TWI531459B - Compression forming die and compression forming method - Google Patents

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Description

壓縮成形模具及壓縮成形方法
本發明係關於用於裝著於基板上之電子零件之樹脂封止之壓縮成形模具及使用該壓縮成形模具之壓縮成形方法。
以往，已進行使用具備由上下兩模具構成之壓縮成形模具之樹脂封止裝置將裝著於基板上之半導體晶片等電子零件樹脂封止。將此種用於樹脂封止之壓縮成形模具之一例顯示於圖6。在於此圖顯示之壓縮成形模具50之例係於上模具51保持裝著有電子零件61之基板60。下模具52係由框構件55、在該框構件55內上下動之底面構件54構成，對以前述框構件55與前述底面構件54包圍之空間(腔室53)供給樹脂25。
在上述壓縮成形模具50係先於上模具51之下面將基板60固定為電子零件61之裝著面朝向下模具52。其次，使下模具52上升以使上模具51之下面與下模具52之上面密著。接著，使底面構件54上升，使電子零件61浸漬於腔室53內之已融解之樹脂25之中。之後，將腔室53內之已融解之樹脂25以底面構件54壓縮同時維持既定時間，使樹脂25硬化。藉此，樹脂25之壓縮成形完成，樹脂封止基板60上之電子零件61。
在如上述之壓縮成形模具50係為了底面構件54對框構件55上下動而於框構件55與底面構件54之間有間隙存在。此種間隙雖設計為盡可能小，但若加壓腔室53內之已融解之樹脂25，樹脂25會進入上述間隙。針對此問題，為了防止往框構件55與底面構件54之間之間隙之樹脂25之浸入，一般係進行將下模具52之模具面全體以氟樹脂等脫模膜56覆蓋(參照圖7)。此脫模膜56係以具有比腔室53之開口更大之開口之框狀之中間板57按壓。
然而，脫模膜56有於每次成形更換之必要，故有多量之廢棄物產生，對環境之負荷大。此外，其廢棄處理費用高，故製品(半導體封裝)之製造原價升高。進而，在使用脫模膜56之場合，壓縮成形模具成為上模具51、下模具52、中間板57之3片模具，且需要將脫模膜56對下模具52與中間板57之間供給之供給機構，故壓縮成形模具及具備該壓縮成形模具之樹脂封止裝置之構成變複雜。
針對上述問題，本申請人以往已提案使不使用脫模膜而進行壓縮成形為可能之壓縮成形模具(參照專利文獻1)。在此壓縮成形模具係如圖8所示，將包圍底面構件54之框構件58於底面構件54之各邊分割，藉由彈簧等彈性構件將各框構件58往底面構件54按壓。藉此，容許底面構件54之上下動且可使框構件58與底面構件54之間之間隙極力縮小，故不需要脫模膜。
進而，在專利文獻1亦有揭示如圖9所示，於底面構件54之上面之周緣部設槽部，事先於該處嵌入氟樹脂製之密封構件59，使以彈性構件按壓之各框構件58抵接於密封構件59。藉此，於抵接面產生之摩擦力變小，底面構件54對框構件58易於上下滑動。
專利文獻1：日本特開2008-296382號公報
在專利文獻1之壓縮成形模具中，需要將分割後之框構件58分別獨立地往底面構件54彈性按壓之彈性按壓機構。此彈性按壓機構在如圖9所示於底面構件54嵌密封構件59之場合亦為必要。因此，專利文獻1之壓縮成形模具比一般之壓縮成形模具構成複雜，製造成本高。
本發明係鑑於此點而為，其目的在於提供不使用脫模膜而可進行壓縮成形且具有簡單之構成之壓縮成形模具及使用該壓縮成形模具之壓縮成形方法。
為了解決上述課題而完成之本發明之壓縮成形模具係一種壓縮成形模具，具備上模具、對向配置於此上模具之由框構件及可在此框構件內上下動之底面構件構成之下模具，用於將保持於前述上模具之基板上之電子零件藉由對以前述下模具之前述框構件與前述底面構件包圍之腔室內供給之樹脂材料之壓縮成形而樹脂封止，其特徵在於：前述底面構件具有於其上面之外周緣部涵蓋全周設置之槽部，於前述槽部之內周面形成有比前述底面構件之上面之該槽部之開口更往內周側凹設之下方切除部。
於前述底面構件之上面形成有1或複數之凹部較理想。
為了解決上述課題而完成之本發明之壓縮成形方法係一種壓縮成形方法，係使用上述壓縮成形模具將裝著於基板之電子零件以壓縮成形來樹脂封止，其特徵在於具有：a)對前述腔室內供給密封用樹脂材料並壓縮成形而形成仿真成形品之步驟；b)將將前述密封用樹脂材料壓縮成形而形成之前述仿真成形品從因進入前述槽部之前述密封用樹脂材料硬化而形成於該槽部內之槽部填充構件分離而從前述壓縮成形模具取下之步驟；c)對於前述槽部填充有前述槽部填充構件之狀態之前述腔室內供給封止用樹脂材料將基板上之電子零件以壓縮成形來樹脂封止而形成封止成形品之步驟；d)將前述封止成形品從前述槽部填充構件分離而從前述壓縮成形模具取下之步驟。
在上述壓縮成形方法中，前述密封用樹脂材料為硬化後具有滑動性者較理想。
此外，在上述壓縮成形方法中，前述封止用樹脂材料係於樹脂混入有添加劑者，前述密封用樹脂材料係僅由前述樹脂構成或於該樹脂以比前述封止用樹脂材料少之比例混入有前述添加劑者較理想。
在本發明之壓縮成形模具及壓縮成形方法係藉由對腔室內供給密封用樹脂材料並壓縮成形而形成仿真成形品同時藉由槽部中之密封用樹脂材料形成槽部填充構件。槽部具有下方切除部，槽部填充構件無法直接脫模，故從腔室卸除仿真成形品時，仿真成形品與槽部填充構件分離。其結果，槽部填充構件殘留於形成於底面構件之上面之外周緣部全周之槽部中，藉此底面構件與框構件之間之間隙完全封閉。因此，之後對腔室內供給封止用樹脂材料將基板上之電子零件樹脂封止時，封止用樹脂材料不會浸入該間隙。因此，不會為了防止樹脂材料進入前述間隙而使用脫模膜或使用複雜之構成之壓縮成形模具。
於密封用樹脂材料之硬化後將仿真成形品與槽部填充構件分離時，若此等在槽部內破斷，於之後之成形時封止用樹脂材料會進入至其破斷面，於封止成形品產生樹脂毛邊。若將此封止成形品將樹脂側之面朝下載置於載置面則容易因樹脂毛邊折斷而有樹脂屑產生。此時，若事先於底面構件之上面設凹部，將對應於該凹部之凸部形成於封止成形品，在如上述載置封止成形品時，封止成形品藉由凸部支持，因此凸部而使樹脂毛邊不易接觸載置面。因此，可防止因樹脂毛邊折斷而有樹脂屑產生。
做為密封用樹脂材料使用於硬化後具有滑動性者較理想。藉此，可阻塞框構件與底面構件之間之間隙並使底面構件對框構件良好地滑動。此外，在做為封止用樹脂材料使用使添加劑混入樹脂者之場合，做為於硬化後具有滑動性之密封用樹脂材料使用僅由該樹脂構成者或使用使少量之添加劑混入該樹脂者較理想。藉此，即使密封用樹脂材料硬化而成之槽部填充構件缺損，其碎片混入封止成形品，該碎片亦與封止用樹脂材料之含有物質為相同物，故對封止成形品之特性幾乎不會影響。
以下，參照圖面針對本發明之一實施形態之壓縮成形模具及壓縮成形方法說明。
本實施形態之壓縮成形模具10具備將裝著有半導體晶片等電子零件之基板以下面保持之上模具11、對向配置於此上模具11之下模具12(參照圖1)。下模具12係由框構件15及可在此框構件15內上下動之底面構件14構成，以前述框構件15與前述底面構件14包圍之空間成為腔室13。
於上模具11之下面設有為了保持基板之基板固定機構111。基板固定機構111在本實施形態雖係以鉤將基板卡著於上模具11之機構，但為藉由將基板從上方吸引而吸著固定之機構等亦可。
於底面構件14之上面之外周緣部涵蓋全周設有槽部141。因此，槽部141係存在於底面構件14與框構件15之滑動面。於槽部141之內周面145之下部形成有比前述底面構件14之上面之該槽部141之開口(以下稱為「上部開口146」)更往內周側凹入之下方切除部142。藉此，可防止從腔室13浸入槽部141並在該處硬化之樹脂材料(後述之槽部填充構件24)往腔室13側穿透。另外，下方切除部142只要設於槽部141之內周面145之上端以外之位置即可，例如設於內周面145之中央部亦可。此外，下方切除部142並不限於如圖1所示之凹形狀者，為使槽部141之內周面145傾斜為逆錐狀者等亦可。
於前述底面構件14之上面設有凹部143。凹部143之深度係設定為比因浸入槽部141之上部開口146附近之封止用樹脂材料而產生之樹脂毛邊之突出高度大。關於樹脂毛邊或其突出高度之詳細雖係後述，但樹脂毛邊之突出高度可藉由實際進行成形測試來確認。
其次，針對使用壓縮成形模具10之壓縮成形方法說明(參照圖2)。首先，將壓縮成形模具10分離，將沒有裝著電子零件之仿真基板63以基板固定機構111固定於上模具11之下面(參照圖2(a))。同時，對腔室13內供給密封用樹脂材料20。做為密封用樹脂材料20，使用硬化後之滑動性或脫模性優良者較理想。密封用樹脂材料20於對腔室13之供給時為粉末狀或液狀皆可，但在粉末狀之場合係在腔室13內使融解為液狀。
其次，如圖2(b)所示使框構件15及底面構件14上升，使框構件15之上面密著於仿真基板63之下面且將腔室13以密封用樹脂材料20填滿。在此狀態下，藉由底面構件14壓縮密封用樹脂材料20同時以既定溫度維持既定時間，使密封用樹脂材料20硬化。藉此，形成由仿真基板63與硬化後之密封用樹脂材料20構成之仿真成形品21。此時，密封用樹脂材料20係進入槽部141，在將框構件15及底面構件14之間之間隙完全填滿之狀態下硬化。藉此，在槽部141內形成槽部填充構件24。
密封用樹脂材料20硬化後，在以基板固定機構111將仿真成形品21固定於上模具11之狀態下使下模具12下降，將仿真成形品21從腔室13卸除(參照圖2(c))。此時，因在槽部141之中密封用樹脂材料20硬化而形成之槽部填充構件24係從仿真成形品21扯斷並分離，殘留於槽部141。藉此，腔室13成為槽部141藉由槽部填充構件24阻塞之狀態。之後，使上模具11之基板固定機構111動作解除仿真成形品21之固定，將仿真成形品21從上模具11卸除。
其次，如圖2(d)所示，於上模具11之下面將裝著有電子零件61之基板60以基板固定機構111固定為電子零件裝著面朝向下模具12。此外，同樣如圖2(d)所示，在於槽部141有槽部填充構件24殘留之狀態下對腔室13供給封止用樹脂材料22。封止用樹脂材料22係將電子零件61樹脂封止之樹脂，為例如環氧樹脂。封止用樹脂材料22亦與密封用樹脂材料20同樣於對腔室13之供給時為粉末狀或液狀皆可，但在粉末狀之場合係在腔室13內使融解為液狀。
其次，如圖2(e)所示使框構件15及底面構件14上升使框構件15之上面密著於基板60之下面且使電子零件61浸漬於腔室13內之封止用樹脂材料22中。在此狀態下，以底面構件14壓縮封止用樹脂材料22。此時，由於槽部141係以槽部填充構件24填滿，故封止用樹脂材料22不會進入槽部141之深處。但隨著槽部填充構件24之上面即破斷面之位置不同，封止用樹脂材料22可能進入比槽部141之上部開口146下方。例如，在圖3(a)所示槽部填充構件24之破斷面全體位於比槽部141之上部開口146(底面構件14之上面144)低之位置之場合，封止用樹脂材料22會從上部開口146進入至下方之破斷面。此外，在如圖3(b)、(c)所示槽部填充構件24之一部分(中央部或周緣部)位於比槽部141之上部開口146低之位置之場合，封止用樹脂材料22亦可能進入比槽部141之上部開口146下方。另外，在如圖3(d)所示槽部填充構件24之破斷面全體位於比槽部141之上部開口146高之位置之場合，封止用樹脂材料22不會進入槽部141。
接著，將如圖2(e)所示之狀態以既定溫度維持既定時間使封止用樹脂材料22硬化。藉此，形成電子零件61以封止用樹脂材料22樹脂封止之封止成形品23。
封止用樹脂材料22硬化後，在以基板固定機構111將封止成形品23固定於上模具11之狀態下使下模具12下降，將封止成形品23從腔室13卸除。此時，槽部141之中之槽部填充構件24從封止成形品23分離，殘留於槽部141。其後，使基板固定機構111動作解除封止成形品23之固定，將封止成形品23從上模具11卸下(參照圖2(f))。
於取出之封止成形品23之樹脂側之面之中央部係如圖4所示形成有比周緣部隆起之部分(凸部231)。此凸部231係底面構件14之凹部143之形狀轉印於封止用樹脂材料22而形成者。另外，圖中之虛線係顯示封止成形品23之對應於底面構件14之上面144之面。此外，在如圖3(a)、(b)、(c)所示封止用樹脂材料22進入比槽部141之上部開口146下方之場合，於與凸部231之突出方向相同方向形成樹脂毛邊232。在此，凸部231之高度係對應於凹部143之深度，且凹部143之深度係如上述設定為比樹脂毛邊232之突出高度更深，故凸部231之高度比樹脂毛邊232之突出高度更高。亦即，樹脂毛邊232之前端不會比凸部231更往下方突出。藉此，在將封止成形品23將樹脂側之面朝下載置於載置面時，樹脂毛邊232不會接觸載置面。因此，可防止樹脂毛邊232折斷而產生樹脂屑。
若將本實施形態之壓縮成形方法與使用脫模膜之以往之壓縮成形方法比較，在使用脫模膜之以往之壓縮成形方法若使底面構件之衝程増大，於脫模膜便容易產生縐折或破裂。因此，不適於較厚之半導體封裝(例如內藏有控制大電流之功率電晶體之厚度5mm程度之半導體封裝)之製造。相對於此，在本實施形態之壓縮成形方法由於不使用脫模膜，故上述麻煩不會產生。因此，除了厚度1mm程度之一般之半導體封裝之製造當然適合外，亦適於厚度5mm以上之較厚之半導體封裝之製造。
另外，上述實施形態係一例，顯然可依本發明之主旨適當進行變形或修正。例如，於底面構件14之上面設置之凹部143如圖5所示為複數亦可。在此場合，亦藉由形成於封止成形品23之凸部231產生防止樹脂毛邊232之折斷之效果。此外，在此場合，可使封止用樹脂材料22之使用量比上述實施形態之封止成形品23減少。
一般做為電子零件之封止用樹脂材料係使用於樹脂將添加劑以高比例(例如70%~90%)混入者，但做為密封用樹脂材料僅使用於封止用樹脂材料使用之樹脂亦可。此外，做為密封用樹脂材料，使用於前述樹脂以少比例(例如5%以下之比例)使添加劑混入者亦可。
具體而言，例如，在做為封止用樹脂材料而使用混入有添加劑之環氧系之樹脂之場合，做為密封用樹脂材料可使用於該環氧系之樹脂不混入添加劑之樹脂材料(不含添加劑之封止用樹脂材料)。
或者，在做為封止用樹脂材料而使用環氧系之樹脂之場合，做為密封用樹脂材料可使用環氧樹脂(基本樹脂)。
做為密封用樹脂材料，使用與包含於封止用樹脂材料之樹脂相異者(例如氟系之密封劑等)亦可。
由於樹脂毛邊232之突出高度最大也只有槽部141之深度，故將凹部143之深度設定為槽部141之深度以上亦可。在此場合，可不進行成形測試便設定凹部143之深度。壓縮成形模具10為金屬製之模具(金屬模具)或金屬製以外之模具(例如樹脂模具或陶瓷模具)皆可。
10、50‧‧‧壓縮成形模具
11、51‧‧‧上模具
111‧‧‧基板固定機構
12、52‧‧‧下模具
13、53‧‧‧腔室
14、54‧‧‧底面構件
141‧‧‧槽部
142‧‧‧下方切除部
143‧‧‧凹部
144‧‧‧底面構件之上面
145‧‧‧內周面
146‧‧‧上部開口
15、55、58‧‧‧框構件
20‧‧‧密封用樹脂材料
21‧‧‧仿真成形品
22‧‧‧封止用樹脂材料
23‧‧‧封止成形品
24‧‧‧槽部填充構件
231‧‧‧凸部
232‧‧‧樹脂毛邊
25‧‧‧樹脂
56‧‧‧脫模膜
57‧‧‧中間板
59‧‧‧密封構件
60‧‧‧基板
61‧‧‧電子零件
63‧‧‧仿真基板
圖1係本發明之一實施形態之壓縮成形模具之剖面圖。
圖2係說明本發明之一實施形態之壓縮成形方法之圖，(a)係密封用樹脂材料之成形前之壓縮成形模具之剖面圖，(b)係密封用樹脂材料之成形中之壓縮成形模具之剖面圖，(c)係密封用樹脂材料之成形後之壓縮成形模具之剖面圖，(d)係封止用樹脂材料之成形前之壓縮成形模具之剖面圖，(e)係封止用樹脂材料之成形中之壓縮成形模具之剖面圖，(f)係封止用樹脂材料之成形後之壓縮成形模具之剖面圖。
圖3係說明槽部填充構件之破斷面之圖，(a)係破斷面全體位於比槽部之上部開口低之位置之場合之破斷面附近之擴大剖面圖，(b)係破斷面之中央位於比槽部之上部開口低之位置之場合之破斷面附近之擴大剖面圖，(c)係破斷面之緣部位於比槽部之上部開口低之位置之場合之破斷面附近之擴大剖面圖，(d)係破斷面全體位於比槽部之上部開口高之位置之場合之破斷面附近之擴大剖面圖。
圖4係封止成形品之剖面圖。
圖5係凹部及封止成形品之變形例之剖面圖。
圖6係說明以往之壓縮成形模具之圖，(a)係成形前之剖面圖，(b)係成形中之剖面圖。
圖7係說明使用脫模膜之以往之壓縮成形模具之圖，(a)係成形前之剖面圖，(b)係成形中之剖面圖。
圖8係說明使用分割之框構件之以往之壓縮成形模具之圖，(a)係框構件及底面構件之俯視圖，(b)係壓縮成形模具之剖面圖。
圖9係使用分割之框構件之以往之壓縮成形模具之密封構件附近之擴大剖面圖。
10．．．壓縮成形模具
11．．．上模具
111．．．基板固定機構
12．．．下模具
13．．．腔室
14．．．底面構件
15．．．框構件
20．．．密封用樹脂材料
21．．．仿真成形品
22．．．封止用樹脂材料
23．．．封止成形品
24．．．槽部填充構件
60．．．基板
61．．．電子零件
63．．．仿真基板

Claims (7)

  1. 一種壓縮成形模具，具備上模具、對向配置於此上模具之由框構件及可在此框構件內上下動之底面構件構成之下模具，用於將保持於前述上模具之基板上之電子零件藉由對以前述下模具之前述框構件與前述底面構件包圍之腔室內供給之樹脂材料之壓縮成形而樹脂封止，其特徵在於：前述底面構件具有於其上面之外周緣部涵蓋全周設置之槽部，於前述槽部之內周面形成有比前述底面構件之上面之該槽部之開口更往內周側凹設之下方切除部。
  2. 如申請專利範圍第1項之壓縮成形模具，其中，於前述底面構件之上面形成有1或複數之凹部。
  3. 一種壓縮成形方法，係使用壓縮成形模具將裝著於基板之電子零件以壓縮成形來樹脂封止，該壓縮成形模具具備上模具、對向配置於此上模具之由框構件及可在此框構件內上下動之底面構件構成之下模具，用於將保持於前述上模具之基板上之電子零件藉由對以前述下模具之前述框構件與前述底面構件包圍之腔室內供給之樹脂材料之壓縮成形而樹脂封止，前述底面構件具有於其上面之外周緣部涵蓋全周設置之槽部，於前述槽部之內周面形成有比前述底面構件之上面之該槽部之開口更往內周側凹設之下方切除部，其特徵在於具有：a)對前述腔室內供給密封用樹脂材料並壓縮成形而形成仿真成形品之步驟；b)將將前述密封用樹脂材料壓縮成形而形成之前述仿真成形品從因進入前述槽部之前述密封用樹脂材料硬化而形成於該槽部內之槽部填充構件分離而從前述壓縮成形模具取下之步驟；c)對於前述槽部填充有前述槽部填充構件之狀態之前述腔室內供給封止用樹脂材料將基板上之電子零件以壓縮成形來樹脂封止而形成封止成形品之步驟；d)將前述封止成形品從前述槽部填充構件分離而從前述壓縮成形模具取下之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項之壓縮成形方法，其中，使用於前述底面構件之上面形成有1或複數之凹部之壓縮成形模具。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之壓縮成形方法，其中，前述密封用樹脂材料為硬化後具有滑動性者。
  6. 如申請專利範圍第3或4項之壓縮成形方法，其中，前述封止用樹脂材料係於樹脂混入有添加劑者，前述密封用樹脂材料係僅由前述樹脂構成或於該樹脂以比前述封止用樹脂材料少之比例混入有前述添加劑者。
  7. 如申請專利範圍第5項之壓縮成形方法，其中，前述封止用樹脂材料係於樹脂混入有添加劑者，前述密封用樹脂材料係僅由前述樹脂構成或於該樹脂以比前述封止用樹脂材料少之比例混入有前述添加劑者。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5774545B2 (ja) * 2012-05-29 2015-09-09 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止成形装置
JP6212399B2 (ja) * 2014-01-21 2017-10-11 Ｔｏｗａ株式会社 フィルムシート切り抜き装置及び切り抜き方法
JP6470599B2 (ja) * 2014-04-22 2019-02-13 アピックヤマダ株式会社 成形金型
JP6491508B2 (ja) * 2015-03-23 2019-03-27 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6564227B2 (ja) * 2015-04-10 2019-08-21 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形金型、樹脂成形装置および樹脂成形方法
CN105583991A (zh) * 2015-12-16 2016-05-18 安徽宁国中鼎模具制造有限公司 一种改进的卧式矩形圈类模具
JP6580519B2 (ja) * 2016-05-24 2019-09-25 Ｔｏｗａ株式会社 圧縮成形装置、樹脂封止品製造装置、圧縮成形方法、及び樹脂封止品の製造方法
JP6827283B2 (ja) * 2016-08-03 2021-02-10 Ｔｏｗａ株式会社 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6845714B2 (ja) * 2017-03-10 2021-03-24 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置、樹脂成形方法、及び樹脂成形品の製造方法
JP6886341B2 (ja) * 2017-05-10 2021-06-16 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形用成形型、樹脂成形装置、樹脂成形用成形型調整方法、及び樹脂成形品製造方法
JP6482616B2 (ja) * 2017-08-21 2019-03-13 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品製造方法
JP7113291B2 (ja) * 2018-06-11 2022-08-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子部品モジュールの外装樹脂成形方法
JP7394739B2 (ja) * 2020-11-11 2023-12-08 Ｔｏｗａ株式会社 圧縮成形型、樹脂成形装置、樹脂成形システムおよび樹脂成形品の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07223232A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Takashimaya Nippatsu Kogyo Kk ポリウレタンチップを原料とするモールド成形型
JP3457452B2 (ja) * 1996-01-31 2003-10-20 株式会社ブリヂストン グレーチングの製造方法
JP3896274B2 (ja) * 2001-10-30 2007-03-22 住友重機械工業株式会社 半導体樹脂封止装置
JP4215593B2 (ja) * 2003-08-06 2009-01-28 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置
JP4192104B2 (ja) * 2004-02-12 2008-12-03 株式会社台和 熱硬化性樹脂成形方法
JP5036563B2 (ja) * 2006-01-17 2012-09-26 スパンション エルエルシー 半導体装置およびその製造方法
JP5128309B2 (ja) 2008-02-20 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び金型
JP2008296382A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Towa Corp 電子部品の圧縮成形方法及び金型
JP2009124012A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Towa Corp 電子部品の圧縮成形方法及び金型
JP4553944B2 (ja) 2008-01-10 2010-09-29 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
JP5382693B2 (ja) 2009-02-04 2014-01-08 アピックヤマダ株式会社 圧縮成形方法
CN201520030U (zh) * 2009-11-05 2010-07-07 中国石化集团第十建设公司 制动气室防尘套模具

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