TWI514558B - 半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法 - Google Patents

半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI514558B
TWI514558B TW102141071A TW102141071A TWI514558B TW I514558 B TWI514558 B TW I514558B TW 102141071 A TW102141071 A TW 102141071A TW 102141071 A TW102141071 A TW 102141071A TW I514558 B TWI514558 B TW I514558B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
semiconductor
epitaxial
layer
concentration
Prior art date
Application number
TW102141071A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201423969A (zh
Inventor
門野武
栗田一成
Original Assignee
勝高股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 勝高股份有限公司 filed Critical 勝高股份有限公司
Publication of TW201423969A publication Critical patent/TW201423969A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI514558B publication Critical patent/TWI514558B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/014—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of CMOS image sensors
    • H10P14/2905—
    • H10P14/3202—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3442—
    • H10P14/3444—
    • H10P14/36—
    • H10P30/204—
    • H10P30/208—
    • H10P30/21—
    • H10P30/224—
    • H10P30/225—
    • H10P36/03—
    • H10P95/90—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
TW102141071A 2012-11-13 2013-11-12 半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法 TWI514558B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012249731A JP5799936B2 (ja) 2012-11-13 2012-11-13 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201423969A TW201423969A (zh) 2014-06-16
TWI514558B true TWI514558B (zh) 2015-12-21

Family

ID=50730855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102141071A TWI514558B (zh) 2012-11-13 2013-11-12 半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US20160181311A1 (enExample)
JP (1) JP5799936B2 (enExample)
KR (1) KR101669603B1 (enExample)
CN (1) CN104781919B (enExample)
DE (1) DE112013005401T5 (enExample)
TW (1) TWI514558B (enExample)
WO (1) WO2014076921A1 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6119637B2 (ja) * 2014-02-26 2017-04-26 信越半導体株式会社 アニール基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP6539959B2 (ja) * 2014-08-28 2019-07-10 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法
JP6137165B2 (ja) * 2014-12-25 2017-05-31 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
JP6354993B2 (ja) * 2015-04-03 2018-07-11 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法
US10026843B2 (en) * 2015-11-30 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fin structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of active region of semiconductor device
JP6459948B2 (ja) * 2015-12-15 2019-01-30 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
JP6759626B2 (ja) * 2016-02-25 2020-09-23 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
JP2017201647A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6737066B2 (ja) * 2016-08-22 2020-08-05 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
JP6327393B1 (ja) * 2017-02-28 2018-05-23 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
JP6787268B2 (ja) * 2017-07-20 2020-11-18 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法、ならびに固体撮像素子の製造方法
JP2019080008A (ja) * 2017-10-26 2019-05-23 信越半導体株式会社 基板の熱処理方法
JP6801682B2 (ja) * 2018-02-27 2020-12-16 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP6930459B2 (ja) * 2018-03-01 2021-09-01 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
KR102261633B1 (ko) * 2019-02-01 2021-06-04 에스케이실트론 주식회사 에피택셜웨이퍼의 금속오염분석방법
JP6988843B2 (ja) * 2019-02-22 2022-01-05 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JP2021072435A (ja) * 2019-10-25 2021-05-06 キヤノン株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7259791B2 (ja) * 2020-03-25 2023-04-18 株式会社Sumco シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
US12519010B2 (en) * 2022-05-03 2026-01-06 Newport Fab, Llc SOI structures with carbon in body regions for improved RF-SOI switches

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5734195A (en) * 1993-03-30 1998-03-31 Sony Corporation Semiconductor wafer for epitaxially grown devices having a sub-surface getter region
TW200816255A (en) * 2006-06-13 2008-04-01 Semequip Inc Ion beam apparatus for ion implantation
TW201013753A (en) * 2008-08-06 2010-04-01 Sumco Corp Epitaxy silicon wafer and fabricating method thereof
JP2012059849A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4016371B2 (ja) * 1999-11-10 2007-12-05 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2006193800A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 硬質炭素膜の成膜方法及び成膜装置
KR100654354B1 (ko) 2005-07-25 2006-12-08 삼성전자주식회사 게더링 기능을 가지는 저결함 에피택셜 반도체 기판, 이를이용한 이미지 센서 및 이의 제조 방법
CN101313395B (zh) * 2005-12-09 2013-03-27 山米奎普公司 通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法
JP2008311418A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP5099023B2 (ja) 2009-01-27 2012-12-12 信越半導体株式会社 エピタキシャルウエーハの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP2011151318A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
FR2961013B1 (fr) * 2010-06-03 2013-05-17 Commissariat Energie Atomique Procede pour eliminer des impuretes residuelles extrinseques dans un substrat en zno ou en znmgo de type n, et pour realiser un dopage de type p de ce substrat.
JP2011253983A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd シリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法
US9263271B2 (en) * 2012-10-25 2016-02-16 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor carrier, a semiconductor chip arrangement and a method for manufacturing a semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5734195A (en) * 1993-03-30 1998-03-31 Sony Corporation Semiconductor wafer for epitaxially grown devices having a sub-surface getter region
TW200816255A (en) * 2006-06-13 2008-04-01 Semequip Inc Ion beam apparatus for ion implantation
TW201013753A (en) * 2008-08-06 2010-04-01 Sumco Corp Epitaxy silicon wafer and fabricating method thereof
JP2012059849A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013005401T5 (de) 2015-07-30
KR101669603B1 (ko) 2016-10-26
TW201423969A (zh) 2014-06-16
CN104781919B (zh) 2018-03-27
JP5799936B2 (ja) 2015-10-28
WO2014076921A1 (ja) 2014-05-22
US20200127043A1 (en) 2020-04-23
KR20150066597A (ko) 2015-06-16
US20240282801A1 (en) 2024-08-22
JP2014099482A (ja) 2014-05-29
US20160181311A1 (en) 2016-06-23
CN104781919A (zh) 2015-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI514558B (zh) 半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固體攝影元件的製造方法
KR101837454B1 (ko) 반도체 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피텍셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
CN107452603B (zh) 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片、以及固体摄像元件的制造方法
TWI515774B (zh) 半導體磊晶晶圓的製造方法、半導體磊晶晶圓及固 體攝影元件的製造方法
JP6107068B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
TWI611482B (zh) 半導體磊晶晶圓的製造方法及固體攝像元件的製造方法
JP6535432B2 (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6280301B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6289805B2 (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6278592B2 (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP2017175145A (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6318728B2 (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP6361779B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP2017175143A (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP2017183736A (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法