CN103261096A - 用于制备氢化硅烷的方法 - Google Patents

用于制备氢化硅烷的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103261096A
CN103261096A CN2011800620691A CN201180062069A CN103261096A CN 103261096 A CN103261096 A CN 103261096A CN 2011800620691 A CN2011800620691 A CN 2011800620691A CN 201180062069 A CN201180062069 A CN 201180062069A CN 103261096 A CN103261096 A CN 103261096A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hydrosilanes
general formula
halosilanes
hydrogenation
aralkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800620691A
Other languages
English (en)
Inventor
N.布劳施
J.豪布罗克
U.克尼彭贝格
T.施瓦茨克
J.策尔纳
S.韦贝尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Degussa GmbH filed Critical Evonik Degussa GmbH
Publication of CN103261096A publication Critical patent/CN103261096A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04—Hydrides of silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10705—Tetrafluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10768—Tetrabromide; Tetraiodide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及由卤硅烷制备氢化硅烷的方法，其中i) 使至少一种通式为SinX2n+2(其中n≥3和X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和ii）至少一种催化剂反应，形成包含至少一种通式为SimX2m+2(其中m>n且X=F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和SiX4(其中X=F、Cl、Br和/或I)的混合物，b）将所述至少一种通式为SimX2m+2的卤硅烷氢化，形成通式为SimH2m+2的氢化硅烷，将通式为SimH2m+2的氢化硅烷与通式为SimH(2m+2-y)Xy(其中1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷分离，并将分离的通式为SimH(2m+2-y)Xy(其中1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷重新氢化。

Description

用于制备氢化硅烷的方法
本发明涉及由卤硅烷制备氢化硅烷的方法。
在文献中将氢化硅烷及其混合物描述为用于制备硅层的可能的原料。在此应将氢化硅烷化合物理解为基本上仅含硅原子和氢原子的化合物。氢化硅烷可以是气体、液体或固体并且-在固体的情况中-基本上可溶于如甲苯或环己烷的溶剂中或者可溶于如环戊硅烷的液体硅烷中。作为实例可提及甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、环戊硅烷和壬硅烷。具有至少三或四个硅原子的氢化硅烷可具有直链、支链或（任选双-/多-）环状的带有Si-H键的结构，并可分别用下述通式来描述：SinH2n+2 (直链或支链的；其中n ≥ 2)，SinH2n (环状的；其中 n ≥ 3) 或SinH2(n-i) (双-/多环的； n ≥ 4；i = {环数} – 1)。
许多用于制备氢化硅烷的方法基于低级氢化硅烷，尤其是SiH4的脱氢聚合反应，形式上消除H2 生成更高级的硅烷。在这种情况中，所述脱氢聚合反应可通过下述方法来进行：1)加热 (US 6,027,705 A用于没有使用催化剂的情况中)和/或2)通过使用催化剂如a) 元素过渡金属 (多相催化; US 6,027,705 A用于使用铂族金属的情况中，即Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt；US 5,700,400 A用于3B – 7B和8族的金属—即无Cu-和Zn-族的过渡金属/镧系元素), b) 非金属氧化物(多相催化; US 6,027,705 A用于使用Al2O3或SiO2的情况中), c)钪、钇或稀土的氢化环戊二烯配合物(均相催化; US 4,965,386 A, US 5,252,766 A), d) 过渡金属配合物 (均相催化; US 5,700,400 A 用于3B – 7B和8的金属的配合物 – 即无Cu-和Zn-族的过渡金属/镧系元素的金属的配合物; JP 02-184513 A) 或e) 某些固定在载体上的过渡金属 (多相催化; US 6,027,705 A 用于使用在载体例如SiO2上的铂族金属的情况中，US 5,700,400 A用于固定在碳、SiO2或Al2O3上的钌、铑、钯或铂)或过渡金属配合物 (多相催化, US 6,027,705 A用于使用在载体例如SiO2上的铂族金属配合物的情况中)。但是，所有这些方法均具有这样的缺点，即所使用的低级氢化硅烷本身就必须以复杂的方式来制备。此外对这些方法不利的是，由于原料的自燃性，它们需要高水平的复杂的设备/设备费用。最后，用这些方法，迄今尚未能实现足够高的收率。此外，需要进行复杂的提纯。
例如EP 0 673 960 A1描述了另一制备氢化硅烷的方法，其中使二卤硅烷，任选与三卤硅烷和/或四卤硅烷一起以电化学路径转化。但是，这些方法也具有缺点，即由于进行电化学反应，因此需要高水平的复杂的设备/设备费用和此外高能量密度。最后，这里也必须事先以复杂的方式来制备各自的二-或三卤硅烷。
或者，也可以通过用碱金属通过使卤硅烷脱卤化并缩聚来制备更高级的氢化硅烷(GB 2 077 710 A)。但是该方法也导致不足够高的收率。此外，该方法仅有小的选择性。
A. Kaczmarczyk等人, J. Inorg. Nucl. Chem., 1964, 卷26, 421-425和G. Urry, J. Inorg. Nucl. Chem., 1964, 卷26, 409-414教导由低级氯硅烷催化构建更高级的氯硅烷，尤其是构建十二氯化五硅 (新戊硅烷Si(SiH3)4的氯代类似物)。例如，A. Kaczmarczyk等人, J. Inorg. Nucl. Chem., 1964, 26卷, 421-425教导由六氯二硅烷生成四氯硅烷来合成十二氯化五硅。此外那里描述了，在相应使用八氯三硅烷时生成十二氯化五硅和六氯二硅烷。在那里使用的催化剂是三甲胺。G. Urry, J. Inorg. Nucl. Chem., 1964, 卷26, 409-414教导由六氯二硅烷生成四氯硅烷或由八氯三硅烷生成六氯二硅烷的三甲胺催化的十二氯化五硅的合成。那里没有描述将产物氢化生成氢化硅烷。此外，根据该方法没有实现满意的更高级的全氯硅烷的收率。此外，与基于六氯二硅烷的工艺方案生成的四氯硅烷相反，在该使用八氯三硅烷的合成方案中不利的是，所生成的副产物六氯二硅烷在室温和常压下不是易挥发的，并因此不能抽出，而必须以复杂的方式蒸馏除去。
WO 2008/051328 A1教导，为制备含新戊硅烷的组合物，使式X3SiSiX3的六卤二硅烷与叔胺催化剂反应，形成含四(三卤甲硅烷基)硅烷 (Si(SiX3)4) 和四卤硅烷的混合物。这两种主要成分四(三卤甲硅烷基)硅烷和四卤硅烷可彼此分离。所得到的四(三卤甲硅烷基)硅烷可通过用二异丁基氢化铝氢化转化成新戊硅烷 (Si(SiH3)4)。但是，由于反应方程式 (4 Si2Cl6 → Si5Cl12 + 3 SiCl4)，该方法也尚未导致令人满意的收率。
DE 10 2009 053 804描述了以较高收率制备氢化硅烷，特别是新戊硅烷的方法。在该方法中，
a) i) 使至少一种通式 SinX2n+2 (其中 n ≥ 3 且 X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和
    ii) 至少一种催化剂反应，形成包含至少一种通式为SimX2m+2 (其中 m > n且X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和SiX4 (其中 X = F、Cl、Br和/或I)的混合物，
所述催化剂具有通式NRR’aR’’bYc
其中 a = 0或1，b = 0或1，且c = 0或1，且
Y =                                                
Figure 881695DEST_PATH_IMAGE001
, 
Figure 591025DEST_PATH_IMAGE002
, 
Figure 541664DEST_PATH_IMAGE003
或
Figure 424169DEST_PATH_IMAGE004
,
其中
aa) - R、R’和/或R’’为 -C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-氨基烷基、-C1-C12-氨基芳基、-C1-C12-氨基芳烷基，
特别优选-Ph、-PhCH3、-PhC2H5、-PhC3H7、-CH2(C6H4)CH3、-CH2(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C3H7、-C3H6-(C6H4)-C3H7、-C6H2(CH3)3、-C6H3(CH3)2、-C8H7、-C8H6CH3、-PhNR’’’R’’’’、-PhCH2NR’’’R’’’’、-PhC2H4NR’’’R’’’’、-PhC3H6-NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-CH2NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-C2H4-NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C2H4NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C3H6NR’’’R’’’’、-C3H6-(C6H4)-C3H6NR’’’R’’’’、-CH2NR’’’R’’’’、-C2H4NR’’’R’’’’、-C3H6NR’’’R’’’’、-C4H8NR’’’R’’’’、-C5H10NR’’’R’’’’、-C6H12NR’’’R’’’’、-C7H14NR’’’R’’’’、-C8H16NR’’’R’’’’、-C9H18NR’’’R’’’’和/或-C10H20NR’’’R’’’’ (其中R’’’和R’’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基),
和/或
- 在 c = 0 的情况中，两个或三个残基R、R’和R’’共同形成包含N的环状或双环的、杂脂族或杂芳族体系，
特别地，在此优选所述环状或双环的、杂脂族或杂芳族体系是吡咯烷-、吡咯-、哌啶-、吡啶-、六亚甲基亚胺-、氮杂
Figure 981182DEST_PATH_IMAGE005
-或喹啉-环体系,
- 条件是，至少一个残基R, R’或R’’ 不是 -CH3
和/或
bb) - R和R’和/或R’’ (在c = 1的情况中) 是 -C1-C12-亚烷基、-C1-C12-亚芳基、-C1-C12-亚芳烷基、-C1-C12-杂亚烷基、-C1-C12-杂亚芳基、-C1-C12-杂亚芳烷基和/或–N=，
特别优选 -CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C5H10-、-C6H12-、-C7H14-、-C8H16-、-C9H18-、-C10H20-、-Ph-、-PhCH2-、-PhC2H4-、-PhC3H6-、-CH2(C6H4)CH2-、-CH2(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C3H6-、-C3H6(C6H4)-C3H6-、-C6H(CH3)3-、-C6H2(CH3)2-、-CH=、-CH=CH-、-N=、-N=CH-和/或-CH=N-，
或
cc) - (在a = b = c = 0的情况中) R = ≡C-R’’’ (其中 R’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，
和
b) 将所述至少一种通式为 SimX2m+2 的卤硅烷氢化，形成通式为 SimH2m+2的氢化硅烷。
该方法的缺点是，尽管指出了通式为SimH2m+2 (其中 m > 3)的主要反应产物，但是生成该通式的氢化硅烷与通式为SimH(2m+2-y)Xy (其中 1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷的混合物。该部分氢化的氢化硅烷对于进一步加工来说，尤其是对于制备优选用于光电子学的含硅层来说是不利的，因为该层中的残余氯组分导致电性能降低。
因此，本发明的目的在于，如此优化在DE 10 2009 053 804中描述的方法，以避免上述缺点。
该目的现已通过下述方法得以达成，其中
a) i) 使至少一种通式为 SinX2n+2 (其中 n ≥ 3且X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和
    ii) 至少一种催化剂反应，形成包含至少一种通式为SimX2m+2 (其中 m > n且X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和SiX4 (其中 X = F、Cl、Br和/或I)的混合物，
所述催化剂具有通式NRR’aR’’bYc
其中 a = 0或1，b = 0或1，和c = 0或1，且
Y = 
Figure 923730DEST_PATH_IMAGE001
, 
Figure 299348DEST_PATH_IMAGE002
, 
Figure 719965DEST_PATH_IMAGE003
或
Figure 192534DEST_PATH_IMAGE006
，
其中
aa) - R, R’和/或R’’ 为 -C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-氨基烷基、-C1-C12-氨基芳基、-C1-C12--氨基芳烷基，
特别优选-Ph、-PhCH3、-PhC2H5、-PhC3H7、-CH2(C6H4)CH3、-CH2(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C3H7、-C3H6-(C6H4)-C3H7、-C6H2(CH3)3、-C6H3(CH3)2、-C8H7、-C8H6CH3、-PhNR’’’R’’’’、-PhCH2NR’’’R’’’’、-PhC2H4NR’’’R’’’’、-PhC3H6-NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-CH2NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-C2H4-NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C2H4NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C3H6NR’’’R’’’’、-C3H6-(C6H4)-C3H6NR’’’R’’’’、-CH2NR’’’R’’’’、-C2H4NR’’’R’’’’、-C3H6NR’’’R’’’’、-C4H8NR’’’R’’’’、-C5H10NR’’’R’’’’、-C6H12NR’’’R’’’’、-C7H14NR’’’R’’’’、-C8H16NR’’’R’’’’、-C9H18NR’’’R’’’’和/或-C10H20NR’’’R’’’’ (其中 R’’’和R’’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，
和/或
-在 c = 0 的情况中，两个或三个残基R、R’和R’’共同形成包含N的环状或双环的、杂脂族或杂芳族体系，
特别地，在此优选所述环状或双环的、杂脂族或杂芳族体系是吡咯烷-、吡咯-、哌啶-、吡啶-、六亚甲基亚胺-、氮杂
Figure 492935DEST_PATH_IMAGE005
-或喹啉-环体系,
- 条件是，至少一个残基R、R’或R’’ 不是 -CH3
和/或
bb) - R和R’和/或R’’ (在c = 1的情况中) 是 -C1-C12-亚烷基、-C1-C12-亚芳基、-C1-C12-亚芳烷基、-C1-C12-杂亚烷基、-C1-C12-杂亚芳基、-C1-C12-杂亚芳烷基和/或–N=，
特别优选 -CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C5H10-、-C6H12-、-C7H14-、-C8H16-、-C9H18-、-C10H20-、-Ph-、-PhCH2-、-PhC2H4-、-PhC3H6-、-CH2(C6H4)CH2-、-CH2(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C3H6-、-C3H6(C6H4)-C3H6-、-C6H(CH3)3-、-C6H2(CH3)2-、-CH=、-CH=CH-、-N=、-N=CH-和/或-CH=N-，
或
cc) - (在a = b = c = 0的情况中) R = ≡C-R’’’ (其中 R’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，
b) 将所述至少一种通式为 SimX2m+2 的卤硅烷氢化，形成通式为 SimH2m+2的氢化硅烷，
c) 将通式为 SimH2m+2的氢化硅烷与通式为 SimH(2m+2-y)Xy (其中 1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷分离，和
d) 任选地，将步骤c）中分离的通式为 SimH(2m+2-y)Xy (其中 1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷重新氢化。
在根据本发明的方法中使用的卤硅烷是基本上仅由硅原子和卤素原子 (卤素 = 氟, 氯, 溴, 碘)构成并具有至少3个硅原子的化合物。具有至少3个或4个硅原子的通式为 SinX2n+2 的卤硅烷可具有直链或支链结构。
直链卤硅烷可特别有效地用于根据本发明的方法。
所述至少一种通式为 SinX2n+2 的卤硅烷优选是选自下述的化合物：八卤三硅烷或十卤四硅烷，即通式为 Si3X8或Si4X10 的化合物，其中 X = F、Cl、Br和/或I，或所提及的硅烷的混合物。
非常特别优选的是八卤三硅烷。在这些化合物中又特别优选八氟三硅烷、八氯三硅烷、八溴三硅烷和八碘三硅烷，即通式为 Si3X8 的化合物，其中 X = F、Cl、Br或I。在根据本发明的方法中，使用八氯三硅烷具有下述优点，即可以以比根据现有技术的其他方法显著更高的收率和以显著更高的纯度来制备作为主要工艺产物(除SiX4外)的新戊硅烷。对于根据本发明的方法而言，非常特别优选使用八氯三硅烷和十氯四硅烷的混合物，其中八氯三硅烷的比例通常为至少 20重量%，优选至少 80重量%，基于所述混合物计。
在本方法中所使用的反应混合物中所述至少一种卤硅烷的比例优选为至少 60，优选至少 80重量%，基于该反应混合物的总质量计。非常特别优选地，该反应混合物仅包含至少一种催化剂和一种或多种卤硅烷。
在根据本发明的方法中可使用的催化剂是下述通式的催化剂
NRR’aR’’bYc
其中 a = 0或1，b = 0或1，且c = 0或1，且
Y = 
Figure 418165DEST_PATH_IMAGE001
,
Figure 642473DEST_PATH_IMAGE002
,
  或
Figure 926004DEST_PATH_IMAGE007
,
其中 R, R’和R’’ 可以彼此独立地是不同的一价或二价残基，它们是氮原子的取代基或者可与氮原子 - 任选结合基团Y，如果存在的话- 一起形成环状（任选双环或三环）结构。
在 c = 0且a和b = 1的情况中, 该催化剂的通式描述了一组优选的催化剂，其可以是叔(任选环状的, 双环的或三环的)胺或含氮的杂芳族化合物。
在a = b = 1且c = 0的情况中，特别优选在这种情况中的所述催化剂是叔胺, 即是下述通式的催化剂
NRR’R’’
其中R、R’和R’’为-Ph、-PhCH3、-PhC2H5、-PhC3H7、-CH2(C6H4)CH3、-CH2(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C3H7、-C3H6-(C6H4)-C3H7、-C6H2(CH3)3、-C6H3(CH3)2、-C8H7、-C8H6CH3、-PhNR’’’R’’’’、-PhCH2NR’’’R’’’’、-PhC2H4NR’’’R’’’’、-PhC3H6-NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-CH2NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-C2H4-NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)-C2H4NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C3H6NR’’’R’’’’、-C3H6-(C6H4)-C3H6NR’’’R’’’’、-CH2NR’’’R’’’’、-C2H4NR’’’R’’’’、-C3H6NR’’’R’’’’、-C4H8NR’’’R’’’’、-C5H10NR’’’R’’’’、-C6H12NR’’’R’’’’、-C7H14NR’’’R’’’’、-C8H16NR’’’R’’’’、-C9H18NR’’’R’’’’和/或-C10H20NR’’’R’’’’ (其中 R’’’和R’’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，条件是，至少一个残基R、R'或R'' 不是 -CH3。
在 c = 0 且a = 1和b = 0或1的情况中，优选两或三个残基R、R'和R'' 可共同形成包含N的环状的或双环的、杂脂族或杂芳族体系。在此，所产生的催化剂优选是环状的或双环的、杂脂族或杂芳族环体系，优选是吡咯烷、吡咯、哌啶、吡啶、六亚甲基亚胺、氮杂
Figure 338531DEST_PATH_IMAGE005
或喹啉。
优选地，(在 a = b = c = 0的情况在中)，R也可以是 ≡C-R’’’ (其中 R’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)。相应的催化剂是烷基腈。
在c = 1的情况中，通式 NRR’aR’’bYc 描述了不同的催化剂，其具有至少一个另外的杂原子和具有环状的或双-(任选多-)环结构。
在下述情况中产生优选的单环结构，例如三唑类、噁唑类或哌嗪类，
即Y = 
Figure 553480DEST_PATH_IMAGE001
,
Figure 735063DEST_PATH_IMAGE002
，或
Figure 862419DEST_PATH_IMAGE003
且两或三个相应残基R、R’和R’’ 选自下述残基：-C1-C12-亚烷基-、-C1-C12-亚芳基-、-C1-C12-亚芳烷基-、-C1-C12-杂亚烷基-、-C1-C12-杂亚芳基-和-C1-C12-杂亚芳烷基残基和/或–N= (优选 -CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C5H10-、-C6H12-、-C7H14-、-C8H16-、-C9H18-、-C10H20-、-Ph-、-PhCH2-、-PhC2H4-、-PhC3H6-、-CH2(C6H4)CH2-、-CH2(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C3H6-、-C3H6(C6H4)-C3H6-、-C6H(CH3)3-、-C6H2(CH3)2-、-CH=、-CH=CH-、-N=、-N=CH-和/或-CH=N-)。而各可能的未参与形成环的残基R、R'或R''选自 -C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-氨基烷基、-C1-C12-氨基芳基、-C1-C12--氨基芳烷基，优选 -Ph、-PhCH3、-PhC2H5、-PhC3H7、-CH2(C6H4)CH3、-CH2(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C2H5、-C2H4(C6H4)C3H7、-C3H6-(C6H4)-C3H7、-C6H2(CH3)3、-C6H3(CH3)2、-C8H7、-C8H6CH3、-PhNR’’’R’’’’、-PhCH2NR’’’R’’’’、-PhC2H4NR’’’R’’’’、-PhC3H6-NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-CH2NR’’’R’’’’、-CH2(C6H4)-C2H4-NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)-C2H4NR’’’R’’’’、-C2H4(C6H4)C3H6NR’’’R’’’’、-C3H6-(C6H4)-C3H6NR’’’R’’’’、-CH2NR’’’R’’’’、-C2H4NR’’’R’’’’、-C3H6NR’’’R’’’’、-C4H8NR’’’R’’’’、-C5H10NR’’’R’’’’、-C6H12NR’’’R’’’’、-C7H14NR’’’R’’’’、-C8H16NR’’’R’’’’、-C9H18NR’’’R’’’’和/或-C10H20NR’’’R’’’’ (其中 R’’’和R’’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)。
所述通式为 NRR’aR’’bYc 的催化剂，其中 c = 1，非常特别优选是双环或多环的胺化合物。双环或多环的胺化合物在下述情况中产生，即
Y = 
Figure 762242DEST_PATH_IMAGE002
 或
Figure 328352DEST_PATH_IMAGE008
且残基 R、R’和R’’ 相应选自 -C1-C12-亚烷基-、-C1-C12-亚芳基-、-C1-C12-亚芳烷基-、-C1-C12-杂亚烷基-、-C1-C12-杂亚芳基-和-C1-C12-杂亚芳烷基残基和/或-N=。进一步优选，所述残基R、R'和R'' 选自 -CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C5H10-、-C6H12-、-C7H14-、-C8H16-、-C9H18-、-C10H20-、-Ph-、-PhCH2-、-PhC2H4-、-PhC3H6-、-CH2(C6H4)CH2-、-CH2(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C2H4-、-C2H4(C6H4)C3H6-、-C3H6(C6H4)-C3H6-、-C6H(CH3)3-、-C6H2(CH3)2-、-CH=、-CH=CH-、-N=、-N=CH-和/或-CH=N-。非常特别优选的催化剂是氮杂双环烷烃和哌嗪类，特别是二氮杂双环辛烷和N,N-1,4-二甲基哌嗪。
如果在根据本发明的方法中使用选自具有或没有另外的杂原子的环状、双环或多环胺构成的化合物组的催化剂，则可获得最好的结果。
还更优选使用二氮杂双环辛烷、吡啶和N,N-1,4-二甲基哌嗪作为催化剂。这些催化剂 特别有效地适合于催化八卤三硅烷、十卤四硅烷或其混合物生成相应的四(三卤甲硅烷基)硅烷(Si(SiX3)4)的反应。
本发明的主题因此也是用于制备新戊硅烷的方法，其中
a) i) 使至少一种通式为 Si3X8 的八卤三硅烷，其中 X = F、Cl、Br和/或I，通式为 Si4X10 的十卤四硅烷，其中 X = F、Cl、Br和/或I，或其混合物与
    ii) 至少一种选自二氮杂双环辛烷、吡啶和N,N-1,4-二甲基哌嗪的催化剂
反应，形成包含至少一种通式为 Si5X12 的卤硅烷(其中 X = F、Cl、Br和/或I)和SiX4 (其中 X = F、Cl、Br和/或I)的混合物
b) 将所述至少一种通式为 Si5X12 的卤硅烷氢化，形成通式为 Si5H12的新戊硅烷，
c) 将所述通式为 Si5H12的新戊硅烷与通式为 Si5H12-yXy (其中 1 < y < 11)的部分氢化的氢化硅烷分离，和
d) 任选地，将步骤c）中分离的通式为 Si5H12-yXy (其中 1 < y < 11) 的部分氢化的氢化硅烷重新氢化。
在根据本发明的用于制备氢化硅烷，特别是新戊硅烷的方法中，基于所使用的氯硅烷的量计，所述至少一种催化剂的比例优选在 0.001 - 1重量%。
在此，所述催化剂可作为纯物质来使用，或作为悬浮液，优选以基于该悬浮液的总质量计1 – 25重量% 的催化剂的比例在溶剂，例如乙醚中来使用。
该反应可在存在或不存在溶剂的情况下进行。优选无溶剂地施行根据本发明的方法。但是，如果在存在溶剂的情况下进行，作为优选的溶剂则可使用选自下述的溶剂：具有1-18个碳原子（任选部分或完全卤化）的直链、支链或环状的饱和的、不饱和的或芳族烃，醚，酮和酯。特别优选正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、环己烷、环辛烷、环癸烷、双环戊烷（Dicyclopentan）、苯、甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢化萘、乙醚、丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氢呋喃、丙酮、对二噁烷、乙腈、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二氯甲烷和氯仿。可特别有效使用的溶剂是烃正戊烷、正己烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、环己烷、环辛烷、环癸烷、苯、甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯。所述溶剂可构成总质量的0.01 - 90重量%。
所述催化剂促进的通式为 SinX2n+2 的卤硅烷的反应优选在 -78 – 300℃的温度和1 mbar - 5 bar的压力下进行。特别优选所述催化剂促进的卤硅烷的反应在10 – 50℃和900 - 1100 mbar下进行。
在形成包含至少一种通式为 SimX2m+2 (其中 m > n和X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和SiX4的混合物之后，原则上可将该混合物不经进一步净化地用于随后的氢化。
但是优选地，在氢化前将所生成的四卤硅烷与通式为 SimX2m+2 的卤硅烷分离。进一步优选地，所述分离在-30 – +100℃的温度和0.01 - 1100 mbar的压力下，优选在-30 – +60℃的温度和0.02 – 1.0 mbar的压力下通过蒸馏除去或抽出SiX4 进行。
所述至少一种通式为 SimX2m+2 的卤硅烷在步骤b)和d) 中氢化，形成通式为SimH2m+2的氢化硅烷。其优选在使用至少一种氢化剂的条件下进行，所述氢化剂选自1-3主族的金属的金属氢化物(特别是碱金属-或碱土金属氢化物)或由LiAlH4、NaBH4、iBu2AlH构成的氢化物的组。所述氢化剂特别优选是iBu2AlH。
也可以将可根据本发明的方法制备的氢化硅烷理解为基本上仅包含硅-和氢原子的化合物。这些氢化硅烷可以是气体、液体或固体，并且- 在固体的情形中 – 基本上可溶于溶剂如甲苯或环己烷中，或可溶于液体硅烷如环戊硅烷中。作为实例可提及乙硅烷、丙硅烷、环戊硅烷和新戊硅烷。这些氢化硅烷也可以具有带有Si-H-键的直链或支链的结构。根据本发明的方法尤其有效地适用于制备支链氢化硅烷。尤其在选择合适原料的情况下，尤其有效地适用于制备新戊硅烷。
在步骤b)中，为获得特别良好的结果，以1.0-1.5, 优选 1.05-1.2的H-当量比例使用所述氢化剂，基于待氢化的卤硅烷的卤原子计。
在步骤 d)中，可使用更小的氢化剂比例，以实现完全氢化。优选在步骤 d)中以0.05-0.5，优选 0.1-0.3的H-当量比例来使用，基于最初在步骤 b)中待氢化的卤硅烷的卤原子计。
所述氢化也可在存在或不存在溶剂的情况下进行。优选地，在存在溶剂的情况下进行所述氢化。优选可使用的溶剂可选自具有1-18个碳原子的直链、支链和环状的饱和的、不饱和的或芳族烃和醚。特别优选正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、环己烷、环辛烷、环癸烷、双环戊烷、苯、甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢化萘、乙醚、丙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、四氢呋喃、对二噁烷、乙腈。可特别有效使用的溶剂是烃类正戊烷、正己烷、正己烷、正辛烷、正癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、环己烷、环辛烷、环癸烷、苯、甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯。在一个特别优选的方案中，在所使用的氢化剂是i-Bu2AlH的情况中，在氢化时生成的液态 i-Bu2AlCl 可用作溶剂。该溶剂可构成总质量的0.01 - 90重量% 。
所述通式为 SimX2m+2 的卤硅烷的氢化优选在 -78 – 300℃的温度和500 mbar - 5 bar的压力下进行。该氢化特别优选在 -10 – 30 ℃和900 - 1100 mbar下进行。
在步骤b)结束后，存在的氢化硅烷与部分氢化的氢化硅烷(步骤 c)的必不可少的分离原则上可任意进行。优选地，由于该混合物较小的热负荷和因此减少的分解、进一步反应或后续反应，该分离在具有短保留时间和低蒸气压的蒸发器中进行。为此，可使用薄层蒸发器或短程蒸发器，也称作分子蒸馏。在此，典型的工艺压力 < 5 mbar。蒸发器中的产品温度不应 > 100℃，以避免产品分解。随后将由此制得的馏出物在精馏过程中进一步纯化。可将底部产物回收用作该反应的溶剂。由此产生的被捕捉在冷却井中的低沸点物，取决于氯化物含量，或者用作有用产物或者被丢弃。在蒸馏中得到的馏出物的进一步纯化在精馏塔中进行。在此可连续地或分批进行。精馏在精馏装置的底部或蒸馏釜中的50 - 100℃的温度范围进行。但该温度也可以升高到最高150℃。在此情况下，出现的精馏压力在1-100 mbar的范围。在分批精馏的情况中，有用产物的移出分级进行。在连续后处理的情况中，需要至少两个塔，其中在第二个塔中将有用产物作为馏出物移出。
在此，主要生成的经完全反应的氢化剂留在塔底，而部分氢化的氢化硅烷集中出现在馏出物中。
在步骤d)结束后，该反应混合物在进行第二次氢化后优选蒸馏纯化。
为获得特别纯的产物，在蒸馏纯化后可进行精细纯化。所述精细纯化例如可通过合适的吸附或层析方法进行。
同样地，本发明的主题是可根据所述方法制备的氢化硅烷。
此外，本发明的主题是可根据本发明的方法制备的氢化硅烷用于制造尤其是用于光伏应用或在晶体管中的电子或光电子元件层的用途。
同样地，本发明的主题是可根据本发明的方法制备的氢化硅烷用于制造含硅层，优选元素硅层的用途。
下述实施例意在进一步补充说明本发明，其本身并无限制性作用。
实施例:
实施例 1: 由卤硅烷合成更高级的氢化硅烷和该氢化硅烷的冷凝(氢化剂的H-当量-比例: 1.2)
在第一步中，在保护气体气氛下，在 20℃和1 bar 下，将溶于7.1 g乙醚中的46.7 g 己烷和0.9 g 二氮杂双环[2.2.2]辛烷在搅拌下掺入在反应容器中的304 g 液体全氯硅烷混合物 (> 75重量% Si3Cl8, > 22重量% Si4Cl10)中。通过冰冷却将反应器内容物调温到低于 20℃。该混合物在40小时内反应生成固体Si5Cl12和副产物 SiCl4。
在反应步骤之后，在 50℃，在真空(200 - 1 mbar) 下，将低沸物 (己烷, 乙醚)和副产物 SiCl4 由反应混合物中分离。得到243.2 g Si5Cl12。
在保护气体气氛下，将42.7 g 得到的Si5Cl12分散在20.0 g二异丁基氯化铝中。然后，在搅拌下相继加入149 g氢化剂二异丁基氢化铝。由于反应放热，在氢化时通过冰冷却调节反应器的温度，以至于在该反应器中不超过20℃的温度。在冰冷却下，将该反应混合物搅拌另外18小时。
然后，在20℃，在常压(1.013 bar)和保护气体气氛下，由反应混合物中除去挥发性组分例如SiH4。在下一步中，在20℃，在真空(压力< 1 mbar)下，通过蒸发分散剂二异丁基氯化铝和未反应的二异丁基氢化铝来分离氢化硅烷。冷凝物包含氢化硅烷。
冷凝物中的氢化硅烷的定性测定借助于GC-MS分析进行。该冷凝物中含有具有> 98.0 面积%比例的氢化硅烷。
基于重量的收率(g 作为冷凝物的氢化硅烷/g 所使用的全氯硅烷混合物): 20.8% (11.1 g 氢化硅烷/53.4 g 全氯硅烷混合物)
作为馏出物得到的氢化硅烷的氯化物含量: 470 ppm 氯化物。
实施例 2: 由卤硅烷合成更高级的氢化硅烷及其热纯化(氢化剂的H-当量-比例: 1.1)
在第一步中，在保护气体气氛下，在 20℃和1 bar 下，将溶于14.2 g乙醚中的225.7 g 己烷和1.85 g二氮杂双环[2.2.2]辛烷在搅拌下掺入在反应容器中的1567 g 液体全氯硅烷混合物 (> 75重量% Si3Cl8, > 22重量% Si4Cl10)中。通过冰冷却将反应器内容物调温到低于 20℃。该混合物在40小时内反应生成固体Si5Cl12和副产物 SiCl4。在反应步骤之后，将1015 g二异丁基氯化铝作为分散剂掺入该主要包含Si5Cl12,的混合物中。随后，在 50℃，在真空下 (200 - 1 mbar)将低沸物 (己烷, 乙醚)和副产物 SiCl4 分离。
在保护气氛下，将4137 g氢化剂二异丁基氢化铝在搅拌下相继掺入分散在二异丁基氯化铝中的Si5Cl12 中。由于反应放热，在氢化时通过冰冷却调节反应器的温度，以至于在该反应器中不超过20℃的温度。在冰冷却下，将该反应混合物搅拌另外18小时。
然后，在20℃，在常压(1.013 bar)和保护气体气氛下，由反应混合物中除去挥发性组分例如SiH4。在短程蒸发器中，在真空 (压力 < 1 mbar) 下在72℃下，将二异丁基氯化铝和未反应的二异丁基氢化铝作为底部产物分离。将短程蒸发器的顶部产物 (馏出物)在精馏步骤中借助于分批精馏在10 - 100 mbar的压力和95℃的蒸发器蒸馏釜中的温度下进一步纯化。将该氢化硅烷作为馏出物从分批精馏中取出。
馏出物中的氢化硅烷的定性测定借助于GC-MS分析进行。该馏出物包含具有 > 99.0 面积%比例的氢化硅烷。
基于重量的收率(g 作为馏出物的氢化硅烷/g 所使用的全氯硅烷混合物): 14.6% (228 g 氢化硅烷/1567 g 全氯硅烷混合物)
作为馏出物得到的氢化硅烷的氯化物含量: 41 ppm 氯化物。
实施例 3: 用于降低氯化物含量的更高级的氢化硅烷的后氢化及其热纯化
将得自实施例 2的具有较高氯化物值的馏出物馏分纯化并测定该混合物的氯化物值。在此描述的实验中，将该氢化硅烷混合物用作原料。
在保护气体气氛下，将84 g二异丁基氢化铝在搅拌下相继掺入具有457 ppm的氯化物含量的185 g氢化硅烷混合物 (氢化硅烷> 99.0 面积%)中。由于反应放热，在氢化时通过冰冷却调节反应器的温度，以至于在该反应器中不超过20℃的温度。在冰冷却下，将该反应混合物搅拌另外18小时。
氢化后，在20℃，在常压 (1.013 bar)下，由反应混合物中除去挥发性组分例如SiH4。在精馏步骤中，借助于分批精馏，在10-100 mbar 的压力和95℃的蒸发器蒸馏釜中的温度下将该反应产物进一步后处理。该馏出物包含所希望的氢化硅烷。
基于重量的收率(g 作为馏出物的氢化硅烷/g 所使用的氢化硅烷混合物): 87.3% (161.5 g 作为馏出物的氢化硅烷/185 g 氢化硅烷混合物)。
作为馏出物得到的氢化硅烷的氯化物含量: 16 ppm 氯化物。
馏出物中的氢化硅烷的定性测定借助于GC-MS分析进行。该馏出物包含具有> 99.0 面积%比例的氢化硅烷。

Claims (11)

1.由卤硅烷制备氢化硅烷的方法，
其特征在于，
a) i) 使至少一种通式为 SinX2n+2 (其中 n ≥ 3和X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和
    iii) 至少一种催化剂反应，形成包含至少一种通式为SimX2m+2 (其中 m > n且X = F、Cl、Br和/或I)的卤硅烷和SiX4 (其中 X = F、Cl、Br和/或I)的混合物，
所述催化剂具有通式NRR’aR’’bYc
其中 a = 0或1，b = 0或1，且c = 0或1，且
Y =                                                
Figure 567649DEST_PATH_IMAGE001
, 
Figure 452429DEST_PATH_IMAGE002
, 
Figure 719462DEST_PATH_IMAGE003
或
Figure 918362DEST_PATH_IMAGE004
，
其中
aa) - R、R’和/或R’’ 为 -C1-C12-烷基、-C1-C12-芳基、-C1-C12-芳烷基、-C1-C12-氨基烷基、-C1-C12-氨基芳基、-C1-C12--氨基芳烷基，
和/或
- 在 c = 0 的情况中，两个或三个残基R、R’和R’’共同形成包含N的环状或双环的、杂脂族或杂芳族体系，
- 条件是，至少一个残基R、R’或R’’不是 -CH3
和/或
bb) - R和R’和/或R’’(在c = 1的情况中) 是 -C1-C12-亚烷基、-C1-C12-亚芳基、-C1-C12-亚芳烷基、-C1-C12-杂亚烷基、-C1-C12-杂亚芳基、-C1-C12-杂亚芳烷基和/或–N=，
或
cc) - (在a = b = c = 0的情况中) R = ≡C-R’’’ (其中 R’’’ = -C1-C10-烷基、-C1-C10-芳基和/或-C1-C10-芳烷基)，
和
b) 将所述至少一种通式为 SimX2m+2 的卤硅烷氢化，形成通式为 SimH2m+2的氢化硅烷，
c) 将通式为 SimH2m+2的氢化硅烷与通式为 SimH(2m+2-y)Xy (其中 1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷分离，和
d) 任选地，将步骤c）中分离的通式为 SimH(2m+2-y)Xy (其中 1 < y < 2m+1)的部分氢化的氢化硅烷重新氢化。
2.根据权利要求1的方法，
其特征在于，
所述通式为 SinX2n+2的卤硅烷是直链硅烷。
3.根据权利要求1或2的方法，
其特征在于，
所述至少一种卤硅烷是选自具有通式Si3X8和/或Si4X10的化合物，其中 X = F、Cl、Br和/或I。
4.根据前述权利要求之一的方法，
其特征在于，
所述催化剂是选自环状的、双环的和多环的胺，其具有或没有另外的杂原子。
5.根据权利要求4的方法，
其特征在于，
所述催化剂是二氮杂双环辛烷、吡啶或N,N-1,4-二甲基哌嗪。
6.根据前述权利要求之一的方法，
其特征在于，
在氢化之前，在 -30 至 +100℃的温度和0.01 至 1100 mbar的压力下，通过蒸馏除去或抽出SiX4使所述至少一种通式为 SimX2m+2 的卤硅烷与SiX4 分离。
7.根据前述权利要求之一的方法，
其特征在于，
所述氢化通过添加至少一种氢化剂进行，所述氢化剂选自1-3主族的金属的金属氢化物或由LiAlH4、NaBH4、iBu2AlH构成的氢化物的组。
8.根据前述权利要求之一的方法，
其特征在于，
所述氢化在步骤 b)和d) 中在溶剂存在下进行。
9.氢化硅烷，其可根据权利要求1 – 8的方法来制备。
10.可根据权利要求1 – 8之一的方法来制备的至少一种氢化硅烷用于制造电子或光电元件层的用途。
11.可根据权利要求1 – 8之一的方法来制备的至少一种氢化硅烷用于制造含硅层，优选 元素硅层的用途。
CN2011800620691A 2010-12-22 2011-12-20 用于制备氢化硅烷的方法 Pending CN103261096A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010063823.4 2010-12-22
DE201010063823 DE102010063823A1 (de) 2010-12-22 2010-12-22 Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
PCT/EP2011/073337 WO2012084897A1 (de) 2010-12-22 2011-12-20 Verfahren zur herstellung von hydridosilanen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103261096A true CN103261096A (zh) 2013-08-21

Family

ID=45463574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800620691A Pending CN103261096A (zh) 2010-12-22 2011-12-20 用于制备氢化硅烷的方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9011812B2 (zh)
EP (1) EP2655254B1 (zh)
JP (1) JP5921569B2 (zh)
KR (1) KR101879005B1 (zh)
CN (1) CN103261096A (zh)
AU (1) AU2011347501B9 (zh)
DE (1) DE102010063823A1 (zh)
MY (1) MY161507A (zh)
TW (1) TWI525039B (zh)
WO (1) WO2012084897A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115417413A (zh) * 2022-08-31 2022-12-02 南大光电半导体材料有限公司 一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010040231A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Evonik Degussa Gmbh p-Dotierte Siliciumschichten
DE102010041842A1 (de) 2010-10-01 2012-04-05 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilanverbindungen
DE102010062984A1 (de) 2010-12-14 2012-06-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane
DE102012221669A1 (de) 2012-11-27 2014-05-28 Evonik Industries Ag Verfahren zum Herstellen kohlenstoffhaltiger Hydridosilane
DE102012224202A1 (de) 2012-12-21 2014-07-10 Evonik Industries Ag Verfahren zum Hydrieren höherer Halogen-haltiger Silanverbindungen
US11091649B2 (en) 2013-09-05 2021-08-17 Jiangsu Nata Opto-Electronic Materials Co. Ltd. 2,2,4,4-tetrasilylpentasilane and its compositions, methods and uses
TWI634073B (zh) 2013-09-05 2018-09-01 道康寧公司 2,2,4,4-四矽基五矽烷及其組成物、方法及用途
JP6403192B2 (ja) * 2013-09-06 2018-10-10 株式会社日本触媒 高純度水素化シラン化合物の製造方法
EP3172261B2 (de) 2014-07-22 2022-05-04 Momentive Performance Materials GmbH Verfahren zur spaltung von silicium-silicium-bindungen und/oder von silicium-chlor-bindungen in mono-, poly- und/oder oligosilanen
US10106425B2 (en) * 2016-05-19 2018-10-23 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Synthesis methods for halosilanes
US11117807B2 (en) 2017-06-23 2021-09-14 Jiangsu Nata Opto-Electronic Materials Co. Ltd. Method of making aluminum-free neopentasilane
EP3587348B1 (en) * 2018-06-29 2021-08-11 Evonik Operations GmbH Partially hydrogenated chlorosilanes and methods for preparing same by selective hydrogenation
US20220340430A1 (en) * 2021-04-21 2022-10-27 Entegris, Inc. Method for purifying iodosilanes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2077710A (en) * 1980-06-11 1981-12-23 Nat Res Dev Synthesising a polysilane
CN101528813A (zh) * 2006-10-24 2009-09-09 陶氏康宁公司 含新戊硅烷的组合物及其制备方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3122992A1 (de) * 1980-06-11 1982-02-04 National Research Development Corp., London Verfahren zur herstellung von polysilan
US4395389A (en) * 1982-03-01 1983-07-26 Ethyl Corporation Chlorosilane disproportionation process
JPH02184513A (ja) 1989-01-11 1990-07-19 Tonen Sekiyukagaku Kk ジシランおよびトリシランの製造方法
US4965386A (en) 1990-03-26 1990-10-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hydrosilation, and dehydrocondensation of silicon hydrides, catalyzed by scandium, yttrium and rare earth metal compounds
US5252766A (en) 1990-09-14 1993-10-12 Director-General Of Agency Of Industrial Science Method for producing polysilanes
US5700400A (en) 1993-06-15 1997-12-23 Nippon Oil Co., Ltd. Method for producing a semiconducting material
JP3598388B2 (ja) 1994-03-22 2004-12-08 大阪瓦斯株式会社 ポリシラン類の製造方法
US6027705A (en) 1998-01-08 2000-02-22 Showa Denko K.K. Method for producing a higher silane
DE102007028254A1 (de) * 2007-06-20 2008-12-24 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von SiH-haltigen Silanen
EP2135844A1 (de) 2008-06-17 2009-12-23 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
DE102008043422B3 (de) 2008-11-03 2010-01-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Aufreinigung niedermolekularer Hydridosilane
DE102009048087A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
DE102009053806A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Siliciumschichten
DE102009053804B3 (de) 2009-11-18 2011-03-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen
DE102009053805A1 (de) 2009-11-18 2011-05-26 Evonik Degussa Gmbh Siliziumschichten aus polymermodifizierten Flüssigsilan-Formulierungen
DE102010002405A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Oligomerisierung von Hydridosilanen, die mit dem Verfahren herstellbaren Oligomerisate und ihre Verwendung
DE102010040231A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Evonik Degussa Gmbh p-Dotierte Siliciumschichten
DE102010041842A1 (de) 2010-10-01 2012-04-05 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilanverbindungen
DE102010049587A1 (de) 2010-10-26 2012-04-26 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur elektrochemischen Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten
DE102010053214A1 (de) 2010-12-03 2012-06-06 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten
DE102010062386B4 (de) 2010-12-03 2014-10-09 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, derartig hergestellte Halbleiterschichten sowie derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse
DE102010062383A1 (de) 2010-12-03 2012-06-06 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten
DE102010062984A1 (de) 2010-12-14 2012-06-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane
DE102011006307A1 (de) 2011-03-29 2012-10-04 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Herstellen von amorphen Halbleiterschichten

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2077710A (en) * 1980-06-11 1981-12-23 Nat Res Dev Synthesising a polysilane
CN101528813A (zh) * 2006-10-24 2009-09-09 陶氏康宁公司 含新戊硅烷的组合物及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.KACZMARCZYK ET AL.: "The preparation and some properties of a new pentasilicon dodecachloride，Si5Cl12", 《JOURNAL OF INORGANIC AND NUCLEAR CHEMISTRY》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115417413A (zh) * 2022-08-31 2022-12-02 南大光电半导体材料有限公司 一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用
CN115417413B (zh) * 2022-08-31 2024-01-09 南大光电半导体材料有限公司 一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
MY161507A (en) 2017-04-28
US9011812B2 (en) 2015-04-21
DE102010063823A1 (de) 2012-06-28
JP5921569B2 (ja) 2016-05-24
TWI525039B (zh) 2016-03-11
EP2655254B1 (de) 2018-10-10
WO2012084897A1 (de) 2012-06-28
JP2014501218A (ja) 2014-01-20
US20130259791A1 (en) 2013-10-03
AU2011347501A1 (en) 2013-06-20
AU2011347501B2 (en) 2015-06-25
KR101879005B1 (ko) 2018-07-16
KR20130133794A (ko) 2013-12-09
EP2655254A1 (de) 2013-10-30
TW201240919A (en) 2012-10-16
AU2011347501B9 (en) 2015-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103261096A (zh) 用于制备氢化硅烷的方法
CN102596806B (zh) 制造氢化硅烷的方法
JP5897033B2 (ja) 高級ハロゲン化シランおよび高級ヒドリドシランの製造法
US20220289580A1 (en) Method of preparing pentachlorodisilane purified reaction product comprising same
CN102186774A (zh) 用于制备新戊硅烷的方法
US9561965B2 (en) Method for hydrogenating higher halogen-containing silane compounds
JPS6153110A (ja) 水素化ケイ素の製造方法
JPS6153109A (ja) 水素化ケイ素の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130821