TWI567182B - 研磨用組成物 - Google Patents

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Description

研磨用組成物
本發明係關於在將具有含有IV族材料及III-V族化合物等高移動度材料的部分(以下，亦稱為高移動度材料部分)與含有氧化矽等矽材料的部分(以下，亦稱為矽材料部分)之研磨對象物進行研磨的用途中所使用之研磨用組成物。本發明亦關於使用有該研磨用組成物之研磨方法及基板之製造方法。
現正推展將載子的移動速度提高之高移動度通道材料的探討，作為使電晶體的消耗電力減低或性能(動作特性)提昇的技術之一。於載子的輸送特性提昇後的通道中，由於開通時的汲極電流會提高，因此可得到充分的開通電流，同時將電源電壓降低。該組合係可獲得於低電力時更高的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)之性能。
高移動度通道材料，係電子或電洞的移動度比矽更高，而可期待適用載子之輸送特性優異的砷化鎵(GaAs)等之III-V族化合物、矽鍺(SiGe)或鍺(Ge)等之IV族材料、或者僅由碳(C)所構成的單層石墨。特別是積極地探討使用有比III-V族化合物更容易導入的IV族材料之通道。控制具有高結晶性的III-V族化合物通道使其成長為所期望的形狀之技術尚未確立。此外，相對於使用有 IV族材料的通道，III-V族化合物通道係成本方面表現較差。
高移動度材料通道，係可將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨而形成。此時，若使用可比矽材料部分更高選擇性地研磨高移動度材料部分的研磨用組成物，則能夠將高移動度材料部分有效率地去除。此外，由於氧化矽等之氧化物損失變少，因此可確保配線層間的耐電壓。進而，在之後進行光微影步驟時，由於氧化物損失少因此曝光聚焦會變得容易，而使步驟安定(參照專利文獻1)。然而，在將僅由IV族化合物所構成的化合物半導體基板進行研磨之用途中以往所使用之例如專利文獻2或專利文獻3所記載的研磨用組成物，係在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途中使用時，並沒有發揮對於高移動度材料部分之充分的高研磨選擇性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-204520公報
[專利文獻2]日本特開2010-130009公報
[專利文獻3]日本特表2010-519740公報
因此本發明之目的為提供一種研磨用組成物，其係可 在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途中使用時發揮對於高移動度材料部分之高的研磨選擇性，此外，提供一種使用有該研磨用組成物之研磨方法及基板之製造方法。
為了達成上述目的，於本發明之第1態樣中，係提供一種研磨用組成物，其係在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途中所使用之研磨用組成物，該研磨用組成物含有平均一次粒徑為40nm以下的研磨粒、及氧化劑。
此研磨用組成物係以進一步含有抑制水解化合物者為佳，該抑制水解化合物係發揮與前述矽材料部分之表面OH基鍵結而抑制矽材料的部分之水解的功用。
於本發明之第2態樣中，係提供一種研磨用組成物，其係在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨之用途中所使用的研磨用組成物，該研磨用組成物含有研磨粒、氧化劑、以及抑制水解化合物，該抑制水解化合物係發揮與前述矽材料部分之表面OH基鍵結而抑制矽材料部分之水解的功用。
上述第1及第2態樣之研磨用組成物係以具有中性之pH者為佳。
本發明之第3態樣中，係提供一種使用上述第1或第2態樣之研磨用組成物，來將具有高移動度材料部分與矽 材料部分之研磨對象物進行研磨的方法。
於本發明之第4態樣中，係提供一種藉由使用上述第1或第2態樣之研磨用組成物，來將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨，而製造基板的方法。
若依據本發明，則可提供一種研磨用組成物，其係可在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途中使用時發揮對於高移動度材料部分之高的研磨選擇性、以及使用有該研磨用組成物之研磨方法及基板之製造方法。
以下，說明本發明之第1實施形態。
本實施形態之研磨用組成物係將特定的研磨粒與氧化劑於水中進行混合而加以調製。因而，研磨用組成物係含有特定的研磨粒、及氧化劑。
此研磨用組成物，係在將具有高移動度材料部分與矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途，進一步而言是在將該研磨對象物進行研磨而製造基板的用途中選擇性地研磨高移動度材料部分之目的下使用。在此所謂高移動度材料係指電子或電洞的移動度比矽材料更高的材料。高移動度材料的例子係可列舉：磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP) 、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)等之III-V族化合物、或矽鍺(SiGe)及鍺(Ge)等之IV族材料。此外，矽材料的例子係可列舉：多晶矽、氧化矽、氮化矽等。例如，相對於作為電子移動度1600cm2/V．s及電洞移動度430cm2/V．s之矽材料，作為高移動度材料之磷化銦的電子移動度係展現5400cm2/V．s且電洞移動度係展現200cm2/V．s、砷化鎵的電子移動度係展現8500cm2/V．s且電洞移動度係展現400cm2/V．s、砷化銦的電子移動度係展現40000cm2/V．s且電洞移動度係展現500cm2/V．s、銻化銦的電子移動度係展現77000cm2/V．s且電洞移動度係展現850cm2/V．s、而鍺的電子移動度係展現3900cm2/V．s且電洞移動度係展現1900cm2/V．s，相對於矽材料高移動度材料係針對電子移動度及電洞移動度雙方或一方有意展現高的值。
(研磨粒)
研磨用組成物中所含有的研磨粒係具有40nm以下之平均一次粒徑。相較於使用有平均一次粒徑超過40nm的研磨粒之情況，於使用有40nm以下之平均一次粒徑的小研磨粒之情況中，具有以研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度會比以研磨用組成物所致之高移動度材料部分的研磨速度更大幅地降低之優點。另外，研磨粒之一次平均粒徑的值，例如，可根據以布厄特(BET)法所測量的研磨粒之比表面積而計算。
研磨用組成物中之研磨粒亦可為無機粒子及有機粒子中任一者。無機粒子之具體例係可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鈦等之金屬氧化物所構成的粒子。有機粒子之具體例係可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。其中係以二氧化矽粒子為佳，特佳者為膠質二氧化矽。
研磨用組成物中之研磨粒的含量係以20質量%以下者為佳，較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下。隨著研磨粒的含量越少，除了越能抑制研磨用組成物之材料成本以外，還越難引起研磨粒的凝聚。
研磨粒之平均二次粒徑係以170nm以下者為佳，較佳為150nm以下，更佳為120nm以下。隨著研磨粒之平均二次粒徑越小，越容易藉由使用研磨用組成物來將研磨對象物進行研磨而得到刮痕較少的研磨面。研磨粒之平均二次粒徑的值，例如，可藉由雷射光散射法而測量。
(氧化劑)
研磨用組成物中所含有的氧化劑之種類雖無特別限定，但以具有0.3V以上的標準電極電位者為佳。相較於使用具有未達0.3V之標準電極電位的氧化劑之情況，於使用具有0.3V以上之標準電極電位的氧化劑之情況中，係具有以研磨用組成物所致之高移動度材料部分的研磨速度會提昇之優點。具有0.3V以上之標準電極電位的氧化劑之具體例，係可列舉：過氧化氫、過氧化鈉、過氧化 鋇、有機氧化劑、臭氧水、銀(II)鹽、鐵(III)鹽、以及過錳酸、鉻酸、重鉻酸、過氧二硫酸、過氧磷酸、過氧硫酸、過氧硼酸、過氧甲酸、過氧乙酸、過氧苯甲酸、過氧鄰苯二苯甲酸、次氯酸、次溴酸、次碘酸、氯酸、亞氯酸、過氯酸、溴酸、碘酸、過碘酸、硫酸、過硫酸、檸檬酸、二氯異三聚氰酸及此等之鹽等。此等之中，就大幅提昇以研磨用組成物所致之高移動度材料部分之研磨速度的觀點而言，以過氧化氫、過硫酸銨、次氯酸、過碘酸、及二氯異三聚氰酸鈉為佳。
另外，標準電極電位係指與氧化反應相關之所有的化學種皆處於標準狀態時以下述式子所表示。
E0=-△G0/nF=(RT/nF)1nK
在此，E0為標準電極電位，△G0為氧化反應之標準吉布斯(Gibbs)能變化，K為該平行常數、F為法拉第常數，T為絕對溫度，n為與氧化反應相關的電子數。因而，標準電極電位會隨著溫度而變動，因此，於本說明書中採用25℃時之標準電極電位。另外，水溶液系之標準電極電位，係於例如改訂4版化學便覽(基礎編)II、pp464-468(日本化學會編)等中所記載。
研磨用組成物中之氧化劑的含量係以0.01mol/L以上者為佳，較佳為0.1mol/L以上。隨著氧化劑之含量越多，越會提昇以研磨用組成物所致之高移動度材料部分的研磨速度。
研磨用組成物中之氧化劑的含量係以100mol/L以下 者為佳，較佳為50mol/L以下。隨著氧化劑的含量越少，除了越能抑制研磨用組成物之材料成本以外，還能減輕研磨使用後之研磨用組成物的處理，亦即廢液處理之負荷。
(pH調整劑)
研磨用組成物之pH係以中性者，更具體而言，以5以上9以下之範圍內者為佳。於pH為中性之情況中，係具有降低以研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度之優點。
為了將研磨用組成物之pH調整為所期望的值，亦可使用pH調整劑。所使用的pH調整劑係可為酸及鹼中任一者，此外，亦可為無機及有機之化合物中任一者。
若依據本實施形態則可得到以下之作用效果。
．於本實施形態之研磨用組成物中，為了使研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度降低，而使用有平均一次粒徑40nm以下之小的研磨粒。因此，此研磨用組成物係具有對於高移動度材料部分之高的研磨選擇性。
．於研磨用組成物之pH為中性的情況中，為了使研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度更加降低，而進一步提昇對於高移動度材料部分之研磨用組成物的研磨選擇性。
以下，說明本發明之第2實施形態。
第2實施形態之研磨用組成物係將研磨粒、氧化劑與抑制水解化合物於水中進行混合而加以調製。因而，研磨 用組成物係含有研磨粒、氧化劑及抑制水解化合物。
第2實施形態之研磨用組成物，亦與第1實施形態之研磨用組成物相同，係在將具有磷化鎵、磷化銦、砷化鎵、砷化銦、銻化銦、矽鍺及鍺等高移動度材料部分與氧化矽等矽材料部分之研磨對象物進行研磨的用途，進一步而言是在將該研磨對象物進行研磨而製造基板的用途中選擇性地研磨高移動度材料部分之目的下使用。
(研磨粒)
第2實施形態之研磨用組成物中所含有的研磨粒，並不需要具有40nm以下之平均一次粒徑，除了此點外與第1實施形態之研磨用組成物中所含有的研磨粒相同。
(氧化劑)
第2實施形態之研磨用組成物中所含有的氧化劑，係與第1實施形態之研磨用組成物中所含有的氧化劑相同。
(抑制水解化合物)
第2實施形態之研磨用組成物中所含有的抑制水解化合物，係發揮與矽材料部分之表面OH基鍵結而抑制矽材料的部分之水解的功用。詳細而言，係被認為在矽材料部分之表面OH基與抑制水解化合物具有的氧原子之間形成有氫鍵結。此外，亦被認為在矽材料部分之表面OH基與抑制水解化合物具有的氮原子之間形成有氫鍵結。因而， 於使用有抑制水解化合物之情況中，係具有降低以研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度之優點。若考慮此機制，則抑制水解化合物係以具有氧原子的化合物及具有氮原子之含氮化合物者為佳。具有氧原子的抑制水解化合物之具體例係可列舉：1-丙醇、2-丙醇、2-丙炔-1-醇、烯丙醇、乙烯氰醇(ethylene cyanohydrin)、1-丁醇、2-丁醇、(S)-(+)-2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、t-丁醇、全氟-t-丁醇、巴豆醇、1-戊醇、2,2-二甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、3-甲基-1-丁醇、S-戊醇、1-己醇、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、4-甲基-2-戊醇、環己醇、DL-3-己醇、1-庚醇、2-乙基己醇、(S)-(+)-2-辛醇、1-辛醇、DL-3-辛醇、2-羥苯甲醇、2-硝苯甲醇、3,5-二羥苯甲醇、3,5-二硝苯甲醇、3-氟苯甲醇、3-羥苯甲醇、4-氟苯甲醇、4-羥苯甲醇、苯甲醇、m-(三氟甲基)苯甲醇、m-二胺基苯甲醇、m-硝苯甲醇、o-胺基苯甲醇、o-羥苯甲醇、p-羥苯甲醇、p-硝苯甲醇、2-(p-氟苯基)乙醇、2-胺基苯乙醇、2-甲氧苯甲醇、2-甲基-3-硝苯甲醇、2-甲基苯甲醇、2-硝苯乙醇、2-苯乙醇、3,4-二甲基苯甲醇、3-甲基-2-硝苯甲醇、3-甲基-4-硝苯甲醇、3-甲基苯甲醇、4-氟苯乙醇、4-羥基-3-甲氧苯甲醇、4-甲氧苯甲醇、4-甲基3-硝苯甲醇、5-甲基-2-硝苯甲醇、DL-α-羥乙基苯、o-(三氟甲基)苯甲醇、p-(三氟甲基)苯甲醇、p-胺基苯乙醇、p-羥苯乙醇、p-甲基苯甲醇及S-苯乙醇、乙炔醇等之醇、4-甲酚、4-乙酚及4-丙酚等酚、乙二醇、丙二醇、辛乙二醇(caprylyl glycol)、丁二醇、乙炔二醇等之二醇、n-癸醇-n-甲基-D-還原葡糖胺、n-辛醯基-n-甲基-D-還原葡糖胺、n-壬醯基-n-甲基-D-還原葡糖胺等還原葡糖胺、丙三醇酯、山梨糖醇酯、甲氧乙酸、乙氧乙酸、3-乙氧丙酸、聚氧乙烯(以下，稱為POE)去水山梨醇脂肪酸酯、POE二醇脂肪酸酯、POE己糖醇酐(hexitans)脂肪酸酯及丙胺酸乙酯等酯、聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇、聚乙二醇烷基醚、聚乙二醇烯基醚、烷基聚乙二醇、烷基聚乙二醇烷基醚、烷基聚乙二醇烯基醚、烯基聚乙二醇、烯基聚乙二醇烷基醚、烯基聚乙二醇烯基醚、聚丙二醇烷基醚、聚丙二醇烯基醚、烷基聚丙二醇、烷基聚丙二醇烷基醚、烷基聚丙二醇烯基醚、烯基聚丙二醇、烯基聚丙二醇烷基醚及烯基聚丙二醇烯基醚、POE伸烷基二甘油基醚、POE烷基醚、POE烷基苯基醚、POE聚丙烯烷基醚等醚、及聚氧丙烯/聚氧乙烯之嵌段/無規共聚物等。
此外，具有氮原子的抑制水解化合物之具體例係可列舉：雙六亞甲基三胺(BHMT)、氫氧化四甲基銨(TMAH)、四甲基胺(TMA)、四乙基胺(TEA)、二甲基胺、三甲基胺、三乙基胺、丙二胺(propylene diamine)、甲基胺、乙基胺、哌、哌啶等水溶性烷基胺、氫氧化膽鹼(CH)、三乙醇胺、二乙醇胺、乙醇胺等胺醇類、伸乙基二胺四乙酸(EDTA)、二乙基二硫胺甲酸鈉、幾丁聚醣(chitosan)等水溶性胺化合物。
研磨用組成物中之抑制水解化合物的含量係以10質 量ppm以上者為佳，較佳為50質量ppm以上。隨著抑制水解化合物之含量越多，越會降低以研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度。
研磨用組成物中之抑制水解化合物的含量又以100000質量ppm以下者為佳，較佳為50000質量ppm以下。隨著抑制水解化合物的含量越少，除了越能抑制研磨用組成物之材料成本以外，還能減輕研磨使用後之研磨用組成物的處理，亦即廢液處理之負荷。
(pH調整劑)
第2實施形態之研磨用組成物亦與第1實施形態之研磨用組成物相同為中性，更具體而言，以5以上且9以下之範圍內者為佳。於pH為中性之情況中，係具有降低以研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度之優點。
為了將第2實施形態之研磨用組成物的pH調整為所期望的值，亦可使用pH調整劑。所使用的pH調整劑係可為酸及鹼中任一者，此外，亦可為無機及有機之化合物中任一者。
若依據第2實施形態則可得到以下之作用效果。
．於第2實施形態之研磨用組成物中，為了使研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度降低，而使用有抑制水解化合物。因此，此研磨用組成物係具有對於高移動度材料部分之高的研磨選擇性。
．於研磨用組成物之pH為中性的情況中，為了使研 磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度更加降低，而進一步提昇對於高移動度材料部分之研磨用組成物的研磨選擇性。
前述實施形態亦可變更如下。
．第1及第2實施形態之研磨用組成物亦可含有二種以上之研磨粒。於第1實施形態之研磨用組成物為含有二種以上之研磨粒的情況中，針對一部分的研磨粒並非一定具有40nm以下之平均一次粒徑。
．第1及第2實施形態之研磨用組成物亦可含有二種以上之氧化劑。
．第2實施形態之研磨用組成物亦可含有二種以上之抑制水解化合物。
．第1實施形態之研磨用組成物亦可進一步含有抑制水解化合物。於此情況中，為了使研磨用組成物所致之矽材料部分的研磨速度更加降低，而進一步提昇對於高移動度材料部分之研磨用組成物的研磨選擇性。
．前述實施形態之研磨用組成物亦可因應需要而進一步含有如防蝕劑之類所周知的添加劑。
．前述實施形態之研磨用組成物可為一液型，亦可為預先製成二液型之多液型。
．前述實施形態之研磨用組成物亦可藉由將研磨用組成物之原液以水來進行稀釋而調製。
接著，說明本發明之實施例及比較例。
(實施例101~117及比較例101、102)
因應需要將抑制水解化合物及pH調整劑與膠質二氧化矽及氧化劑一併與水進行混合，藉此而調製出實施例101~107及比較例101、102之研磨用組成物。將測量出各研磨用組成物中之成分的詳細內容、及各研磨用組成物之pH的結果展示於表1。
表1中，「H2O2」係表示過氧化氫，「APS」係表示過硫酸銨。pH調整劑係使用乙酸或氫氧化鉀。
使用實施例101~107及比較例101、102之各研磨用組成物，將以表2中所記載的條件來將矽鍺空白晶圓、鍺空白晶圓(blanket wafer)、及正矽酸乙酯(TEOS)空白晶圓的表面研磨後所求出的研磨速度之值展示於表3的「SiGe之研磨速度」欄、「Ge之研磨速度」欄、及「TEOS之研磨速度」欄。研磨速度之值，針對TEOS空白晶圓係藉由將使用光干擾式膜厚測定裝置所測量的研磨前後之晶圓厚度的差除以研磨時間而求出，針對矽鍺空白晶圓及鍺係藉由將研磨前後之晶圓重量的差除以密度與研磨時間而求出。此外，將以此方式所求出的實施例101~117及比較例101、102之各種研磨用組成物所致之矽鍺的研磨速度除以相同研磨用組成物所致之TEOS的研磨速度所得到的值展示於表3之「SiGe之研磨速度/TEOS之研磨速度」欄，將鍺的研磨速度除以相同研磨用組成物所致之TEOS的研磨速度所得到的值展示於表3之「Ge之研磨速度/TEOS之研磨速度」欄。
TEOS之研磨速度的值雖在300Å/min以下時為合格水準，但較佳為200Å/min以下，更佳為100Å/min以下。將矽鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值雖在5以上時為合格水準，但較佳為10以上，更佳為15以上。將鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值在10以上時為合格水準。
如表3所示，於實施例101~117之研磨用組成物的情況中，將矽鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值為5以上或是將鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值為10以上，而得到對選擇性研磨高移動度材料部分的目的而言能滿足使用的水準之結果。特別是將pH調整為7後的實施例101、103、105~116，係將矽鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值、及將鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值同為10以上，而得到特別良好的結果。
相對於此，於比較例101之研磨用組成物的情況中，將矽鍺之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值低於5而未達合格水準，無法得到對選擇性研磨高移動度材料部分的目的而言能滿足使用的水準之結果。
(實施例201~216及比較例201)
因應需要將抑制水解化合物及pH調整劑與膠質二氧化矽及氧化劑一併與水進行混合，藉此而調製出實施例201~216及比較例201之研磨用組成物。將測量出各研磨用組成物中之成分的詳細內容、及各研磨用組成物之pH的結果展示於表4。
表4中，「H2O2」係表示過氧化氫，「APS」係表示過硫酸銨，「KOH」係表示氫氧化鉀。
使用實施例201~216及比較例201之各研磨用組成物，將以表5中所記載的條件來將砷化鎵空白晶圓及正矽酸乙酯(TEOS)空白晶圓的表面研磨後所求出的研磨速度之值展示於表6的「GaAs之研磨速度」欄及「TEOS之研磨速度」欄。研磨速度之值，針對TEOS空白晶圓係藉由將使用光干擾式膜厚測定裝置所測量的研磨前後之晶圓厚度的差除以研磨時間而求出，針對砷化鎵空白晶圓係藉由將研磨前後之晶圓重量的差除以密度與研磨時間而求出。此外，將以此方式所求出的實施例201~216及比較例201之各研磨用組成物所致之砷化鎵的研磨速度除以相同研磨組成物所致之TEOS的研磨速度所得到的值展示於表6之「GaAs之研磨速度/TEOS之研磨速度」欄。
TEOS之研磨速度的值雖在300Å/min以下時為合格水準，但較佳為200Å/min以下，更佳為100Å/min以下。將砷化鎵之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值雖在5以上時為合格水準，但較佳為10以上，更佳為15以上。
如表6所示，於實施例201~216之研磨用組成物的情況中，將TEOS之研磨速度為100Å/min以下、或是將砷化鎵之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值為15 以上，而得到對選擇性研磨高移動度材料部分的目的而言能滿足使用的水準之結果。
相對於此，於比較例201之研磨用組成物的情況中，將砷化鎵之研磨速度除以TEOS之研磨速度所得到的值未達合格水準，而無法得到對選擇性研磨高移動度材料部分的目的而言能滿足使用的水準之結果。

Claims (5)

  1. 一種研磨用組成物，其係在將具有含有高移動度材料的部分與含有矽材料的部分之研磨對象物進行研磨的用途中所使用之研磨用組成物，其特徵為，含有平均一次粒徑為40nm以下的研磨粒、氧化劑、及發揮與前述含有矽材料的部分之表面OH基鍵結而抑制含有矽材料的部分之水解的功用之抑制水解化合物，前述抑制水解化合物，為還原葡糖胺、醚、聚氧丙烯/聚氧乙烯之嵌段/無規共聚物、水溶性烷基胺、或胺醇，前述醚，為聚氧乙烯伸烷基二甘油基醚、聚丙二醇、或聚乙二醇，前述水溶性烷基胺，為三甲基胺。
  2. 一種研磨用組成物，其係在將具有含有高移動度材料的部分與含有矽材料的部分之研磨對象物進行研磨之用途中所使用的研磨用組成物，其特徵為，含有研磨粒、氧化劑、以及發揮與前述含有矽材料的部分之表面OH基鍵結而抑制含有矽材料的部分之水解的功用之抑制水解化合物，前述抑制水解化合物，為還原葡糖胺、醚、聚氧丙烯/聚氧乙烯之嵌段/無規共聚物、水溶性烷基胺、或胺醇，前述醚，為聚氧乙烯伸烷基二甘油基醚、聚丙二醇、或聚乙二醇，前述水溶性烷基胺，為三甲基胺。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，其中研磨用組成物係具有中性的pH。
  4. 一種研磨方法，其特徵為，使用如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，來將具有含有高移動度材料的部分與含有矽材料的部分之研磨對象物進行研磨。
  5. 一種基板之製造方法，其特徵為，具有：使用如申請專利範圍第1或2項之研磨用組成物，來將具有含有高移動度材料的部分與含有矽材料的部分之研磨對象物進行研磨的步驟。
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