TWI524960B - 基板及基板加工方法 - Google Patents

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TWI524960B
TWI524960B TW102103674A TW102103674A TWI524960B TW I524960 B TWI524960 B TW I524960B TW 102103674 A TW102103674 A TW 102103674A TW 102103674 A TW102103674 A TW 102103674A TW I524960 B TWI524960 B TW I524960B
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鈴木秀樹
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信越聚合物股份有限公司
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Description

基板及基板加工方法
本發明是有關如矽單結晶基板的基板及基板的加工方法。
以往，在製造矽(Si)晶圓所代表的半導體晶圓時，係將在石英坩鍋內已熔融的矽熔液經凝固之圓柱形錠(ingot)，切斷成適當長度的塊體(block)，將其周邊部以成為目標直徑之方式加以研削，之後，將塊狀化之錠以線鋸切片成晶圓形，製造半導體晶圓。(例如，參照專利文獻1及2)。
藉如此操作所製造之半導體晶圓，是藉由在前段步驟中依序實施形成電路圖案等各種處理並提供至後段步驟，在該後段步驟中藉由背面經過背面研磨(back grind)處理以謀求薄片化，而使厚度從約750μm調整到100μm以下，例如75μm或50μm左右。
以往的半導體晶圓是以上述操作而製造，錠是經由線鋸而切斷，並且，因為在切斷之際需要線鋸之厚度以上的刀身的預留長度，故非常難以製造厚度在0.1mm以下之薄的半導體晶圓，也有製品率不能提高的問 題。
另一方面，已被揭示的技術，將高開口數(numerical aperture)之集光透鏡與由玻璃板所成的像差增強材組合，藉由波長1064nm之脈衝狀雷射而在矽晶圓的內部實施加工後，將其黏貼在剛性基板、並剝離，得到薄的單結晶矽基板(參照專利文獻3)。
依此技術，在矽基板內部形成有厚度100μm左右之加工層。因此，由結晶性基板多數切片(slice)成厚度0.1mm左右之薄基板時，材料之產率會有極限。又，例如，即使將矽用紅外線觀察用像差增強材排除，加工層的厚度也無法大幅度減少。
再者，使用NA0.5左右之物鏡的情形，加工層的厚度雖是減少，但光量減少而無法充分實施加工層之處理，難以進行實際剝離。相對於此，增加照射次數並充分實施加工層的處理時，因為必需以1μm間距(pitch)的照射佈滿2維的加工區域，需要龐大的次數照射脈衝，實用上是有照射時間的問題存在。
又，在此說明書中，除了有另外說明的情形之外，一般是將晶圓稱為基板。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2008-200772號公報
專利文獻2：日本特開2005-297156號公報
專利文獻3：日本特開2011-60862號公報
本發明是針對上述課題之發明，目的是提供基板及基板的加工方法，其係在結晶性基板之內部，藉由雷射光照射而形成內部加工層，以內部加工層作為界線進行剝離用之基板及加工方法，且雷射光源之選擇品項廣，內部加工層之厚度薄，並且，以少數之雷射脈衝照射，而有效形成內部加工層。
為了解決上述課題，本發明相關之基板是單結晶之基板，前述基板在其內部具有一種改質層，該改質層形成有具有與該基板之結晶方位不同結晶方位的周期結構，前述周期結構是相連結者。
前述周期結構，係藉由雷射集光手段將雷射光向前述基板的表面照射而形成，前述雷射集光手段，較佳係以下述方式而構成者：在前述基板的內部，使前述雷射光與光軸呈軸對稱地集光，同時入射到前述雷射集光手段之外周部的光，比入射到前述雷射集光手段之內周部的光，在更接近前述雷射集光手段側集光。
前述周期結構，係以將前述雷射集光手段與前述基板相對地移動，以藉由前述雷射集光手段向前述基板照射雷射光而形成者為佳。
前述周期結構是以在前述基板中，藉由將 前述雷射光之集光點進行相變化而形成者為佳。
前述改質層是以具有所預定之厚度，且由前述單結晶基板之表面起在所預定之深度中形成者為佳。
前述改質層是以與前述基板之表面平行地形成者為佳。
前述改質層是以與前述基板之表面平行地形成複數個為佳。
前述基板之表面是以鏡面為佳。
前述基板是以矽單結晶基板或是碳化矽(Silicon carbide)單結晶基板為佳。
本發明相關的基板加工方法，具有：提供單結晶基板的步驟；以及藉由向前述基板的表面以雷射集光手段照射雷射光，在前述基板之內部形成有具有與該基板結晶方位不同之結晶方位的周期結構之改質層的步驟；其中，前述雷射集光手段，是以下述方式而構成者：使前述雷射光與光軸呈軸對稱地集光，同時在前述基板內部，入射到前述雷射集光手段之外周部的光，比入射到前述雷射集光手段之內周部的光，在更接近前述雷射集光手段側集光。
以復具有將前述雷射集光手段與前述基板相對地移動之步驟為佳。
前述周期結構，係以在前述基板中藉由將前述雷射光的集光點進行相變化而形成者為佳。
前述改質層是以具有所預定之厚度，且由 前述單結晶基板之表面起之所預定的深度形成者為佳。
前述改質層是以與前述基板的表面平行地形成者為佳。
前述改質層是以與前述基板的表面平行地形成複數個為佳。
前述基板的表面是以鏡面為佳。
前述基板是以矽單結晶基板或是碳化矽單結晶基板為佳。
以藉由將前述基板以前述改質層剝離而割斷為佳。
10‧‧‧基板
14‧‧‧內部改質層
20、21‧‧‧金屬板
25‧‧‧接著劑
50‧‧‧割斷裝置
52‧‧‧架台
54‧‧‧割斷治具
100‧‧‧基板內部加工裝置
110‧‧‧平台
120‧‧‧平台支撐部
150‧‧‧雷射光源
160‧‧‧雷射集光部
170‧‧‧物鏡
180‧‧‧平凸透鏡
190‧‧‧雷射光
第1圖係表示基板內部加工裝置的斜視圖。
第2圖係表示載置基板之平台(stage)的俯視圖。
第3圖係表示載置基板之平台的截面圖。
第4圖係說明對基板照射雷射光之圖。
第5圖係表示對基板照射雷射光的第1實施形態之圖。
第6圖係表示對基板照射雷射光的第2實施形態之圖。
第7圖(a)及(b)係說明基板之像差之參考圖。
第8圖係表示對基板照射雷射光的第3實施形態之圖。
第9圖係表示對基板照射雷射光的第4實施形態之 圖。
第10圖係表示割斷裝置之正視圖。
第11圖係說明將基板自金屬板在水中剝離之圖。
第12圖係表示雷射集光部之具體例示之圖。
第13圖係表示雷射集光部之其他具體例示之圖。
第14圖係表示實施例1之內部改質層的截面之像片。
第15圖係表示實施例2表面側的截面之像片。
第16圖係表示實施例2背面側的截面之像片
第17圖係表示實施例3表面側的截面之像片。
第18圖係表示實施例3背面側的截面之像片。
第19圖係表示實施例4表面側的截面之像片。
第20圖係表示實施例4背面側的截面之像片。
第21圖係表示比較例1表面側的截面之像片。
第22圖係表示比較例1背面側的截面之像片。
第23圖係表示比較例2表面側的截面之像片。
第24圖係表示比較例2背面側的截面之像片。
其次，參照圖式，說明本發明的實施形態，以下圖式之記截中，對於相同或是類似之部分附上相同或類似的符號。但是，圖式是示意圖，厚度與平面尺寸的關係、各層的厚度比率等與現實者不同，這點需要留意。因此，具體的厚度或尺寸是斟酌以下的說明而判斷。又，當然也包含在圖式相互間彼此的尺寸關係或比率不同的部 分。
又，在以下所示之實施形態，係例示用以將此發明的技術思想具體化之裝置或方法者，此發明的實施形態，結構構件的材質、形狀、結構、配置等並不限於下述者。此發明的實施形態，在申請專利範圍中，可以加上各種變更。
(基板內部加工裝置的構成)
第1圖係表示基板內部加工裝置100之構成的斜視圖。基板內部加工裝置100，具有：平台110，與以使平台110可朝XY方向移動之方式支撐的平台支撐部120，與配置在平台110上以固定基板10的基板固定工具130。
又，基板內部加工裝置100具有：雷射光源150，與雷射集光部160，其中，雷射集光部160將由雷射光源150發出之雷射光190集光並向基板10照射。雷射集光部160具有物鏡170及平凸透鏡180。
第2圖係表示在平台110上所放置之基板10的俯視圖。第3圖係表示在平台110上所放置之基板10的截面圖。
基板10是在平台110上，藉由基板固定工具130而支撐。基板固定工具130，是藉由在其上所設置的固定桌125來固定基板10。固定桌125，可以適用通常的黏著層、機械性卡盤(chuck)、靜電卡盤等。
在對基板10集光並照射之雷射光190的集 光點P，係在基板10之內部，由表面在所預定深度區域形成所預定形狀之軌跡12，藉此可在表面的水平方向形成2維狀的內部改質層14。
第4圖係說明在基板10中之內部改質層14的形成之圖。在基板內部加工裝置100中，雷射光190是隔著雷射集光部160之物鏡170及平凸透鏡180向基板10照射，並在基板10內部集光。
本實施形態中，雷射集光部160係以下述方式而構成，雷射集光部160之出射雷射光190相對於其光軸呈軸對稱，在基板10之內部中，雷射光190的外周側成分190b之光線交叉的集光點P2，比雷射光190的內周側190a成分之光線交叉的集光點P1，更接近雷射集光部160側。
換言之，因為基板10的表面與雷射集光部160相對面，故雷射光190之外周側成分190b的集光點P2，比雷射光190之內周側190a的集光點P1，更接近物鏡170及平凸透鏡180側，即從基板10之表面起之淺位置。
此種狀態，可以看成係藉由基板10雷射光190產生之像差過度補正之狀態，可以稱為所謂的過度補正焦點之「失焦」狀態。藉由如此之狀態，在基板10之一定深度範圍中，可實質地限定雷射光的徑，可以確保在該區域中用以形成內部改質層14之充分的能量密度。在圖中是表示於一定的深度範圍t中所形成之內部改質層14。
內部改質層14，具有多結晶矽之多結晶 粒，該多結晶矽之多結晶粒係藉由對基板10將雷射光190集光照射，熔融矽單結晶後，冷卻，結合狀態變化所形成者。
如此所形成的內部改質層14，係藉由將雷射光190以周期性的間隔照射而具有周期結構，該周期結構具有與矽單結晶的結晶方位為不同結晶方位之多結晶。不用說，不同結晶方位的多結晶與矽單結晶皆是由同一元素之矽所成者。
內部改質層14，為了提高後述之割斷步驟中之產慮，以在基板10的端部露出為佳。露出內部改質層14的方法，可以利用結晶方位的劈開(cleavage)，也可以利用雷射光190。
說明有關使用如此之雷射集光部160，對基板10進行照射雷射光190的實施形態。第5圖係表示第1實施形態的圖。第5圖中，簡單方便上，將雷射集光部160以平凸透鏡180來代表，在橫方向記載光軸，雷射光之集光是藉由包含平凸透鏡180之雷射集光部160全體而進行者。
在此第1實施形態中，藉由雷射集光部160所集光之雷射光190，係向基板10的表面照射。此雷射光190，係藉由基板10而折射，由光軸起之高位置之外周側成分，比由光軸起之低位置之內周側成分，在由基板10表面起之更淺的位置集光。換言之，外周側的光比內周側的光在更接近雷射集光部190的位置集光。
又，雷射集光部160相對於基板10的位置，可藉由未圖示之集光調整部而移動。此集光調整部，如後述般是藉由調整雷射集光部160與基板10的距離等，而調整在基板10中的雷射光190之集光位置、集光形狀等。如此之集光調整部可使用以往的技術而輕易地實現。
第6圖是說明對基板照射雷射光的第2實施形態之圖。在第2實施形態中，雷射集光部160與基板10的距離比第1實施形態更為擴大，藉由雷射集光部160所集光之雷射光190，是以將基板10之表面當作焦點之方式而藉由集光調整部來調整。
此第2實施形態，例如，如第1實施形態所示般，在基板10內部設定集光點之前，可在初期設定時使用雷射集光部190相對於基板10的位置。即，藉由未圖示之集光調整部，在第2實施形態中，雷射光190從將基板10之表面當作焦點的初期狀態，藉由雷射集光部190與基板10的表面距離縮短直至預定值，如第1實施形態般，在基板10內部可以形成所期望的集光點。又，如此之初期設定，不限定於基板10的表面，在基板10之背面也可以進行焦點之聚焦。
第7圖是說明在基板中之像差之參考圖。此參考圖，係為了與第1實施形態對比，顯示在沒設置雷射集光部160時產生的像差者。例如，相當於只設置通常的物鏡的情形。
第7圖(a)中，與第2實施形態同樣，將基 板10的表面當作焦點而將雷射光190集光。由此狀態將基板10沿著光軸移動到入射方向以使雷射光190在基板10內集光。此情形，如第7圖(b)所示，由光軸起之高度高之光外周側的成分，比由光軸起之高度低之內周側的成分，在由基板10表面起之更深的位置集光。
此狀態，由光軸起之高度高的外周側成分比由光軸起之高度低的內周側成分在更淺位置集光的第1實施形態，係光線的高度與基板10中之集光點的深度成為相反的關係。換言之，外周側的成分比內周側的成分在更淺的位置集光之第1實施形態，係藉由設置雷射集光部160而初次可實現者。
第8圖是表示對基板照射雷射光之第3實施形態之圖。第3實施形態中，藉由未圖示之集光點調整部，以縮短雷射集光部160與基板10表面的距離之方式來調整，以在基板10內之基板10背面附近形成雷射光190的集光點之方式而調整者。藉由此集光點，在基板10背面附近形成平行基板10表面的內部改質層14。
第9圖是表示對基板照射雷射光之第4實施形態之圖。第4實施形態中，由第3實施形態在基板10背面附近形成內部改質層14a後，藉由未圖示之集光點調整手段，以雷射集光部160與基板10表面的距離擴大之方式而調整，以在基板10內之基板10的表面附近形成雷射光190的集光點者。藉由此集光點，在基板10的表面附近形成平行基板10表面的第2內部改質層14b。又，內部改 質層14是不限定於如該第4實施例般只有2層，也可以有2層以上之複數層。
(基板的割斷)
第10圖是表示割斷裝置的正視圖。依據第3或第4實施形態而形成有內部改質層14的基板10，使用此割斷裝置在內部改質層14割斷。
在該割斷裝置50中，於架台52上載置著結構體40，該結構體40是由使用接著劑在基板10之兩面接著第1及第2的金屬板20、21而成之結構體。作為此接著劑者，只要是比形成基板10之內部改質層14附近區域的多結晶粒的凝集力更強力的接著劑即可，例如，可以使用由以金屬離子作為反應起始劑的硬化嫌氣性丙烯酸系二液單體成分所成的接著劑25。
結構體40，可以利用第2金屬板21所設置的貫孔而固定在架台52上。此狀態中，對第1金屬板20藉由割斷治具(jig)54施加向下的擠壓力。藉此，基板10受到接著第1及第2金屬板20、21之上面及下面的兩方向之相反方向之力，當力超過預定的臨界值之時，基板10被分割，結構體40分離成上下2個。
(基板之剝離)
第11圖是說明在水中由金屬板20將基板10剝離之方法之圖。在水槽60中所貯存之80至100℃的溫水中，浸漬金屬板20、21使用接著劑25所接著的基板10。經過所預定的時間時，接著劑25與水產生預定的反 應，因為由接著劑25會失去接著力，故藉由在水中自基板10剝離接著劑25，可以自金屬板20、21分離出基板10。
藉由將如此之接著劑25經剝離之基板10乾燥，可以得到最終分割的基板。又，如第4實施形態，有複數個內部改質層14a、14b存在的情形，可藉由重覆數次基板10之割斷步驟，分割有複數個的每個內部改質層。
(雷射集光部的具體例)
第12圖表示雷射集光部之具體例之圖。在此具體例中，雷射集光部160係藉由例如組合以高NA且運作距離長的物鏡170，與設置在基板10表面側的平凸透鏡180而實現。
具體上，有關由厚度1mm的單結晶矽所成之基板10的內部加工，可以在由基板10的表面側起0.14mm的位置，放置焦點距離15mm的玻璃製平凸透鏡180(sigma光機：SLB-10-15P)，並與NA=0.3的物鏡170(sigma光機：EPL-10)組合。
在如此之雷射集光部160中，未圖示之集光點調整部係以下述方式而構成，藉由平凸透鏡80與基板10表面的距離來調整集光點的形狀，並且藉由物鏡170與基板10表面的距離來調整集光點的位置。
第13圖係表示雷射集光部之其他具體例之圖。其他具體例，藉由NA=0.5至0.9的具有修正環的矽用紅外線物鏡而實現。具體上，例如使用奧林巴斯(Olympus)製透鏡LCPLN 100XIR的情形，將內部加工層14設置在從 結晶10之表面起300μm的位置時，將修正環設定在0.6 mm，於基板10內，可以使入射到雷射集光部160之外周部的光，比入射到內周部之光，在更接近雷射集光160側集光之方式來設定。
依該其他實施例時，不需如前述實施例之物鏡170及平凸透鏡180之複數個構成構件，因為可以藉由單一的附有修正環之物鏡而構成，故裝置的構成變簡單，操作變容易。
又，該其他具體例中，在基板10的更表面側形成內部改質層14的情形，則必需使雷射集光手段160與基板10表面的距離大。此情形，為了抑制雷射光190對基板10表面的影響，將虹膜式光圈或擴光束鏡等光束徑調整手段設置在雷射集光部160之入射側，以降低雷射光190的外周側成分的光量。
實施例 [實施例1]
實施例1中，作為基板內部加工裝置100之雷射光源150使用波長1064nm，重覆頻率200kHz，輸出功率1.6W，脈衝寬度10nm者。在基板內部加工裝置100中，於x軸、y軸方向可以分別以最大速度200mm/s移動之xy平台110上，載置並固定大小50x50mm，厚度0.7 mm，表面為鏡面加工的由單結晶矽而成的基板10。
雷射集光部160，是使用NA=0.85之附有修正環210的物鏡200(奧林巴斯製LCPLN 100XIR)。然後， 將修正環210設定為0 mm後，藉由參考光束而觀察，以由物鏡200所照射之光在基板10的表面上形成焦點方式，來決定物鏡200相對於基板10的表面之位置。此時，物鏡200與基板10的間隔是0.6 mm。
接著，以此位置作基準，將物鏡200向基板10的表面移動0.06 mm。以此狀態將修正環210之設定當作0.6mm，將平台110在x方向以200mm/s的速度移動，再於y方向傳送10μm，重覆10次，由物鏡200向基板10將雷射光190以10μm之間隔分別照射10條的直線狀。
在直線狀的照射方向，進行將此基板10直角劈開，觀察截面。結果，如第14圖所示，自基板10鏡面側表面起在0.3mm深度可確認加工區域的長度為30μm，並且隣接之加工痕跡彼此為連結的狀態。此加工痕跡，係藉由雷射照射，經由熔解及冷卻使單結晶結構變成多結晶結構(相變化)者，其包含與單結晶的結晶方位不同的結晶方位之結晶，並構成具有多結晶結構區域連接的周期結構之內部加工層14。
[實施例2]
作為雷射光源150使用波長1064nm之光纖雷射光A，重覆頻率200kHz，使用開口數0.85之紅外線用物鏡作為雷射集光部160，物鏡後的輸出功率1.6W，脈衝寬度39ns，雷射照射間隔1μm，偏移(offset)1μm，在空氣中換算DF 80μm，向矽像差修正環0.6mm且厚度725μ m兩面鏡面加工(100)的矽單結晶基板10之表面5 mm x 20 mm區域，照射雷射光190而形成內部改質層14。又，基板10之表面是指與雷射集光部160相對向的基板10之主面，將基板10之相對於雷射集光部160的相反側之主面稱為背面。
然後，在基板10表面與背面之兩面，隔著接著劑接著金屬板，使用割斷裝置50將內部改質層14作為界線來分割基板14，將露出之分割面使用日本電子製的掃描電子顯微鏡(SEM)進行觀察。第15圖是以掃描電子顯微鏡擴大表面側之分割面之像片。第16圖是以掃描電子顯微鏡擴大背面側之分割面之像片。
[實施例3]
作為雷射光源150使用波長1064 nm之光纖雷射光B，重覆頻率200kHz，使用開口數0.85之紅外線用物鏡作為雷射集光部160，物鏡後的輸出功率0.8W，脈衝寬度39ns，雷射照射間隔1μm，偏移1μm，在空氣中換算DF 80μm，向矽像差修正環0.6mm且厚度725μm兩面鏡面加工(100)的矽單結晶基板10之表面5 mm x 20 mm區域，照射雷射光190而形成內部加工層14。
與實施例2同樣，分割基板10後觀察分割面。第17圖是以掃描電子顯微鏡擴大表面側之分割面之像片。第18圖是以掃描電子顯微鏡擴大背面側之分割面之像片。
[實施例4]
作為雷射光源150使用波長1064 nm之光纖雷射光B，重覆頻率200kHz，使用開口數0.85之紅外線用物鏡作為雷射集光部160，物鏡後的輸出功率0.8W，脈衝寬度39ns，雷射照射間隔1μm，偏移2μm，在空氣中換算DF 80μm，向矽像差修正環0.6mm且厚度725μm兩面鏡面加工(100)的矽單結晶基板10之表面5 mm x 20 mm區域，照射雷射光190而形成內部加工層14。
與實施例2同樣，分割基板10並觀察分割面。第19圖是以掃描電子顯微鏡擴大表面側之分割面之像片。第20圖是以掃描電子顯微鏡擴大背面側之分割面之像片。
[比較例1]
作為雷射光源150使用波長1064 nm之光纖雷射光A，重覆頻率200kHz，使用開口數0.85之紅外線用物鏡作為雷射集光部160，物鏡後的輸出功率1.2W，脈衝寬度39ns，雷射照射間隔1μm，偏移1μm，在空氣中換算DF 80μm，向矽像差修正環0.6mm且厚度725μm兩面鏡面加工(100)的矽單結晶基板10表面5 mm x 10 mm區域，照射雷射光190而形成內部加工層14。
與實施例2同樣，分割基板10並觀察分割面。第21圖是以掃描電子顯微鏡擴大表面側之分割面之像片。第22圖是以掃描電子顯微鏡擴大背面側之分割面之像片。
[比較例2]
作為雷射光源150使用波長1064 nm之光纖雷射光B，重覆頻率200kHz，使用開口數0.85之紅外線用物鏡作為雷射集光部160，物鏡後的輸出功率0.6W，脈衝寬度60 ns，雷射照射間隔1μm，偏移1μm，在空氣中換算DF 80μm，向矽像差修正環0.6mm且厚度725μm兩面鏡面加工(100)的矽單結晶基板10表面5 mm x 10 mm區域，照射雷射光190而形成內部加工層14。
與實施例2同樣，分割基板10後觀察分割面。第23圖是以掃描電子顯微鏡擴大表面側之分割面之像片。第24圖是以掃描電子顯微鏡擴大背面側之分割面之像片。
由以上之實施例1至4，比較例1至2可知，在實施例2至4中，如實施例1在內部加工層14中形成周期結構的加工痕跡，加工區域的長度短到只有30μm，隣接之加工痕跡連接而形成。實施例2至4，由於將具有如此連接所形成的加工痕跡之內部改質層14割斷，故可以得到具有周期結構之光滑截面。因此，不用進一步研磨，可以減低如化學蝕刻之濕式步驟或雷射蝕刻等其他步驟所需之工時及伴隨此步驟的雜質污染影響。
如前述，如實施例1至4般的加工區域長度短，隣接之加工痕跡連接而形成的內部加工層14，係可藉由使用以下述方式而構成的雷射集光部160而成者，在基板10之內部，雷射光190之外周側成分的集光點比內周側成分的集光點更接近雷射集光部160。
比較例1至2中，因為在內部改質層14中隣接之加工痕跡是不連接，故此截面具有粗的粒度。因此，此截面復需要研磨之步驟。
又，上述之實施形態中，雖例示矽單結晶基板，但也同樣可以適用在例如碳化矽(SiC)等。
[產業上的可利用性]
藉由本發明的基板加工裝置及方法，由於可以形成效率良好且薄的基板，薄薄地切出之基板，若為Si基板，就可能在太陽電池中應用，又，若為GaN系半導體裝置等藍寶石基板等，就可能應用在發光二極體、雷射二極體等中，若為SiC等，就可能應用在SiC系電力裝置等中，可能適合在透明電子領域、照明領域、混合/電動汽車領域等廣大領域中。

Claims (18)

  1. 一種基板，其係單結晶的基板，前述基板在其內部具有改質層，該改質層係週期性形成有具有與該基板之結晶方位不同之結晶方位的具有多結晶之加工痕跡，在前述改質層中鄰接之加工痕跡是相連結著。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述加工痕跡係藉由雷射集光手段將雷射光向前述基板的表面照射而形成，前述雷射集光手段係以下述方式而構成者：在前述基板內部，使前述雷射光與光軸呈軸對稱地集光，同時入射到前述雷射集光手段之外周部的光，比入射到前述雷射集光手段之內周部之光，在更接近前述雷射集光手段側集光。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板，其中，前述加工痕跡係將前述雷射集光手段與前述基板相對地移動，藉由前述雷射集光手段將雷射光向前述基板照射而形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述加工痕跡係在前述基板中，藉由將雷射光之集光點進行相變化而形成者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述改質層，是具有所預定之厚度，且由單結晶基板之表面起在所預定之深度形成者。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述改質層，係與前述基板之表面平行地形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述改質層，係與前述基板之表面平行地形成複數個。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述基板之表面是鏡面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，前述基板是矽單結晶基板或是碳化矽單結晶基板。
  10. 一種基板加工方法，具有：提供單結晶之基板的步驟；以及藉由向前述基板之表面以雷射集光手段照射雷射光，在前述基板之內部形成改質層的步驟，而該改質層係週期性形成有具有與該基板結晶方位不同之結晶方位的具有多結晶之加工痕跡；其中，前述雷射集光手段是以下述方式而構成者：使前述雷射光與光軸呈軸對稱地集光，同時在前述基板內部中，入射到前述雷射集光手段之外周部的光，比入射到前述雷射集光手段之內周部的光，在更接近前述雷射集光手段側集光；且加工成在前述改質層中鄰接之加工痕跡是相連結著。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，該方法復具有將前述雷射集光手段與前述基板相對移動之步驟。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述加工痕跡係在前述基板中藉由將前述雷射光的集光點進行相變化而形成者。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述改質 層，係具有所預定之厚度，且由前述單結晶基板表面起在所預定深度形成者。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述改質層係與前述基板的表面平行地形成者。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述改質層係與前述基板的表面平行地形成複數個。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述基板的表面是鏡面。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，前述基板是矽單結晶基板或是碳化矽單結晶基板。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之方法，該方法係藉由將前述基板以前述改質層剝離而割斷者。
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