TWI507288B - 金屬薄膜轉印材料及其製造方法 - Google Patents

Description

金屬薄膜轉印材料及其製造方法

本發明係關於一種金屬薄膜轉印材料及其製造方法，其係使容易腐蝕的島狀構造金屬薄膜之耐蝕性大幅提高，由於具有絕緣性而抑制靜電破壞，能夠賦予電波穿透性，具有優異的金屬光澤之設計性。

使用島狀構造金屬之金屬薄膜轉印材料係用以將優異的美感賦予電視、音響、錄影機等之家電製品；或行動電話、個人資訊終端機等之資訊通訊機器；汽車內的資訊通訊機器等之框體，用於為了將金屬光澤賦予表面。

為了此目的，於專利文獻1及2中，有人提案將利用真空蒸鍍法於轉印材料形成所獲得之金屬薄膜進行轉印至必須具有美感的基材之方法，作成因此之金屬薄膜而防止靜電破壞，基於穿透電波之目的下而使用錫或銦等之島狀構造金屬薄膜。

於專利文獻3中揭示一種技術，其係規定蒸鍍錫之附著量與光線穿透率之關係，具優越之外觀均勻性的金屬薄膜轉印材料，亦即相對於錫之附著量而使被覆率上升，達成更低的光線穿透率。

但是，島狀構造金屬薄膜係藉由氫氧化、氧化等，表面之金屬光澤容易受損，雖然藉由此等之揭示技術而可以獲得電波穿透性及絕緣性，但是耐蝕性不足。

於專利文獻4中，係已揭示一種具有優異的耐腐蝕性之絕緣性轉印薄膜，其係由剝離樹脂層、保護樹脂層、絕緣性金屬薄膜層、由三聚氰胺樹脂而成之耐腐蝕性樹脂層、接著層所構成；但是耐蝕性依然不足。

於專利文獻5中，揭示一種半色調金屬光澤轉印薄膜，其係設置保護層而使耐蝕性提高。然而，近年來尋求進一步耐熱性之提高，雖然專利文獻4揭示的半色調金屬光澤轉印薄膜提高耐蝕性，但在已使用硫化鋅之點上，具有製品安全上的問題。

專利文獻1：日本專利特公平3-25353號公報

專利文獻2：日本專利特開平10-324093號公報

專利文獻3：日本專利特開2008-105179號公報

專利文獻4：日本專利特開2007-326300號公報

專利文獻5：日本專利特開2008-207337號公報

本發明之目的係解決上述問題點，亦即在於提供一種具有優異的耐蝕性的金屬薄膜轉印材料。

為了解決上述問題，本發明係由以下之結構所構成。

亦即，本發明係一種金屬薄膜轉印材料，其係在透明基材薄膜之至少單面上，依序積層有脫模樹脂層、保護樹脂層、絕緣性金屬薄膜層與接著劑層之金屬薄膜轉印材料；絕緣性金屬薄膜層之厚度X為5 nm至100 nm，於將全部光線透射率設為Tr(%)時，符合Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)之關係。

另外，本發明係一種金屬薄膜轉印材料，其係在透明基材薄膜之至少單面上，依序積層有脫模樹脂層、保護樹脂層、金屬薄膜層、絕緣性金屬薄膜層與接著劑層之金屬薄膜轉印材料；金屬薄膜層之附著量為15 ng/cm² 至700 ng/cm² 、絕緣性金屬薄膜層之厚度X為5 nm至100 nm，於將全部光線透射率設為Tr(%)時，符合Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)之關係。

另外，本發明係提案一種金屬薄膜轉印材料之製造方法，其特徵為在透明基材薄膜之至少單面上，積層有脫模樹脂層、保護樹脂層之基材表面上，藉由減壓下之電漿處理而進行表面處理，在其上形成絕緣性金屬薄膜層，且在該絕緣性金屬薄膜層上積層接著性樹脂層。

本發明之金屬薄膜轉印材料係由於全部光線透射率為高的比例，且絕緣性金屬薄膜層的島狀構造中之每個島的高度高，不會隨時間經過而使絕緣性金屬薄膜層容易腐蝕，具有優異的耐蝕性。

尤其，在相較於行動電話或聲響製品之耐蝕性的評估基準之耐蝕性試驗(溫度60℃、濕度95% RH之條件下放置96小時之試驗)為嚴格的耐蝕性試驗(溫度85℃、濕度85% RH之條件下放置48小時之試驗)下，因為全部光線透射率之變化率為1至2.5倍，且不會因腐蝕而使絕緣性金屬薄膜層消失，以被強烈要求耐蝕性之行動電話或聲響製品等為首，而能夠使用於非常廣範圍之用途。

以下，針對本發明之內容而詳加說明。

本發明之金屬薄膜轉印材料係由在透明基材薄膜上依序設置脫模樹脂層、保護樹脂層，進一步依序形成絕緣性金屬薄膜層、接著劑層所構成。

於本發明中，透明基材薄膜能夠使用通常轉印薄膜所用之習知塑膠薄膜。就塑膠薄膜而言可舉例：聚酯薄膜、丙烯酸薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺醯亞胺薄膜、氟薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等，其中，聚酯薄膜係在耐熱性與耐濕性上較佳。就聚酯薄膜而言可舉例：雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、雙軸拉伸聚萘二甲酸乙二酯薄膜等，其中雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜在耐熱性與薄膜價格等上更佳。

上述透明基材薄膜之厚度較佳為10 μm至100 μm，從作成金屬薄膜轉印材料之情形的操作性之觀點，特佳為12 μm至50 μm之範圍。

另外，以設計性之提高為目的，也可以在透明基材薄膜之脫模樹脂層側實施毛紋(hairline)加工、壓紋加工、泥(mud)加工等之凹凸加工，藉由實施如此之加工，將本發明之金屬薄膜轉印材料轉印至被轉印物之塑膠基材後所獲得之成形物的轉印部分表面成為凹凸形狀，能夠作成更具優越設計性之完成的成形品。

於本發明之金屬薄膜轉印材料中，在透明基材薄膜之單面設置脫模樹脂層。就脫模樹脂層而言，係為磷脂質(卵磷脂)、醋酸纖維素、蠟、脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪酸酯、松香、丙烯酸樹脂、矽氧烷、氟樹脂等。按照其剝離容易性之程度，經適當選擇所使用。基底薄膜為平滑之情形係脫模樹脂層為0.01 μm至2 μm之厚度，更佳為使用0.1 μm至1 μm之厚度。

脫模樹脂層能夠利用凹版塗布法、反向(reverse)塗布法、模具(die)塗布法等之習知方法而形成。

於本發明之金屬薄膜轉印材料中，為了保護轉印後之絕緣性金屬薄膜層而具有保護樹脂層。如此之保護樹脂層的樹脂係使用與脫模樹脂層及絕緣性金屬薄膜層中任一層接著性佳的熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂或是藉由紫外線等所導致的光硬化性樹脂。具體而言，保護樹脂層係能夠根據蒸鍍金屬之種類、依照用途所導致的必要各種性能(機械特性、耐熱性、耐溶劑性、光學特性、耐候性等)而適當選擇，例如能夠使用由丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、胺甲酸酯樹脂、環氧樹脂、醇酸樹脂、纖維素系、聚氯乙烯系等所選出的一種或二種以上。一般而言，其厚度為0.2 μm至5 μm左右，更佳為1 μm至3 μm。此等之樹脂係使用透明性佳者，也能夠加入染料、顏料或消光劑而著色。另外，藉由在保護樹脂層之表面實施全像(hologram)加工，也能夠賦予虹彩色或全像效果。

保護樹脂層能夠利用凹版塗布法、反向塗布法、模具塗布法等之習知方法而形成。

形成本發明之脫模樹脂層及保護樹脂層的樹脂也可以為根據丙烯酸系樹脂等所獲得之同種樹脂。此情形下，金屬薄膜轉印材料係使接著劑介於中間而接著於被黏著物後，於剝離透明基材薄膜之際，引起因脫模樹脂層中之凝聚破壞所造成的剝離，也包含轉印保護樹脂層及脫模樹脂一部分而作為保護樹脂層之機能的層設計。

必要時，基於使與絕緣性金屬薄膜層的接著性提高之目的，本發明也可以進一步在該保護樹脂層上積層易接著層。

本發明之金屬薄膜轉印材料係將絕緣性金屬薄膜層設置於上述保護樹脂層上。所謂本發明中之絕緣性金屬薄膜係指兼具金屬光澤與絕緣性之金屬薄膜，且島狀構造之不連續的金屬薄膜。

於本發明中，絕緣性金屬薄膜層之厚度X必須為5 nm至100 nm，較佳為20 nm至80 nm，更佳為50 nm至80 nm。若厚度低於5 nm，光線穿透率大，無法獲得修飾所期待的金屬光澤感。另外，厚度超過100 nm之情形，由於無法確保本發明視為必要的蒸鍍膜之絕緣性，則抑制不住靜電破壞，無法確保更充分之電波穿透性。

於本發明中，較佳為將絕緣性金屬薄膜層之全部光線透射率Tr(%)設為5%至50%之範圍，其與絕緣性金屬薄膜層之厚度X(nm)的關係必須符合式1，更佳為符合式2。

式1　Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)

式2　Tr≧120.52×Exp(-0.0418×X)

此等之式係意指如下所示。亦即，右邊係絕緣性金屬薄膜層之厚度X的函數，顯示若X增大時，則指數函數值將變小，顯示全部光線透射率Tr為此X函數值以上。換言之，顯示此等之式設為等式之情形的絕緣性金屬薄膜係具有相對於某透射率Tr的厚度X以上之厚度。

若根據習知技術，一旦增厚絕緣性金屬薄膜層之厚度時，由於島之間隔將變窄，所以為了確保絕緣性而不得不減少金屬量，則其容易受到因氧化、氫氧化所造成的腐蝕之影響。本發明為即使增厚絕緣性金屬薄膜層之厚度也能夠某種程度地保持島之間隔，故能夠一邊將Tr保持於一定值以上且一邊確保絕緣性。因此，並無減少金屬量之必要，所以難以受到因氧化等所導致的腐蝕之影響。若符合式2，則附著許多的絕緣性金屬，同時也能夠達成高的光線穿透率，故能夠確保更高的耐蝕性。

於本發明中，絕緣性金屬薄膜層之島的尺寸或間隔係根據所使用的金屬之種類、設計性、絕緣性之程度等而異，從設計性之觀點，島之尺寸較佳為1 nm至2 μm；從絕緣性之觀點，島之間隔較佳為2 nm至500 nm。

於本發明中，絕緣性金屬薄膜層之全部光線透射率較佳為5%至50%。藉由將絕緣性金屬薄膜層之厚度設為此範圍，則耐蝕性、設計性將提高。從此等效果之觀點，若預先將全部光線透射率設為8%至30%的話，則更佳。

本發明之金屬薄膜轉印材料係將轉印至透明基體之物曝露於溫度85℃、濕度85% RH之環境下48小時後的全部光線透射率，其較佳為相對於曝露該環境下之前的全部光線透射率之1至2.5倍。若為2.5倍以下時，金屬光澤之隨時間經過所造成的外觀變化小，故成為具有更優異的實用性。

絕緣性金屬薄膜層之厚度係根據所使用的金屬種類或設計性等，最好於上述範圍內而適當決定。

針對將絕緣性金屬薄膜層作成島狀構造，較佳為由錫、銦、鋅、鉍、鈷、鍺或此等之合金所構成之族群中所選出者作為所使用的金屬。絕緣性金屬薄膜層更佳為至少由錫、銦、鋅所構成之族群中所選出的一種或二種以上之金屬薄膜，從絕緣性之觀點，進一步較佳為錫、銦。

使用錫之情形的絕緣性金屬層的厚度較佳為20 nm至80 nm。

絕緣性金屬薄膜層能夠藉由真空蒸鍍法、濺鍍蒸鍍法、EB蒸鍍法等而形成上述金屬。就符合式1或式2來控制絕緣性金屬薄膜層之厚度X與全部光線透射率Tr的方法而言，例如能夠以蒸鍍法中之感應加熱方式之蒸發量、薄膜速度來控制；於濺鍍法中，能夠以放電氣壓與放電電力及薄膜速度來控制。

於本發明中發現：符合式1或式2來控制絕緣性金屬薄膜層之厚度X與全部光線透射率Tr的方法，係藉由在透明基材薄膜之至少單面上，積層脫模樹脂層與保護樹脂層；在此保護樹脂層之表面，依照減壓下之電漿處理而進行表面處理，在其上形成絕緣性金屬薄膜層而能夠達成。另外也發現：依照濺鍍而使微量金屬附著於基材表面，即使依照利用所謂的核附著法(seeding method)所進行的表面處理，也使上述絕緣性金屬薄膜層之厚度X與全部光線透射率Tr符合式1或式2之關係。於此情形之核附著處理中，由於保護樹脂層曝露於電漿中，所以能夠定義為一種電漿處理。

於上述電漿處理之際，藉由放電電極(陰極)材料與放電氣體之組合，也有放電電極材料實質上未被濺鍍之情形，另外依照濺鍍現象而濺鍍放電電極材料，放電電極材料之金屬也將附著於保護樹脂層上。本發明申請案係無關於因此等電漿處理所導致的放電電極材料有無附著，提供符合於式1之關係。

利用減壓下電漿處理中附著放電電極材料的金屬之情形，係附著量成為電漿處理之處理強度的指標。亦即，此情形之本發明係在透明基材薄膜之至少單面，依序積層有脫模樹脂層、保護樹脂層、金屬薄膜層、絕緣性金屬薄膜層及接著層的金屬薄膜轉印材料；金屬薄膜層之附著量為15 ng/cm² 至700 ng/cm² ，絕緣性金屬薄膜層之厚度X為5 nm至100 nm，於將全部光線透射率設為Tr(%)時，符合Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)之關係的金屬薄膜轉印材料。

金屬薄膜層係使15 ng/cm² 至700 ng/cm² ，較佳為使50 ng/cm² 至500 ng/cm² 之金屬附著。使金屬薄膜層之附著量成為15 ng/cm² 至700 ng/cm² 之範圍內，使其後所形成的絕緣性金屬薄膜層之厚度X成為5 nm至100 nm。低於15 ng/cm² 之情形，則耐蝕性為不足；超過700 ng/cm² 之情形，則電波穿透性或絕緣性將惡化。設置金屬薄膜層之方法係如上所述，依照與減壓下之電漿處理同時發生的濺鍍所進行的方法，或是也可以為積極的濺鍍法。電漿處理中之放電電極材料或是利用濺鍍法所使用的靶金屬種能夠使用由鋁、銀、金、錫、銦、鉛、鋅、鉍、鈦、鉻、鐵、鈷、鎳、矽、鍺或此等之合金所構成之族群中所選出者。從電波穿透性之觀點，較佳為使用銦、錫。

如上所述，絕緣性金屬層較佳為含有由錫、銦、鋅所構成之族群中所選出的一種或二種以上之金屬者，從電波穿透性之觀點，金屬薄膜層較佳為與絕緣性金屬層之金屬同種；使用異種金屬之情形，與原本所期待的絕緣性金屬的金屬光澤成為不同的色調；從此觀點，較佳為使用同種金屬。

本發明之金屬薄膜轉印材料中之接著劑層係在絕緣性金屬薄膜層上所形成，於轉印後，接著塑膠基材與轉印層(脫模樹脂層、保護層、絕緣性金屬薄膜層及接著劑層)者。

使用於接著劑層之樹脂能夠使用丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、環氧系樹脂、氯乙烯系樹脂、醋酸乙烯系樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯共聚物樹脂等。

接著劑層能夠利用凹版塗布法、反向塗布法、模具塗布法等之習知方法而形成。

能夠使用本發明之金屬薄膜轉印材料而獲得半色調金屬光澤薄膜，進一步能夠藉由熱輥轉印或模內成型而獲得半色調金屬光澤成形物，藉由模內成型而獲得半色調金屬光澤成形物之情形，以提高透明基材薄膜與脫模樹脂層之脫模性、且防止轉印時發生塑膠薄膜之剝離不良或破裂之目的下，在透明基材薄膜與脫模樹脂層之間，較佳形成下塗層，而藉由該下塗層之形成，以便能夠穩定獲得複雜形狀之成形物。使用於下塗層之樹脂，能夠使用三聚氰胺系樹脂、胺基醇酸系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、矽氧烷系樹脂等之熱化性樹脂或蠟等，特佳為三聚氰胺系樹脂或丙烯腈-三聚氰胺系樹脂。

本發明之金屬薄膜轉印材料係利用針對如上所述之行動電話或音響製品之耐腐蝕性的評估基準之高溫高濕試驗(溫度85℃、濕度85% RH之條件下放置48小時之試驗)，藉由使試驗後之全部光線透射率成為相對於試驗前的全部光線透射率之1至2.5倍，因為不會藉腐蝕而使絕緣性金屬薄膜層消失，以被強烈要求耐蝕性之行動電話或聲響製品為首，而使可用於非常廣範圍的用途。

[實施例]

以下，根實施例而具體說明本發明之形態，但本發明並不受此等實施例所限定。再者，本發明中之評估法係如下所述：

(1)金屬薄膜層之金屬附著量

將5 cm×1 cm之試料薄膜置入以1：4之比混合鹽酸與硝酸的溶液中，放置24小時以上。

使用島津製作所製原子吸光分光光度計AA-6300，以測定波長：286.3 nm、燈電流：10 mA、狹縫寬度：0.7 nm、點燈模式：BGC-2、1%吸光光度：5.0 ppm而測定此溶液。

(2)全部光線透射率(%)

於用乙醇擦拭厚度1 mm×寬度10 cm×長度20 cm之丙烯酸板之表面上，使用輥壓杵(太平工業(股)製RT-300X)，以輥溫度220℃、速度5 cm/秒轉印後，剝離薄膜，製得將保護層作為表面之測試珠。使用日本電色工業(股)製混濁度計NDH-2000，依照JIS-K7136(2000年制定)而測定所製得之測試珠的全部光線透射率Tr(%)。

(3)絕緣性金屬薄膜層之厚度X(nm)

將設置根據蒸鍍加工所獲得之絕緣性金屬層之薄膜作為試料，使用日立會聚離子束加工觀察裝置FB2000A，作成試料剖面後，利用日立穿透型電子顯微鏡(TEM)HF-2100而以加速電壓30 kV、觀測倍率421,000倍觀察絕緣性金屬薄膜層之剖面，從其照片之單位視野內所觀察到的島之數目與島之厚度(從島之保護樹脂層側邊界面起之高度)，採取數量平均而算出絕緣性金屬薄膜層之厚度X(nm)。此情形下，島間之間隔並未考量，計算島之最高的部分之厚度的數量平均值。例如，於第1圖中，計算係(48.9+56.6+42.6+56.7)/4=51.2 nm。

(4)耐蝕性試驗

準備厚度1 mm之透明丙烯酸板(透明基體)，用乙醇等擦拭表面，使用輥壓杵(太平工業(股)製RT-300X)，以輥溫度220℃、速度5 cm/秒轉印作為絕緣性金屬薄膜轉印材料之薄膜，剝離薄膜而製得將保護樹脂層作為表面之測試珠。使用日本電色工業(股)製混濁度計NDH-2000(依照JIS-K7136(2000年制定))而測定所製得之測試珠的全部光線透射率，用夾子吊在Tabai Espec(股)製恆溫恆濕烘箱(PL-1SP)之試樣設置網上，於溫度85℃、濕度85% RH之環境下放置48小時。48小時經過物也與上述同樣地測定全部光線透射率，與環境負荷前之試樣作一比較。將負荷前(試驗前)穿透率設為A(%)、負荷後(試驗後)穿透率設為B(%)，將B/A之倍率作為穿透率變化而算出。

(5)電波穿透性試驗

將切割成15 cm×15 cm之金屬薄膜轉印膜設置於Microwave Factory(股)製KEC法屏蔽效果測定裝置MAM101內，使用Agilent Technologies製Network Analyzer Agilent E5062A，測定800 MHz之電波的衰減率(dB)。電波穿透性係由於金屬薄膜為不連續之島狀構造而發現，同時也確保絕緣性。值越小則具有越優異的電波穿透性，較佳為1 dB以下，更佳為0.5 dB以下。

(實施例1至3)

作為透明基材薄膜，係使用東洋紡製雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二酯E5001型25 μm；在該薄膜之單面上，作為脫模樹脂層，係利用照相凹版型塗布機，使乾燥後厚度成為0.5 g/m² 來塗布形成醋酸纖維素樹脂；進一步於該脫模樹脂層上，使用該塗布機而進行含有甲基丙烯酸、甲基丙烯酸-2-羥乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、三聚氰胺樹脂之甲苯溶液的塗布、乾燥、樹脂硬化，而得厚度1 μm之保護樹脂層；接著，藉由濺鍍法而在該保護樹脂層面設置錫50 ng/cm² 作為金屬薄膜層。濺鍍條件係使用氬氣作為放電氣體，將錫電極作為陰極使用。在該金屬薄膜層面，將錫作為絕緣性金屬層，調節Tr而作成5%、15%及46%，將各自之值設為實施例1、2、3。該絕緣性金屬層係使用感應加熱方式真空蒸鍍機(日本真空製EB5207)，以操作壓力0.04 Pa，藉由蒸鍍加工所設置。使用照相凹版塗布機，在該蒸鍍面塗布飽和聚酯樹脂，乾燥後形成厚度1 g/m² 之接著劑層。將評估此處所獲得之金屬薄膜轉印薄膜之性能的結果顯示於表1。於實施例1、2、3中，任一種皆顯示良好之電波穿透性，同時在耐蝕性試驗中，試驗前後之變化(B/A)為2.5倍以下，故為良好。還有，針對實施例2所獲得之絕緣樹脂材料的島狀金屬層之構造，將在TEM之剖面照片顯示於第1圖。

(實施例4至6)

實施例4係將金屬薄膜層之厚度成為15 ng/cm² 、實施例5則成為200 ng/cm² 、實施例6則成為500 ng/cm² 。接著，各自的絕緣性金屬薄膜係使光線穿透率Tr成為15%的方式來形成錫。其他條件係進行相同於實施例1、2、3的方式，將作成金屬薄膜轉印材料而評估特性的結果顯示於表1。實施例4、5、6皆具有良好之電波穿透性、絕緣性，同時在耐蝕性試驗中之Tr變化為2.5倍以下。

(實施例7)

利用濺鍍法而在保護樹脂層面設置作為金屬薄膜層之銅50 ng/cm² 。濺鍍條件係將氬氣作為放電使用，陰極係使用銅電極。絕緣性金屬係使Tr成為15%的方式來蒸鍍銦。

(實施例8)

進行相同於實施例1的方式而將積層直到所準備的保護樹脂層為止的基材薄膜輥設置於感應加熱方式真空蒸鍍機(日本真空製EB5207)內，捲起薄膜後，藉由於真空中使用錫電極之整平方式的電漿處理裝置，一邊流通氮氣且一邊進行電漿處理，接著蒸鍍作為絕緣性金屬之錫而使Tr成為25%者。再者，藉由僅進行電漿處理且不進行蒸鍍之事先探討，確認錫之附著量為45 ng/cm² ，但利用一連串之蒸鍍而將錫作為絕緣性金屬所形成者係推定為同樣的附著量。

(實施例9)

進行相同於實施例8的方式而藉由於真空中使用銅電極之整平方式的電漿處理裝置，一邊流通氮氣且一邊進行電漿處理，接著蒸鍍作為絕緣性金屬之錫而使Tr成為23%者。再者，藉由僅進行電漿處理且不進行蒸鍍之事先探討，確認銅之附著量為55 ng/cm² ，但利用一連串之蒸鍍而將錫作為絕緣性金屬所形成者係推定為同樣的附著量。

(實施例10)

進行相同於實施例6的方式而使附著700 ng/cm² 之錫者作成實施例10。雖然電波穿透性被斷定變大至0.68 dB之傾向，但為實用範圍內，可以獲得良好之物。

(實施例11)

進行大致相同於實施例7的方式而利用濺鍍法來在保護樹脂層面上設置300 ng/cm² 之銅作為金屬薄膜層之外，成為Tr 18%的方式來蒸鍍錫作為絕緣性金屬。雖然於耐蝕性試驗中為良好之結果，但由於核附著之銅金屬的影響，基材薄膜剝離後之金屬光澤稍微帶有紅色，也成為電波穿透性也成為超過1 dB者。

(實施例12)

進行相同於實施例7的方式而將絕緣性金屬層作成95.8 nm。由於電波穿透性惡化至1.23 dB，雖然成為難以使用於將電波穿透性視為必要之用途的性能，但能夠適合使用於僅通常之金屬光澤視為必要之用途者。

(實施例13)

進行相同於實施例4的方式而將金屬薄膜之附著量作成15 ng/cm² ，全部光線透射率作成22%，穿透率之變化成為2.6倍，耐蝕性成為稍微不足。

(實施例14)

進行相同於實施例8、9的方式而同樣地在真空蒸鍍機中進行電漿處理，連續進行錫之蒸鍍，將電漿處理之電漿作為玻璃被覆之電極，電源係使用110 kHz之高頻者而以50 W‧分鐘/m² 之強度進行電漿處理。放電氣體係氧，實質上，放電電極材料之濺鍍未發生，但符合式1之結果，成為具優越之電波穿透性、耐蝕性。

(比較例1、2)

未設置金屬薄膜層而設置Tr=6%、17%之錫蒸鍍膜，其他條件係進行相同於實施例1之方式，分別將各自作為比較例1、比較例2而評估其特性。將評估結果顯示於表1。於比較例1中，電波穿透性低、絕緣性也不佳。另外比較例1、2皆為耐蝕性低的結果。還有，將比較例2之TEM剖面照片顯示於第2圖。

(比較例3)

利用相同於實施例1之濺鍍法，以10 ng/cm² 之附著量而形成金屬薄膜層，使光線穿透率Tr%成為14%的方式來形成錫。其他條件係進行相同於實施例1之方式而作為比較例3，評估性能而將其結果顯示於表1。於耐蝕性試驗中，耐蝕試驗前後之Tr的變化率超過2.5倍，故不佳。

(比較例4)

利用相同實施例1之濺鍍法，以800 ng/cm² 之附著量而形成金屬薄膜層，使光線穿透率Tr成為15%的方式來形成錫。其他條件係進行相同於實施例1之方式而作為比較例4，評估性能而將其結果顯示於表1。電波穿透性將惡化成1.56 dB，絕緣性也成為不足。金屬之附著量變多，推定電波穿透性已惡化。

(比較例5、6)

進行相同於實施例1之方式而分別將絕緣性金屬層之厚度作成4.5 nm與108 nm、分別將全部光線透射率作成74%、2.6%，分別作為比較例5、6。於比較例5中，全部光線透射率高，金屬光澤成為不足。於比較例6中，無法確保絕緣性，電波穿透性已惡化。

(比較例7)

與實施例13同樣地，於真空蒸鍍機中，使用玻璃被覆電極而進行電漿處理，將處理強度設為6 w‧分鐘/m² ，不符合式1，耐蝕性變得不足。

1．．．保護樹脂層

2．．．絕緣性金屬薄膜層

第1圖係在實施例2之絕緣性金屬薄膜層之剖面照片(穿透式電子顯微鏡照片421,000倍)。

第2圖係在比較例2之絕緣性金屬薄膜層之剖面照片(穿透式電子顯微鏡照片421,000倍)。

Claims (8)

1. 一種金屬薄膜轉印材料，其係在透明基材薄膜之至少單面上，依序積層有脫模樹脂層、保護樹脂層、絕緣性金屬薄膜層與接著劑層之金屬薄膜轉印材料；絕緣性金屬薄膜層之厚度X為5nm至100nm，於將全部光線透射率設為Tr(%)時，符合Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)之關係。
2. 一種金屬薄膜轉印材料，其係在透明基材薄膜之至少單面上，依序積層有脫模樹脂層、保護樹脂層、金屬薄膜層、絕緣性金屬薄膜層與接著劑層之金屬薄膜轉印材料；金屬薄膜層之附著量為15ng/cm² 至700ng/cm² 、絕緣性金屬薄膜層之厚度X為5nm至100nm，於將全部光線透射率設為Tr(%)時，符合Tr≧87.522×Exp(-0.0422×X)之關係。
3. 如申請專利範圍第1或2項之金屬薄膜轉印材料，其係於利用KEC法所進行的800MHz之電波穿透試驗中，電波之衰減率為1dB以下。
4. 如申請專利範圍第1或2項之金屬薄膜轉印材料，其中將轉印至透明基體之物曝露於溫度85℃、濕度85% RH之環境下48小時後的全部光線透射率為相對於曝露該環境下之前的全部光線透射率之1至2.5倍。
5. 如申請專利範圍第1或2項之金屬薄膜轉印材料，其中該絕緣性金屬薄膜層為含有由錫、銦、鋅所構成之族群中所選出的一種或二種以上之金屬。
6. 如申請專利範圍第1或2項之金屬薄膜轉印材料，其中全部光線透射率Tr(%)與絕緣性金屬薄膜層之厚度X(nm)之關係符合Tr≧120.52×Exp(-0.0418×X)。
7. 一種金屬薄膜轉印材料之製造方法，其特徵為如申請專利範圍第1至6項中任一項之金屬薄膜轉印材料之製造方法，其在透明基材薄膜之至少單面上，積層脫模樹脂層與保護樹脂層；在此保護樹脂層之表面上，藉由減壓下之電漿處理而進行表面處理，在其上形成絕緣性金屬薄膜層，且在該絕緣性金屬薄膜層上積層接著性樹脂層。
8. 如申請專利範圍第7項之金屬薄膜轉印材料之製造方法，其係藉由該減壓下之電漿處理，於該保護樹脂層上積層15ng/cm² 至700ng/cm² 之與絕緣性金屬薄膜同種的金屬。