JPH1092715A - 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 - Google Patents
静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置Info
- Publication number
- JPH1092715A JPH1092715A JP24014496A JP24014496A JPH1092715A JP H1092715 A JPH1092715 A JP H1092715A JP 24014496 A JP24014496 A JP 24014496A JP 24014496 A JP24014496 A JP 24014496A JP H1092715 A JPH1092715 A JP H1092715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- sample
- rubber cap
- pin
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】試料表面に付着する異物を低減することができ
る静電吸着装置を備えた電子線描画装置を提供する。 【解決手段】試料を接地させる手段の周囲を弾性材で囲
い、接地手段が試料に接触する前に弾性材が先に試料に
接触して密着し、接地手段と試料の接触による発生異物
が試料に飛散しない静電吸着装置。 【効果】静電吸着装置を搭載している真空装置におい
て、信頼性の向上および確保が図れる。
る静電吸着装置を備えた電子線描画装置を提供する。 【解決手段】試料を接地させる手段の周囲を弾性材で囲
い、接地手段が試料に接触する前に弾性材が先に試料に
接触して密着し、接地手段と試料の接触による発生異物
が試料に飛散しない静電吸着装置。 【効果】静電吸着装置を搭載している真空装置におい
て、信頼性の向上および確保が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に電子線描画装置など、荷電粒子を試料に照射す
る装置内で使用される試料固定装置の信頼性確保に有効
的な機構を備えたものである。
し、特に電子線描画装置など、荷電粒子を試料に照射す
る装置内で使用される試料固定装置の信頼性確保に有効
的な機構を備えたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴い、電子
線を利用した装置、例えば電子線描画装置などが重要視
されてきているが、その描画パターンの高精度化を実現
するためには、成膜等のプロセスを経て数十μｍもの反
りを持ったウエハ等の試料の反りを確実に矯正すること
が重要であり、真空プロセス対応では現在、試料平坦固
定として静電吸着装置が用いられている。この静電吸着
装置は、電極とウエハ等の試料間に誘電体を介して電圧
を印加し、試料を誘電体上に吸着保持する装置である。
ところで静電吸着装置では、試料等の被吸着物を接地す
ることが必要であるが、吸着対象であるシリコンウエハ
には、酸化膜などの非常に硬い絶縁物が堆積している。
このため、この絶縁膜を除去もしくは破壊してウエハを
接地する必要があり、従来は導電性ダイヤモンド針（ア
ースピン）等を用いてウエハ表面に傷を付け導通を取っ
ていた。但し、このままではピンを試料に押付ける際、
試料表面を引っ掻く動作が伴い、試料表面上に粒径０.
２μｍ 以上の異物が数十〜数百個も付着してしまうた
めデバイスに悪影響を及ぼしてしまう。そこで、ピンの
周囲を一周囲うような金属製のリング状の囲い（キャッ
プ）をピンに取付け、ピンが試料に接触する直前に囲い
を先に試料に接触させて覆いを作ることで、ピンの接触
時に発生する異物の試料への付着を防ぐというものであ
った。しかしながら、その囲いは金属製であり、試料と
の接触面が完全に試料と密着しないと、隙間から異物が
飛散するという問題があった。更に、ウエハ等試料毎の
厚さにもバラツキがあり、各試料にて厳密に密着させよ
うとすることは、不可能に近い状態であった。
線を利用した装置、例えば電子線描画装置などが重要視
されてきているが、その描画パターンの高精度化を実現
するためには、成膜等のプロセスを経て数十μｍもの反
りを持ったウエハ等の試料の反りを確実に矯正すること
が重要であり、真空プロセス対応では現在、試料平坦固
定として静電吸着装置が用いられている。この静電吸着
装置は、電極とウエハ等の試料間に誘電体を介して電圧
を印加し、試料を誘電体上に吸着保持する装置である。
ところで静電吸着装置では、試料等の被吸着物を接地す
ることが必要であるが、吸着対象であるシリコンウエハ
には、酸化膜などの非常に硬い絶縁物が堆積している。
このため、この絶縁膜を除去もしくは破壊してウエハを
接地する必要があり、従来は導電性ダイヤモンド針（ア
ースピン）等を用いてウエハ表面に傷を付け導通を取っ
ていた。但し、このままではピンを試料に押付ける際、
試料表面を引っ掻く動作が伴い、試料表面上に粒径０.
２μｍ 以上の異物が数十〜数百個も付着してしまうた
めデバイスに悪影響を及ぼしてしまう。そこで、ピンの
周囲を一周囲うような金属製のリング状の囲い（キャッ
プ）をピンに取付け、ピンが試料に接触する直前に囲い
を先に試料に接触させて覆いを作ることで、ピンの接触
時に発生する異物の試料への付着を防ぐというものであ
った。しかしながら、その囲いは金属製であり、試料と
の接触面が完全に試料と密着しないと、隙間から異物が
飛散するという問題があった。更に、ウエハ等試料毎の
厚さにもバラツキがあり、各試料にて厳密に密着させよ
うとすることは、不可能に近い状態であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、試料
表面上に発生する異物を抑制することが難しく、チップ
の歩留まりに与える影響が非常に大きくなり、高集積化
デバイスの中で不利なものとなる。
表面上に発生する異物を抑制することが難しく、チップ
の歩留まりに与える影響が非常に大きくなり、高集積化
デバイスの中で不利なものとなる。
【０００４】本発明の目的は、試料表面上への付着異物
が少ない静電吸着装置を提供することにある。
が少ない静電吸着装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】静電吸着装置において、
ピン等の接地手段を試料に押付ける前に、柔らかい弾性
体の囲いを試料に接触して密着させ、接地手段からの発
生異物を試料に飛散，付着することを防ぐようにしたも
のである。また、囲いの中に異物が蓄積していかないよ
う囲いの一部に切欠きを設定し、装置の真空排気時にそ
の異物を一緒に吸引するようにしたものである。
ピン等の接地手段を試料に押付ける前に、柔らかい弾性
体の囲いを試料に接触して密着させ、接地手段からの発
生異物を試料に飛散，付着することを防ぐようにしたも
のである。また、囲いの中に異物が蓄積していかないよ
う囲いの一部に切欠きを設定し、装置の真空排気時にそ
の異物を一緒に吸引するようにしたものである。
【０００６】この発明によれば、試料表面上に付着する
異物は少なくなり、歩留まりに対して非常に有効的であ
り、静電吸着装置を搭載した電子線描画装置等において
も信頼性向上が図れる。
異物は少なくなり、歩留まりに対して非常に有効的であ
り、静電吸着装置を搭載した電子線描画装置等において
も信頼性向上が図れる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例にしたがっ
て説明する。実施例は、半導体製造装置分野でのウエハ
等の試料（以下、ウエハとする）を吸着保持する場合の
静電吸着装置である。
て説明する。実施例は、半導体製造装置分野でのウエハ
等の試料（以下、ウエハとする）を吸着保持する場合の
静電吸着装置である。
【０００８】図１は本発明の実施例を示す静電吸着装置
の概略図である。図において、ウエハ１を吸着保持する
誘電体２には電極３が埋め込まれており、吸着用直流電
源４と接続されている。この誘電体２は導電性を持つパ
レット５に組込まれており、パレット５は電位が０とな
るように接地されている。アースピン６は、パレット５
内に組込まれ、パレット５を介して接地されている。ウ
エハ１は誘電体２上にロードされた後、アースピン６が
下降してウエハ１表面に接触し、ウエハ１を接地する。
このアースピン６がウエハ１に接触する時の動作におい
て、柔らかな弾性体の囲い７（以下、ゴムキャップ７と
する）はアースピン６がウエハ１に接触するタイミング
よりも前にゴムキャップ７の方が必ず先にウエハ１に接
触し、ゴムキャップ７の変形によりウエハ１との接触部
の隙間が完全に無くなった（密着した）後、その中でア
ースピン６がウエハ１に接触する。一般には固い物質ど
うしが接触すると巨視的には引っ掻き動作を伴って異物
が巻き起こるが、このような異物をウエハ１とゴムキャ
ップ７で作られた空間内に閉じ込めるのである。またこ
の弾性体は、真空領域内においても使用可能なシリコン
ゴムやフッ素のような物質で形成することが好ましい。
の概略図である。図において、ウエハ１を吸着保持する
誘電体２には電極３が埋め込まれており、吸着用直流電
源４と接続されている。この誘電体２は導電性を持つパ
レット５に組込まれており、パレット５は電位が０とな
るように接地されている。アースピン６は、パレット５
内に組込まれ、パレット５を介して接地されている。ウ
エハ１は誘電体２上にロードされた後、アースピン６が
下降してウエハ１表面に接触し、ウエハ１を接地する。
このアースピン６がウエハ１に接触する時の動作におい
て、柔らかな弾性体の囲い７（以下、ゴムキャップ７と
する）はアースピン６がウエハ１に接触するタイミング
よりも前にゴムキャップ７の方が必ず先にウエハ１に接
触し、ゴムキャップ７の変形によりウエハ１との接触部
の隙間が完全に無くなった（密着した）後、その中でア
ースピン６がウエハ１に接触する。一般には固い物質ど
うしが接触すると巨視的には引っ掻き動作を伴って異物
が巻き起こるが、このような異物をウエハ１とゴムキャ
ップ７で作られた空間内に閉じ込めるのである。またこ
の弾性体は、真空領域内においても使用可能なシリコン
ゴムやフッ素のような物質で形成することが好ましい。
【０００９】一般的に、真空装置では描画を行うチャン
バの他に試料交換を行い真空／大気を繰り返すチャンバ
があるが、ゴムキャップ７の一部に切欠きを付けておけ
ば、パレット５がこのチャンバ内にて真空排気を行う時
に、その内部に閉じ込められた異物は切欠きから吸引さ
れ、各ウエハでの発生異物はゴムキャップ内に蓄積され
なくなる。
バの他に試料交換を行い真空／大気を繰り返すチャンバ
があるが、ゴムキャップ７の一部に切欠きを付けておけ
ば、パレット５がこのチャンバ内にて真空排気を行う時
に、その内部に閉じ込められた異物は切欠きから吸引さ
れ、各ウエハでの発生異物はゴムキャップ内に蓄積され
なくなる。
【００１０】図２は本発明の実施例として、その構造を
示す概略図である。
示す概略図である。
【００１１】アースピン６は板バネの先端に取付けら
れ、バネのたわみ力でウエハ１に接触する。
れ、バネのたわみ力でウエハ１に接触する。
【００１２】ゴムキャップ７は板バネ８の先端部に取付
けられ、その板バネの他端はアースピン６部材に取付け
られており、その間にスペーサ等を挟み、アースピン６
がウエハ１に接触する前に必ずゴムキャップ７の方が先
にウエハ１に接触するよう調整を行う。アースピン６が
下降してくると、まずゴムキャップ７がウエハ１に接触
し、次第に板バネ８がたわみ始める。このバネ力でゴム
キャップ７をウエハ１に押し、その接触面が密着した時
点でアースピン６がウエハ１に接触し、接地する。ま
た、これら板バネのたわみは、調整ネジ９を回して調整
することが可能である。ところでゴムキャップ７の材質
は、真空内で不純ガスが発生しないようなシリコンやフ
ッ素等を選定し、硬度は数十ｇの力で変形するよう３０
°〜７０°が適当である。但し、これらの材質は絶縁材
であり、電子ビームから直接照射される箇所にあるとチ
ャージアップの原因になり描画不良を招くが、アースピ
ン６を取付けた板バネで上部を覆うことにより解消でき
る。また、ゴムキャップ７の切欠きは、ウエハ１と遠い
方向（ウエハ中心と反対側の方向）に設定すれば、ゴム
キャップ７内に抑えた異物が真空排気動作時ウエハ１に
飛散しないでゴムキャップ７内の異物を掃き出すことが
できる。ところでこの切欠きがない場合、ゴムキャップ
７内には異物が蓄積されてゆき、やがてウエハ１に多数
の異物を飛散する恐れがあるため、装置信頼性向上のた
めには切欠きを設定し、各ウエハでゴムキャップ７内異
物を掃き出すことが必要である。
けられ、その板バネの他端はアースピン６部材に取付け
られており、その間にスペーサ等を挟み、アースピン６
がウエハ１に接触する前に必ずゴムキャップ７の方が先
にウエハ１に接触するよう調整を行う。アースピン６が
下降してくると、まずゴムキャップ７がウエハ１に接触
し、次第に板バネ８がたわみ始める。このバネ力でゴム
キャップ７をウエハ１に押し、その接触面が密着した時
点でアースピン６がウエハ１に接触し、接地する。ま
た、これら板バネのたわみは、調整ネジ９を回して調整
することが可能である。ところでゴムキャップ７の材質
は、真空内で不純ガスが発生しないようなシリコンやフ
ッ素等を選定し、硬度は数十ｇの力で変形するよう３０
°〜７０°が適当である。但し、これらの材質は絶縁材
であり、電子ビームから直接照射される箇所にあるとチ
ャージアップの原因になり描画不良を招くが、アースピ
ン６を取付けた板バネで上部を覆うことにより解消でき
る。また、ゴムキャップ７の切欠きは、ウエハ１と遠い
方向（ウエハ中心と反対側の方向）に設定すれば、ゴム
キャップ７内に抑えた異物が真空排気動作時ウエハ１に
飛散しないでゴムキャップ７内の異物を掃き出すことが
できる。ところでこの切欠きがない場合、ゴムキャップ
７内には異物が蓄積されてゆき、やがてウエハ１に多数
の異物を飛散する恐れがあるため、装置信頼性向上のた
めには切欠きを設定し、各ウエハでゴムキャップ７内異
物を掃き出すことが必要である。
【００１３】図３は本発明の静電吸着装置を搭載した電
子線描画装置の概略図である。図において、電子銃２１
から放出された電子ビーム２２は、アパーチャ２３およ
び各レンズ２４によって成形され、偏向板２５によって
所望の描画位置へビーム軌道を制御している。また、ス
テージ２６上にはパレット５が設置されており、これに
吸着保持されたウエハ１の描画位置はステージ２６の移
動によって制御される。装置内には、試料を交換するた
めの交換室２７があり、この中では真空／大気が繰り返
し行われている。この交換室内にウエハ１をロードした
後アースピン７が下降してウエハ１を接地する。次に真
空ポンプ２８により真空排気を行うと、ゴムキャップ７
内に抑え込んだ異物を一緒に掃き出すことができる。
子線描画装置の概略図である。図において、電子銃２１
から放出された電子ビーム２２は、アパーチャ２３およ
び各レンズ２４によって成形され、偏向板２５によって
所望の描画位置へビーム軌道を制御している。また、ス
テージ２６上にはパレット５が設置されており、これに
吸着保持されたウエハ１の描画位置はステージ２６の移
動によって制御される。装置内には、試料を交換するた
めの交換室２７があり、この中では真空／大気が繰り返
し行われている。この交換室内にウエハ１をロードした
後アースピン７が下降してウエハ１を接地する。次に真
空ポンプ２８により真空排気を行うと、ゴムキャップ７
内に抑え込んだ異物を一緒に掃き出すことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、異
物の低減を図ることができ、静電吸着装置を搭載してい
る真空装置の信頼性の向上に努めることができる。
物の低減を図ることができ、静電吸着装置を搭載してい
る真空装置の信頼性の向上に努めることができる。
【図１】本発明の実施例を示す静電吸着装置の概略図。
【図２】本発明の実施例を示す試料表面での接地機構の
概略図。
概略図。
【図３】本発明の静電吸着装置を搭載した電子線描画装
置の概略図。
置の概略図。
１…ウエハ、２…誘電体、３…電極、４…吸着用直流電
源、５…パレット、６…アースピン、７…ゴムキャッ
プ、８…板バネ、９…調整ネジ、２１…電子銃、２２…
電子ビーム、２３…アパーチャ、２４…レンズ、２５…
偏向板、２６…ステージ、２７…交換室、２８…真空ポ
ンプ。
源、５…パレット、６…アースピン、７…ゴムキャッ
プ、８…板バネ、９…調整ネジ、２１…電子銃、２２…
電子ビーム、２３…アパーチャ、２４…レンズ、２５…
偏向板、２６…ステージ、２７…交換室、２８…真空ポ
ンプ。
Claims (4)
- 【請求項１】試料と誘電体との間に電圧を印加すること
によって、前記試料を前記誘電体上に吸着保持する静電
吸着装置に対し、その試料の表面にピン等の接地手段を
押付けて接地させる場合において、接地手段先端の周囲
空間部を弾性材の囲いに覆われ、接地手段が試料に接触
するタイミングより先に試料に接触して密着することを
特徴とする静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画
装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記弾性材の囲いに１
箇所もしくは数箇所の切欠きを設けたことを特徴とする
静電吸着装置、およびそれを用いた電子線描画装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記弾性材の材質は、
シリコンゴムやフッ素ゴムのような物質で構成されてい
ることを特徴とする静電吸着装置。 - 【請求項４】請求項１において、前記弾性材の上部を金
属板等の導電材で覆うことを特徴とする静電吸着装置、
およびそれを用いた電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014496A JPH1092715A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014496A JPH1092715A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092715A true JPH1092715A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17055157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24014496A Pending JPH1092715A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2014216407A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスクカバー用アース機構、マスクカバー、荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP24014496A patent/JPH1092715A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2014216407A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マスクカバー用アース機構、マスクカバー、荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9299531B2 (en) | 2013-04-24 | 2016-03-29 | Nuflare Technology, Inc. | Mask cover, charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3993509A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| US4665463A (en) | Electrostatic chuck | |
| US8218284B2 (en) | Apparatus for increasing electric conductivity to a semiconductor wafer substrate when exposure to electron beam | |
| US6717156B2 (en) | Beam as well as method and equipment for specimen fabrication | |
| US11798818B2 (en) | Container, processing apparatus, particle removing method, and method of manufacturing article | |
| US5751538A (en) | Mask holding device and method for holding mask | |
| US8859993B2 (en) | Sample holder of electron beam exposure apparatus and electron beam exposure method using the same | |
| KR970063391A (ko) | 정전기 입자 제거기 | |
| TWI776216B (zh) | 晶圓接地系統及非暫時性電腦可讀媒體 | |
| JPH07321176A (ja) | 基板搬送方法 | |
| JPH1092715A (ja) | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 | |
| EP0138254A1 (en) | Electrostatic chuck and loading method | |
| US20220130706A1 (en) | Etching apparatus and methods of cleaning thereof | |
| JP4663406B2 (ja) | 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法 | |
| JP3123956B2 (ja) | 静電吸着装置及びそれを用いた電子線描画装置 | |
| JPH074718B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2000100917A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JPH09246366A (ja) | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 | |
| JPH09167593A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2982203B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0216749A (ja) | 電子ビーム露光装置用ウェハーホルダ | |
| JP2000348659A (ja) | 放射ビーム装置 | |
| JPS61200865A (ja) | ウエハ−等処理用試料室 | |
| JPH08340042A (ja) | 静電吸着装置 | |
| US6630677B1 (en) | Electrostatic lens having glassy graphite electrodes |