JP2007123137A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】視角によって生ずる色度ずれを抑制することが可能な発光装置及びその発光装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】赤用画素ＤＲから出射された光ＨＲに対する最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長が５８０ｎｍ以上であって６２０ｎｍ未満となる赤色変換層５３Ｒを赤用画素ＤＲに相対向する位置に設けた。また、緑用画素ＤＧから出射された光ＨＧに対する最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長が４８０ｎｍ以上であって５２０ｎｍ未満となる緑色変換層５３Ｇを緑用画素ＤＧに相対向する位置に設けた。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。

近年、発光性有機材料を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」という）素子を備えた画素を有した有機エレクトロルミネッセンス発光装置の開発が進められている。一般に、有機ＥＬ素子は、２つの電極間に発光層を挟持した構成をしており、発光層から発せられた光をそのまま表示光として利用するようになっている。

しかし、有機ＥＬ素子からそのまま取り出された光は、スペクトルがブロードであり、発光輝度も低いため、発光装置に適用した場合、十分な色再現性が得られないという問題があった。そこで、各画素に半透明反射層（ハーフミラー層）を設け、発光層から発せられた光を、一方の電極と半透明反射層との間で往復するように反射させて、その光学的距離に対応した共振波長の光のみを増幅させて外部に取り出すようにした共振器構造を備えた発光装置が提案されている。このような共振器構造を備えた発光装置は、光学的距離を適宜変更することで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した波長の光を取り出すことも可能となる（例えば、特許文献１参照）。
特許第２７９７８８３号公報

ところで、上記発光装置では、電極及び半透明反射層を、基板に対して垂直方向に順次積層した構成であるので、各画素の光学的距離は、基板に対して垂直方向と斜め方向とで見かけ上の光学的距離が異なる。この結果、基板に対して垂直方向に出射される光と斜め方向に出射される光とでは、その共振波長が異なることにより、見る角度（視角）によって異なった色に見える、所謂色度ずれが生じてしまうという問題が生じてしまう。

たとえば、図１２（ａ）に示すように、赤（Ｒ）に対応した光は、基板に対して正面（０°）では、そのピーク波長が約６００ｎｍであるが、出射角Ｑが２０°，…６０°と広角になるに従って徐々にピーク波長が６００ｎｍから短波長側にシフトしていくことが分かる。例えば、出射角Ｑが３０°の場合では、基板に対して正面（０°）の場合と比べて短波長側に約１０ｎｍシフトした波長の光が、また、出射角Ｑが６０°の場合では、短波長側に約２０ｎｍシフトした波長の光が出射する。この結果、基板に対して正面（０°）から画像を見た場合、赤色に見えた光が、基板に対して斜め方向に徐々にその向きを変えていくと徐々に色が変化しオレンジ色の光に見えてしまう。尚、本明細書においては、図１２（ｂ）に示すように、基板に対して法線方向（図１２（ｂ）において、Ｙ矢印方向）を正面方向とし、その法線と、前記法線から基板の平行方向（図１２（ｂ）において、Ｘ矢印方向）に向かって斜めに傾いた線との間のなす角を出射角Ｑと定義する。

本発明では、このような事情に鑑みてなされたものであって、視角によって生ずる色度ずれを抑制することが可能な発光装置及びその発光装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配
置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、前記赤用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する赤色フィルタが前記赤用画素に相対向する位置に設けられている。

これによれば、各赤用、緑用及び青用画素から基板に対して斜め方向に出射される光のスペクトルは、基板に対して正面方向に出射される光に比べてそれぞれ短波長側にシフトするが、赤色フィルタによって赤用画素から出射された光は、その波長が所定範囲に限定される。例えば、赤色フィルタを５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの波長の光を透過させるように制限する。すると、５８０ｎｍ未満の波長に対応した色に見えることはないので、基板に対する見る角度を変化させても、色度ずれすることなく赤色の光として視認される。また、波長が６２０ｎｍ以上の光は、人間の視感度が低下するため、視認されにくくなるが、赤色フィルタを透過した光には、波長が６２０ｎｍ未満の明るい光を含むことから、明るい赤色の光が取り出せる。

この発光装置において、前記赤用画素から出射される光は、６１０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長範囲に共振波長を有するものであって、前記赤色フィルタは、前記赤用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの範囲に制限してもよい。

これによれば、５８０ｎｍ未満の波長に対応した色に見えることはないので、基板に対する見る角度を変化させても、色度ずれすることなく赤色の光として視認される。また、波長が６２０ｎｍ以上の光は、人間の視感度が低下するため、視認されにくくなるが、赤色フィルタを透過した光には、波長が６２０ｎｍ未満の明るい光を含むことから、明るい赤色の光が取り出せる。

尚、より好ましくは、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長を５９０ｎｍとすることで、基板に対してどの角度からみても、色ずれのない確実な赤色の光として視認させることができる。

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、前記緑用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する緑色フィルタが前記緑用画素に相対向する位置に設けられている。

これによれば、各赤用、緑用及び青用画素から基板に対して斜め方向に出射される光のスペクトルは、基板に対して正面方向に出射される光に比べてそれぞれ短波長側にシフトするが、緑色フィルタによって緑用画素から出射された光は、その波長が所定範囲に限定される。例えば、緑色フィルタを４８０ｎｍ〜５２０ｎｍの波長の光を透過させるように制限する。すると、４８０ｎｍ未満の波長に対応した色に見えることはないので、基板に対する見る角度を変化させても、色度ずれすることなく緑色の光として視認される。また
、波長が５２０ｎｍ以上の光は、人間の視感度が向上するため、視認されやすくなるが、緑色フィルタを透過した光には、波長が５２０ｎｍ以上の明るい光を含むことから、明るい緑色の光が取り出せる。

この発光装置において、前記緑用画素から出射される光は、５３０ｎｍ〜５６０ｎｍの波長範囲に共振波長を有するものであって、前記緑色フィルタは、前記緑用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍ≦Ｗｇ＜５２０ｎｍの範囲に制限してもよい。

これによれば、４８０ｎｍ未満の波長に対応した色に見えることはないので、基板に対する見る角度を変化させても、色度ずれすることなく緑色の光として視認される。また、波長が５２０ｎｍ以上の光は、人間の視感度が向上するため、視認されやすくなるが、緑色フィルタを透過した光には、波長が５２０ｎｍ以上の明るい光を含むことから、明るい緑色の光が取り出せる。

尚、より好ましくは、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長を５１０ｎｍとすることで、基板に対してどの角度からみても、色ずれのない確実な緑色の光として視認させることができる。

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、前記赤用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する赤色フィルタを前記赤用画素に相対向する位置に設け、前記緑用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する緑色フィルタを前記緑用画素に相対向する位置に設けた。

これによれば、例えば、赤色フィルタを５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの波長の光を透過させるように制限し、且つ、緑色フィルタを４８０ｎｍ〜５２０ｎｍの波長の光を透過させるように制限する。このようにすることにより、５８０ｎｍより短い波長の光は出射されないので、基板に対する見る角度を変化させても色度ずれすることなく赤色の光として視認される。また、同様にして、緑色フィルタによって波長が４８０ｎｍ未満の光成分が遮断されることにより、４８０ｎｍより短い波長の光は出射されないので、基板に対する見る角度を変化させても色度ずれすることなく緑色の光として視認される。この結果、赤用画素及び緑用画素の両画素について、視角によって色度ずれが生ずるのを抑制することができる。また、赤色フィルタを透過した光には、波長が６２０ｎｍ未満の明るい光を含むことから、明るい赤色の光が取り出せる。同様に、緑色フィルタを透過した光には、波長が５２０ｎｍ以上の明るい光を含むことから、明るい緑色の光が取り出せる。

この発光装置において、前記赤色フィルタは、前記赤用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの範囲に制限され、前記緑色フィルタは、前記緑用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍ≦Ｗｇ＜５２０ｎｍの範囲に制限されている。

このようにすることで、赤色フィルタによってその波長が５８０ｎｍ未満の光が遮断されることにより、５８０ｎｍより短い波長の光は出射されないので、基板に対する見る角度を変化させても色度ずれすることなく赤色の光として視認される。また、同様にして、緑色フィルタによって波長が４８０ｎｍ未満の光成分が遮断されることにより、４８０ｎｍより短い波長の光は出射されないので、基板に対する見る角度を変化させても色度ずれすることなく緑色の光として視認される。この結果、赤用画素及び緑用画素の両画素について、視角によって色度ずれが生ずるのを抑制することができる。

また、赤色フィルタを透過した光には、波長が６２０ｎｍ未満の明るい光を含むことから、明るい赤色の光が取り出せる。同様に、緑色フィルタを透過した光には、波長が５２０ｎｍ以上の明るい光を含むことから、明るい緑色の光が取り出せる。

この発光装置において、前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていてもよい。
これによれば、正孔輸送層は、各青、緑及び赤用画素の第１の電極から発光層へのキャリアの注入効率を高めるとともに、発光層内を移動する電子をブロッキングする機能を有する。また、電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。従って、発光層内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率が高まる。この結果、各画素での発光効率が向上し、高輝度表示が可能となる。

この発光装置において、前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていてもよい。
これによれば、光反射層は、一般的に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成されている。従って、第１の電極を形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤によって光反射層が劣化してしまうが、本発明のように、光反射層上には保護層が形成されているため、劣化しない。この結果、第１の電極は、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の発光装置を実現できる。

この発光装置において、前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低くてもよい。
これによれば、各画素の光共振波長は、光反射層と半透過反射層との間の光学的距離、つまり、光反射層と半透過反射層との間に配置される第１の電極、機能層、保護層の光学的距離の総和に対応し、また、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められることが知られている。本発明では、保護層の屈折率は第１の電極より低いので、光共振波長は保護層の影響を受けない。保護層の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から第１の電極の膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができるので、第１の電極の膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。

本発明の電子機器は、上記記載の発光装置を備えた。
これによれば、赤用画素及び緑用画素について、視角によって色度ずれが生じない優れた画質を有した画像を表示することが可能な電子機器を提供することができる。

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面に従って説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の発光装置としての有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光層から発光（内部発光）した光（表示光）を基板とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１０は、光透過性を有する基板（透明基板）１１を備えるとともに、該基板１１上には、青用画素形成領域ＺＢ、緑用画素形成領域ＺＧ及び赤
用画素形成領域ＺＲがマトリクス状に配置されている。各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲは、図１においてＸ矢印方向に沿って、青用画素形成領域ＺＢ→緑用画素形成領域ＺＧ→赤用画素形成領域ＺＲ→…の順に繰り返して配置されるとともに、Ｚ矢印方向（紙面奥側方向）に沿っては同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲが配置されている。

また、基板１１上には、各同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲに沿ってストライプ状に、光反射性の高い材料等で構成された複数の光反射層１２が延設されている。本実施形態の光反射層１２は、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。

各光反射層１２上には、該光反射層１２を被覆するように保護層１３が形成されている。この保護層１３は、光透過性に優れ、かつ電気絶縁性を有した材料で構成されている。本実施形態では、保護層１３は、後記する第１の電極としての青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成されている。本実施形態では、窒化珪素（ＳｉＮ）（屈折率１．８）で構成されている。

各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ内の保護層１３上には、光透過性を有した導電性材料で構成された画素電極としての青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒが区画形成されている。つまり、複数の青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、保護層１３を介して各光反射層１２と相対向するようにマトリクス状に配置されている。本実施形態の画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。

また、基板１１上には、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを覆うように機能層２０が形成されている。本実施形態の機能層２０は、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を備え、基板１１側から正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３の順に積層されている。

正孔輸送層２１は、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒから発光層２２への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層２２内を移動する電子をブロッキングする機能を有し、発光層２２内でのキャリアとしての電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層２１には、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒからの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、即ち、分散媒としてポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いられる。また、本実施形態では、正孔輸送層２１は、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒに対して均一な膜厚である。

発光層２２は、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の有機高分子発光材料で構成されている。このような材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオレン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの各発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、
キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。本実施形態の発光層２２は、青系の色の光を出射する発光材料とオレンジ系の色の光を出射する発光材料とを積層したものである。また、本実施形態では、発光層２２は、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。

図５は、本実施形態の発光層２２の発光（内部発光）スペクトルである。図５に示すように、発光層２２から出射される光は、短波長側から、４８０ｎｍ、５０５ｎｍ、６００ｎｍにて発光ピークを有した光である。

電子輸送層２３は、発光層２２への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。この電子輸送層２３は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で構成されている。本実施形態では、電子輸送層２３は、発光層２２上の全面に渡って均一な膜厚である。

図１に示すように、機能層２０上（電子輸送層２３上）の全面には、第２の電極としての共通電極２５が形成されている。共通電極２５は、光透過性及び光反射性を有する。共通電極２５は、本実施形態では、金属薄膜であるマグネシウムと銀の化合物（ＭｇーＡｇ）からなる薄膜（膜厚：１０ｎｍ）である。共通電極２５は、発光層２２から発せられた光の一部を透過して、残りの光の一部または全部を光反射層１２側に反射するハーフミラーとして機能するとともに各画素電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの対向電極として機能する。

尚、青用画素電極１５Ｂ、共通電極２５、及び各青用画素電極１５Ｂと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで青用有機ＥＬ素子２８Ｂが構成される。そして、青用画素形成領域ＺＢには青用有機ＥＬ素子２８Ｂを含む青用画素ＤＢが形成される。また、緑用画素電極１５Ｇ、共通電極２５、及び緑用画素電極１５Ｇと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで緑用有機ＥＬ素子２８Ｇが構成される。そして、緑用画素形成領域ＺＧには緑用有機ＥＬ素子２８Ｇを含む緑用画素ＤＧが形成される。さらに、赤用画素電極１５Ｒ、共通電極２５、及び各赤用画素電極１５Ｒと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで赤用有機ＥＬ素子２８Ｒが構成される。そして、赤用画素形成領域ＺＲには赤用有機ＥＬ素子２８Ｒを含む赤用画素ＤＲが形成される。

そして、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲは、各発光層２２から発せられた光を各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの直下に配置された光反射層１２と共通電極２５との間で往復するように反射させて共振させる光共振器構造が形成される。

図２、図３及び図４は、それぞれ、青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの拡大断面図である。図２に示すように、青用画素ＤＢにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＢで示し、図３に示すように、緑用画素ＤＧにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＧで示し、図４に示すように、赤用画素ＤＲにおける光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＲで示す。

ところで、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲは、それぞれ、該画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに形成された光共振器構造の共振条件に従った共振波長の光となる。この共振波長は、光反射層１２と共通電極２５との間の光学的距離、つまり、光反射層１２と共通電極２５との間に配置される各層の光学的距離の総和に対応する。各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。本実施形態では、各有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒは全て共通の材料で構成されているので、各層の屈折率は等しい。従って、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの光学的距離は、各層の膜厚の総和である各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲによって決定される。尚、共振波長は、光学的距離が長くなるのに伴っ
て（本実施形態では、各距離ＬＢ，ＬＧ，ＬＲが長くなるのに伴って）長くなる。

そして、青用画素ＤＢは、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１を調整することで、距離ＬＢに対応した光学的距離を青色の光が生成される光学的距離に、緑用画素ＤＧは、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２を調整することで、距離ＬＧに対応した光学的距離を緑色の光が生成される光学的距離に設定されている。また、赤用画素ＤＲは、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３を調整することで、距離ＬＲに対応した光学的距離を赤色の光が生成される光学的距離に設定されている。因みに、本実施形態では、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１は２０ｎｍであり、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２は６５ｎｍであり、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３は９５ｎｍである。 図１に示すように、共通電極２５上には、カラーフィルタ５１が取り付けられている。カラーフィルタ５１は、光透過性を有したカラーフィルタ基板５２を備え、そのカラーフィルタ基板５２には、青色フィルタとしての青色変換層５３Ｂ、緑色フィルタとしての緑色変換層５３Ｇ、及び赤色フィルタとしての赤色変換層５３Ｒが設けられている。各色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒは、ブラックマトリクスＢＭによってマトリクス状に区画配置されている。そして、青色変換層５３Ｂは青用画素ＤＢに相対向する位置に配置され青用画素ＤＢから出射される光ＨＢの波長を制限する機能を有する。緑色変換層５３Ｇは緑用画素ＤＧに相対向する位置に配置され緑用画素ＤＧから出射される光ＨＧの波長を制限する機能を有する。赤色変換層５３Ｒは赤用画素ＤＲに相対向する位置に配置され赤用画素ＤＲから出射される光ＨＲの波長を制限する機能を有する。

図６は、各青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの光透過分光特性を示している。図６において、赤色変換層５３Ｒの光透過分光特性を曲線Ｒｏ（実線）で示し、緑色変換層５３Ｇの光透過分光特性を曲線Ｇｏ（一点鎖線）で示し、青色変換層５３Ｂの光透過分光特性を曲線Ｂｏ（二点鎖線）で示す。

図６中曲線Ｒｏ（実線）で示すように、赤色変換層５３Ｒは、短波長側の波長成分を遮断する特性を有するとともに、長波長側に対しては高い透過率を維持する特性を有している。赤色変換層５３Ｒは、その最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５８０ｎｍ以上６２０ｎｍ未満となるようにその光透過分光特性が予め調整されている。本実施形態では、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５９０ｎｍとなるように調整されている。従って、赤用画素ＤＲから出射された光ＨＲのうち５９０ｎｍ未満の波長の光は赤色変換層５３Ｒによって概ね遮断され、５９０ｎｍ以上の波長の光を透過する。

緑色変換層５３Ｇは、約１００ｎｍ程度の範囲の波長の光を透過する特性を有している。緑色変換層５３Ｇは、その最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる短波長側の波長Ｗｇが４８０ｎｍ以上５２０ｎｍ未満となるようにその光透過分光特性が予め調整されている。本実施形態では、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが５０５ｎｍとなるように調整されている。従って、緑用画素ＤＧから出射された光ＨＧのうち５０５ｎｍ未満の波長の光及び６００ｎｍ以上の波長の光は緑色変換層５３Ｇによって概ね遮断され、５０５ｎｍ以上であって、６００ｎｍ未満の波長の光を透過する。

青色変換層５３Ｂは、光ＨＢの共振波長が、青色変換層５３Ｂの光透過分光特性における最大透過率を示す波長と一致するように、その光透過分光特性が予め調整されている。
以上のように、赤用画素ＤＲから出射された光は、カラーフィルタ５１の赤色変換層５３Ｒを透過することによって、５９０ｎｍ未満の波長の光は出射されないので、基板１１に対して斜め方向に出射される光には、５９０ｎｍ未満の波長成分の光が含まれない。

ところで、一般に、５８０ｎｍ未満の光は赤色ではなくオレンジ色に認識されることが
知られている。本実施形態では、前述したように、各赤色変換層５３Ｒから出射される光は、５９０ｎｍ未満の波長成分の光を含まない。この結果、基板１１に対して斜め方向から見た場合であっても、各赤色変換層５３Ｒから出射される光がオレンジ色に見えることはない。つまり、赤色の光については色度ずれは生じない。

また、人間の視感度、即ち人間が感じる明るさは、図７に示す公知の視感度特性のグラフからわかるように、波長が６２０ｎｍ以上の光に対しては、波長が５５０ｎｍの光に比べて半分以下となり暗く認識される。本実施形態では、各赤色変換層５３Ｒは、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒは６２０ｎｍ未満であるので、波長が５５０ｎｍである明るい赤色の光を含むので各赤色変換層５３Ｒから出射される光が暗く見えることはない。

また、緑用画素ＤＧから出射された光は、カラーフィルタ５１の緑色変換層５３Ｇを透過することによって、５０５ｎｍ未満の波長の光は緑色変換層５３Ｇから出射されないので、基板１１に対して斜め方向に出射される光は、５０５ｎｍ未満の波長成分の光を含まない。一般に、４８０ｎｍ未満の光は緑色ではなくシアン（水）色に認識されることが知られている。本実施形態では、前記したように、各緑色変換層５３Ｇから出射される光は、５０５ｎｍ未満の波長成分の光を含まない。この結果、基板１１に対して斜め方向から見た場合であっても、各緑色変換層５３Ｇから出射される光がシアン（水）色に見えることはないことはない。つまり、緑色の光については色度ずれは生じない。

また、人間の視感度、即ち人間が感じる明るさは、図７に示す公知の視感度特性のグラフからわかるように、波長が５２０ｎｍ以上の光に対しては、波長が５０５ｎｍの光に比べて非常に高く認識される。本実施形態では、各緑色変換層５３Ｇは、波長が５００ｎｍ以上であって６００ｎｍ未満までの光が透過する。従って、波長が５２０ｎｍ以上の明るい緑色の光を含む。この結果、明るい緑色の光が各緑色変換層５３Ｇから出射されることから、各緑色変換層５３Ｇから出射される光が暗く見えることはない。

以上のことから、カラーフィルタ５１から出射される赤色及び緑色の光については、基板１１に対して斜め方向から見ても色度ずれを生じることはない。また、基板１１に対して斜め方向から見ても、赤色及び緑色の光が暗くみえたりすることはない。

尚、本実施形態の有機ＥＬ装置からは、図５に示す発光スペクトルを有する光が取り出されるものであるが、赤用画素ＤＲからは６１０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長範囲の共振波長、緑用画素ＤＧからは５３０ｎｍ〜５６０ｎｍの波長範囲の共振波長が取り出されるように、共振条件が設定されていることが望ましい。この波長範囲に共振波長を有する光を各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから取り出すことで、視感度特性と、上記カラーフィルタ５１の特性に対してバランスの保たれた光の取り出しが可能となる。

次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、特にその有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒの形成方法について図８〜図１０に従って説明する。
まず、ガラス等で構成された光透過性を有する基板（透明基板）１１を用意し、公知の方法によって、基板１１上に図示しないデータ線、走査線、スイッチングトランジスタ及びドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを形成する。そして、図８（ａ）に示すように、列状に配置形成された青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ上にストライプ状の光反射層１２を形成する。本実施形態では、基板１１上の全面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２を形成する。

続いて、基板１１上の全面に対して光反射層１２上に渡って窒化珪素（ＳｉＮ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２上を被覆するように保護層１３を形成する。本実施形態では、膜厚５０ｎｍの保護層１３を形成する。

次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上に、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３と緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２との差分（＝ｄ３−ｄ２＝３０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーによって形成する。具体的には、図８（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚３０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６１をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６１上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで赤用画素電極形成領域ＳＲ上の導電性膜６１上にのみレジスト膜６２を形成する。

続いて、そのレジスト膜６２を介して導電性膜６１をエッチングし、さらに、レジスト膜６２を剥離除去する。この結果、図８（ｃ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上にのみ膜厚３０ｎｍの導電性膜６１がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上に形成された導電性膜６１を第１電極層Ｑ１といい、その膜厚Ｔ１は３０ｎｍとなる。

次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上に、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２と青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄｂとの差分（＝ｄ２−ｄ１＝４５ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図８（ｄ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚４５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６３をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６３上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、赤用画素電極形成領域ＳＲ及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上の導電性膜６３上にレジスト膜６４を形成する。

続いて、そのレジスト膜６４を介して導電性膜６３をエッチングし、さらに、レジスト膜６４を剥離除去する。この結果、図９（ａ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の各保護層１３上には、先に形成された第１電極層Ｑ１上に膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧ上の各保護層１３上には、膜厚４５ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６３を第２電極層Ｑ２といい、その膜厚Ｔ２は４５ｎｍである。

次に、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢに、それぞれ、青用画素電極１５Ｂの膜厚ｄ１（２０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６５をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６５上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、各赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の導電性膜６５上にレジスト膜６６を形成する。

続いて、そのレジスト膜６６を介して導電性膜６５をエッチングし、さらに、レジスト膜６６を剥離除去する。この結果、図９（ｃ）に示すように、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上には、先に形成された第２電極層Ｑ２上には膜厚２０ｎｍの導電性膜６５がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６５を第３電極層Ｑ３といい、その膜厚Ｔ３は２０ｎｍとなる。

以上により、赤用画素電極形成領域ＳＲの保護層１３上には第１〜第３電極層Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ３（＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＝９５ｎｍ）の赤用画素電極１５Ｒが形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧの保護層１３上には第２及び第３電極層
Ｑ２，Ｑ３が積層されて膜厚ｄ２（＝Ｔ２＋Ｔ３＝６５ｎｍ）の緑用画素電極１５Ｇが形成される。さらに、青用画素電極形成領域ＳＢの保護層１３上には第３電極層Ｑ３が積層されて膜厚ｄ１（＝Ｔ３＝２０ｍｎ）の青用画素電極１５Ｂが形成される。

続いて、図１０（ａ）に示すように、基板１１上の全面に、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒ上に渡って、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を順に形成する。これらの層２１，２２，２３は、それぞれ、蒸着法によって形成する。正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３により機能層２０が形成される。本実施形態では、発光層２２は発光性有機材料によって形成されている。

その後、図１０（ｂ）に示すように、機能層２０上に共通電極２５を形成する。本実施形態では、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）をスパッタ法によって形成する。このようにして、膜厚１０ｎｍのマグネシウム−銀（ＭｇＡｇ）で構成された共通電極２５と反射層１２とで発光層２２から発せられた光を共振させる光共振器構造を形成する。その後、基板１１に駆動用ドライバ等（図示略）を実装するとともに、別途公知の方法で作製されたカラーフィルタ５０を共通電極２５上に接着することにより、有機ＥＬ装置１０が完成する。

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、赤用画素ＤＲに相対向する位置に、５９０ｎｍ未満の波長の光を遮断する赤色変換層５３Ｒを配置した。従って、赤色変換層５３Ｒを透過した後の光には、５９０ｎｍ未満の波長成分の光が含まれない。この結果、基板１１に対して斜め方向から見た場合であっても、赤色変換層５３Ｒから出射される光がオレンジ色に見えることはないので、赤色の光について見る角度によって色度ずれが生じない。

（２）本実施形態によれば、各赤色変換層５３Ｒを（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５９０ｎｍとなるように調整した。従って、赤色変換層５３Ｒを透過した光は、明るい赤色に認識される６２０ｎｍ未満の光を含む。この結果、赤色の光が暗く見えることはない。

（３）本実施形態によれば、緑用画素ＤＧに相対向する位置に、５０５ｎｍ未満の波長の光を遮断する緑色変換層５３Ｇを配置した。従って、緑色変換層５３Ｇを透過した後の光には、５０５ｎｍ未満の波長成分の光が含まれない。この結果、基板１１に対して斜め方向から見た場合であっても、緑色変換層５３Ｇから出射される光がシアン（水）色に見えることはないので、緑色の光について見る角度によって色度ずれが生じない。

（４）本実施形態によれば、各緑色変換層５３Ｇを（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが５０５ｎｍとなるように調整した。従って、明るい緑色に認識される５２０ｎｍ以上の光を含む光を透過する。この結果、明るい緑色の光を出射させることができる。

（５）本実施形態によれば、赤用画素電極１５Ｒは、他の緑用画素電極１５Ｇ及び青用画素電極１５Ｂに比べて膜厚が厚いが、この赤用画素電極１５Ｒを３つのフォトリソグラフィー工程で形成されるように分割しているので、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際のエッチング時間をそれぞれ概ね同じ時間にすることができる。この結果、膜厚が厚くなるとエッチング時間が長くなるためサイドエッチが生じやすいが、これを抑制することができる。

（６）本実施形態によれば、カラーフィルタ５１の青色変換層５３Ｂは、光ＨＢの共振波長ＰＢが、青色変換層５３Ｂの光透過率特性における最大透過率を示す波長と一致している。従って、輝度を低下させることなく、青色の光を出射させることができる。

（７）本実施形態によれば、光反射層１２と各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間に、光反射層１２全体を覆うように保護層１３を形成した。従って、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤が光反射層１２に直接接触することはないので、光反射層１２が現像液や剥離液の溶剤によって劣化することはない。この結果、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の有機ＥＬ装置を実現することができる。

（８）本実施形態によれば、保護層１３は、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成した。従って、光ＨＢ，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ，ＰＧ，ＰＲは保護層１３の影響を受けない。従って、保護層１３の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができる。この結果、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの各膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。

（９）本実施形態によれば、保護層１３及び機能層２０の各層を、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに対して均一な膜厚とした。従って、発光層２２の膜厚を変化させることはないので、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの発光特性を変化させることなく、各青用画素ＤＢに２以上の異なる共振条件を設けることができる。
（第２実施形態）
次に、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えた電子機器を一例について説明する。

図１１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１に示す携帯電話８０は、複数の操作ボタン８１、受話口８２、送話口８３及び表示部８４を備えている。このようなこう性をした携帯電話８０は、その表示部８４が上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えている。従って、携帯電話８０の表示部８４には、見る角度によって色度ずれが生じない高画質の画像を表示することができる。

尚、本発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記第１実施形態では、赤色変換層５３Ｒを、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５９０ｎｍとなるように調整したが、本発明はこれに限定されない。波長Ｗｒが５８０ｎｍ以上であって６２０ｎｍ未満であればよい。

・上記第１実施形態では、緑色変換層５３Ｇを、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍとなるように調整したが、本発明はこれに限定されない。波長Ｗｇが４８０ｎｍ以上であって５２０ｎｍ未満であればよい。

・上記第１実施形態では、各赤用画素ＤＲに相対向する位置に（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５９０ｎｍとなるように調整した赤色変換層５３Ｒを備えるとともに、各緑用画素ＤＧに相対向する位置に（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍとなるように調整した緑色変換層５３Ｇを備えたが、本発明は、これに限定されない。赤色変換層５３Ｒ及び緑色変換層５３Ｇのどちらか一方にのみを備えてもよい。このようにすることで、赤色の光及び緑色の光のいずれかの光に対してその色度ずれを抑制された有機ＥＬ装置を実現することができる。

・上記第１実施形態では、発光層２２から発光した光を基板１１とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置１０に具体化したが、本発明はこれに限定されない。発光層２２から発光した光を基板１１側から取り出す、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置においても、本発明は適応可能である。

・上記第１実施形態では、発光層２２に発光性有機材料を用いた有機ＥＬ装置１０に適用したが、これを発光性有機材料以外の材料を備えた発光素子（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子）を用いた発光装置であっても本発明は適用可能である。

・上記第２実施形態では、電子機器として携帯電話８０について説明したが、これに限定されるものではなく、モバイル型のパーソナルコンピュータ、デジタルカメラ等のディスプレイを備えた電子機器に広く適用可能である。

・上記第１実施形態では、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３で機能層２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。上記各層２１〜２３のうち、発光層２２以外の他の層（正孔注入層や電子注入層）のいずれかまたは全てが含まれていてもよい。要は、機能層２０は、発光層２２を含んでいればよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

・上記第１実施形態では、基板１１を、ガラス等の光透過性を有した基板（透明基板）としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、光透過性を有しない基板（不透明基板）も用いることもできる。基板１１を、光透過性を有しない基板（不透明基板）とした場合では、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらには、そのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。要は、画素が形成可能であるものであれば、どんなものであってもよい。

・上記第１実施形態では、保護層１３は窒化珪素（ＳｉＮ）で構成したが、本発明はこれに限定されない。酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化珪素（ＳｉＯｎ）またはアクリル系樹脂で構成されていてもよい。要は、光透過性を有し、且つ、屈折率が画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｂに比べて高い材料であればよい。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断視図。 青用画素の拡大断面図。 緑用画素の拡大断面図。 赤用画素の拡大断面図。 有機ＥＬ素子の内部発光スペクトル。 カラーフィルタの光透過率を示すグラフ。 視感度特性のグラフ。 （ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 電子機器としての携帯電話の斜視図。 （ａ）は、赤用画素から出射される光の出射角度に対するスペクトルの変化を示す図、（ｂ）は、出射角の定義を示す図。

符号の説明

ＤＢ…青用画素、ＤＧ…緑用画素、ＤＲ…赤用画素、１０…発光装置としての有機ＥＬ装置、１１…基板、１２…光反射層、１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒ…画素電極としての青用画素電極、緑用画素電極、赤用画素電極、２０…機能層、２１…正孔輸送層、２２…発光層
、２３…電子輸送層、２５…共通電極、５１…カラーフィルタ、５３Ｂ…青色変換層、５３Ｇ…緑色変換層、５３Ｒ…赤色変換層、８０…電子機器としての携帯電話。

Claims (10)

1. 基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、
   前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、
   前記赤用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する赤色フィルタが前記赤用画素に相対向する位置に設けられていることを特徴とする発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記赤用画素から出射される光は、６１０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長範囲に共振波長を有するものであって、
   前記赤色フィルタは、前記赤用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの範囲に制限されていることを特徴とする発光装置。
3. 基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、
   前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、
   前記緑用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する緑色フィルタが前記緑用画素に相対向する位置に設けられていることを特徴とする発光装置。
4. 請求項３に記載の発光装置において、
   前記緑用画素から出射される光は、５３０ｎｍ〜５６０ｎｍの波長範囲に共振波長を有するものであって、
   前記緑色フィルタは、前記緑用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍ≦Ｗｇ＜５２０ｎｍの範囲に制限されていることを特徴とする発光装置。
5. 基板と、前記基板上に形成される光反射層と、前記光反射層上に形成される光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極と対向して配置される光透過性及び光反射性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれて配置される、少なくとも発光層を含む機能層と、を具備する画素が形成された発光装置において、
   前記画素は、青色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された青用画素、緑色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された緑用画素、赤色の光が出射するように前記光反射層と前記第２の電極との間の光学的距離が設定された赤用画素を有し、
   前記赤用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する赤色フィルタを前記赤用画素に相対向する位置に設け、
   前記緑用画素から出射された光に対して予め定められた範囲の波長を制限する緑色フィルタを前記緑用画素に相対向する位置に設けたことを特徴とする発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記赤色フィルタは、前記赤用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｒ１、最小透過率をＴｒ２とした場合、（Ｔｒ１＋Ｔｒ２）／２となる波長Ｗｒが５８０ｎｍ≦Ｗｒ＜６２０ｎｍの範囲に制限され、
   前記緑色フィルタは、前記緑用画素から出射された光に対する最大透過率をＴｇ１、最小透過率をＴｇ２とした場合、（Ｔｇ１＋Ｔｇ２）／２となる波長Ｗｇが４８０ｎｍ≦Ｗｇ＜５２０ｎｍの範囲に制限されていることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記機能層は、前記発光層以外に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくともいずれか一つを備えていることを特徴とする発光装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記光反射層と前記第１の電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていることを特徴とする発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置において、
   前記保護層は、前記第１の電極より屈折率が低いことを特徴とする発光装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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