TWI525039B - 氫矽烷類的製備方法 - Google Patents

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Description

氫矽烷類的製備方法
本發明係關於一種自鹵矽烷製備氫矽烷之方法。
氫矽烷和彼等之混合物於文獻中被描述為用於生成矽層之可能的反應物。瞭解氫矽烷係指基本上僅含矽和氫原子的化合物。氫矽烷可為氣體、液體或固體且係-在固體的情況中-基本上可溶於溶劑(如甲苯或環己烷)或溶於液態矽烷(如環五矽烷)中。例子包括單矽烷、二矽烷、三矽烷、環五矽烷和新五矽烷。具有至少三或四個矽原子的氫矽烷可具有直鏈、支鏈或(任意地二-/多)環之具Si-H鍵的結構，且可以特別的通式SinH2n+2(直鏈或支鏈；其中n2)、SinX2n(環狀；其中n3)或SinX2(n-i)(二-或多環狀；n4；i={環數}-1)表示。
許多用以製備氫矽烷之方法係基於低級氫矽烷(特別是SiH4)轉化成高級矽烷並去除H2的脫氫聚合反應。此脫氫聚合反應的進行方式可為1)熱(US 6,027,705A，未使用觸媒的情況)和/或2)藉由使用觸媒如a)元素態過渡金屬(非均相催化；US 6,027,705 A，使用鉑族金屬(即Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)的情況；US 5,700,400 A，用於第3B-7B和8族金屬(即過渡金屬/鑭族金屬，但Cu和Zn族除外)，b)非金屬氧化物(非均相催化；US 6,027,705 A，使用Al2O3或SiO2的情況)，c)鈧、釔或稀土金屬的氫環戊二烯基錯合 物(均相催化；US 4,965,386 A，US 5,252,766 A)，d)過渡金屬錯合物(均相催化；US 5,700,400 A，用於第3B-7B和8族金屬(即，過渡金屬/鑭族金屬，但Cu和Zn族除外))之錯合物；JP 02-184513 A)或e)固定在載體上之特別的過渡金屬(非均相催化；US 6,027,705 A，使用於載體(例如SiO2)上的鉑族金屬之情況，US 5,700,400 A，用於釕、銠、鈀或鉑固定在碳、SiO2或Al2O3上)或過渡金屬錯合物(非均相催化，US 6,027,705 A，使用載於載體(例如SiO2)上的鉑族金屬錯合物的情況)。但是，所有的這些方法皆有著所使用的低級氫矽烷本身之製法複雜的缺點。這些方法的另一缺點在於因為反應物的自燃性，所以它們須要的設備相當複雜。最後，目前無法以這些方法達到夠高的產率。此外，特別的標的產物之純化複雜。
製備氫矽烷的另一方法中，二鹵矽烷(任意地與三鹵矽烷和/或四鹵矽烷)藉電化學途徑轉化，此述於，例如，EP 0 673 960 A1。但是，此方法亦因為電化學反應之操作狀態須要極複雜的設備和額外的高能量密度而有缺點存在。最後，亦必須事先以複雜的方式製備特別的二-或三鹵矽烷。
或者，亦可藉鹵矽烷與鹼金屬之脫鹵反應和聚縮合反應而製備高級氫矽烷(GB 2 077 710 A)。但是，此方法亦無法達到夠高的產率。此外，此方法極具選擇性。
A.Kaczmarczyk等人，J.Inorg.Nucl.Chem.,1964,Vol.26,421-425和G.Urry,J.Inorg.Nucl.Chem.,1964,Vol.26, 409-414指出自低級氯矽烷催化形成高級氯矽烷，特別是形成五矽十二氯(新五矽烷Si(SiH3)4的氯同系物)。例如，A.Kaczmarczyk等人，J.Inorg.Nucl.Chem.,1964,Vol.26,421-425指出自六氯二矽烷合成五矽十二氯以形成四氯矽烷。另陳述適當起始量的八氯三矽烷得到五矽十二氯和六氯二矽烷。其中使用的觸媒係三甲胺。G.Urry,J.Inorg.Nucl.Chem.,1964,Vol.26,409-414指出自六氯二矽烷藉三甲胺催化合成五矽十二氯，或自八氯三矽烷形成六氯二矽烷。其中未描述產物轉化成氫矽烷之氫化反應。此外，這些方法未達到令人滿意的高級全氯矽烷產率。此外，使用八氯三矽烷之合成變體的缺點在於形成六氯二矽烷副產物，其不同於在以六氯二矽烷為基礎的方法變體中形成的四氯矽烷，前者於室溫和標準壓力不揮發，並因此而無法抽出而是必須以複雜方式蒸除。
WO 2008/051328 A1指出藉由令式X3SiSiX3的六鹵二矽烷與三級胺觸媒反應而形成包含肆(三鹵矽基)矽烷(Si(SiX3)4)和四鹵矽烷的第一混合物而得到含新五矽烷之組成物。兩種主要構份，肆(三鹵矽基)矽烷和四鹵矽烷，可彼此分離。所得肆(三鹵矽基)矽烷可藉由與二異丁基氫化鋁之氫化反應而轉化成新五矽烷(Si(SiH3)4)。但是，此方法亦因為反應式(4Si2Cl6→Si5Cl12+3SiCl4)而無法得到令人滿意的產率。
DE 10 2009 053 804描述一種以相對高產率製備氫矽烷(特別是新五矽烷)之方法。此方法中， a)令i)至少一種通式SinX2n+2(其中n3而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和ii)至少一種通式NRR’aR”bYc的觸媒，其中a=0或1，b=0或1，而c=0或1，而 其中aa)-R、R’和/或R”各者係-C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-胺烷基、-C1-C12-胺芳基、-C1-C12-胺芳烷基，特別佳者為-Ph，-PhCH3，-PhC2H5，-PhC3H7，-CH2(C6H4)CH3，-CH2(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C3H7，-C3H6(C6H4)-C3H7，-C6H2(CH3)3，-C6H3(CH3)2，-C8H7，-C8H6CH3，-PhNR'''R'''，-PhCH2NR'''R''''，-PhC2H4NR'''R''''，-PhC3H6NR'''R''''，-CH2(C6H4)CH2NR'''R''''，-CH2(C6H4)C2H4-NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C3H6NR'''R''''，-C3H6(C6H4)C3H6NR'''R''''，-CH2NR'''R''''，-C2H4NR'''R''''，-C3H6NR'''R''''，-C4H8NR'''R''''，-C5H10NR'''R''''，-C6H12NR'''R''''，-C7H14NR'''R''''，-C8H16NR'''R''''，-C9H18NR'''R''''，和/或 -C10H20NR'''R''''，(其中R'''和R''''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，和/或-c=0時，二或三個R、R’和R”基一起形成包括N的環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統，該環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統，特別佳者係吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、己亞胺、吖環庚三烯(azatropylidene)或喹啉環系統，-前提在於至少一個R、R’或R”基不是-CH3，和/或bb)-R和R’和/或R”(c=1時)各者為-C1-C12-伸烷基、-C1-C12-伸芳基、-C1-C12-伸芳烷基、-C1-C12-伸雜烷基、-C1-C12-伸雜芳基、-C1-C12-伸雜芳烷基和/或-N=，特別佳者為-CH2-，-C2H4-，-C3H6-，-C4H8-，-C5H10-，-C6H12-，-C7H14-，-C8H16-，-C9H18-，-C10H20-，-Ph-，-PhCH2-，-PhC2H4-，-PhC3H6-，-CH2(C6H4)CH2-，-CH2(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C3H6-，-C3H6(C6H4)C3H6-，-C6H(CH3)3-，-C6H2(CH3)2-，-CH=，-CH=CH-，-N=，-N=CH-和/或-CH=N-，或cc)-(a=b=c=0時)R=≡C-R'''(其中R'''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，轉化而形成包含至少一種通式SimX2m+2(其中m>n而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和SiX4(其中X=F、Cl、Br和/或I)之混合物， 和b)將該至少一種通式SimX2m+2的鹵矽烷氫化而形成通式SimH2m+2的氫矽烷。
此方法的缺點在於儘管指出通式SimH2m+2(其中m>3)的主要反應產物，亦形成通式SimH(2m+2-y)Xy(其中1<y<2m+1)之部分鹵化的氫矽烷混合物。這些部分鹵化的氫矽烷不利於進一步加工，特別是不利於製造含矽層(其較佳用於光電子應用)，此因殘留在層中的氯會削弱電性質之故。因此，本發明之目的係避免以所述缺點的方式，使DE 10 2009 053 804中描述的方法最適化。
目前藉下列方法達到此目的，其中a)令i)至少一種通式SinX2n+2(其中n3而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和ii)至少一種通式NRR’aR”bYc的觸媒，其中a=0或1，b=0或1，而c=0或1，而
其中aa)-R、R’和/或R”各者係-C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基 、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-胺烷基、-C1-C12-胺芳基、-C1-C12-胺芳烷基，特別佳者係-Ph，-PhCH3，-PhC2H5，-PhC3H7，-CH2(C6H4)CH3，-CH2(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C3H7，-C3H6(C6H4)-C3H7，-C6H2(CH3)3，-C6H3(CH3)2，-C8H7，-C8H6CH3，-PhNR'''R''''，-PhCH2NR'''R''''，-PhC2H4NR'''R''''，-PhC3H6NR'''R''''，-CH2(C6H4)CH2NR'''R''''，-CH2(C6H4)C2H4-NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C3H6NR'''R''''，-C3H6(C6H4)C3H6NR'''R''''，-CH2NR'''R''''，-C2H4NR'''R''''，-C3H6NR'''R''''，-C4H8NR'''R''''，-C5H10NR'''R''''，-C6H12NR'''R''''，-C7H14NR'''R''''，-C8H16NR'''R''''，-C9H18NR'''R''''和/或-C10H20NR'''R''''(其中R'''和R''''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，和/或-c=0時，二或三個R、R’和R”基一起形成包括N的環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統，此環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統較佳地為吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、己亞胺、吖環庚三烯(azatropylidene)或喹啉環系統，-前提在於至少一個R、R’或R”基不是-CH3，和/或bb)-R和R’和/或R”(c=1時)各者為-C1-C12-伸烷基、-C1-C12-伸芳基、-C1-C12-伸芳烷基、-C1-C12-伸雜烷基、-C1-C12-伸雜芳基、-C1-C12-伸雜芳烷基和/或-N=， 特別佳者係-CH2-，-C2H4-，-C3H6-，-C4H8-，-C5H10-，-C6H12-，-C7H14-，-C8H16-，-C9H18-，-C10H20-，-Ph-，-PhCH2-，-PhC2H4-，-PhC3H6-，-CH2(C6H4)CH2-，-CH2(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C3H6-，-C3H6(C6H4)C3H6-，-C6H(CH3)3-，-C6H2(CH3)2-，-CH=，-CH=CH-，-N=，-N=CH-和/或-CH=N-，或cc)-(a=b=c=0時)R=≡C-R'''(其中R'''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，轉化而形成包含至少一種通式SimX2m+2(其中m>n而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和SiX4(其中X=F、Cl、Br和/或I)之混合物，和b)將該至少一種通式SimX2m+2的鹵矽烷氫化而形成通式SimH2m+2的氫矽烷，c)使該通式SimH2m+2的氫矽烷與通式SimH(2m+2-y)Xy(其中1<y<2m+1)之部分鹵化的氫矽烷分離，d)任意地，將步驟c)中分離出來之通式SimH(2m+2-y)Xy(其中1<y<2m+1)之部分鹵化的氫矽烷再度氫化。
根據本發明之方法中使用的鹵矽烷係基本上僅由矽原子和鹵原子(鹵=氟、氯、溴、碘)所組成的化合物且其具有至少三個矽原子。具有至少三或四個矽原子之通式 SinX2n+2的鹵矽烷可具有直鏈或支鏈結構。
特別有效地用於根據本發明之方法者係直鏈鹵矽烷。
較佳地，至少一種通式SinX2n+2的鹵矽烷係選自八鹵三矽烷或十鹵四矽烷之化合物，即，通式Si3X8、Si4X10的化合物，其中各個X=F、Cl、Br和/或I，或所述矽烷之混合物。
極特別佳者係八鹵三矽烷。這些化合物中，特別佳者又係八氟三矽烷、八氯三矽烷、八溴三矽烷和八碘三矽烷，即，通式Si3X8的化合物，其中X=F、Cl、Br或I。根據本發明之方法中，使用八氯三矽烷的優點在於相較於藉其他以前技術的方法，此方法可以明顯較高產率和明顯較高純度製得新五矽烷作為主要方法產物(除了SiX4以外)。極特別佳地，根據本發明之方法，使用八氯三矽烷和十氯四矽烷之混合物，以混合物計，八氯三矽烷的比例通常至少20重量%，較佳至少80重量%。
以反應混合物總量計，方法中使用的反應混合物中之至少一種鹵矽烷的比例較佳至少60%，較佳至少80重量%。最佳地，反應混合物僅包含至少一種觸媒和鹵矽烷。
根據本發明之方法可用的觸媒係通式NRR’aR”bYc的觸媒，其中a=0或1，b=0或1，而c=0或1，而 其中R、R’和R”各者可獨立地為不同的單-或二價基團，其為氮原子N的取代基，或可形成具有氮原子之(任意地摻雜Y基團)之(任意地雙-或三-)環結構。
c=0且a和b=1的情況中，觸媒通式描述較佳觸媒基團，其可為三級(任意地環狀、雙環狀或三環狀)胺或含氮雜芳族物。
a=b=1且c=0的情況中，此情況中的觸媒更佳地為三級胺，即，通式NRR’R”的觸媒，其中R、R’和R”各者為-Ph，-PhCH3，-PhC2H5，-PhC3H7，-CH2(C6H4)CH3，-CH2(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C3H7，-C3H6(C6H4)-C3H7，-C6H2(CH3)3，-C6H3(CH3)2，-C8H7，-C8H6CH3，-PhNR'''R''''，-PhCH2NR'''R''''，-PhC2H4NR'''R''''，-PhC3H6NR'''R''''，-CH2(C6H4)CH2NR'''R''''，-CH2(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C3H6NR'''R''''，-C3H6(C6H4)C3H6NR'''R''''，-CH2NR'''R''''，-C2H4NR'''R''''，-C3H6NR'''R''''， -C4H8NR'''R''''，-C5H10NR'''R''''，-C6H12NR'''R''''，-C7H14NR'''R''''，-C8H16NR'''R''''，-C9H18NR'''R''''和/或-C10H20NR'''R''''(其中R'''和R''''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，前提為至少一個R、R’或R”不是-CH3。
在c=0和a=1和b=0或1的情況中，二或三個R、R’和R”基團較佳地一起形成包括N的環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統。所得觸媒較佳地為環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族環系統，較佳地為吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、己亞胺、吖環庚三烯或喹啉。
較佳地(在a=b=c=0的情況中)，R亦可為≡C-R'''(其中R'''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)。對應的觸媒係烷基腈。
c=1的情況中，通式NRR’aR”bYc描述具有至少一個其他雜原子且具有環狀或雙-(任意地多-)環結構之不同的觸媒。
較佳的單環結構，例如三唑、或哌，構成的情況中 而二或三個對應的R、R’和R”基團選自-C1-C12-伸烷基、-C1-C12-伸芳基、-C1-C12-伸芳烷基、-C1-C12-伸雜烷基、-C1-C12-伸雜芳基、-C1-C12-伸雜芳烷基和/或-N=(較佳為-CH2-，-C2H4-，-C3H6-，-C4H8-，-C5H10-，-C6H12-，-C7H14-，-C8H16-，-C9H18-，-C10H20-，-Ph-，-PhCH2-，-PhC2H4-，-PhC3H6-，-CH2(C6H4)CH2-，-CH2(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C3H6-，-C3H6(C6H4)C3H6-，-C6H(CH3)3-，-C6H2(CH3)2-，-CH=，-CH=CH-，-N=，-N=CH-和/或-CH=N-。未含括於環形成中的任何R、R’或R”基團則選自-C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-胺烷基、-C1-C12-胺芳基、-C1-C12-胺芳烷基，較佳為-Ph，-PhCH3，-PhC2H5，-PhC3H7，-CH2(C6H4)CH3，-CH2(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C2H5，-C2H4(C6H4)C3H7，-C3H6(C6H4)-C3H7，-C6H2(CH3)3，-C6H3(CH3)2，-C8H7，-C8H6CH3，-PhNR'''R''''，-PhCH2NR'''R''''，-PhC2H4NR'''R''''，-PhC3H6NR'''R''''，-CH2(C6H4)CH2NR'''R''''，-CH2(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C2H4NR'''R''''，-C2H4(C6H4)C3H6NR'''R''''，-C3H6(C6H4)C3H6NR'''R''''，-CH2NR'''R''''，-C2H4NR'''R''''，-C3H6NR'''R''''，-C4H8NR'''R''''，-C5H10NR'''R''''，-C6H12NR'''R''''，-C7H14NR'''R''''，-C8H16NR'''R''''，-C9H18NR'''R''''和/或-C10H20NR'''R''''(其中R’”和R''''=-C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)。
c=1之通式NRR’aR”bYc的觸媒最佳為雙-或多環胺化合物。雙-或多環胺化合物構成下列情況
而R、R’和R”基團的對應選擇選自-C1-C12-伸烷基、-C1-C12-伸芳基、-C1-C12-伸芳烷基、-C1-C12-伸雜烷基、-C1-C12-伸雜芳基、-C1-C12-伸雜芳烷基和/或-N=。此R、R’和R”基團進一步較佳地選自-CH2-，-C2H4-，-C3H6-，-C4H8-，-C5H10-，-C6H12-，-C7H14-，-C8H16-，-C9H18-，-C10H20-，-Ph-，-PhCH2-，-PhC2H4-，-PhC3H6-，-CH2(C6H4)CH2-，-CH2(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C2H4-，-C2H4(C6H4)C3H6-，-C3H6(C6H4)C3H6-，-C6H(CH3)3-，-C6H2(CH3)2-，-CH=，-CH=CH-，-N=，-N=CH-和/或-CH=N-。極特別佳的觸媒係氮雜雙環烷和哌，特別是二氮雜雙環辛烷和N,N-1,4-二甲基哌。
根據本發明之方法中使用的觸媒選自由有或無其他雜原子的環狀、雙環狀和多環胺所組成的化合物時，可達到最佳結果。
更佳地，所用觸媒可為二氮雜雙環辛烷、吡啶或N,N-1,4-二甲基哌。這些觸媒特別適合用來催化八鹵三矽烷、十鹵四矽烷或彼等之混合物轉化成對應的肆(三鹵矽基) 矽烷(Si(SiX3)4)。
本發明因此亦提出製備新五矽烷之方法，其中a)令i)至少一種通式Si3X8(其中X=F、Cl、Br和/或I)的八鹵三矽烷和/或通式Si4X10(其中X=F、Cl、Br和/或I)的十鹵四矽烷、或彼等之混合物以ii)至少一種選自二氮雜雙環辛烷、吡啶和N,N-1,4-二甲基哌的觸媒轉化而形成包含至少一種通式Si5X12(其中X=F、Cl、Br和/或I)和SiX4(其中X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷，b)將該至少一種通式Si5X12的鹵矽烷氫化而形成通式Si5H12的新五矽烷，c)使該通式Si5H12的新五矽烷與通式Si5H12-yXy(其中1<y<11)之部分鹵化的氫矽烷分離，d)任意地，將步驟c)中分離出來之通式Si5H12-yXy(其中1<y<11)之部分鹵化的氫矽烷再度氫化。
根據本發明之製備氫矽烷(特別是新五矽烷)之方法，以所用的氯矽烷量計，至少一種觸媒的比例較佳在0.001至1重量%的範圍內。
該觸媒可以純物質形式或在溶劑(例如二乙醚)中之淤漿形式(以淤漿總重計，觸媒比例為1-25重量%)使用。
此反應可以在有或無溶劑存在下進行。根據本發明之方法較佳在無溶劑下進行。但當其在溶劑存在下進行時，所用較佳溶劑可為選自具1至18個碳原子(任意地經部分或完全鹵化)之直鏈、支鏈和環狀的飽和、不飽和和芳族烴 、醚、酮和酯之溶劑。特別佳者係正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、三甲苯、四氫萘、十氫萘、二乙醚、二丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、四氫呋喃、丙酮、對-二烷、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲亞碸、二氯甲烷和氯仿。可用之特別有效的溶劑係烴正戊烷、正己烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、三甲苯。此溶劑可構成總量的0.01至90重量%。
通式SinX2n+2的鹵矽烷之觸媒承載的轉化較佳於溫度為-78至300℃而壓力為1毫巴至5巴的條件下氫化。特別佳地，鹵矽烷之觸媒承載的轉化於-10-50℃和900至1100毫巴進行。
形成包含至少一種通式SimX2m+2(其中m>n而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和SiX4之混合物之後，此混合物可以主要未經進一步純化地用於後續氫化反應。
但是，較佳地，在氫化反應之前，自形成之通式SimX2m+2的鹵矽烷移除形成的四鹵矽烷。更佳地，此藉由於溫度為-30至+100℃和壓力為0.01至1100毫巴(較佳於威度為+30至+60℃和壓力為0.02至1.0毫巴)之蒸餾移除或抽出SiX4的方式進行。
至少一種通式SimX2m+2的鹵矽烷在步驟b)和d)中氫化 而形成通式SimH2m+2的氫矽烷。此較佳使用至少一種選自第1至3主族金屬(特別係鹼金屬或鹼土金屬)之金屬氫化物或含氫化合物LiAlH4、NaBH4、iBu2AlH之氫化劑的方式進行。此氫化劑更佳地為iBu2AlH。
亦瞭解可藉根據本發明之方法製備的氫矽烷是指基本上僅含矽和氫原子之化合物。這些氫矽烷可為氣體、液體或固體且係-在固體的情況中-基本上可溶於溶劑(如甲苯或環己烷)或溶於液態矽烷(如環五矽烷)中。例子包括二矽烷、三矽烷、環五矽烷和新五矽烷。這些氫矽烷亦具有具Si-H鍵的直鏈或支鏈結構。根據本發明之方法特別適合用以製備支鏈氫矽烷。更特別地，特別適合提供製備新五矽烷之適當反應物之選擇。
步驟b)中，以待氫化的鹵矽烷之鹵原子計，用以達到特別良好結果之氫化劑的H-當量比為1.0-1.5，較佳為1.05-1.2。步驟d)中，相對小比例的氫化劑可用以達到完全氫化。步驟d)中，以步驟b)中之原始待氫化的鹵矽烷之鹵原子計，使用的H-當量比例較佳為0.05-0.5，更佳為0.1-0.3。
該氫化反應亦可在有或無溶劑存在下進行。較佳地，有溶劑地進行氫化反應。所用之較佳溶劑可選自具1至18個碳原子的直鏈、支鏈和環狀、飽和、不飽和及芳族烴及醚。特別佳者係正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、二環戊烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、三甲苯、四氫萘、十氫萘 、二乙醚、二丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、四氫呋喃、對-二烷、乙腈。特別有利之可用溶劑係烴正戊烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、三甲苯。特別佳的變體中，若所用的氫化劑係i-Bu2AlH，則氫化反應中形成的液態i-Bu2AlCl可作為溶劑。溶劑可構成總質量的0.01至90重量%。
通式SimX2m+2的鹵矽烷較佳於溫度為-78至300℃而壓力為500毫巴至5巴的條件下氫化。特別佳地，氫化反應於-10至30℃和900至1100毫巴進行。
步驟b)終了之後所須的分離，即氫矽烷和之後存在於(步驟(c))中之部分鹵化的氫矽烷之分離，基本上可以任何所欲方式進行。較佳地，由於混合物上的熱載量較低並因此減少分解作用、進一步反應或接續反應，此分離在蒸發器中以短停留時間和低蒸發壓力進行。用於此目的，可使用薄膜蒸發器或短路徑蒸發器，亦稱為分子蒸餾。這些情況中，典型的程序壓力係<5毫巴。蒸發器中的產物溫度必須不>100℃，以防止產物分解。此方法所得的餾出物後續於精餾操作中純化。液相產物可以用於反應的溶劑形式循環。排除此操作中製備的低沸點物(其可在冷阱中被捕集，取決於氯離子含量，可能作為產物使用)。蒸發操作中得到的餾出物之進一步純化在精餾塔中進行。此處，可以連續 或批次程序進行。精餾於溫度範圍介於50和100℃之間在液相或精餾設備的蒸發器中進行。但亦可將溫度提高至高至150℃。在這些條件下的精餾壓力在1-100毫巴範圍內。批次精餾的情況中，分批取出產物。在連續操作的情況中，須要至少兩個塔，產物以餾出物形式自第二塔取得。此情況中，完全反應的氫化劑(其為主要產物)留在液相中，在餾出液中得到濃縮形式之部分氫化的氫矽烷。
步驟d)終了之後，在已進行第二氫化反應之後，反應混合物經純化，較佳藉蒸餾純化。
欲得到特別純的產物，蒸餾純化之後可為精細純化處理。精細純化處理可以，例如，藉適當吸附或層析法進行。
本發明亦提供藉該方法可製備的氫矽烷。
本發明另提供藉根據本發明之方法可製備之氫矽烷於製造電子或光電子組件層，特別是用於光伏應用或電晶體，之用途。
本發明亦提供藉根據本發明之方法可製備之氫矽烷於製造含矽層(較佳為元素矽層)之用途。
下列實例用以進一步說明本發明之標的，其本身無限制效果。
實例 實例1：自鹵矽烷合成高級氫矽烷及氫矽烷之凝結(氫化劑的H-當量比例：1.2)
第一個步驟中，於20℃和1巴在惰性氣體環境下，304克液態全氯矽烷混合物(>75重量%Si3Cl8，>22重量%Si4Cl10)在反應槽中於攪拌時與46.7克己烷和0.9克二氮雜雙環[2.2.2]-辛烷在7.1克二乙醚中之溶液摻合。反應器內容物藉冰冷卻至溫度低於20℃而調整條件。此混合物反應40小時得到固態Si5Cl12和副產物SiCl4。此反應步驟之後，低沸點物(己烷、二乙醚)和副產物SiCl4在減低壓力(200至1毫巴)、50℃下自反應混合物分離出來。此得到243.2克Si5Cl12。所得的42.7克Si5Cl12在惰性氣體環境中分散於20.0克二異丁基氯化鋁中。之後，於攪拌時，149克氫化劑二異丁基氫化鋁連續添加。由於反應的放熱本質，在氫化反應期間內，反應器藉冰冷卻而調整條件，使得反應器中的溫度不超過20℃。此反應混合物再以冰冷卻攪拌18小時。之後，於20℃，在大氣壓(1.013巴)和惰性氣體環境下，自反應混合物移除揮發性構份(例如SiH4)。下一步驟中，於20℃，在減低壓力(壓力<1毫巴)下，藉蒸發而自分散液介質二異丁基氯化鋁和自未反應的二異丁基氫化鋁分離氫矽烷。此凝結液含氫矽烷。
藉GC-MS分析測定凝結物中的氫矽烷之性質。此凝結物含有的氫矽烷比例>98.0面積%。
以重量為基礎的產率(凝結物形式的氫矽烷(克)/所用的全氯矽烷混合物(克))：20.8%(11.1克氫矽烷/53.4克全氯矽烷混合物)。
所得凝結物形式之氫矽烷的氯離子含量：470ppm氯 離子。
實例2：自鹵矽烷合成高級氫矽烷及彼之熱純化(氫化劑的H-當量比例：1.1)
第一個步驟中，於20℃和1巴在惰性氣體環境下，1567克液態全氯矽烷混合物(>75重量%Si3Cl8，>22重量%Si4Cl10)在反應槽中於攪拌時與225.7克己烷和1.85克二氮雜雙環[2.2.2]-辛烷在14.2克二乙醚中之溶液摻合。反應器內容物藉冰冷卻至溫度低於20℃而調整條件。此混合物反應40小時得到固態Si5Cl12和副產物SiCl4。此反應步驟之後，混合物(主要含Si5Cl12)與1015克作為分散介質的二異丁基氯化鋁摻合。之後，低沸點物(己烷、二乙醚)和副產物SiCl4在減低壓力(200至1毫巴)、50℃下分離。於攪拌時，在惰性環境中，Si5Cl12在二異丁基氯化鋁中之分散液連續與4137克氫化劑二異丁基氫化鋁摻合。由於反應的放熱本質，在氫化反應期間內，反應器藉冰冷卻而調整條件，使得反應器中的溫度不超過20℃。此反應混合物再以冰冷卻攪拌18小時。之後，於20℃，在大氣壓(1.013巴)和惰性氣體環境下，自反應混合物移除揮發性構份(例如SiH4)。在短路徑蒸發器中，在減低壓力(壓力<1毫巴)、72℃下，二異丁基氯化鋁和未反應的二異丁基氫化鋁以液相產物形式分離。使用批次精餾處理，於壓力介於10和100毫巴之間，蒸發器中的溫度為95℃時，短路徑蒸發器的頂部產物(餾出物)在精餾步驟中進一步純化。自批次精餾器取得氫 矽烷，其為餾出物。
藉GC-MS分析測定凝結物中的氫矽烷之性質。此凝結物含有的氫矽烷比例>99.0面積%。
以重量為基礎的產率(凝結物形式的氫矽烷(克)/所用的全氯矽烷混合物(克))：14.6%(228克氫矽烷/1567克全氯矽烷混合物)。
所得凝結物形式之氫矽烷的氯離子含量：41ppm氯離子。
實例3：高級氫矽烷用以減低氯離子含量之後氫化反應，及彼之熱純化
合併氯離子含量相對高之實例2的餾出餾份，並確定此混合物的氯離子含量。此氫矽烷混合物作為此處所述實驗中之反應物。185克氯離子含量為457ppm的氫矽烷混合物(氫矽烷>99面積%)於攪拌時，在惰性氣體環境下，連續與84克二異丁基氫化鋁摻合。由於反應的放熱本質，氫化反應期間內，反應器藉冰冷卻調整條件，使得反應器中的溫度不超過20℃。此反應混合物再以冰冷卻攪拌18小時。氫化反應之後，於20℃，在大氣壓(1.013巴)下，自反應混合物移除揮發性構份(例如SiH4)。反應產物進一步在精餾步驟中進行批次精餾處理，處理時，蒸發器中的壓力介於10和100毫巴之間，蒸發器中的溫度為95℃。餾出液含有所欲的氫矽烷。
以重量為基礎的產率(凝結物形式的氫矽烷(克)/所用 的全氯矽烷混合物(克))：87.3%(161.5克氫矽烷/185克全氯矽烷混合物)。
所得凝結物形式之氫矽烷的氯離子含量：16ppm氯離子。
藉GC-MS分析測定凝結物中的氫矽烷之性質。此凝結物含有的氫矽烷比例>99.0面積%。

Claims (12)

  1. 一種自鹵矽烷製備氫矽烷之方法，其特徵在於a)令i)至少一種通式SinX2n+2(其中n3而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和ii至少一種通式NRR’aR”bYc的觸媒，其中a=0或1，b=0或1，而c=0或1，而 其中aa)-R、R’和/或R”各者係-C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-胺烷基、-C1-C12-胺芳基、-C1-C12-胺芳烷基，和/或-c=0時，二或三個R、R’和R”基一起形成包括N的環狀或二環狀、雜脂族或雜芳族系統，-前提在於至少一個R、R’或R”基不是-CH3，和/或bb)-R和R’和/或R”(c=1時)各者為-C1-C12-伸烷基、-C1-C12-伸芳基、-C1-C12-伸芳烷基、-C1-C12-伸雜烷基、-C1-C12-伸雜芳基、-C1-C12-伸雜芳烷基和/或-N=，或cc)-(a=b=c=0時)R=≡C-R'''(其中R''''=-C1-C10-烷基、-C1- C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，轉化而形成包含至少一種通式SimX2m+2(其中m>n而X=F、Cl、Br和/或I)的鹵矽烷和SiX4(其中X=F、Cl、Br和/或I)之混合物，和b)將該至少一種通式SimX2m+2的鹵矽烷氫化而形成通式SimH2m+2的氫矽烷，c)使該通式SimH2m+2的氫矽烷與通式SimH(2m+2-y)Xy(其中1<y<2m+1)之部分鹵化的氫矽烷分離，d)任意地，將步驟c)中分離出來之通式SimH(2m+2-y)Xy(其中1<y<2m+1)之部分鹵化的氫矽烷再度氫化。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該通式SinX2n+2的鹵矽烷係直鏈矽烷。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一種鹵矽烷係選自通式為Si3X8和/或Si4X10的化合物，其中X=F、Cl、Br和/或I。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該觸媒選自具有或不具有氧原子的環狀、二環和多環胺。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該觸媒係二氮雜雙環辛烷、吡啶或N,N-1,4-二甲基哌。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之方法，其中在該氫化反應之前藉蒸餾式移除或於溫度為-30至+100℃和壓力為0.01至1100毫巴下抽出SiX4的方式而自SiX4移除該至少一種通式SimX2m+2的鹵矽烷。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之方法，其中該氫化反應係藉由添加至少一種選自第1至3主族金屬之金屬氫化物或含氫化合物LiAlH4、NaBH4、iBu2AlH之氫化劑的方式進行。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之方法，其中在步驟b)和d)中的氫化反應是在溶劑存在下進行。
  9. 一種氫矽烷，其可藉申請專利範圍第1至8項中任一項之方法製得。
  10. 一種可藉申請專利範圍第1至8項中任一項之方法製得的至少一種氫矽烷於製造電子或光電子組件層之用途。
  11. 一種可藉申請專利範圍第1至8項中任一項之方法製得的至少一種氫矽烷於製造含矽層之用途。
  12. 如申請專利範圍第11項之用途，其中該含矽層為元素矽層。
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