TWI504308B - 發光元件及顯示裝置 - Google Patents

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Description

發光元件及顯示裝置
本發明係關於發光元件及顯示裝置。
構成顯示器裝置或照明裝置等顯示裝置的發光元件，已知有利用若施加電壓則利用電激發光(EL)現象而進行自發光之物質的EL元件。EL元件係在上部電極與下部電極間形成了由有機材料或無機材料所構成之發光層的薄膜狀發光元件，屬於利用上部與下部電極對發光層施加電壓而使其發光的構造。
近年來，開發出藉由將上部電極與下部電極之一者設為全反射鏡，並將另一者設為使部分波長穿透的半透射鏡(semi-transmitting mirror)，使利用發光層進行發光的光發生共振之共振器構造(所謂「微共振腔(microcavity)構造」)的發光元件(例如參照專利文獻1、2)。
專利文獻1揭示有：使內部發光光譜的尖峰波長、與由共振部所產生的多重干涉光譜之尖峰波長呈相互錯開，以減少白色之視野角依存性的發光元件。紅色(R)多重干涉光譜的尖峰波長係朝長波長側(+10nm)偏移，綠色(G)多重干涉光譜的尖峰波長係朝長波長側(+4nm)偏移，藍色(B)多重干涉光譜的尖峰波長係朝短波長側(-10nm)偏移，藉此使白色的視野角依存性減少。
專利文獻2亦揭示有：使內部發光光譜的尖峰波長、與由共振部所產生的多重干涉光譜之尖峰波長呈相互錯開，以減少視野角依存性的發光元件。但，不同於專利文獻1，有關紅色(R)與藍色(B)的多重干涉光譜尖峰波長，係與內部發光光譜的尖峰波長一致。
專利文獻1與2所揭示之技術，係對例如大型顯示器等要求廣視野角特性的顯示裝置也許具有效果，但在例如行動終端、個人電腦、汽車導航系統等專屬個人使用的小型顯示器的情況，將有無法容許正面方向之輝度變動的情形。
即，在形成共振器構造時，係藉由其濾波器特性與發光輸出的強指向性，而正面方向的輝度增加。無需廣視野角特性之例如個人所使用之顯示裝置，即利用該指向性，所以相較於需要廣視野角的電視機等，將要求正面方向輝度之變動較少。然而，共振器構造的薄膜發光元件係濾波器特性對鏡間距離(共振器光程長)敏感，若因製造過程中的製作誤差而導致共振器光程長發生變動，則有無法容許正面方向的色座標(色純度)與輝度變動的情況。
[先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2002-367770號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-316611號公報
即，本發明所欲解決的課題之其中一例係有如上述問題。所以，本發明目的之其中一例係有如提供一種共振器構造的發光元件與顯示裝置，例如即使膜厚偏離設計值而導致共振器光程長有所增減，仍可抑制輝度變動的技術。
本發明之發光元件係如申請專利範圍第1項所記載，其特徵在於具備有共振器構造，該共振器構造係具有：第1反射構件、第2反射構件、及配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行穿透；其中，來自上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值之波長，係位於上述發光層的內部發光光譜成為最大值之波長、與比視感度成為最大值的波長之間。
本發明之顯示裝置係如申請專利範圍第10項所記載，其特徵在於具備有多數共振器構造，該等多數共振器構造係具有：第1反射構件、第2反射構件、及配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行穿透；其中，來自上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值之波長，係位於上述發光層的內部發光光譜成為最大值之波長、與比視感度成為最大值的波長之間。
以下，針對本發明之較佳實施形態的發光元件及顯示裝置，參照所附圖式進行詳細說明。以下說明中，列舉具備有分別發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)光之發光元件的顯示裝置為一例進行說明。但，不可解釋為本發明技術範圍受以下所說明實施形態的任何限定。
(第1實施形態)
圖1與圖2所示係在共通基板1上配置發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)光的3個發光元件(R、G、B)，而形成RGB單元的一例。圖1係發光元件(R、G、B)的縱剖圖，圖2係平面圖。另外，實際的顯示裝置係在基板1上排列多數發光元件(R、G、B)而形成顯示區域，並利用在未圖示之顯示區域外所配置的驅動電路構成被動驅動的構造，或依每個元件配置驅動電路而構成主動驅動的構造。
本實施形態的發光元件(R、G、B)係如圖1所示，將作為第1反射構件用的陽極2、有機層3、及作為第2反射構件用的陰極4積層於基板上，再從成膜面側取出發光之所謂「頂部發光構造」。該等RGB的發光元件係利用通稱「堤(bank)」的隔壁部5進行區分。另外，有時在陰極4上更進一步積層著密封膜等有機層或無機層。再者，雖省略圖示，但亦可更進一步積層用於防止外光反射用的薄膜或基板。
陽極2係反射電極21與透明電極22的雙層構造。陽極2之鄰接於電洞注入層31的材料係使用功函數較高的材料。具體而言，反射電極21的材料可使用例如Al、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Ag等金屬、或含有該等的合金、或介金屬化合物等。反射電極21的厚度係例如100nm。反射電極21最好係對400~700nm波長光的反射率之平均值為例如80%以上的高反射率。又，透明電極22的材料可使用例如ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等金屬氧化物等。透明電極22的厚度係例如75nm。另外，在圖1與圖2中雖省略圖示，但陽極2係連接著拉出電極(配線電極)。另外，陽極2亦可為反射電極21的單層構造。
有機層3亦可其一部分為由無機材料所構成。又，亦可更進一步分割而形成多層化，或亦可依單一層即具有複數層機能的方式而減少積層數。圖1所示之有機層3係從陽極2側起依序積層著電洞注入層31、電洞輸送層32、發光層33、及電子輸送層34的多層構造。有機層3只要至少具有發光層33即可，但為了有效率地促進電激發光現象，較佳係配置：電洞注入層31、電洞輸送層32、及電子輸送層34等。
在作為共振器構造的情況，RGB的各發光元件分別具有較佳共振器光程長。在圖1所示構造的情況，反射電極21與陰極4反射面的相隔距離係共振器光程長。就其中一例，用於獲得紅色(R)之較佳共振器光程長的積層膜厚係300nm，用於獲得綠色(G)之較佳共振器光程長的積層膜厚係235nm，用於獲得藍色(B)之較佳共振器光程長的積層膜厚係200nm。該等共振器光程長係例如利用有機層3的膜厚而進行調整。但如前述般，在製作步驟中，難以完全防止膜厚逾越設計值外。尤其是在利用塗佈法形成有機層3時將難以控制膜厚。例如當利用噴墨法進行成膜時，有時元件間發生達5%以上之膜厚變動。
圖1所示構造的一例，係改變電洞注入層31的厚度以調整共振器光程長。具體而言，紅色(R)電洞注入層31的厚度(設計值)係例如125nm，綠色(G)電洞注入層31的厚度(設計值)係例如65nm，藍色(B)電洞注入層31的厚度(設計值)係例如20nm。關於電洞輸送層32、發光層33、電子輸送層34，係屬於RGB的共振器構造而形成相同厚度。電洞輸送層32的厚度(設計值)係例如30nm，發光層33的厚度(設計值)係例如30nm，電子輸送層34的厚度(設計值)係例如40nm。
電洞注入層31與電洞輸送層32只要為由電洞的輸送特性較高之材料形成即可，其一例係使用例如：酞菁銅(CuPc)等酞菁化合物；m-MTDATA等星爆式胺；聯苯胺型胺的多聚物；4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(NPB)、N-苯基-p-苯二胺(PPD)等芳香族三級胺；4-(二-P-甲苯基胺)-4'-[4-(二-P-甲苯基胺)苯乙烯基]苯乙烯等苯乙烯化合物；三唑衍生物、苯乙烯基胺化合物、巴克球(buckyball)、C60 等富勒烯(fullerene)等有機材料。又，亦可使用在聚碳酸酯等高分子材料中分散了低分子材料的高分子分散系材料。但，並不僅侷限該等材料。
作為發光層33係可使用產生紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之電激發光現象的材料。發光層33的材料一例係可使用：(8-羥基喹啉基)鋁錯合物(Alq3 )等螢光性有機金屬化合物；4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)等芳香族二亞甲基化合物；1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物；3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-第三丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)等三唑衍生物；蒽醌衍生物、茀衍生物(fluonorene derivative)等螢光性有機材料；聚對苯乙烯(PPV)系、聚茀系、聚乙烯咔唑(PVK)系等高分子材料；白金錯合物或銥錯合物等磷光性有機材料。但，並不僅侷限該等材料。又，亦可不為有機材料，亦可使用產生電激發光現象的無機材料。
電子輸送層34只要依電子輸送特性較高的材料形成即可，其一例可使用例如：PyPySPyPy等矽環戊二烯(矽諾魯)衍生物；硝基取代茀酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物等有機材料；參(8-羥基喹啉)鋁(Alq3 )等8-喹啉酚衍生物的金屬錯合物；金屬酞菁、3-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-4-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)等三唑系化合物；2-(4-伸聯苯基)-5-(4-第三丁基)-1,3,4-二唑(PBD)等二唑系化合物；巴克球、C60 、碳奈米管等富勒烯。但，並不僅侷限該等材料。
陰極4的材料可使用鄰接於電子輸送層34的區域之功函數較低，且陰極整體的反射及穿透損失較小之材料。具體而言，陰極4的材料可使用將Al、Mg、Ag、Au、Ca、Li等金屬或其化合物、或含有該等的合金等，形成單層、或經積層後使用。又，有時亦在鄰接電子輸送層34的區域形成較薄的氟化鋰或氧化鋰等，以控制電子注入特性。陰極4的厚度係例如10nm。如前述，本實施形態係從成膜面側(即陰極側)輸出光的頂部發光構造。所以，陰極4係對400~700nm波長光的穿透率之平均值為例如20%以上的半穿透性電極。穿透率例如可利用電極的膜厚等進行調整。另外，在圖1與圖2中雖省略圖示，但陰極4係連接著拉出電極(配線電極)。
當在陰極4上進一步積層密封膜的情況，例如可利用水蒸氣或氧等穿透率較小的透明無機材料予以形成。作為密封膜的材料，其一例可使用例如：氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮化鋁(AlNx)等。
作為通稱「堤」的隔壁部5之材料，其一例可使用含有氟成分的感光性樹脂。藉由含有氟成分，因為對液狀材料可發揮撥液性，因而可抑制當使用塗佈法進行成膜時的液流動(所謂「重疊(overlap)」)。且，隔壁部5較佳係由具有遮光性的材料形成。
在此，藍色(B)或紅色(R)發光元件的正面方向輝度，相較於綠色(G)發光元件，會因尖峰波長的位移而造成視感度增減，導致容易發生無法容許的輝度變動。其中，相較於紅色(R)之下，藍色(B)相對於共振器光程長變動的輝度變動較大。所以，本實施形態中，即便以藍色(B)發光元件為對象，在製作過程中膜厚偏離設計值外而導致共振器光程長有所增減，仍可抑制正面方向的輝度發生變動。作為此種構造，內部發光光譜、比視感度光譜及共振器輸出光譜必需滿足下述條件。另外，所謂「內部發光光譜」係指對應於發光材料的光致發光(PL)光譜。又，所謂「共振器輸出光譜」係指對應於從共振器構造穿透的光之光譜。另一方面，比視感度光譜成為最大值的波長係依亮處視覺標準計為555nm。
即，如圖3所示，作成使共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)，位於內部發光光譜S1的尖峰波長(λS1)、與因為屬公知而省略圖示的比視感度光譜尖峰波長(即555nm)之間的狀態。另外，為了方便說明，有時將發光強度成為最大的波長稱為「尖峰波長」。
如前述，在圖1所示構造的情況，因為決定了用於作成藍色(B)較佳之共振器光程長的有機層3之積層膜厚(設計值)，因而依此亦決定了共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)。例如將共振器光程長(設計值)設為200nm時，尖峰波長(目標值)便為470nm。又，比視感度光譜的尖峰波長係依亮處視覺標準計為555nm。所以，本實施形態中，係例如從上述發光材料中選定顯現出光譜成為上述位置關係的內部發光光譜S1之發光材料，利用該發光材料形成發光層33。即，其一例係可從上述發光材料中使用顯現出所需光譜的發光層。較佳係內部發光光譜S1的尖峰波長在450nm~480nm範圍內的發光材料，且共振器輸出光譜S2的尖峰波長係相對於內部發光光譜S1的尖峰波長位於長波長側。再者，內部發光光譜S1之長波長側之斜率形狀，較佳係形成為與比視感度光譜之短波長側的斜率倒數略成比例之形狀。尤其在藍色(B)的情況，較佳係內部發光光譜S1之長波長側的下緣呈急遽化，共振器輸出光譜S2的尖峰波長位於該呈急遽的區域中。
更佳的例子係如圖4與圖5所示，設定成共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)下，內部發光光譜S1的發光強度之變化率RE 為-0.03[1/nm]以下、較佳-0.05[1/nm]以下。圖4所示係尖峰波長λS2為470nm(設計值)時的上述發光強度之變化率RE 、與相對於膜厚變動的輝度變化率RL(%)間之關係的模擬結果。又，圖5所示係例如使發光層33的膜厚在設計值附近進行增減時，正面輝度變化的模擬結果。圖5係其中一例，表示圖4的描繪點中變化率RE 為-0.017[1/nm]、-0.034[1/nm]、-0.054[1/nm]時的模擬結果。
另外，上述發光強度的變化率RE 係將在共振器輸出光譜S2之尖峰波長(λS2)下的內部發光光譜S1之斜率，除以波長(λS2)之發光強度，依照RE [1/nm]=[dE(λS2)/dλ]/E(λS2)計算式予以計算。又，輝度變化率RL(%)係將滿足NTSC色純度的最佳膜厚設為d0時，相對於d0±2nm膜厚偏移的輝度變化率。更詳言之，依照輝度變化率RL[%]=[d0±2nm的輝度最大~最少之差]/[d0的輝度]×100而計算出之值。從圖4與圖5中得知，藍色(B)發光元件的發光強度變化率RE ，較佳係設為開始產生輝度變動抑制效果之-0.03[1/nm]以下，更佳係設為可強力抑制輝度變動之-0.05[1/nm]以下。
本實施形態中，共振器輸出光譜S2的尖峰波長λS2下之內部發光光譜S1的發光強度之變化率RE ，較佳係滿足上述條件，但除了變化率RE 滿足上述條件之外，亦可取代變化率RE 滿足上述條件，改為設定成滿足圖6所示之條件。即，設定成使共振器輸出光譜S2的尖峰波長λS2，在內部發光光譜S1靠長波長側的下緣，位於內部發光光譜S1的發光強度最大值90%~50%範圍(圖6的實線範圍)附近之波長間(λ90~λ50)。
另外，為了滿足上述各種條件，並不侷限於利用發光材料的選定而進行控制，亦可例如在色純度所容許範圍內，調節共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)，以成為上述關係。調節共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)調節時，可藉由調節有機層3的膜厚(設計值)而進行。又，亦可同時藉由發光材料的選定及有機層3的膜厚(設計值)調節等雙方，以滿足上述條件。
共振器構造中，色純度可具有較寬裕的設計。另一方面，藍色(B)與紅色(R)的發光元件之輝度有時因共振器輸出光譜S2的尖峰波長位移，而成為無法容許的輝度變動。例如若對應於鏡間距離的膜厚(相當於光程長)出現5nm程度(整體元件膜厚的5%程度)變化，則有尖峰波長亦有5nm程度變化的情況。例如在藍色發光元件的情況，在將尖峰波長設計值設為470nm時，膜厚若增加5nm，則經位移的尖峰波長(例如475nm)之視感度亦有達20%以上的變化，成為較大之輝度變化、以及畫質降低(輝度不均)的原因。
即，引發正面方向之畫質降低(輝度不均)的原因，係因為共振器輸出光譜S2的尖峰波長位移與比視感度光譜間之關係，故本實施形態中，係使共振器輸出光譜S2的尖峰波長，位於內部發光光譜S1的尖峰波長、與比視感度光譜的尖峰波長(即依亮處視覺標準計為555nm)之間。藉此，當因製作誤差而使共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)位移於高視感度側時，則減少發光輸出，相反地，當尖峰波長(λS2)位移於低視感度側時，則增加發光輸出，藉此可抑制正面方向的輝度變動。經實際模擬，在藍色(B)的情況，確認到共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)在±2nm範圍內進行位移時，正面方向的輝度變動大概在±5%以內。
另外，圖1所示之發光元件係利用反射電極與半穿透電極構成第1與第2反射構件，惟並不僅侷限於此，亦可形成電極之外的其他反射膜。此情況，電極之外的其他反射膜之元件側的陽極與陰極，較佳係設為透明電極。
(第2實施形態)
本實施形態係第1實施形態的變化例，取代藍色(B)發光元件，改為以紅色(R)發光元件作為對象的實施形態。
即，在紅色(R)發光元件的情況，如圖7所示，使共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)，位於內部發光光譜S1的尖峰波長(λS1)、與比視感度光譜的尖峰波長(即555nm)之間。
如前述，在圖1所示之構造的情況，因為已決定了用於作為紅色(R)較佳之共振器光程長的有機層3之積層膜厚(設計值)，因而依此亦決定了共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)。例如將共振器光程長(設計值)設為300nm時的尖峰波長(目標值)係620nm。又，比視感度光譜的尖峰波長係依亮處視覺標準計為555nm。所以，本實施形態中，係例如係從上述發光材料中選定顯現出光譜成為上述位置關係之內部發光光譜S1的發光材料，再利用該發光材料形成發光層33。較佳係內部發光光譜S1的尖峰波長在600nm~640nm範圍內的發光材料，且共振器輸出光譜S2的尖峰波長相對於內部發光光譜S1的尖峰波長位於短波長側。再者，內部發光光譜S1的短波長側之斜率形狀，較佳係形成為與比視感度光譜之長波長側的斜率倒數略成比例之形狀。尤其在紅色(R)的情況，較佳係共振器輸出光譜S2的尖峰波長位於內部發光光譜S1之短波長側的上昇下緣的發光強度急遽變化之區域中。
更佳例子係因與圖4及圖5的模擬結果同樣之理由，在共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)下，內部發光光譜S1的發光強度變化率RE 設定為+0.03[1/nm]以上、較佳設定為+0.05[1/nm]以上。
再者，本實施形態中，在共振器輸出光譜S2的尖峰波長λS2下，內部發光光譜S1的發光強度變化率RE 較佳係滿足上述條件，但除了變化率RE 滿足上述條件之外，亦可取代變化率RE 滿足上述條件，改為設定成滿足圖8所示條件。即在內部發光光譜S1之短波長側的下緣，使共振器輸出光譜S2的尖峰波長λS2，設定成位於內部發光光譜S1的發光強度最大值之95%~50%範圍(圖8的實線範圍)附近之波長間(λ95~λ50)。
再者，如同藍色(B)的情況，為了滿足上述條件，並不僅侷限於利用發光材料的選定實施，亦可例如在色純度所容許範圍內，調節共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)而成為上述關係。共振器輸出光譜S2的尖峰波長(目標值)之調節，可藉由調節有機層3的膜厚(設計值)而執行。且，亦可同時藉由發光材料的選定及有機層3的膜厚(設計值)調節等雙方，以滿足上述條件。
依此，即便在以紅色(R)發光元件作為對象的情況，藉由使共振器輸出光譜S2的尖峰波長，位於內部發光光譜S1的尖峰波長、與比視感度光譜的尖峰波長(即依亮處視覺標準計為555nm)之間，在因製作誤差而導致共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)位移於高視感度側時，則減少發光輸出，相反地，當尖峰波長(λS2)位移於低視感度側時，則增加發光輸出，藉此可抑制正面方向的輝度變動。經實際模擬，如圖9所示，在紅色(R)的情況，確認到共振器輸出光譜S2的尖峰波長(λS2)在±2nm範圍內進行位移時，正面方向的輝度變動在±5%以內。
(第3實施形態)
第1實施形態係以藍色(B)發光元件為對象，第2實施形態係以紅色(R)發光元件為對象。然而，在利用多數之RGB發光元件形成顯示區域的顯示裝置時，可具備有第1與第2實施形態所說明的藍色(B)及紅色(R)發光元件二者，而可抑制藍色(B)與紅色(R)二者的輝度變動。
(第4實施形態)
另外，第1~第3實施形態中，說明了就改變電洞注入層31的厚度而調整RGB的共振器光程長之一例。但，並不僅侷限於此，亦可如圖10所示，改變發光層33的厚度而調整RGB的共振器光程長。
(第5實施形態)
再者，第1~第4實施形態中，列舉頂部發光構造的發光元件為例進行了說明。但，並不僅侷限於此種構造，如圖11所示，亦可為底部發光構造。圖11表示藉由將圖1的反射電極21設為半穿透電極，將陰極4設為反射電極，而形成底部發光構造的例子。但，並不僅侷限於圖11所示構造。
(第6實施形態)
接著，針對製造圖1所示RGB發光元件的順序，以一例進行說明。
首先，使用例如蒸鍍或濺鍍法等依序形成反射電極21、透明電極22。該等電極21、22的圖案化可依照例如光學微影法實施。接著，將例如含有氟成分的感光性樹脂塗佈於基板1上，經乾燥而成膜後，再利用例如光學微影法，形成具有如圖1所示圖案的隔壁部5。例如在被動式的情況，係在將電極21、22形成為條紋狀後，形成隔壁部5。另一方面，例如在主動式的情況，則在每個驅動電路所連接的島狀上形成電極21、22後，再形成隔壁部5。
其次，將電洞注入層31的液體材料，使用例如噴墨噴嘴等，塗佈於利用隔壁部5所區隔的區域內，使其乾燥而成膜。關於電洞輸送層32、發光層33亦同樣地利用塗佈法，對各元件施行分開塗佈而成膜。膜厚可利用例如液體材料的塗佈量進行調節。接著，使用蒸鍍法，依序形成電子輸送層34及陰極4。陰極4的圖案化可使用金屬遮罩等遮罩、或利用隔壁部5的堤形狀實施。例如在被動式的情況，可將陰極4圖案化為條紋狀。另一方面，例如在主動式的情況，可不施行圖案化，形成所謂的平板電極。經由此種順序，可製造圖1與圖2所示RGB發光元件。
如上述，根據第1~第6實施形態，在具有共振器構造的發光元件中，藉由使共振器輸出光譜的尖峰波長位於內部發光光譜的尖峰波長、與比視感度光譜的尖峰波長之間，則可抑制因共振器光程長變動所造成之輝度變動。換言之，即便膜厚偏離設計值，仍因為輝度變動較少，故可容許某程度的膜厚變動，而可實現良率提升與低成本化。
依照上述實施形態的技術，除有機薄膜發光元件之外，亦可適用於具有積層元件構造的無機薄膜發光元件(電場發光、發光二極體)。又，亦可適用於將發光元件呈面朝上且陣列化配置的發光型顯示裝置。又，亦可為從第1與第2反射構件二側取出發光的構造。此外，不僅侷限於RGB三色，亦可為單色、或雙色、或含有其他顏色。
以上，雖針對本發明根據具體的實施形態進行了詳細說明，惟相關形式與細節的各種取代、變化、變更等，在不脫逸申請專利範圍記載所規定之本發明精神及範疇之下均可進行，此係該技術領域中具通常知識者可輕易思及。所以，本發明範圍並非限定於前述實施形態及所附示圖式，而應根據申請專利範圍的記載、及其均等涵義所規範。
1．．．基板
2．．．陽極
3．．．有機層
4．．．陰極
5．．．隔壁部
21．．．反射電極
22．．．透明電極
31．．．電洞注入層
32．．．電洞輸送層
33．．．發光層
34．．．電子輸送層
S1．．．內部發光光譜
S2．．．共振器輸出光譜
圖1為本發明較佳第1實施形態的發光元件之縱剖圖。
圖2為本發明較佳第1實施形態的發光元件之平面圖。
圖3為以藍色(B)為對象時的發光光譜圖。
圖4為以藍色(B)為對象時的發光強度之變化率RE 與輝度變化率之關係圖。
圖5為以藍色(B)為對象時的膜厚變化與正面輝度值之關係圖。
圖6為以藍色(B)為對象時的發光光譜圖。
圖7為以紅色(R)為對象時的發光光譜圖。
圖8為以紅色(R)為對象時的發光光譜圖。
圖9為以紅色(R)為對象時的膜厚變化與正面輝度值之關係圖。
圖10為本發明較佳第4實施形態的發光元件之縱剖圖。
圖11為本發明較佳第5實施形態的發光元件之縱剖圖。
S1．．．內部發光光譜
S2．．．共振器輸出光譜

Claims (10)

  1. 一種發光元件，其特徵在於具備有共振器構造，其係具有：第1反射構件、第2反射構件、及配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行穿透；來自上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值之波長，係位於上述發光層的內部發光光譜成為最大值之波長、與比視感度成為最大值的波長之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，上述內部發光光譜成為最大值的波長係450nm~480nm範圍內；上述共振器輸出光譜成為最大值的波長，係相對於上述內部發光光譜成為最大值的波長，位於長波長側。
  3. 如申請專利範圍第2項之發光元件，其中，在上述共振器輸出光譜成為最大值的波長下，上述內部發光光譜的發光強度變化率RE 係-0.03以下。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中，上述發光強度變化率RE 係-0.05以下。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之發光元件，其中，上述共振器輸出光譜成為最大值的波長在±2nm範圍內位移時，正面方向之輝度變動係在±5%以內。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，上述內部發光光譜成為最大值的波長係在600nm~640nm範圍內；上述共振器輸出光譜成為最大值的波長，係相對於上述內部發光光譜成為最大值的波長，位於短波長側。
  7. 如申請專利範圍第6項之發光元件，其中，在上述共振器輸出光譜成為最大值的波長下，上述內部發光光譜的發光強度變化率RE 係+0.03以上。
  8. 如申請專利範圍第7項之發光元件，其中，上述發光強度變化率RE 係+0.05以上。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之發光元件，其中，上述共振器輸出光譜成為最大值的波長在±2nm範圍內位移時，正面方向的輝度變動係在±5%以內。
  10. 一種顯示裝置，其特徵在於具備有多數之共振器構造，其係具有：第1反射構件、第2反射構件、及配置於上述第1反射構件與第2反射構件之間的發光層，並使在上述第1反射構件與上述第2反射構件之間進行共振的光之一部分，利用上述第1反射構件或上述第2反射構件進行穿透；來自上述共振器構造的共振器輸出光譜成為最大值之波長，係位於上述發光層的內部發光光譜成為最大值之波長、與比視感度成為最大值的波長之間。
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