TWI569302B - 用於加工基材之裝置 - Google Patents

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Description

用於加工基材之裝置 技術領域
本發明係有關於可有效地排出在用於加工基材之程序中產生之異物至外部之用於加工基材之裝置。
背景技術
用於加工基材之裝置用於製造半導體元件時，大致區分為蒸鍍裝置及退火裝置。
蒸鍍裝置係形成構成半導體元件之核心構成之透明導電層、絕緣層、金屬層等之裝置，且包括如低壓化學蒸氣沈積(LPCVD)或電漿加強化學蒸氣沈積(PECVD)等之化學蒸氣沈積裝置、及如濺鍍等之物理蒸氣沈積裝置等。又，退火裝置係在基材上蒸鍍膜後，提高蒸鍍之膜之特性之裝置，且係使蒸鍍之膜結晶化或相變化之熱處理裝置。
一般而言，用於加工基材之裝置包含下部本體，及設於前述下部本體之上面之上部本體。在前述下部本體之內部設有裝載收納多數基材之板，及將收納在前述下部本體之外部之基材裝載在前述板上，或將裝載在前述板上之基材傳送至前述下部本體之外部之機械手。又，前述上 部本體之內部形成處理基材之空間之腔室，且在前述腔室中設有用以加熱基材之加熱器。
前述板係設置成可升降，且為處理基材將基材傳送至前述上部本體時上升，並且在將經處理之基材傳送至前述下部本體時下降。基材投入前述上部本體且處理時，密閉前述上部本體。
如此之習知用於加工基材之裝置恐有基材因在用於加工基材之程序中產生之異物而損傷之虞。
詳而言之，在前述下部本體之內部設有如前述板或前述機械手等之部件，因此因前述板之驅動或前述機械手之驅動而產生之異物存在前述下部本體之內部。
但是，習知之用於加工基材之裝置沒有任何用以將存在前述下部本體之內部下側部位及上側部位之異物有效地排出至外部之設備，因此恐有基板因存在前述下部本體之內部之異物而損傷之虞。因此，有用於加工基材之程序之信賴性降低之缺點。
與用於加工基材之裝置有關之習知技術係揭示在韓國專利公開公報第10-2009-0070199號中。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：韓國專利公開公報第10-2009-0070199號說明書
發明概要
本發明係為解決上述習知問題而作成者，且本發明之目的在於提供一種構造成可將存在用於加工基材之裝置之下部本體之內部下側部位及上側部位之異物有效地排出至外部，且提高用於加工基材之程序之信賴性之用於加工基材之裝置。
為達成上述目的之本發明之一種用於加工基材之裝置包含：一下部本體，係在內部形成空間；一上部本體，係設在前述下部本體之上面，且在內部形成處理基材之空間之腔室，並且與前述下部本體連通或遮斷；一板，係可升降地設在前述下部本體之內部，且出入前述腔室，並且裝載收納多數基材；一機械手，係設在前述下部本體之內部，且傳送收納於前述下部本體之外部之基材並且裝載在前述板上，或將裝載在前述板上之前述基材傳送至前述下部本體之外部；及，一設備，係設置在前述下部本體上，且將存在前述下部本體之內部下側部位及上側部位之異物分別排至前述下部本體之外部。
本發明之用於加工基材之裝置透過第一排出管及第二排出管且透過下部本體之內部下側部位及內部上側部位分別排出分別存在下部本體之內部下側部位及內部上側部位之異物，因此可有效地排出存在下部本體之內部之異物至外部。如此，可防止基板因異物而損傷，因此具有 提高用於加工基材之程序之信賴性之效果。
50‧‧‧基材
110‧‧‧下部本體
113‧‧‧出入口
120‧‧‧板
131‧‧‧過濾器
133‧‧‧第一排出管
135‧‧‧第二排出管
150‧‧‧上部本體
200‧‧‧另一用於加工基材之裝置
圖1是本發明之一實施形態之用於加工基材之裝置之立體圖。
圖2是顯示圖1之內部構成之立體圖。
用以實施發明之形態
後述之有關於本發明之詳細說明係參照以可實施本發明之特定實施形態為例顯示之添附圖式。該等實施形態係以所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明之方式十分詳細地說明。必須了解的是雖然本發明之各式各樣實施形態互不相同，但是不一定是互相排他的。例如，在此記載之特定形狀、特定構造及特性係與一實施形態相關，且在不脫離本發明之精神及範圍之範圍內可以其他實施形態實現。又，應了解的是各個揭示之實施例中之個別構成要素之位置或配置在不脫離本發明之精神及範圍之範圍內可變更。因此，後述之詳細說明沒有限定之意味，且本發明之範圍只受限於在適當說明時，應與該申請專利範圍主張者均等之範圍與依附之申請專利範圍。圖示之實施形態之長度、面積、厚度及形態，為了方便，亦可誇張地表現。
以下，參照添附圖式，詳細說明本發明一實施形態之用於加工基材之裝置。
以下，基材之加工包含加熱及冷卻基材之步驟， 用以在基材上蒸鍍預定之膜之步驟，及用以使蒸鍍在基材上之膜退火、結晶化或相變化之熱處理步驟。又，基材之材質沒有特別限制，但是半導體元件用基板之半導體晶圓宜為，例如，矽晶圓。
圖1是本發明之一實施形態之用於加工基材之裝置之立體圖，且圖2是顯示圖1之內部構成之立體圖。
如圖所示，本實施形態之用於加工基材之裝置包含下部本體110及上部本體150。
下部本體110形成在內部形成空間之大略長方體形狀，且在一側面形成基材50出入之出入口113。在形成出入口113之下部本體110之一側面結合另一用於加工基材之裝置200，且下部本體110之內部係藉另一用於加工基材之裝置200密閉。
下部本體110之內部設有板120及機械手(未圖示)。
板120係可升降地設在下部本體110之內部一側，且裝載收納多數基材50。前述機械手設在下部本體110之內部另一側，且傳送保管在另一用於加工基材之裝置200中之基材50且裝載在板120上，或將裝載在板120上之基材50傳送至另一用於加工基材之裝置200。
上部本體150係設在下部本體110之上面，且在內部形成處理基材50之空間之腔室。上部本體150與下部本體110係選擇地連通或遮斷。詳而言之，為使基材50載入前述腔室，板120下降時，上部本體150與下部本體110連通。又， 在將基材50載入前述腔室之狀態下處理基材50時，上部本體150與下部本體110遮斷。為使上部本體150與下部本體110連通或遮斷，可在下部本體110之內部上面設置開閉板(未圖示)。
在上部本體150之前述腔室中，設有處理基材50所需之加熱器(未圖示)、氣體供給管(未圖示)及氣體排出管(未圖示)等。
前述加熱器產生用以處理基材50之熱。又，前述氣體供給管供給如Ar、N2、H2等之環境氣體至上部本體150之內部，且前述氣體排出管排出環境氣體至上部本體150之外部。環境氣體係在與組成處理50所需之環境氣體之同時，調整上部本體150之內部之溫度。
下部本體110之內部設有板120或前述機械手等，因此因板120之驅動或前述機械手之驅動產生異物。又，流入前述腔室之環境氣體流入下部本體110之內部。如此，裝載收納在板120上之基材50會因包含環境氣體之異物而損傷。
本實施形態之用於加工基材之裝置具備將存在下部本體110之內部下側部位及上側部位之異物排出至下部本體110之外部的設備。
詳而言之，前述設備包含送風機(未圖示)、過濾器131、第一排出管133及第二排出管135。
前述送風機係設於下部本體110之一側面，且送風至下部本體110之內部，並且過濾器131係設於設置前述 送風機之下部本體110之內部一側面，且過濾藉前述送風機送風之空氣。
第一排出管133係設於下部本體110，且一端部側位於下部本體110之內部下側，並且另一端部側位於下部本體110之外部。又，第一排出管133係設於下部本體110，且一端部側位於下部本體110之內部上側，並且另一端部側位於下部本體110之外側。
如此，存在下部本體110之內部之異物中，存在下部本體110之內部下側之異物係流入第一排出管133之一端部側且排出至下部本體110之外部，且存在下部本體110之內部上側之異物係流入第二排出管135之一端部側且排出至下部本體110之外部。
本實施形態之用於加工基材之裝置係透過下部本體110之內部下側部位及內部上側部位分別排出分別存在下部本體110之內部下側部位及上側部位之異物，因此可有效地排出存在下部本體110之內部之異物至外部。
又，如果在多數基材50裝載收納在板120上之狀態下只透過下部本體110之一側排出異物至外部，則相對地受到基材50之干涉多。但是，本實施形態之用於加工基材之裝置係透過下部本體110之內部下側部位及上側部位排出異物至外部，因此雖然相對地受到基材50之干涉較少，但仍可將存在下部本體110之內部之異物排出至外部。
第一排出管133之另一端部側及第二排出管135之另一端部側可位於下部本體110之上面側，亦可互相連 通。
以上，有關本發明實施形態之圖式省略詳細之輪廓線，且概略地顯示以便容易了解屬於本發明之技術思想。又，上述實施形態不會成為限定本發明技術思想之基準，只不過是用以理解本發明之申請專利範圍包含之技術事項之參照事項。
110‧‧‧下部本體
113‧‧‧出入口
150‧‧‧上部本體
200‧‧‧另一用於加工基材之裝置

Claims (3)

  1. 一種用於加工基材之裝置，其特徵在於包含：一下部本體，係在內部形成空間；一上部本體，係設在前述下部本體之上面，且在內部形成處理基材之空間之腔室，並且與前述下部本體連通或遮斷；一板，係可升降地設在前述下部本體之內部，且出入前述腔室，並且裝載收納多數基材；一機械手，係設在前述下部本體之內部，其傳送該收納於前述下部本體之外部的基材並且裝載在前述板上，或將裝載在前述板上之前述基材傳送至前述下部本體之外部；及一設備，係設置在前述下部本體上，且將存在前述下部本體之內部下側部位及上側部位之異物分別排至前述下部本體之外部，並包含：一送風機，係設於前述下部本體之一側面，且送風至前述下部本體之內部；一過濾器，係設於設置前述送風機之下部本體之內部一側面；及一第一排出管及一第二排出管，係設於前述下部本體，且將存在前述下部本體之內部下側部位及上側部位之異物，與藉前述送風機送風之空氣一起，分別排出至前述下部本體之外部。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於加工基材之裝置，其中前述第一排出管之一端部側係位於前述下部本體之內部下側部位，且另一端部側係位於前述下部本體之外側，而前述第二排出管之一端部側係位於前述下部本體之內部上側部位，且另一端部側係位於前述下部本體之外側。
  3. 如申請專利範圍第2項之用於加工基材之裝置，其中前述第一排出管之另一端部側及前述第二排出管之另一端部側位於前述下部本體之上面外側，且互相連通。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052618A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
US20110217852A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3342803B2 (ja) * 1996-05-30 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び基板搬送方法
KR100273230B1 (ko) * 1997-09-29 2001-01-15 김영환 반도체 공정용 종형 확산로 및 그 운전방법
JP4876322B2 (ja) * 2001-03-30 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 ロードロック室、その排気方法及び熱処理装置
JP4860373B2 (ja) * 2005-09-21 2012-01-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2008078448A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4438850B2 (ja) * 2006-10-19 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体
JP2012004408A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 支持体構造及び処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040052618A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
US20110217852A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

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