CN105101627A - 附载体铜箔及其制造方法、印刷配线板及其制造方法、积层体、电子机器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种附载体铜箔，其在贴合于树脂基板并剥离去除载体后，在极薄铜层上形成特定的电路时，良好地抑制了超过该电路宽度的铜残渣的产生。本发明的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下。

Description

附载体铜箔及其制造方法、印刷配线板及其制造方法、积层体、电子机器

技术领域

本发明关于一种附载体铜箔、印刷配线板、积层体、电子机器、附载体铜箔的制造方法，及印刷配线板的制造方法。

背景技术

印刷配线板通常是在使绝缘基板接着于铜箔而制成覆铜积层板之后，经过利用蚀刻而在铜箔面形成导体图案的步骤而制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增长，搭载零件的高密度构装化或信号的高频化随之发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(窄间距化)或高频对应等。

对应于窄间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破损或产生皱褶，因此出现了附载体铜箔，其将具有厚度的金属箔用作载体，并隔着剥离层使极薄铜层电沉积到金属箔。将极薄铜层的表面贴合到绝缘基板并进行热压接后，隔着剥离层将载体剥离去除。在露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案之后，形成特定的电路(专利文献1等)。

[专利文献1]WO2004/005588号。

发明内容

附载体铜箔是在如上述般将极薄铜层的表面贴合到树脂基板并进行热压接(加热压制)后，将载体剥离去除而使用。进一步，在剥离去除载体后，将图案镀铜层设置在残存在树脂基板上的极薄铜层上，通过对极薄铜层及图案镀铜层进行快速蚀刻(flashetching)，而可形成所欲的电路。

但是，以往在如上所述般将极薄铜层的表面贴合到树脂基板并进行热压接后将载体剥离去除，由此在树脂基板上设置极薄铜层时，会有树脂基板的表面粗糙，生成较大的起伏的情况。此时所生成的树脂基板表面的起伏会在使用于电路基板时成为引起问题的主因。以下使用图具体地说明。

图1(a)是表示剥离去除载体后的树脂基板(例如，预浸体)上所残存的极薄铜层(例如，在极薄铜层表面形成有粗化处理层)。此时，在树脂基板表面生成较大的起伏。接着，如图1(b)所示，在残存在树脂基板上的极薄铜层上设置特定形状的干膜(DF)后，进行镀铜处理，在未被干膜(DF)所被覆的区域形成图案镀铜层。再来，如图1(c)所示，剥离去除干膜(DF)。此时，设置于树脂基板较大的起伏上的镀铜层的厚度变得比周围厚。继而，如图1(d)所示，通过进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，但此时会产生下述问题：在与树脂基板的较大起伏相对应的区域会超过该电路宽度而产生铜残渣，受该铜残渣的影响电路会短路。

因此，本发明的主题在于：提供一种附载体铜箔，其在贴合于树脂基板并剥离去除载体后，在极薄铜层上形成特定的电路时，良好地抑制了超过该电路宽度的铜残渣的产生。

本发明在一个方面，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过利用下述(1)～(3)所规定的测定方法而测得的上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下。

(1)在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下将上述附载体铜箔自极薄铜层侧加热压制在双马来亚酰胺三嗪树脂基材后，自附载体铜箔剥离载体，对上述载体的极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成X轴为TD方向位置(μm)、Y轴为MD方向位置(μm)、Z轴为高度(μm)的3D影像。

(2)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部。

(3)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成横轴为TD方向位置(μm)、纵轴为高度(μm)的图表，将所得到的图表中的相当在上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值(μm)，将上述最大值设为载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

本发明的附载体铜箔在一实施方案中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，上述载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。

本发明的附载体铜箔在另一实施方案中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。

本发明的附载体铜箔在另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过利用下述(4)～(6)所规定的测定方法而测得的上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下。

(4)对上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成X轴为TD方向位置(μm)、Y轴为MD方向位置(μm)、Z轴为高度(μm)的3D影像。

(5)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部。

(6)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成横轴为TD方向位置(μm)、纵轴为高度(μm)的图表，将所得到的图表中的相当在上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值(μm)，将上述最大值设为极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率为10条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频率为8条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述载体的厚度为5～70μm。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述极薄铜层表面及上述载体表面的任一者或两者具有粗化处理层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述粗化处理层是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任一种以上的合金构成的层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述极薄铜层的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述极薄铜层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述粗化处理层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在选自由上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层上，具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，是在上述载体的一面依序具有中间层及极薄铜层者，在上述载体的与上述极薄铜层侧的表面相反侧的面，设置有上述粗化处理层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在上述载体的两面依序具有中间层及极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为1.6μm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为1.6μm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为1.6μm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，其通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为1.6μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为1.6μm以下。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)以L(线)/S(间距)＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥(fullcone)型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，对上述图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为1.6μm以下。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、与极薄铜层，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)以L(线)/S(间距)＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为5.0μm以下。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，对上述图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为3.8μm以下。

本发明在再另一方面中，是一种积层板，其是使用本发明的附载体铜箔而制得。

本发明在再另一方面中，是一种积层体，其含有本发明的附载体铜箔与树脂，上述附载体铜箔的端面的一部分或全部被上述树脂覆盖。

本发明在再另一方面中，是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜箔自上述载体侧或上述极薄铜层侧积层在另一个本发明的附载体铜箔的上述载体侧或上述极薄铜层侧而成者。

本发明的积层体在一实施方案中，上述一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面与上述另一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面，视需要经由接着剂而直接积层构成。

本发明的积层体在另一实施方案中，上述一个附载体铜箔的上述载体或上述极薄铜层与上述另一个附载体铜箔的上述载体或上述极薄铜层接合。

本发明的积层体在另一实施方案中，上述积层体的端面的一部分或全部被树脂覆盖。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其使用有本发明的积层体。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：在本发明的积层体至少设置一次树脂层与电路此两层，及在至少形成一次上述树脂层与电路此两层后，自上述积层体的附载体铜箔剥离上述极薄铜层或上述载体。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔制造而成者。

本发明在再另一方面中，是一种电子机器，其是使用本发明的印刷配线板制造而成者。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔的制造方法，其使用本发明的表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下的电解滚筒而制造电解铜箔载体，在上述电解铜箔载体的光泽面，依序设置中间层与极薄铜层。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔的制造方法，其是准备通过利用下述(7)～(9)所规定的测定方法而测得的至少一个表面中的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下的载体，在上述载体的上述表面依序设置中间层与极薄铜层。

(7)对上述载体表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成X轴为TD方向位置(μm)、Y轴为MD方向位置(μm)、Z轴为高度(μm)的3D影像。

(8)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部。

(9)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成横轴为TD方向位置(μm)、纵轴为高度(μm)的图表，将所得到的图表中的相当在上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值(μm)，将上述最大值设为载体表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离上述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法而形成电路。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：在本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；在上述树脂层上形成电路；在上述树脂层上形成电路后，将上述载体或上述极薄铜层剥离；及将上述载体或上述极薄铜层剥离后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面且埋没于上述树脂层的电路露出。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：将本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板积层；在与和上述附载体铜箔的树脂基板积层的侧相反侧的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面，至少设置一次树脂层与电路此两层；及在形成上述树脂层及电路此两层后，自上述附载体铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：将本发明的附载体铜箔的上述载体侧表面与树脂基板积层；在与和上述附载体铜箔的树脂基板积层的侧相反侧的上述极薄铜层侧表面，至少设置一次树脂层与电路此两层；及在形成上述树脂层及电路此两层后，自上述附载体铜箔剥离上述极薄铜层。

通过本发明，可提供一种附载体铜箔，其在贴合于树脂基板并剥离去除载体后，在极薄铜层上形成特定的电路时，良好地抑制了超过该电路宽度的铜残渣的产生。

附图说明

图1(a)是以往的剥离去除载体后残留于预浸体上的极薄铜层。图1(b)是在残存在树脂基板上的极薄铜层上设置干膜(DF)后进行镀铜处理，在未被干膜(DF)覆盖的区域形成图案镀铜层的图。图1(c)是剥离去除干膜(DF)后的图。图1(d)是通过进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路的图。

图2A～图2C是使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板其制造方法的具体实施例的曝光影像至镀敷电路、去除抗蚀剂为止的步骤中配线板剖面的示意图。

图3D～图3F是使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板其制造方法的具体实施例的自积层树脂及第2层附载体铜箔至雷射开孔为止的步骤中配线板剖面的示意图。

图4G～图4I是使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板其制造方法的具体实施例的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中配线板剖面的示意图。

图5J～图5K是使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板其制造方法的具体实施例的自快速蚀刻至形成凸块、铜柱为止的步骤中配线板剖面的示意图。

图6是表示条纹状凸部的3D影像。

图7是用以说明载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的测定方法的示意图。

图8是表示条纹状凹部的3D影像。

图9是用以说明极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的测定方法的示意图。

图10是用以说明自树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的上端部的厚度的最大值－最小值的剖面观察照片。

图11是用以理解“拖尾部”的上述电路的俯视观察照片。

具体实施方式

＜附载体铜箔＞

本发明的附载体铜箔具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层。附载体铜箔本身的使用方法为本领域业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板，热压接后剥离载体，将与绝缘基板接着的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，或在与绝缘基板接着的极薄铜层上形成图案镀铜层，通过快速蚀刻而形成特定宽度的电路，最终制造印刷配线板。

＜载体＞

作为本发明的载体，例如可使用树脂膜等膜。作为此种膜载体，一般而言，优选为可承受干式表面处理或湿式表面处理时，或者是基板制作时的积层压制时的热负载的耐热膜，可使用聚酰亚胺膜等。

使用为聚酰亚胺膜的材料并无特别限制。例如现正上市中的宇部兴产制造的Upilex、DuPont/DUPONT－TORAY制造的Kapton、KANEKA制造的Apical等，任何的聚酰亚胺膜皆可应用。又，可用于本发明的载体的膜并不限定于上述的特定品种。

又，作为本发明的载体，亦可使用金属箔。作为金属箔，可使用铜箔、镍箔、镍合金箔、铝箔、铝合金箔、铁箔、铁合金箔、锌箔、锌合金箔、不锈钢箔等。又，作为本发明的载体，可使用铜箔。铜箔典型而言以压延铜箔或电解铜箔的型态提供。电解铜箔是自硫酸铜镀浴中使铜电解析出于钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是重复利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除了可使用精铜(JISH3100；合金编号C1100)或无氧铜(JISH3100；合金编号C1020)等高纯度铜以外，亦可使用例如像是掺Sn的铜、掺Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。再者，本说明书中单独使用用语“铜箔”时亦包含铜合金箔。

可在本发明中使用的载体的厚度亦无特别限制，只要在实现作为载体的作用方面适当调节为适宜的厚度即可，例如可设为5μm以上。但是，若过厚，则生产成本提高，因此通常优选为设为70μm以下。因此，载体的厚度典型为8～70μm，更典型为12～70μm，更典型为18～35μm。又，就减少原料成本的观点而言，载体的厚度以小为佳。因此，载体的厚度典型为5μm以上35μm以下，优选为5μm以上18μm以下，优选为5μm以上12μm以下，优选为5μm以上11μm以下，优选为5μm以上10μm以下。再者，在载体的厚度小的情形时，在载体的通箔时容易产生弯折。为了防止产生弯折，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊变得平滑，或缩短搬送辊与下一搬送辊的距离。再者，在作为印刷配线板的制造方法之一的埋入法(嵌入法(EnbeddedProcess))中使用附载体铜箔的情形时，载体的刚性必须较高。因此，在用于埋入法的情形时，载体的厚度优选为18μm以上300μm以下，优选为25μm以上150μm以下，优选为35μm以上100μm以下，优选为35μm以上70μm以下。

再者，亦可在与载体的设置极薄铜层侧表面相反侧的表面设置粗化处理层。可使用已知方法来设置该粗化处理层，亦可通过后述的粗化处理来设置。在与载体的设置极薄铜层侧表面相反侧的表面设置粗化处理层，具有下述优点：在将载体自具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支撑体时，载体变得难与树脂基板剥离。又，在欲使表面更加平滑的情形时，亦可不设置该粗化处理层。

在使用电解铜箔作为本发明的载体的情形时，该载体是通过以下条件，自硫酸铜镀浴中使铜电解析出于钛或不锈钢的电解滚筒上而制造。

＜电解液组成＞

铜：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100质量ppm

＜制造条件＞

电流密度：50～200A/dm²

电解液温度：40～70℃

电解液线速：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

再者，本说明书中所记载的电解、蚀刻、表面处理或镀敷等中所使用的处理液(蚀刻液、电解液)的剩余部分，若无特别明确记载则为水。

此时所使用的电解滚筒其表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。电解滚筒的表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。上述“条纹状凹部”是指在电解滚筒的表面中在特定方向(例如，电解滚筒的圆周方向(电解铜箔制造时的电解滚筒的旋转方向))延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部。表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不须特别限定，典型为0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述“条纹状凹部”，也就是在电解滚筒的表面中在特定方向(例如，电解滚筒的圆周方向(电解铜箔制造时的电解滚筒的旋转方向))延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部亦可不存在。在此情形时，表面的条纹状凹部的平均深度的最大值表示0.000μm。

由于上述条纹状凹部是起因于电解滚筒表面的研磨条纹，因此该电解滚筒的表面的条纹状凹部的平均深度可通过对电解滚筒表面进行使用有支数#1000～#8000的研磨磨石的研磨、抛光研磨精加工、或镜面抛光来控制。研磨磨石的旋转数优选为设为500～2500rpm。

在使用压延铜箔作为本发明的载体的情形时，优选为在精加工压延辊后，对压延铜箔的表面进行使用有支数#6000～8000的抛光研磨材料粒度的抛光轮的抛光研磨精加工，或镜面抛光。抛光轮的旋转数优选为设为200～350rpm。

在通过具有上述表面的电解滚筒或抛光研磨而形成的本发明的附载体铜箔的载体中，可将极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2.0μm以下、且可将极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2.0μm以下。上述“条纹状凸部”是指在载体表面中在特定方向延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凸部。又，在本发明中，“最大高度Ry”是指自粗糙度曲线在其平均线的方向仅取出基准长度，在粗糙度曲线的纵向倍率方向测定此取出部分的峰顶线与峰谷线间的间距而得者。在附载体铜箔的载体中，若极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下，或极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下，则在隔着中间层将极薄铜层设置于该表面时，则可将该极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2.0μm以下，或可将该极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2.0μm以下。因此，可良好地抑制将附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于树脂基板后，剥离去除载体后树脂基板表面中的“起伏”的产生。故，即便通过在残存在树脂基板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制树脂基板表面中的“起伏”的产生，因此超过该电路宽度而生成的铜残渣被抑制，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的下限并不需要特别限定，典型为0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述“条纹状凸部”，也就是在载体表面中在特定方向(例如，载体制造装置中的载体的进行方向)延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凸部亦可不存在。在此情形时，载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值表示0.000μm。

载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry的下限并不需要特别限定，典型为0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

再者，在至少一表面中的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下的载体，或在至少一表面中的最大高度Ry为2.0μm以下的载体，亦可不是电解铜箔或压延铜箔，而是上述树脂膜等的膜载体。

＜中间层＞

在载体的单面或双面上设置中间层。在载体为电解铜箔载体的情形，在电解铜箔载体的光泽面(制造时形成在电解滚筒侧的表面)设置中间层。载体与中间层之间亦可设置其他层。关于本发明中使用的中间层，只要为如下构成，则并无特别限定，即，在附载体铜箔向绝缘基板的积层步骤前极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后可自载体剥离极薄铜层的构成。例如，本发明的附载体铜箔的中间层亦可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这类的合金、这类的水合物、这类的氧化物、及有机物组成的群中一种或二种以上。又，中间层亦可为多个层。

又，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种元素构成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素构成的合金层，并在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素的水合物或氧化物构成的层。

在仅在单面设置中间层的情形时，优选为在载体的相反面设置镀镍层等防锈层。再者，认为在通过铬酸盐处理或锌铬酸盐处理或镀敷处理来设置中间层的情形时，存在铬或锌等附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。

又，例如，中间层可在载体上依序积层镍、镍－磷合金或镍－钴合金及铬而构成。由于镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面进行剥离。又，对中间层的镍期待防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层中的镍附着量优选为100μg/dm²以上40000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上4000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上2500μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上1000μg/dm²以下，中间层中的铬附着量优选为5μg/dm²以上100μg/dm²以下。在仅在单面设置中间层的情形时，优选为在载体的相反面设置镀镍层等防锈层。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。中间层与极薄铜层之间亦可设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，就可用在通常的电解铜箔中使用，并以高电流密度形成铜箔而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常薄于载体，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为1～5μm，再更典型为1.5～5μm，再更典型为2～5μm。再者，亦可在载体的双面设置极薄铜层。

如上所述，本发明的附载体铜箔的载体其极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下，且极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。因此，隔着中间层而设置于该载体的该表面的上述极薄铜层，可使载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值在2.0μm以下。上述“条纹状凹部”是指在极薄铜层的载体侧表面在特定方向延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部。

若极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下，则可将附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值控制在2.0μm以下，或可将极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2.0μm以下。因此，可良好地抑制将附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于树脂基板后，剥离去除载体后树脂基板表面中的“起伏”的产生。故，即便通过在残存于树脂基板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制树脂基板表面中的“起伏”的产生，因此超过该电路宽度而生成的铜残渣被抑制，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

该极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。该极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不需要特别限定，典型为0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述“条纹状凹部”，也就是在极薄铜层的载体侧表面中在特定方向(例如，附载体铜箔制造装置中的载体的进行方向)延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部亦可不存在。在此情形时，极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值表示0.000μm。

可使用本发明的附载体铜箔来制作积层体(覆铜积层体等)。作为该积层体，例如，亦可为“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体”依序积层的构成，亦可为“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体”依序积层的构成，亦可为“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”依序积层的构成，亦可为“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体/极薄铜层/中间层/载体”依序积层的构成，亦可为“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”依序积层的构成。前述树脂或预浸体亦可为后述的树脂层，或亦可含有使用于后述的树脂层的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。再者，附载体铜箔亦可在俯视时小于树脂或预浸体。

＜粗化处理及其他表面处理＞

在极薄铜层的表面，亦可例如为了使与绝缘基板的密合性变良好等，而通过实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理亦可为微细者。粗化处理层亦可为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任一种以上的合金构成的层等。又，亦可在通过铜或铜合金形成粗化粒子后，进而进行通过镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。然后，亦可通过镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而可对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者亦可不进行粗化处理，而通过镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层，亦可在极薄铜层的表面形成选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。再者，上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层亦可分别以多个层形成(例如2层以上、3层以上等)。

例如，作为粗化处理的铜－钴－镍合金镀敷可通过电解镀敷，以形成如附着量为15～40mg/dm²的铜－100～3000μg/dm²的钴－100～1500μg/dm²的镍的3元系合金层的方式实施。若Co附着量未达100μg/dm²，则存在耐热性恶化，蚀刻性变差的情况。若Co附着量超过3000μg/dm²，则存在如下情况，即，在必须考虑磁性的影响的情形时欠佳，产生蚀刻污渍，又，耐酸性及耐化学品性恶化。若Ni附着量未达100μg/dm²，则存在耐热性变差的情况。另一方面，若Ni附着量超过1500μg/dm²，则存在蚀刻残留增多的情况。优选的Co附着量为1000～2500μg/dm²，优选的镍附着量为500～1200μg/dm²。此处，所谓蚀刻污渍，是指在利用氯化铜进行蚀刻的情形时，Co未溶解而残留，并且，所谓蚀刻残留，是指在利用氯化铵进行碱蚀刻的情形时，Ni未溶解而残留。

用以形成此种3元系铜－钴－镍合金镀敷的通常的镀浴及镀敷条件之一例如下所述：

镀浴组成：Cu10～20g/L、Co1～10g/L、Ni1～10g/L

pH值：1～4

温度：30～50℃

电流密度D_k：20～30A/dm²

镀敷时间：1～5秒

以上述方式制造具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层的附载体铜箔。附载体铜箔本身的使用方法为本领域业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板，热压接后剥离载体而制成覆铜积层板，将与绝缘基板接着的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，最终制造印刷配线板。

本发明的附载体铜箔亦可在极薄铜层上具备粗化处理层，亦可在粗化处理层上具备一层以上选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的层。

又，亦可在极薄铜层上具备粗化处理层，亦可在粗化处理层上具备耐热层、防锈层，亦可在耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，亦可在铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理层。

如上所述，本发明的附载体铜箔的载体其极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下，且极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。因此，在该载体的该表面隔着中间层设置极薄铜层时，可将该极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高的最大值控制在2.0μm以下、或可将该极薄铜层侧表面的最大高度Ry控制在2.0μm以下。上述“条纹状凸部”是指在极薄铜层侧表面在特定方向延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凸部。

本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。再者，附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的下限并不需要特别限定，典型为0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述“条纹状凸部”，也就是在附载体铜箔的极薄铜层侧表面中在特定方向(例如，附载体铜箔制造装置中的载体的进行方向)延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凸部亦可不存在。在此情形时，附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值表示0.000μm。

本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的最大高度Ry优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。再者，附载体铜箔的极薄铜层侧表面的最大高度Ry的下限并不需要特别限定，典型为0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

再者，在本发明中，在在极薄铜层上形成有粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层等表面处理层的情形时，“附载体铜箔的极薄铜层侧表面”是指该表面处理层的最表面。

本发明的附载体铜箔在另一方面中，通过将附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着利用蚀刻来去除上述极薄铜层而露出的上述树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。上述“条纹状凹部”是指在树脂基板表面在特定方向延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部。通过此种构成，可良好地抑制树脂基板表面中的“起伏”的产生，即便通过在残存在树脂基板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制超过该电路宽度而生成的铜残渣，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

该树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。再者，树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的下限并不需要特别限定，典型为0.000μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。上述“条纹状凹部”，也就是在树脂基板表面中在特定方向(例如，在将附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在树脂基板的情形时，贴合于该树脂基板的附载体铜箔的附载体铜箔制造装置中的与载体的进行方向平行的方向)延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部亦可不存在。在此情形时，该树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值表示0.000μm。

本发明的附载体铜箔在另一方面中，其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率为10条/199572μm²以下，又，上述方法是：将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。上述“条纹状凹部”是指在树脂基板表面在特定方向延伸而成为长度在200μm以上的条纹状的凹部。通过此种构成，可良好地抑制树脂基板表面中的“起伏”的产生，即便通过在残存在树脂基板上的极薄铜层上形成图案镀铜层，接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制超过该电路宽度而生成的铜残渣，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

该树脂基板表面中的平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率频度优选为8条/199572μm²以下，更优选为6条/199572μm²以下，再更优选为4条/199572μm²以下。再者，树脂基板表面中的平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率的下限并不需要特别限定，典型为0条/199572μm²以上、或0.05条/199572μm²以上、或0.1条/199572μm²以上、或0.5条/199572μm²以上、或1条/199572μm²以上。

本发明的附载体铜箔在另一方面中，将附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着在露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。此处，“图案镀铜层”是指在极薄铜层上例如设置特定形状的干膜后，进行镀铜处理，在被该干膜覆盖的区域中形成为特定图案的镀铜层。若自该树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下，则即便接着进行快速蚀刻而形成特定宽度的电路，亦可抑制超过该电路宽度而生成的铜残渣，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

自该树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。自树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值的下限并不需要特别限定，典型为0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本发明的附载体铜箔在另一方面中，是将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，接着，对所露出的极薄铜层表面以L(线)/S(间距)＝21μm/9μm且极薄铜层与图案镀铜层的合计厚度成为16.5μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

作为添加剂，适量地选自过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的群中的一种以上

剩余部分为水。

若该上述的快速蚀刻后的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下，则可抑制超过该电路宽度而生成的铜残渣，可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。

自该树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值优选为1.8μm以下，更优选为1.6μm以下，再更优选为1.4μm以下，再更优选为1.2μm以下，再更优选为1.0μm以下。上述快速蚀刻后的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值的下限并不需要特别限定，典型为0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本发明的附载体铜箔在另一个方面，是将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，接着，对所露出的极薄铜层表面以L(线)/S(间距)＝21μm/9μm且极薄铜层与图案镀铜层的合计厚度成为16.5μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，从存在镀铜层的侧俯视双马来亚酰胺三嗪树脂基板时，由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的自镀铜层的电路上端与电路延伸方向垂直的方向的最大长度为5.0μm以下。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

作为添加剂，适量地选自过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的群中的一种以上

剩余部分为水。

作为为了理解该“拖尾部”的上述电路的俯视観察照片，举出图11。在图11中，理解铜残渣自构成电路的特定宽度的镀铜层朝宽度方向延伸。该延伸部分即为拖尾部，该拖尾部的最大长度即为本发明中的“拖尾部的最大长度”。若该拖尾部的最大长度为5.0μm以下，则可防止因该铜残渣的影响所产生的电路短路。该拖尾部的最大长度优选为4.0μm以下，更优选为3.0μm，更优选为2.0μm以下，再更优选为1.0μm以下。该拖尾部的最大长度的下限并不需要特别限定，典型为0μm以上、或0.001μm以上、或0.005μm以上、或0.01μm以上。

本发明的附载体铜箔亦可在极薄铜层上、或粗化处理层上、或耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶合处理层上具备树脂层。树脂层亦可为绝缘树脂层。

上述树脂层可为接着剂，亦可为接着用树脂，亦可为接着用的半硬化状态(B阶段)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括即便以手指接触其表面亦无粘着感，并可将该绝缘树脂层重迭保管，若进而受到加热处理则产生硬化反应的状态。

又，上述树脂层可含有热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，上述树脂层亦可含有热塑性树脂。其种类并无特别限定，例如可将以下树脂或预浸体列举为适当的树脂层，即包含：环氧树脂，聚酰亚胺树脂，多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、胺酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈－丁二烯树脂、聚苯醚、双马来亚酰胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸酐、液晶聚合物、氟树脂等。

上述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体(可使用含有无机化合物及/或有机化合物的介电体、含有金属氧化物的介电体等任何介电体)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如亦可使用国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013－19056号中记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

使这类树脂溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂液，通过例如辊涂法等将其涂布于上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐皮膜层、或上述硅烷偶合剂层上，继而视需要进行加热干燥将溶剂去除而形成B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。

具备上述树脂层的附载体铜箔(附有树脂的附载体铜箔)是以如下方面使用，即，在使其树脂层与基材重迭后，将整体热压接而使该树脂层热硬化，继而剥离载体而使极薄铜层露出(当然露出部分是该极薄铜层在中间层侧的表面)，在其上形成特定的配线图案。

若使用该附有树脂的附载体铜箔，则可减少多层印刷配线基板的制造时的预浸体材料的使用片数。并且，可将树脂层的厚度设为如可确保层间绝缘的厚度，或即便完全未使用预浸体材料，亦可制造覆铜积层板。又，此时，亦可在基材的表面底涂绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。

再者，在不使用预浸体材料的情形时，可节约预浸体材料的材料成本，又积层步骤亦得以简化，因此在经济方面变得有利，并且存在如下优点：仅以预浸体材料的厚度程度制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选为0.1～80μm。若树脂层的厚度薄于0.1μm，则接着力下降，在不介隔预浸体材料而将该附有树脂的附载体铜箔积层于具备内层材料的基材时，存在难以确保与内层材料的电路间的层间绝缘的情况。

另一方面，若使树脂层的厚度厚于80μm，则难以通过1次涂布步骤而形成目标厚度的树脂层，花费额外的材料费与步骤数，因此在经济方面变得不利。进而，形成的树脂层由于其可挠性较差，因此存在如下情况：操作时易于产生龟裂等，又与内层材料的热压接时产生过剩的树脂流动而难以顺利地进行积层。

进而，作为该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，亦可在上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐处理层、或上述硅烷偶合处理层上通过树脂层进行被覆，使之成为半硬化状态后，继而剥离载体，以不存在载体的附树脂铜箔的形态来制造。

进而，通过在印刷配线板搭载电子零件类，而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”亦包括如此搭载有电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。

又，可使用该印刷配线板制作电子机器，亦可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，亦可使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。以下，表示若干使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；将上述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式积层后，经过剥离上述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法而形成电路。绝缘基板亦可设为具有内层电路者。

在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔晶种层上进行较薄的非电解镀敷，在形成图案后，使用电镀及蚀刻而形成导体图案的方法。

因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离上述载体而露出的极薄铜层全部去除；

在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂设置穿孔(throughhole)或/及盲孔(blindvia)；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对上述树脂及包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置镀敷抗蚀剂；

对上述镀敷抗蚀剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷抗蚀剂去除；

在去除上述镀敷抗蚀剂的上述形成电路的区域设置电解镀敷层；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻等将位于上述形成电路的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层及上述绝缘树脂基板设置穿孔或/及盲孔；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离上述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对通过利用蚀刻等去除上述极薄铜层而露出的上述树脂及包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置镀敷抗蚀剂；

对上述镀敷抗蚀剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷抗蚀剂去除；

在去除上述镀敷抗蚀剂的上述形成电路的区域设置电解镀敷层；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻等将位于上述形成电路的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层及上述绝缘树脂基板设置穿孔或/及盲孔；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离上述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对通过利用蚀刻等去除上述极薄铜层而露出的上述树脂及包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置镀敷抗蚀剂；

对上述镀敷抗蚀剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷抗蚀剂去除；

在去除上述镀敷抗蚀剂的上述形成电路的区域设置电解镀敷层；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻等将位于上述形成电路的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离上述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂的表面设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置镀敷抗蚀剂；

对上述镀敷抗蚀剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷抗蚀剂去除；

在去除上述镀敷抗蚀剂的上述形成电路的区域设置电解镀敷层；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻等将位于上述形成电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层去除。

在本发明中，所谓改进半加成法，是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，通过镀敷抗蚀剂保护非电路形成部，通过电解镀敷增加电路形成部的铜厚后，去除抗蚀剂，通过(快速)蚀刻去除上述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

因此，在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置穿孔或/及盲孔；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷抗蚀剂；

在设置上述镀敷抗蚀剂后，通过电解镀敷形成电路；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻将因去除上述镀敷抗蚀剂而露出的极薄铜层去除。

在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷抗蚀剂；

对上述镀敷抗蚀剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷抗蚀剂去除；

在去除上述镀敷抗蚀剂的上述形成电路的区域设置电解镀敷层；

将上述镀敷抗蚀剂去除；

通过快速蚀刻等将位于上述形成电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层去除。

在本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法：在设置导体层而成的基板(视需要开出穿孔或通孔用的孔而成的基板)上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，并视需要设置阻焊剂或镀敷抗蚀剂后，在上述导体电路上，通过无电解镀敷处理对穿孔或通孔等进行增厚，由此制造印刷配线板。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置穿孔或/及盲孔；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻抗蚀剂；

对上述蚀刻抗蚀剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，去除上述极薄铜层及上述催化剂核，而形成电路；

将上述蚀刻抗蚀剂去除；

在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化剂核而露出的上述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷抗蚀剂；

在未设置上述阻焊剂或镀敷抗蚀剂的区域设置无电解镀敷层。

在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等选择性地去除覆铜积层板上的铜箔的不需要部分，而形成导体图案的方法。

因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置穿孔或/及盲孔；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻抗蚀剂；

对上述蚀刻抗蚀剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将上述极薄铜层及上述无电解镀敷层及上述电解镀敷层去除而形成电路；

将上述蚀刻抗蚀剂去除。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离上述附载体铜箔的载体；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置穿孔或/及盲孔；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含上述穿孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层的表面形成遮罩；

在未形成遮罩的上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻抗蚀剂；

对上述蚀刻抗蚀剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将上述极薄铜层及上述无电解镀敷层去除而形成电路；

将上述蚀刻抗蚀剂去除。

亦可不进行设置穿孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。

此处，使用图式详细地说明使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例。再者，此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限定于此，即便使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，亦可同样地进行下述印刷配线板的制造方法。

首先，如图2A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。再者，亦可准备具有通过该步骤而在表面形成有粗化处理层的载体的附载体铜箔(第1层)。

继而，如图2B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻为特定的形状。再者，亦可通过该步骤而在载体的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻为特定的形状。

继而，如图2C所示，在形成电路用的镀层后，将抗蚀剂去除，由此形成特定的形状的电路镀敷。

继而，如图3D所示，以覆盖电路镀敷的方式(以埋没电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而自极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第2层)。再者，亦可通过该步骤而以覆盖电路镀敷的方式(以埋没电路镀敷的方式)在载体上设置埋入树脂而积层树脂层，继而自载体侧接着另一附载体铜箔(第2层)。

继而，如图3E所示，自第2层的附载体铜箔剥离载体。

继而，如图3F所示，在树脂层的特定位置进行雷射开孔，使电路镀敷露出而形成盲孔。

继而，如图4G所示，在盲孔中埋入铜而形成通孔填充物(viafill)。

继而，如图4H所示，在通孔填充物上，甚至是视需要的情形时在其他部分，如上述图2B及图2C般形成电路镀敷。

继而，如图4I所示，自第1层附载体铜箔剥离载体。再者，亦可通过该步骤自第1层附载体铜箔剥离极薄铜层。

继而，如图5J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除(在第2层设置铜箔的情形时为铜箔，在在载体的粗化处理层上设置第1层的电路用镀敷的情形时，为载体)，而使树脂层内的电路镀敷的表面露出。

继而，如图5K所示，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以上述方式制作使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

上述另一附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，亦可使用现有的附载体铜箔，进而亦可使用通常的铜箔。又，在图4H所示的第2层的电路上，可进而形成1层或多层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法进行该等电路形成。

通过如上所述的印刷配线板的制造方法，由于成为将电路镀敷埋入树脂层中的构成，因此在例如图5J所示的利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀敷经树脂层保护，其形状得以保持，由此易于形成微细电路。又，由于电路镀敷经树脂层保护，因此耐迁移性提高，而良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成微细电路。又，在如图5J及图5K所示般通过快速蚀刻将极薄铜层去除时，电路镀敷的露出面成为自树脂层凹陷的形状，因此在该电路镀层上容易形成凸块，进而在其上容易形成铜柱，而提高制造效率。

再者，埋入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸体。例如可使用BT(双马来亚酰胺三嗪)树脂或作为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、AjinomotoFine－Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂(resin)可使用本说明书中记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

又，上述第一层中使用的附载体铜箔亦可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层中使用的附载体铜箔受到支撑，不易形成褶皱，因此具有生产性提高的优点。再者，上述基板或树脂层只要具有支撑上述第一层中使用的附载体铜箔的效果，则可使用所有基板或树脂层。例如，作为上述基板或树脂层，可使用本案说明书中记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。

进而，通过将电子零件类搭载在本发明的印刷配线板而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”亦包含以此方式搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

又，可使用该印刷配线板制作电子机器，亦可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，亦可使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。

又，本发明的印刷配线板的制造方法亦可为包括以下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯(coreless)法)：将本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板积层；在与和上述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或上述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面，至少设置一次树脂层及电路此两层；以及在形成上述树脂层及电路此两层之后，从上述附载体铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层。关于该无芯法，作为具体示例，首先将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层。然后，在与和树脂基板积层的极薄铜层侧表面或上述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。在形成在载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层，亦可进而从载体侧或极薄铜层侧积层另一个附载体铜箔。在此情形时，成为如下构成：以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧依照载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔。在露出两端的极薄铜层或载体的表面，可设置另一个树脂层并进而设置铜层或金属层，然后，通过对该铜层或金属层进行加工而形成电路。进而，亦可在该电路上以埋入该电路的方式设置另一个树脂层。又，亦可进行一次以上的形成此种电路及树脂层(增层法)。然后，对以此种方式形成的积层体(以下，亦称为积层体B)，可将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。再者，制作上述无芯基板时，还可使用两个附载体铜箔来制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用作中心。可在这些积层体(以下，亦称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面将树脂层及电路此两层设置一次以上，且在设置一次以上树脂层及电路此两层后，将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。上述积层体亦可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。此外，在本说明书中，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”是设为以下的概念：在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，包含该其他层的表面(最表面)。又，积层体优选为具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于：使用该积层体来制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置极薄铜层，所以变得易于使用改进半加成法在无芯基板上形成电路。而且原因在于：由于极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后，变得易于使用半加成法在无芯基板上形成电路。

再者，在本说明书中，未特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。

再者，在上述无芯基板的制造方法中，通过以树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部而利用增层法制造印刷配线板时，可防止药液渗入构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，可防止因药液渗入所导致的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可提高产率。作为此处所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用能用于树脂层的树脂。而且，在上述无芯基板的制造方法中，在附载体铜箔或积层体中，亦可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)外周的至少一部分被树脂或预浸体覆盖。又，利用上述无芯基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)亦可使一对附载体铜箔可相互分离地接触而构成。又，在该附载体铜箔中，亦可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)遍及整个外周地被树脂或预浸体覆盖而成。通过设为这种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸体所覆盖，可防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向发生碰撞，结果可减少操作中的载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。而且，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式以树脂或预浸体覆盖，可防止如上所述的在药液处理步骤中药液渗入该积层部分的介面，可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，从积层体的一对附载体铜箔将一个附载体铜箔分离时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，必须通过切断等将利用树脂或预浸体所覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)去除。

亦可将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层到另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。又，亦可为将上述一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面与上述另一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面视需要经由接着剂直接积层而获得的积层体。又，亦可将上述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与上述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。此处，该“接合”在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，亦包含隔着该表面处理层而相互接合的方面。又，亦可为该积层体的端面的一部分或全部被树脂所覆盖。

载体彼此的积层除仅重迭以外，例如可利用以下方法进行。

(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨－惰性气体)焊接、MIG(金属－惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、焊料接合；

(b)机械接合方法：敛合、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉(self-piercingrivet)的接合、利用铆钉的接合)、缝合机；

(c)物理接合方法：接着剂、(双面)粘着带

可通过使用上述接合方法将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全部进行接合，而将一个载体与另一个载体积层，制造使载体彼此可分离地接触而构成的积层体。在将一个载体与另一个载体轻微接合而将一个载体与另一个载体积层的情况下，即使不去除一个载体与另一个载体的接合部，一个载体与另一个载体亦可分离。又，在将一个载体与另一个载体牢固接合的情况下，可通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除一个载体与另一个载体接合的部位，而将一个载体与另一个载体分离。

另外，可通过实施以下步骤而制作印刷配线板：在以这种方式构成的积层体至少设置一次树脂层及电路此两层；以及在至少形成一次上述树脂层及电路此两层后，从上述积层体的附载体铜箔剥离上述极薄铜层或载体。此外，亦可在该积层体的一个或两个表面设置树脂层及电路此两层。

【实施例】

以下虽然通过本发明的实施例更详细地说明本发明，但本发明并不因该等实施例而受到任何限制。

1.附载体铜箔的制作

(实施例1～13、比较例1～8)

准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)。接着，通过表1中所记载的电解滚筒表面控制条件来研磨该电解滚筒的表面。

在电解滚筒表面的控制后，通过以下条件来测定该表面的条纹状凹部的平均深度的最大值。

·利用溶剂(丙酮)使树脂膜(聚氯乙烯)膨胀。

·使上述膨胀后的树脂膜接触电解滚筒表面，使丙酮自树脂膜挥发后剥离树脂膜，采集电解滚筒表面的复制品。

·利用雷射显微镜观察该复制品，测定表面的条纹状凸部的平均高度的最大值，将该最大值设为电解滚筒的表面的条纹状凹部的平均深度的最大值。

接着，在电解槽中，设置上述电解滚筒与和滚筒周围隔着特定的极间距离的电极。再来，在电解槽中通过下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转一边使铜析出于该电解滚筒表面。

＜电解液组成＞

铜：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100质量ppm

＜制造条件＞

电流密度：50～200A/dm²

电解液温度：40～70℃

电解液线速：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

接着，剥离取出析出于旋转中的电解滚筒表面的铜，连续地制造厚度18μm的电解铜箔，将其设为铜箔载体。

再者，关于比较例8，使用对比较例1中所制成的铜箔载体进行以下处理而得的铜箔载体。

利用机械研磨将表面的十点平均粗糙度Rz为8.2μm(JISB06011994)的铜箔载体形成为粗糙度Rz1.1μm，使用在

氰化铜(I)：65g/L

游离氰化钠：25g/L

中微量地加入添加剂而成的光泽铜镀浴；

将电流密度设为34/dm²，将镀敷时间设为3分钟，进行镀敷而使Rz成为0.44μm。

(实施例21、22、比较例21～24)

准备精加工压延辊，对该精加工压延辊的表面利用表2所示的抛光研磨条件进行研磨。

接着，准备厚度70μm的压延铜箔(精铜、JISH3100C1100)，对该压延铜箔，使其含浸于尼龙制的不织布中含有表2所记载的粒度地研磨磨石用研磨材的树脂并干燥后，使用积层将该不织布贯穿成圆形而得的圆形不织布盘而制成的抛光轮，以表2的条件进行抛光研磨。再者，研磨粒的粒度是依据JISR6001(1998)。此外，压延铜箔的输送速度设为50cm/min。由此获得铜箔载体。

接着，对所得到的电解铜箔载体的电解滚筒侧的表面(光泽面)、压延铜箔载体(在进行抛光研磨的情形时，是对进行了抛光研磨的压延铜箔载体的表面)，分别利用以下条件来形成中间层。

首先，通过以下条件利用辊对辊(rolltoroll)型连续镀敷线来进行电镀，由此形成附着量为4000μg/dm²的Ni层。

·Ni层

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精、丁二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

pH值：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

水洗及酸洗后，接着于辊对辊型的连续镀敷线上，利用以下条件进行电解铬酸盐处理，由此使附着量为11μg/dm²的Cr层附着于Ni层上。

·电解铬酸盐处理

液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH值：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库伦量：0.5～30As/dm²

在形成中间层后，利用以下条件在中间层上进行电镀，由此形成表中所记载的厚度的极薄铜层，而制成附载体铜箔。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

再者，实施例1～6、21、比较例1～3、21、22中，在极薄铜层上进而设置粗化处理层、耐热处理层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层。

·粗化处理

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH值：1～4

温度：40～50℃

电流密度Dk：20～30A/dm²

时间：1～5秒

Cu附着量：15～40mg/dm²

Co附着量：100～3000μg/dm²

Ni附着量：100～1000μg/dm²

·耐热处理

Zn：0～20g/L

Ni：0～5g/L

pH：3.5

温度：40℃

电流密度Dk：0～1.7A/dm²

时间：1秒

Zn附着量：5～250μg/dm²

Ni附着量：5～300μg/dm²

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0.05～10g/L

pH值：7～13

浴温：20～80℃

电流密度0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

Cr附着量：10～150μg/dm²

·硅烷偶合处理

乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)

pH值：4～5

时间：5～30秒

2.附载体铜箔的评价

＜载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值＞

在压力：20kgf/cm²、在220℃中2时间的条件下，将各实施例、比较例的附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是该表面处理后的附载体铜箔)自极薄铜层侧加热压制于预浸体(双马来亚酰胺三嗪树脂基材)后，自附载体铜箔剥离载体，使用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)利用以下的测定条件对该载体的极薄铜层侧表面进行测定。

＜测定条件＞

截止值：无

基准长度：257.9μm

基准面积：66524μm²

测定环境温度：23～25℃

再者，对奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000进行以下设定。关在“修正线数据”的设定，点击测定面板的(修正处理)按钮，针对修正处理的种类，选择“修正斜率”。接着，关于“去除线数据的杂讯”的设定，点击测定面板的(杂讯去除)按钮，针对去除范围，选择“全范围”。

之后，使用如图6所示的解析软体(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000所附加的解析软体ver.2.2.4.1)来制成3D影像，确认有无条纹状凸部，上述解析软体是用以解析利用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)所得的测定数据。作为该3D影像，根据利用非接触式粗糙度测定机对上述载体的极薄铜层侧表面进行测定而得的各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成X轴为TD方向位置(μm)、Y轴为MD方向位置(μm)、Z轴为高度(μm)的3D影像。

再者，计算可以目视确认的长度为200μm以上的条纹状凸部中的平均高度2.0μm以上者，计算测定视野中的条数及平均高度。使测定视野的一边与MD方向(电解铜箔制造设备中的电解铜箔的进行方向、压延设备中的压延铜箔的进行方向)平行而进行测定。TD方向是与MD方向垂直的方向(载体的宽度方向)。

再者，载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的测定，是以下述般进行。

·根据在与MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成横轴为TD方向位置(μm)、纵轴为高度(μm)的图表(图7)，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部(例如条纹状凸部1)的该部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与该部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为该部位中的条纹状凸部的高度。然后，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为该条纹状凸部的平均高度。再者，上述奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000中所使用的CCD摄影元件的像素为1024×1024。因此，图7的横轴方向的测定间距是0.25μm(＝257.9μm/1024像素)。然后，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值(μm)，将该最大值设为载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

＜载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry＞

在压力：20kgf/cm²、在220℃中2时间的条件下，将各实施例、比较例的附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是该表面处理后的附载体铜箔)自极薄铜层侧加热压制于预浸体(双马来亚酰胺三嗪树脂基材)后，自附载体铜箔剥离载体，使用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)，根据JISB0601－1994，利用以下的测定条件针对该载体的极薄铜层侧表面测定Ry。又，亦对形成中间层前的形成载体的中间层的侧的表面的Ry进行测定。再者，形成中间层前的形成载体的中间层的侧的表面的Ry的值，是与下述Ry为相同值，该Ry是：在压力：20kgf/cm²、在220℃中2时间的条件下，将对极薄铜层施加有表面处理后的附载体铜箔自极薄铜层侧加热压制于预浸体(双马来亚酰胺三嗪树脂基材)后，自附载体铜箔剥离载体，针对该载体的极薄铜层侧表面进行测定而得者。

＜测定条件＞

基准长度：257.9μm

测定环境温度：23～25℃

＜极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值＞

在压力：20kgf/cm²、在220℃中2时间的条件下，将各实施例、比较例的附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是该表面处理后的附载体铜箔)自极薄铜层侧加热压制于预浸体(双马来亚酰胺三嗪树脂基材)后，自附载体铜箔剥离载体，使用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)利用以下的测定条件对所露出的极薄铜层表面进行测定。

＜测定条件＞

截止值：无

基准长度：257.9μm

基准面积：66524μm²

测定环境温度：23～25℃

再者，对奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000进行以下设定。关在“修正线数据”的设定，点击测定面板的(修正处理)按钮，针对修正处理的种类，选择“修正斜率”。接着，针对“去除线数据的杂讯”的设定，点击测定面板的(杂讯去除)按钮，关于去除范围，选择“全范围”。

之后，使用如图8所示的解析软体(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000所附加的解析软体ver.2.2.4.1)来制成3D影像，确认有无条纹状凹部，上述解析软体是用以解析利用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)所得的测定数据。作为该3D影像，根据利用非接触式粗糙度测定机对上述载体的极薄铜层侧表面进行测定而得的各TD方向位置(μm)、MD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成X轴为TD方向位置(μm)、Y轴为MD方向位置(μm)、Z轴为高度(μm)的3D影像。

再者，计算可以目视确认的长度为200μm以上的条纹状凹部中的平均深度2.0μm以上者，计算测定视野中(三个视野(199572μm²＝66524μm²×3))的条数及平均深度。使测定视野的一边与MD方向(电解铜箔制造设备中的电解铜箔的进行方向、压延设备中的压延铜箔的进行方向)平行而进行测定。

再者，极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值是以下述方法进行测定。

·根据在与MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置(μm)中的高度(μm)的测定数据，制成横轴为TD方向位置(μm)、纵轴为高度(μm)的图表(图9)，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凹部(例如条纹状凹部1)的部位的高度为最低的部位中的高度L_L1从该部位的两侧20μm的范囲中高度为最高的部位的高度L_H1减去，从而得到的值ΔL₁＝L_H1－L_L1设为该部位中的条纹状凹部的深度。然后，将以32μm的间距测得的各条纹状凹部中的ΔL的算术平均值设为该条纹状凹部的平均深度。然后，针对三个视野中各条纹状凹部求出平均深度，测定三个视野中的条纹状凹部的平均深度的最大值(μm)，将该最大值设为极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值。

＜附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值＞

测定附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。对于在极薄铜层表面形成有粗化处理层等的表面处理层者，对该表面处理层表面进行测定。该附载体铜箔的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值，是利用与上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值的测定方法相同的条件来进行。

＜附载体铜箔的极薄铜层侧表面的Ry＞

使用非接触式粗糙度测定机(奥林巴斯公司制造的雷射显微镜LEXTOLS4000)，根据JISB0601－1994利用以下的测定条件来测定附载体铜箔的极薄铜层侧表面的Ry。对于在极薄铜层表面形成有粗化处理层等的表面处理层者，对该表面处理层表面进行测定。

＜测定条件＞

截止值：无

基准长度：257.9μm

测定环境温度：23～25℃

＜树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值＞

将附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是在该表面处理后)自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，接着对通过利用蚀刻去除极薄铜层而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值(μm)进行测定。该树脂基板表面的条纹状凹部的平均高度的最大值，是利用与上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值的测定方法相同的条件来进行。

＜树脂基板表面的条纹状凹部的频率＞

在压力：20kgf/cm²、在220℃中2时间的条件下，将附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是该表面处理后)自极薄铜层侧加热压制在预浸体(双马来亚酰胺三嗪树脂基材)后，剥离上述载体，接着对通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂基板表面中的平均深度在2.0μm以上的条纹状凹部的频率(条/199572μm²)进行测定。再者，在树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值未达2.0μm的情形时，对上述树脂基板表面中的平均深度在1.2μm以上的条纹状凹部的频率(条/199572μm²)进行测定。另外，在树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值未达2.0μm的情形时，平均深度在2.0μm以上的条纹状凹部的频率(条/199572μm²)为0条/199572μm²。

再者，关于此处所测定的“条纹状凸部”、“条纹状凹部”、“条纹状凸部的平均高度的最大值”、“条纹状凹部的平均深度最大值”、“平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率”、“平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频度”，以下进行补充说明。例如关于图6的3D影像所显示的条纹状凸部，在与MD方向垂直的方向(TD方向)中，显示自観察视野的基准(设为0μm)至128μm附近的位置中生成有条纹状凸部，此是对应于图7所示的图表的横轴的128μm附近的条纹状凸部1等。如上所述，“条纹状凸部的平均高度的最大值”、“条纹状凹部的平均深度最大值”是显示于图7及图9所示的图表中而进行测定。然后，如上述图7及图9的图表所示，单纯地显示与MD方向垂直的方向(TD方向)的各位置和在此位置所测得的高度(或深度)。因此，可明确地测定本发明的“条纹状凸部的平均高度的最大值”、“条纹状凹部的平均深度最大值”。又，如上所述，关于“条纹状凸部”、“条纹状凹部”，规定以雷射显微镜观察并以目视观察者。然后，在在铜箔表面生成有“条纹状凸部”、“条纹状凹部”的情形，是凸部或凹部并非形成点而是形成延伸条纹的状态，其可轻易地判别。因此，针对究竟是剖面的凹凸是条纹状凹凸者，或是并非为条纹状的凹凸者一事要如何地进行判定是明确的。

又，如同“平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率”、“平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频度”的记载，此处的“平均深度”是表示“条纹状凹部的平均深度”。又，如上所述，此处由于对每一条条纹状凹部测定平均深度，因此可得到在各测定视野中条纹状凹部的条数量的测定结果。因此，该条纹状凹部的“频率”明确。

＜自树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值＞

将附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是在该表面处理后的附载体铜箔)自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，接着对所露出的极薄铜层表面以L/S＝21μm/9μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层(极薄铜层与图案镀铜层的厚度合计为16.5μm)，此时，测定通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至图案镀铜层的厚度的最大值－最小值(μm)。该最大值－最小值如上所述，是使用如同图10所说明的方法来进行。关在该最大值－最小值，是拍摄五个部位的剖面，求出各剖面的最大值－最小值，将当中成为最大的值设为该最大值－最小值。

＜自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值，及拖尾部的最大长度＞

将附载体铜箔(施加有对极薄铜层的表面处理的附载体铜箔是在该表面处理后的附载体铜箔)自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm。接着，对所露出的极薄铜层表面(或是对所露出的极薄铜层表面进行蚀刻而使极薄铜层的厚度成为1.5μm的极薄铜层表面、或是对所露出极薄铜层表面进行镀铜而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm的极薄铜层表面)以L/S＝21μm/9μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层(极薄铜层与图案镀铜层的厚度合计为16.5μm)，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层。接着，通过剖面观察，测定自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值(μm)。该最大值－最小值如上所述，是使用如同图10所说明的方法来进行。关于该最大值－最小值，是拍摄五个部位的剖面，求出各剖面的最大值－最小值，将当中成为最大的值设为该最大值－最小值。

又，通过俯视观察，测定在俯视观察时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的自镀铜层的电路上端与电路延伸方向垂直的方向的最大长度(μm)，对生成有拖尾部的各部位进行相同的测定，采用最大长度为最大者。观察是使用SEM以1000倍进行观察后，观察三个100μm×100μm的区域。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

添加剂JCU股份有限公司制造的FE－830IIW3C适量

剩余部分为水。

再者，关于此处所测定的“至图案镀铜层的最高的上端部的厚度的最大值－最小值”、“自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值”，以下进行补充说明。关于“至图案镀铜层的最高的上端部的厚度的最大值－最小值”、“自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值”的各规定，通过图10所示的极薄铜层与树脂层的观察剖面，可清楚观察范围。也就是说，根据图10可知，电路是朝着其延伸的方向被倾斜地切断。然后，针对该电路的观察范围，若从此图10的电路的剖面的左端(下述图10的位置A)与右端(下述图10的位置B)来看就可明白。可明白：在上述图10中，电路的剖面的左端(位置A)是比下层的树脂基板凹陷的部分更前面，其相当于俯视电路所得的下述图11的观察剖面的起始位置A。又，可明白：在上述图10中，电路的剖面的右端(位置B)位在自位置A朝倾斜的方向切断所得的剖面的端部，且，以上述图10的B所表示的圆形框所框起来的极薄铜层与树脂基板的界面中的极薄铜层(电路)的厚度渐渐地变薄，自某个位置起之后变厚。因此，可知：在上述图10，电路的剖面的右端(位置B)对应于下述图11所示的稍微超过电路的右端的树脂基板的凹陷的位置B。因此，“至图案镀铜层的最高的上端部的厚度的最大值－最小值”、“自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值”的观察范围明确。

将试验条件及试验结果示于表1及2。

Claims (57)

1.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过利用下述1)～3)所规定的测定方法而测得的上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下；

1)在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下将上述附载体铜箔自极薄铜层侧加热压制于双马来亚酰胺三嗪树脂基材后，自附载体铜箔剥离载体，对上述载体的极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置μm、MD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成X轴为TD方向位置μm、Y轴为MD方向位置μm、Z轴为高度μm的3D影像；

2)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部；

3)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成横轴为TD方向位置μm、纵轴为高度μm的图表，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范围中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值μm，将上述最大值设为载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，上述载体的极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。

3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。

4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。

5.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其中，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，

依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其通过利用下述4)～6)所规定的测定方法而测得的上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下；

4)对上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置μm、MD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成X轴为TD方向位置μm、Y轴为MD方向位置μm、Z轴为高度μm的3D影像；

5)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部；

6)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成横轴为TD方向位置μm、纵轴为高度μm的图表，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范围中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值μm，将上述最大值设为极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

7.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过利用下述4)～6)所规定的测定方法而测得的上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下；

4)对上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置μm、MD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成X轴为TD方向位置μm、Y轴为MD方向位置μm、Z轴为高度μm的3D影像；

5)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部；

6)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成横轴为TD方向位置μm、纵轴为高度μm的图表，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范围中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值μm，将上述最大值设为极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

8.根据权利要求1至5及7中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其中，上述极薄铜层侧表面的最大高度Ry为2.0μm以下。

9.根据权利要求1至5及7中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

10.根据权利要求1至5及7中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率为10条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

11.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

12.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率为10条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

13.根据权利要求1至5、7、11及12中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频率为8条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

14.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

其通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频率为8条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

15.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

16.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，上述载体的厚度为5～70μm。

17.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，在上述极薄铜层表面及上述载体表面的任一者或两者具有粗化处理层。

18.根据权利要求17所述的附载体铜箔，其中，上述粗化处理层是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任一种以上的合金构成的层。

19.根据权利要求17所述的附载体铜箔，其中，在上述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层。

20.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，在上述极薄铜层的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层。

21.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，在上述极薄铜层上具备树脂层。

22.根据权利要求17所述的附载体铜箔，其中，在上述粗化处理层上具备树脂层。

23.根据权利要求19所述的附载体铜箔，其中，在选自由上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层上，具备树脂层。

24.根据权利要求20所述的附载体铜箔，其中，在选自由上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中1种以上的层上，具备树脂层。

25.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其在上述载体的一面依序具有中间层及极薄铜层，

在上述载体的与上述极薄铜层侧的表面相反侧的面，设置有上述粗化处理层。

26.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，在上述载体的两面依序具有中间层及极薄铜层。

27.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为1.6μm以下。

28.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为1.6μm以下。

29.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其中，上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为1.6μm以下。

30.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，其通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为1.6μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层。

31.根据权利要求1至5、7、11、12及14中任一项所述的附载体铜箔，将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

32.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下。

33.根据权利要求1至5、7、11、12、14及32中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下；

蚀刻条件

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

34.根据权利要求33所述的附载体铜箔，其中，对上述图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为1.6μm以下。

35.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下；

蚀刻条件

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

36.根据权利要求35所述的附载体铜箔，其中，对上述图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为1.6μm以下。

37.根据权利要求1至5、7、11、12、14、32及35中任一项所述的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为5.0μm以下；

蚀刻条件

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

38.根据权利要求37所述的附载体铜箔，其中，对上述图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为3.8μm以下。

39.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为5.0μm以下；

蚀刻条件

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水。

40.一种附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，其满足下述A～I的一个或两个以上；

A：

通过利用下述1)～3)所规定的测定方法而测得的上述载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下；

1)在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下将上述附载体铜箔自极薄铜层侧加热压制于双马来亚酰胺三嗪树脂基材后，自附载体铜箔剥离载体，对上述载体的极薄铜层侧表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置μm、MD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成X轴为TD方向位置μm、Y轴为MD方向位置μm、Z轴为高度μm的3D影像；

2)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部；

3)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成横轴为TD方向位置μm、纵轴为高度μm的图表，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值μm，将上述最大值设为载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值；

B：

上述极薄铜层的载体侧表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下；

C：

上述极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下；

D：

通过下述方法而露出的树脂基板表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层；

E：

通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为2.0μm以上的条纹状凹部的频率为10条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层；

F：

通过下述方法而露出的树脂基板表面中，平均深度为1.2μm以上的条纹状凹部的频率为8条/199572μm²以下，又，上述方法是：通过在压力：20kgf/cm²、220℃中2小时的条件下进行加热压制而将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着通过蚀刻来去除上述极薄铜层；

G：

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离上述载体，接着于露出的极薄铜层表面形成图案镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自上述树脂基板的极薄铜层侧表面至上述图案镀铜层的最高上端部的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下；

H：

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用以下的条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过剖面观察而得到的自树脂基板的极薄铜层侧表面至镀铜层的厚度的最大值－最小值为2.0μm以下；

蚀刻条件

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷雾喷嘴：实心圆锥型

·喷雾压力：0.10Mpa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

具有过氧化氢稳定剂及电路形状稳定剂的功能的添加剂0.4vol％

剩余部分为水；

I：

将上述附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于双马来亚酰胺三嗪树脂基板后，剥离载体，在极薄铜层的厚度比1.5μm厚的情形时，对露出的极薄铜层表面进行蚀刻，而使极薄铜层的厚度成为1.5μm，在极薄铜层的厚度比1.5μm薄的情形时，对露出的极薄铜层表面进行镀铜，而使极薄铜层与镀铜的合计厚度成为1.5μm，接着，对所露出的极薄铜层表面(在进行蚀刻或镀铜的情形时，进行了蚀刻或镀铜的表面)，以L线/S间距＝21μm/9μm且图案镀铜层的厚度成为15μm的方式形成宽度为21μm的图案镀铜层，然后利用上述蚀刻条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至成为电路上端的宽度为15μm的镀铜层，此时，通过俯视观察而得到的在俯视观察时由自镀铜层的宽度为15μm的电路上端朝与电路延伸方向垂直的方向延伸的铜残渣所构成的拖尾部的最大长度为5.0μm以下。

41.一种积层体，其是使用权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔而制得。

42.一种积层体，其含有权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔与树脂，上述附载体铜箔的端面的一部分或全部被上述树脂覆盖。

43.一种积层体，其是将一个权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔自上述载体侧或上述极薄铜层侧积层于另一个权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔的上述载体侧或上述极薄铜层侧而成。

44.根据权利要求43所述的积层体，其中，上述一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面与上述另一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述极薄铜层侧表面，视需要经由接着剂而直接积层构成。

45.根据权利要求43所述的积层体，其中，上述一个附载体铜箔的上述载体或上述极薄铜层与上述另一个附载体铜箔的上述载体或上述极薄铜层接合。

46.根据权利要求43所述的积层体，其中，其中，上述积层体的端面的一部分或全部被树脂覆盖。

47.一种印刷配线板的制造方法，其使用有权利要求41至46中任一项所述的积层体。

48.一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：在权利要求41至46中任一项所述的积层体至少设置一次树脂层与电路此两层；及

在至少形成一次上述树脂层与电路此两层后，自上述积层体的附载体铜箔剥离上述极薄铜层或上述载体。

49.一种印刷配线板，其是使用权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔制造而成。

50.一种电子机器，其是使用权利要求49所述的印刷配线板制造而成。

51.一种附载体铜箔的制造方法，其使用表面的条纹状凹部的平均深度的最大值为2.0μm以下的电解滚筒而制造电解铜箔载体，在上述电解铜箔载体的光泽面，依序设置中间层与极薄铜层。

52.一种附载体铜箔的制造方法，其是准备通过利用下述7)～9)所规定的测定方法而测得的至少一个表面中的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下的载体，在上述载体的上述表面依序设置中间层与极薄铜层；

7)对上述载体表面以非接触式粗糙度测定机进行测定，根据所得到的各TD方向位置μm、MD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成X轴为TD方向位置μm、Y轴为MD方向位置μm、Z轴为高度μm的3D影像；

8)接着，确认上述3D影像中长度为200μm以上的条纹状凸部；

9)上述测定视野是将其视野的一边设为与MD方向平行，根据在与上述MD方向垂直的方向以32μm的间距而得的各TD方向位置μm中的高度μm的测定数据，制成横轴为TD方向位置μm、纵轴为高度μm的图表，将所得到的图表中的相当于上述条纹状凸部的部位的高度为最高的部位中的高度H_H1与上述部位的两侧20μm的范囲中高度为最低的部位的高度H_L1的差ΔH₁＝H_H1－H_L1设为上述部位中的条纹状凸部的高度，将以32μm的间距测得的各条纹状凸部中的ΔH的算术平均值设为上述条纹状凸部的平均高度，针对三个视野中各条纹状凸部求出平均高度，测定三个视野中的条纹状凸部的平均高度的最大值μm，将上述最大值设为载体表面的条纹状凸部的平均高度的最大值。

53.一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：准备权利要求1至40中任一所述的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离上述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法而形成电路。

54.一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：在权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；

在形成上述树脂层后，将上述载体或上述极薄铜层剥离；及

将上述载体或上述极薄铜层剥离后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面且埋没于上述树脂层的电路露出。

55.一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：在权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；

在上述树脂层上形成电路；

在上述树脂层上形成电路后，将上述载体或上述极薄铜层剥离；及

将上述载体或上述极薄铜层剥离后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面且埋没于上述树脂层的电路露出。

56.一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：将权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板积层；

在与和上述附载体铜箔的树脂基板积层的侧相反侧的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面，至少设置一次树脂层与电路此两层；及

在形成上述树脂层及电路此两层后，自上述附载体铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层。

57.一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：将权利要求1至40中任一项所述的附载体铜箔的上述载体侧表面与树脂基板积层；

在与和上述附载体铜箔的树脂基板积层的侧相反侧的上述极薄铜层侧表面，至少设置一次树脂层与电路此两层；及

在形成上述树脂层及电路此两层后，自上述附载体铜箔剥离上述极薄铜层。