TWI540381B - 遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法 Download PDF

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Description

遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法
本發明是有關於一種遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。
作為帶電粒子束描繪裝置的一例的電子束描繪裝置，藉由對作為試樣的遮罩基板照射電子束而進行描繪，所述遮罩基板是在例如玻璃基板表面依序積層作為遮光膜的Cr膜、抗蝕膜而成。此時，因電子束的照射而遮罩基板帶電。若遮罩基板帶電，則因帶電的遮罩基板形成的電場而電子束的軌道發生彎曲，從而會對自本來所應照射的位置偏離的位置照射電子束。結果，描繪精度劣化。因此，將包括具備接地的接地針的接地機構的遮罩蓋體，以接地機構的接地針扎破抗蝕膜而與Cr膜接觸的方式，載置於遮罩基板。藉由對Cr膜接地的遮罩基板進行描繪，而抑制描繪精度的劣化。
然而，接地針扎破抗蝕膜時會產生微粒，從而存在所產生的微粒會附著於遮罩基板的表面的問題。若微粒附著於遮罩基板，則會成為電子束的漂移、圖案錯誤的原因，從而描繪精度劣化。
本發明提供一種可減少附著於試樣的微粒量且可抑制描繪精度的劣化的遮罩蓋體用接地機構，遮罩蓋體，帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。
本發明的一形態的遮罩蓋體用接地機構包括：導電性的接地板；接地針，設置於該接地板的端部，且電性連接於所述接地板；以及導電性的蓋體部，以該接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針。
而且，本發明的一形態的遮罩蓋體包括：框體，在中央部具有開口；導電性的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式設置於所述框體；接地針，設置於該接地板的所述端部，且電性連接於所述接地板；以及導電性的蓋體部，以該接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針。
而且，本發明的一形態的帶電粒子束描繪裝置包括：第1腔室，將遮罩蓋體載置於在遮光膜上已形成有抗蝕膜的試樣上，所述遮罩蓋體包括：框體，在中央部具有開口；導電性的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式設置於所述框 體；接地針，設置於該接地板的所述端部且與所述接地板電性連接；及導電性的蓋體部，以所述接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針；以及第2腔室，包括將與所述遮光膜接觸的所述接地針接地的電極，且將帶電粒子束照射至載置著所述遮罩蓋體的所述試樣上。
而且，本發明的一形態的帶電粒子束描繪方法是使遮罩蓋體在相對於遮光膜上已形成抗蝕膜的試樣為傾斜的狀態下從上方下降，以多個接地針相對於所述試樣的所述遮光膜依序接觸的方式，將所述遮罩蓋體載置於所述試樣，使多個接地板接地，而將帶電粒子束照射至所述試樣上，其中所述遮罩蓋體包括：框體，在中央部具有開口；多個導電性的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式而分別隔開地設置於所述框體；所述多個接地針，設置於多個所述接地板的各自的所述端部，且分別電性連接於多個所述接地板；及多個導電性的蓋體部，以多個所述接地針的前端分別突出，且與多個所述接地針之間分別具有間隙的方式分別包圍多個所述接地針。
10‧‧‧遮罩蓋體
11‧‧‧框體
12‧‧‧接地機構
12-1‧‧‧第1接地機構
12-2‧‧‧第2接地機構
13‧‧‧蓋體部
13a‧‧‧開口部
14‧‧‧接地板
14b‧‧‧支持針
14c‧‧‧接點
15‧‧‧接地針
17‧‧‧間隙
20‧‧‧遮罩基板
21‧‧‧玻璃基板
22‧‧‧遮光膜
23‧‧‧抗蝕膜
30‧‧‧電子束描繪裝置
31‧‧‧描繪腔室
32‧‧‧搬入搬出部
32a‧‧‧載置部
32b‧‧‧大氣搬送機械手
33‧‧‧加載互鎖腔室
34‧‧‧對準腔室
35‧‧‧遮罩蓋體收納腔室
36‧‧‧真空機械手腔室
36a‧‧‧真空搬送機械手
41‧‧‧描繪室
42‧‧‧平台
42a‧‧‧針
42b‧‧‧片簧
42c‧‧‧支持體
43‧‧‧電子束
44‧‧‧電子光學鏡筒
45‧‧‧電子束產生部
45a‧‧‧電子槍
46‧‧‧電子束成形部
46a‧‧‧第1光圈
46b‧‧‧第2光圈
46c‧‧‧照明透鏡
46d‧‧‧成形偏向器
46e‧‧‧投影透鏡
47‧‧‧電子束偏向部
47a‧‧‧主物鏡偏向器
47b‧‧‧副物鏡偏向器
47c‧‧‧物鏡
A1‧‧‧相對於遮罩基板垂直的軸
A2‧‧‧接地針的軸
L1‧‧‧蓋體部的下表面的長度
L2‧‧‧最大直徑
L3‧‧‧深度
L4‧‧‧接地針的前端與蓋體部的下表面的距離
S‧‧‧設置面
S101~S109‧‧‧步驟
θ‧‧‧微粒的飛散方向
θ1、θ2、θ3‧‧‧角度
圖1是表示本發明的一形態的遮罩蓋體的立體圖。
圖2是沿著圖1的單點鏈線X-X'的本發明的一形態的接地機構的剖面圖。
圖3是表示搭載著本發明的一形態的遮罩蓋體的遮罩基板的 俯視圖。
圖4是沿著圖3的單點鏈線Y-Y'的遮罩基板的部分剖面圖。
圖5是示意性地表示本發明的一形態的電子束描繪裝置的構造的圖。
圖6是示意性地表示描繪腔室的構造的圖。
圖7是用以說明本發明的一形態的電子束描繪方法的流程圖。
圖8(a)以及圖8(b)是用以說明遮罩蓋體的搭載方法的圖。
圖9(a)以及圖9(b)是用以說明遮罩蓋體的搭載方法的圖。
以下，對本發明的一形態的遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法進行說明。
首先，參照圖1以及圖2，對本發明的一形態的遮罩蓋體用接地機構以及遮罩蓋體進行說明。圖1是表示本發明的一形態的遮罩蓋體的立體圖，圖2是沿著圖1的單點鏈線X-X'的本發明的一形態的接地機構的剖面圖。
本發明的一形態的遮罩蓋體10對試樣進行去靜電處理，該試樣藉由作為帶電粒子束描繪裝置的一例的電子束描繪裝置而描繪。如圖1所示，該遮罩蓋體10在邊框形狀的絕緣性的框體11具備多個接地機構12，該框體11在中央部具有開口部。
如圖2所示，各接地機構12包含例如導電性鋯等導電體，且包括在第1端部具有蓋體部13的接地板14、以及接地針15。另外，圖2中，遮罩蓋體10的框體11由虛線表示。
接地板14例如為板狀的導電體。該接地板14中具備支持針14b及接點14c2個導電體，所述支持針14b對接地板14進行支持且在描繪中接地，所述接點14c在將遮罩蓋體10載置於試樣上時，對遮罩蓋體10與試樣的電性連接進行確認。
為了將以後會詳細敍述的接地針15、支持針14b、接點14c加以電性連接，接地板14需要為導電體，但較佳為應用具有導電性並且包含低磁性材料的接地板14。
亦即，伴隨著搭載有遮罩蓋體10的試樣的去靜電處理，而在接地板14產生渦電流(eddy current)。該渦電流產生磁場，藉由該磁場，照射至試樣的電子束等帶電粒子束的軌道發生彎曲，從而帶電粒子束的照射位置精度劣化。因此，作為接地板14，若應用具有導電性且例如包含ZrO2-TiN、SiC、WC、TiC等低磁性材料的接地板14，則可使因渦電流而產生的磁場的強度降低，從而可抑制帶電粒子束的照射位置精度的劣化。因此，作為接地板14，較佳為應用包含低磁性材料的接地板14。
接地針15為例如包含導電性金剛石等的導電體，且以與接地板14電性連接的方式而設置於接地板14的第1端部。
蓋體部13例如與接地板14形成為一體且具有導電性，接地針15的前端從蓋體部13的下表面突出，並且蓋體部13在其與接地針15之間具有越靠近接地針15的前端則越寬的間隙17，且以包圍接地針15的方式設置於接地板14的第1端部的下表面。
關於接地針15以及蓋體部13的構成，若換句話說，則 在蓋體部13上設置著從下表面到達規定的深度位置的錐形狀的開口部13a。而且，接地針15設置於蓋體部13的開口部13a。若進一步詳述，則接地針15以在接地針15與蓋體部13的開口部13a內面之間設置間隙17的方式，設置於開口部13a，並且以接地針15的前端從蓋體部13的下表面向下側突出的方式設置於開口部13a。
亦即，所述蓋體部13以包圍接地針15的除前端外的整個周圍，且在與接地針15之間設置著越靠近接地針15的前端則越寬的間隙17的方式，設置於接地板14的第1端部的下表面。
當相對於接地板14的長度方向平行的方向上的蓋體部13的下表面的長度L1為2mm左右時，蓋體部13的開口部13a形成為最大直徑L2例如為0.5mm左右、深度L3例如為0.4mm左右。而且，在將遮罩蓋體10搭載於試樣時，接地針15的前端與蓋體部13的下表面的距離L4較佳為蓋體部13的下表面不與試樣接觸的程度，例如0.1mm左右。
在如圖2所示將微粒的飛散方向設為θ時，θ越小則微粒的飛散越得到抑制。此處，使用接地板14的蓋體部13的長度L1與從蓋體部13的下表面到接地針15的前端為止的高度L4，而將θ表現為θ=Tan-1{L4/(L1/2)}。根據該式，L4越小，且L1越大，則θ越小，從而越能夠抑制微粒的飛散。其中，若作為描繪裝置的實用的數值，則理想的是L1=2mm，L4=0.1mm左右。
接點14c為例如包含與接地板14相同的材料的導電 體，且設置成與接地板14的第2端部的下表面接觸，該第2端部與第1端部相向。
支持針14b為例如包含Ti-6Al-4V、Ti、SiC、ZrO2-TiN、WC、TiC等的導電體，且設置成貫通接地板14的與第1端部相向的第2端部以及接點14c。
所述各個接地機構12如圖1所示，以如下方式設置於框體11上，即，接地針15以及蓋體部13向框體11的開口部的內側突出，並且支持針14b以及接點14c向框體11的外部突出，接地板14的下表面與框體11的表面接觸。
然後，對搭載著以上說明的遮罩蓋體10的試樣進行說明。另外，以下的說明中，作為試樣，以遮罩基板20為例進行說明。
圖3是表示搭載著本發明的一形態的遮罩蓋體10的遮罩基板20的俯視圖，圖4是沿著圖3的單點鏈線Y-Y'的遮罩基板20的部分剖面圖。如圖3所示，遮罩基板20為四邊形狀，如圖4所示，遮罩基板20是在玻璃基板21的表面上，依序積層著Cr膜等遮光膜22、抗蝕膜23而成。
如圖3所示，遮罩蓋體10以框體11覆蓋遮罩基板20的周邊部的方式而搭載於遮罩基板20上。為了抑制由磁場引起的描繪精度劣化，較佳為框體11被實施導電膜處理，從而包含表面形成著導電膜的低磁性材料。作為低磁性材料，例如可使用AlO2、ZrO2、SiC等，作為導電膜，可使用TiN塗層等。如圖4所示，搭 載於遮罩基板20的遮罩蓋體10的各接地機構12的接地針15，貫通遮罩基板20的抗蝕膜23並與遮光膜22接觸。此時，各接地機構12的蓋體部13的下表面向上方與抗蝕膜23隔開。亦即，遮罩蓋體10以接地針15與遮光膜22接觸而蓋體部13的下表面向上方與抗蝕膜23隔開的方式，搭載於遮罩基板20。
然後，對本發明的一形態的帶電粒子束描繪裝置進行說明，該帶電粒子束描繪裝置用以對搭載著以上說明的遮罩蓋體10的試樣進行描繪。另外，以下說明中，作為帶電粒子束描繪裝置的一例，說明對作為試樣的一例的遮罩基板20進行描繪的電子束描繪裝置。
圖5是示意性地表示本發明的一形態的電子束描繪裝置30的構造的圖。圖5所示的電子束描繪裝置30包括：描繪腔室31，對遮罩基板20進行描繪；搬入搬出部32，載置遮罩基板20、遮罩蓋體10等搬送對象物；加載互鎖腔室(load lock chamber)33，可切換大氣狀態與真空狀態；對準腔室34，進行遮罩基板20的對準；遮罩蓋體收納腔室35，可在內部收納遮罩蓋體10；以及真空機械手腔室36，在內部具有真空搬送機械手36a。
搬入搬出部32包括可載置搬送對象物的多個載置部32a。該搬入搬出部32在內部具有在大氣中對搬送對象物進行搬送的大氣搬送機械手32b。
搬入搬出部32可與加載互鎖腔室33連通。加載互鎖腔室33內藉由供氣排氣而大氣化或真空化。
真空機械手腔室36設置成可與加載互鎖腔室33連通。真空機械手腔室36的水平面的剖面形狀為大致八邊形。真空機械手腔室36在內部具有在真空中對搬送對象物進行搬送的真空搬送機械手36a。
真空機械手腔室36設置成8個側面中相對於加載互鎖腔室33所設置的側面大致垂直的一側面能夠與對準腔室34連通。而且，真空機械手腔室36設置成8個側面中與對準腔室34所設置的側面相向的側面能夠與遮罩蓋體收納腔室35連通。
對準腔室34對所搬入的遮罩基板20的位置偏移以及旋轉偏移進行檢測，並進行補正遮罩基板20的位置偏移以及旋轉偏移的處理，亦即，對準處理。
遮罩蓋體收納腔室35可在內部收納遮罩蓋體10，並且可相對於遮罩基板20來裝卸遮罩蓋體10。
而且，對遮罩基板20進行描繪的描繪腔室31設置成如下，即，能夠與真空機械手腔室36的8個側面中與加載互鎖腔室33所設置的側面相向的一側面連通。
圖6是示意性地表示描繪腔室31的構造的圖。如圖6所示，描繪腔室31包括：描繪室41；平台42，設置於描繪室41內且載置著遮罩基板20；以及電子光學鏡筒44，設置於描繪室41的上表面，且對載置於平台42上的遮罩基板20的所需的位置照射電子束43。
描繪室41為例如包含不鏽鋼或不變鋼(invar)等的大 致長方體狀的框體。
平台42在描繪室41內設置成如下，即，可在相對於描繪腔室31的設置面S實質水平的方向(以下，將該方向稱作XY方向，且將包含XY方向的平面稱作水平面)上移動。
在平台42上設置著從下方支持遮罩基板20的多根針42a。遮罩基板20載置於所述多個針42a上。
而且，平台42上設置著作為接地的電極的片簧42b、以及支持片簧42b的支持體42c。當遮罩基板20載置於多個針42a上時，搭載於遮罩基板20的遮罩蓋體10的各接地機構12的一部分即支持針14b與片簧42b接觸。由此，作為遮罩基板20的帶電膜的遮光膜22(圖4)經由接地針15、接地板14、支持針14b而與片簧42b電性連接並接地。
電子光學鏡筒44為包含與描繪室41相同的材料、例如不鏽鋼或不變鋼等的圓筒，在圓筒內部，從上方開始依序設置著電子束產生部45、電子束成形部46、以及電子束偏向部47。
電子束產生部45出射電子束43。該電子束產生部45具備出射電子束43的電子槍45a。
電子束成形部46對從電子束產生部45出射的電子束43的水平面的剖面形狀進行成形。電子束成形部46包括：例如具有長方形的孔的第1光圈46a，以及設置於第1光圈46a的下方且具有箭頭形狀的孔的第2光圈46b。
而且，電子束成形部46中，在第1光圈46a的上方設 置著照明透鏡46c。進而，在第1光圈46a與第2光圈46b之間，設置著成形偏向器46d以及投影透鏡46e。
照明透鏡46c為例如圓環狀的線圈的周圍由在圓環中心方向上具有開口部的非磁性體所覆蓋的磁透鏡(以下，稱作標準透鏡)，利用從電子束產生部45出射的電子束43對第1光圈46a的孔進行照明。
投影透鏡46e亦與照明透鏡46c同樣地為例如標準透鏡。該投影透鏡46將已通過第1光圈46a的孔的電子束43投影至第2光圈46b上。
成形偏向器46d對已通過第1光圈46a的孔的電子束43的朝向第2光圈46b的投影位置進行控制。
電子束偏向部47以在電子束成形部46中成形的電子束43被照射至遮罩基板20上的規定位置的方式，控制電子束43的照射位置。電子束偏向部47包括主物鏡偏向器47a及副物鏡偏向器47b，該副物鏡偏向器47b設置於相對於主物鏡偏向器47a的位置而向上方隔開的位置。主物鏡偏向器47a為決定被照射電子束43的子區域(subfield)的位置的偏向器，副物鏡偏向器47b為決定被照射電子束43在由主物鏡偏向器47a決定的子區域內的照射位置的偏向器。
進而，電子束偏向部47中，在主物鏡偏向器47a的下方設置著物鏡47c。就物鏡47c而言例如可使用磁透鏡，該磁透鏡是圓環狀的線圈的周圍被下方具有開口部的非磁性體所覆蓋所得 且具有比標準透鏡高的折射率(以下，稱作液浸透鏡(immersion lens))。
另外，在採用所述液浸透鏡作為物鏡47c的情況下，可使物鏡47c與載置於平台42上的遮罩基板20的距離接近，從而可提高電子束描繪裝置30的解析度。然而，另一方面，因液浸透鏡與載置於平台42上的遮罩基板20的距離短，故其間無法再設置其他機構。本實施形態中，因採用液浸透鏡來作為物鏡47c，故無法將從上方向平台42推壓遮罩基板20的機構、使遮罩基板20接地的接地片(earth blade)等接地機構設置於平台42上。因此，遮罩基板20藉由搭載遮罩蓋體10而接地，並由設置於平台42的針42a而從下方受到支持，從而載置於平台42上。
其次，對本發明的一形態的帶電粒子束描繪方法進行說明。另外，以下說明中，作為帶電粒子束描繪方法的一例，說明使用所述電子束描繪裝置30，對作為試樣的一例的遮罩基板20進行描繪的方法即電子束描繪方法。
圖7是用以說明本發明的一形態的電子束描繪方法的流程圖。另外，搭載於遮罩基板20的遮罩蓋體10預先收納於遮罩蓋體收納腔室35內。
如圖7所示，首先，從遮罩保管庫中取出遮罩基板20，並載置於搬入搬出部32的載置部32a(S101)。
然後，將載置於搬入搬出部32的載置部32a的遮罩基板20搬入至遮罩蓋體收納腔室35內(S102)。具體而言，如以下 所示。
首先，使用大氣搬送機械手32b，將載置於搬入搬出部32的載置部32a的遮罩基板20搬入至加載互鎖腔室33內。然後，將加載互鎖腔室33內真空化，使用真空搬送機械手36a，將加載互鎖腔室33內的遮罩基板20搬入至對準腔室34內。其次，在對準腔室34內，對遮罩基板20實施對準處理，使用真空搬送機械手36a，將實施了對準處理的遮罩基板20搬入至遮罩蓋體收納腔室35內。
接下來，使相對於遮罩基板20傾斜的狀態下的遮罩蓋體10相對於遮罩基板20的上表面而下降(S103)，從而將遮罩蓋體10搭載於遮罩基板20(S104)。另外，在將遮罩蓋體10搭載於遮罩基板20後，亦可使用設置於接地機構12的接地板14的接點14c，來確認遮罩基板20的遮光膜22與遮罩蓋體10的接地針15的導通(S104')。
以下，參照圖8(a)、圖8(b)以及圖9(a)、圖9(b)對遮罩蓋體10的搭載方法進行更具體說明。圖8(a)、圖8(b)以及圖9(a)、圖9(b)的各圖是用以說明遮罩蓋體10的搭載方法的圖。另外，圖8(a)、圖8(b)以及圖9(a)、圖9(b)的各圖中，為了方便說明，將遮罩蓋體10相對於遮罩基板20的尺寸記載得比實際大。
首先，如所述般，使相對於遮罩基板20傾斜狀態下的遮罩蓋體10相對於遮罩基板20而下降(圖8(a))。若繼續使 傾斜的遮罩蓋體10下降，則具備多個的接地機構12中的僅一個接地機構12(在以下的說明中，將該接地機構12稱作第1接地機構12-1)的接地針15，在相對於遮罩基板20而以角度θ1傾斜的狀態下貫通抗蝕膜23，並到達遮罩基板20的遮光膜22(圖8(b))。
另外，所述角度θ1在圖示的遮罩蓋體10以及遮罩基板20的剖面中，定義為由相對於遮罩基板20垂直的軸A1與接地針15的軸A2所形成的角度。對以下的說明中敍述的角度亦同樣地加以定義。
從圖8(b)所示狀態，亦即僅第1接地機構12-1的接地針15到達遮罩基板20的遮光膜22的狀態開始，使遮罩蓋體10進一步下降。於是，設置於與第1接地機構12-1不同位置的接地機構12(在以下的說明中，將該接地機構12稱作第2接地機構12-2)的接地針15在相對於遮罩基板20傾斜的狀態下到達抗蝕膜23(圖9(a))。此時，第1接地機構12-1的接地針15的角度為比θ1小的角度θ2。亦即，第1接地機構12-1的接地針15接近於相對於遮罩基板20實質垂直的狀態。
若使遮罩蓋體10進一步下降，則第2接地機構12-2的接地針15貫通抗蝕膜23而到達遮光膜22(圖9(b))。此時，第1接地機構12-1的接地針15的角度為進一步比θ2小的角度θ3=0°。而且，第2接地機構12-2的接地針15一邊接近於相對於遮罩基板20垂直的角度，一邊貫通抗蝕膜23，而最終在相對於遮罩基板20實質垂直的狀態下到達遮光膜22。
如以上參照圖8(a)、圖8(b)以及圖9(a)、圖9(b)說明般，遮罩蓋體10以如下方式搭載於遮罩基板20，即，設置於該遮罩蓋體10的多個接地機構12的接地針15逐根且依序地以相對於遮罩基板20傾斜的狀態貫通抗蝕膜23，並到達遮罩基板20的遮光膜22。藉由如此搭載遮罩蓋體10，以傾斜狀態到達遮罩基板20的遮光膜22的各個接地針15會於之後相對於遮罩基板20實質成為垂直。因此，抑制抗蝕膜23的不需要的物質(因接地針15貫通而被除去的抗蝕膜23)介於接地針15的前端與遮光膜22之間。
與此相對，若使相對於遮罩基板20不傾斜的狀態(相對於遮罩基板20水平的狀態)下的遮罩蓋體10相對於遮罩基板20下降，則遮罩蓋體10以如下方式搭載於遮罩基板20，即，多個接地機構12的接地針15均實質同時地垂直貫通抗蝕膜23，並到達遮光膜22。因此，已到達遮光膜22的各個接地針15之後並不會移動，從而有時抗蝕膜23的不需要的物質會介於接地針15的前端與遮光膜22之間。該情況下，因遮光膜22不接地，故遮罩基板20的帶電未得到抑制。
亦即，當將遮罩蓋體10搭載於遮罩基板20時，為了提高接地針15與遮光膜22接觸的概率，而在本實施形態中，使相對於遮罩基板20傾斜狀態下的遮罩蓋體10相對於遮罩基板20下降，藉此將遮罩蓋體10搭載於遮罩基板20。
另外，本實施形態中，因接地針15貫通抗蝕膜23而產 生的微粒會滯留於接地針15與蓋體部13的間隙17內。
再次參照圖7。在如所述般對於遮罩基板20搭載遮罩蓋體10後，將搭載著遮罩蓋體10的遮罩基板20搬入至描繪腔室31內(S105)。所搬入的遮罩基板20載置於以遮罩基板20的上表面為基準面時的規定高度位置，如圖6所示，載置於平台42的針42a上。此時，遮罩蓋體10的支持針14b成為與接地的片簧42b接觸的狀態，因而遮罩基板20的遮光膜22接地。
然後，對遮罩基板20進行描繪(S106)。對遮罩基板20的描繪如以下般來進行。亦即，首先，當電子束產生部45中出射電子束43時，該電子束43藉由電子束成形部46的照明透鏡46c而以照射第1光圈46a的整個孔的方式聚光。已通過第1光圈46a的孔的電子束43成形為與第1光圈46a的孔的形狀大致相等的形狀。
已通過第1光圈46a的孔的電子束43藉由成形偏向器46d而以照射第2光圈46b的孔的一部分的方式偏向，並且藉由投影透鏡46e而以照射第2光圈46b的孔的一部分的方式聚光。已通過第2光圈46b的孔的電子束43例如成形為水平面的剖面為四邊形或三角形的形狀。
電子束成形部46中成形的電子束43藉由電子束偏向部47的副物鏡偏向器47b以及主物鏡偏向器47a，朝向遮罩基板20上的所需的位置偏向，並且藉由物鏡47c聚光於所需的位置。
對如此載置於平台42上的遮罩基板20進行描繪。另 外，描繪中，載置遮罩基板20的平台42例如沿XY方向不停地移動。照射至遮罩基板20的電子束43追隨載置於如所述般不停地移動的平台42上、且連同平台42一起不停地移動的遮罩基板20，而照射遮罩基板20上的規定的位置。
若對遮罩基板20的描繪結束，則使用真空搬送機械手36a，將搭載著遮罩蓋體10的遮罩基板20搬入至遮罩蓋體收納腔室35內(S107)，在遮罩蓋體收納腔室35內，從遮罩基板20卸下遮罩蓋體10(S108)。被卸下的遮罩蓋體10保管於遮罩蓋體收納腔室35內。
已卸下遮罩蓋體10的遮罩基板20使用真空搬送機械手36a以及大氣搬送機械手32b，經由加載互鎖腔室33而搬送至搬入搬出部32的載置部32a(S109)。
如所述般，電子束描繪裝置30對遮罩基板20進行描繪。
如以上說明般，根據本發明的一形態的遮罩蓋體用接地機構、遮罩蓋體、帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法，在各接地機構12的接地針15與蓋體部13之間設置著間隙17，因而使接地針15貫通抗蝕膜23時產生的微粒滯留於接地針15與蓋體部13的間隙17。因此，可減少附著於遮罩基板20的微粒量，從而可抑制描繪精度的劣化。
已對本發明的幾個實施形態進行了說明，但該些實施形態是作為示例而提出，並不旨在限定發明的範圍。該些新穎的實施形態可由其他各種形態來實施，在不脫離發明的主旨的範圍 內，可進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形包含在發明的範圍或主旨內，並且包含在申請專利範圍所記載的發明及其均等的範圍內。
例如，本發明不限於應用於電子束描繪裝置，可應用於例如包含離子束照射裝置等在內的所有具有帶電粒子光學鏡筒的帶電粒子束照射裝置中。此處，帶電粒子光學鏡筒包括：照射至試樣的帶電粒子束的產生部，使從帶電粒子束產生部出射的帶電粒子束形成為所需形狀的帶電粒子束成形部，以及使帶電粒子束成形部中成形的帶電粒子束向所需方向偏向的帶電粒子束偏向部。
11‧‧‧框體
12‧‧‧接地機構
13‧‧‧蓋體部
13a‧‧‧開口部
14‧‧‧接地板
14b‧‧‧支持針
14c‧‧‧接點
15‧‧‧接地針
17‧‧‧間隙
L1‧‧‧蓋體部的下表面的長度
L2‧‧‧最大直徑
L3‧‧‧深度
L4‧‧‧接地針的前端與蓋體部的下表面的距離
θ‧‧‧微粒的飛散方向

Claims (5)

  1. 一種遮罩蓋體用接地機構，包括：導電性的接地板；接地針，設置於所述接地板的端部，且電性連接於所述接地板；以及導電性的蓋體部，以所述接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的遮罩蓋體用接地機構，其中所述接地板以及所述蓋體部的材料包含ZrO2-TiN、SiC、WC或TiC中的任一個。
  3. 一種遮罩蓋體，包括：框體，在中央部具有開口；導電性的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式設置於所述框體；接地針，設置於所述接地板的所述端部，且電性連接於所述接地板；以及導電性的蓋體部，以所述接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針。
  4. 一種帶電粒子束描繪裝置，包括第1腔室，將遮罩蓋體載置於在遮光膜上已形成有抗蝕膜的試樣上，所述遮罩蓋體包括：框體，在中央部具有開口；導電性 的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式設置於所述框體；接地針，設置於所述接地板的所述端部，且電性連接於所述接地板；及導電性的蓋體部，以所述接地針的前端突出，且與所述接地針之間具有間隙的方式包圍所述接地針；以及第2腔室，包括將與所述遮光膜接觸的所述接地針接地的電極，將帶電粒子束照射至已載置有所述遮罩蓋體的所述試樣上。
  5. 一種帶電粒子束描繪方法，是使遮罩蓋體在相對於遮光膜上已形成抗蝕膜的試樣為傾斜的狀態下從上方下降，並以多個接地針相對於所述試樣的所述遮光膜依序接觸的方式，將所述遮罩蓋體載置於所述試樣，其中所述遮罩蓋體包括：框體，在中央部具有開口；多個導電性的接地板，以端部向所述框體的所述開口的內側突出的方式而分別隔開地設置於所述框體；所述多個接地針，設置於多個所述接地板的各自的所述端部，且分別電性連接於多個所述接地板；及多個導電性的蓋體部，以多個所述接地針的前端分別突出，且與多個所述接地針之間分別具有間隙的方式分別包圍多個所述接地針；且使多個所述接地板接地，而將帶電粒子束照射至所述試樣上。
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