TWI529232B - The adhesive composition and the subsequent film - Google Patents

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Description

接著劑組成物及接著薄膜
本發明關於接著晶圓用的接著劑組成物及接著薄膜。
作為接著劑組成物，專利文獻1中記載一種含有烴樹脂的接著劑。又，專利文獻2中記載一種接著性樹脂組成物，其含有在表面具有與接著劑樹脂成分進行化學反應的有機基之矽石微粉末，專利文獻3中記載一種在主劑中加有填料而成的接著劑。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開2010-109324號公報(2010年5月13日公開)
[專利文獻2]特開平10-287854號公報(1998年10月27日公開)
[專利文獻3]特開平8-319466號公報(1996年12月3日公開)
然而，使用如上述的習知技術之接著劑來接著晶圓與玻璃基板等後，例如若在250℃附近進行高溫製程，則接著劑會自晶圓的端面溶出，發生所謂的脫層(接著劑自晶圓的端面溶出)。因此，要求進一步提高(更提高)接著劑組成物的軟化溫度。
本發明係鑒於上述習知技術所具有的問題而完成者，其目的在於提供一種接著晶圓用的軟化溫度經進一步提高(更高)之接著劑組成物及一種接著薄膜。
為了解決上述問題，本發明的接著劑組成物係一種接著晶圓用的接著劑組成物，其特徵為含有具備接著性的樹脂、與填料。
又，於本發明的接著劑組成物中，相對於上述樹脂而言，上述填料的含有率較佳為20重量%以上70重量%以下。
另外，於本發明的接著劑組成物中，上述填料的平均粒徑較佳為0.5μm以上5μm以下。
還有，於本發明的接著劑組成物中，上述填料較佳為無機填料。
又，於本發明的接著劑組成物中，上述填料的耐熱性較佳為300℃以上。
另外，於本發明的接著劑組成物中，上述樹脂較佳為烴樹脂。
還有，於本發明的接著劑組成物中，上述烴樹脂較佳為選自由環烯烴系聚合物、萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群組。
為了解決上述問題，本發明的接著薄膜之特徵為在薄膜上具備如上述中任一個接著劑組成物之接著劑層。
本發明的接著劑組成物係如以上，為接著晶圓用的接著劑組成物，其含有具備接著性的樹脂、與填料。因此，可提供軟化溫度經進一步提高(更高)的接著劑組成物及接著薄膜。
[實施發明的形態]
以下詳細說明本發明的一實施形態。
[接著劑組成物]
本實施形態的接著劑組成物係一種接著晶圓用的接著劑組成物，其含有具備接著性的樹脂、與填料。
本實施形態的接著劑組成物，由於含有填料而物理地抑制在高溫的溶解，故軟化溫度進一步升高(變高)。因此，若使用此接著劑組成物，使晶圓接著於玻璃基板等，則於其後的高溫製程(PVD、CVD等的蒸鍍步驟等)之際，可抑制接著劑自晶圓的端面溶出(脫層)。因此，本實施形態的接著劑組成物係可適用於晶圓的接著。
以下說明含有接著劑組成物的各構成要素。
＜填料＞
填料係沒有特別的限定，例如較佳為無機填料。作為無機填料，可舉出矽石、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鈣、氧化鎂、氧化鐵、氧化錫、氧化銻、肥粒鐵類、氫氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、鹼式碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鋅、碳酸鋇、片鈉鋁石(dowsonite)、水滑石、硫酸鈣、硫酸鋇、矽酸鈣、滑石、黏土、雲母、蒙脫石、膨土、海泡石、絲狀鋁英石、絹雲母、玻璃纖維、玻璃珠、矽石系氣球、氮化鋁、氮化硼、氮化矽、碳黑、石墨、碳纖維、碳氣球、硼酸鋅、各種磁性粉等。
又，無機填料亦可藉由矽烷系、鈦酸酯系等的各種偶合劑而施予表面處理。作為表面處理的方法，可舉出乾式法、淤漿法或噴霧法等，藉由各種偶合劑直接處理無機填料的方法、直接法、母料混合法等的整體摻合法，或乾濃縮法等方法。
作為填料可使用的市售品，例如可舉出信越化學公司製的聚矽氧樹脂粉、聚矽氧複合粉、聚矽氧橡膠粉等。
相對於樹脂而言，填料的含有率較佳為20重量%以上70重量%以下。填料的含有率若為20重量%以上，則由於接著劑的軟化溫度充分變高，而可抑制脫層。又，若為70重量%以下，則可保持充分的接著力。此處，「相對於樹脂而言，填料的含有率」係指以樹脂為100重量%時的含有率。
再者，填料的含有率，只要是能避免接著劑組成物所接著的晶圓之剝離的量即可，從接著劑的軟化溫度之上升及應力的緩和之觀點來看，愈高愈佳。因此，填料的含量更佳為50重量%以上70重量%以下。
填料的平均粒徑較佳為0.5μm以上5μm以下。因此，由於在接著組成物內不沈降而可分散，可充分發揮其機能。又，填料的平均粒徑，從緩和晶圓的應力之觀點來看，較佳為0.5μm以上1μm以下。若使用含有如此平均粒徑的填料之接著劑組成物，則在使晶圓接著於玻璃基板等後，供應給高溫製程時，可減輕晶圓的翹曲量。因此，其後的製程流動係成為可能。
又，填料的耐熱性較佳為300℃以上。藉此，可有效地抑制脫層。再者，本說明書中所謂的「具有300℃以上的耐熱性」，係指由室溫加熱到300℃時的重量變化率為1%以下。
＜樹脂＞
作為樹脂，只要是具備接著性者即可，例如可舉出烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂等。
(烴樹脂)
作為烴樹脂，可舉出環烯烴系聚合物(以下亦稱為「樹脂(A)」)，以及選自由萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群組中的至少一種樹脂(以下亦稱為「樹脂(B)」)等，惟不受此所限定。
作為樹脂(A)，可為將含有環烯烴系單體的單體成分聚合而成的樹脂。具體地，可舉出使含有環烯烴系單體的單體成分之開環(共)聚合物、含有環烯烴系單體的單體成分進行加成(共)聚合而成的樹脂等。
作為構成樹脂(A)的單體成分中所含有的前述環烯烴系單體，例如可舉出降冰片烯、降冰片二烯等的二環體、二環戊二烯、二羥基戊二烯等的三環體、四環十二烯等的四環體、環戊二烯三聚物等的五環體、四環戊二烯等的七環體、或此等多環體的烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物、烯基(乙烯基等)取代物、亞烷基(亞乙基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物等。於此等之中，特佳為選自由降冰片烯、四環十二烯或此等烷基取代物所成之群組的降冰片烯系單體。
作為構成樹脂(A)的單體成分，亦可含有能與上述環烯烴系單體共聚合的其它單體，例如較佳為含有烯單體。作為烯單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯、異丁烯、1-己烯、α-烯烴等。烯單體係可為直鏈狀，也可為支鏈狀。
構成樹脂(A)的單體成分，較佳為其50質量%以上係前述環烯烴系單體，更佳為60質量%以上係前述環烯烴系單體。環烯烴系單體若為單體成分全體的50質量%以上，則在高溫環境下的接著強度變良好。
再者，樹脂(A)例如是如由使環烯烴系單體與烯單體所成的單體成分聚合而成的樹脂，為不具有極性基的樹脂，此在抑制高溫下的氣體發生之方面係較佳。
將單體成分聚合時的聚合方法或聚合條件等係沒有特別的限制，可依照常用方法來適宜設定。
作為樹脂(A)可用的市售品，例如可舉出Polyplastics公司製的「TOPAS」、三井化學公司製的「APEL」、日本Zeon公司製的「ZEONOR」及「ZEONEX」、JSR公司製的「ARTON」等。
樹脂(A)的玻璃轉移點(Tg)較佳為60℃以上。特佳為樹脂(A)的玻璃轉移點係70℃以上。若樹脂(A)的玻璃轉移點為60℃以上，則當接著劑組成物暴露在高溫環境時，可進一步抑制接著層的軟化。
樹脂(B)係選自由萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群組中的至少一種樹脂。具體地，作為萜烯系樹脂，例如可舉出萜烯樹脂、萜烯苯酚樹脂、改性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯苯酚樹脂等。作為松香系樹脂，例如可舉出松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香等。作為石油樹脂，例如可舉出脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改性石油樹脂、脂環族石油樹脂、色滿‧茚石油樹脂等。於此等之中，較佳為氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂。
樹脂(B)的軟化點係沒有特別的限定，較佳為80～160℃。樹脂(B)的軟化點若為80℃以上，則當接著劑組成物暴露在高溫環境時，可抑制軟化，不發生接著不良。另一方面，樹脂(B)的軟化點若為160℃以下，則在剝離接著劑組成物之際，剝離速度變良好。
樹脂(B)的分子量係沒有特別的限定，較佳為300～3000。樹脂(B)的分子量若為300以上，則耐熱性變充分，在高溫環境下的脫氣量變少。另一方面，樹脂(B)的分子量若為3000以下，則在剝離接著劑組成物之際，剝離速度變良好。再者，本實施形態的樹脂(B)之分子量係意味以凝膠滲透層析術(GPC)所測定的聚苯乙烯換算之分子量。
再者，作為樹脂，亦可使用樹脂(A)樹脂(B)的混合者。藉由混合，耐熱性及剝離速度變良好。例如，樹脂(A)與樹脂(B)的混合比例為(A)：(B)=80：20～55：45(質量比)，係剝離速度、高溫環境時的熱耐性及柔軟性優異而較佳。
(丙烯酸-苯乙烯系樹脂)
作為丙烯酸-苯乙烯系樹脂，例如可舉出使用苯乙烯或苯乙烯的衍生物與(甲基)丙烯酸酯等當作單體所聚合的樹脂。
作為(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出由鏈式構造所成的(甲基)丙烯酸烷酯、具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯。作為由鏈式構造所成的(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出具有碳數15～20的烷基之丙烯酸系長鏈烷酯、具有碳數1～14的烷基之丙烯酸系烷酯等。作為丙烯酸系長鏈烷酯，可舉出烷基為正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正十九基、正二十基等的丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯。再者，該烷基亦可為支鏈狀。
作為具有碳數1～14的烷基之丙烯酸系烷酯，可舉出既存的丙烯酸系接著劑中所用的眾所周知之丙烯酸系烷酯。例如，可舉出烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二基、月桂基、十三基等所成的丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯。
作為具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯，可舉出(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸降冰片酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯、(甲基)丙烯酸四環十二酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等，更佳為甲基丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯。
作為具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯，並沒有特別的限定，作為芳香族環，例如可舉出苯基、苄基、甲苯基、二甲苯基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧基甲基、苯氧基乙基等。又，芳香族環亦可為碳數1～5的鏈狀或支鏈狀烷基。具體地，較佳為丙烯酸苯氧基乙酯。
(馬來醯亞胺系樹脂)
作為馬來醯亞胺系樹脂，例如可舉出將作為單體的N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-正丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-正丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-第二丁基馬來醯亞胺、N-第三丁基馬來醯亞胺、N-正戊基馬來醯亞胺、N-正己基馬來醯亞胺、N-正庚基馬來醯亞胺、N-正辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂基馬來醯亞胺等之具有烷基的馬來醯亞胺、N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基的馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-間甲基苯基馬來醯亞胺、N-鄰甲基苯基馬來醯亞胺、N-對甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基的芳香族馬來醯亞胺等聚合而得之樹脂。
＜接著劑組成物之調製方法＞
本實施形態的接著劑組成物係可使用眾所周知的方法，混合上述樹脂與填料而調製。作為樹脂，亦可使用視需要經有機溶劑稀釋的溶液(樹脂溶液)。
作為有機溶劑，例如可舉出丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等的酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇或二丙二醇單乙酸酯的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等的多元醇類及其衍生物；二噁烷等的環式醚類；乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等的酯類；及萜烯系溶劑等。此等可單獨使用，也可混合2種以上使用。
作為萜烯系溶劑，例如可舉出α-蒎烯、莰烯、蒎烷、香葉烯、二氫化香葉烯、對烷、3-蒈烯、對二烯、α-萜品烯、β-萜品烯、α-水芹烯、羅勒烯、檸檬烯、對傘花烴、γ-萜品烯、萜品二烯、1,4-桉樹腦、1,8-桉樹腦、氧化玫瑰、氧化里哪醇、葑酮、α-環檸檬醛、羅勒醇、四氫里哪醇、里哪醇、四氫別羅勒烯醇、異蒲勒醇、二氫里哪醇、異二氫薰衣草醇、β-環檸檬醛、香茅醛、L-酮、甲酸里哪酯、二氫萜品醇、β-萜品醇、醇、香葉醇、L-醇、松香芹醇、α-萜品醇、γ-萜品醇、諾甫醇、桃金娘烯醇、二氫香芹烯醇、香茅醇、桃金娘烯醛、二氫香芹酮、d-蒲勒酮、香葉基乙基醚、甲酸香葉酯、甲酸橙花酯、甲酸萜品酯、乙酸異二氫雜薰衣草酯、乙酸萜品酯、乙酸里哪酯、乙酸香葉烯酯、乙酸降冰片酯、丙酸酯、丙酸里哪酯、橙花醇、香芹醇、紫蘇醇、香葉醇、番紅花醛、檸檬醛、紫蘇醛、香茅基含氧乙醛、羥基香茅醛、馬鞭烯酮、d-香芹酮、L-香芹酮、薄荷酮、薄荷烯酮、甲酸香茅酯、乙酸異冰片基、乙酸酯、乙酸香茅酯、乙酸胩酯、乙酸二甲基辛酯、乙酸橙花酯、乙酸異長葉薄荷醇、乙酸二氫卡必酯、乙酸諾卜酯、乙酸香葉基、丙酸降冰片酯、丙酸橙花酯、丙酸卡必酯、丙酸萜品酯、丙酸香茅酯、丙酸異冰片酯、異丁酸里哪酯、異丁酸橙花酯、丁酸里哪酯、丁酸橙花酯、異丁酸萜品酯、丁酸萜品酯、異丁酸香葉酯、丁酸香茅酯、己酸香茅酯、異戊酸酯、β-石竹烯、雪松烯、紅沒藥烯、羥基香茅醇、法呢醇及異丁酸玻瑰酯等。於此等之中，從溶解性的觀點來看，較佳為檸檬烯及對烷，特佳為對烷。
[接著薄膜]
上述本實施形態的接著劑組成物係可按照用途而採用各式各樣的利用方法。例如，可使用液狀直接塗佈於半導體晶圓等被加工體上而形成接著劑層之方法，也可使用於本實施形態的接著薄膜，即預先在可繞性薄膜等薄膜上形成含有上述中任一接著劑組成物的接著劑層後，使乾燥，將此薄膜(接著薄膜)黏貼於被加工體而使用之方法(接著薄膜法)。
如此地，本實施形態的接著薄膜係在薄膜上具備含有如上述中任一接著劑組成物的接著劑層。因此，由於接著劑組成物的軟化溫度高，可抑制高溫製程中的脫層。
接著薄膜亦可在此接著劑層上更被覆保護薄膜而使用。此時，剝離接著劑層上的保護薄膜，在被加工體上重疊已露出的接著劑層後，自接著劑層剝離薄膜，而可在被加工體上容易地設置接著劑層。
因此，若使用本實施形態中的接著薄膜，則與在被加工體上直接塗佈接著劑組成物而形成接著劑層的情況比較下，可形成膜厚均勻性及表面平滑性良好的層。
作為接著薄膜之製造時所使用的薄膜，只要是可將薄膜上所製膜的接著劑層自薄膜剝離，而能將接著劑層轉印到保護基板或晶圓等被處理面上之脫模薄膜，則沒有限定。例如，可舉出由膜厚15～125μm的聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚氯乙烯等的合成樹脂薄膜所成之可撓性薄膜。對於薄膜，為了使容易轉印，較佳為進行脫模處理。
作為在薄膜上形成接著劑層的方法，可按照所欲的接著劑層之膜厚或均勻性，適宜地使用眾所周知的方法，而沒有限定，例如可舉出使用塗抹機、桿塗機、線桿塗佈機、輥塗機、簾幕流動式塗佈機等，以在薄膜上的接著劑層之乾燥膜厚成為10～1000μm的方式，塗佈本發明的接著劑組成物之方法。其中，較佳為輥塗機，因為膜厚的均勻性優異，而且可有效率地形成厚的厚膜。
又，使用保護薄膜時，作為保護薄膜，只要可自接著劑層剝離，則沒有限定，例如較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜。再者，各保護薄膜，從容易自接著劑層剝離的觀點來看，較佳為塗佈或燒附矽。保護薄膜的厚度係沒有特別的限定，從確保具備保護薄膜的接著薄膜之柔軟性的觀點來看，較佳為15～125μm。
接著薄膜的使用方法係沒有特別的限定，例如可舉出使用保護薄膜時，在剝離其剝離後，於被加工體上重疊所露出的接著劑層，於薄膜上(接著劑層的形成面之背面)使加熱輥移動，而將接著劑層熱壓黏於被加工體的表面之方法。此時，自接著薄膜所剝離的保護薄膜，若依順序被捲繞輥等捲繞成輥狀，則可保存而再利用。
[接著劑組成物及接著薄膜之用途]
本發明的接著劑組成物及接著薄膜之用途，只要是使用於晶圓的接著用途，則沒有特別的限定，但可合適地使用於使半導體晶圓的精密加工用保護基板接著於半導體晶圓等的基板之用途。
本發明係不受上述實施形態所限定，在申請專利範圍所示的範圍內，各種的變更係可能。即，關於將在申請專利範圍所示的範圍內適宜變更之技術手段組合而得的實施形態，亦包含於本發明的技術範圍內。
[實施例]
[接著劑組成物之調製]
將具備接著性的樹脂溶解於對烷中，而形成成樹脂固體成分濃度為30質量%的樹脂溶液。然後，於此樹脂溶液中添加填料(以樹脂固體成分為基準)，使用行星式混合機來混合，而調製實施例1～10的接著劑組成物。
作為填料，使用聚矽氧粒子的填料1或填料2中之任一者。作為填料1，使用聚有機倍半矽氧烷(RSi3/2)n的三次元交聯品之聚矽氧樹脂粉(「KMP-701」(製品名)；粒徑3.5μm，粒度分布1～6μm，400℃以上的耐熱性，信越化學公司製)。作為填料2，使用聚矽氧經矽樹脂所被覆的聚矽氧複合粉(「X-52-7030」(製品名)；粒徑0.8μm，粒度分布0.2～2μm，300℃以上的耐熱性，信越化學公司製)。
作為具備接著性的樹脂，使用樹脂1或樹脂2中的任一者。作為樹脂1，使用環烯烴共聚物(「TOPAS」(商品名)8007，Polyplastics公司製)。又，作為樹脂2，使用環烯烴共聚物(「APEL」(商品名)8008，三井化學公司製)。
作為比較例的接著劑組成物，使用樹脂1，調製不含填料的接著劑組成物。
下述表1中顯示實施例1～10及比較例的接著劑組成物之組成。
[玻璃轉移點及軟化點之測定]
其次，測定各接著劑組成物的玻璃轉移點及軟化點。
將各接著劑組成物塗佈在125mm的晶圓上後，於110℃、150℃、200℃各使乾燥3分鐘，而形成塗膜。對於所形成的塗膜，使用TMA(熱機械分析裝置)，分別測定接著劑組成物的玻璃轉移點(Tg)及軟化點(SP)。測定條件係荷重為800mN/cm2、升溫方式為常溫～200℃(5℃/分鐘)。於此條件下，將下降開始點當作玻璃轉移點，將更大下降開始點當作軟化點。
圖1～6各自顯示對於本發明的實施例3、4、7、8、9或10的接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。又，圖7係顯示對於本發明的比較例之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。另外，下述表2中顯示由此等測定結果所得之玻璃轉移點及軟化點。
如表2中所示，實施例3、4、7、8、9及10的接著劑組成物，與比較例相比，係顯示軟化點高，軟化溫度升高。又，此效果係顯示與所使用的樹脂之種類無關而可獲得。
實施例3、4、7、8、9及10的接著劑組成物之使用TMA的測定結果(圖1～6)，係顯示與比較例(圖7)不同的舉動。於含有粒徑為3.5μm的填料1之實施例3及4的接著劑組成物中，在120℃～150℃的下降係緩和。
又，於含有粒徑為0.8μm的填料2之實施例7及8的接著劑組成物中，與比較例、實施例3及4相比，自室溫到約170℃為止的下降係小。因此，暗示接著劑組成物中所含有的填料之粒徑愈小，軟化溫度愈升高。
[應力之測定]
其次，測定使用各接著劑組成物時的應力(膜應力)。
將此等接著劑組成物塗佈在125mm的晶圓上，於110℃、150℃、200℃各使乾燥3分鐘，而形成接著劑層後，在此接著劑層上接著玻璃基板。然後，使用翹曲‧膜應力測定裝置(FLX-2908，KLA-Tencor公司製)，測定在23℃的應力。
圖8及下述表3中顯示其結果。圖8係顯示在使用本發明的各實施例之接著劑組成物時，填料含量與應力之關係的曲線圖。如圖8及表3中所示，尤其在使用含有填料2的接著劑組成物(實施例5～8)時，填料的含量愈多，則應力愈減少。
因此，顯示藉由使用含填料的接著劑組成物，可緩如應力，可減輕晶圓的翹曲量。特別地，可知藉由含有50重量%以上的填料，與應力的緩和有關，可得到更高的效果。又，顯示填料的粒徑愈小，則緩和應力的效果愈高。
[產業上的利用可能性]
本發明的接著劑組成物及接著薄膜係可適用於半導體晶圓等的加工步驟。
圖1係顯示對於本發明的實施例3之接著劑組成物，使用TMA(熱機械分析裝置)的測定結果之曲線圖。
圖2係顯示對於本發明的實施例4之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖3係顯示對於本發明的實施例7之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖4係顯示對於本發明的實施例8之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖5係顯示對於本發明的實施例9之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖6係顯示對於本發明的實施例10之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖7係顯示對於本發明的比較例之接著劑組成物，使用TMA的測定結果之曲線圖。
圖8係顯示使用本發明的各實施例之接著劑組成物時，應力與填料含量的關係之曲線圖。

Claims (7)

  1. 一種接著劑組成物，其係用於將半導體晶圓接著於半導體晶圓的精密加工用保護基板的接著劑組成物，其特徵為含有具備接著性的樹脂、與填料，相對於上述樹脂而言，上述填料的含有率為50重量%以上70重量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之接著劑組成物，其中上述填料的平均粒徑為0.5μm以上5μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之接著劑組成物，其中上述填料係無機填料。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之接著劑組成物，其中上述填料的耐熱性為300℃以上。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之接著劑組成物，其中上述樹脂係烴樹脂。
  6. 如申請專利範圍第5項之接著劑組成物，其中上述烴樹脂係選自由環烯烴系聚合物、萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群組。
  7. 一種接著晶圓用的接著薄膜，其特徵為在薄膜上具備含有如申請專利範圍第1~6項中任一項之接著劑組成物的接著劑層。
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