CN105441876B - 一种薄膜沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。

Description

一种薄膜沉积设备

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种薄膜沉积设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是半导体工业中使用最广泛的一类薄膜制造技术。物理气相沉积技术可以应用在很多工艺领域，如铜互连线技术、封装领域中的硅穿孔(Through Silicon Via，TSV)等等。

随着半导体技术不断发展，集成电路的尺寸越来越小，Low-k(低介电常数)材料作为层间介质出现在互连工艺中。在刻蚀Low-k材料的工艺中，为了保护Low-k材料，以获得更佳的刻蚀形貌，通常在Low-k材料上沉积金属化合物薄膜(例如TiN薄膜)，作为刻蚀Low-k材料的金属硬掩膜。目前，金属化合物薄膜的沉积工艺已成为32nm节点以下的铜互连工艺中不可缺少的一个工艺流程。

金属化合物薄膜的沉积工艺需要关注的参数主要有：薄膜的厚度均匀性、电阻值均匀性和应力。尤其对应力有比较严格的要求。这是因为：在32nm以下制程所使用的Low-k材料，其本身多孔且比较软，而且对其刻蚀后形成的线条尺寸比较小，从而若沉积在Low-k材料上的掩膜层(刻蚀阻挡层)应力较大，就会出现刻蚀线条受力弯曲的现象，导致刻蚀后在整个基片上获得的线宽(AEI)的均匀性变差，更严重的情况是：在后续进行Cu ECP(electrofill copper plating，电镀)时，会在侧壁顶部出现Overhang(即，掩膜开口尺寸小于沟槽开口尺寸)，导致侧壁顶部没有Cu，从而产生了很多无效联接(如图2所示)，影响了器件的金属互联。

图1A为现有的一种PVD设备。如图1A所示，PVD设备包括反应腔室1、气锁腔室2、去气腔室3和传输腔室4，各个腔室采用集簇式布局，即：传输腔室4呈六方体；其余腔室环绕在传输腔室4的周围，且对应传输腔室4的不同侧面与传输腔室4对接(图1A中两个气锁腔室2对应相同的侧面)。在进行工艺的过程中，基片通过气锁腔室2被传输至传输腔室4，再经由传输腔室4中的机械手，依次传输至去气腔室3和工艺腔室1。其中，反应腔室1为PVD腔室，其具体结构如图1B所示，包括腔室100，在腔室100的顶部设置有靶材102，靶材102与直流电源或射频电源(图中未示出)电连接；并且，在腔室100内，且位于靶材102的下方设置有基座101，用以承载被加工工件103，以及加热被加工工件103，以使其达到工艺所需的温度。而且，在腔室100的底部还设置有排气口104，排气系统(图中未示出)经由排气口104对腔室100进行抽真空。例如，在沉积TiN薄膜的过程中，向腔室100内同时通入Ar和N2，并开启射频电源，此时被离化的N与Ti靶材发生反应形成TiN，然后被溅射出来并沉积在被加工工件103的表面上，从而获得TiN薄膜。

针对TiN薄膜，其应力表现为一种残余应力，是由于沉积过程中晶格失配引起的内应力，以及温度变化引起的热应力。在实际工艺中，可以通过增加腔室压力和降低溅射功率的方法，来降低成膜速率、减小薄膜内应力。例如，若沉积TiN薄膜的标准工艺条件是：溅射功率在10KW以上；腔室压力在5mT以下。若有降低薄膜应力的需要，可以将溅射功率降低至5KW，腔室压力增大至10mT以上。但是，由于降低溅射功率会使成膜速率降低，影响了产能；而增大腔室压力则会影响薄膜的厚度均匀性，从而降低了后道工艺的均匀性。

还有一种减小薄膜应力的方法是在完成薄膜的沉积工艺之后，将基片传输至退火炉中进行退火工艺，以降低薄膜的热应力。具体地，首先在Ar气氛下，利用加热器将退火炉的炉管温度加热至400℃以上；保持该温度15min以上，然后降温并移出基片，从而完成降低薄膜的热应力。然而，由于该方法需要另设进行退火工艺的退火炉，这不仅导致基片的传输时间变长，从而降低了工艺效率，而且还会造成热预算的增加，从而增加了设备的生产成本。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。

为实现本发明的目的而提供一种薄膜沉积设备，包括传输腔室，以及围绕在所述传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与所述传输腔室对接；并且，所述多套功能腔室中包括工艺腔室和去气腔室和多功能腔室，所述多功能腔室既用于将被加工工件在所述传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺。

其中，所述多功能腔室包括：承载装置，用于承载所述被加工工件；加热装置，用于对所述被加工工件进行加热；冷却装置，用于对所述被加工工件进行冷却。

其中，所述承载装置包括托架，所述托架用于承载两个被加工工件，且使二者沿竖直方向间隔设置；所述加热装置包括上加热灯组和下加热灯组，其中，所述上加热灯组设置在所述多功能腔室内的顶部，用以朝向位于上层的被加工工件辐射热量；所述下加热灯组设置在所多功能腔室内的底部，用以朝向位于下层的被加工工件辐射热量。

其中，所述承载装置包括可承载一个被加工工件的托架；所述加热装置包括加热灯组，所述加热灯组设置在所述多功能腔室内的顶部或底部，用以朝向置于所述托架上的被加工工件辐射热量。

其中，所述加热灯组包括多个红外灯泡或红外灯管。

其中，所述承载装置包括基座和顶针机构，其中所述基座用于承载一个被加工工件；并且所述基座的数量为一个或多个，且多个所述基座沿竖直方向间隔设置；所述加热装置包括设置在每个基座内部的发热元件，所述发热元件用于提供热量；所述顶针机构的数量与所述基座的数量相对应，且所述顶针机构一一对应地设置在所述基座的底部；每个顶针机构用于通过竖直上升而使其顶端自所述基座顶起所述被加工工件，或者通过竖直下降而将所述被加工工件传递至所述基座上。

其中，所述冷却装置包括气体传输管和热交换器，其中所述气体传输管的进气端用于向所述多功能腔室的内部输送冷却气体，所述气体传输管的出气端用于排出所述多功能腔室内的冷却气体；所述热交换器用于对所述气体传输管内的冷却气体进行冷却。

其中，所述多功能腔室还包括送气装置，用于通过向所述多功能腔室内输送惰性气体，来降低所述被加工工件的温度。

其中，所述加热装置将被加工工件加热至第一预定温度，并在保持所述第一预定温度预定时间之后关闭；所述送气装置在所述加热装置关闭之后，向所述多功能腔室内输送惰性气体，并在所述被加工工件的温度降低至第二预定温度之后关闭；所述冷却装置在所述送气装置关闭之后，将所述被加工工件的温度冷却至室温。

作为另外一个技术方案，本发明还提供另一种薄膜沉积设备，包括传输腔室，以及围绕在所述传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与所述传输腔室对接；并且，所述多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和气锁腔室，所述多套功能腔室中还包括用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的薄膜沉积设备，其围绕在传输腔室周围的多套功能腔室中包括既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺的多功能腔室，这使得该薄膜沉积设备本身就能够进行退火工艺，而无需在设备之外单设退火炉，从而在需要降低薄膜热应力时，只需将被加工工件传输至多功能腔室内停留预设时间即可，这不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，从而可以降低设备的生产成本。同时，由于多功能腔室兼具气锁功能和退火功能，这不仅有利于简化设备结构，而且还可以降低设备的制造成本。

本发明提供的薄膜沉积设备，其围绕在传输腔室周围的多套功能腔室中包括用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室，这使得该薄膜沉积设备本身就能够进行退火工艺，而无需在设备之外单设退火炉，从而在需要降低薄膜热应力时，只需将被加工工件传输至该退火腔室内停留预设时间即可，这不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，从而可以降低设备的生产成本。

附图说明

图1A为一种PVD设备的结构示意图；

图1B为PVD腔室的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种薄膜沉积设备的俯视图；

图3A为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的一种多功能腔室的剖视图；

图3B为沿图3A中A-A线的侧视图；

图3C为图2中进行退火工艺的温度曲线图；

图3D为图2中进行退火工艺前后的薄膜应力曲线的对比图；

图3E为图2中完成电镀工艺之后的基片的电镜扫描图；

图4为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的另一种多功能腔室的剖视图；

图5为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的又一种多功能腔室的剖视图；以及

图6为本发明实施例提供的另一种薄膜沉积设备的俯视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的薄膜沉积设备进行详细描述。

图2为本发明实施例提供的一种薄膜沉积设备的俯视图。请参阅图2，薄膜沉积设备包括传输腔室14，以及围绕在传输腔室14周围的五套功能腔室。其中，各个腔室呈团簇式分布，即：传输腔室14呈六方体；各套功能腔室环绕在传输腔室14的周围，且各套功能腔室对应传输腔室14的不同侧面与之对接，即，传输腔室14的单个侧面只对应一套功能腔室。进一步说，在传输腔室14的其中五个侧面设置有可供被加工工件进出的取片口，这五个侧面上的取片口一一对应地与五套功能腔室的取片口对接，从而传输腔室14内的机械手可以在各套功能腔室之间传递被加工工件。

在本实施例中，五套功能腔室分别为：两套工艺腔室11、两套去气腔室13以及多功能腔室15。其中，多功能腔室15既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺，也就是说，该多功能腔室15兼具气锁和退火两个功能。而且，在传输腔室14与该多功能腔室15对接的同一侧面上，还单设一气锁腔室12，其仅具有用于将被加工工件在真空环境和大气环境之间传入/传出的功能。在进行薄膜沉积工艺的过程中，被加工工件首先经由气锁腔室12进入传输腔室14，然后被机械手先传入去气腔室13进行去气工艺，后传入反应腔室11进行沉积工艺，最后传入多功能腔室15进行退火工艺，并由该多功能腔室15返回大气环境。

借助多功能腔室15，可以使得该薄膜沉积设备本身就能够进行退火工艺，而无需在设备之外单设退火炉，从而在需要降低薄膜热应力时，只需将被加工工件传输至多功能腔室内停留预设时间即可，这不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，从而可以降低设备的生产成本。同时，由于多功能腔室兼具气锁功能和退火功能，这不仅有利于简化设备结构，而且还可以降低设备的制造成本。

下面对多功能腔室15的结构进行详细描述。具体地，图3A为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的一种多功能腔室的剖视图。图3B为沿图3A中A-A线的侧视图。请一并参阅图3A和图3B，多功能腔室15的腔体21通过第一传片口211和第二传片口212分别与传输腔室14和大气环境相连，用以形成将被加工工件在真空环境传输腔室14为真空环境与大气环境之间过渡的空间，即可实现气锁功能。

在本实施例中，多功能腔室15包括设置在腔体21内的承载装置、加热装置和冷却装置。其中，承载装置包括可承载一个被加工工件25的托架22，该托架22的具体结构为：两个相对设置的支撑柱设置在腔体21的内部，并且对应地，分别在这两个支撑柱上设置有凸缘，被加工工件25被放置在两个凸缘上，且仅下表面的边缘部分与两个凸缘相接触，以使传输腔室14内的机械手能够取片和放片。

加热装置包括加热灯组，该加热灯组设置在腔体21内的顶部，用以朝向置于托架22上的被加工工件25辐射热量。在本实施例中，加热灯组由多个红外灯泡23组成，多个红外灯泡23相对于至于托架22上的被加工工件25表面均匀分布，以均匀地朝向被加工工件25辐射热量。

在实际应用中，加热灯组还可以设置在腔体21内的底部，并朝上对置于托架22上的被加工工件25辐射热量。而且，加热灯组也可以由一个或多个例如红外灯管等的其他结构的加热灯组成，本发明对加热灯的结构没有特别限制。

冷却装置用于对被加工工件25进行冷却。在本实施例中，该冷却装置的结构具体可以为：包括气体传输管和热交换器(图中均未示出)。其中，气体传输管的进气端通过腔体21上的进气接口213向腔体21的内部输送冷却气体；气体传输管的出气端通过腔体21上的排气接口214排出腔体21内的冷却气体；热交换器用于对气体传输管内的冷却气体进行冷却。更进一步的，该热交换器通常包括冷却腔、设置在其内的铜管，其中，气体传输管的设置在冷却腔内，且其进气端和出气端延伸至冷却腔之外，并分别与腔体21的进气接口213和排气接口214连接；通过向铜管内通入冷却水而实现对气体传输管内的冷却气体进行冷却。在冷却过程中，气体传输管内的冷却气体经由进气接口213进入腔体21内，并自排气接口214排入气体传输管，然后被热交换器冷却后重新进入腔体21内，从而形成一个循环冷却的过程。优选的，可以通过控制冷却水的温度，来控制降温速度。

当然，在实际应用中，还可以采用其他任意结构的冷却装置，本发明对冷却装置的结构没有特别限制，只要其能够对被加工工件进行冷却即可。另外，本发明对腔体21上的进气接口和排气接口的位置也没有特别的限制。而且优选的，向腔体21内输送气体的方式可以类似“呼吸”的方式，即：按一定的时间间隔进行进气和排气的切换。

优选的，多功能腔室15还包括送气装置(图中未示出)，用于通过向腔体21内输送惰性气体，来降低被加工工件25的温度。在进行退火工艺的过程中，可以在利用加热装置完成被加工工件的加热之后，且在利用冷却装置进行冷却之前，即，在加热装置关闭之后，且在冷却装置开启之前，利用送气装置向腔体21内输送惰性气体，直至腔体21内的压力等于一个大气压后停止，以使被加工工件的温度降低至某一温度。

例如，图3C为图2中进行退火工艺的温度曲线图。如图3C所示，多功能腔室15进行退火工艺的工艺流程包括以下步骤：

步骤一，利用加热装置将被加工工件加热至第一预定温度。线段a即为被加工工件在加热装置加热时的温度变化线段，在此过程中，该被加工工件的温度由150℃被加热至400℃。

步骤二，利用加热装置将被加工工件保持在第一预定温度预定时间。线段b即为被加工工件在保温过程中的温度变化线段，在此过程中，该被加工工件的温度保持在400℃不变。

步骤三，利用送气装置将被加工工件的温度降低至第二预定温度。线段c即为被加工工件在送气装置工作时的温度变化线段，在此过程中，该被加工工件的温度由400℃被降低至300℃。

步骤四，利用冷却装置将被加工工件的温度冷却至室温。线段d即为被加工工件在冷却装置工作时的温度变化线段，在此过程中，该被加工工件的温度由300℃被降低至50℃，从而完成整个退火过程，以降低薄膜热应力。

图3D为图2中进行退火工艺前后的薄膜应力曲线的对比图。由图3D可知，在进行上述退火工艺之后，薄膜应力降低，且分布更均匀。而且，图3E为图2中完成电镀工艺之后的基片的电镜扫描图。由图3E可知，切片后获得的刻蚀线条无弯曲现象。

图4为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的另一种多功能腔室的剖视图。请参阅图4，该多功能腔室15’与上述第一种多功能腔室相比，其区别在于：本多功能腔室15’可以实现同时对两个被加工工件进行退火工艺，从而可以进一步缩短工艺时间，进而提高设备的工艺效率和产能。本多功能腔室与上述第一种多功能腔室相比在结构上具有如下变化。

具体地，托架22’可以承载两个被加工工件，且使二者沿竖直方向间隔设置。具体地，两个相对设置的支撑柱设置在腔体21的内部，并且对应地，分别在这两个支撑柱上设置有两层凸缘，第一被加工工件25被放置在最上层的两个凸缘上，且仅下表面的边缘部分与两个凸缘相接触；同样的，第二被加工工件26被放置在最下层的两个凸缘上，且仅下表面的边缘部分与两个凸缘相接触。

为了能够同时加热沿竖直方向间隔设置的两个被加工工件(25，26)，加热装置在腔体21内的底部增设了一套加热灯组，用以加热位于下层的第二被加工工件26。具体地，加热装置包括上加热灯组23和下加热灯组24，其中，上加热灯组23设置在腔体21内的顶部，用以朝向位于上层的第一被加工工件25辐射热量；下加热灯组24设置在腔体21内的底部，用以朝向位于下层的第二被加工工件26辐射热量。

图5为本发明实施例提供的薄膜沉积设备采用的又一种多功能腔室的剖视图。请参阅图5，该多功能腔室与上述第一、第二种多功能腔室相比，其区别在于：加热装置采用热传导的方式加热被加工工件，同时对承载装置的结构作适应性设计。

具体地，在本多功能腔室15”中，承载装置包括一个基座31和顶针机构33。其中，基座31用于承载一个被加工工件25。加热装置包括设置在每个基座31内部的发热元件32，发热元件32用于提供热量，该热量由基座31传导至其上的被加工工件25，从而实现采用热传导的方式加热被加工工件。发热元件32可以为诸如电阻丝或加热管等的可产生热量的元件。

顶针机构33设置在基座31的底部，其用于通过竖直上升而使其顶端穿过基座31，并顶起被加工工件25，或者通过竖直下降而将被加工工件25传递至基座31上，从而可以通过与传输腔室14内的机械手相配合，而实现取片和放片。优选的，承载装置还包括顶针驱动机构34，用于驱动顶针机构33竖直上升或下降。具体地，该顶针驱动机构34包括提升轴35和驱动源，其中，提升轴35的上端自腔体21的底部竖直贯穿腔室底壁，并与顶针机构33连接；提升轴35的下端与驱动源的驱动轴连接。在驱动源的驱动下，提升轴35带动顶针机构33竖直上升或下降。此外，为了保证腔体21的密封性，提升轴35为波纹管。

需要说明的是，在本实施例中，基座31的数量为一个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，基座的数量还可以为多个，且多个基座沿竖直方向间隔设置，并且在每个基座内部设置有发热元件，从而可以同时对每个基座上的被加工工件采用热传导的方式进行加热。而且，顶针机构的数量与基座的数量相对应，且顶针机构一一对应地设置在基座的底部，从而实现对每个基座上的被加工工件进行取片或放片。

还需要说明的是，在本实施例中，利用气锁腔室12将未加工的工件自大气环境传入传输腔室；利用多功能腔室15将已加工的工件自传输腔室返回大气环境，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以省去气锁腔室，而仅利用多功能腔室将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，同时，在利用多功能腔室将已加工的被加工工件自传输腔室返回大气环境的过程中，使该被加工工件停留在该多功能腔室内进行退火工艺。

进一步需要说明的是，在实际应用中，传输腔室的结构可以根据功能腔室的数量作适应性设计，即，传输腔室可以根据功能腔室的数量设计为立方体、四方体或五方体等的多方体，且多方体结构的各个侧面一一对应地与各套功能腔室对接，从而形成集簇式布局。或者，传输腔室也可以采用其他任意结构，只要使各套功能腔室能够围绕在传输腔室周围，并一一与之对接即可。此外，功能腔室的数量可以根据具体情况自由设定，例如，反应腔室和去气腔室各自的数量可以为一套、三套或四套以上。另外，还可以根据需要在功能腔室中设置例如预清洗腔室等的具有其他功能的功能腔室。

作为另一个技术方案，图6为本发明实施例提供的另一种薄膜沉积设备的俯视图。请参阅图6，薄膜沉积设备与上述实施例中的薄膜沉积设备相比，其区别仅在于：多套功能腔室中包括用于将被加工工件在所述传输腔室和大气环境之间传入/传出的气锁腔室12，以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室15，也就是说，单独设置一功能腔室用作退火腔室。本发明实施例提供的薄膜沉积设备的其他结构和功能与上述实施例所采用的薄膜沉积设备相类似，在此不再赘述。

在进行薄膜沉积工艺的过程中，被加工工件首先经由气锁腔室12(两个气锁腔室12中的其中一个)进入传输腔室14，然后被机械手先传入去气腔室13进行去气工艺，后传入反应腔室11进行沉积工艺，最后传入退火腔室15进行退火工艺；然后再经由气锁腔室12(两个气锁腔室12中的其中另一个)返回大气环境。

通过将薄膜沉积设备的其中一个功能腔室作为退火腔室，可以实现将可降低薄膜的热应力的退火模块集成在该薄膜沉积设备中，从而无需在设备之外另设单设退火炉，而在需要降低薄膜热应力时，只需将被加工工件传输至退火腔室内停留预设时间即可，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，从而可以降低设备的生产成本。

需要说明的是，虽然本发明实施例提供的薄膜沉积设备在整个工艺的过程中，相对于传统的薄膜沉积设备增加了进行退火工艺的时间以及自退火腔室传入和传出的传输时间，但是，由于在工艺腔室11内进行沉积工艺的时间(大约需2min)是整个工艺过程中耗时最长的时间，因而增加的进行退火工艺的时间可以忽略不计，不会影响薄膜沉积设备的工艺效率和产能。

还需要说明的是，在本实施例中，退火腔室15的数量为一个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，退火腔室的数量根据具体需要还可以设计为两个以上。另外，本实施例所采用的退火腔室的结构与上述多功能腔室的用于进行退火工艺的结构相类似，而仅是在薄膜沉积设备中的设置位置不同，由于用于进行退火工艺的结构在上述实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。

进一步需要说明的是，在本实施例中，气锁腔室12的数量为两个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，气锁腔室的数量也可以为一个，在这种情况下，该气锁腔室兼具进片功能和出片功能。即：未加工的工件和已加工的工件均需要经过该气锁腔室12。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种薄膜沉积设备，包括传输腔室，以及围绕在所述传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与所述传输腔室对接；并且，所述多套功能腔室中包括工艺腔室和去气腔室，其特征在于，所述多套功能腔室中还包括多功能腔室，所述多功能腔室既用于将被加工工件在所述传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；

所述多功能腔室包括：

承载装置，用于承载所述被加工工件；

加热装置，用于对所述被加工工件进行加热；

冷却装置，用于对所述被加工工件进行冷却。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述承载装置包括托架，所述托架用于承载两个被加工工件，且使二者沿竖直方向间隔设置；

所述加热装置包括上加热灯组和下加热灯组，其中，所述上加热灯组设置在所述多功能腔室内的顶部，用以朝向位于上层的被加工工件辐射热量；所述下加热灯组设置在所多功能腔室内的底部，用以朝向位于下层的被加工工件辐射热量。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述承载装置包括可承载一个被加工工件的托架；

所述加热装置包括加热灯组，所述加热灯组设置在所述多功能腔室内的顶部或底部，用以朝向置于所述托架上的被加工工件辐射热量。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述加热灯组包括多个红外灯泡或红外灯管。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述承载装置包括基座和顶针机构，其中

所述基座用于承载一个被加工工件；并且所述基座的数量为一个或多个，且多个所述基座沿竖直方向间隔设置；所述加热装置包括设置在每个基座内部的发热元件，所述发热元件用于提供热量；

所述顶针机构的数量与所述基座的数量相对应，且所述顶针机构一一对应地设置在所述基座的底部；每个顶针机构用于通过竖直上升而使其顶端自所述基座顶起所述被加工工件，或者通过竖直下降而将所述被加工工件传递至所述基座上。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述冷却装置包括气体传输管和热交换器，其中

所述气体传输管的进气端用于向所述多功能腔室的内部输送冷却气体，所述气体传输管的出气端用于排出所述多功能腔室内的冷却气体；

所述热交换器用于对所述气体传输管内的冷却气体进行冷却。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述多功能腔室还包括送气装置，用于通过向所述多功能腔室内输送惰性气体，来降低所述被加工工件的温度。

8.根据权利要求7所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述加热装置将被加工工件加热至第一预定温度，并在保持所述第一预定温度预定时间之后关闭；

所述送气装置在所述加热装置关闭之后，向所述多功能腔室内输送惰性气体，并在所述被加工工件的温度降低至第二预定温度之后关闭；

所述冷却装置在所述送气装置关闭之后，将所述被加工工件的温度冷却至室温。