TW201807247A - 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備 - Google Patents

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Abstract

描述一種包含具有支撐柱的基座的基座組件。基座具有主體，主體具有頂表面與底表面。頂表面具有複數個凹部。支撐柱係連接至基座的底表面，以旋轉基座組件。支撐柱包括支撐柱真空充氣部，支撐柱真空充氣部係與基座的主體中的基座真空充氣部流體連通。支撐柱亦包括淨化氣體管線，淨化氣體管線經由支撐柱延伸至基座的主體中的淨化氣體充氣部。

Description

用於防止空間ALD處理腔室中之背側沉積的設備
本揭示通常係關於防止背側沉積的設備與方法。更特定言之，本揭示係關於用於防止空間原子層沉積處理腔室中的基板的背側上沉積的設備與方法。
在空間原子層沉積（ALD）處理中，沉積氣體可以接觸基板的背面，而導致背側沉積。背側沉積可能是使用多晶圓基座佈置的批次處理腔室中的問題。當前批次處理系統具有圍繞晶圓的外邊緣多達30毫米的幅度的背側沉積。因此，在該領域中需要用於防止批次處理腔室中的背側沉積的設備與方法。
本揭示的一或更多個實施例係關於包含具有支撐柱的基座的基座組件。基座具有主體，主體具有頂表面與底表面。頂表面具有複數個凹部。支撐柱係連接至基座的底表面，以旋轉基座組件。支撐柱包括支撐柱真空充氣部，支撐柱真空充氣部係與基座的主體中的基座真空充氣部流體連通。支撐柱亦包括淨化氣體管線，淨化氣體管線經由支撐柱延伸至基座的主體中的淨化氣體充氣部。
在描述本揭示的幾個示例性實施例之前，應理解，本揭示並不限於在以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭示能夠具有其他實施例，並能夠以各種方式實踐或執行。
如本文所使用的「基板」係指稱在製造處理期間在其上執行膜處理的基板上所形成的任何基板或材料表面。舉例而言，取決於應用，可以在其上執行處理的基板表面包括材料，例如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體矽（SOI）、摻碳氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石，以及任何其他材料，例如金屬、金屬氮化物、金屬合金、及其他導電材料。基板包括但不限於半導體晶圓。基板可以暴露於預加工處理，以研磨、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上的膜處理之外，在本揭示中，所揭示的任何膜處理步驟亦可在基板上所形成的底層上執行，如下面更詳細揭示，而術語「基板表面」意欲包括如上下文所指示的此類底層。因此，舉例而言，當膜/層或部分膜/層已沉積至基板表面時，新沉積的膜/層的暴露表面變成基板表面。
本揭示的一些實施例係關於使用批次處理腔室（亦稱為空間處理腔室）的膜沉積處理。第1圖圖示處理腔室100之橫截面圖，處理腔室100包括氣體分配組件120（亦稱為噴射器或噴射器組件）與基座組件140。氣體分配組件120係為用於處理腔室中的任何類型的氣體遞送裝置。氣體分配組件120包括面向基座組件140的前表面121。前表面121可具有任何數目或種類的開口，以傳遞流動朝向基座組件140的氣體。氣體分配組件120亦包括外邊緣124，其在所示實施例中基本上為圓形。
所使用的氣體分配組件120的具體類型可以取決於所使用的特定處理而變化。本揭示之實施例可用於控制基座與氣體分配組件之間的間隙的任何類型的處理系統。在二元反應中，複數個氣體通道可包括至少一個第一活性氣體A通道、至少一個第二活性氣體B通道、至少一個淨化氣體P通道、及/或至少一個真空V通道。將來自第一活性氣體A通道、第二活性氣體B通道、及淨化氣體P通道的氣體流引導朝向晶圓的頂表面。氣體流中之一些者跨越整個晶圓的表面水平移動，並水平移動出淨化氣體P通道的處理區域。
在一些實施例中，氣體分配組件120係為由單一噴射器單元製成的剛性固定主體。在一或更多個實施例中，如第2圖所示，氣體分配組件120係由複數個獨立扇區（例如，噴射器單元122）製成。單件體或多扇區體皆可用於本揭示的各種實施例。
基座組件140係定位於氣體分配組件120下方。基座組件140包括頂表面141以及頂表面141中的至少一個凹槽142。基座組件140亦具有底表面143與邊緣144。取決於所處理基板60之形狀及大小，凹槽142可以是任何合適的形狀及大小。在第1圖所示的實施例中，凹槽142具有平坦底部，以支撐晶圓的底部；然而，凹槽的底部可以變化。在一些實施例中，凹槽具有環繞凹槽的外周邊緣的階段區域，並調整其大小以用於支撐晶圓的外周邊緣。舉例而言，取決於晶圓之厚度與晶圓背側上呈現的特徵之存在，可變化由階段所支撐的晶圓之外周邊緣的量。
在一些實施例中，如第1圖所示，調整基座組件140的頂表面141中的凹槽142之大小，而使得支撐於凹槽142中的基板60具有與基座組件140之頂表面141實質上共面的頂表面61。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上共面」意指晶圓的頂表面及基座組件的頂表面係在±0.2mm內共面。在一些實施例中，頂表面係在±0.15mm、±0.10mm、或±0.05mm內共面。
第1圖之基座組件140包括能夠提起、降低、及旋轉基座組件140的支撐柱160。基座組件可包括加熱器、或氣體接線、或在支撐柱160之中心內的電氣部件。支撐柱160可以是增加或減少在基座組件140與氣體分配組件120間的間隙之主要構件，以移動基座組件140至合適的位置。基座組件140亦可包括微調諧致動器162，可對基座組件140微調整，以建立基座組件140與氣體分配組件120之間的預定間隙170。
在一些實施例中，間隙170之距離係在約0.1mm至約5.0mm之範圍中、在約0.1mm至約3.0mm之範圍中、在約0.1mm至約2.0mm之範圍中、或在約0.2mm至約1.8mm之範圍中、或在約0.3mm至約1.7mm之範圍中、或在約0.4mm至約1.6mm之範圍中、或在約0.5mm至約1.5mm之範圍中、或在約0.6mm至約1.4mm之範圍中、或在約0.7mm至約1.3mm之範圍中、或在約0.8mm至約1.2mm之範圍中、或在約0.9mm至約1.1mm之範圍中、或約1mm。
圖式所示的處理腔室100係為旋轉料架型腔室，其中基座組件140可托持複數個基板60。如第2圖所示，氣體分配組件120可包括複數個分離的噴射器單元122，每一噴射器單元122能夠在晶圓於噴射器單元下方移動時，在晶圓上沉積膜。二個派形噴射器單元122係圖示為位於基座組件140上方的大約相對側上。噴射器單元122之此數目係僅用於說明目的而顯示。應理解可包括更多或更少噴射器單元122。在一些實施例中，有足夠數目的派形噴射器單元122以形成適合於基座組件140形狀的形狀。在一些實施例中，獨立派形噴射器單元122之每一者可獨立地移動、移除及/或置換而不影響其他噴射器單元122之任一者。舉例而言，可提高一個區段，以允許機器人到達基座組件140與氣體分配組件120之間的區域，以裝載/卸載基板60。
具有多個氣體噴射器之處理腔室可用以同時處理多個晶圓，而使得晶圓經歷相同的處理流程。舉例而言，如第3圖所示，處理腔室100具有四個氣體噴射器組件與四個基板60。在處理的開端處，基板60可定位於氣體分配組件120之間。以45°旋轉17基座組件140將導致氣體分配組件120之間的每一基板60移動到用於膜沉積的氣體分配組件120，如氣體分配組件120下方的虛線圓形所示。額外的45°旋轉將讓基板60從氣體分配組件120移動離開。基板60與氣體分配組件120的數目可以相同或不同。在一些實施例中，正在處理的晶圓與氣體分配組件具有相同數目。在一或更多個實施例中，正在處理的晶圓數目係為氣體分配組件之數目的一小部分或整數倍數。舉例而言，若有四個氣體分配組件，則有4x個正在處理的晶圓，其中x係為大於或等於一的整數值。在示例性實施例中，氣體分配組件120包括藉由氣體簾幕分離的八個處理區域，而基座組件140可容納六個晶圓。
第3圖所示的處理腔室100僅為一個可能配置的代表，且不應視為限制本揭示之範疇。此處，處理腔室100包括複數個氣體分配組件120。在所示實施例中，具有以均勻間隔圍繞處理腔室100的四個氣體分配組件（亦稱為氣體分配組件120）。所示處理腔室100係為八角形；然而，該領域具有通常知識者將瞭解此係為一個可能形狀，且不應視為限制本揭示之範疇。所示氣體分配組件120係為梯形的，但可以是單一圓形部件或由複數個派形區段組成，如第2圖所示。
第3圖所示的實施例包括裝載閘腔室180，或輔助腔室，如緩衝站。此腔室180連接至處理腔室100的一側，以允許例如讓基板（亦稱為基板60）從腔室100裝載/卸載。晶圓機器人可位於腔室180中，以將基板移動到基座上。
旋轉料架（例如，基座組件140）的旋轉可以連續或間歇（不連續）。在連續處理中，晶圓持續旋轉，而使得晶圓輪流暴露至噴射器之每一者。在非連續處理中，可將晶圓移動至噴射器區域並停止，而接著到噴射器之間的區域84並停止。舉例而言，旋轉料架可旋轉而使得晶圓從噴射器間區域移動而橫跨噴射器（或相鄰於噴射器而停止），且接著繼續到旋轉料架可再次暫停的下一個噴射器間區域。噴射器之間的暫停可提供在每一層沉積之間的額外處理（例如，對電漿之暴露）的時間。
第4圖圖示氣體分配組件220之扇區或部分，其可稱為噴射器單元122。噴射器單元122可獨立使用或與其他噴射器單元組合使用。舉例而言，如第5圖所示，第4圖的四個噴射器單元122經組合以形成單一氣體分配組件220。（為了清楚而未顯示分離四個噴射器的接線。）儘管第4圖的噴射器單元122除了淨化氣體埠155與真空埠145之外亦具有第一活性氣體埠125與第二氣體埠135二者，然而噴射器單元122不需要所有這些部件。
參照第4圖與第5圖二者，根據一或更多個實施例的氣體分配組件220可包含複數個扇區（或噴射器單元122），且每一扇區係為相同或不同。氣體分配組件220係位於處理腔室內，且在氣體分配組件220之前表面121中包含複數個細長氣體埠125、135、155與細長真空埠145。複數個細長氣體埠125、135、155與細長真空埠145從相鄰於內周邊緣123之區域延伸朝向相鄰於氣體分配組件220之外周邊緣124之區域。所示複數個氣體埠包括第一活性氣體埠125、第二氣體埠135、真空埠145、及淨化氣體埠155，該真空埠145環繞第一活性氣體埠與第二活性氣體埠之每一者。
參照第4圖或第5圖所示之實施例，當埠從至少大約內周區域延伸到至少大約外周區域時，然而，埠之延伸可較僅在徑向上從內至外區域更多。埠可在切線上延伸，如真空埠145環繞活性氣體埠125與活性氣體埠135。在照第4圖或第5圖所示之實施例中，楔形活性氣體埠125、135在所有邊緣上由真空埠145環繞，包括與內周邊緣與外周邊緣相鄰處。
參照第4圖，隨著基板沿著路徑127移動，基板之每一部分係暴露於各種活性氣體。沿著路徑127，基板暴露至（或「看到」）淨化氣體埠155、真空埠145、第一活性氣體埠125、真空埠145、淨化氣體埠155、真空埠145、第二氣體埠135、及真空埠145。因此，在第4圖所示之路徑127之端點處，基板已暴露至第一氣體埠125與第二氣體埠135以形成一層。所示噴射器單元122形成四分之一圓，但可更大或更小。第5圖所示的氣體分配組件220可視為串聯連接的第4圖的四個噴射器單元122之組合。
第4圖的噴射器單元122圖示分離活性氣體的氣體簾幕150。術語「氣體簾幕」係用於描述任何分離活性氣體以免混合的氣流或真空的組合。第4圖所示之氣體簾幕150包含第一活性氣體埠125旁邊的真空埠145之一部分、在中間的淨化氣體埠155、及第二氣體埠135旁邊的真空埠145之一部分。氣流及真空的此組合可用以防止或最小化第一活性氣體與第二活性氣體之氣相反應。
參照第5圖，來自氣體分配組件220之氣流及真空的組合形成對複數個處理區域250的分離。處理區域大致定義為環繞獨立氣體埠125、135，且在250之間具有氣體簾幕150。第5圖所示的實施例構成之間具有八個分離的氣體簾幕150的八個分離的處理區域250。處理腔室可具有至少二個處理區域。在一些實施例中，至少具有三、四、五、六、七、八、九、十、十一、或十二個處理區域。
在處理期間，基板可在任何給定時間暴露至一個以上的處理區域250。然而，暴露至不同處理區域的部分將具有分離二者的氣體簾幕。舉例而言，若基板之領先邊緣進入包括第二氣體埠135的處理區域，則基板之中間部分將在氣體簾幕150下方，而基板之落後邊緣將在包括第一活性氣體埠125的處理區域中。
工廠介面280（舉例而言，可為裝載閘腔室）係圖示為連接至處理腔室100。基板60係圖示為疊加於氣體分配組件220之上，以提供參考框架。基板60通常可坐落於基座組件上，而托持在氣體分配組件120的前表面121附近。基板60係經由工廠介面280裝載進入處理腔室100至基板支撐件或基座組件上（見第3圖）。基板60可圖示為位於處理區域內，因為基板係定位為與第一活性氣體埠125相鄰，且在二個氣體簾幕150a、150b之間。沿著路徑127旋轉基板60將使基板以逆時針方向環繞處理腔室100。因此，基板60將暴露至第一處理區域250a到第八處理區域250h，並包括之間的所有處理區域。
本揭示之實施例係關於包含處理腔室100的處理方法，處理腔室100具有複數個處理區域250a-250h，其中每一處理區域係藉由氣體簾幕150與相鄰區域分離。舉例而言，第5圖所圖示的處理腔室。取決於氣流的佈置，處理腔室中的氣體簾幕與處理區域的數目可以是任何適當的數目。第5圖所示的實施例具有八個氣體簾幕150與八個處理區域250a-250h。氣體簾幕的數目通常等於或大於處理區域的數目。
複數個基板60係位於基板支撐件上，例如，第1圖與第2圖所示之基座組件140。環繞處理區域旋轉複數個基板60，以用於處理。通常，在整個處理中密合（氣流與真空）氣體簾幕150，包括沒有活性氣體流入腔室期間。
參照第6圖至第9圖，本揭示之實施例係關於基座組件300。基座組件300包括基座310與支撐柱350。基座310具有主體312，主體312具有頂表面314與底表面316。頂表面314具有複數個凹部320。
支撐柱350係連接至基座310的底表面316，以旋轉基座組件300。支撐柱350包括支撐柱真空充氣部352，支撐柱真空充氣部352係與基座310的主體312中的基座真空充氣部322流體連通。
如第7圖所示，一些實施例進一步包含複數個徑向真空饋送通道326，徑向真空饋送通道326在連接327處從基座真空充氣部322延伸。徑向真空饋送通道326與基座真空充氣部322流體連通。徑向真空饋送通道326朝向基座310的外周邊緣311延伸，並可利用插塞328封閉，以形成密封通道。
徑向真空饋送通道326將真空提供至凹部320。如第9圖所示，真空可透過凹部320的頂表面330中的複數個孔隙329連接至凹部320。每一凹部320中可以存在任何適當數量的徑向真空饋送通道326。在一些實施例中，如第7圖所示，每一凹部320中存在一個徑向真空饋送通道326。徑向真空饋送通道326可以從基座真空充氣部322經由靠近凹部320的中心的點延伸至靠近基座310的外周邊緣311的點。
支撐柱350亦包括淨化氣體管線354，淨化氣體管線354經由支撐柱350延伸至基座310的主體312中的淨化氣體充氣部324。一些實施例的淨化氣體管線354延伸通過支撐柱350，在接合部355處分開成複數個上淨化氣體管線356。在一些實施例中，複數個上淨化氣體管線356中之每一者具有基本上相等的導率。在此處所使用的術語「基本上相等的導率」係指稱經由管線的氣體導率係在每一管線的平均導率的±10％以內。
在一些實施例中，如第6圖所示，支撐柱真空充氣部352係位於支撐柱350的頂部的中央部分中。在所示的實施例中，複數個上淨化氣體管線356中之每一者從支撐柱真空充氣部352下方的接合部355延伸至圍繞支撐柱真空充氣部352的基座310的主體312。
再次參照第7圖，一些實施例進一步包含複數個徑向淨化氣體饋送通道332，複數個徑向淨化氣體饋送通道332在接合部325處與淨化氣體充氣部324流體連通。可以存在任何適當數量的徑向淨化氣體饋送通道332，以與每一凹部320流體連通。在一些實施例中，存在二個徑向淨化氣體饋送通道332，以與每一凹部320流體連通。二個徑向淨化氣體饋送通道332從淨化氣體充氣部324朝向基座310的外周邊緣311延伸，並且偏離中心地連接至凹部320。徑向淨化氣體饋送通道332的外端可以利用插塞334塞住。
在所示的實施例中，每一徑向淨化氣體饋送通道332係連接至具有二個孔洞336的凹部320的環形充氣部340。在一些實施例中，二個孔洞336中之每一者具有不同尺寸，而使得每一孔洞336具有基本上相等的流入凹部320的環形充氣部340的淨化氣體的導率。在此處所使用的術語「基本上相等的導率」係指稱經由孔洞336的氣體導率係在每一孔洞336的平均導率的±10％以內。
如第8圖所示，一些實施例進一步包含每一凹部320中的淨化環342。淨化氣體環342係位於凹部320的環形充氣部340內。一些實施例的淨化環342包含形成第一環狀充氣部346的第一壓縮間隙344，以增加第一環狀充氣部346中的壓力均勻性。第一壓縮間隙344的尺寸可以是任何合適的尺寸。在一些實施例中，第一壓縮間隙344係在約200μm至約800μm或約400μm的範圍內。
在一些實施例中，淨化環342進一步包含形成第二環狀充氣部347的第二壓縮間隙345，以定義離開第二環狀充氣部347的氣體的環形速度，以防止或最小化背側沉積。第二壓縮間隙可以是任何合適的尺寸。在一些實施例中，第二壓縮間隙345係在約100μm至約500μm或約200μm的範圍內。在一些實施例中，第二壓縮間隙345的尺寸小於第一壓縮間隙344的尺寸。該領域具有通常知識者將理解，第一壓縮間隙344與第二壓縮間隙345係形成於淨化環342與基座主體312之間。
淨化氣體環342可藉由任何合適的技術與硬體而托持在凹部320的環形充氣部340中。在一些實施例中，淨化氣體環342係單獨藉由重力托持定位，或者藉由一或更多個螺釘（未圖示）托持定位。
返回參照第6圖，一些實施例包括連接至升降器351的頂部的力矩板362。力矩板362提供將支撐柱350的升降器351部分連接至基座310的優越位置。可以利用複數個螺栓（未圖示）或透過其他機械緊固件將力矩板連接至基座310。
所示的實施例包括連接至淨化氣體管線354的淨化氣體聯接器364。淨化氣體聯接器364提供將淨化氣體源（未圖示）連接至淨化氣體管線354的位置，而可以在使用期間維持合適的淨化氣體流。
支撐柱350亦可包括z軸馬達366，以上下移動整個支撐柱350。在一些實施例中，z軸馬達366經配置以在支撐柱350內上下移動支撐柱350的升降器351部分。波紋管367可以膨脹及收縮，以維持支撐柱內的密封。
參照第9圖，淨化環342的一些實施例包括複數個定位銷341。定位銷341是固定的，而將環342托持於凹部的環形充氣部340的中心。可以存在任何適當數量的定位銷341。在一些實施例中，存在三或更多個定位銷341。
一些實施例亦包括位於淨化環342的半徑周圍的定位手柄343。定位手柄343將晶圓361放置於淨化環342內的中心，而使得後側淨化氣體的流動大致相同地圍繞晶圓361的外邊緣。可以存在任何適當數量的定位手柄343。在一些實施例中，存在3、4、5、6、7、8、9、10或更多個定位手柄343。
根據一或更多個實施例，基板在形成層之前及/或之後經受處理。此處理可在相同腔室中執行，或在一或更多個分離的處理腔室中執行。在一些實施例中，將基板從第一腔室移動至分離的第二腔室，以用於進一步處理。基板可從第一腔室直接移動至分離的處理腔室，或者可從第一腔室移動至一或更多個轉移腔室，而接著移動到分離的處理腔室。因此，處理設備可包含與轉移站連通的多個腔室。此種類的設備可指稱為「群集工具」或「群集系統」及類似者。
一般而言，群集工具係為模組化系統，該模組化系統包含執行多種功能的多個腔室，該等功能包括基板之中心找尋及定向、除氣、退火、沉積及/或蝕刻。根據一或更多個實施例，群集工具至少包括第一腔室與中央轉移腔室。中央轉移腔室可容納機器人，該機器人可在處理腔室及裝載閘腔室之間梭運基板。轉移腔室通常維持在真空條件下，並提供中繼階段，該中繼階段用於從一個腔室梭運基板至位於群集工具之前端的另一腔室及/或裝載閘腔室。可調配用於本揭示的二個眾所周知的群集工具係為Centura®與Endura®，兩者均可得自Calif的Santa Clara的Applied Materials, Inc.。然而，腔室之組合與精確佈置可經修改以用於執行如本文中所描述之處理的特定步驟。其他可使用的處理腔室包括但不限於循環層沉積（CLD）、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、預清洗、化學清洗、熱加工（如RTP）、電漿氮化、除氣、定向、羥基化反應、及其他基板處理。藉由在群集工具上實現在腔室中的處理，可在沉積後續膜之前，在無氧化下防止具大氣雜質之基板的表面汙染。
根據一或更多個實施例，基板係連續地在真空下或「裝載閘」條件下，且在從一個腔室移動到下一腔室時不暴露至周圍空氣。因此，轉移腔室係在真空下，且在真空壓力下為「泵降」。惰性氣體可存在於處理腔室或轉移腔室中。在一些實施例中，惰性氣體係作為淨化氣體，以移除一些或全部的反應物。根據一或更多個實施例，將淨化氣體噴射於沉積腔室之出口處，用以避免反應物從沉積腔室移動至轉移腔室及/或額外的處理腔室。因此，惰性氣體之流動在腔室的出口處形成簾幕。
可在單一基板沉積腔室中處理基板，其中在處理另一基板之前裝載、處理、及卸載單一基板。亦可利用類似於輸送系統的連續方式處理基板，其中將多個基板獨立裝載至腔室的第一部分，移動通過腔室，並且從腔室的第二部分卸載。腔室與相關聯的輸送器系統的形狀可以形成直線路徑或彎曲路徑。此外，處理腔室可以是旋轉料架，其中多個基板環繞中心軸線移動，並暴露於整個旋轉料架路徑的沉積、蝕刻、退火、清洗等的處理。
在處理期間，基板可經加熱或冷卻。此類加熱或冷卻可藉由任何合適的手段達成，包括但不限於改變基板支撐的溫度、及將經加熱或經冷卻的氣體流至基板表面。在一些實施例中，基板支撐包括加熱器/冷卻器，該加熱器/冷卻器可經控制用以利用傳導方式改變基板溫度。在一或更多個實施例中，所採用氣體（活性氣體或惰性氣體）經加熱或冷卻以局部改變基板溫度。在一些實施例中，加熱器/冷卻器係位於鄰近於基板表面的腔室內，以利用傳導方式改變基板溫度。
基板在處理期間亦可靜止或旋轉。旋轉的基板可連續地或以離散步進方式旋轉。舉例而言，基板可在整個處理過程中旋轉，或基板可在對不同活性或淨化氣體之暴露之間小量旋轉。在處理期間旋轉基板（連續或步進式)可以有助於藉由最小化例如氣流幾何的局部可變性的效應，而產生更均勻的沉積或蝕刻。
參照整個本說明書的「一個實施例」、「某些實施例」、「一或更多個實施例」、或「實施例」意指結合實施例描述的特定特徵、結構、材料、或特性係包括在本揭示的至少一個實施例中。因此，整個本說明書的各處中出現的如「在一或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在實施例中」的短語不一定指稱本揭示的相同實施例。此外，在一或更多個實施例中，特定特徵、結構、材料、或特性可以利用任何合適的方式組合。
儘管已參照特定實施例而描述本揭示，但應理解，這些實施例僅為本揭示之原理與應用的說明。而該領域具有通常知識者將理解，在不悖離本揭示的精神與範圍的情況下，可以對本揭示的方法與設備進行各種修改及變化。因此，本揭示意欲包括在隨附專利請求範圍及其等同物的範圍內的修改及變化。
17‧‧‧旋轉
60‧‧‧基板
61‧‧‧頂表面
84‧‧‧區域
100‧‧‧處理腔室
120‧‧‧氣體分配板
121‧‧‧前表面
122‧‧‧噴射器單元
123‧‧‧內周邊緣
124‧‧‧外周邊緣
125‧‧‧第一活性氣體埠
127‧‧‧路徑
135‧‧‧第二氣體埠
140‧‧‧基座組件
141‧‧‧頂表面
142‧‧‧凹槽
143‧‧‧底表面
144‧‧‧邊緣
145‧‧‧真空埠
150‧‧‧氣體簾幕
155‧‧‧淨化氣體埠
160‧‧‧支撐柱
162‧‧‧微調諧致動器
170‧‧‧間隙
180‧‧‧腔室
250‧‧‧處理區域
250a‧‧‧第一處理區域
250b‧‧‧第二處理區域
250c‧‧‧第三處理區域
250d‧‧‧第四處理區域
250e‧‧‧第五處理區域
250f‧‧‧第六處理區域
250g‧‧‧第七處理區域
250h‧‧‧第八處理區域
280‧‧‧工廠介面
300‧‧‧基座組件
310‧‧‧基座
311‧‧‧外周邊緣
312‧‧‧主體
314‧‧‧頂表面
316‧‧‧底表面
320‧‧‧凹部
322‧‧‧基座真空充氣部
324‧‧‧淨化氣體充氣部
325‧‧‧接合部
326‧‧‧徑向真空饋送通道
327‧‧‧連接
328‧‧‧插塞
329‧‧‧孔隙
330‧‧‧頂表面
332‧‧‧徑向淨化氣體饋送通道
334‧‧‧插塞
336‧‧‧孔洞
340‧‧‧環形充氣部
341‧‧‧定位銷
342‧‧‧淨化環
343‧‧‧定位手柄
344‧‧‧第一壓縮間隙
345‧‧‧第二壓縮間隙
346‧‧‧第一環狀充氣部
347‧‧‧第二環狀充氣部
350‧‧‧支撐柱
351‧‧‧升降器
352‧‧‧支撐柱真空充氣部
354‧‧‧淨化氣體管線
355‧‧‧接合部
356‧‧‧上淨化氣體管線
361‧‧‧晶圓
362‧‧‧力矩板
364‧‧‧淨化氣體聯接器
366‧‧‧z軸馬達
367‧‧‧波紋管
為使本揭示的上述特徵可詳細地被理解，本揭示（簡短概要如上）的更特定描述可參照實施例而得，該等實施例之一些係繪示於隨附圖式中。然而，應注意隨附圖式僅圖示本揭示之典型實施例，而非視為限定本揭示的保護範疇，本揭示可接納其他等效實施例。
第1圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的橫截面圖；
第2圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的局部透視圖；
第3圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；
第4圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的用於批次處理腔室中的楔形氣體分配組件的一部分的示意圖；
第5圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的批次處理腔室的示意圖；
第6圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的基座組件的局部橫截面圖；
第7圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的基座之透視圖；
第8圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的淨化環的局部側視圖；以及
第9圖圖示根據本揭示之一或更多個實施例的基座之局部上視圖。
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300‧‧‧基座組件
310‧‧‧基座
312‧‧‧主體
314‧‧‧頂表面
316‧‧‧底表面
320‧‧‧凹部
350‧‧‧支撐柱
351‧‧‧升降器
352‧‧‧支撐柱真空充氣部
354‧‧‧淨化氣體管線
355‧‧‧接合部
356‧‧‧上淨化氣體管線
362‧‧‧力矩板
364‧‧‧淨化氣體聯接器
366‧‧‧z軸馬達
367‧‧‧波紋管

Claims (20)

  1. 一種基座組件，包含： 一基座，具有一主體，該主體具有一頂表面與底表面，該頂表面具有複數個凹部；以及 一支撐柱，連接至該基座的該底表面，以旋轉該基座組件，該支撐柱包括： 一支撐柱真空充氣部，該支撐柱真空充氣部係與該基座的該主體中的一基座真空充氣部流體連通，以及 一淨化氣體管線，該淨化氣體管線經由該支撐柱延伸至該基座的該主體中的該淨化氣體充氣部。
  2. 如請求項1所述之基座組件，其中延伸通過該支撐柱的該淨化氣體管線在一接合部處分開成複數個上淨化氣體管線。
  3. 如請求項2所述之基座組件，其中該等複數個上淨化氣體管線中之每一者具有基本上相等的導率。
  4. 如請求項3所述之基座組件，其中該支撐柱真空充氣部係位於該支撐柱的一頂部的一中央部分中。
  5. 如請求項4所述之基座組件，其中該等複數個上淨化氣體管線中之每一者從該支撐柱真空充氣部下方的一接合部延伸至圍繞該支撐柱真空充氣部的該基座的該主體。
  6. 如請求項1所述之基座組件，進一步包含該基座的該主體中的複數個徑向淨化氣體饋送通道，該等徑向淨化氣體饋送通道係與該淨化氣體充氣部流體連通。
  7. 如請求項6所述之基座組件，其中存在至少二個徑向淨化氣體饋送通道，以與該等凹部中之每一者流體連通。
  8. 如請求項7所述之基座組件，其中存在二個徑向淨化氣體饋送通道，以與每一凹部流體連通，該二個徑向淨化氣體饋送通道係偏離中心地連接至該凹部。
  9. 如請求項8所述之基座組件，其中該等徑向淨化氣體饋送通道中之每一者連接至具有二個孔洞的該凹部的一環形充氣部。
  10. 如請求項9所述之基座組件，其中該二個孔洞中之每一者具有不同的尺寸，以具有流入該凹部的該環形充氣部中的淨化氣體的一相等導率。
  11. 如請求項1所述之基座組件，進一步包含複數個徑向真空饋送通道，該等徑向真空饋送通道係與該基座真空充氣部流體連通。
  12. 如請求項11所述之基座組件，其中每一凹槽中存在一個徑向真空饋送通道。
  13. 如請求項12所述之基座組件，其中該徑向真空饋送通道係與該凹部中的複數個孔隙流體連通。
  14. 如請求項1所述之基座組件，進一步包含在每一凹部中的一淨化環。
  15. 如請求項14所述之基座組件，其中該淨化環包含形成一第一環狀充氣部的一第一壓縮間隙，以增加該第一環狀充氣部中的壓力均勻性。
  16. 如請求項15所述之基座組件，其中該第一壓縮間隙係為約400μm。
  17. 如請求項16所述之基座組件，其中該淨化環進一步包含形成一第二環狀充氣部的一第二壓縮間隙，以定義離開該第二環狀充氣部的氣體的一環形速度。
  18. 如請求項17所述之基座組件，其中該第二壓縮間隙係為約200μm。
  19. 一種基座組件，包含： 一基座，具有一主體，該主體具有一頂表面與底表面，該頂表面具有複數個凹部，該等凹部中之每一者具有在該凹部的一外周區域內形成一環形空腔的一淨化環； 一支撐柱，連接至該基座的該底表面，以旋轉該基座組件，該支撐柱包括： 一支撐柱真空充氣部，該支撐柱真空充氣部係與該基座的該主體中的一基座真空充氣部流體連通，以及 一淨化氣體管線，該淨化氣體管線經由該支撐柱延伸至該基座的該主體中的該淨化氣體充氣部； 該主體內的複數個徑向淨化氣體饋送通道，其中二個徑向淨化氣體饋送通道係與該淨化氣體充氣部以及該等凹部中之每一者的該環形空腔流體連通；以及 複數個徑向真空饋送通道，其中一個徑向真空饋送通道係與該基座真空充氣部以及每一凹部流體連通。
  20. 一種基座組件，包含： 一基座，具有一主體，該主體具有一頂表面與底表面，該頂表面具有複數個凹部，該等凹部中之每一者具有在該凹部的一外周區域內形成一環形空腔的一淨化環； 一支撐柱，連接至該基座的該底表面，以旋轉該基座組件，該支撐柱包括： 一支撐柱真空充氣部，位於該支撐柱的一頂部的一中央部分中，該支撐柱真空充氣部係與該基座的該主體中的一基座真空充氣部流體連通，以及 一淨化氣體管線，延伸通過該支撐柱，而在該支撐柱真空充氣部下方的一接合部處分開成二個上淨化氣體管線，該等上淨化氣體管線具有基本上相同的導率，並與該基座的該主體中的一淨化氣體充氣部流體連通， 該主體內的複數個徑向淨化氣體饋送通道，其中二個徑向淨化氣體饋送通道係與該淨化氣體充氣部以及該等凹部中之每一者的該環形空腔流體連通，該等徑向淨化氣體饋送通道中之每一者具有基本上相同導率而不同尺寸的二個孔洞； 複數個徑向真空饋送通道，其中一個徑向真空饋送通道係與該基座真空充氣部以及每一凹部流體連通，該等徑向真空饋送通道中之每一者係與該凹部中的複數個孔隙流體連通；以及 每一凹部中的一淨化環，該淨化環包含一第一壓縮間隙與一第二壓縮間隙，該第一壓縮間隙形成一第一環狀充氣部，以增加該第一環狀充氣部中的壓力均勻性，該第二壓縮間隙形成一第二環狀充氣部，以定義離開該第二環狀充氣部的氣體的一環形速度。
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