JPS6153110A - 水素化ケイ素の製造方法 - Google Patents
水素化ケイ素の製造方法Info
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- JPS6153110A JPS6153110A JP17566384A JP17566384A JPS6153110A JP S6153110 A JPS6153110 A JP S6153110A JP 17566384 A JP17566384 A JP 17566384A JP 17566384 A JP17566384 A JP 17566384A JP S6153110 A JPS6153110 A JP S6153110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、分子中に少なくとも１個のＳｉ −Ｈ＃合あ
るいは５ｉ−Ｓｉ結合を有する一般式５ｔ）（Ｉ−１ｙ
Ｏ２（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれ
ぞれ２Ｘ＋２．２Ｘを越えない正の整数でありどちらか
一方は０ではなくまたｘ ＝ １の場合は２は０ではな
い〕で表わされるケイ素化合物から、一般式Ｓ’ＩＩＨ
２１ｊ＋２（（ｌはＸより小さい正の整数〕で表わされ
る水素化ケイ素を製造する方法に関する。
るいは５ｉ−Ｓｉ結合を有する一般式５ｔ）（Ｉ−１ｙ
Ｏ２（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれ
ぞれ２Ｘ＋２．２Ｘを越えない正の整数でありどちらか
一方は０ではなくまたｘ ＝ １の場合は２は０ではな
い〕で表わされるケイ素化合物から、一般式Ｓ’ＩＩＨ
２１ｊ＋２（（ｌはＸより小さい正の整数〕で表わされ
る水素化ケイ素を製造する方法に関する。
近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多結晶シリ
コンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコ
ンの需要が急激に増大している。
コンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコ
ンの需要が急激に増大している。
水素化ケイ素はかかる半導体用シリコンの製造原料とし
て最近その重要性を増しており、特にシラン（ＳｉＨ４
）、ジシラン（５ｉ２Ｈ６）は太陽電池用半導体の原料
として、今後大幅な需要増加が期待されている。
て最近その重要性を増しており、特にシラン（ＳｉＨ４
）、ジシラン（５ｉ２Ｈ６）は太陽電池用半導体の原料
として、今後大幅な需要増加が期待されている。
従来、水素化ケイ素の製造方法はいくつか知られている
が、それらの中でケイ化マグネシウムと酸との反応によ
り製造する方法は、特に実施容易で経済的な方法として
古くから公知である。
が、それらの中でケイ化マグネシウムと酸との反応によ
り製造する方法は、特に実施容易で経済的な方法として
古くから公知である。
Ｍｇ２Ｓｉ−１−４）ＩＣ１””””””’ ２ＭｇＣ
４＋１／ｎ ８ｉ４Ｈ１＋２＋（１−１／ｉすＨ２しか
しながらこの方法においては、利用価値の高いＳｉＩ″
Ｉ４、Ｓｉ２Ｈ６以外にも高級シランが相当量生成し、
例えば、水を溶媒に用いた場合には、常温常圧で反応が
実施できるものの、Ｍｇ、、Ｓｉ中の８１の約半分がＳ
＋ｐＨｑＯｒ （ｐは６以上の正の整数、ｑおよびｒは
それぞれ２ｐ＋２．２ｐを趣えない正の整数で、どちら
か一方はＯでない）で表わされるケイ素化合物となるた
め経済性に乏しい。
４＋１／ｎ ８ｉ４Ｈ１＋２＋（１−１／ｉすＨ２しか
しながらこの方法においては、利用価値の高いＳｉＩ″
Ｉ４、Ｓｉ２Ｈ６以外にも高級シランが相当量生成し、
例えば、水を溶媒に用いた場合には、常温常圧で反応が
実施できるものの、Ｍｇ、、Ｓｉ中の８１の約半分がＳ
＋ｐＨｑＯｒ （ｐは６以上の正の整数、ｑおよびｒは
それぞれ２ｐ＋２．２ｐを趣えない正の整数で、どちら
か一方はＯでない）で表わされるケイ素化合物となるた
め経済性に乏しい。
また、この他ケイ素のノ・ロゲン化物を還元して水素化
ケイ素を製造する場合においても高級シランが副生ずる
ことが知られており、例えば、ｉｎ ｅｔｈｅｒ ２Ｓｉ２Ｃ４＋Ｓ Ｌ詐れ一一一→３ＬｉＣ，ｆ！ ＋
ＭＣ１３＋２Ｓ ｉ ２Ｈ６ の反応によってＳｉ２Ｈ６を製造する場合においてはＳ
ｉ、Ｈ８などの高級シランが相当量生成する。
ケイ素を製造する場合においても高級シランが副生ずる
ことが知られており、例えば、ｉｎ ｅｔｈｅｒ ２Ｓｉ２Ｃ４＋Ｓ Ｌ詐れ一一一→３ＬｉＣ，ｆ！ ＋
ＭＣ１３＋２Ｓ ｉ ２Ｈ６ の反応によってＳｉ２Ｈ６を製造する場合においてはＳ
ｉ、Ｈ８などの高級シランが相当量生成する。
一方、高級シランＳｊｍＨ２ｍ＋ｚ （ｍは２以上の正
へ の整数９は、加熱分解あるいは無声放電等によりその一
部を５ｉＩ（、、やＳｉ２Ｈ６に変え得ることが報告さ
れているが、そのＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，への転化率は低
く未だ不充分である。
へ の整数９は、加熱分解あるいは無声放電等によりその一
部を５ｉＩ（、、やＳｉ２Ｈ６に変え得ることが報告さ
れているが、そのＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ，への転化率は低
く未だ不充分である。
本発明者らは、上記の点にかんがみ、鋭意検討したとこ
ろ従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分
８ｉ）（ＨｙＯｚなる一般式で表現されるものであり、
またこれらのほとんどが分子中に少なくとも１個の５ｉ
−Ｈ結合、あるいは５ｉ−８ｉ結合なる活性部位を有し
ていて、特定の物質との反応処理を施すことによって、
高収率で所望の５ｉＩ（。
ろ従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分
８ｉ）（ＨｙＯｚなる一般式で表現されるものであり、
またこれらのほとんどが分子中に少なくとも１個の５ｉ
−Ｈ結合、あるいは５ｉ−８ｉ結合なる活性部位を有し
ていて、特定の物質との反応処理を施すことによって、
高収率で所望の５ｉＩ（。
や５ｉ２Ｉ−Ｉ６等の水素化ケイ素に転化しうろことを
見い出した。
見い出した。
本発明の目的は、上記のごとき従来法において副生ずる
種々のケイ素化合物（これらは分子中に少な（とも−個
の８ｉ−Ｈ結合あるいは５ｉ−８ｉ結合を有する一般式
５ＩＸＨｙＯ２で表わされるものである〕を、ＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６の経済的に価値のある水素化ケイ素に高収
率で変換する方法を提供することである。
種々のケイ素化合物（これらは分子中に少な（とも−個
の８ｉ−Ｈ結合あるいは５ｉ−８ｉ結合を有する一般式
５ＩＸＨｙＯ２で表わされるものである〕を、ＳｉＨ４
、Ｓｉ２Ｈ６の経済的に価値のある水素化ケイ素に高収
率で変換する方法を提供することである。
本発明に従って分子中に少なくとも１個のＳｉ −Ｈ結
合あるいは５ｉ−８ｉ結合を有する一般式５ｉ）（Ｈｙ
Ｏｚ（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれ
ぞれ２Ｘ＋２．２Ｘを越えない正の整数であり、どちら
か一方はＯでなく、またＸ＝１の場合は２は０ではない
〕で表わされるケイ素化合物と、−（式中鴇乃至〜は炭
素ａｌ乃至２０の炭化水素基あるいは水素である〕で表
わされる群より選択される鎖状もしくは環状の含チツ素
有機化合物の少なくとも１種とを接触反応させることに
より、一般式Ｓ ｒ ｌｋ １４２ （ただしｌはＸ
以下の１以上の正の整数〕で表わされる水素化ケイ素を
製造する方法が提供される。
合あるいは５ｉ−８ｉ結合を有する一般式５ｉ）（Ｈｙ
Ｏｚ（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれ
ぞれ２Ｘ＋２．２Ｘを越えない正の整数であり、どちら
か一方はＯでなく、またＸ＝１の場合は２は０ではない
〕で表わされるケイ素化合物と、−（式中鴇乃至〜は炭
素ａｌ乃至２０の炭化水素基あるいは水素である〕で表
わされる群より選択される鎖状もしくは環状の含チツ素
有機化合物の少なくとも１種とを接触反応させることに
より、一般式Ｓ ｒ ｌｋ １４２ （ただしｌはＸ
以下の１以上の正の整数〕で表わされる水素化ケイ素を
製造する方法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において原料として用いられるケイ素化合物とは
、一般式５ＩｘＨｙＯ２（ただしＸは１以上の正の整数
、ｙおよび２はそれぞれ２ｘ＋２．２Ｘを越えない正の
整数であり、どちらか一方は０でない〕で表わされるも
のであり、分子中に少なくとも一個の５ｉ−Ｈ結合ある
いは５ｉ−８ｉ結合を含む。
、一般式５ＩｘＨｙＯ２（ただしＸは１以上の正の整数
、ｙおよび２はそれぞれ２ｘ＋２．２Ｘを越えない正の
整数であり、どちらか一方は０でない〕で表わされるも
のであり、分子中に少なくとも一個の５ｉ−Ｈ結合ある
いは５ｉ−８ｉ結合を含む。
具体的には例えば、ジシラン（Ｓｉ□Ｈ６）、トリシラ
ン（Ｓ’３Ｈｓ ）、ｎ−テトラシラン（５１４ＨＩＯ
）、イソテトラシラン（５ｉ４Ｈ１Ｏ） 、シクロヘキ
サシラン（５１６Ｈ１２）、ポリシレン（÷ＳｉＨ２÷
ｎ）、ジシロキサン（Ｓｉ２鴇Ｏ〕、トリシロキサン（
””３Ｆ’ａＯｚ ）、テトラシロキサン（５Ｉ４ＨＩ
Ｏ０３）、シロキセン（（Ｓｉ２Ｈ２ｏ）ｎ）などがあ
げられる。これらは２種以上混合してもしくは混合した
ものを用いることも可能である。またこれらは後述する
ようにエーテル、炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素
などの希釈剤もしくは有機溶媒に溶解あるいは懸濁して
使用することも可能であり、気相、液相、固相のいずれ
においても用い得る。
ン（Ｓ’３Ｈｓ ）、ｎ−テトラシラン（５１４ＨＩＯ
）、イソテトラシラン（５ｉ４Ｈ１Ｏ） 、シクロヘキ
サシラン（５１６Ｈ１２）、ポリシレン（÷ＳｉＨ２÷
ｎ）、ジシロキサン（Ｓｉ２鴇Ｏ〕、トリシロキサン（
””３Ｆ’ａＯｚ ）、テトラシロキサン（５Ｉ４ＨＩ
Ｏ０３）、シロキセン（（Ｓｉ２Ｈ２ｏ）ｎ）などがあ
げられる。これらは２種以上混合してもしくは混合した
ものを用いることも可能である。またこれらは後述する
ようにエーテル、炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素
などの希釈剤もしくは有機溶媒に溶解あるいは懸濁して
使用することも可能であり、気相、液相、固相のいずれ
においても用い得る。
また鎖状または環状の含チツ素有機化合物とは、也５
で表わされるものであり、式中鶏乃至Ｒ２７は炭素数１
乃至２０の炭化水素基、水酸基あるいは水素であって、
例えばアルキル基、アルキレン基、アルケニル基、アリ
ール基あるいはこれらの置換 墾誘導基などが
あげられる。
乃至２０の炭化水素基、水酸基あるいは水素であって、
例えばアルキル基、アルキレン基、アルケニル基、アリ
ール基あるいはこれらの置換 墾誘導基などが
あげられる。
炭化水素基を有する具体例としては、アンモニア、ヒド
ラジン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン
、２−エチルヘキシルアミン、アリルアミン、ヘキシル
アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジローブチ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ−
メチルエチルアミン、Ｎ−メチルブチルアミン、Ｎ−エ
チル−Ｎ−メチルプロピルアミン、エチレンジアミン、
トリメチレンジアミン、１，２．５−）リアミノプロパ
ン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン
、ピペリジン、アリルアミン、イソプロパツールアミン
、メチルジ（２−クロルエチルシアミン、アニリン、Ｎ
−メチルアニリン、Ｐ−トルイジン、アニンジン、２−
エチル−Ｐ−７二二レンジアミン、ナフチルアミン、ピ
リジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７、ビロール、α−ピコリン、キノリン、２−ベ
ンゾクランアミン、ホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ、 Ｎ、 Ｎ、
’ Ｎ’−テトラメチル尿素、Ｎ−フェニルチオ尿素、
１，６−シメチルー２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル
ピロリドン、１−グロハンイ會ン、シクロへ駆？、ミ ンオキシム、１，２−シクロヘキサンジカルボキシミド
、アクリロニトリル、アゾメタン、ジアゾメタ／などが
あげられる。これらは２種以上併用することも可能であ
り、後述するような有機溶媒で所望の濃度に希釈して用
いることが好ましい。これらの含チツ素化合物の使用割
合は特に制限はないが、原料のケイ素化合物中のケイ素
に対して、概して０．００１乃至１００倍モルの範囲で
ある。
ラジン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン
、２−エチルヘキシルアミン、アリルアミン、ヘキシル
アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジローブチ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ−
メチルエチルアミン、Ｎ−メチルブチルアミン、Ｎ−エ
チル−Ｎ−メチルプロピルアミン、エチレンジアミン、
トリメチレンジアミン、１，２．５−）リアミノプロパ
ン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン
、ピペリジン、アリルアミン、イソプロパツールアミン
、メチルジ（２−クロルエチルシアミン、アニリン、Ｎ
−メチルアニリン、Ｐ−トルイジン、アニンジン、２−
エチル−Ｐ−７二二レンジアミン、ナフチルアミン、ピ
リジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７、ビロール、α−ピコリン、キノリン、２−ベ
ンゾクランアミン、ホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ、 Ｎ、 Ｎ、
’ Ｎ’−テトラメチル尿素、Ｎ−フェニルチオ尿素、
１，６−シメチルー２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル
ピロリドン、１−グロハンイ會ン、シクロへ駆？、ミ ンオキシム、１，２−シクロヘキサンジカルボキシミド
、アクリロニトリル、アゾメタン、ジアゾメタ／などが
あげられる。これらは２種以上併用することも可能であ
り、後述するような有機溶媒で所望の濃度に希釈して用
いることが好ましい。これらの含チツ素化合物の使用割
合は特に制限はないが、原料のケイ素化合物中のケイ素
に対して、概して０．００１乃至１００倍モルの範囲で
ある。
次に本発明におけるケイ素化合物と含チツ素有機化合物
との接触方法について述べる。具体的には気相、液相、
固相のいずれの方法においても行なうことができ、最も
実施し易い方法として、例えば以下のような方法を採用
できる。
との接触方法について述べる。具体的には気相、液相、
固相のいずれの方法においても行なうことができ、最も
実施し易い方法として、例えば以下のような方法を採用
できる。
（１）溶媒中にケイ素化合物と含チツ素化合物を溶解さ
せ、液相中にて反応させる。
せ、液相中にて反応させる。
（２）溶媒に溶解、乳濁あるいは懸濁させた含チツ素化
合物にガス状のケイ素化合物を流通させ反応させる。
合物にガス状のケイ素化合物を流通させ反応させる。
本発明は、もちろんこれらの方法に限定されるものでな
い。ここで用いられる溶媒としては、例えばケイ素ｆヒ
合物に対する溶解性にすぐれているエーテル、炭化水素
、ハロゲン化炭化水素などがあげられる。更に具体的に
は、ジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、エチ
ル−１−クロルエチルエーテル、エチレングリコールジ
メチルエーテル、テトロヒドロフラン、ジオキサン、ジ
フェニルエーテル、１，１−ジェトキシエタン、アニソ
ール、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、１−ヘプテン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、
トルエン、塩化メチル、三フッ化三塩化エタン、ニフン
化エタン、四フッ化二塩化エタン、水、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、グリ
セリン、フェノール、シリコーンオイルなどがあげられ
る。
い。ここで用いられる溶媒としては、例えばケイ素ｆヒ
合物に対する溶解性にすぐれているエーテル、炭化水素
、ハロゲン化炭化水素などがあげられる。更に具体的に
は、ジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、エチ
ル−１−クロルエチルエーテル、エチレングリコールジ
メチルエーテル、テトロヒドロフラン、ジオキサン、ジ
フェニルエーテル、１，１−ジェトキシエタン、アニソ
ール、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、１−ヘプテン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、
トルエン、塩化メチル、三フッ化三塩化エタン、ニフン
化エタン、四フッ化二塩化エタン、水、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、グリ
セリン、フェノール、シリコーンオイルなどがあげられ
る。
これらは２種以上混合して用いることもできる。
反応温反については特に制限はないが好ましくはＱ乃至
１００℃、液相で行なう場合には室温でも反応は充分進
行する。また反応時間は反応様式によって異なるが、好
ましくは１分乃至４８時間である。反応温度、反応時間
（接触時間）、反応様式等の反応条件は目的とする生成
水素化ケイ素が該含チツ素有機化合物によってさらに分
解しないよう考慮して選択する必要がある。例えばＳｉ
Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ６の調造を目的とする場合には、これら
のシラン類も該含チツ素有機化合物によって更に分解す
るため、接触時間があまりに長過ぎるとＳｉＨ，、Ｓｉ
２Ｈ６の収率が低下し好ましくない。
１００℃、液相で行なう場合には室温でも反応は充分進
行する。また反応時間は反応様式によって異なるが、好
ましくは１分乃至４８時間である。反応温度、反応時間
（接触時間）、反応様式等の反応条件は目的とする生成
水素化ケイ素が該含チツ素有機化合物によってさらに分
解しないよう考慮して選択する必要がある。例えばＳｉ
Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ６の調造を目的とする場合には、これら
のシラン類も該含チツ素有機化合物によって更に分解す
るため、接触時間があまりに長過ぎるとＳｉＨ，、Ｓｉ
２Ｈ６の収率が低下し好ましくない。
反応中に用いる雰囲気ガスとしては、該ケイ素化合物あ
るいは水素化ケイ素と反応しないものが望ましく、例え
ば水素、ヘリウム、アルゴン、チッ素などが好適なもの
として用いられる。又本反応は通常、常圧下にて行なう
が加圧下にても行ない得る。
るいは水素化ケイ素と反応しないものが望ましく、例え
ば水素、ヘリウム、アルゴン、チッ素などが好適なもの
として用いられる。又本反応は通常、常圧下にて行なう
が加圧下にても行ない得る。
〔発明を実施するための好ましい形態〕以下、本発明を
実施例によってより具体的に説明する。
実施例によってより具体的に説明する。
実施例１
容量４ｇのセパラブルフラスコに、６３度２０ Ｗｔチ
の塩酸水溶液２ｇ、ジエチルエーテル３００，９を装入
した。水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流している条
件下（反応温度３５℃）で更にケイ化マグネシウム６０
．９を（粒度１００乃至２００メツシユ、７８２訊σｆ
−８ｉ）攪拌しながら２００分かけて、０．３ ｇ／ｙ
ｍ↓ｎの一定速度で加え続げた。
の塩酸水溶液２ｇ、ジエチルエーテル３００，９を装入
した。水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流している条
件下（反応温度３５℃）で更にケイ化マグネシウム６０
．９を（粒度１００乃至２００メツシユ、７８２訊σｆ
−８ｉ）攪拌しながら２００分かけて、０．３ ｇ／ｙ
ｍ↓ｎの一定速度で加え続げた。
反応終了後（ケイ化マグネシウム投入終了後〕、反応液
を０°Ｃに冷却し、静置後、ジエチルエーテル要約０．
４４を分離した。反応器中の酸性水溶液は８０℃にまで
昇温し、溶解している少量のジエチルエーテルを追出し
、上記二層分離したジエチルエーテル層と混合した。反
応中、二層分離および酸性水溶液の加熱処理の操作の間
に生成したガスは、初め一７０℃に冷却したジエチルエ
ーテルの入ったトラップ（トラップ（■））にて、次に
液体チン素温度で冷却したトラップ（トラップ（■））
にて捕集した。
を０°Ｃに冷却し、静置後、ジエチルエーテル要約０．
４４を分離した。反応器中の酸性水溶液は８０℃にまで
昇温し、溶解している少量のジエチルエーテルを追出し
、上記二層分離したジエチルエーテル層と混合した。反
応中、二層分離および酸性水溶液の加熱処理の操作の間
に生成したガスは、初め一７０℃に冷却したジエチルエ
ーテルの入ったトラップ（トラップ（■））にて、次に
液体チン素温度で冷却したトラップ（トラップ（■））
にて捕集した。
次に二層分離後のジエチルエーテル層およびトラップ（
Ｉ）中のエーテルを混合したものを、実段数約３段の蒸
留塔にて蒸留し、ＳｉＨ４，５ｉ２１−Ｉ、を蒸留分離
し、８ｉＨ，（ｂｐ−１１２℃〕、５１２Ｈ６（ｂｐ−
１４，５℃）を液体チン素温度で冷却したトラップ（Ｉ
［）中に追加、捕集した。トラップ（Ｉ［）および蒸留
後のジエチルエーテル層に残ったＳｉＨ，，５ｉ２ｆ−
１，、，５ｉ３Ｈａ 、５Ｉ４ＨＩＯの量は、ガスクロ
マトグラフにより分析、定量した。
Ｉ）中のエーテルを混合したものを、実段数約３段の蒸
留塔にて蒸留し、ＳｉＨ４，５ｉ２１−Ｉ、を蒸留分離
し、８ｉＨ，（ｂｐ−１１２℃〕、５１２Ｈ６（ｂｐ−
１４，５℃）を液体チン素温度で冷却したトラップ（Ｉ
［）中に追加、捕集した。トラップ（Ｉ［）および蒸留
後のジエチルエーテル層に残ったＳｉＨ，，５ｉ２ｆ−
１，、，５ｉ３Ｈａ 、５Ｉ４ＨＩＯの量は、ガスクロ
マトグラフにより分析、定量した。
トラップ（ｎ）およびジエチルエーテル層中のシラン類
の量は以下に示す値であった。
の量は以下に示す値であった。
またジエチルエーテル層中の８ｉ量を比色分析したとこ
ろ含有量３２４ ｙｙｚ−ｎｔｌであった。またＩＲス
ペクトルにより、該ケイ素化合物中にはＳｉ −８ｉ結
合、Ｓｉ −Ｈ結合の他にＳｉ −０−８ｉ結合が相当
量存在することが認められた。これに更にジエチルエー
テルを追加し、ジエチルエーテル溶−Ｍ（Ｉ）０゜５１
を得た。この溶液（１）中のＳｌ濃度は０．６５３Ｑ、
ｙｆ Ｓｉ ａｋｎ／ｍｌｉｅｒ１ｍ 、ま１コ５ｉ３
ＨイＳｉ、Ｈ，ｏの儂度はそれぞれＱ、 ０３２ｍｍｒ
ｌ ／ｍｌ ｉＪｍ、 、 ０．０２０ ｍｙｎｖ’／
’ルｒＪＬｍであった。
ろ含有量３２４ ｙｙｚ−ｎｔｌであった。またＩＲス
ペクトルにより、該ケイ素化合物中にはＳｉ −８ｉ結
合、Ｓｉ −Ｈ結合の他にＳｉ −０−８ｉ結合が相当
量存在することが認められた。これに更にジエチルエー
テルを追加し、ジエチルエーテル溶−Ｍ（Ｉ）０゜５１
を得た。この溶液（１）中のＳｌ濃度は０．６５３Ｑ、
ｙｆ Ｓｉ ａｋｎ／ｍｌｉｅｒ１ｍ 、ま１コ５ｉ３
ＨイＳｉ、Ｈ，ｏの儂度はそれぞれＱ、 ０３２ｍｍｒ
ｌ ／ｍｌ ｉＪｍ、 、 ０．０２０ ｍｙｎｖ’／
’ルｒＪＬｍであった。
一１５℃に設定した還流コンデンサーを取り付けた内容
積約５ｏｍｌの反応器に、ジメチルホルミアミド５．０
ｍｌを入れ、さらに上記のジエチルエーテル溶液（１
）を１ｏｍｂ装入し２５℃にて反応を行なった。反応は
撹拌しながら行ない、また雰囲気ガスは水系とし、生成
したガスは液体チッ素温度で冷却したトラップ中に捕集
した。２時間後反応を停止し、トラップ中の５ｉＩ（、
、Ｓｉ２Ｈ６の量をガスクロマトグラフにより分析、定
量した。
積約５ｏｍｌの反応器に、ジメチルホルミアミド５．０
ｍｌを入れ、さらに上記のジエチルエーテル溶液（１
）を１ｏｍｂ装入し２５℃にて反応を行なった。反応は
撹拌しながら行ない、また雰囲気ガスは水系とし、生成
したガスは液体チッ素温度で冷却したトラップ中に捕集
した。２時間後反応を停止し、トラップ中の５ｉＩ（、
、Ｓｉ２Ｈ６の量をガスクロマトグラフにより分析、定
量した。
ＳｉＨ，，５ｉ２Ｉ−Ｉ６の量は、それぞれ２０４醜り
１．０、２２ ｙｎｙｕｙｉで、これは反応液として用
いたジエチルエーテル中のケイ素の３７．．９ ％に相
当する。
１．０、２２ ｙｎｙｕｙｉで、これは反応液として用
いたジエチルエーテル中のケイ素の３７．．９ ％に相
当する。
またＳｉＨ４とＳｉ２Ｈ６の生成割合はケイ素アトムベ
ースで（ＳｉＨ，／５ｉ２）（６＝４．６４ ）であっ
た。
ースで（ＳｉＨ，／５ｉ２）（６＝４．６４ ）であっ
た。
実施例２乃至１１
実施例１において、ジメチルホルミアミドのかわりにジ
エチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
アニリン、Ｎ−メチルアニリン、ピリジン、α−ピコリ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、アンモニア水（濃度２８ｗｔ％）をそれぞれ５ ｒ
ｎｌ用いた以外は実施例１と同様に実験を行なった。
エチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
アニリン、Ｎ−メチルアニリン、ピリジン、α−ピコリ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、アンモニア水（濃度２８ｗｔ％）をそれぞれ５ ｒ
ｎｌ用いた以外は実施例１と同様に実験を行なった。
結果を第１表に示す。
実施例１２．１５．１４
実施例１において、ケイ化マグネシウムと塩酸との反応
をジエチルエーテルのかわりに、テトラヒドロビラン、
ジオキサン、四フッ化二塩化エタンを用いて行ない、そ
れぞれ下記に示すケイ素化合物の溶液を得た。
をジエチルエーテルのかわりに、テトラヒドロビラン、
ジオキサン、四フッ化二塩化エタンを用いて行ない、そ
れぞれ下記に示すケイ素化合物の溶液を得た。
実施例’ＩＩＫ−おいて、ジエチルエーテル溶液（１）
のかわりにそれぞれ上記の溶液１ａｒｎｌとジメチルホ
ルムアミド５Ｍと反応させた以外は実施例１と同様に実
験を行なった。
のかわりにそれぞれ上記の溶液１ａｒｎｌとジメチルホ
ルムアミド５Ｍと反応させた以外は実施例１と同様に実
験を行なった。
結果を第１表に示す。
実施例１５１６
実施例１において、ジエチルエーテル溶液（ＩＩ）のか
わりにＳｉ３八および５ｉＨ５Ｏ８ｉ Ｈ，Ｏ８訂、を
それぞれ０．２２４ ｙｍｎｅｒ−１７ｍ１ａｅｒ１．
ｙｎ、 α２５８ ｍｙｎ、ｔｒ １／ｒｕｇ、ｓｔ
、ｌ、。
わりにＳｉ３八および５ｉＨ５Ｏ８ｉ Ｈ，Ｏ８訂、を
それぞれ０．２２４ ｙｍｎｅｒ−１７ｍ１ａｅｒ１．
ｙｎ、 α２５８ ｍｙｎ、ｔｒ １／ｒｕｇ、ｓｔ
、ｌ、。
含むジエチルエーテル溶液を用いた以外は実施例１と同
様に実験を行なった。
様に実験を行なった。
結果を第１表に示す。
実施例１７
一１５℃に設定した還流コンデンサーを取付けた内容積
約５ｏｒｎｌの円筒型の反応器に、ジメチルホルムアル
デヒドを１ａｒｒｔｌ装入し、これに水素ガスで希釈し
たＳｉ、Ｈ８のガス（濃度５．５ ｖｖｌチ〕を１ｍｍ
ｚＪＬ／ｈｒの一定速度で、室温下にて６時間吹込んだ
。生成ガスは液体チツ累で冷却したトラップ中に捕集し
、反応終了後ガスクロマトグラフによりＳｉＨ，、Ｓｉ
２への量を定量した。
約５ｏｒｎｌの円筒型の反応器に、ジメチルホルムアル
デヒドを１ａｒｒｔｌ装入し、これに水素ガスで希釈し
たＳｉ、Ｈ８のガス（濃度５．５ ｖｖｌチ〕を１ｍｍ
ｚＪＬ／ｈｒの一定速度で、室温下にて６時間吹込んだ
。生成ガスは液体チツ累で冷却したトラップ中に捕集し
、反応終了後ガスクロマトグラフによりＳｉＨ，、Ｓｉ
２への量を定量した。
結果を第１表に示す。
〔発明の効果及び産業上の利用可能性〕以上のごとく、
本発明は種々の方法により、例えばＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ
６などの水素化ケイ素を製造する場合において副生ずる
一般式Ｓ Ｉ ＸＨＹＯｚで表わされるケイ素化合物の
一部を、含チツ素化合物と接触させることにより、きわ
めて容易にかつ収率良く有用；”、（ＳｉｎいＳｉ２Ｈ
６等に変え得るもので、その産業上の利用可能性はきわ
めて高いといわねばならない。なお、本発明の方法を従
来のＳｉＨ，，５１２Ｈ６等の水素化ケイ素の製造プロ
セスにおいて適用することにより、該プロセス自体の経
済性が大幅に向上することはいうまでもない。
本発明は種々の方法により、例えばＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ
６などの水素化ケイ素を製造する場合において副生ずる
一般式Ｓ Ｉ ＸＨＹＯｚで表わされるケイ素化合物の
一部を、含チツ素化合物と接触させることにより、きわ
めて容易にかつ収率良く有用；”、（ＳｉｎいＳｉ２Ｈ
６等に変え得るもので、その産業上の利用可能性はきわ
めて高いといわねばならない。なお、本発明の方法を従
来のＳｉＨ，，５１２Ｈ６等の水素化ケイ素の製造プロ
セスにおいて適用することにより、該プロセス自体の経
済性が大幅に向上することはいうまでもない。
Claims (4)
- （１）分子中に少なくとも一個のＳｉ−Ｈ結合あるいは
Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する一般式Ｓｉ＿ｘＨ＿ｙＯ＿ｚ（
ただしｘは１以上の正の整数、ｙおよびｚはそれぞれ２
ｘ＋２、２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方は
０ではなく、またｘ＝１の場合はｚは０ではない）で表
わされるケイ素化合物と、一般式▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒ
＿８＝Ｎ−Ｒ＿９ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、Ｒ＿２＿４−Ｃ≡Ｎ、 Ｒ＿２＿５−Ｎ＝Ｒ＿２＿６あるいはＲ＿２＿７−Ｎ≡
Ｎ（式中Ｒ＿１乃至Ｒ＿２＿７は炭素数１乃至２０の炭
化水素基、水酸基あるいは水素である）で表わされる群
より選択される鎖状もしくは環状の含チツ素有機化合物
の少なくとも１種とを接触反応させることにょり、一般
式Ｓｉ＿ｌＨ＿２＿ｌ＿＋＿２（ただしｌはｘより小さ
い正の整数）で表わされる水素化ケイ素を製造する方法
。 - （２）ケイ素化合物（Ｓｉ＿ｘＨ＿ｙＯ＿ｚ）が一般式
Ｓｉ＿ｘＨ＿２＿ｘ＿＋＿２（ｘは２以上の正の整数）
で表わされる特許請求の範囲第（１）項に記載の方法。 - （３）水素化ケイ素（Ｓｉ＿ｌＨ＿２＿ｌ＿＋＿２）が
ＳｉＨ＿４あるいはＳｉ＿２Ｈ＿６である特許請求の範
囲第（１）項に記載の方法。 - （４）ケイ素化合物が有機溶媒に溶解している特許請求
の範囲第（１）項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17566384A JPS6153110A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17566384A JPS6153110A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153110A true JPS6153110A (ja) | 1986-03-17 |
| JPH0480849B2 JPH0480849B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=16000043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17566384A Granted JPS6153110A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015048298A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社日本触媒 | 水素化シラン化合物の保管方法 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17566384A patent/JPS6153110A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015048298A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社日本触媒 | 水素化シラン化合物の保管方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480849B2 (ja) | 1992-12-21 |
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