TWI557901B - A light emitting element display device - Google Patents
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Description
本發明係關於發光元件顯示裝置。
近年，使用有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)等之自發光體之發光元件顯示裝置已實用化。以使用此般之OLED之有機EL(Electro-luminescent：電致發光)顯示裝置為首之發光元件顯示裝置與先前之液晶顯示裝置相比，因使用了自發光體，故不僅視認性、應答速度之點較優異，亦無須設置如背光之輔助照明裝置，因此可進而薄型化。
專利文獻1係揭示有具有補償配置於各像素之驅動電晶體之臨限電壓之薄膜電晶體及電容器之有機EL顯示裝置。
[專利文獻1]日本專利第4989415號公報
於上述般之有機EL顯示裝置等之發光元件顯示裝置亦隨著近年來朝高精細化發展，各像素之大小日趨變小。有機EL顯示裝置係藉由於各像素中保持與灰階值相應之電位差而流通電流者，但因隨著像素變小電極亦變小，於是用以保持電位差之電容變小。於保持電位差之電容較小之情形時，認為會因雜訊之影響或少量洩漏之影響使得電
位差變化，造成各像素之亮度之不均一，故而顯示品質降低。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種即使於高精細化之情形下顯示品質仍高之發光元件顯示裝置。
本發明之發光元件顯示裝置包含：基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述基板上之顯示區域；1或複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素；發光元件，其藉由於上述各像素中流通電流而發光；第1電極，其配置於上述基板及上述薄膜電晶體間，且俯視時至少與2個上述薄膜電晶體重疊；及第2電極，其於上述第1電極之與上述基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第1電極形成電容之導電材料。此處所言之像素係意指具有發光元件之單位，於藉由以複數個發光元件構成像素而具有複數個副像素之情形時意指副像素。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中亦可為，上述第1電極跨及複數個像素而形成，上述第1電極可覆蓋上述顯示區域而形成。於該情形時，於上述第1電極，亦可形成有俯視時於複數個部位開出之孔即狹縫。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中，上述第1電極亦可於上述各像素中連接於使上述發光元件發光之基準電位。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中亦可為，上述第1電極與上述發光元件之陰極電極電性連接，上述第2電極與上述陽極電極電性連接。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中亦可為，上述各像素具有：像素電晶體，其控制與灰階值相應之電壓之施加；及驅動電晶體，其基於經由上述像素電晶體施加之電位而控制發光；上述第2電極連接於上述驅動電晶體之閘極連接。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中，上述第1電極亦可連接於上述驅動電晶體之源極或汲極之一者。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中，亦可進而具備：第3電極，其於上述第2電極之與上述基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第2電極形成電容之導電材料；上述第3電極與上述第1電極電性連接，且與第2電極形成電容。
又，於本發明之發光元件顯示裝置中，亦可進而具備：第3電極，其於上述第2電極之與上述基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第2電極形成電容之導電材料；且上述第1電極係與上述發光元件之陰極電極連接，上述第2電極係與上述驅動電晶體之源極或汲極之一者連接，上述第3電極係與上述驅動電晶體之閘極連接。
又，本發明之發光元件顯示裝置包含：基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述基板上之顯示區域；1或複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素；發光元件，其具備包含發光層之有機層、陽極電極及陰極電極；第1電極，其配置於上述基板及上述薄膜電晶體之間，且俯視時至少與2個上述薄膜電晶體重疊；及第2電極，其於上述第1電極之與上述基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且與上述第1電極對向。
又，本發明之發光元件顯示裝置包含：基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述基板上之顯示區域；1或複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素，且具有第1半導體層；發光元件，其具備包含發光層之有機層、陽極電極及陰極電極；第2半導體層，其與上述第1半導體層形成於同層；第1電極，其配置於上述基板及上述薄膜電晶體之間；及第2電極，其於上述第1電極之與上述基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且與上述第1電極對向；上述第1
電極係於俯視時至少重疊於上述薄膜電晶體之1個之上述第1半導體層與上述第2半導體層。
100‧‧‧有機EL顯示裝置
120‧‧‧TFT基板
125‧‧‧密封膜
130‧‧‧有機EL元件
131‧‧‧陽極電極
132‧‧‧有機層
133‧‧‧陰極電極
135‧‧‧像素分離膜
150‧‧‧對向基板
160‧‧‧TFT電路層
161‧‧‧基底膜
163‧‧‧絕緣膜
165‧‧‧絕緣膜
166‧‧‧絕緣膜
167‧‧‧絕緣膜
168‧‧‧平坦化膜
171‧‧‧第1電極
172‧‧‧第2電極
173‧‧‧第3電極
174‧‧‧橋接部
178‧‧‧狹縫
181‧‧‧FPC
182‧‧‧驅動IC
185‧‧‧端子
191‧‧‧填充劑
192‧‧‧密封劑
205‧‧‧顯示區域
210‧‧‧像素
212‧‧‧副像素
220‧‧‧像素電晶體
221‧‧‧閘極
222‧‧‧汲極
223‧‧‧源極
224‧‧‧半導體層
230‧‧‧驅動電晶體
231‧‧‧閘極
232‧‧‧源極
233‧‧‧汲極
234‧‧‧半導體層
241‧‧‧電容
242‧‧‧電容
243‧‧‧電容
261‧‧‧像素信號線
262‧‧‧掃描信號線
VDD‧‧‧高基準電位
VSS‧‧‧低基準電位
圖1係概略性顯示本發明之實施形態之有機EL顯示裝置之圖。
圖2係概略性顯示圖1之II-II線中剖面之圖。
圖3係顯示未設對向基板之有機EL顯示裝置之例之圖。
圖4係顯示圖1之像素所含之副像素之構成例之圖。
圖5係顯示圖1之像素所含之副像素之構成例之圖。
圖6係顯示副像素中電路之一例之電路圖。
圖7係顯示圖4之VII-VII線之剖面之圖。
圖8係以與圖7相同之視野顯示實施形態之第1變化例之剖面圖。
圖9係俯視且概略性顯示圖8之第1變化例之第1電極及第2電極之配置之圖。
圖10係顯示實施形態之第2變化例之剖面圖。
圖11係顯示實施形態之第3變化例之剖面圖。
圖12係顯示實施形態之第4變化例之剖面圖。
以下，參照圖式說明本發明之各實施形態。另，揭示僅為一例，對於同業人員可容易想到之基於發明主旨之適當變更當亦為包含於本發明之範圍內者。又，圖式係存在為了更明確說明，而有與實際之態樣相比，示意性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但其僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，於本說明書與各圖中，與已出現之圖相關且與前述者相同之要件附註同一符號，且適當省略詳細說明。
圖1係概略性顯示本發明之實施形態之發光元件顯示裝置即有機EL顯示裝置100。如該圖所示，有機EL顯示裝置100具有TFT(Thin
Fi1m Transistor：薄膜電晶體)基板120及對向基板150之2片基板，且於該等之基板間密封有透明樹脂之填充劑191(參照圖2)。於有機EL顯示裝置100之TFT基板120及對向基板150，形成有包含配置成陣列狀之像素210之顯示區域205。此處，各像素210係由複數個副像素212(下述)構成。
又，TFT基板120係包含透明之玻璃或樹脂之絕緣材料而成之基板，於TFT基板120上，載置對配置於各副像素212之TFT即像素電晶體220(下述)之掃描信號線262施加用以導通源極、汲極間之電位，且對像素信號線261(下述)施加與各副像素212之灰階值對應之電壓之驅動電路即驅動IC(Integrated Circuit：積體電路)182，並安裝有用以自外部輸入圖像信號等之FPC(Flexible Printed Circuits：可撓式印刷電路)181。又，於本實施形態中，採用以圖之箭頭所示之方式，於形成有TFT基板120之發光層之側出射光之頂部發光型之有機EL顯示裝置。
圖2係概略性顯示圖1之II-II線之剖面之圖。如該剖面圖所示，於TFT基板120具有形成有TFT電路之TFT電路層160、形成於TFT電路層160上之複數個發光元件即複數個有機EL元件130、覆蓋有機EL元件130且阻斷水分之密封膜125。有機EL元件130係形成相當於各像素210所含之副像素212之數量，且為於圖2中便於理解說明，而省略記述。又，於對向基板150，形成有截斷自透射例如3色或4色之各不相同之波長區域之光之彩色濾光片及各副像素212之邊界出射之光之遮光膜即黑矩陣。TFT基板120與對向基板150之間之填充劑191係由密封劑192密封。
另，於本實施形態中，採用圖2所示般具有對向基板150之構成，但亦可採用圖3所示不具有對向基板150之構成。又，如圖3所示，亦可將驅動IC182配置於FPC181上，尤其於TFT基板120採用柔軟
之樹脂材料之情形時，可為TFT基板120與FPC181一體之構成。又，於本實施形態中，採用於有機EL元件130中發出白色光，且使用彩色濾光片透過3色或4色之波長區域之光之構成，但亦可於有機EL元件130中，採用發出例如3色或4色之各不相同之波長區域之光之構成。
圖4係顯示圖1之像素210所含之副像素212之構成例之圖。如該圖所示，像素210包含出射與R(紅)G(綠)B(藍)W(白)4種顏色對應之波長區域之光之大致矩形之副像素212，副像素212係與同像素210內之其他副像素212以2邊連接之方式整齊排列成田字狀。另，像素210之副像素212之構成並未限定於圖4之構成，亦可為包含與圖5所示之RGB三色對應之副像素212之條紋狀構成，又可為以條紋狀構成進而使用RGBW四種顏色者。構成像素210之副像素212之配置可適當設定而未限定於該等。
圖6係顯示副像素212之電路之一例之電路圖。使用該圖說明發光之電路之動作。對圖像信號線261施加與各副像素212之灰階值相應之圖像信號，且基於掃描信號線262之信號導通像素電晶體220，藉此，基於灰階值之電壓蓄積於電容241及/或242。有機EL元件130係藉由流通基於TFT即驅動電晶體230蓄積於電容241及/或242之電位之電流而發光。電容243係設置於有機EL元件130之陽極、陰極間。有機EL元件130之陽極側連接於低基準電位VSS，且驅動電晶體230之源極側(有機EL元件130側之相反側)保持為高基準電位VDD。
此處，是否形成各電容241、242及243為任意，亦可採用形成全部電容般之構成，又可採用形成任意1個電容或任意2個電容之構成。另，於本電路圖中使用p型之半導體，但亦可使用n型半導體。又，圖6之電路係用以說明發光控制之簡易電路，具有2個電晶體，但亦可採用具有3個以上之電晶體之構成，又可為包含其他控制配線或電容者，電路之構成可任意設定。
圖7係概略性顯示圖4之VII-VII線之剖面之圖。另，於該圖中，省略填充劑191及對向基板150之記述，僅顯示TFT基板120、TFT電路層160、有機EL元件130及密封膜125。如該圖所示，TFT電路層160具有像素電晶體220及驅動電晶體230，且具有配置於TFT基板120與像素電晶體220及驅動電晶體230之間之第1電極171，該第1電極171於俯視時至少與驅動電晶體230之一部分及像素電晶體220之一部分重疊。又，於第1電極171之與TFT基板120側相反側，此處係於第1電極171與像素電晶體220及驅動電晶體230之間，介隔絕緣膜163及165配置有包含與第1電極171形成電容之導電材料之第2電極172。另，於本實施形態中，第1電極171係於俯視時，覆蓋複數個副像素212且覆蓋顯示區域205，並與顯示區域205重疊形成。
此處，第1電極171可採用至少包含具有Mo(鉬)及W(鎢)中任一者之金屬，且覆蓋顯示區域205之固體電極。藉由使用包含Mo或W般之高熔點金屬，於製造時進行熱處理之情形時，亦可不因熔融等變質而保持品質。尤其，於半導體層224或234採用多晶矽等之半導體之情形時有效。另，第2電極172亦可以至少包含Mo及W中任一者之高熔點金屬形成，於該情形時亦可取得同樣之效果。又，藉由於絕緣膜163使用SiN等之介電常數較大之材料，可使以第1電極171與第2電極172形成之電性電容變得更大。此處，第2電極172係於每個副像素212獨立形成1個，且與副像素212內之電路連接。又，於第1電極171與TFT基板120之間形成有包含SiNx等之絕緣材料之基底膜161。
驅動電晶體230具有閘極231、源極232及汲極233，且於源極232及汲極233之間，配置有半導體層234。又，像素電晶體220具有閘極221、源極223及汲極222，且於源極223及汲極222之間，配置有半導體層224。像素電晶體220之汲極222與驅動電晶體230之閘極連接。於半導體層224及234與閘極221及231之間形成包含SiNx等之絕緣材料之
絕緣膜166，且於閘極221及231上形成有包含SiNx等之絕緣材料之絕緣膜167。於像素驅動器220及驅動電晶體230上，形成有包含有機絕緣材料之平坦化膜168。
又，有機EL元件130係由以下構成：經由於平坦化膜168開出之接觸孔而與驅動電晶體230之汲極233連接之陽極電極131；藉由有機絕緣材料覆蓋陽極電極131之端部，且與鄰接之副像素212之陽極電極131之間絕緣之像素分離膜135；與各副像素212之陽極電極131連接，且包含以覆蓋顯示區域205之方式形成之發光層之有機層132；及包含銦及錫之複合氧化物、銦及鋅之複合氧化物等之透明導電膜即陰極電極133。此處，陽極電極131與有機層132相接之區域成為發光之發光區域。
於上述般之構成中，第1電極171係與驅動電晶體230之源極232連接，且於顯示區域205外之複數個部位中與高基準電位VDD連接，且保持有高基準電位VDD之電壓。又，第2電極172係與驅動電晶體230之閘極231(即，像素電晶體220之汲極222)連接。藉此，第1電極171與第2電極172形成圖6之電路圖之電容241。因此，由於可藉由第1電極171及第2電極172形成較大之電容241，故可使提供至有機EL元件130之電流穩定。又，因第1電極171及第2電極172係形成於驅動電晶體230及像素電晶體220之TFT基板120側，故可不對電路構成造成影響而形成電容。又，第1電極171係與高基準電位VDD連接，且重疊於顯示區域205而形成，因而於顯示區域205中，可以一樣之電位供給高基準電位VDD。再者，第1電極171無須於各副像素212內之電路另外設置供給高基準電位VDD之配線，因而可更大地形成驅動電晶體230或像素電晶體220。又，採用第1電極171於顯示區域205外之複數部位連接之構成，藉此可供給更穩定之電位。又，第1電極171係重疊形成於顯示區域205，因而可更效率地散放有機EL元件130所產生之
熱，且亦可遮蔽電路中產生之電磁雜訊。
另，於上述之實施形態中，將第1電極171與驅動電晶體230之源極232連接，且將第2電極172與驅動電晶體230之閘極231連接，但亦可將第1電極171於顯示區域205中連接於有機EL元件130之陰極側所連接之低基準電位VSS，即連接於有機EL元件130之陰極電極，且將第2電極172與驅動電晶體230之汲極233連接，換言之，亦可藉由與有機EL元件130之陽極電極連接而形成電容243。
圖8係以與圖7相同之視野，顯示上述實施形態之第1變化例之剖面圖。於上述之實施形態中，第1電極171係覆蓋顯示區域205之固體電極，但於第1變化例中，於第1電極171之一部分設置有於第1電極171開出之孔即狹縫178，此點與上述實施形態不同。圖9係俯視時概略性顯示第1電極171及第2電極172之配置之圖。如該圖所示，第2電極172係重疊於在顯示區域205整體重疊而擴展之第1電極171，且獨立配置於每個副像素212。又，設置於第1電極171之狹縫178係與第2電極172形成電容，因而設置於未與第2電極172重疊之區域。又，於顯示區域205外，第1電極171係與複數個端子185電性連接，且保持為高基準電位VDD。
藉由此般之構成，除上述實施形態之效果外，可緩和產生於第1電極171內之應力，且可效率地進行散熱。另，於圖8中，將狹縫178設置成孔狀，但狹縫178亦可為以切斷第1電極171之方式自端延伸至端者。於該情形時，各個第1電極171係以俯視時至少與驅動電晶體230之一部分及像素電晶體220之一部分重疊之方式形成，且第1電極171連接於高基準電位VDD等之固定電位。
圖10係顯示上述實施形態之第2變化例之剖面圖。與圖7不同，該剖面係顯示未形成像素電晶體220之區域之剖面者。如該圖所示，第2電極172係於未形成像素電晶體220之區域內，使用與形成TFT之
複數層中任一者同一層而形成。尤其於該圖10中，以與半導體層234同一層形成第2電極172，使包含例如低溫多晶矽之半導體層234之離子注入量等變化，藉此作為導體而使用。然而，亦可藉由源極、汲極電極等之導體層形成第2電極172。
此處，狹縫178係於俯視時自第1電極171之端至端縱橫地延伸且於各副像素212電性獨立之電極。然而，於各副像素212電性獨立之第1電極171係俯視時至少以與像素電晶體220之一部分及驅動電晶體230之一部分重疊之方式配置。第1電極171係與驅動電晶體之汲極233連接，且將第2電極172經由包含導體之橋接部174而與驅動電晶體230之閘極231連接，藉此第1電極171及第2電極172形成圖6之電容242。
以該第2變化例之方式構成之情形時，亦因可藉由第1電極171及第2電極172形成較大之電容242，故可使提供至有機EL元件130之電流穩定。又，第1電極171及第2電極172係因與電晶體重疊而形成，故可不對電路構成造成影響而形成電容。再者，第1電極171及第2電極172係可高效率地散放有機EL元件130所產生之熱量，且可遮蔽電路中產生之電磁雜訊。
圖11係顯示上述實施形態之第3變化例之剖面圖。該剖面係與第2之變化例同樣，顯示未形成像素電晶體220之區域之剖面者。如該圖所示，於第3變化例中，TFT電路層160除第1電極171及第2電極172外，具有第3電極173。第1電極171與第2電極172係配置於TFT基板120、驅動電晶體230及像素電晶體220之間。第1電極171係於俯視時至少與驅動電晶體230之一部分及像素電晶體220之一部分重疊。第3電極173係於未形成像素電晶體220之區域，使用與形成電晶體之複數層中任一者同一層而形成。於該圖11中，於與半導體層234同一層形成第3電極173，且與第2變化例同樣，藉由使包含例如低溫多晶矽之半導體層234之離子注入量等變化而作為導體使用。然而，亦可藉由
源極、汲極電極等之導體層形成第2電極172。此處，第1電極171及第2電極172可採用至少包含Mo及W中任一者之高熔點金屬。
又，第1電極171與第3電極173係電性連接，且採用以夾著第2電極172之方式重疊之構造，藉此增大形成於第1電極171及第3電極173、與第2電極172之間之電容。此處，第2電極172連接於驅動電晶體230之源極，第1電極171及第3電極173連接於驅動電晶體230之閘極231，藉此第1電極171及第3電極173、與第2電極172形成圖6之電容241。
於採用該第3變化例般之構成之情形時，亦因可藉由第1電極171及第2電極172形成較大之電容241，故可使提供至有機EL元件130之電流穩定。又，第1電極171及第2電極172係重疊於電晶體而形成，因此可藉由不對電路構成造成影響而形成較大之電容。再者，第1電極171及第2電極172係可高效率地散放有機EL元件130所產生之熱，且可遮蔽電路中產生之電磁雜訊。
圖12係顯示上述實施形態之第4變化例之剖面圖。第4變化例係與第3變化例同樣地具有第1電極171、第2電極172及第3電極173，但於第1電極171及第3電極173未電性連接之點有所不同。於該情形時，例如將第1電極171連接於與陰極電極133相同之低基準電位VSS，且將第2電極172與驅動電晶體230之汲極233連接，將第3電極173經由橋接部174與驅動電晶體230之閘極231連接，藉此可形成電容242及電容243。藉此，可更有效率地形成大容量，且可使電位穩定，因而可提高顯示品質。
於本發明之思想範疇內，若為同業人員，當可想到各種變更例及修正例，並了解該等變更例及修正例亦從屬於本發明之範圍。例如，對於上述之各實施形態，同業人員適當進行構成要件之追加、削除或設計變更之情形、或進行步驟之追加、省略或條件變更之情形，
只要具備本發明之要旨，亦包含於本發明之範圍內。
120‧‧‧TFT基板
125‧‧‧密封膜
130‧‧‧有機EL元件
131‧‧‧陽極電極
132‧‧‧有機層
133‧‧‧陰極電極
135‧‧‧像素分離膜
160‧‧‧TFT電路層
161‧‧‧基底膜
163‧‧‧絕緣膜
165‧‧‧絕緣膜
166‧‧‧絕緣膜
167‧‧‧絕緣膜
168‧‧‧平坦化膜
171‧‧‧第1電極
172‧‧‧第2電極
220‧‧‧像素電晶體
221‧‧‧閘極
222‧‧‧汲極
223‧‧‧源極
224‧‧‧半導體層
230‧‧‧驅動電晶體
231‧‧‧閘極
232‧‧‧源極
233‧‧‧汲極
234‧‧‧半導體層
Claims (21)
- 一種發光元件顯示裝置，其包含：TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述TFT基板上之顯示區域；複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素；發光元件，其設置於上述複數個薄膜電晶體之上，與上述複數個薄膜電晶體中之一者電性連接，且藉由於上述各像素中流通電流而發光；第1電極，其配置於上述TFT基板及上述薄膜電晶體間，且俯視時至少與2個上述薄膜電晶體重疊；及第2電極，其於上述第1電極之與上述TFT基板側相反之側，且於上述第1電極與上述薄膜電晶體間，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第1電極形成電容之導電材料。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極跨及複數個像素而形成。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係覆蓋上述顯示區域而形成。
- 如請求項3之發光元件顯示裝置，其中於上述第1電極形成有俯視時於複數個部位開出之孔即狹縫(slit)。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係於上述各像素中連接於使上述發光元件發光之基準電位。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述發光元件具備：包含發光層之有機層、陽極電極、及陰極電極；上述第1電極係與上述陰極電極電性連接； 上述第2電極係與上述陽極電極電性連接。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述各像素包含：像素電晶體，其控制與灰階值相應之電壓之施加；及驅動電晶體，其基於經由上述像素電晶體施加之電位而控制發光；上述第2電極連接於上述驅動電晶體之閘極。
- 如請求項7之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係連接於上述驅動電晶體之源極或汲極之一者。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中進而包含：第3電極，其於上述第2電極之與上述TFT基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第2電極形成電容之導電材料；上述第3電極係與上述第1電極電性連接，且與第2電極形成電容。
- 如請求項9之發光元件顯示裝置，其中上述薄膜電晶體包含半導體層；上述第3電極係與上述半導體層形成於同層。
- 如請求項1之發光元件顯示裝置，其中上述各像素包含：像素電晶體，其控制與灰階值相應之電壓之施加；及驅動電晶體，其基於經由上述像素電晶體施加之電位而控制發光；該發光元件顯示裝置進而包含：第3電極，其於上述第2電極之與上述TFT基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且包含與上述第2電極形成電容之導電材料；上述第1電極係與上述發光元件之陰極電極連接；上述第2電極係與上述驅動電晶體之源極或汲極之一者連接；上述第3電極係與上述驅動電晶體之閘極連接。
- 一種發光元件顯示裝置，其包含：TFT基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述TFT基板上之顯示區域；複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素；發光元件，其設置於上述複數個薄膜電晶體之上，與上述複數個薄膜電晶體中之一者電性連接，且具備包含發光層之有機層、陽極電極及陰極電極；第1電極，其配置於上述TFT基板及上述薄膜電晶體間，且俯視時至少與2個上述薄膜電晶體重疊；及第2電極，其於上述第1電極之與上述TFT基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且與上述第1電極對向。
- 如請求項12之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係與上述薄膜電晶體之1個源極或汲極之一者連接。
- 如請求項12之發光元件顯示裝置，其中上述第2電極係與上述薄膜電晶體之1個閘極電極連接。
- 如請求項13之發光元件顯示裝置，其中上述薄膜電晶體包含半導體層；且上述第2電極係與上述半導體層形成於同層。
- 如請求項12之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係與上述陰極電極電性連接。
- 如請求項12之發光元件顯示裝置，其中上述第2電極係與上述陽極電極電性連接。
- 一種發光元件顯示裝置，其包含：TFT基板，其包含絕緣材料；複數個像素，其配置於上述TFT基板上之顯示區域；複數個薄膜電晶體，其形成於上述複數個像素之各像素，且 分別具有第1半導體層；發光元件，其設置於上述複數個薄膜電晶體之上，與上述複數個薄膜電晶體中之一者電性連接，且具備包含發光層之有機層、陽極電極及陰極電極；第2半導體層，其與上述第1半導體層形成於同層；第1電極，其配置於上述TFT基板及上述薄膜電晶體之間；及第2電極，其於上述第1電極之與上述TFT基板側相反之側，介隔絕緣膜而配置，且與上述第1電極對向；上述第1電極係於俯視時至少重疊於上述薄膜電晶體之1個之上述第1半導體層與上述第2半導體層。
- 如請求項18之發光元件顯示裝置，其中上述第2電極係上述第2半導體層。
- 如請求項18之發光元件顯示裝置，其中上述第1電極係與上述第2半導體層電性連接；上述第2電極係位於上述第1電極與上述第2電極之間。
- 如請求項18至20中任一項之發光元件顯示裝置，其中上述各像素包含發光區域；且上述第2半導體層係於俯視時與上述發光區域重疊。
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