TWI505388B - 利用至少一光源以校正末端效應器之對準的系統及方法 - Google Patents

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Description

利用至少一光源以校正末端效應器之對準的系統及方法
本發明係關於校正末端效應器之對準的系統與方法，尤有關於利用至少一光源以校正末端效應器之對準的系統與方法。
電漿經常被使用在處理半導體基板中(例如：晶圓)。在電漿處理中，利用一般包含複數個處理模組之電漿處理系統處理該晶圓。電漿處理期間，將基板(例如：晶圓)裝設於處理模組內部的晶圓座上。
為了移動晶圓進出該處理模組，一般將該晶圓放置在一末端效應器上並轉移到該晶圓座上。該末端效應器為在晶圓轉移期間，用於支撐該晶圓的一結構元件。通常將該末端效應器裝設於機械手臂上。圖1展示出一代表性習知技藝之末端效應器102，在晶圓轉移期間用於支撐一晶圓104。就圖解意圖而言，也展示出機械手臂106的一部分。
一般來說，在一連串晶圓轉移期間，該機械手臂首先移動末端效應器，以從晶圓儲藏卡匣或晶圓儲藏站拿起晶圓。一旦將晶圓定位在末端效應器上，則之後該機械手臂將移動該晶圓經過處理模組中之閘門而進入電漿處理模組。機械手臂之後將該末端效應器和該晶圓定位於晶圓座之上，並且之後將晶圓放在晶圓座上，以用於電漿處理。
為了確保恰當地處理該晶圓(由此確保可控制與可重複的製程結果)，在電漿處理期間，需要將該晶圓放在晶圓座的中心。當機械手臂放置該晶圓於晶圓座時，如果末端效應器為完美地放在關於晶圓座的中心並且晶圓為完美地放在關於該末端效應器的中心，之後則該晶圓將完美地放在關於晶圓座的中心。
從機械手臂控制器的觀點來看，為了晶圓佈置的目的，知道晶圓座的中心，以使該機械手臂控制器能夠將末端效應器放置於晶圓座中心的上方係重要的。因此，對於任何給與之電漿處理模組，需要教導該機械手臂控制器晶圓座和晶圓座中心的位置。換句話說，由於如機器化和/或製造和/或組件容許誤差的因素，造成每一個晶圓座定位於每個處理模組中可能有輕微地不同，故該機械手臂控制器需要在它自己的座標系統中確定晶圓座和晶圓座中心的精確位置。
為了補正末端效應器/晶圓座的錯位，在校正中，典型的策略包含將機械手臂移動至由末端效應器所定義之中心(此處稱為『末端效應器中心』或『末端效應器定義中心』)實際與晶圓座中心對準的位置。為了完成末端效應器的校正，操作者必須能夠確定實際的末端效應器/晶圓座的對準位置。在習知技藝中，係利用安裝於晶圓座邊緣上或安裝至處理模組內部的一個製造機械配件，完成末端效應器定義中心對於晶圓座中心的對準。
該機械配件具有一個關鍵特徵(實質上係針對該末端效應器的一中心突出物)，其允許末端效應器置於校正配件的關鍵特徵正上方。由於該配件為放在關於晶圓座的中心，當末端效應器對著該配件的關鍵特徵放置時，該末端效應器中心將會被放在晶圓座的中心。典型地，係藉由一操作者對著關鍵特徵拉或推該末端效應器，完成末端效應器對照關鍵特徵之定位，以使末端效應器對著該關鍵特徵放置。
在操作者已經對著關鍵特徵定位好末端效應器之後，該操作者之後以機械控制系統記錄機械手臂位置，以便該機械控制系統能在機械控制的座標系統中，記錄該機械手臂的位置以完成此實際末端效應器/晶圓座的校準。
生產期間，該機械手臂將末端效應器移動至與此末端效應器/晶圓座對準位置相關的座標。如果晶圓係放在關於末端效應器的中心，當用於晶圓處理之該晶圓係藉由機械手臂放在晶圓座上時，則此時末端效應器定義中心實際地對準該晶圓座中心的事實將使該晶圓被放在關於晶圓座的中心。在案名為”SYSTEMS AND METHODS FOR CALIBRATING END EFFECTOR ALIGNMENT IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM”(代理人案號LMRX-P143/P1747)與案名為”SYSTEMS AND METHODS FOR DYNAMIC ALIGNMENT BEAM CALIBRATION”(代理人案號LMRX-P144/P1748)之共同申請之專利申請案中(其係由本案本發明者在同一天申請並於此併入參照)，已提出解決此末端效應器/晶圓座錯位問題的技術。關於在前述兩份專利申請案”SYSTEMS AND METHODS FOR CALIBRATING END EFFECTOR ALIGNMENT IN APLASMA PROCESSING SYSTEM”與”SYSTEMS AND METHODS FOR DYNAMIC ALIGNMENT BEAM CALIBRATION”中所討論之技術細節，可於下文之論述A與論述B中回顧。
然而，就校正目的而言，對於放置末端效應器在相應的晶圓座中心，習知技藝技術具有些不利條件。首先，存在許多類型的晶圓座和處理模組。因此，為了利用機械配件方法以執行校正，必須製造和儲存許多不同的機械配件。
另外，將可能具有一個以上堅硬金屬邊緣或表面的一個物理機械配件固定於晶圓座，可能會潛在地損壞該晶圓座。此外，如果於處理模組中已經實行一些電漿循環之後，才在該領域完成這個校正(例如：考量到隨著生產之運行，末端效應器可能不會放在相對應晶圓座之中心)，則在晶圓座上，物理校正配件的安裝會引起在晶圓座上或靠近晶圓座之沉積粒子剝落而進入處理室。在一連串處理循環中，此種顆粒會構成粒子污染，此係所不欲的。
此外，因為在大氣壓力下執行校正，習知技藝校正技術可能無法有效地複製在生產期間存在的狀況。此係因為生產期間中，處理模組的元件可能放置於真空下，導致由於介於真空環境和周圍大氣之間壓力的不同，而引起一個以上元件偏移。由於該校正狀況無法忠實地複製該生產狀況，故可能無法準確的校正。
再者，如果將末端效應器定位在末端效應器/晶圓座對準位置係以手工執行(例如：包含操作者拉或推末端效應器以放置於機械配件的關鍵特徵上)，當操作者釋放機械手臂而去以機械手臂控制器記錄此末端效應器/晶圓座對準位置時，機械手臂的位置可能會有偏移。這類偏移會因很多原因發生，包含例如除去機械馬達的能源。當機械手臂移開時，甚至對於機械操作者都察覺不出的小量偏移，可能導致在校正程序中的不精確。如果該校正程序為不精確的，可能發生在生產期間不精確的晶圓佈置，導致良率降低以及製造產品的剔除和/或失敗比率增加。
在一實施例中，本發明係關於在電漿處理系統中，校正一末端效應器對於一晶圓座之對準的方法。該方法包含提供從該末端效應器至該晶圓座的一第一光束。該方法包含將該末端效應器沿著一預定校正路徑移動，如此一來該第一光束橫越該晶圓座之一表面。該方法也包含接收一組反射光訊號，該組反射光訊號係至少在該表面於該移動步驟期間反射該第一光束時產生。該方法包含分析該組反射光訊號以識別三個以上間斷性。該三個以上間斷性係與當該第一光束遭遇該晶圓座之一邊緣時，所產生的三個以上反射光訊號相關。該方法也包含基於該三個以上間斷性，而決定三個以上座標資料點，該三個以上座標資料點代表在該晶圓座邊緣上之三個以上的點。該方法包含基於該三個以上座標資料點，決定該晶圓座的中心。在本發明一實施態樣中，該三個以上間斷性為四個以上間斷性。
上面內容僅係關於公開在此處之本發明許多實施例中的一實施例，而不是想要限制本發明的範圍，其係於本案之申請專利範圍中提出。本發明的這些與其他特徵將會於下面的實施方式中並結合如下圖式更詳細的描述。
參照如同伴隨圖式所說明的一些實施例，現在將詳細描述本發明。在接下來的描述中，為了提供本發明之徹底理解，將提出許多具體細節。然而，對於熟悉本技藝者顯而易見的，沒有一些或全部的這些具體細節，仍可實行本發明。在其他例子中，為了不要多餘地使本發明難以理解，則不詳細敘述熟知的程序步驟和/ 或結構。
於此，在下面將描述包含方法與技術之各式各樣實施例。應該要記住本發明可能也涵蓋製造物，其包含儲存電腦可讀指令之電腦可讀媒介，電腦可讀指令用於施行本發明技術之實施例。舉例來說，該電腦可讀媒介可包含半導體、磁性、光磁、光學或其他用於儲存電腦可讀編碼的電腦可讀媒介之形式。進一步地，本發明也涵蓋用於實行本發明實施例的設備。這樣的設備可能包含專用和/或可編程序的電路，以完成關於本發明實施例的任務。這樣設備之例子包含，適當地設計電腦程式之一般用途電腦和/或一專用電腦裝置，並且可能包含適合用於各式各樣關於本發明實施例的任務之電腦/計算裝置和專用/可編程序電路的結合。
本發明之實施例係與用於將晶圓座之中心至記錄機械手臂控制器的方法與設備相關，以便該機械手臂控制器能夠在該機械座標系統中，確定處理模組中晶圓座和該晶圓座中心的位置。本發明之實施例也與用於校正末端效應器相對於該晶圓座上表面之垂直位置的原位方法與設備相關。
在本發明之一觀點中，此處本發明人確認機械手臂控制器通常知悉該機械手臂目前在其本身座標系統中的位置。由於將末端效應器安裝於該機械手臂，因此該機械手臂控制器也能夠在它自己的座標系統中，使末端效應器之目前位置關聯於該機械手臂控制器自己的座標系統。
在本發明一個以上實施例中，末端效應器目前位置(機械手臂控制器能以其本身之座標系統所確定的該位置)係與晶圓座的某些特徵互相關聯，以完成末端效應器校正。在一個以上實施例中，使用一種光學末端效應器對準技術，其中將一光源(例如：一雷射光束)固定於該末端效應器，並且將該末端效應器送至晶圓座上方之一預定校正路徑上，以獲得關於該晶圓座用於末端效應器校正的資料點。
當來自光源的光束沿著校正路徑橫越該晶圓座(包含該晶圓外部周圍)時，使用一感測器以取得反射光。將該反射光針對間斷性 作分析，該間斷性可指示當光源遭遇該晶圓座之外部邊緣時，在該反射光中的改變。機械手臂控制器將間斷性的發生與這些間斷性發生時該機械手臂之座標聯繫起來。如果獲得三個以上的資料點(包含間斷性的檢測與相對應機械手臂的座標)，之後使用外插法邏輯以推斷出在該機械手臂控制器座標系統內，代表該晶圓座的圓和/或該晶圓座中心。可利用現成之軟體工具(例如舉例來說，用於CV-3002 Series Controller CV-H3N的Keyence通訊軟體，可自Keyence Corporation of Woodcliff Lake,NJ得到)執行此外插法。
已經知道該晶圓座中心之座標，該機械手臂控制器可校正末端效應器至該晶圓座中心。注意到藉著該提議之光學末端效應器校正技術，不再需要使用為了將末端效應器放在該晶圓座之中心而安裝至該晶圓座之一專門硬體配件，係的。因此，則有利地消除與習知技藝專門之硬體配件方法相關的缺點與風險。
進一步地，為了執行光學末端效應器校正之目的，不需要將該光源(例如：雷射光源)定位於末端效應器定義中心。換言之，如果希望的話，該光源可偏移於該末端效應器定義中心。只要知道在末端效應器上之光源位置至末端效應器定義中心的偏移量，便可在計算代表該晶圓座的圓和/或該晶圓座中心時將此偏移量納入考量，以將該末端效應器定義中心對準至該晶圓座中心，或用以計算機械手臂所需之實際移動，以允許該末端效應器將一產品晶圓放於該晶圓座中心。而且，沒有必要將該感測器定位在該末端效應器本體上。只要裝設一感測器，而使該感測器能夠為了檢測前述之間斷性而取得足夠的反射光，則可將該感測器本身放置於該處理模組內外之任何想要的位置上。
參照以下之討論與圖示可更加瞭解本發明之特徵與優點。
圖2A依照本發明之一實施例，展示一原位光學末端效應器校正之佈置的一部分，其包含固定於一末端效應器204尖端上之一雷射光源202(在圖2例子中，其與一感測器整合)。如同前述的，為了末端效應器的校正，只要知道介於該光源與末端效應器定義中心之間的偏移量，可將該光源裝設於末端效應器上的任何地方。
同樣也展示出一晶圓座206，代表固定於一電漿處理系統之處理模組內的一晶圓座。在校正中，機械手臂控制器(未展示)將該機械手臂沿著一預定校正路徑移動，以產生至少三個晶圓座邊緣資料點。該機械手臂沿著該校正路徑的移動，引發雷射光源202所提供之一光束208沿著如展示的一路徑210來回移動。在一個以上實施例中，路徑210包含至少兩部分，該兩部分的每一個在晶圓座206之圓周上都包含至少兩個點。當光束208沿著路徑210移動時，感測器記錄反射光並且針對間斷性分析該反射光。
當光束208沿著晶圓座206之圓周碰到位置212a時，藉由邏輯分析該反射光可確定在該反射光中的一間斷性。當檢測到該間斷性事件時，該機械手臂控制器在它自己座標系統中記下它自己的機械手臂位置。隨著該光束沿著路徑210移動，該光束在晶圓座邊緣碰到位置212b和212c而確定兩個另外的間斷性事件。再一次的，該機械手臂控制器將已確定的間斷性與同時的機械座標聯繫起來。在機械手臂的移動使光束208完成它沿著路徑210的來回移動之後，取得三個間斷點和它們相對應的機械座標。
之後可從該三個間斷點，使用邏輯以推斷代表晶圓座206之圓。注意到由於將間斷點記錄於機械座標系統內，可以在該機械座標系統內很快地計算出代表晶圓座206之圓。進一步地，亦可在該機械座標系統內很快地計算出該晶圓座206之中心。
注意到路徑210可代表任何設置為在三個以上的位置橫越該晶圓座的周圍以產生至少三個間斷點之任意的路徑。一般來說，在一實施例中，機械操作者對於晶圓座可座落之位置具有一初步想法，並可為該機械手臂控制器進行排程，俾以有效產生寬廣間隔間斷點之方法將該機械手臂移動，以確保可準確地計算出代表晶圓座206之圓。執行這樣校正之一範例工具可為用於CV-3002 Series Controller CV-H3N的Keyence通訊軟體，其可自Keyence Corporation of Woodcliff Lake,NJ得到。
圖2B依照本發明之一實施例，展示用於校正末端效應器相對於晶圓座上表面之垂直位置的一光學佈置。圖2B展示一光源 230(例如：一雷射光源)，用以傳送一光束232(例如：一雷射光束)穿過在該處理模組壁中的一窗戶234。雖然該窗戶係被展示裝設於在該處理模組之遠處牆上(例如：該牆係與晶圓嵌進或移出的門相對)，這樣的位置並非絕對需求。
在一實施例中，在晶圓傳送期間，光束232的高度可代表在晶圓座206之上用於定位末端效應器240所需高度。將一感測器(未展示)裝設於該末端效應器上，用以當末端效應器240沿著一垂直校正路徑移動時(例如：跨越光束232之Z方向中)，允許機械控制系統決定何時該光束232碰到末端效應器240。
當藉由裝設於末端效應器240尖端之感測器檢測到光束232時，該機械手臂控制器可在機械座標系統中，記錄同時的機械手臂垂直位置。晶圓傳送期間，可將所記錄之該機械手臂垂直位置使用於垂直地定位該末端效應器。
或者，可將光源230固定於處理室242內而可排除窗戶234。
或者或另外地，亦可分析來自光源230的反射光以及針對間斷性作分析，以校正末端效應器的垂直位置。在一個以上實施例中，當機械手臂控制器指示末端效應器240沿著垂直校正路徑移動跨越光束232時，可使用一感測器以取得來自光源230的檢測光。當光束232碰到末端效應器240時，可確定在反射光中的一間斷性。此間斷性可與機械手臂的目前座標相關聯，因此實質上地記錄該雷射光束在晶圓座之上之垂直高度的機械座標。當使用該反射光方法時，可將感測器固定於任何合適位置，包含未裝設於末端效應器240上或附近之位置，用於取得光源230的反射光。
圖3A依照本發明之一實施例，展示用於相對晶圓座中心實施光學末端效應器校正的一個簡化流程圖。步驟302中，將一光源(例如一雷射光源)安裝於末端效應器。步驟304中，將末端效應器與其安裝的光源，在晶圓座的上表面之上方，沿著一預定軌道路徑移動。
在該末端效應器於該晶圓座上表面上方移動期間，將來自光源的一光束指向於該晶圓座的上表面。取得來自該光源之反射光 並針對間斷性分析(步驟306)。如果接收一間斷性(步驟308之路徑”YES”)，則記錄機械手臂位置的機械座標(步驟310)。該程序持續進行(箭頭312)，直到獲得一預定數量之間斷性和它們相對應機械手臂座標，或直到完成該軌道遍歷為止。
在取得需要的間斷點之後，使用外插法邏輯以確定該晶圓座圓周、半徑、以及中心。在一個以上實施例中，依據由該機械手臂控制器定義的軌道，至少需要三個間斷點，雖然為了校正光學末端效應器於晶圓座中心，也可獲得附加的點。
圖3B依照本發明之一實施例，展示用於校正末端效應器相對於晶圓座上表面之垂直位置的一簡化流程圖。在圖3B的流程圖中，在晶圓傳送期間和/或當準備將晶圓放於晶圓座上時，確定一雷射光束(例如圖2B的雷射光束232)的垂直位置，以垂直地定位末端效應器。步驟370中，將一光源(例如一雷射光源)安裝於晶圓座上方之所需高度之處理模組的內牆或如圖2B所展示的處理模組外部任何一者。將該雷射光源瞄準，以所需高度且實質上平行於晶圓座上表面而發射一雷射光束以用於末端效應器之垂直定位。
步驟372中，將能夠感測雷射光束的一感測器安裝於末端效應器，如此一來當末端效應器沿著一垂直校正路徑移動時，例如在Z方向中(往下至晶圓座和/或從晶圓座上表面往上)，該感測器可被雷射光束照射到。步驟374中，將包含前述的感測器之該末端效應器以Z方向移動跨越該雷射光束。如果感測器檢測到該雷射光束，則記錄機械手臂位置當時的機械座標。機械手臂控制器可使用此垂直位置，用以在晶圓傳送和/或準備將晶圓放置於晶圓座上期間，垂直地定位該末端效應器。
從前述的可瞭解到，本發明之實施例在任何給予的處理模組中，使機械手臂控制器能夠在機械座標系統中，確定晶圓座和晶圓座中心的位置。或者或另外地，在晶圓傳送期間如果需要的話，該機械手臂控制器也能確定對應於機械手臂的垂直位置之機械座標。
由於不再需要使用為了將末端效應器放在該晶圓座之中心而安裝至該晶圓座之專門硬體配件，因此可避免習知技藝之缺點。例如，藉由原位執行校正，忠實地重製生產中的狀況，而導致一更精準的校正程序。舉例來說，這些狀況包含類似真空狀況和類似機械伺服器參數。由於不使用機械配件，就不同的電漿處理模組而言，消除了與製造及保存大量不同機械校正配件的存貨相關之成本。
此外，使用非接觸、非物理性之校正技術則排除校正相關之晶圓座損壞和校正相關之粒子污染的可能性，因而可在不使腔室和/或已製造之裝置承受損壞風險的情況下，更頻繁的和/或在生產運行的中途執行校正。
論述A[開始]
電漿經常被使用在處理半導體基板中(例如：晶圓)。在電漿處理中，利用一般包含複數個處理模組之電漿處理系統處理該晶圓。電漿處理期間，將基板(例如：晶圓)裝設於處理模組內部的晶圓座上。
為了移動晶圓進出該處理模組，一般將該晶圓放置在一末端效應器上並轉移到該晶圓座上。該末端效應器為在晶圓轉移期間，用於支撐該晶圓的一結構元件。通常將該末端效應器裝設於機械手臂上。圖A1展示出一代表性習知技藝之末端效應器A102，在晶圓轉移期間用於支撐一晶圓A104。就圖解意圖而言，也展示出機械手臂A106的一部分。
一般來說，在一連串晶圓轉移期間，該機械手臂首先移動末端效應器，以從晶圓儲藏卡匣或晶圓儲藏站拿起晶圓。一旦將晶圓定位在末端效應器上，則之後該機械手臂將移動該晶圓經過處理模組中之閘門而進入電漿處理模組。機械手臂之後將該末端效應器和該晶圓定位於晶圓座之上，並且之後將晶圓放在晶圓座上，以用於電漿處理。
為了確保恰當地處理該晶圓(由此確保可控制與可重複的製程結果)，在電漿處理期間，需要將該晶圓放在晶圓座的中心。當機 械手臂放置該晶圓於晶圓座時，如果末端效應器為完美地放在關於晶圓座的中心並且晶圓為完美地放在關於該末端效應器的中心，之後則該晶圓將完美地放在關於晶圓座的中心。
從機械控制器的觀點來看，為了晶圓佈置的目的，知道晶圓座的中心，以使該機械控制器能夠將末端效應器放置於晶圓座中心的上方係重要的。因此，對於任何給與之電漿處理模組，需要教導該機械控制器晶圓座和晶圓座中心的位置。換句話說，由於如機器化和/或製造和/或組件容許誤差的因素，造成每一個晶圓座定位於每個處理模組中可能有輕微地不同，故該機械控制器需要在它自己的座標系統中確定晶圓座和晶圓座中心的精確位置。
為了補正末端效應器/晶圓座的錯位，在校正中，典型的策略包含將機械手臂移動至由末端效應器所定義之中心(此處稱為『末端效應器中心』或『末端效應器定義中心』)實際與晶圓座中心對準的位置。為了完成末端效應器的校正，操作者必須能夠確定實際的末端效應器/晶圓座的對準位置。在習知技藝中，係利用安裝於晶圓座邊緣上或安裝至處理模組內部的一個製造機械配件，完成末端效應器中心對於晶圓座中心的對準。該機械配件具有一個關鍵特徵(實質上係針對該末端效應器的一中心突出物)，其允許末端效應器置於校正配件的關鍵特徵正上方。由於該配件為放在關於晶圓座的中心，當末端效應器對著該配件的關鍵特徵放置時，該末端效應器中心將會被放在晶圓座的中心。典型地，係藉由一操作者對著關鍵特徵拉或推該末端效應器，完成末端效應器對照關鍵特徵之定位，以使末端效應器對著該關鍵特徵放置。
在操作者已經對著關鍵特徵定位好末端效應器之後，該操作者之後以機械控制系統登記機械手臂位置，以便該機械控制系統能在機械控制的座標系統中，記錄該機械手臂的位置以完成此實際末端效應器/晶圓座的校準。
生產期間，該機械手臂將末端效應器移動至與此末端效應器/晶圓座對準位置相關的座標。如果晶圓係放在關於末端效應器的中心，當用於晶圓處理之該晶圓係藉由機械手臂放在晶圓座上 時，則此時末端效應器中心實際地對準該晶圓座中心的事實將使該晶圓被放在關於晶圓座的中心。
然而，就校正目的而言，對於放置末端效應器在相應的晶圓座中心，習知技藝技術具有些不利條件。首先，存在許多類型的晶圓座和處理模組。因此，為了利用機械配件方法以執行校正，必須製造和儲存許多不同的機械配件。另外，將可能具有一個以上堅硬金屬邊緣或表面的一個物理機械配件固定於晶圓座，可能會潛在地損壞該晶圓座。此外，如果於處理模組中已經實行一些電漿循環之後，才在該領域完成這個校正(例如：考量到隨著生產之運行，末端效應器可能不會放在相對應晶圓座之中心)，則在晶圓座上，物理校正配件的安裝會引起在晶圓座上或靠近晶圓座之沉積粒子剝落而進入處理室。在一連串處理循環中，此種顆粒會構成粒子污染，此係所不欲的。
此外，因為在大氣壓力下執行校正，習知技藝校正技術可能無法有效地複製在生產期間存在的狀況。此係因為生產期間中，處理模組的元件可能放置於真空下，導致由於介於真空環境和周圍大氣之間壓力的不同，而引起一個以上元件偏移。由於該校正狀況無法忠實地複製該生產狀況，故可能無法準確的校正。
再者，如果將末端效應器定位在末端效應器/晶圓座對準位置係以手工執行(例如：包含操作者拉或推末端效應器以放置於機械配件的關鍵特徵上)，當操作者釋放機械手臂而去以機械控制器登記此末端效應器/晶圓座對準位置時，機械手臂的位置可能會有偏移。這類偏移會因很多原因發生，包含例如除去機械馬達的能源。當機械手臂移開時，甚至對於機械操作者都察覺不出的小量偏移，可能導致在校正程序中的不精確。如果該校正程序為不精確的，可能發生在生產期間不精確的晶圓佈置，導致良率降低以及製造產品的剔除和/或失敗比率增加。
圖A1展示在晶圓傳送期間，用於支撐一晶圓之一典型習知技藝末端效應器。
圖A2展示依照本發明之實施例，一電漿處理系統之概要圖 像，說明用以原位校正末端效應器之一原位光學末端效應器校正系統的至少一部分之俯視圖。
圖A3展示依照本發明之實施例，用於原位光學末端效應器校正方法的說明流程圖。
本發明實施例係有關用於執行末端效應器校正的原位方法和設備，其不使用機械配件而不致遭受與習知技藝末端效應器校正方法相關的缺點。如同上述的，為了執行末端效應器校正，該末端效應器中心或該末端效應器定義中心(亦即，藉由末端效應器定義/決定的中心，其可能或未必為末端效應器的質量或幾何中心)需要與晶圓座中心校準。為了決定實際末端效應器/晶圓座的校準，習知技藝使用包含許多早先討論之不利條件的機械配件。
本發明一個以上的實施例中，係使用一種原位光學技術以決定實際的末端效應器/晶圓座校準位置。此決定程序產生資料，該資料可使機械控制器在生產期間移動機械手臂一必須量以補償末端效應器/晶圓座的錯位。
本發明一個以上的實施例中，當末端效應器和晶圓座係處於它們理論之末端效應器/晶圓座校準時(亦即，當機械控制器相信該末端效應器理論上位在關於晶圓座的中心時，末端效應器佔據之相對於晶圓座之位置)，該原位光學末端效應器校正技術包含獲取末端效應器和晶圓座的靜止圖像。該末端效應器設有一個以上視覺指示器，而使處理單元能夠從獲取的靜止圖像，決定末端效應器定義中心。該晶圓座同樣地具有一個以上視覺指示器(例如：晶圓座周圍的廣泛地圓形輪廓)，而使該處理單元能夠決定晶圓座的中心。
一旦末端效應器中心和晶圓座中心藉由處理單元決定後，將計算出介於這兩個中心之間的偏移(亦即，『差量』)。將末端效應器從理論的末端效應器/晶圓座校準位置，移動至實際的末端效應器/晶圓座校準位置所需的位置向量，則於之後計算得到。此位置向量則之後被提供至機械控制器處，以使機械控制器能夠補正末端效應器/晶圓座的錯位。
在一個以上的實施例中，在生產狀況下，末端效應器和晶圓座被放置於電漿處理室時，該原位光學技術使用可獲取末端效應器和晶圓座的光學影像之影像取得裝置(例如：攝影機和/或鏡頭)。換言之，在末端效應器校正程序中，電漿處理室所處之真空狀況實質上與存在於生產中之真空狀況相似。該攝影機和/或鏡頭可被放置於電漿處理室內部，或更好地在電漿處理室外部但具有光學通道(例如：通過一適當設計窗口或孔徑)至包含前述的視覺指示器之末端效應器和晶圓座的區域。藉由在本質上相同於生產期間經歷狀況的情況下執行校正，可實質消除因壓力差所引起之校正誤差。
本發明一個以上的實施例中，末端效應器設有一切割道。該切割道係定位在末端效應器上，如此一來在原位光學校正中，可從該切割道獲取一個靜止圖像。在一實施例中，在末端效應器上的該切割道係建構為圓的弧形，該弧形的中心與末端效應器定義中心一致。藉由確定該弧形與該圓的中心(該切割道/弧形係為該圓的一部分)，應可決定末端效應器定義中心。然而，其他實施例中，可仔細考慮亦可使用任何替代的參考記號以導出末端效應器定義中心。
此外，在原位光學校正中，定位影像取得設備(攝影機和/或鏡頭)，俾可獲取到部分或全部之晶圓座周圍或晶圓座之或上的視覺指示器之影像，而可用來推論晶圓座中心。如同在末端效應器的例子中，對於晶圓座應可設置一個以上的視覺指示器，以允許處理單元確定晶圓座中心。在一實施例中，晶圓座本身的外部周圍構成這樣所希望的視覺指示器。
藉由確定由晶圓座視覺指示器(例如：在一實施例之晶圓座圓形周圍)描述之圓，於實施例中之晶圓座中心應可被決定。如同之前提到的，一旦決定末端效應器中心和晶圓座中心後，應可決定該偏移(『差量』)並提供至機械控制系統，作為修正因素以補正末端效應器/晶圓座的錯位。
本發明的特徵與優點應可參照接下來的圖形與討論而更佳瞭 解。
依照本發明的一實施例，圖A2展示一電漿處理系統A220的概要圖像，其圖解用於原位校正末端效應器(例如：在半導體裝置生產情況下的電漿處理系統A220中)且不需要機械配件的原位光學末端效應器校正系統A200之至少一部分的俯視圖。如在圖2所看見的，該原位光學末端效應器校正系統A200包含末端效應器A202，其具有切割記號A204在其上。圖A2例子中的切割記號A204，為一弧形，代表圓的一部分，其中心與由末端效應器A202定義的中心一致。圓中心的決定和與此圓相關之該弧形的切割係在熟悉本技藝者的技術範圍內。
圖A2也展示一晶圓座A206，表示該晶圓座在一處理模組內部。為了產生機械控制系統A222所需的校正向量，架構該原位光學末端效應器校正技術，以利用一原位光學方法決定晶圓座中心以及末端效應器定義中心。校正期間，一影像取得裝置A250(例如：裝設在末端效應器A202和晶圓座A206上面之攝影機)可獲取至少一部分包含切割記號A204之末端效應器A202、與至少一部分晶圓座A206的至少一張靜止圖像。注意到如果影像係從攝影機和/或鏡頭佈置的上頭拍攝，晶圓座A206的一部分可能被隱藏在末端效應器A202之下。
而且，一處理單元A224(例如：包含於邏輯模組A210內)能夠重建由晶圓座A206的圓形周圍形成的圓，而且亦可決定該圓的中心(其代表晶圓座A206的中心)。同樣地，處理單元A224(例如：包含於邏輯模組A210內)能夠重建切割記號A204為其中一部分的圓，而且也能決定該圓的中心。此圓藉由虛線圓A212表示於在圖A2中。
圖A2也展示出末端效應器中心A214，代表由前述的處理單元A224決定的末端效應器A202定義中心。也展示出一晶圓座中心A216，代表晶圓座A206的中心。則之後產生從末端效應器中心A214至晶圓座中心A216的差距向量A218。由於末端效應器中心A214代表理論末端效應器/晶圓座校準位置而晶圓座中心 A216代表實際末端效應器/晶圓座校準位置，則該位置差距向量A218代表使末端效應器中心A214對準晶圓座中心A216所需要的修正量。當末端效應器中心A214對準晶圓座中心A216後，則完成實際的末端效應器/晶圓座校準。藉由提供此差距向量A218至機械控制系統A222，在生產中該機械控制系統A222能夠使機械手臂從末端效應器中心A214移動由位置差距向量A218所提供的一段距離與方向，因此有效地修正末端效應器/晶圓座的錯位。
依照本發明之一實施例，圖A3展示原位光學末端效應器校正方法的說明流程圖。舉例來說，該方法係藉由利用參照圖A2實施例討論的一個以上組件而執行。步驟A302中，藉由機械手臂將末端效應器移動至理論末端效應器/晶圓座之校準處，亦即，機械控制系統認為末端效應器已相對於晶圓座而理論上定心的位置。步驟A304中，以關於圖A2所討論的方式獲取末端效應器、末端效應器上的視覺指示器、以及晶圓座的一靜止圖像。
步驟A306中，進行影像處理以取得在末端效應器上之視覺指示器(例如：前述的切割記號)，以及決定由晶圓座的外部周圍形成的圓。為了協助處理單元，應可安裝攝影機和/或鏡頭，俾針對處理單元而最佳化光頻、照明條件、光圈、焦距、和/或視野等，以取得提供資料的視覺指示器而決定末端效應器中心和晶圓座中心。
在一實施例中，步驟A308包含在圖像中沿著對比之畫素產生複數個資料點以及執行曲線擬合以重造所需之圓。這樣的影像處理技術與曲線擬合技術對於其他領域中熟悉本技藝者為熟知的，並且可以利用許多一般現成的處理單元套裝軟體(像是例如：用於CV-3002 Series Controller CV-H3N的Keyence通訊軟體，可自Keyence Corporation of Woodcliff Lake,NJ得到)完成。
步驟A310中，由利用處理單元而從末端效應器視覺指示器(例如：切割道)所重造的圓中確定末端效應器定義中心。步驟A312中，由利用處理單元而從晶圓座視覺指示器(例如：晶圓座的外部周圍)所重造的圓中確定晶圓座中心。步驟A314中，決定從末端 效應器中心至晶圓座中心的差距向量。步驟A316中，提供該差距向量至機械控制系統，以使機械控制系統能夠在生產中將機械手臂移動，以補正末端效應器/晶圓座之錯位。
從前述的能了解到，本發明之實施例以實質上沒有與習知技術機械配件校正方法相關之缺點的方式而完成末端效應器校正。藉由執行原位校正，忠實地再製在生產期間的狀況，導致更精確的校正程序。舉例來說，這些狀況包括類似真空狀況和類似機械伺服機參數。由於不使用機械配件，就不同電漿處理模組而言，消除了與製造及保存大量不同機械校正配件的存貨相關之成本。此外，使用非接觸、非物理性之校正技術則排除校正相關之晶圓座損壞和校正相關之粒子污染的可能性，因而可在不使腔室和/或已製造之裝置承受風險的情況下，更頻繁的和/或在生產運行的中途執行校正。
論述A[結束]
論述B[開始]
電漿經常被使用在處理半導體基板中(例如：晶圓)。在電漿處理中，利用一般包含複數個處理模組之電漿處理系統處理該晶圓。電漿處理期間，將基板(例如：晶圓)裝設於處理模組內部的晶圓座上。
為了移動晶圓進出該處理模組，一般將該晶圓放置在一末端效應器上並轉移到該晶圓座上。該末端效應器為在晶圓轉移期間，用於支撐該晶圓的一結構元件。通常將該末端效應器裝設於機械手臂上。圖B1展示出一代表性習知技藝之末端效應器B102，在晶圓轉移期間用於支撐一晶圓B104。為了說明，也展示出機械手臂B106的一部分。
一般來說，在一連串晶圓轉移期間，該機械手臂首先移動末端效應器，以從晶圓儲藏卡匣或晶圓儲藏站拿起晶圓。一旦將晶圓定位在末端效應器上，則之後該機械手臂將移動該晶圓經過處理模組中之閘門而進入電漿處理模組。機械手臂之後將該末端效應器和該晶圓定位於晶圓座之上，並且之後將晶圓放在晶圓座 上，以用於電漿處理。
為了確保恰當地處理該晶圓(由此確保可控制與可重複的製程結果)，在電漿處理期間需要將該晶圓放在晶圓座的中心。如果末端效應器為正確地放在關於晶圓座的中心並且晶圓為正確地放在關於該末端效應器的中心，之後則當機械手臂放置該晶圓於晶圓座時，該晶圓將正確地放在關於晶圓座的中心。然而，由於許多原因，其中的一些原因將於以下討論，此理想狀況很少係實際情形。
由於介於處理室之各式各樣元件之間的機器化和/或製造容許誤差，在一個給予的處理模組中，由末端效應器定義的中心(此處稱為『末端效應器中心』或『末端效應器定義中心』)相對於晶圓座的中心可能具有輕微地偏移。結果，在機械控制器認為晶圓放置位置正確之機械手臂位置處，由末端效應器定義的中心可能沒有正確地與晶圓座中心對準。如果生產期間無法補正此末端效應器/晶圓座之錯位，則在晶圓處理期間，晶圓會相對於晶圓座中心而被不精確地放置。在案名為”SYSTEMS AND METHODS FOR CALIBRATING END EFFECTOR ALIGNMENT IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM”(代理人案號LMRX-P143/P1747)之共同申請之專利申請案中(其係由本案本發明者在同一天申請並於此併入參照)，已提出解決此末端效應器/晶圓座錯位問題的技術。
然而，即使末端效應器中心係正確地對準於晶圓座中心(或能做到完成一正確對準的結果)，於生產中仍存在潛在誤差來源而可導致晶圓/晶圓座的錯位。該潛在誤差為，不同產品晶圓可能被不同地定位於末端效應器上。如果末端效應器中心未能正確地或一貫地對準於晶圓的中心，在生產期間仍然會發生晶圓/晶圓座的錯位。這樣的話，即使該末端效應器中心係正確地對準於晶圓座中心，當該末端效應器將該晶圓放置於晶圓座上以進行處理時，晶圓/末端效應器的錯位仍將引起該晶圓相對於晶圓座的偏移。
不像末端效應器/晶圓座之錯位問題(由於此對準誤差係由於處理室元件容許誤差和機械校正問題所引起，因此對於在一給予 之處理模組中之所有晶圓其趨向為一固定誤差)，晶圓/末端效應器之錯位可隨著每一產品晶圓改變。換言之，每一產品晶圓可被不同地放置在末端效應器上，導致在錯位中的差異。因此，針對此末端效應器/晶圓之錯位的解決方案需要一動態方法，亦即，一個可以在生產期間中，調整每一個別產品晶圓相對於末端效應器之誤差的方法。
在習知技藝中，利用一動態對準光束方法解決該末端效應器/晶圓之錯位。一動態對準(DA)光束檢測系統，典型地使用座落於電漿處理模組通道入口的兩個光束(亦即雷射光束)。如將晶圓移動經過DA光束(該光束係垂直於該晶圓移動平面)，當該晶圓進入光束時則截斷該DA光束，且之後在該晶圓不再存在之位置恢復該光束。此光束訊號截斷後連結的形態產生一產品DA光束形態。
在該動態對準光束方法中，係必須要獲得一參考DA光束形態，亦即，當正確地置於末端效應器中心上的一晶圓移動通過該DA光束時，所產生的DA光束形態。藉由將該產品DA光束形態(亦即，一產品晶圓所獲得之該光束形態)與該參考DA光束形態作比較，可獲得一個誤差向量。之後該機械控制器可將機械手臂移動必須量，以修正在生產期間中末端效應器/晶圓之錯位。關於動態對準光束之進一步資訊，舉例來說，可在核發之美國專利第6,502,054號以及第6,629,053號中找到，而併入此文參照。
獲得一參考DA光束形態的程序在此被稱為DA光束校正。為了校正該DA光束，之後必須取得或獲得包含正確地置於末端效應器中心上的一晶圓之一DA光束校正組件，以及必須將該DA光束校正組件移動通過該DA光束，如此可取得一參考DA光束形態。
在習知技藝中，利用模擬晶圓之一製造圓盤而獲得DA光束校正組件。該圓盤具有一向下突出的凸緣，其可配合末端效應器的一凹口(例如在圖B1中之末端效應器B102的一凹口)。一旦將該圓盤安裝於該末端效應器的凹口時，則此結合模擬出正確地置於末端效應器中心的一晶圓。之後由機械手臂將該模擬的晶圓/末 端效應器之結合，以朝向晶圓座之一直線軌道路徑通過DA光束移動進入處理模組中，以獲得一參考DA光束形態。
然而，為了獲得一參考DA光束形態，利用一模擬晶圓之圓盤以創造一校正組件之習知技藝技術具有些缺點。首先，將一物理機械配件(例如該模擬晶圓之圓盤)安裝於末端效應器上可能會潛在地損壞該末端效應器。
另外地，如果於處理模組中已經實行一些電漿循環之後，才在該領域完成這個校正，則末端效應器上之物理或機械配件的安裝會引起在末端效應器上或靠近末端效應器之沉積粒子剝落而進入處理室中。在隨後的處理循環中，此種顆粒會構成粒子污染，此係所不欲的。
另外地，因為在大氣壓力下執行校正，習知技藝校正技術可能無法有效地複製在生產期間存在的狀況。此係因為生產期間中，處理模組的元件可能放置於真空下，導致由於真空環境和周圍大氣之間壓力的不同，而引起一個以上元件偏移。由於該校正狀況無法忠實地複製該生產狀況，故可能無法準確的校正。如果該校正程序係不精準的，則在生產期間可能發生不精準的晶圓放置，導致良率的降低以及產品剔除和/或失敗比率增加。
為了校正DA(動態對準)光束，本發明之實施例係與用於創造一DA光束校正組件之方法與設備相關。在一實施例中，利用機械手臂移動，模擬該DA光束校正組件之(校正晶圓相對於末端效應器之)晶圓中心化需求，以補正錯誤定心於末端效應器上之校正晶圓。使用一光學晶圓定心方法，以決定機械手臂所需之修正量，用於補正非正確之末端效應器/晶圓對準。利用機械手臂的移動而補正該非正確末端效應器/晶圓對準，透過模擬可完成將一晶圓正確地放在一末端效應器中心上的結果。
一旦該機械手臂已經移動一必須量，以補正該非正確之末端效應器/晶圓對準(利用透過前述之光學晶圓定心方法而取得的補正資料)，將所得的DA光束校正組件移動通過DA光束，以獲得所期望的參考DA光束形態。有利地，本發明實施例不需要一機 械配件(例如：晶圓模擬圓盤)或遭受與習知技藝DA光束校正方法有關之缺點，而完成DA光束校正。
在本發明之一個以上實施例中，使用一光學晶圓定心技術以決定校正晶圓(亦即，用於DA光束校正所使用之晶圓)相對於末端效應器定義中心的位置。注意到該校正晶圓可代表實質上相似於使用在產線中的晶圓之任何的晶圓或晶圓空白。此光學晶圓定心程序所產生之資料，使機械控制器能夠將機械手臂移動一必須量，以調節介於該校正晶圓中心與該末端效應器中心之間的任何偏移。
在本發明一個以上實施例中，當將校正晶圓裝設於末端效應器上時，從該校正晶圓之至少一部分和該末端效應器之至少一部分獲取至少一靜止圖像。該末端效應器設有一個以上視覺指示器，其可使一處理單元能夠從該獲取之靜止圖像，決定末端效應器定義中心。在本發明一個以上實施例中，該末端效應器設有一切割道(或形成一圓之一弧形的任何參考記號)。將該切割道定位於末端效應器上，如此一來即使將一晶圓設置於該末端效應器上，仍可獲取該切割道的一靜止影像。在一實施例中，在末端效應器上的切割道係建構為一圓之弧形，其中心與末端效應器定義中心一致。藉由確定該弧形與該切割道為其一部分之圓的中心，可決定該末端效應器定義中心。
該晶圓同樣地具有一個以上視覺特徵(例如：晶圓周圍的一般圓形輪廓)，而使該處理單元能夠決定該晶圓的中心。如同在具有該末端效應器的例子中，對於該校正晶圓可替代或另外地設置一個以上視覺指示器，以允許該處理單元更有效地確定該晶圓之中心。然而，在一較佳實施例中，晶圓本身的外部周圍構成這樣一個期望的視覺指示器。一旦藉由該處理單元而決定該晶圓中心與該末端效應器中心時，可計算出介於這兩個中心之間的偏移(亦即，該『差量』)。
一般來說，至少具有兩項用以修正晶圓/末端效應器之錯位的技術。其第一項技術為物理修正法。物理修正法係藉由將末端效 應器和晶圓移動至一保持站而完成。之後將該晶圓放置於該保持站上而後機械手臂將該末端效應器移動一距離『差量』，以修正藉由光學晶圓定心方法所找到的偏移量。之後該末端效應器再一次拿起該晶圓，以用於光學分析。實際上，係將晶圓重新物理定位在末端效應器上。可反覆地執行該程序，直到發現該晶圓已符合要求地放在該末端效應器中心。
用於修正晶圓/末端效應器之錯位的第二項技術，係基於藉由光學晶圓定心程序決定的資料，使機械手臂(其有效移動該末端效應器和晶圓組件)移動該誤差修正向量。對於DA光束，此移動模擬出，假使該校正晶圓被正確地放在末端效應器中心時，該校正晶圓所佔據之晶圓位置。在這樣的修正之後，可將該末端效應器/晶圓組件移動通過DA光束(較佳地以直線方式移動)，以取得所想要的參考DA光束。
參照以下圖示與討論，將更加瞭解本發明的特徵與優點。
圖B2依照本發明之一實施例，展示一電漿處理系統B220的概要圖像，其說明一光學晶圓定心系統之至少一部分的一俯視圖，用於創造或模擬一正確定心之晶圓/末端效應器組件以校正DA光束。如在圖B2所看見的，該光學晶圓定心系統包含具有一切割記號B204於其上的一末端效應器B202。圖B2例子中的切割記號B204，係代表圓的一部分之一弧形，其中心與由末端效應器定義中心一致。
圖B2也展示一晶圓B206，其代表校正晶圓而被使用以創造參考DA光束形態。為了DA光束校正，該光學晶圓定心系統利用一光學方法決定該晶圓之中心與該末端效應器定義中心，以執行晶圓在末端效應器上之實際定心，或模擬正確地定心於末端效應器上之晶圓。。
在光學晶圓定心期間，一影像取得裝置B250(例如：裝設在末端效應器B202和晶圓B206上面之攝影機)可獲取包含切割記號B204之末端效應器B202、與晶圓B206的至少一靜止圖像。注意到如果該靜止影像係從攝影機和/或鏡頭佈置的上頭拍攝，末端效 應器B202的一部分可能被隱藏在晶圓B206之下。不管如何，重要的係將一些或全部的切割記號B204擷取於該靜止圖像中。
一處理單元B224(例如，包含於邏輯模組B208中)能夠重建由晶圓B206的圓形周圍形成的圓，並且決定該圓的中心(其代表晶圓B206的中心B210)。同樣地，處理單元B224(例如：包含於邏輯模組B208)不但能夠重建切割記號B204為其中一部分的圓，而且能決定該圓的中心。此圓係藉由虛線圓B212表示於圖B2中。
圖B2也展示出末端效應器定義中心B214，代表由前述的處理單元決定的末端效應器定義中心B214。則之後產生差量B216(亦即，從晶圓中心B210至末端效應器定義中心B214的計算差距)。此差量B216，代表機械手臂所使用的校正因子，用以將該校正晶圓從它目前位置(其為非正確地定心於該末端效應器)移動至正確定心之校正晶圓會佔據之位置。
換言之，一旦藉由該機械手臂完成這個修正，則裝設於末端效應器上的該晶圓將以正確地定心於末端效應器之晶圓會顯露的相同方式而顯露於DA光束。藉由記錄DA光束之截斷後連結形態，可獲得一參考DA光束形態。如同討論的，可在生產期間使用此參考DA光束形態以與產品DA光束形態(亦即，以產品晶圓得到之DA光束形態)對照比較，以決定在生產期間產品晶圓所需之機械手臂修正量。
或者，如早先所討論的，機械手臂可將校正晶圓移動至一保持站或保持機架。一旦將該校正晶圓放置於該保持站或保持機架上時，該機械手臂可將末端效應器以位置修正向量(在光學晶圓定心程序期間獲得)移動，以相對於該校正晶圓而重新定位末端效應器。可反覆執行影像的處理、偏移的分析、以及將晶圓重新定位在末端效應器上，直到將該晶圓令人滿意地放在末端效應器的中心上。之後使用該組合校正配件(亦即，正確地放在末端效應器中心上之晶圓)，以前述方式獲得該參考DA光束形態。
在一實施例中，可原位執行該光學晶圓定心系統(例如：在將晶圓和末端效應器裝設於處理模組內部時，利用可獲取靜止圖像 的攝影機和/或鏡頭佈置)。在相同或替代的實施例中，將處理模組放置於實質上近似於生產狀況的狀況下。雖然不是絕對需要，原位光學晶圓定心和/或原位DA光束校正有利地使定心和/或校正於實質上相似生產狀況的狀況下執行，因此降低定心相關誤差和/或校正相關誤差。
一旦原位獲取該靜止圖像，則將包含校正晶圓和末端效應器的組件從該處理模組移除。之後可針對末端效應器/晶圓之錯位產生任何所需的修正量。在產生該修正量後，將包含校正晶圓和末端效應器的組件再一次通過DA光束而引進處理模組中，以產生所想要的參考DA光束形態。
在另一實施例中，可在該處理模組外部執行該光學晶圓定心技術。一旦獲取與分析該圖像以及產生任何必須的修正量，將包含校正晶圓和末端效應器的校正組件再一次通過DA光束而引進處理模組中，以產生所需之參考DA光束形態。
圖B3依照本發明之一實施例，展示為了促進DA光束校正，利用一光學晶圓定心技術以創造或模擬相對於末端效應器定義中心而定心之晶圓的步驟說明流程圖。舉例來說，可利用參照於圖B2例子所討論之一個以上元件執行該方法。步驟B302中，將一晶圓放置於末端效應器上，如此一來可獲取包含在末端效應器上之一個以上視覺指示器和該晶圓之一個以上視覺指示器的一靜止圖像。
步驟304中，以關於圖B2所討論之方式獲取末端效應器、在該末端效應器上之一個以上視覺指示器、以及該晶圓的一靜止圖像。
步驟B306中，進行影像處理以決定在末端效應器上之一個以上視覺指示器(例如：前述之切割道)，以及決定由晶圓外部周圍形成之圓。在一實施例中，分析該靜止圖像以用於對比。為了協助處理單元，可安裝該攝影機和/或鏡頭，俾使光頻、照明條件、光圈、焦距、視野等等對於決定對比為最理想的，並允許處理單元取得提供資料的視覺指示器，以決定該末端效應器中心與該晶圓 中心。本技藝者從前述的將迅速瞭解到，可進行這些參數與狀況和其他影像相關參數的控制，以改善影像中對比和/或使得影像處理更精準。
在一實施例中，步驟B308包含在該靜止圖像中沿著對比之畫素產生複數個資料點以及執行曲線擬合以重造所需之圓。對於那些其他領域熟悉本技藝者，係熟知這樣的影像處理技術與曲線擬合技術，並且可以利用許多一般現成的處理單元套裝軟體(像是例如：用於CV-3002 Series Controller CV-H3N的Keyence通訊軟體，可自Keyence Corporation of Woodcliff Lake,NJ得到)完成。
步驟B310中，末端效應器定義中心係藉由處理單元從末端效應器視覺指示器(例如：切割道)重造的圓確定。
步驟B312中，晶圓中心係藉由處理單元從晶圓視覺指示器(例如：晶圓的外部周圍)重造的圓確定。
步驟B314中，介於該兩個中心之間的差距(亦即，從晶圓中心至末端效應器中心所計算出的差距)則於之後產生。例如：在一實施例中，使用DA光束形態以重建代表兩個晶圓(例如：產品晶圓和校正晶圓)的兩個圓，俾確定它們的中心(以及確定該晶圓中心之間的差距)。之後使用一演算法，以決定所需的位置修正向量以將機械手臂移動，而使未正確地放在相對於末端效應器中心的該晶圓能夠顯露於DA光束，就好像該晶圓係正確地被放在相對於末端效應器的中心。
在後續步驟中，提供此誤差向量至機械控制器，以使該機械控制器執行補正。一旦補正該末端效應器/晶圓之錯位後，將包含校正晶圓與末端效應器的該校正配件較佳地以一直線方式移動通過DA光束，以獲得前述的參考DA光束形態。
如從前述的可瞭解到，本發明之實施例促進一參考DA光束形態的取得，且不具有習知技藝之機械配件方法所帶來之缺點。此外，不需使用為模擬一正確定心之晶圓而特別構建之圓盤，則可避免將不熟悉硬體導入電漿處理模組中，因此降低校正相關末端效應器損壞及校正相關粒子污染的可能性。
雖然已在數個較佳實施例方面描述本發明，具有改變、變更、以及相等物均應包含於本發明範圍內。雖然此處提供各式各樣的實施例，但這些例子係為舉例性而非關於本發明之限制。例如，雖然此處實施例之視覺指示器為一弧形，但也可使用能夠使該處理單元能產生末端效應器中心和/或晶圓中心的任何其他視覺記號。
論述B[結束]
雖然在此提供各種實施例，係想要說明這些實施例而非限制本發明。再者，此處為了方便而提供標題與內容，但不應該在此用為推斷申請專利的範圍。更者，摘要係以極度簡短形式所撰寫並且在此係為了方便而提供，因此不應被用為推斷或限制整體發明，該發明係陳述在申請專利範圍中。如果本文中使用了術語『組』，這樣的術語係想要具有其一般地可理解之數學意義以涵蓋零、一、或超過一個構件。也應該注意到有很多本發明之設備和執行方法的替代方式。因此，接下來附加的申請專利範圍應被解讀為包含落於本發明的範圍與真實精神裡頭的所有此等改變、變更、以及相等物。
102‧‧‧末端效應器
104‧‧‧晶圓
106‧‧‧機械手臂
202‧‧‧雷射光源
204‧‧‧末端效應器
206‧‧‧晶圓座
208‧‧‧光束
210‧‧‧路徑
212a、212b、212c‧‧‧位置
230‧‧‧光源
232‧‧‧光束
234‧‧‧窗戶
240‧‧‧末端效應器
242‧‧‧處理室
Z‧‧‧方向
302、304、306、308、310‧‧‧步驟
312‧‧‧箭頭
370、372、374‧‧‧步驟
A102‧‧‧末端效應器
A104‧‧‧晶圓
A106‧‧‧機械手臂
A220‧‧‧電漿處理系統
A200‧‧‧原位光學末端效應器校正系統
A202‧‧‧末端效應器
A204‧‧‧切割記號
A206‧‧‧晶圓座
A210‧‧‧邏輯模組
A212‧‧‧虛線圓
A214‧‧‧末端效應器中心
A216‧‧‧晶圓座中心
A218‧‧‧差距向量
A222‧‧‧機械控制系統
A224‧‧‧處理單元
A250‧‧‧影像取得裝置
A302、A304、A306、A308、A310、A312、A314、A316‧‧‧步驟
B102‧‧‧末端效應器
B104‧‧‧晶圓
B106‧‧‧機械手臂
B110‧‧‧凹口
B200‧‧‧原位光學末端效應器校正系統
B220‧‧‧電漿處理系統
B202‧‧‧末端效應器
B204‧‧‧切割記號
B206‧‧‧晶圓
B222‧‧‧機械控制器
B224‧‧‧處理單元
B208‧‧‧邏輯模組
B210‧‧‧晶圓中心
B212‧‧‧虛線圓
B214‧‧‧末端效應器定義中心
B216‧‧‧差量
B250‧‧‧影像取得裝置
B302、B304、B306、B308、B310、B312、B314、B316‧‧‧步驟
本發明係藉由伴隨圖式中的例子加以說明，其並非限制性，並且其中相似元件具有類似參考符號，而其中：圖1展示在晶圓傳送期間，用於支撐一晶圓之一典型習知技藝的末端效應器；圖2A依照本發明之一實施例，展示一原位光學末端效應器校正之佈置的一部分，其用於相對晶圓座中心而校正末端效應器；圖2B依照本發明之一實施例，展示一原位光學末端效應器校正之佈置的一部分，其用於原位校正末端效應器之垂直位置：圖3A依照本發明之一實施例，展示用於校正末端效應器於晶圓座中心之原位光學末端效應器校正方法的一說明流程圖；圖3B依照本發明之一實施例，展示用於校正末端效應器之垂直位置的原位光學末端效應器校正方法之一說明流程圖； 論述A之圖A1展示在晶圓傳送期間，用於支撐一晶圓之一典型習知技藝末端效應器；論述A之圖A2依照本發明之一實施例，展示一電漿處理系統之一概要圖像，說明用於原位校正末端效應器之一原位光學末端效應器校正系統之至少一部分的一俯視圖；論述A之圖A3依照本發明之一實施例，展示原位光學末端效應器校正方法之一說明流程圖；論述B之圖B1展示在晶圓傳送期間，用於支撐一晶圓之一典型習知技藝末端效應器；論述B之圖B2依照本發明之一實施例，展示一電漿處理系統的概要圖像，其說明一光學晶圓定心系統之至少一部分的一俯視圖，用於創造或模擬一正確定心之晶圓/末端效應器組件以校正DA光束；論述B之圖B3依照本發明之一實施例，展示為了促進DA光束校正，利用一光學晶圓定心技術以創造或模擬相對於末端效應器定義中心而定心之晶圓的步驟說明流程圖。
202．．．雷射光源
204．．．末端效應器
206．．．晶圓座
208．．．光束
210．．．路徑
212a、212b、212c．．．位置

Claims (15)

  1. 一種校正方法，用以於電漿處理系統中校正一末端效應器對於一晶圓座之對準，該方法包含：提供從該末端效應器至該晶圓座的一第一光束；使該末端效應器沿著一預定校正路徑移動，如此一來該第一光束橫越該晶圓座之一表面；接收一組反射光訊號，該組反射光訊號係至少在該表面於該移動步驟期間反射該第一光束時產生；分析該組反射光訊號以識別三個以上間斷性，其中該三個以上間斷性係與當該第一光束遭遇該晶圓座之一邊緣時，所產生的三個以上反射光訊號相關；基於該三個以上間斷性而決定三個以上座標資料點，該三個以上座標資料點代表在該晶圓座邊緣上之三個以上的點；以及基於該三個以上座標資料點而決定該晶圓座的一中心。
  2. 如申請專利範圍第1項之校正方法，進一步地包含將一光源固定於該末端效應器之一末端效應器定義中心，用於產生該第一光束。
  3. 如申請專利範圍第1項之校正方法，進一步地包含將一光源固定於距該末端效應器之一末端效應器定義中心的已知偏移距離處，用於產生該第一光束。
  4. 如申請專利範圍第1項之校正方法，其中該三個以上間斷性為四個以上間斷性。
  5. 如申請專利範圍第1項之校正方法，進一步地包含將該晶圓座中心提供至一機械控制器，以使該機械控制器能夠校正該末端效應器至該晶圓座中心。
  6. 如申請專利範圍第1項之校正方法，進一步地包含：提供一第二光束，俾在該晶圓座之一上表面上的一預定高度使該第二光束平行於該晶圓座之該上表面發射；使該末端效應器沿著一第二預定校正路徑移動；當一感測器遭遇該第二光束時，檢測該第二光束，而該感測器係被固定於該末端效應器；以及記錄一個以上座標資料點，該一個以上座標資料點代表該第二光束之一個以上的檢測。
  7. 一種末端效應器校正系統，用以於電漿處理系統中校正一末端效應器對於一晶圓座之對準，該系統包含：一光源，該光源用以提供從該末端效應器至該晶圓座之一第一光束；一機械手臂，該機械手臂用以使該末端效應器沿著一第一預定校正路徑移動，如此一來該第一光束橫越該晶圓座之一表面；一感測器，該感測器用以接收一組反射光訊號，該組反射光訊號係至少在該表面於移動期間反射該第一光束時產生；一處理單元，該處理單元用以執行下列步驟至少一者分析該組反射光訊號以識別三個以上間斷性，其中該三個以上間斷性係與當該第一光束遭遇該晶圓座之一邊緣時，所產生的三個以上反射光訊號相關、基於該三個以上間斷性而決定三個以上座標資料點，該三個以上座標資料點代表在該晶圓座邊緣上之三個以上的點、以及基於該三個以上座標資料點而決定該晶圓座的一中心。
  8. 如申請專利範圍第7項之末端效應器校正系統，其中建構該光源而固定於該末端效應器之一末端效應器定義中心，而用於產生該第一光束。
  9. 如申請專利範圍第7項之末端效應器校正系統，其中建構該光源而固定在距該末端效應器之一末端效應器定義中心的一已知偏移距離處，而用於產生該第一光束。
  10. 如申請專利範圍第7項之末端效應器校正系統，其中在電漿處理室內部實施該感測器之至少一部分。
  11. 如申請專利範圍第7項之末端效應器校正系統，其中該三個以上間斷性為四個以上間斷性。
  12. 如申請專利範圍第7項之末端效應器校正系統，進一步地包含：一第二光源，用於提供一第二光束，俾在該晶圓座之一上表面上的一預定高度使該第二光束平行於該晶圓座之該上表面發射，其中該機械手臂也用以使該末端效應器沿著一第二預定校正路徑移動、該感測器和一第二感測器之至少一者係用以當該感測器遭遇該第二光束時，檢測該第二光束，而該第二感測器係固定於該末端效應器、以及該處理單元也用以記錄一個以上座標資料點，該一個以上座標資料點代表該第二光束之一個以上的檢測。
  13. 一種校正方法，用以於電漿處理系統中校正一末端效應器相對於一晶圓座之一上表面的垂直位置，該方法包含：提供一光束，俾在該晶圓座之上表面上的一預定高度使該光束平行於該晶圓座之上表面發射；使該末端效應器沿著一預定校正路徑移動；當一感測器遭遇該光束時，檢測該光束，而該感測器係被固定於該末端效應器；以及記錄一個以上座標資料點，該一個以上座標資料點代表該光束之一個以上的檢測。
  14. 如申請專利範圍第13項之校正方法，進一步地包含在該晶圓座之該上表面上的該期望高度，將一光源固定於一處理模組之一內壁上，用於產生該光束。
  15. 如申請專利範圍第13項之方校正方法，進一步地包含將一光源之至少一部分固定於一處理模組內，用於產生該光束。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569145B (zh) * 2010-12-23 2014-03-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 快速退火处理中晶片位置校正方法
EP2659316B1 (en) * 2011-03-18 2019-10-02 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Methods, systems, and apparatus for calibration of an orientation between an end effector and an article
US9211643B1 (en) * 2014-06-25 2015-12-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Automatic in-situ registration and calibration of robotic arm/sensor/workspace system
JP6475756B2 (ja) * 2015-02-04 2019-02-27 川崎重工業株式会社 ロボットのぶれ自動調整装置及びロボットのぶれ自動調整方法
CN104808554B (zh) * 2015-04-20 2017-12-01 深圳市文鼎创数据科技有限公司 一种自动拾卡系统及其拾卡方法
JP6918770B2 (ja) 2015-07-13 2021-08-11 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド オンザフライ方式の自動ウェハセンタリング方法および装置
US9831110B2 (en) 2015-07-30 2017-11-28 Lam Research Corporation Vision-based wafer notch position measurement
US9698042B1 (en) 2016-07-22 2017-07-04 Lam Research Corporation Wafer centering in pocket to improve azimuthal thickness uniformity at wafer edge
JP7097691B2 (ja) 2017-12-06 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法
JP6999241B2 (ja) * 2018-07-25 2022-01-18 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
CN109732595B (zh) * 2018-12-29 2021-02-09 深圳市越疆科技有限公司 一种舵机的校准方法、装置及控制器
US11823937B2 (en) 2019-08-19 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Calibration of an aligner station of a processing system
US11766782B2 (en) 2020-03-17 2023-09-26 Applied Materials, Inc. Calibration of an electronics processing system
CN111678431B (zh) * 2020-05-08 2022-04-08 苏州市朗电机器人有限公司 一种基于激光感应fpc坐标的计算方法
JP2022042122A (ja) * 2020-09-02 2022-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び状態監視方法
CN113340285B (zh) * 2021-06-18 2022-12-20 中铁工程装备集团有限公司 基于协作机械臂的主机械臂末端位姿检测方法及检测装置
CN113394149A (zh) * 2021-06-30 2021-09-14 乐孜芯创自动化设备(上海)有限公司 具备位置检测功能的硅片传输片叉、机械手及传输方法
US11823939B2 (en) 2021-09-21 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for processing chamber lid concentricity alignment
CN114823455B (zh) * 2022-07-01 2023-05-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于调节晶圆位置的装置和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6188323B1 (en) * 1998-10-15 2001-02-13 Asyst Technologies, Inc. Wafer mapping system
JP2001210692A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Ebara Corp ティーチングの方法
US20020068992A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-06 Hine Roger G. Self teaching robot
TW494445B (en) * 1999-11-22 2002-07-11 Lam Res Corp Method of and apparatus for dynamic alignment of substrates
TWI247880B (en) * 2003-08-06 2006-01-21 Lam Res Corp System and method for integrated multi-use optical alignment

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055376A (en) * 1975-10-02 1977-10-25 Rockwell International Corporation Calibration reticle for measuring microscopes
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
US4971443A (en) * 1987-12-25 1990-11-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Optical position detecting method and apparatus therefor
CA2044649A1 (en) 1990-06-19 1991-12-20 Masanori Nishiguchi Method and apparatus for packaging a semiconductor device
US5530548A (en) * 1994-11-07 1996-06-25 Automotive Systems Laboratory, Inc. Calibratable optical distance sensing system and method
US5675407A (en) * 1995-03-02 1997-10-07 Zheng Jason Geng Color ranging method for high speed low-cost three dimensional surface profile measurement
US5822213A (en) 1996-03-29 1998-10-13 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object
US5999268A (en) * 1996-10-18 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for aligning a semiconductor wafer with an inspection contactor
EP0996963A4 (en) 1997-07-11 2006-01-18 Genmark Automation Inc MULTI-POSITION SCANNER
US6114705A (en) * 1997-09-10 2000-09-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System for correcting eccentricity and rotational error of a workpiece
BE1011535A3 (nl) * 1997-11-05 1999-10-05 Framatome Connectors Belgium Werkwijze en inrichting voor het opmeten van de positie van een reeks contactpennen en voor het aanbrengen van deze reeks in een plaat met gedrukte schakelingen.
US6126382A (en) * 1997-11-26 2000-10-03 Novellus Systems, Inc. Apparatus for aligning substrate to chuck in processing chamber
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
JPH11254359A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 部材搬送システム
JP3957413B2 (ja) 1998-10-08 2007-08-15 松下電器産業株式会社 ウェーハ位置検出方法及びその検出装置
AU4175800A (en) 1999-03-22 2000-10-09 Sensys Instruments Corporation Method and apparatus for wafer metrology
US6275742B1 (en) 1999-04-16 2001-08-14 Berkeley Process Control, Inc. Wafer aligner system
US6191851B1 (en) * 1999-04-28 2001-02-20 Battelle Memorial Institute Apparatus and method for calibrating downward viewing image acquisition systems
US6195619B1 (en) * 1999-07-28 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. System for aligning rectangular wafers
JP4389305B2 (ja) * 1999-10-06 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6502054B1 (en) * 1999-11-22 2002-12-31 Lam Research Corporation Method of and apparatus for dynamic alignment of substrates
WO2001078114A1 (en) 2000-04-07 2001-10-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. WAFER ORIENTATION SENSOR FOR GaAs WAFERS
US6856863B1 (en) 2000-07-27 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatic calibration of robots
JP4740405B2 (ja) * 2000-11-09 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 位置合わせ方法及びプログラム記録媒体
JP2002246444A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハの位置検出方法およびウエハの位置検出装置
JP3920587B2 (ja) 2001-04-16 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送手段のティーチング方法
US6747746B2 (en) * 2001-07-16 2004-06-08 Therma-Wave, Inc. System and method for finding the center of rotation of an R-theta stage
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
TWI274393B (en) 2002-04-08 2007-02-21 Acm Res Inc Electropolishing and/or electroplating apparatus and methods
US7233841B2 (en) * 2002-04-19 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Vision system
JP4260423B2 (ja) 2002-05-30 2009-04-30 ローツェ株式会社 円盤状物の基準位置教示方法、位置決め方法および搬送方法並びに、それらの方法を使用する円盤状物の基準位置教示装置、位置決め装置、搬送装置および半導体製造設備
US6900877B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-31 Asm American, Inc. Semiconductor wafer position shift measurement and correction
JP4257570B2 (ja) 2002-07-17 2009-04-22 株式会社安川電機 搬送用ロボットのティーチング装置および搬送用ロボットのティーチング方法
AU2003301074A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Brooks Automation, Inc. System and method for on-the-fly eccentricity recognition
JP2004288792A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Lintec Corp アライメント装置及びアライメント方法
US6748293B1 (en) 2003-03-24 2004-06-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for high speed object handling
JP2005068502A (ja) 2003-08-26 2005-03-17 Sharp Corp 気相成長装置
JP4279101B2 (ja) * 2003-09-22 2009-06-17 大日本スクリーン製造株式会社 搬送装置、基板処理装置、ジグ、及びティーチング方法
JP4501103B2 (ja) 2003-10-17 2010-07-14 株式会社安川電機 半導体ウェハ搬送ロボットのキャリブレーション方法およびそれを備えた半導体ウェハ搬送ロボット、ウェハ搬送装置
US7319920B2 (en) * 2003-11-10 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for self-calibration of a substrate handling robot
US20050137751A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-23 Cox Damon K. Auto-diagnostic method and apparatus
WO2005078526A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. A system for positioning a product
KR100577582B1 (ko) * 2004-06-09 2006-05-08 삼성전자주식회사 반도체 포토 스피너 설비 및 이를 이용한 웨이퍼 티칭불량방지방법
US20060045666A1 (en) * 2004-07-09 2006-03-02 Harris Randy A Modular tool unit for processing of microfeature workpieces
US20060009047A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Wirth Paul Z Modular tool unit for processing microelectronic workpieces
JP2007037967A (ja) 2004-11-30 2007-02-15 Lion Corp 洗浄用具
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7197828B2 (en) * 2005-05-31 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement
US20070177963A1 (en) * 2006-02-01 2007-08-02 Tang Chee W End effector for transferring a wafer
JP4741408B2 (ja) * 2006-04-27 2011-08-03 株式会社荏原製作所 試料パターン検査装置におけるｘｙ座標補正装置及び方法
JP4887913B2 (ja) 2006-06-02 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20080023890A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 웨이퍼 정렬장치
JP2008251968A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ処理装置の運転方法
US8224607B2 (en) * 2007-08-30 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for robot calibrations with a calibrating device
US8099192B2 (en) * 2007-11-06 2012-01-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for teaching a workpiece transfer robot

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6188323B1 (en) * 1998-10-15 2001-02-13 Asyst Technologies, Inc. Wafer mapping system
TW494445B (en) * 1999-11-22 2002-07-11 Lam Res Corp Method of and apparatus for dynamic alignment of substrates
JP2001210692A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Ebara Corp ティーチングの方法
US20020068992A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-06 Hine Roger G. Self teaching robot
TWI247880B (en) * 2003-08-06 2006-01-21 Lam Res Corp System and method for integrated multi-use optical alignment

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