
102c‧‧‧中間洗淨噴嘴
102d‧‧‧第1上側洗淨噴嘴
102e‧‧‧第2上側洗淨噴嘴
102f‧‧‧第1下側洗淨噴嘴
102g‧‧‧第2下側洗淨噴嘴
104‧‧‧噴嘴板
L1-L2‧‧‧距離
W‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種基板洗淨裝置，其特徵在於包含有：洗淨槽，於內部鉛直地配置以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器；及複數個洗淨噴嘴，配置於前述洗淨槽內部之與配置於該洗淨槽內之前述基板支持器對向之位置，朝前述基板支持器噴射洗淨水；前述複數個洗淨噴嘴是在基板的上半部區域中噴流可觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的位置，與該接觸部同心狀地配置，且前述複數個洗淨噴嘴在以對應於基板之中心之位置為原點而水平及鉛直地延伸之軸為X軸及Y軸時，是設置在X軸及Y軸上、與相對於該Y軸左右對稱，且相互相鄰之各洗淨噴嘴分別與前述原點連結之線所構成的角是隨著越離開Y軸而逐漸增大的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨裝置，更具有複數個洗淨噴嘴，前述複數個洗淨噴嘴在基板之下側區域中噴流可觸及從基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部至其附近之位置，與該接觸部同心狀地配置。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨裝置，其中前述洗淨噴嘴是噴流沿著基板之表面外周部之接觸密封構件的接觸部往橫方向擴展成直線狀之扇形噴嘴。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨裝置，更具有支持器 洗淨噴嘴，前述支持器洗淨噴嘴在噴流可觸及從將基板支持器之保持構件間密封之密封構件至其附近之位置，與該密封構件同心狀地配置。
  5. 一種基板洗淨方法，其特徵在於：使以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器浸漬於洗淨槽內之洗淨水中；將前述洗淨槽內之洗淨水排水；一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式從洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；透過前述洗淨噴嘴，將洗淨水供至前述洗淨槽之內部，而使前述基板支持器浸漬於洗淨水中；從前述洗淨槽提起前述基板支持器。
  6. 一種基板洗淨方法，其特徵在於：將以密封構件密封表面外周部而保持有基板之基板支持器配置於洗淨槽內；一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式從洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；透過前述洗淨噴嘴，將洗淨水供至前述洗淨槽之內部，而使前述基板支持器浸漬於洗淨水中；將前述洗淨槽內之洗淨水排水； 一面以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式從前述洗淨噴嘴朝基板噴射洗淨水，一面將由該洗淨噴嘴所噴射之洗淨水自前述洗淨槽排水；從前述洗淨槽提起前述基板支持器。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之基板洗淨方法，其中以噴流觸及從表面外周部之接觸密封構件之接觸部至其附近的方式將洗淨水朝基板噴射之同時，以使噴流觸及從將前述基板支持器之保持構件間密封之密封構件至其附近的方式將洗淨水朝前述基板支持器噴射。
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