CN103367205B - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种基板处理装置。本发明涉及的基板处理装置，将存在于下部主体内部的下侧部位和内部上侧部位的异物分别从下部主体内部的下侧部位和内部的上侧部位通过第一排出管和第二排出管排出，所以有效地向外部排出存在于下部主体内部的异物。从而，能够防止基板由于异物而损伤，具有提高基板处理工序的可靠性的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种能够有效地向外部排出在基板处理工序中所产生的异物的基板处理装置。
背景技术
基板处理装置用于制造半导体元件，大致分为气相沉积（Vapor Deposition）装置和热处理（Annealing）装置。
沉积装置是形成作为半导体元件的核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层的装置，分为诸如LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：低压化学气相沉积）或PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition：等离子体增强化学汽相沉积）等化学气相沉积装置和诸如溅射（Sputtering）等物理气相沉积装置。此外，热处理装置是在基板上沉积膜之后提高被沉积膜的特性的装置，是使沉积膜结晶或相变的热处理装置。
一般，基板处理装置包括下部主体和设置于所述下部主体上面的上部主体。在所述下部主体的内部设置有：晶舟，装载并存储多个基板；机器臂，将存储在所述下部主体外部的基板装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的基板移送到所述下部主体的外部。此外，在所述上部主体的内部形成有作为基板处理空间的腔室，在所述腔室设置有用于加热基板的加热器。
所述晶舟设置成可升降，为了处理基板向所述上部主体移送基板时上升，而向所述下部主体移送经处理的基板时下降。基板被投入到所述上部主体内进行处理时，所述上部主体被密闭。
上述现有的基板处理装置，存在基板由于基板处理工序中所产生的异物而受损的风险。
详细地说，在所述下部主体的内部设置有诸如所述晶舟和所述机器臂等组件，所以在所述下部主体的内部存在驱动所述晶舟或驱动所述机器臂时所产生的异物。
然而，现有的基板处理装置没有任何装置能够有效地向外部排出存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物，所以存在基板由于存在于所述下部主体内部的异物而受损的风险。因此，具有基板处理工序的可靠性下降的缺点。
有关基板处理装置的在先技术，在韩国公开特许公报10-2009-0070199号等中公开。
发明内容
本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种能够有效地向外部排出存在于基板处理装置的下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物，从而能够提高基板处理工序的可靠性的基板处理装置。
为了达成所述目的，本发明涉及的基板处理装置，包括：下部主体，在其内部形成有空间；上部主体，设置在所述下部主体的上面，与所述下部主体连通或隔绝，在其内部形成有作为进行基板处理空间的腔室；晶舟，可升降地设置在所述下部主体的内部，并出入于所述腔室，用于装载并存储多个基板；机器臂，设置在所述下部主体的内部，用于移送存储在所述下部主体外部的基板并装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的所述基板移送到所述下部主体的外部；排出单元，设置在所述下部主体，将存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物分别排出至所述下部主体外部。
本发明涉及的基板处理装置，将分别存在于下部主体内部的下侧部位和内部上侧部位的异物分别从下部主体内部的下侧部位和内部的上侧部位通过第一排出管和第二排出管排出，所以能够有效地向外部排出存在于下部主体内部的异物。从而，能够防止基板由于异物而损伤，具有提高基板处理工序的可靠性的效果。
附图说明
图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图。
图2是示出了图1的内部结构的立体图。
附图标记：
110：下部主体
120：晶舟
131：过滤器
133：第一排出管
135：第二排出管
150：上部主体
具体实施方式
后述的有关本发明的详细说明，例示出能够实施本发明的具体实施例并参照附图。为了使本领域的技术人员能够充分实施，详细说明这些实施例。应理解为，本发明的各种实施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，这里所记载的一实施例的具体形状、具体结构和特性，在不脱离本发明精神和范围的情况下，也可以由其他实施例来实现。另外，应理解为，各自公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置，在不脱离本发明精神和范围的情况下也可进行变更。因此，后述的详细说明并无限定之意，准确地说明，本发明的保护范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包含与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为方便起见，也有可能夸张地表现出附图所示的实施例的长度、面积、厚度及形态。
下面，参照附图详细说明本发明的一实施例涉及的基板处理装置。
下面，所谓基板处理，包括对基板进行加热和冷却的工序、用于在基板上沉积规定膜的所有工序、用于对基板上沉积的膜进行热处理、结晶化或相变的所有热处理工序。此外，基板的材料并不特别限定，但优选作为半导体元件用基板的半导体晶片，例如硅晶片。
图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图，图2是示出了图1的内部结构的立体图。
如图所示，本实施例涉及的基板处理装置包括下部主体110和上部主体150。
下部主体110形成为，在其内部形成有空间的大致长方体形状，在一侧面上形成有出入口113，该出入口113用于使基板50出入。形成有出入口113的下部主体110的一侧面上结合有另一基板处理装置200，而下部主体110的内部被另一基板处理装置200密闭。
在下部主体110的内部设置有晶舟120和机器臂（未图示）。
晶舟120可升降地设置于下部主体110内部的一侧，用于装载存储多个基板50。所述机器臂设置于下部主体110内部的另一侧，移送保管于另一基板处理装置200的基板50而装载到晶舟120上，或将装载在晶舟120上的基板50移送到另一基板处理装置200。
上部主体150设置在下部主体110的上面，在其内部形成有作为基板50处理空间的腔室。上部主体150和下部主体110选择性地连通或隔绝。具体为，晶舟120为了将基板50加载到所述腔室而上升，或晶舟120为了从所述腔室卸载基板50而下降时，上部主体150和下部主体110连通。此外，将基板50加载到所述腔室的状态下进行基板50处理时，上部主体150和下部主体110处于隔绝状态。为了使上部主体150和下部主体110连通或隔绝，在下部主体110内部表面上可以设置开闭板（未图示）。
在上部主体150的所述腔室内设置有处理基板50所需的加热器（未图示）、气体供给管（未图示）和气体排出管（未图示）等。
所述加热器产生处理基板50所需的热。此外，所述气体供给管向上部主体150的内部供给如Ar、N2、H2等气氛气体，所述气体排出管向上部主体150的外部排出气氛气体。气氛气体形成处理基板50所需的气氛的同时调节上部主体150内部的温度。
在下部主体110的内部设置有晶舟120和所述机器臂等，所以在驱动晶舟120或驱动所述机器臂时，产生异物。而且，流入到所述腔室的气氛气体可以流入到下部主体110的内部。这样，装载存储在晶舟120上的基板50可能由于气氛气体中所含有的异物而损伤。
本实施例涉及的基板处理装置具有向下部主体110的外部排出存在于下部主体110内部的下侧部位和上侧部位的异物的排出单元。
具体为，所述排出单元包括送风机（未图示）、过滤器131、第一排出管133和第二排出管135。
所述送风机设置在下部主体110的一侧面上，用于向下部主体110的内部送风，过滤器131配置在设置有所述送风机的下部主体110内部的一侧面上，用于过滤由所述送风机送出的空气。
第一排出管133设置于下部主体110，一端部位于下部主体110内部的下侧，而另一端部位于下部主体110的外部。此外，第二排出管135设置于下部主体110，一端部位于下部主体110内部的上侧部位，而另一端部位于下部主体110的外侧。
这样，存在于下部主体110内部的异物中，存在于下部主体110内部下侧的异物从第一排出管133的一端部流入后向下部主体110的外部排出，而存在于下部主体110内部上侧的异物从第二排出管135的一端部流入后向下部主体110的外部排出。
本实施例涉及的基板处理装置，将存在于下部主体110内部的下侧部位和内部上侧部位的异物分别通过下部主体110内部的下侧部位和内部的上侧部位排出，所以有效地向外部排出存在于下部主体110内部的异物。
此外，多个基板50被装载存储在晶舟120上的状态下，若异物仅通过下部主体110的一侧向外部排出，则受基板50干扰相对多。然而，本实施例涉及的基板处理装置，异物通过下部主体110内部的下侧部位和上侧部位向外部排出，所以受基板50干扰相对少的情况下向外部排出存在于下部主体110内部的异物。
第一排出管133的另一端部和第二排出管135的另一端部也可以位于下部主体110的上表面外侧，且彼此连通。
有关上述记载的本发明的实施例的附图，省略了详细的轮廓线，为了便于理解属于本发明技术思想的部分而概略示出。此外，所述实施例不能用于限定本发明的技术思想，只能作为用于理解包含于本发明的保护范围的技术思想。
Claims (3)
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
下部主体，在其内部形成有空间；
上部主体，设置在所述下部主体的上面，与所述下部主体连通或隔绝，在内部形成有作为基板处理空间的腔室；
晶舟，可升降地设置在所述下部主体的内部，并出入于所述腔室，用于装载并存储多个基板；
机器臂，设置在所述下部主体的内部，用于移送存储在所述下部主体的外部的基板并装载到所述晶舟上，或将装载在所述晶舟上的所述基板移送到所述下部主体的外部；
排出单元，设置在所述下部主体，将存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物分别排出至所述下部主体的外部，
所述排出单元包括：
送风机，设置在所述下部主体的一侧面上，用于向所述下部主体的内部送风；
过滤器，配置在设置有所述送风机的所述下部主体的内部的一侧面上；
第一排出管和第二排出管，设置于所述下部主体，分别将存在于所述下部主体内部的下侧部位和上侧部位的异物，与由所述送风机送出的空气一同排出至所述下部主体的外部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一排出管的一端部位于所述下部主体内部的下侧部位，而另一端部位于所述下部主体的外侧，
所述第二排出管的一端部位于所述下部主体内部的上侧部位，而另一端部侧位于所述下部主体的外侧。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一排出管的另一端部和所述第二排出管的另一端部位于所述下部主体的上表面外侧，且彼此连通。
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