TWI567244B - A method for manufacturing a copper foil, a printed wiring board, a laminate, an electronic device, a carrier copper foil, and a method of manufacturing a printed wiring board - Google Patents

Description

附載體銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器、附載體銅箔之製造方法，及印刷配線板之製造方法

本發明關於一種附載體銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器、附載體銅箔之製造方法，及印刷配線板之製造方法。

印刷配線板通常是在使絕緣基板接著於銅箔而製成覆銅積層板之後，經過利用蝕刻而在銅箔面形成導體圖案的步驟而製造。隨著近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增長，搭載零件的高密度構裝化或信號的高頻化隨之發展，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(窄間距化)或高頻對應等。

對應於窄間距化，最近要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下的銅箔，但這種極薄銅箔的機械強度低，在製造印刷配線板時容易破損或產生皺褶，因此出現了附載體銅箔，其將具有厚度的金屬箔用作載體，並隔著剝離層使極薄銅層電沉積到金屬箔。將極薄銅層的表面貼合到絕緣基板並進行熱壓接後，隔著剝離層將載體剝離去除。在露出的極薄銅層上利用抗蝕劑形成電路圖案之後，形成特定的電路(專利文獻1等)。

[專利文獻1]WO2004/005588號

附載體銅箔是在如上述般將極薄銅層的表面貼合到樹脂基板並進行熱壓接(加熱壓製)後，將載體剝離去除而使用。進一步，在剝離去除載體後，將圖案鍍銅層設置在殘存於樹脂基板上之極薄銅層上，藉由對極薄銅層及圖案鍍銅層進行快速蝕刻(flash etching)，而可形成所欲的電路。

但是，以往在如上所述般將極薄銅層的表面貼合到樹脂基板並進行熱壓接後將載體剝離去除，藉此於樹脂基板上設置極薄銅層時，會有樹脂基板的表面粗糙，生成較大的起伏的情況。此時所生成之樹脂基板表面的起伏會在使用於電路基板時成為引起問題的主因。以下使用圖具體地說明。

圖1(a)係表示剝離去除載體後之樹脂基板(例如，預浸體)上所殘存的極薄銅層(例如，於極薄銅層表面形成有粗化處理層)。此時，於樹脂基板表面生成較大的起伏。接著，如圖1(b)所示，於殘存在樹脂基板上之極薄銅層上設置特定形狀之乾膜(DF)後，進行鍍銅處理，於未被乾膜(DF)所被覆之區域形成圖案鍍銅層。再來，如圖1(c)所示，剝離去除乾膜(DF)。此時，設置於樹脂基板較大的起伏上之鍍銅層的厚度變得比周圍厚。繼而，如圖1(d)所示，藉由進行快速蝕刻而形成特定寬度的電路，但此時會產生下述問題：於與樹脂基板之較大起伏相對應之區域會超過該電路寬度而產生銅殘渣，受該銅殘渣的影響電路會短路。

因此，本發明之課題在於：提供一種附載體銅箔，其在貼合於樹脂基板並剝離去除載體後，於極薄銅層上形成特定之電路時，良好地抑制了超過該電路寬度之銅殘渣的產生。

本發明於一個態樣，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由利用下述(1)~(3)所規定之測定方法而測得之上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下。

(1)於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下將上述附載體銅箔自極薄銅層側加熱壓製於雙馬來亞醯胺三樹脂基材後，自附載體銅箔剝離載體，對上述載體之極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像。

(2)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部。

(3)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。

本發明之附載體銅箔於一實施形態中，係一種附載體銅箔， 其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，上述載體之極薄銅層側表面的最大高度Ry為2.0μm以下。

本發明之附載體銅箔於另一實施形態中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。

本發明之附載體銅箔於另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由利用下述(4)~(6)所規定之測定方法而測得之上述極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下。

(4)對上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像。

(5)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部。

(6)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定 三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述極薄銅層側表面之最大高度Ry為2.0μm以下。

本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。

本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率為10條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。

本發明之附載體銅箔於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為1.2μm以上之條紋狀凹部的頻率為8條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三 樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值一最小值為2.0μm以下。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述載體之厚度為5~70μm。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述極薄銅層表面及上述載體表面之任一者或兩者具有粗化處理層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述極薄銅層之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述粗化處理 層上具備樹脂層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於選自由上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，係於上述載體之一面依序具有中間層及極薄銅層者，於上述載體之與上述極薄銅層側之表面相反側之面，設置有上述粗化處理層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，於上述載體之兩面依序具有中間層及極薄銅層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值為1.6μm以下。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值為1.6μm以下。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值為1.6μm以下。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為1.6μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接 著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為1.6μm以下。

本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。

本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。

(蝕刻條件)

‧蝕刻形式：噴霧蝕刻

‧噴霧噴嘴：實心圓錐(full cone)型

‧噴霧壓力：0.10Mpa

‧蝕刻液溫度：30℃

‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%

剩餘部分為水

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，對上述圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為1.6μm以下。

本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式 形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為5.0μm以下。

(蝕刻條件)

‧蝕刻形式：噴霧蝕刻

‧噴霧噴嘴：實心圓錐型

‧噴霧壓力：0.10Mpa

‧蝕刻液溫度：30℃

‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%

剩餘部分為水

本發明之附載體銅箔於再另一實施形態中，對上述圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為3.8μm以下。

本發明於再另一態樣中，係一種積層板，其係使用本發明之 附載體銅箔而製得。

本發明於再另一態樣中，係一種積層體，其含有本發明之附載體銅箔與樹脂，上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。

本發明於再另一態樣中，係一種積層體，其係將一個本發明之附載體銅箔自上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個本發明之附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成者。

本發明之積層體於一實施形態中，上述一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面，視需要經由接著劑而直接積層構成。

本發明之積層體於另一實施形態中，上述一個附載體銅箔之上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔之上述載體或上述極薄銅層接合。

本發明之積層體於另一實施形態中，上述積層體之端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其使用有本發明之積層體。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含下述步驟：於本發明之積層體至少設置一次樹脂層與電路此兩層，及於至少形成一次上述樹脂層與電路此兩層後，自上述積層體之附載體銅箔剝離上述極薄銅層或上述載體。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係使用本發明之附載體銅箔製造而成者。

本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其係使用本發明之印刷配線板製造而成者。

本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔之製造方法，其使用本發明之表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值為2.0μm以下的電解滾筒而製造電解銅箔載體，於上述電解銅箔載體之光澤面，依序設置中間層與極薄銅層。

本發明於再另一態樣中，係一種附載體銅箔之製造方法，其係準備藉由利用下述(7)~(9)所規定之測定方法而測得之至少一個表面中之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下的載體，於上述載體之上述表面依序設置中間層與極薄銅層。

(7)對上述載體表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像。

(8)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部。

(9)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條 紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為載體表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；及將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒於上述樹脂層之電路露出。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；於與和上述附載體銅箔之樹脂基板積層之側相反側的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面，至少設置一次樹脂層與電路此兩層；及於形成上述樹脂層及電路此兩層後，自上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。

本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，其 含有下述步驟：將本發明之附載體銅箔之上述載體側表面與樹脂基板積層；於與和上述附載體銅箔之樹脂基板積層之側相反側的上述極薄銅層側表面，至少設置一次樹脂層與電路此兩層；及於形成上述樹脂層及電路此兩層後，自上述附載體銅箔剝離上述極薄銅層。

藉由本發明，可提供一種附載體銅箔，其在貼合於樹脂基板並剝離去除載體後，於極薄銅層上形成特定之電路時，良好地抑制了超過該電路寬度之銅殘渣的產生。

圖1(a)係以往之剝離去除載體後殘留於預浸體上之極薄銅層。圖1(b)係於殘存在樹脂基板上之極薄銅層上設置乾膜(DF)後進行鍍銅處理，於未被乾膜(DF)覆蓋之區域形成圖案鍍銅層的圖。圖1(c)係剝離去除乾膜(DF)後之圖。圖1(d)係藉由進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路的圖。

圖2A~圖2C係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法的具體例之至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止之步驟中配線板剖面的示意圖。

圖3D~圖3F係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法的具體例之自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中配線板剖面的示意圖。

圖4G~圖4I係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法的具體例之自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止之步驟中配線板剖面的示意圖。

圖5J~圖5K係使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板其製造方法的具體例之自快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止之步驟中配線板剖面的示意圖。

圖6係表示條紋狀凸部之3D影像。

圖7係用以說明載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值之測定方法的示意圖。

圖8係表示條紋狀凹部之3D影像。

圖9係用以說明極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值之測定方法的示意圖。

圖10係用以說明自樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之上端部的厚度之最大值-最小值的剖面觀察照片。

圖11係用以理解「拖尾部」之上述電路的俯視觀察照片。

<附載體銅箔>

本發明之附載體銅箔具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層。附載體銅箔本身之使用方法為本領域業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板，熱壓接後剝離載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，或於與絕緣基板接著之極薄銅層上形成圖案鍍銅層，藉由快速蝕刻而形成特定寬度之電路，最終製造印刷配線板。

<載體>

作為本發明之載體，例如可使用樹脂膜等膜。作為此種膜載體，一般而言，較佳為可承受乾式表面處理或溼式表面處理時，或者是基板製作時之積層壓製時的熱負載之耐熱膜，可使用聚醯亞胺膜等。

使用為聚醯亞胺膜之材料並無特別限制。例如現正上市中之宇部興產製造的Upilex、DuPont/DU PONT-TORAY製造之Kapton、KANEKA製造之Apical等，任何之聚醯亞胺膜皆可應用。又，可用於本發明之載體的膜並不限定於上述之特定品種。

又，作為本發明之載體，亦可使用金屬箔。作為金屬箔，可使用銅箔、鎳箔、鎳合金箔、鋁箔、鋁合金箔、鐵箔、鐵合金箔、鋅箔、鋅合金箔、不鏽鋼箔等。又，作為本發明之載體，可使用銅箔。銅箔典型而言以壓延銅箔或電解銅箔之型態提供。電解銅箔係自硫酸銅鍍浴中使銅電解析出於鈦或不鏽鋼之滾筒上而製造，壓延銅箔係重複利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除了可使用精銅(JIS H3100；合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100；合金編號C1020)等高純度銅以外，亦可使用例如像是摻Sn之銅、摻Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金般的銅合金。再者，本說明書中單獨使用用語「銅箔」時亦包含銅合金箔。

可於本發明中使用之載體之厚度亦無特別限制，只要於實現作為載體之作用方面適當調節為適宜之厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，若過厚，則生產成本提高，因此通常較佳為設為70μm以下。因此，載體之厚度典型為8~70μm，更典型為12~70μm，更典型為18~35μm。又，就減少原料成本之觀點而言，載體之厚度以小為佳。因此，載體之厚 度典型為5μm以上35μm以下，較佳為5μm以上18μm以下，較佳為5μm以上12μm以下，較佳為5μm以上11μm以下，較佳為5μm以上10μm以下。再者，於載體之厚度小之情形時，於載體之通箔時容易產生彎折。為了防止產生彎折，例如有效的是使附載體銅箔製造裝置之搬送輥變得平滑，或縮短搬送輥與下一搬送輥之距離。再者，於作為印刷配線板之製造方法之一的埋入法(嵌入法(Enbedded Process))中使用附載體銅箔之情形時，載體之剛性必須較高。因此，於用於埋入法之情形時，載體之厚度較佳為18μm以上300μm以下，較佳為25μm以上150μm以下，較佳為35μm以上100μm以下，較佳為35μm以上70μm以下。

再者，亦可於與載體之設置極薄銅層側表面相反側之表面設置粗化處理層。可使用周知方法來設置該粗化處理層，亦可藉由後述之粗化處理來設置。於與載體之設置極薄銅層側表面相反側之表面設置粗化處理層，具有下述優點：於將載體自具有該粗化處理層之表面側積層於樹脂基板等支撐體時，載體變得難與樹脂基板剝離。又，於欲使表面更加平滑之情形時，亦可不設置該粗化處理層。

於使用電解銅箔作為本發明之載體之情形時，該載體係藉由以下條件，自硫酸銅鍍浴中使銅電解析出於鈦或不鏽鋼之電解滾筒上而製造。

<電解液組成>

銅：80~110g/L

硫酸：70~110g/L

氯：10~100質量ppm

<製造條件>

電流密度：50~200A/dm²

電解液溫度：40~70℃

電解液線速：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

再者，本說明書中所記載之電解、蝕刻、表面處理或鍍敷等中所使用的處理液(蝕刻液、電解液)的剩餘部分，若無特別明確記載則為水。

此時所使用之電解滾筒其表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。電解滾筒之表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。上述「條紋狀凹部」係指在電解滾筒之表面中於特定方向(例如，電解滾筒之圓周方向(電解銅箔製造時之電解滾筒的旋轉方向))延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部。表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值的下限並不須特別限定，典型為0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述「條紋狀凹部」，也就是在電解滾筒之表面中於特定方向(例如，電解滾筒之圓周方向(電解銅箔製造時之電解滾筒的旋轉方向))延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部亦可不存在。於此情形時，表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值表示0.000μm。

由於上述條紋狀凹部係起因於電解滾筒表面之研磨條紋，因此該電解滾筒之表面之條紋狀凹部的平均深度可藉由對電解滾筒表面進行使用有支數# 1000~# 8000的研磨磨石的研磨、拋光研磨精加工、或鏡面拋光來控 制。研磨磨石之旋轉數較佳為設為500~2500rpm。

於使用壓延銅箔作為本發明之載體之情形時，較佳為在精加工壓延輥後，對壓延銅箔之表面進行使用有支數# 6000~8000之拋光研磨材料粒度的拋光輪之拋光研磨精加工，或鏡面拋光。拋光輪之旋轉數較佳為設為200~350rpm。

於藉由具有上述表面之電解滾筒或拋光研磨而形成之本發明之附載體銅箔的載體中，可將極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值控制在2.0μm以下、且可將極薄銅層側表面之最大高度Ry控制在2.0μm以下。上述「條紋狀凸部」係指在載體表面中於特定方向延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凸部。又，於本發明中，「最大高度Ry」係指自粗糙度曲線於其平均線之方向僅取出基準長度，於粗糙度曲線之縱向倍率方向測定此取出部分之峰頂線與峰谷線間之間距而得者。於附載體銅箔之載體中，若極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下，或極薄銅層側表面之最大高度Ry為2.0μm以下，則於隔著中間層將極薄銅層設置於該表面時，則可將該極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值控制在2.0μm以下，或可將該極薄銅層側表面之最大高度Ry控制在2.0μm以下。因此，可良好地抑制將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於樹脂基板後，剝離去除載體後樹脂基板表面中之「起伏」的產生。故，即便藉由在殘存於樹脂基板上之極薄銅層上形成圖案鍍銅層，接著進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路，亦可抑制樹脂基板表面中之「起伏」的產生，因此超過該電路寬度而生成的銅殘渣被抑制，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值之下限並不需要特別限定，典型為0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述「條紋狀凸部」，也就是在載體表面中於特定方向(例如，載體製造裝置中之載體的進行方向)延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凸部亦可不存在。於此情形時，載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值表示0.000μm。

載體之極薄銅層側表面的最大高度Ry較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。載體之極薄銅層側表面的最大高度Ry之下限並不需要特別限定，典型為0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

再者，於至少一表面中之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下之載體，或於至少一表面中之最大高度Ry為2.0μm以下之載體，亦可不是電解銅箔或壓延銅箔，而是上述樹脂膜等之膜載體。

<中間層>

於載體之單面或雙面上設置中間層。於載體為電解銅箔載體之情形，於電解銅箔載體之光澤面(製造時形成於電解滾筒側之表面)設置中間層。載體與中間層之間亦可設置其他層。關於本發明中使用之中間層，只要為如下構成，則並無特別限定，即，於附載體銅箔向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後可自載體剝離極薄銅層的構成。例如，本發明之附載體銅箔之中間層亦可含有選 自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、及有機物組成之群中一種或二種以上。又，中間層亦可為複數層。

又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，並於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素之水合物或氧化物構成的層。

於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍鎳層等防銹層。再者，認為於藉由鉻酸鹽處理或鋅鉻酸鹽處理或鍍敷處理來設置中間層之情形時，存在鉻或鋅等附著之金屬之一部分成為水合物或氧化物之情況。

又，例如，中間層可於載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金及鉻而構成。由於鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄銅層時，於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之阻隔效果。中間層中之鎳附著量較佳為100μg/dm²以上40000μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上4000μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上2500μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上1000μg/dm²以下，中間層中之鉻附著量較佳為5μg/dm²以上100μg/dm²以下。於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍鎳層等防銹層。

<極薄銅層>

於中間層上設置極薄銅層。中間層與極薄銅層之間亦可設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，就可用於通常之電解銅箔中使用，並以高電流密度形成銅箔而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型為0.5~12μm，更典型為1~5μm，再更典型為1.5~5μm，再更典型為2~5μm。再者，亦可於載體之雙面設置極薄銅層。

如上所述，本發明之附載體銅箔之載體其極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下，且極薄銅層側表面之最大高度Ry為2.0μm以下。因此，隔著中間層而設置於該載體之該表面的上述極薄銅層，可使載體側表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值在2.0μm以下。上述「條紋狀凹部」係指在極薄銅層之載體側表面於特定方向延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部。

若極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值為2.0μm以下，則可將附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值控制在2.0μm以下，或可將極薄銅層側表面之最大高度Ry控制在2.0μm以下。因此，可良好地抑制將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於樹脂基板後，剝離去除載體後樹脂基板表面中之「起伏」的產生。故，即便藉由在殘存於樹脂基板上之極薄銅層上形成圖案鍍銅層，接著進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路，亦可抑制樹脂基板表面中之「起伏」的產生，因此超過該電路寬度而生成的銅殘渣被抑制，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

該極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。該極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值之下限並不需要特別限定，典型為0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述「條紋狀凹部」，也就是在極薄銅層之載體側表面中於特定方向(例如，附載體銅箔製造裝置中之載體的進行方向)延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部亦可不存在。於此情形時，極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值表示0.000μm。

可使用本發明之附載體銅箔來製作積層體(覆銅積層體等)。作為該積層體，例如，亦可為「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體」依序積層之構成，亦可為「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體」依序積層之構成，亦可為「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層」依序積層之構成，亦可為「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/極薄銅層/中間層/載體」依序積層之構成，亦可為「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層」依序積層之構成。前述樹脂或預浸體亦可為後述之樹脂層，或亦可含有使用於後述之樹脂層的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。再者，附載體銅箔亦可於俯視時小於樹脂或預浸體。

<粗化處理及其他表面處理>

於極薄銅層之表面，亦可例如為了使與絕緣基板之密合性變良好等， 而藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層等。又，亦可於藉由銅或銅合金形成粗化粒子後，進而進行藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。然後，亦可藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而可對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者亦可不進行粗化處理，而藉由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層組成之群中1種以上的層。再者，上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層亦可分別以複數層形成(例如2層以上、3層以上等)。

例如，作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電解鍍敷，以形成如附著量為15~40mg/dm²之銅-100~3000μg/dm²之鈷-100~1500μg/dm²之鎳之3元系合金層的方式實施。若Co附著量未達100μg/dm²，則存在耐熱性惡化，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm²，則存在如下情況，即，於必須考慮磁性之影響之情形時欠佳，產生蝕刻污漬，又，耐酸性及耐化學品性惡化。若Ni附著量未達100μg/dm²，則存在耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm²，則 存在蝕刻殘留增多之情況。較佳之Co附著量為1000~2500μg/dm²，較佳之鎳附著量為500~1200μg/dm²。此處，所謂蝕刻污漬，係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留，並且，所謂蝕刻殘留，係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。

用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之通常之鍍浴及鍍敷條件之一例如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L

pH值：1~4

溫度：30~50℃

電流密度D_k：20~30A/dm²

鍍敷時間：1~5秒

以上述方式製造具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為本領域業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板，熱壓接後剝離載體而製成覆銅積層板，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，最終製造印刷配線板。

本發明之附載體銅箔亦可於極薄銅層上具備粗化處理層，亦可於粗化處理層上具備一層以上選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中的層。

又，亦可於極薄銅層上具備粗化處理層，亦可於粗化處理層上具備耐 熱層、防銹層，亦可於耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，亦可於鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。

如上所述，本發明之附載體銅箔之載體其極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下，且極薄銅層側表面之最大高度Ry為2.0μm以下。因此，於該載體之該表面隔著中間層設置極薄銅層時，可將該極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高之最大值控制在2.0μm以下、或可將該極薄銅層側表面之最大高度Ry控制在2.0μm以下。上述「條紋狀凸部」係指在極薄銅層側表面於特定方向延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凸部。

本發明之附載體銅箔的極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。再者，附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值之下限並不需要特別限定，典型為0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述「條紋狀凸部」，也就是在附載體銅箔之極薄銅層側表面中於特定方向(例如，附載體銅箔製造裝置中之載體的進行方向)延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凸部亦可不存在。於此情形時，附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值表示0.000μm。

本發明之附載體銅箔之極薄銅層側表面的最大高度Ry較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。再者，附載體銅箔之極薄銅層側表面的最大高度Ry之下限並不需要特別限定，典型為0.001μm以上、或0.005μm以上、或 0.01μm以上。

再者，於本發明中，於在極薄銅層上形成有粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層等表面處理層之情形時，「附載體銅箔之極薄銅層側表面」係指該表面處理層之最表面。

本發明之附載體銅箔於另一態樣中，藉由將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著利用蝕刻來去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。上述「條紋狀凹部」係指在樹脂基板表面於特定方向延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部。藉由此種構成，可良好地抑制樹脂基板表面中之「起伏」的產生，即便藉由在殘存於樹脂基板上之極薄銅層上形成圖案鍍銅層，接著進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路，亦可抑制超過該電路寬度而生成的銅殘渣，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

該樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。再者，樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值的下限並不需要特別限定，典型為0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述「條紋狀凹部」，也就是在樹脂基板表面中於特定方向(例如，於將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於樹脂基板之情形時，貼合於該樹脂基板之附載體銅箔的附載體銅箔製造裝置中之與載體之進行方向平行的方向)延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部亦可不存在。於此情形時，該樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度 之最大值表示0.000μm。

本發明之附載體銅箔於另一態樣中，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率為10條/199572μm²以下，又，上述方法係：將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。上述「條紋狀凹部」係指在樹脂基板表面於特定方向延伸而成為長度在200μm以上之條紋狀的凹部。藉由此種構成，可良好地抑制樹脂基板表面中之「起伏」的產生，即便藉由在殘存於樹脂基板上之極薄銅層上形成圖案鍍銅層，接著進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路，亦可抑制超過該電路寬度而生成的銅殘渣，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

該樹脂基板表面中之平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率頻度較佳為8條/199572μm²以下，更佳為6條/199572μm²以下，再更佳為4條/199572μm²以下。再者，樹脂基板表面中之平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率之下限並不需要特別限定，典型為0條/199572μm²以上、或0.05條/199572μm²以上、或0.1條/199572μm²以上、或0.5條/199572μm²以上、或1條/199572μm²以上。

本發明之附載體銅箔於另一態樣中，將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。此處，「圖案鍍銅層」係指於極薄銅層上例如設置特定形狀之乾膜後，進行 鍍銅處理，於被該乾膜覆蓋之區域中形成為特定圖案的鍍銅層。若自該樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層的厚度之最大值-最小值為2.0μm以下，則即便接著進行快速蝕刻而形成特定寬度之電路，亦可抑制超過該電路寬度而生成的銅殘渣，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

自該樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層的厚度之最大值-最小值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。自樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層的厚度之最大值-最小值的下限並不需要特別限定，典型為0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本發明之附載體銅箔於另一態樣中，係將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，接著，對所露出之極薄銅層表面以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且極薄銅層與圖案鍍銅層之合計厚度成為16.5μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。

(蝕刻條件)

‧蝕刻形式：噴霧蝕刻

‧噴霧噴嘴：實心圓錐型

‧噴霧壓力：0.10MPa

‧蝕刻液溫度：30℃

‧蝕刻液組成： H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

作為添加劑，適量地選自過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之群中的一種以上

剩餘部分為水。

若該上述之快速蝕刻後的自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值為2.0μm以下，則可抑制超過該電路寬度而生成的銅殘渣，可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。

自該樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值較佳為1.8μm以下，更佳為1.6μm以下，再更佳為1.4μm以下，再更佳為1.2μm以下，再更佳為1.0μm以下。上述快速蝕刻後之自樹脂基板的極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值的下限並不需要特別限定，典型為0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本發明之附載體銅箔於另一個態樣，係將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，接著，對所露出之極薄銅層表面以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且極薄銅層與圖案鍍銅層之合計厚度成為16.5μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，從存在鍍銅層之側俯視雙馬來亞醯胺三樹脂基板時，由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的自鍍銅層之電路上端與電路延 伸方向垂直之方向的最大長度為5.0μm以下。

(蝕刻條件)

‧蝕刻形式：噴霧蝕刻

‧噴霧噴嘴：實心圓錐型

‧噴霧壓力：0.10MPa

‧蝕刻液溫度：30℃

‧蝕刻液組成： H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

作為添加劑，適量地選自過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之群中的一種以上

剩餘部分為水。

作為為了理解該「拖尾部」之上述電路的俯視観察照片，舉出圖11。於圖11中，理解銅殘渣自構成電路之特定寬度的鍍銅層朝寬度方向延伸。該延伸部分即為拖尾部，該拖尾部之最大長度即為本發明中之「拖尾部的最大長度」。若該拖尾部的最大長度為5.0μm以下，則可防止因該銅殘渣之影響所產生之電路短路。該拖尾部的最大長度較佳為4.0μm以下，更佳為3.0μm，更佳為2.0μm以下，再更佳為1.0μm以下。該拖尾部的最大長度之下限並不需要特別限定，典型為0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本發明之附載體銅箔亦可於極薄銅層上、或粗化處理層上、 或耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。樹脂層亦可為絕緣樹脂層。

上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用樹脂，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即便以手指接觸其表面亦無黏著感，並可將該絕緣樹脂層重疊保管，若進而受到加熱處理則產生硬化反應之狀態。

又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，例如可將以下樹脂或預浸體列舉為適當的樹脂層，即包含：環氧樹脂，聚醯亞胺樹脂，多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來亞醯胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸酐、液晶聚合物、氟樹脂等。

上述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用含有無機化合物及/或有機化合物之介電體、含有金屬氧化物之介電體等任何介電體)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如亦可使用國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日 本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。

使該等樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，藉由例如輥塗法等將其塗佈於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽皮膜層、或上述矽烷偶合劑層上，繼而視需要進行加熱乾燥將溶劑去除而形成B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。

具備上述樹脂層之附載體銅箔(附有樹脂之附載體銅箔)係以如下態樣使用，即，於使其樹脂層與基材重疊後，將整體熱壓接而使該 樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而使極薄銅層露出(當然露出部分係該極薄銅層於中間層側之表面)，於其上形成特定之配線圖案。

若使用該附有樹脂之附載體銅箔，則可減少多層印刷配線基板之製造時之預浸體材料之使用片數。並且，可將樹脂層之厚度設為如可確保層間絕緣之厚度，或即便完全未使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可於基材之表面底塗絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。

再者，於不使用預浸體材料之情形時，可節約預浸體材料之材料成本，又積層步驟亦得以簡化，因此於經濟方面變得有利，並且存在如下優點：僅以預浸體材料之厚度程度製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。

該樹脂層之厚度較佳為0.1~80μm。若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則接著力下降，於不介隔預浸體材料而將該附有樹脂之附載體銅箔積層於具備內層材料之基材時，存在難以確保與內層材料之電路間的層間絕緣之情況。

另一方面，若使樹脂層之厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗佈步驟而形成目標厚度之樹脂層，花費額外之材料費與步驟數，因此於經濟方面變得不利。進而，形成之樹脂層由於其可撓性較差，因此存在如下情況：操作時易於產生龜裂等，又與內層材料之熱壓接時產生過剩之樹脂流動而難以順利地進行積層。

進而，作為該附有樹脂之附載體銅箔之另一製品形態，亦可於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上 述矽烷偶合處理層上藉由樹脂層進行被覆，使之成為半硬化狀態後，繼而剝離載體，以不存在載體之附樹脂銅箔之形態來製造。

進而，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，而完成印刷電路板。於本發明中，「印刷配線板」亦包括如此搭載有電子零件類之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。

又，可使用該印刷配線板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類之印刷基板製作電子機器。以下，表示若干使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板的製造步驟之例。

於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一方法而形成電路。絕緣基板亦可設為具有內層電路者。

於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之非電解鍍敷，於形成圖案後，使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案之方法。

因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體； 藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂設置穿孔(through hole)或/及盲孔(blind via)；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷抗蝕劑；對上述鍍敷抗蝕劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷抗蝕劑去除；於去除上述鍍敷抗蝕劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷抗蝕劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。

於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層及上述絕緣樹脂基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除； 對藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷抗蝕劑；對上述鍍敷抗蝕劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷抗蝕劑去除；於去除上述鍍敷抗蝕劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷抗蝕劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。

於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層及上述絕緣樹脂基板設置穿孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對藉由利用蝕刻等去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂及包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷抗蝕劑；對上述鍍敷抗蝕劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷抗蝕劑 去除；於去除上述鍍敷抗蝕劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷抗蝕劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層去除。

於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；對藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層上設置鍍敷抗蝕劑；對上述鍍敷抗蝕劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷抗蝕劑去除；於去除上述鍍敷抗蝕劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷抗蝕劑去除；藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。

於本發明中，所謂改良半加成法，係指如下方法：於絕緣層上積層金屬箔，藉由鍍敷抗蝕劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷增加電 路形成部之銅厚後，去除抗蝕劑，藉由(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路。

因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置鍍敷抗蝕劑；於設置上述鍍敷抗蝕劑後，藉由電解鍍敷形成電路；將上述鍍敷抗蝕劑去除；藉由快速蝕刻將因去除上述鍍敷抗蝕劑而露出之極薄銅層去除。

於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置鍍敷抗蝕劑；對上述鍍敷抗蝕劑進行曝光，然後，將形成電路之區域之鍍敷抗蝕劑去除；於去除上述鍍敷抗蝕劑之上述形成電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷抗蝕劑去除； 藉由快速蝕刻等將位於上述形成電路之區域以外之區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。

於本發明中，所謂部分加成法，係指如下方法：於設置導體層而成之基板(視需要開出穿孔或通孔用之孔而成之基板)上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，並視需要設置阻焊劑或鍍敷抗蝕劑後，於上述導體電路上，藉由無電解鍍敷處理對穿孔或通孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板。

因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻抗蝕劑；對上述蝕刻抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述觸媒核，而形成電路；將上述蝕刻抗蝕劑去除；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑或鍍敷抗蝕劑；於未設置上述阻焊劑或鍍敷抗蝕劑之區域設置無電解鍍敷層。

於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之不需要部分，而形成導體圖案之方法。

因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法的一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻抗蝕劑；對上述蝕刻抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層去除而形成電路；將上述蝕刻抗蝕劑去除。

於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，含有如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述穿孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層； 於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻抗蝕劑；對上述蝕刻抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層去除而形成電路；將上述蝕刻抗蝕劑去除。

亦可不進行設置穿孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。

此處，使用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。

首先，如圖2-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。再者，亦可準備具有藉由該步驟而於表面形成有粗化處理層之載體之附載體銅箔(第1層)。

繼而，如圖2-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻為特定之形狀。再者，亦可藉由該步驟而於載體之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻為特定之形狀。

繼而，如圖2-C所示，於形成電路用之鍍層後，將抗蝕劑去除，藉此 形成特定之形狀之電路鍍敷。

繼而，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而自極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第2層)。再者，亦可藉由該步驟而以覆蓋電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於載體上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而自載體側接著另一附載體銅箔(第2層)。

繼而，如圖3-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。

繼而，如圖3-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷露出而形成盲孔。

繼而，如圖4-G所示，於盲孔中埋入銅而形成通孔填充物(via fill)。

繼而，如圖4-H所示，於通孔填充物上，甚至是視需要之情形時於其他部分，如上述圖2-B及圖2-C般形成電路鍍敷。

繼而，如圖4-I所示，自第1層附載體銅箔剝離載體。再者，亦可藉由該步驟自第1層附載體銅箔剝離極薄銅層。

繼而，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將兩表面之極薄銅層去除(於在第2層設置銅箔之情形時為銅箔，於在載體之粗化處理層上設置第1層之電路用鍍敷之情形時，為載體)，而使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。

繼而，如圖5-K所示，於樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以上述方式製作使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板。

上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，亦可使用習知之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，於圖4-H所示之第2層之電路上，可進而形成1層或複數層電路，可藉由半加成 法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法進行該等電路形成。

藉由如上所述之印刷配線板之製造方法，由於成為將電路鍍敷埋入樹脂層中之構成，因此於例如圖5-J所示之利用快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍敷經樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此易於形成微細電路。又，由於電路鍍敷經樹脂層保護，因此耐遷移性提高，而良好地抑制電路之配線之導通。因此，容易形成微細電路。又，於如圖5-J及圖5-K所示般藉由快速蝕刻將極薄銅層去除時，電路鍍敷之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，因此於該電路鍍層上容易形成凸塊，進而於其上容易形成銅柱，而提高製造效率。

再者，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如可使用BT(雙馬來亞醯胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂之玻璃布之預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂(resin)可使用本說明書中記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。

又，上述第一層中使用之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔之表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層中使用之附載體銅箔受到支撐，不易形成褶皺，因此具有生產性提高之優點。再者，上述基板或樹脂層只要具有支撐上述第一層中使用之附載體銅箔之效果，則可使用所有基板或樹脂層。例如，作為上述基板或樹脂層，可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。

進而，藉由將電子零件類搭載在本發明的印刷配線板而完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」亦包含以此方式搭載有電子零件類之印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。

又，可使用該印刷配線板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板製作電子機器，亦可使用該搭載有電子零件類的印刷基板製作電子機器。

又，本發明之印刷配線板的製造方法亦可為包括以下步驟之印刷配線板的製造方法(無芯(coreless)法)：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在與和上述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔之表面，至少設置一次樹脂層及電路此兩層；以及在形成上述樹脂層及電路此兩層之後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。關於該無芯法，作為具體示例，首先將本發明之附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層。然後，在與和樹脂基板積層之極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔之表面形成樹脂層。於形成在載體側表面或極薄銅層側表面之樹脂層，亦可進而從載體側或極薄銅層側積層另一個附載體銅箔。在此情形時，成為如下構成：以樹脂基板為中心，在該樹脂基板之兩表面側依照載體/中間層/極薄銅層之順序或極薄銅層/中間層/載體之順序積層有附載體銅箔。在露出兩端之極薄銅層或載體的表面，可設置另一個樹脂層並進而設置銅層或金屬層，然後，藉由對該銅層或金屬層進行加工而形成電路。進而，亦可在該電路上以埋入該電路之方式設置另一個樹脂層。又，亦可進行一次以上之形成此種電路及樹脂層 (增層法)。然後，對以此種方式形成之積層體(以下，亦稱為積層體B)，可將各個附載體銅箔之極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。再者，製作上述無芯基板時，還可使用兩個附載體銅箔來製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成的積層體、具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體之構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層之構成的積層體，並將該積層體用作中心。可在這些積層體(以下，亦稱為積層體A)之兩側的極薄銅層或載體的表面將樹脂層及電路此兩層設置一次以上，且在設置一次以上樹脂層及電路此兩層後，將各個附載體銅箔之極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。上述積層體亦可在極薄銅層之表面、載體之表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，在本說明書中，「極薄銅層之表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體之表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體之表面」、「積層體表面」是設為以下的概念：於極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，包含該其他層之表面(最表面)。又，積層體較佳為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成。其原因在於：使用該積層體來製作無芯基板時，由於在無芯基板側配置極薄銅層，所以變得易於使用改良半加成法在無芯基板上形成電路。而且原因在於：由於極薄銅層之厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，在去除極薄銅層後，變得易於使用半加成法在無芯基板上形成電路。

再者，在本說明書中，未特別記載為「積層體A」或「積層體B」之「積 層體」表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。

再者，在上述無芯基板之製造方法中，藉由以樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)之端面的一部分或全部而利用增層法製造印刷配線板時，可防止藥液滲入構成中間層或積層體之一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，可防止因藥液滲入所導致之極薄銅層與載體之分離或附載體銅箔的腐蝕，從而可提高產率。作為此處所使用的「覆蓋附載體銅箔之端面的一部分或全部之樹脂」或「覆蓋積層體之端面的一部分或全部之樹脂」，可使用能用於樹脂層的樹脂。而且，在上述無芯基板之製造方法中，在附載體銅箔或積層體中，亦可為俯視時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)外周的至少一部分被樹脂或預浸體覆蓋。又，利用上述無芯基板之製造方法所形成之積層體(積層體A)亦可使一對附載體銅箔可相互分離地接觸而構成。又，在該附載體銅箔中，亦可為俯視時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)遍及整個外周地被樹脂或預浸體覆蓋而成。藉由設為這種構成，在俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體之積層部分被樹脂或預浸體所覆蓋，可防止其他部件從該部分的側方向、即相對於積層方向為橫向之方向發生碰撞，結果可減少操作中之載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。而且，藉由以不露出附載體銅箔或積層體之積層部分的外周之方式以樹脂或預浸體覆蓋，可防止如上所述的在藥液處理步驟中藥液滲入該積層部分之介面，可防止附載體銅箔之腐蝕或侵蝕。此外，從積層體之一對附載體銅箔將一個附載體銅箔分離時、 或將附載體銅箔之載體與銅箔(極薄銅層)分離時，必須藉由切斷等將利用樹脂或預浸體所覆蓋的附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)去除。

亦可將本發明之附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層到另一個本發明之附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。又，亦可為將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。又，亦可將上述一個附載體銅箔之載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。此處，該「接合」在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，亦包含隔著該表面處理層而相互接合的態樣。又，亦可為該積層體之端面的一部分或全部被樹脂所覆蓋。

載體彼此的積層除僅重疊以外，例如可利用以下方法進行。

(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、焊料接合；(b)機械接合方法：斂合、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘(self-piercing rivet)的接合、利用鉚釘的接合)、縫合機；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)黏著帶

可藉由使用上述接合方法將一個載體之一部分或全部與另一個載體之一部分或全部進行接合，而將一個載體與另一個載體積層，製造使載體彼此可分離地接觸而構成的積層體。在將一個載體與另一個載體 輕微接合而將一個載體與另一個載體積層的情況下，即使不去除一個載體與另一個載體的接合部，一個載體與另一個載體亦可分離。又，在將一個載體與另一個載體牢固接合的情況下，可藉由利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除一個載體與另一個載體接合的部位，而將一個載體與另一個載體分離。

另外，可藉由實施以下步驟而製作印刷配線板：在以這種方式構成之積層體至少設置一次樹脂層及電路此兩層；以及在至少形成一次上述樹脂層及電路此兩層後，從上述積層體之附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體。此外，亦可在該積層體的一個或兩個表面設置樹脂層及電路此兩層。

【實施例】

以下雖然藉由本發明之實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不因該等實施例而受到任何限制。

1.附載體銅箔之製作 (實施例1~13、比較例1~8)

準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)。接著，藉由表1中所記載之電解滾筒表面控制條件來研磨該電解滾筒之表面。

於電解滾筒表面之控制後，藉由以下條件來測定該表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值。

‧利用溶劑(丙酮)使樹脂膜(聚氯乙烯)膨脹。

‧使上述膨脹後之樹脂膜接觸電解滾筒表面，使丙酮自樹脂膜揮發後剝離樹脂膜，採集電解滾筒表面之複製品。

‧利用雷射顯微鏡觀察該複製品，測定表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值，將該最大值設為電解滾筒之表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值。

接著，於電解槽中，設置上述電解滾筒與和滾筒周圍隔著特定之極間距離的電極。再來，於電解槽中藉由下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉一邊使銅析出於該電解滾筒表面。

<電解液組成>

銅：80~110g/L

硫酸：70~110g/L

氯：10~100質量ppm

<製造條件>

電流密度：50~200A/dm²

電解液溫度：40~70℃

電解液線速：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

接著，剝離取出析出於旋轉中之電解滾筒表面的銅，連續地製造厚度18μm之電解銅箔，將其設為銅箔載體。

再者，關於比較例8，使用對比較例1中所製成之銅箔載體進行以下處理而得之銅箔載體。

利用機械研磨將表面之十點平均粗糙度Rz為8.2μm(JIS B0601 1994)之銅箔載體形成為粗糙度Rz 1.1μm，使用於氰化銅(I)：65g/L

遊離氰化鈉：25g/L

中微量地加入添加劑而成之光澤銅鍍浴；將電流密度設為34/dm²，將鍍敷時間設為3分鐘，進行鍍敷而使Rz成為0.44μm。

(實施例21、22、比較例21~24)

準備精加工壓延輥，對該精加工壓延輥之表面利用表2所示之拋光研磨條件進行研磨。

接著，準備厚度70μm之壓延銅箔(精銅、JIS H3100 C1100)，對該壓延銅箔，使其含浸於尼龍製之不織布中含有表2所記載之粒度地研磨磨石用研磨材的樹脂並乾燥後，使用積層將該不織布貫穿成圓形而得之圓形不織布盤而製成之拋光輪，以表2之條件進行拋光研磨。再者，研磨粒之粒度係依據JIS R6001(1998)。此外，壓延銅箔之輸送速度設為50cm/min。藉此獲得銅箔載體。

接著，對所得到之電解銅箔載體之電解滾筒側之表面(光澤面)、壓延銅箔載體(於進行拋光研磨之情形時，係對進行了拋光研磨之壓延銅箔載體之表面)，分別利用以下條件來形成中間層。

首先，藉由以下條件利用輥對輥(roll to roll)型連續鍍敷線來進行電鍍，藉此形成附著量為4000μg/dm²之Ni層。

‧Ni層

硫酸鎳：250~300g/L

氯化鎳：35~45g/L

乙酸鎳：10~20g/L

檸檬酸三鈉：15~30g/L

光澤劑：糖精、丁二醇等

十二烷基硫酸鈉：30~100ppm

pH值：4~6

浴溫：50~70℃

電流密度：3~15A/dm²

水洗及酸洗後，接著於輥對輥型之連續鍍敷線上，利用以下條件進行電解鉻酸鹽處理，藉此使附著量為11μg/dm²之Cr層附著於Ni層上。

‧電解鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L

pH值：3~4

液溫：50~60℃

電流密度：0.1~2.6A/dm²

庫倫量：0.5~30As/dm²

於形成中間層後，利用以下條件於中間層上進行電鍍，藉此形成表中所記載之厚度的極薄銅層，而製成附載體銅箔。

‧極薄銅層

銅濃度：30~120g/L

H₂SO₄濃度：20~120g/L

電解液溫度：20~80℃

電流密度：10~100A/dm²

再者，實施例1~6、21、比較例1~3、21、22中，於極薄銅層上進而設置粗化處理層、耐熱處理層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層。

‧粗化處理

Cu：10~20g/L

Co：1~10g/L

Ni：1~10g/L

pH值：1~4

溫度：40~50℃

電流密度Dk：20~30A/dm²

時間：1~5秒

Cu附著量：15~40mg/dm²

Co附著量：100~3000μg/dm²

Ni附著量：100~1000μg/dm²

‧耐熱處理

Zn：0~20g/L

Ni：0~5g/L

pH：3.5

溫度：40℃

電流密度Dk：0~1.7A/dm²

時間：1秒

Zn附著量：5~250μg/dm²

Ni附著量：5~300μg/dm²

‧鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2~10g/L

NaOH或KOH：10~50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0.05~10g/L

pH值：7~13

浴溫：20~80℃

電流密度0.05~5A/dm²

時間：5~30秒

Cr附著量：10~150μg/dm²

‧矽烷偶合處理

乙烯基三乙氧基矽烷水溶液

(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)

pH值：4~5

時間：5~30秒

2.附載體銅箔之評價 <載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值>

在壓力：20kgf/cm²、於220℃中2時間之條件下，將各實施例、比較例之附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係該表面處理後之附載體銅箔)自極薄銅層側加熱壓製於預浸體(雙馬來亞醯胺三樹脂基材)後，自附載體銅箔剝離載體，使用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)利用以下之測定條件對該 載體之極薄銅層側表面進行測定。

<測定條件>

截止值：無

基準長度：257.9μm

基準面積：66524μm²

測定環境溫度：23~25℃

再者，對奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000進行以下設定。關於「修正線數據」之設定，點擊測定面板之(修正處理)按鈕，針對修正處理之種類，選擇「修正斜率」。接著，關於「去除線數據之雜訊」之設定，點擊測定面板之(雜訊去除)按鈕，針對去除範圍，選擇「全範圍」。

之後，使用如圖6所示之解析軟體(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000所附加的解析軟體ver.2.2.4.1)來製成3D影像，確認有無條紋狀凸部，上述解析軟體係用以解析利用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)所得之測定數據。作為該3D影像，根據利用非接觸式粗糙度測定機對上述載體之極薄銅層側表面進行測定而得之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)之測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像。

再者，計算可以目視確認之長度為200μm以上的條紋狀凸部中之平均高度2.0μm以上者，計算測定視野中之條數及平均高度。使測定視野之一邊與MD方向(電解銅箔製造設備中之電解銅箔的進行方向、壓延設備中 之壓延銅箔的進行方向)平行而進行測定。TD方向係與MD方向垂直之方向(載體之寬度方向)。

再者，載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值之測定，係以下述般進行。

‧根據在與MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表(圖7)，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部(例如條紋狀凸部1)之該部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與該部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為該部位中之條紋狀凸部的高度。然後，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為該條紋狀凸部的平均高度。再者，上述奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000中所使用的CCD攝影元件的像素為1024×1024。因此，圖7之橫軸方向的測定間距係0.25μm(=257.9μm/1024像素)。然後，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將該最大值設為載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。

<載體之極薄銅層側表面的最大高度Ry>

在壓力：20kgf/cm²、於220℃中2時間之條件下，將各實施例、比較例之附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係該表面處理後之附載體銅箔)自極薄銅層側加熱壓製於預浸體(雙馬來亞醯胺三樹脂基材)後，自附載體銅箔剝離載體，使用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)，根據JIS B0601-1994，利 用以下之測定條件針對該載體之極薄銅層側表面測定Ry。又，亦對形成中間層前之形成載體之中間層之側的表面之Ry進行測定。再者，形成中間層前之形成載體之中間層之側的表面之Ry的值，係與下述Ry為相同值，該Ry係：在壓力：20kgf/cm²、於220℃中2時間之條件下，將對極薄銅層施加有表面處理後之附載體銅箔自極薄銅層側加熱壓製於預浸體(雙馬來亞醯胺三樹脂基材)後，自附載體銅箔剝離載體，針對該載體之極薄銅層側表面進行測定而得者。

<測定條件>

基準長度：257.9μm

測定環境溫度：23~25℃

<極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值>

在壓力：20kgf/cm²、於220℃中2時間之條件下，將各實施例、比較例之附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係該表面處理後之附載體銅箔)自極薄銅層側加熱壓製於預浸體(雙馬來亞醯胺三樹脂基材)後，自附載體銅箔剝離載體，使用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)利用以下之測定條件對所露出之極薄銅層表面進行測定。

<測定條件>

截止值：無

基準長度：257.9μm

基準面積：66524μm²

測定環境溫度：23~25℃

再者，對奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000進行以下設定。關於「修正線數據」之設定，點擊測定面板之(修正處理)按鈕，針對修正處理之種類，選擇「修正斜率」。接著，針對「去除線數據之雜訊」之設定，點擊測定面板之(雜訊去除)按鈕，關於去除範圍，選擇「全範圍」。

之後，使用如圖8所示之解析軟體(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000所附加的解析軟體ver.2.2.4.1)來製成3D影像，確認有無條紋狀凹部，上述解析軟體係用以解析利用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)所得之測定數據。作為該3D影像，根據利用非接觸式粗糙度測定機對上述載體之極薄銅層側表面進行測定而得之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)之測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像。

再者，計算可以目視確認之長度為200μm以上的條紋狀凹部中之平均深度2.0μm以上者，計算測定視野中(三個視野(199572μm²=66524μm²×3))之條數及平均深度。使測定視野之一邊與MD方向(電解銅箔製造設備中之電解銅箔的進行方向、壓延設備中之壓延銅箔的進行方向)平行而進行測定。

再者，極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值係以下述方法進行測定。

‧根據在與MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位 置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表(圖9)，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凹部(例如條紋狀凹部1)之部位之高度為最低之部位中的高度L_L1從該部位之兩側20μm之範囲中高度為最高之部位的高度L_H1減去，從而得到之值△L₁=L_H1-L_L1設為該部位中之條紋狀凹部的深度。然後，將以32μm之間距測得之各條紋狀凹部中之△L的算術平均值設為該條紋狀凹部的平均深度。然後，針對三個視野中各條紋狀凹部求出平均深度，測定三個視野中之條紋狀凹部的平均深度之最大值(μm)，將該最大值設為極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值。

<附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值>

測定附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值。對於在極薄銅層表面形成有粗化處理層等之表面處理層者，對該表面處理層表面進行測定。該附載體銅箔之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值，係利用與上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值之測定方法相同的條件來進行。

<附載體銅箔之極薄銅層側表面的Ry>

使用非接觸式粗糙度測定機(奧林巴斯公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS 4000)，根據JIS B0601-1994利用以下之測定條件來測定附載體銅箔之極薄銅層側表面之Ry。對於在極薄銅層表面形成有粗化處理層等之表面處理層者，對該表面處理層表面進行測定。

<測定條件>

截止值：無

基準長度：257.9μm

測定環境溫度：23~25℃

<樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值>

將附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係於該表面處理後)自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，接著對藉由利用蝕刻去除極薄銅層而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值(μm)進行測定。該樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均高度之最大值，係利用與上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值之測定方法相同的條件來進行。

<樹脂基板表面之條紋狀凹部的頻率>

在壓力：20kgf/cm²、於220℃中2時間之條件下，將附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係該表面處理後)自極薄銅層側加熱壓製於預浸體(雙馬來亞醯胺三樹脂基材)後，剝離上述載體，接著對藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂基板表面中之平均深度在2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率(條/199572μm²)進行測定。再者，於樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值未達2.0μm之情形時，對上述樹脂基板表面中之平均深度在1.2μm以上之條紋狀凹部的頻率(條/199572μm²)進行測定。另外，於樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值未達2.0μm之情形時，平均深度在2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率(條/199572μm²)為0條/199572μm²。

再者，關於此處所測定之「條紋狀凸部」、「條紋狀凹部」、「條 紋狀凸部之平均高度的最大值」、「條紋狀凹部之平均深度最大值」、「平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率」、「平均深度為1.2μm以上之條紋狀凹部的頻度」，以下進行補充說明。例如關於圖6之3D影像所顯示之條紋狀凸部，於與MD方向垂直之方向(TD方向)中，顯示自觀察視野之基準(設為0μm)至128μm附近之位置中生成有條紋狀凸部，此係對應於圖7所示之圖表的橫軸之128μm附近的條紋狀凸部1等。如上所述，「條紋狀凸部之平均高度的最大值」、「條紋狀凹部之平均深度最大值」係顯示於圖7及圖9所示之圖表中而進行測定。然後，如上述圖7及圖9之圖表所示，單純地顯示與MD方向垂直之方向(TD方向)的各位置和於此位置所測得之高度(或深度)。因此，可明確地測定本發明之「條紋狀凸部的平均高度之最大值」、「條紋狀凹部之平均深度最大值」。又，如上所述，關於「條紋狀凸部」、「條紋狀凹部」，規定以雷射顯微鏡觀察並以目視觀察者。然後，於在銅箔表面生成有「條紋狀凸部」、「條紋狀凹部」之情形，係凸部或凹部並非形成點而是形成延伸條紋之狀態，其可輕易地判別。因此，針對究竟是剖面之凹凸是條紋狀凹凸者，或是並非為條紋狀之凹凸者一事要如何地進行判定是明確的。

又，如同「平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率」、「平均深度為1.2μm以上之條紋狀凹部的頻度」之記載，此處的「平均深度」係表示「條紋狀凹部之平均深度」。又，如上所述，此處由於對每一條條紋狀凹部測定平均深度，因此可得到於各測定視野中條紋狀凹部的條數量之測定結果。因此，該條紋狀凹部之「頻率」明確。

<自樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層的厚度之最 大值-最小值>

將附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係於該表面處理後之附載體銅箔)自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，接著對所露出之極薄銅層表面以L/S=21μm/9μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層(極薄銅層與圖案鍍銅層之厚度合計為16.5μm)，此時，測定藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至圖案鍍銅層之厚度的最大值-最小值(μm)。該最大值-最小值如上所述，係使用如同圖10所說明之方法來進行。關於該最大值-最小值，係拍攝五個部位之剖面，求出各剖面之最大值-最小值，將當中成為最大之值設為該最大值-最小值。

<自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值，及拖尾部之最大長度>

將附載體銅箔(施加有對極薄銅層之表面處理的附載體銅箔係於該表面處理後之附載體銅箔)自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm。接著，對所露出之極薄銅層表面(或是對所露出之極薄銅層表面進行蝕刻而使極薄銅層之厚度成為1.5μm之極薄銅層表面、或是對所露出極薄銅層表面進行鍍銅而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm之極薄銅層表面)以L/S=21μm/9μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層(極薄銅層與圖案鍍銅層之厚度合計為16.5μm)，然 後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層。接著，藉由剖面觀察，測定自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值(μm)。該最大值-最小值如上所述，係使用如同圖10所說明之方法來進行。關於該最大值-最小值，係拍攝五個部位之剖面，求出各剖面之最大值-最小值，將當中成為最大之值設為該最大值-最小值。

又，藉由俯視觀察，測定於俯視觀察時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的自鍍銅層之電路上端與電路延伸方向垂直之方向的最大長度(μm)，對生成有拖尾部之各部位進行相同的測定，採用最大長度為最大者。觀察係使用SEM以1000倍進行觀察後，觀察三個100μm×100μm之區域。

(蝕刻條件)

‧蝕刻形式：噴霧蝕刻

‧噴霧噴嘴：實心圓錐型

‧噴霧壓力：0.10MPa

‧蝕刻液溫：30℃

‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

添加劑JCU股份有限公司製造之FE-830IIW3C適量

剩餘部分為水

再者，關於此處所測定之「至圖案鍍銅層之最高的上端部之厚度的最大值-最小值」、「自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值」，以下進行補充說明。關於「至圖案鍍銅層之最高的上端部之厚度的最大值-最小值」、「自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值」之各規定，藉由圖10所示之極薄銅層與樹脂層之觀察剖面，可清楚觀察範圍。也就是說，根據圖10可知，電路係朝著其延伸的方向被傾斜地切斷。然後，針對該電路之觀察範圍，若從此圖10之電路的剖面之左端(下述圖10之位置A)與右端(下述圖10之位置B)來看就可明白。可明白：於上述圖10中，電路之剖面的左端(位置A)係比下層之樹脂基板凹陷的部分更前面，其相當於俯視電路所得之下述圖11的觀察剖面之起始位置A。又，可明白：於上述圖10中，電路之剖面的右端(位置B)位於自位置A朝傾斜的方向切斷所得之剖面的端部，且，以上述圖10之B所表示之圓形框所框起來的極薄銅層與樹脂基板之界面中的極薄銅層(電路)之厚度漸漸地變薄，自某個位置起之後變厚。因此，可知：於上述圖10，電路之剖面的右端(位置B)對應於下述圖11所示之稍微超過電路之右端的樹脂基板的凹陷之位置B。因此，「至圖案鍍銅層之最高的上端部之厚度的最大值-最小值」、「自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層的厚度之最大值-最小值」的觀察範圍明確。

將試驗條件及試驗結果示於表1及2。

Claims (57)

1. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由利用下述(1)~(3)所規定之測定方法而測得之上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下；(1)於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下將上述附載體銅箔自極薄銅層側加熱壓製於雙馬來亞醯胺三樹脂基材後，自附載體銅箔剝離載體，對上述載體之極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像；(2)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部；(3)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。
2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與 極薄銅層，上述載體之極薄銅層側表面的最大高度Ry為2.0μm以下。
3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。
4. 如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。
5. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其中，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由利用下述(4)~(6)所規定之測定方法而測得之上述極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下；(4)對上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像；(5)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部； (6)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。
7. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由利用下述(4)~(6)所規定之測定方法而測得之上述極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下；(4)對上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像；(5)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部；(6)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度 為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。
8. 如申請專利範圍第1至5及7項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其中，上述極薄銅層側表面之最大高度Ry為2.0μm以下。
9. 如申請專利範圍第1至5及7項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
10. 如申請專利範圍第1至5及7項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率為10條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接 著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
11. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
12. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率為10條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
13. 如申請專利範圍第1至5、7、11及12項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為1.2μm以上之條紋狀凹部的頻率為8條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
14. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為1.2μm以上之 條紋狀凹部的頻率為8條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
15. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。
16. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，上述載體之厚度為5~70μm。
17. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，於上述極薄銅層表面及上述載體表面之任一者或兩者具有粗化處理層。
18. 如申請專利範圍第17項之附載體銅箔，其中，上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任一種以上之合金構成的層。
19. 如申請專利範圍第17項之附載體銅箔，其中，於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層。
20. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅 箔，其中，於上述極薄銅層之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層。
21. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
22. 如申請專利範圍第17項之附載體銅箔，其中，於上述粗化處理層上具備樹脂層。
23. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中，於選自由上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。
24. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，於選自由上述粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中1種以上的層上，具備樹脂層。
25. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其於上述載體之一面依序具有中間層及極薄銅層，於上述載體之與上述極薄銅層側之表面相反側之面，設置有上述粗化處理層。
26. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，於上述載體之兩面依序具有中間層及極薄銅層。
27. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值為1.6μm以下。
28. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅 箔，其中，上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值為1.6μm以下。
29. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其中，上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面的條紋狀凸部之平均高度的最大值為1.6μm以下。
30. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，其藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為1.6μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層。
31. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12及14項中任一項之附載體銅箔，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。
32. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下。
33. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12、14及32項中任一項之附載 體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下；(蝕刻條件)‧蝕刻形式：噴霧蝕刻‧噴霧噴嘴：實心圓錐(full cone)型‧噴霧壓力：0.10Mpa‧蝕刻液溫度：30℃‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L H₂SO₄ 92g/L Cu 8g/L具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%剩餘部分為水。
34. 如申請專利範圍第33項之附載體銅箔，其中，對上述圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為1.6μm以下。
35. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下；(蝕刻條件)‧蝕刻形式：噴霧蝕刻‧噴霧噴嘴：實心圓錐型‧噴霧壓力：0.10Mpa‧蝕刻液溫度：30℃‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L H₂SO₄ 92g/L Cu 8g/L具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%剩餘部分為水。
36. 如申請專利範圍第35項之附載體銅箔，其中，對上述圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為1.6μm以下。
37. 如申請專利範圍第1至5、7、11、12、14、32及35項中任一項之附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為5.0μm以下；(蝕刻條件) ‧蝕刻形式：噴霧蝕刻‧噴霧噴嘴：實心圓錐型‧噴霧壓力：0.10Mpa‧蝕刻液溫度：30℃‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L H₂SO₄ 92g/L Cu 8g/L具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%剩餘部分為水。
38. 如申請專利範圍第37項之附載體銅箔，其中，對上述圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為3.8μm以下。
39. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21 μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為5.0μm以下；(蝕刻條件)‧蝕刻形式：噴霧蝕刻‧噴霧噴嘴：實心圓錐型‧噴霧壓力：0.10Mpa‧蝕刻液溫度：30℃‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L H₂SO₄ 92g/L Cu 8g/L具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol%剩餘部分為水。
40. 一種附載體銅箔，依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其滿足下述A~I之兩個以上；A：藉由利用下述(1)~(3)所規定之測定方法而測得之上述載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下；(1)於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下將上述附載體銅箔 自極薄銅層側加熱壓製於雙馬來亞醯胺三樹脂基材後，自附載體銅箔剝離載體，對上述載體之極薄銅層側表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像；(2)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部；(3)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為載體之極薄銅層側表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值；B：上述極薄銅層之載體側表面的條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下；C：上述極薄銅層側表面之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下； D：藉由下述方法而露出之樹脂基板表面之條紋狀凹部的平均深度之最大值為2.0μm以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層；E：藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為2.0μm以上之條紋狀凹部的頻率為10條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層；F：藉由下述方法而露出之樹脂基板表面中，平均深度為1.2μm以上之條紋狀凹部的頻率為8條/199572μm²以下，又，上述方法係：藉由於壓力：20kgf/cm²、220℃中2小時之條件下進行加熱壓製而將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著藉由蝕刻來去除上述極薄銅層；G：將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離上述載體，接著於露出之極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自上述樹脂基板之極薄銅層側表面至上述圖案鍍銅 層之最高上端部之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下；H：將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用以下之條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由剖面觀察而得到之自樹脂基板之極薄銅層側表面至鍍銅層之厚度的最大值-最小值為2.0μm以下；(蝕刻條件)‧蝕刻形式：噴霧蝕刻‧噴霧噴嘴：實心圓錐型‧噴霧壓力：0.10Mpa‧蝕刻液溫度：30℃‧蝕刻液組成：H₂O₂ 18g/L H₂SO₄ 92g/L Cu 8g/L具有過氧化氫穩定劑及電路形狀穩定劑之功能的添加劑0.4vol% 剩餘部分為水；I：將上述附載體銅箔自極薄銅層側貼合於雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，剝離載體，於極薄銅層之厚度比1.5μm厚的情形時，對露出之極薄銅層表面進行蝕刻，而使極薄銅層之厚度成為1.5μm，於極薄銅層之厚度比1.5μm薄的情形時，對露出之極薄銅層表面進行鍍銅，而使極薄銅層與鍍銅之合計厚度成為1.5μm，接著，對所露出之極薄銅層表面(於進行蝕刻或鍍銅之情形時，進行了蝕刻或鍍銅之表面)以L(線)/S(間距)=21μm/9μm且圖案鍍銅層之厚度成為15μm的方式形成寬度為21μm之圖案鍍銅層，然後利用上述蝕刻條件，對圖案鍍銅層進行快速蝕刻直至成為電路上端之寬度為15μm之鍍銅層，此時，藉由俯視觀察而得到之於俯視觀察時由自鍍銅層之寬度為15μm之電路上端朝與電路延伸方向垂直之方向延伸的銅殘渣所構成之拖尾部的最大長度為5.0μm以下。
41. 一種積層體，其係使用申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔而製得。
42. 一種積層體，其含有申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔與樹脂，上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
43. 一種積層體，其係將一個申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔自上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成者。
44. 如申請專利範圍第43項之積層體，其中，上述一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔之上述載體 側表面或上述極薄銅層側表面，視需要經由接著劑而直接積層構成。
45. 如申請專利範圍第43項之積層體，其中，上述一個附載體銅箔之上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔之上述載體或上述極薄銅層接合。
46. 如申請專利範圍第43項之積層體，其中，其中，上述積層體之端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。
47. 一種印刷配線板之製造方法，其使用有申請專利範圍第41至46項中任一項之積層體。
48. 一種印刷配線板之製造方法，其包含下述步驟：於申請專利範圍第41至46項中任一項之積層體至少設置一次樹脂層與電路此兩層；及於至少形成一次上述樹脂層與電路此兩層後，自上述積層體之附載體銅箔剝離上述極薄銅層或上述載體。
49. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔製造而成者。
50. 一種電子機器，其係使用申請專利範圍第49項之印刷配線板製造而成者。
51. 一種附載體銅箔之製造方法，其使用表面的條紋狀凹部之平均深度的最大值為2.0μm以下的電解滾筒而製造電解銅箔載體，於上述電解銅箔載體之光澤面，依序設置中間層與極薄銅層。
52. 一種附載體銅箔之製造方法，其係準備藉由利用下述(7)~(9)所規定之測定方法而測得之至少一個表面中之條紋狀凸部的平均高度之最大值為2.0μm以下的載體，於上述載體之上述表面依序設置中間層與極薄 銅層；(7)對上述載體表面以非接觸式粗糙度測定機進行測定，根據所得到之各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成X軸為TD方向位置(μm)、Y軸為MD方向位置(μm)、Z軸為高度(μm)之3D影像；(8)接著，確認上述3D影像中長度為200μm以上的條紋狀凸部；(9)上述測定視野係將其視野之一邊設為與MD方向平行，根據在與上述MD方向垂直之方向以32μm之間距而得之各TD方向位置(μm)中之高度(μm)的測定數據，製成横軸為TD方向位置(μm)、縦軸為高度(μm)之圖表，將所得到之圖表中之相當於上述條紋狀凸部之部位之高度為最高之部位中的高度H_H1與上述部位之兩側20μm之範囲中高度為最低之部位的高度H_L1之差△H₁=H_H1-H_L1設為上述部位中之條紋狀凸部的高度，將以32μm之間距測得之各條紋狀凸部中之△H的算術平均值設為上述條紋狀凸部的平均高度，針對三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中之條紋狀凸部的平均高度之最大值(μm)，將上述最大值設為載體表面的條紋狀凸部的平均高度之最大值。
53. 一種印刷配線板之製造方法，其包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路。
54. 一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：於申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於形成上述樹脂層後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；及將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒於上述樹脂層之電路露出。
55. 一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：於申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；及將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒於上述樹脂層之電路露出。
56. 一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：將申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層； 於與和上述附載體銅箔之樹脂基板積層之側相反側的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面，至少設置一次樹脂層與電路此兩層；及於形成上述樹脂層及電路此兩層後，自上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。
57. 一種印刷配線板之製造方法，其含有下述步驟：將申請專利範圍第1至40項中任一項之附載體銅箔之上述載體側表面與樹脂基板積層；於與和上述附載體銅箔之樹脂基板積層之側相反側的上述極薄銅層側表面，至少設置一次樹脂層與電路此兩層；及於形成上述樹脂層及電路此兩層後，自上述附載體銅箔剝離上述極薄銅層。