KR102653050B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102653050B1
KR102653050B1 KR1020237014494A KR20237014494A KR102653050B1 KR 102653050 B1 KR102653050 B1 KR 102653050B1 KR 1020237014494 A KR1020237014494 A KR 1020237014494A KR 20237014494 A KR20237014494 A KR 20237014494A KR 102653050 B1 KR102653050 B1 KR 102653050B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
emitting
interlayer insulating
emitting element
Prior art date
Application number
KR1020237014494A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230062890A (ko
Inventor
토모카즈 오치
Original Assignee
소니그룹주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니그룹주식회사 filed Critical 소니그룹주식회사
Priority to KR1020247010015A priority Critical patent/KR20240044541A/ko
Publication of KR20230062890A publication Critical patent/KR20230062890A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102653050B1 publication Critical patent/KR102653050B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치는, 제1 광반사층(36R)을 구비한 제1 발광 소자(10R), 제2 광반사층(36G)을 구비한 제2 발광 소자(10G) 및 제3 광반사층(36B)을 구비한 제3 발광 소자(10B)로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지고, 각 발광 소자는, 제1 전극(51), 유기층(53) 및 제2 전극(52)을 구비하고 있고, 각 발광 소자의 경계 영역에는, 내부에는 차광층(44)이 형성된 홈부(421, 422, 423)가 마련되어 있고, 제1 홈부(421)의 저부(431) 및 제3 홈부(423)의 저부(433)는, 제1 광반사층(36B)의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고, 제2 홈부(422)의 저부(432)는, 제2 광반사층(36G)의 정상면보다도 높은 곳에 위치한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 개시는, 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
근래, 액정 표시 장치에 대신하는 표시 장치로서, 유기 일렉트로루미네선스 소자(이하, 단지, 『유기 EL 소자』라고 약칭하는 경우가 있다)를 이용한 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치(이하, 단지, 『유기 EL 표시 장치』라고 약칭하는 경우가 있다)가 주목되고 있다. 유기 EL 표시 장치는, 자발광형이고, 소비 전력이 낮다는 특성을 갖고 있고, 또한, 고정밀도의 고속 비디오 신호에 대해서도 충분한 응답성을 갖는 것이라고 생각되고 있고, 실용화를 향한 개발, 상품화가 예의 진행되고 있다.
유기 EL 표시 장치에서는, 예를 들면, 하나의 화소를, 적색 발광층을 가지며, 적색을 발광하는 발광 소자로 구성된 부화소, 녹색 발광층을 가지며, 녹색을 발광하는 발광 소자로 구성된 부화소, 및, 청색 발광층을 가지며, 청색을 발광하는 발광 소자로 구성된 부화소의 3개의 부화소(발광 소자)로 구성함으로써, 고(高)콘트라스트, 또한, 높은 색 재현성을 실현하는 것이 가능하다. 한편, 고해상도화를 위해서는 화소 피치의 축소가 요구되는데, 화소 피치가 미세화함에 따라 하나의 화소를 이와 같은 3개의 부화소로 구성하는 것이 곤란해진다.
그래서, 전 화소에 걸쳐서 백색 발광층을 형성하고, 컬러 필터를 이용하여 백색광을 착색하는 방법, 즉, 백색 발광층을 갖는 발광 소자(『백색 발광 소자』라고 부른다)와 적색 컬러 필터의 조합에 의한 적색 부화소(『적색 발광 소자』라고 부른다), 백색 발광 소자와 녹색 컬러 필터의 조합에 의한 녹색 부화소(『녹색 발광 소자』라고 부른다), 백색 발광 소자와 청색 컬러 필터의 조합에 의한 청색 부화소(『청색 발광 소자』라고 부른다)의 3종류의 부화소(발광 소자)로부터 하나의 화소를 구성하는 기술의 개발이 진행되고 있다. 백색 발광층은, 전(全) 백색 발광 소자에 걸쳐서, 연속한 층으로서 형성되어 있다. 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층을 부화소마다 형성할 필요가 없기 때문에, 화소 피치의 미세화가 가능해진다. 각 백색 발광 소자에서, 백색 발광층은 제1 전극과 제2 전극의 사이에 형성되어 있고, 제1 전극은 각 발광 소자에서 독립적으로 형성되어 있는 한편, 제2 전극은 각 발광 소자에서 공통화되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 화소에서의 광이 취출 효율을 개선하는 기술로서, 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자, 청색 발광 소자의 각각에서의 캐비티 구조를 최적화함에 의해, 각 발광 소자로부터 출사되는 광을 증폭하는 기술이 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 일본 특개2009-091223호 공보에 개시된 바와 같이, 투명 전극으로 이루어지는 제1 전극의 하방에 광반사층을 형성하고, 반광투과(半光透過) 재료로 이루어지는 제2 전극과 광반사층에 의해 공진기(共振器) 구조를 구성한다. 그리고, 발광층에서 발광한 광을 광반사층과 제2 전극의 사이에서 공진시켜서, 그 일부를 제2 전극으로부터 출사시킨다.
일본 특개2009-091223호 공보
그런데, 발광층에서 발광한 광은, 전방위로 전파된다. 따라서, 도 8의 모식적인 일부 단면도에 도시하는 바와 같이, 어떤 발광 소자에 인접한 발광 소자(편의상, 『인접 발광 소자』라고 부른다)에, 어떤 발광 소자로부터 출사한 광(도 8에서, 굵은 실선으로 도시한다)가 침입하는 경우가 있다. 또는 또한, 표시 장치의 내부에서 다중 반사가 생겨서, 어떤 발광 소자로부터 출사한 광이 인접 발광 소자에 침입하는 경우도 있다. 또한, 도 8에서의 부호에 관해서는, 도 1을 참조할 것. 그 결과, 화소 전체의 색도가 소망하는 색도로부터 어긋나 버릴 우려가 있다.
따라서 본 개시의 목적은, 인접 발광 소자로의 광의 침입이 생기기 어려운 구성, 구조를 갖는 발광 소자를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 표시 장치의 제조 방법은,
제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지고,
화소는, 최하층·층간 절연층, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 층간 절연층, 및, 최상층·층간 절연층을 갖고 있고,
각 발광 소자는,
최상층·층간 절연층상에 형성된 제1 전극,
적어도 제1 전극이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층의 영역의 위에 형성된 절연막,
제1 전극상으로부터 절연막상에 걸쳐서 형성되고, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 갖는 유기층, 및,
유기층상에 형성된 제2 전극을 구비하고 있고,
제1 발광 소자는, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 광반사층을 구비하고 있고,
제2 발광 소자는, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 광반사층을 구비하고 있고,
제3 발광 소자는, 제2 층간 절연층상에 형성된 제3 광반사층을 구비하고 있는 표시 장치의 제조 방법으로서,
(A) 최하층·층간 절연층, 패터닝된 제1 층간 절연층, 및, 패터닝된 제2 층간 절연층을 형성하고, 그 후,
(B) 전면에 광반사층을 형성한 후, 광반사층을 패터닝함으로써, 제1 발광 소자를 형성하여야 할 최하층·층간 절연층의 영역상에 제1 광반사층을 형성하고, 제2 발광 소자를 형성하여야 할 제1 층간 절연층의 영역상에 제2 광반사층을 형성하고, 제3 발광 소자를 형성하여야 할 제2 층간 절연층의 영역상에 제3 광반사층을 형성하고, 뒤이어,
(C) 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제1 오목부를 형성하고, 아울러서,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제2 오목부를 형성하고, 아울러서,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제3 오목부를 형성한 후,
(D) 전면에 최상층·층간 절연층을 형성하고, 뒤이어, 최상층·층간 절연층에 평탄화 처리를 시행함으로써, 제1 오목부, 제2 오목부 및 제3 오목부의 상방의 최상층·층간 절연층의 부분에, 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부를 형성하고, 그 후,
(E) 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에 차광층을 형성하는,
각 공정으로 이루어진다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 표시 장치는, 제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지는 표시 장치로서,
화소는, 최하층·층간 절연층, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 층간 절연층, 및, 최상층·층간 절연층을 갖고 있고,
각 발광 소자는,
최상층·층간 절연층상에 형성된 제1 전극,
적어도 제1 전극이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층의 영역의 위에 형성된 절연막,
제1 전극상으로부터 절연막상에 걸쳐서 형성되고, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 갖는 유기층, 및,
유기층상에 형성된 제2 전극을 구비하고 있고,
제1 발광 소자는, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 광반사층을 구비하고 있고,
제2 발광 소자는, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 광반사층을 구비하고 있고,
제3 발광 소자는, 제2 층간 절연층상에 형성된 제3 광반사층을 구비하고 있고,
최상층·층간 절연층은, 최하층·층간 절연층, 제1 광반사층, 제2 광반사층 및 제3 광반사층을 덮고 있고,
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제1 홈부가 형성되어 있고,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제2 홈부가 형성되어 있고,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제3 홈부가 형성되어 있고,
제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에는 차광층이 형성되어 있고,
제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층의 정상면(頂面)보다도 높은 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치한다.
본 개시의 표시 장치의 제조 방법에서는, 공정(E)에서 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에 차광층을 형성하기 때문에, 또한, 본 개시의 표시 장치에서는, 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에는 차광층이 형성되어 있기 때문에, 인접 발광 소자로의 광의 침입이 생기기 어려운 표시 장치를 제조할 수 있다. 게다가, 공정(D)에서, 전면에 최상층·층간 절연층을 형성하고, 뒤이어, 최상층·층간 절연층에 평탄화 처리를 시행함으로써, 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부를 이른바 셀프·얼라인 방식으로 형성할 수 있다. 그러므로, 발광 소자의 미세화에 대응할 수 있다. 또한, 본 개시의 표시 장치에서는, 홈부의 저부의 가장 낮은 부분과 광반사층의 정상면의 높이와의 관계가 규정되어 있기 때문에, 홈부와 광반사층이 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 홈부와 광반사층이 접촉하면, 발광 소자에 용량 변화가 생기는 결과, 발광색이나 휘도에 편차가 생길 우려가 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고 한정되는 것이 아니라, 또한, 부가적인 효과가 있어도 좋다.
도 1은, 실시례 1의 표시 장치의 모식적인 일부 단면도.
도 2A, 도 2B 및 도 2C는, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도.
도 3A 및 도 3B는, 도 2C에 계속해서, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도.
도 4A 및 도 4B는, 도 3B에 계속해서, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도.
도 5A 및 도 5B는, 도 4B에 계속해서, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도.
도 6은, 도 5B에 계속해서, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도.
도 7은, 실시례 2의 표시 장치의 모식적인 일부 단면도.
도 8은, 종래의 표시 장치의 문제점을 설명하기 위한 표시 장치의 모식적인 일부 단면도.
이하, 도면을 참조하여, 실시례에 의거하여 본 개시를 설명하지만, 본 개시는 실시례로 한정되는 것이 아니고, 실시례에서의 여러 가지의 수치나 재료는 예시이다. 또한, 설명은, 이하의 순서로 행한다.
1.본 개시의 표시 장치 및 그 제조 방법, 전반에 관한 설명
2.실시례 1(본 개시의 표시 장치 및 그 제조 방법)
3.실시례 2(실시례 1의 변형)
4. 실시례 3(실시례 1의 변형)
5. 기타
<본 개시의 표시 장치 및 그 제조 방법, 전반에 관한 설명>
이하의 설명에서, 제1 층간 절연층, 제2 층간 절연층 및 최상층·층간 절연층의 적층 구조를, 편의상, 『층간 절연층·적층 구조체』라고 부르는 경우가 있다.
본 개시의 표시 장치의 제조 방법에서는, 공정(C)에서,
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층의 부분 및 제1 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제1 오목부를 형성하고, 아울러서,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제2 오목부를 형성하고, 아울러서,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층의 부분, 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제3 오목부를 형성하는 형태로 할 수 있다.
상기한 바람직한 형태를 포함하는 본 개시의 표시 장치의 제조 방법에서는,
제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하는 형태로 할 수 있다.
상기한 바람직한 형태를 포함하는 본 개시의 표시 장치의 제조 방법, 또는, 본 개시의 표시 장치에서는,
제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제1 발광 소자에 가까운 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제2 발광 소자에 가까운 곳에 위치하는 형태로 할 수 있다.
상기한 각종 바람직한 형태를 포함하는 본 개시의 표시 장치 또는 본 개시의 표시 장치의 제조 방법에 의해 얻어진 표시 장치(이하, 이들을 총칭하여, 『본 개시의 표시 장치 등』이라고 부르는 경우가 있다)에서, 차광층을 구성하는 차광 재료로서, 구체적으로는, 티탄(Ti)이나 크롬(Cr), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), MoSi2 등의 광을 차광할 수 있는 재료를 들 수 있다. 차광층은, 전자 빔 증착법이나 열 필라멘트 증착법, 진공 증착법을 포함하는 증착법, 스퍼터링법, CVD법이나 이온 플레이팅법 등에 의해 형성할 수 있다.
본 개시의 표시 장치 등에서, 홈부는, 발광 소자를 둘러싸도록 형성되어 있는 형태로 할 수 있다. 홈부는, 이른바 셀프·얼라인 방식으로 형성된다. 홈부는 차광층으로 완전히 충전되지 않아도 좋다. 즉, 차광층은, 적어도, 홈부의 측면 및 저부를 덮고 있으면 좋다. 차광층은, 제1 전극에 접하여 있어도 좋다. 또는 또한, 차광층은 접지되어 있어도 좋다. 제1 발광 소자를 구성하는 제1 광반사층은, 제1 발광 소자를 구성하는 제1 전극에 전기적으로 접속되어 있어도 좋고, 제2 발광 소자를 구성하는 제2 광반사층은, 제2 발광 소자를 구성하는 제1 전극에 전기적으로 접속되어 있어도 좋고, 제3 발광 소자를 구성하는 제3 광반사층은, 제3 발광 소자를 구성하는 제1 전극에 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 또는 또한, 각 광반사층은 접지되어 있어도 좋다.
절연막은, 제1 전극이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층의 영역의 위, 및, 제1 전극의 연부(緣部)에 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다. 즉, 최상층·층간 절연층 및 제1 전극상에 절연막을 형성하고, 제1 전극상의 절연막에 개구부를 마련하고, 개구부의 저부에 제1 전극을 노출시키는 구조로 할 수 있다. 유기층은, 개구부의 저부에 노출한 제1 전극의 위로부터 절연막상에 걸쳐서 형성되어 있다. 또는 또한, 제1 전극과 제1 전극의 사이에 노출한 최상층·층간 절연층의 위에 절연막을 형성하여도 좋다. 유기층은, 제1 전극의 위로부터 절연막의 위에 걸쳐서 형성되어 있다. 절연막을 구성하는 재료와, 최상층·층간 절연층을 구성하는 재료는, 같아도 좋고, 달라도 좋다.
본 개시의 표시 장치 등은, 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치(유기 EL 표시 장치)로 이루어지는 구성으로 할 수 있고, 발광 소자는, 유기 일렉트로루미네선스 소자(유기 EL 소자)로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 그리고, 최하층·층간 절연층, 층간 절연층·적층 구조체, 유기층 및 제2 전극은, 복수의 발광 소자에서 공통화되어 있는 형태로 할 수 있다.
본 개시에서의 발광 소자에서, 발광층은, 다른 색을 발광하는 적어도 2층의 발광층으로 구성되어 있는 형태로 할 수 있고, 이 경우, 유기층으로부터 출사되는 광은 백색인 형태로 할 수 있다. 구체적으로는, 발광층은, 적색(파장 : 620㎚ 내지 750㎚)을 발광하는 적색 발광층, 녹색(파장 : 495㎚ 내지 570㎚)을 발광하는 녹색 발광층, 및, 청색(파장 : 450㎚ 내지 495㎚)을 발광하는 청색 발광층의 3층이 적층된 구조로 할 수 있고, 전체로서 백색을 발광한다. 또는 또한, 청색을 발광하는 청색 발광층, 및, 황색을 발광하는 황색 발광층의 2층이 적층된 구조로 할 수 있고, 전체로서 백색을 발광한다. 또는 또한, 청색을 발광하는 청색 발광층, 및, 등색(橙色)을 발광하는 등색 발광층의 2층이 적층된 구조로 할 수 있고, 전체로서 백색을 발광한다. 그리고, 이와 같은 백색을 발광하는 백색 발광 소자가 적색 컬러 필터를 구비함으로써 적색 발광 소자가 구성되고, 백색 발광 소자가 녹색 컬러 필터를 구비함으로써 녹색 발광 소자가 구성되고, 백색 발광 소자가 청색 컬러 필터를 구비함으로써 청색 발광 소자가 구성된다. 그리고, 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자 및 청색 발광 소자에 의해 1화소가 구성된다. 경우에 따라서는, 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자, 청색 발광 소자 및 백색을 출사하는 발광 소자(또는 보색광을 출사하는 발광 소자)에 의해 1화소를 구성하여도 좋다. 또한, 다른 색을 발광하는 적어도 2층의 발광층으로 구성되어 있는 형태에서는, 실제로는, 다른 색을 발광하는 발광층이 혼합하고, 명확하게 각 층으로 분리되지 않는 경우가 있다.
컬러 필터는, 소망하는 안료나 염료로 이루어지는 착색제를 첨가한 수지에 의해 구성되어 있고, 안료나 염료를 선택함에 의해, 목적으로 하는 적색, 녹색, 청색 등의 파장역에서의 광투과율이 높고, 다른 파장역에서의 광투과율이 낮아지도록 조정되어 있다. 백색을 출사하는 발광 소자에서는 투명한 필터를 마련하면 좋다. 컬러 필터와 컬러 필터의 사이에는 블랙 매트릭스층을 형성하여도 좋다. 블랙 매트릭스층은, 예를 들면, 흑색의 착색제를 혼입한 광학 농도가 1 이상의 흑색의 수지막(구체적으로는, 예를 들면, 흑색의 폴리이미드 수지로 이루어진다), 또는, 박막의 간섭을 이용한 박막 필터로 구성되어 있다. 박막 필터는, 예를 들면, 금속, 금속질화물 또는 금속산화물로 이루어지는 박막을 2층 이상 적층하여 이루어지고, 박막의 간섭을 이용하여 광을 감쇠시킨다. 박막 필터로서, 구체적으로는, Cr과 산화크롬(Ⅲ)(Cr2O3)을 교대로 적층한 것을 들 수 있다.
최하층·층간 절연층의 하방에는, 한정하는 것은 아니지만, 실리콘 반도체 기판에 형성된 트랜지스터(구체적으로는, 예를 들면, MOSFET)가 구비되어 있고, 실리콘 반도체 기판에 형성된 트랜지스터와 제1 전극은, 최하층·층간 절연층 및 층간 절연층·적층 구조체에 형성된 콘택트 홀(콘택트 플러그)을 통하여 접속되어 있는 형태로 할 수 있다. 또는 또한, 최하층·층간 절연층의 하방에는, 각종 기판에 마련된 TFT가 구비되어 있어도 좋다. 이와 같이, 제1 전극은, 전술한 바와 같이, 층간 절연층·적층 구조체상에 마련되어 있다. 그리고, 최하층·층간 절연층은, 제1 기판에 형성된 발광 소자 구동부를 덮고 있다. 발광 소자 구동부는, 1 또는 복수의 트랜지스터(예를 들면, MOSFET나 TFT)로 구성되어 있고, 트랜지스터와 제1 전극은, 전술한 바와 같이, 최하층·층간 절연층 및 층간 절연층·적층 구조체에 마련된 콘택트 홀을 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 발광 소자 구동부는, 주지의 회로 구성으로 할 수 있다.
본 개시의 표시 장치 등은, 다른 표현을 하면, 제1 기판, 제2 기판, 및, 제1 기판과 제2 기판에 의해 끼여진 화상 표시부를 구비하고 있고, 화상 표시부에는, 이상에 설명한 바람직한 형태, 구성을 포함하는 본 개시의 발광 소자가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 있다. 여기서, 제1 기판측에 발광 소자가 형성되어 있다.
그리고, 본 개시의 표시 장치 등은, 제2 기판부터 광을 출사하는 톱 이미션 방식(상면 발광 방식)의 표시 장치(상면 발광형 표시 장치)이다. 상면 발광형 표시 장치에서는, 제1 기판과 대향하는 제2 기판의 면측에 컬러 필터 및 블랙 매트릭스층을 형성하면 좋다. 또는 또한, 제2 기판과 대향하는 제1 기판의 면측에 컬러 필터를 형성하여도 좋다. 즉, 제1의 기판에 OCCF(온 칩 컬러 필터)를 형성하여도 좋다. 본 개시의 표시 장치 등에서, 하나의 발광 소자에 의해 하나의 화소(또는 부화소)가 구성되어 있는 경우, 한정하는 것은 아니지만, 화소(또는 부화소)의 배열로서, 스트라이프(stripe) 배열, 다이아고날(diagonal) 배열, 델타(delta) 배열, 스트라이프 배열, 또는, 렉탱글(rectangle) 배열을 들 수 있다. 또한, 복수의 발광 소자(표시 소자)가 집합하여 하나의 화소(또는 부화소)가 구성되어 있는 형태에서는, 한정하는 것은 아니지만, 화소(또는 부화소)의 배열로서, 스트라이프 배열을 들 수 있다.
제1 기판 또는 제2 기판을, 실리콘 반도체 기판 이외에도, 고왜점 유리 기판, 소다 유리(Na2O·CaO·SiO2)기판, 붕규산 유리(Na2O·B2O3·SiO2) 기판, 포르스테라이트(2MgO·SiO2) 기판, 납유리(Na2O·PbO·SiO2) 기판, 표면에 절연 재료층이 형성된 각종 유리 기판, 석영 기판, 표면에 절연 재료층이 형성된 석영 기판, 폴리메틸메타크릴레이트(폴리메타크릴산메틸, PMMA)나 폴리비닐알코올(PVA), 폴리비닐페놀(PVP), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 예시되는 유기 폴리머(고분자 재료로 구성된 가요성을 갖는 플라스틱 필름이나 플라스틱 시트, 플라스틱 기판이라는 고분자 재료의 형태를 갖는)로 구성할 수 있다. 제1 기판과 제2 기판을 구성하는 재료는, 같아도, 달라도 좋다. 단, 상면 발광형 표시 장치에서는, 제2 기판은 발광 소자로부터의 광에 대해 투명할 것이 요구된다.
제1 전극을 구성하는 재료로서, 제1 전극을 애노드 전극으로서 기능시키는 경우, 예를 들면, 산화인듐, 인듐-주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide, Sn 도프의 In2O3, 결정성ITO 및 어모퍼스 ITO를 포함한다), 인듐-아연산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), 인듐-갈륨산화물(IGO), 인듐·도프의 갈륨-아연산화물(IGZO, In-GaZnO4), IFO(F 도프의 In2O3), ITiO(Ti 도프의 In2O3), InSn, InSnZnO, 산화주석(SnO2), ATO(Sb 도프의 SnO2), FTO(F 도프의 SnO2), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄·도프의 산화아연(AZO), 갈륨·도프의 산화아연(GZO), B 도프의 ZnO, AlMgZnO(산화알루미늄 및 산화마그네슘·도프의 산화아연), 산화안티몬, 산화티탄, NiO, 스피넬형 산화물, YbFe2O4 구조를 갖는 산화물, 갈륨산화물, 티탄산화물, 니오브산화물, 니켈산화물 등을 모층(母層)으로 하는 투명 도전성 재료라는 각종 투명 도전 재료를 들 수 있다. 제1 전극의 두께로서, 0.01㎛ 내지 0.1㎛를 예시할 수 있다.
한편, 제2 전극을 구성하는 재료(반광투과 재료 또는 광투과 재료)로서, 제2 전극을 캐소드 전극으로서 기능시키는 경우, 발광광을 투과하고, 게다가, 유기층에 대해 전자를 효율적으로 주입할 수 있도록 일함수의 값의 작은 도전 재료로 구성하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 스트론튬(Sr), 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속과 은(Ag)[예를 들면, 마그네슘(Mg)과 은(Ag)과의 합금(Mg-Ag 합금)], 마그네슘-칼슘의 합금(Mg-Ca 합금), 알루미늄(Al)과 리튬(Li)의 합금(Al-Li 합금) 등의 일함수가 작은 금속 또는 합금을 들 수 있고, 그중에서도, Mg-Ag 합금이 바람직하고, 마그네슘과 은과의 체적비로서, Mg : Ag=5 : 1∼30 : 1을 예시할 수 있다. 또는 또한, 마그네슘과 칼슘과의 체적비로서, Mg : Ca=2 : 1∼10 : 1을 예시할 수 있다. 제2 전극의 두께로서, 4㎚ 내지 50㎚, 바람직하게는, 4㎚ 내지 20㎚, 보다 바람직하게는 6㎚ 내지 12㎚를 예시할 수 있다. 또는 또한, 제2 전극을, 유기층측부터, 상술한 재료층과, 예를 들면 ITO나 IZO로 이루어지는 이른바 투명 전극(예를 들면, 두께 3×10-8m 내지 1×10-6m)의 적층 구조로 할 수도 있다. 제2 전극에 대해, 알루미늄, 알루미늄 합금, 은, 은 합금, 구리, 구리 합금, 금, 금 합금 등의 저저항 재료로 이루어지는 버스 전극(보조 전극)을 마련하고, 제2 전극 전체로서 저저항화를 도모하여도 좋다. 제2 전극의 평균 광투과율은 50% 내지 90%, 바람직하게는 60% 내지 90%인 것이 바람직하다.
제1 전극이나 제2 전극의 형성 방법으로서, 예를 들면, 전자 빔 증착법이나 열 필라멘트 증착법, 진공 증착법을 포함하는 증착법, 스퍼터링법, 화학적 기상 성장법(CVD법)이나 MOCVD법, 이온 플레이팅법과 에칭법의 조합 ; 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법, 메탈 마스크 인쇄법이라는 각종 인쇄법 ; 도금법(전기 도금법이나 무전해 도금법) ; 리프트 오프법 ; 레이저 어브레이전법 ; 졸·겔법 등을 들 수 있다. 각종 인쇄법이나 도금법에 의하면, 직접, 소망하는 형상(패턴)을 갖는 제1 전극이나 제2 전극을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 유기층을 형성한 후, 제2 전극을 형성하는 경우, 특히 진공 증착법과 같은 성막 입자의 에너지가 작은 성막 방법, 또는 또한, MOCVD법이라는 성막 방법에 의거하여 형성하는 것이, 유기층의 데미지 발생을 방지한다는 관점에서 바람직하다. 유기층에 데미지가 발생하면, 리크 전류의 발생에 의한 「멸점(滅点)」이라고 불리는 비발광 화소(또는 비발광 부화소)가 생길 우려가 있다. 또한, 유기층의 형성으로부터 이들 전극의 형성까지를 대기에 폭로하는 일 없이 실행하는 것이, 대기중의 수분에 의한 유기층의 열화를 방지한다는 관점에서 바람직하다. 전술한 바와 같이, 제2 전극은 패터닝하지 않고, 이른바 공통 전극으로 하는 것이 바람직하다.
광반사층, 제1 광반사층, 제2 광반사층, 제3 광반사층을 구성하는 재료로서, 알루미늄, 알루미늄 합금(예를 들면, Al-Nd나 Al-Cu), Al/Ti 적층 구조, Al-Cu/Ti 적층 구조, 크롬(Cr), 은(Ag), 은 합금(예를 들면, Ag-Pd-Cu, Ag-Sm-Cu)을 들 수 있고, 예를 들면, 전자빔 증착법이나 열필라멘트 증착법, 진공 증착법을 포함하는 증착법, 스퍼터링법, CVD법이나 이온 플레이팅법 ; 도금법(전기 도금법이나 무전해 도금법) ; 리프트 오프법 ; 레이저 어브레이전법 ; 졸·겔법 등에 의해 형성할 수 있다.
유기층은 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 구비하고 있는데, 구체적으로는, 예를 들면, 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층의 적층 구조, 정공 수송층과 전자 수송층을 겸한 발광층의 적층 구조, 정공 주입층과 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층과 전자 주입층의 적층 구조 등으로 구성할 수 있다. 유기층의 형성 방법으로서, 진공 증착법 등의 물리적 기상 성장법(PVD법) ; 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법이라는 인쇄법 ; 전사용 기판상에 형성된 레이저 흡수층과 유기층의 적층 구조에 대해 레이저를 조사함으로써 레이저 흡수층상의 유기층을 분리하여, 유기층을 전사한다는 레이저 전사법, 각종의 도포법을 예시할 수 있다. 유기층을 진공 증착법에 의거하여 형성하는 경우, 예를 들면, 이른바 메탈 마스크를 이용하고, 이러한 메탈 마스크에 마련된 개구를 통과한 재료를 퇴적시킴으로써 유기층을 얻을 수 있고, 유기층을, 전술한 바와 같이, 패터닝하는 일없이, 전면에 형성하여도 좋다. 경우에 따라서는, 유기층의 일부(구체적으로는, 예를 들면, 정공 주입층)의 적어도 일부분이, 절연막의 단부(端部)에서 불연속한 상태로 되어 있어도 좋다.
제2 전극의 상방에는, 유기층에의 수분의 도달 방지를 목적으로 하여, 절연성 또는 도전성의 보호막을 마련하는 것이 바람직하다. 보호막은, 특히 진공 증착법과 같은 성막 입자의 에너지가 작은 성막 방법, 또는 또한, CVD법이나 MOCVD법이라는 성막 방법에 의거하여 형성하는 것이, 하지에 대해 미치는 영향을 작게 할 수 있기 때문에 바람직하다. 또는 또한, 유기층의 열화에 의한 휘도의 저하를 방지하기 위해, 성막 온도를 상온으로 설정하고, 나아가서는, 보호막의 벗겨짐을 방지하기 위해 보호막의 스트레스가 최소가 되는 조건으로 보호막을 성막하는 것이 바람직하다. 또한, 보호막의 형성은, 이미 형성되어 있는 전극을 대기에 폭로하는 일 없이 형성하는 것이 바람직하고, 이에 의해, 대기중의 수분이나 산소에 의한 유기층의 열화를 방지할 수 있다. 나아가서는, 보호막은, 유기층에서 발생한 광을 예를 들면 80% 이상, 투과하는 재료로 구성하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 무기 어모퍼스성의 절연성 재료, 예를 들면, 이하에 도시하는 재료를 예시할 수 있다. 이와 같은 무기 어모퍼스성의 절연성 재료는, 그레인을 생성하지 않기 때문에, 투수성이 낮고, 양호한 보호막을 구성한다. 구체적으로는, 보호막을 구성하는 재료로서, 발광층에서 발광한 광에 대해 투명하고, 치밀하고, 수분을 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 어모퍼스 실리콘(α-Si), 어모퍼스 탄화실리콘(α-SiC), 어모퍼스 질화실리콘(α-Si1 - xNx), 어모퍼스 산화실리콘(α-Si1 - yOy), 어모퍼스 카본(α-C), 어모퍼스 산화·질화실리콘(α-SiON), Al2O3를 들 수 있다. 보호막을 도전 재료로 구성하는 경우, 보호막을, ITO나 IZO, IGZO와 같은 투명 도전 재료로 구성하면 좋다. 보호막과 제2 기판은, 예를 들면, 수지층(밀봉 수지층)을 통하여 접합되어 있다. 수지층(밀봉 수지층)을 구성하는 재료로서, 아크릴계 접착제, 에폭시계 접착제, 우레탄계 접착제, 실리콘계 접착제, 시아노아크릴레이트계 접착제라는 열경화형 접착제나, 자외선 경화형 접착제를 들 수 있다.
표시 장치의 광을 출사하는 최외면(제2 기판의 외면)에는, 자외선 흡수층, 오염 방지층, 하드 코트층, 대전 방지층을 형성하여도 좋고, 보호부재를 배치하여도 좋다.
본 개시의 표시 장치 등에서, 최하층·층간 절연층, 층간 절연층·적층 구조체 또는 절연막을 구성하는 절연 재료로서, SiO2, NSG(논 도프·실리케이트·유리), BPSG(붕소·인·실리케이트·유리), PSG, BSG, AsSG, SbSG, PbSG, SOG(스핀 온 글라스), LTO(Low Temperature Oxide, 저온 CVD-SiO2), 저융점 유리, 유리 페이스트 등의 SiOX계 재료(실리콘계 산화막을 구성하는 재료) ; SiON계 재료를 포함하는 SiN계 재료 ; SiOC ; SiOF ; SiCN을 들 수 있다. 또는 또한, 산화티탄(TiO2), 산화탄탈(Ta2O5), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화크롬(CrOx), 산화지르코늄(ZrO2), 산화니오브(Nb2O5), 산화주석(SnO2), 산화바나듐(VOx)이라는 무기 절연 재료를 들 수 있다. 또는 또한, 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴 수지라는 각종 수지나, SiOCH, 유기 SOG, 불소계 수지라는 저유전율 절연 재료(예를 들면, 비유전율(k)(=ε/ε0)이 예를 들면 3.5 이하의 재료로서, 구체적으로는, 예를 들면, 탄화불소, 시클로퍼플루오로카본 폴리머, 벤조시클로부텐, 환상 불소 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌, 어모퍼스 테트라플루오로에틸렌, 폴리아릴에테르, 불화아릴에테르, 불화폴리이미드, 어모퍼스 카본, 파릴렌(폴리파라크실렌), 불화플라렌)을 들 수 있고, Silk(The Dow Chemical Co.의 상표이고, 도포형 저유전율 층간 절연막 재료), Flare(Honeywell Electronic Materials Co.의 상표이고, 폴리알릴에테르(PAE)계 재료)를 예시할 수도 있다. 그리고, 이들을, 단독 또는 적절히 조합시켜서 사용할 수 있다. 층간 절연층이나 절연막은, 각종 CVD법, 각종 도포법, 스퍼터링법이나 진공 증착법을 포함하는 각종 PVD법, 스크린 인쇄법이라는 각종 인쇄법, 도금법, 전착법, 침지법, 졸-겔법 등의 공지의 방법에 의거하여 형성할 수 있다.
유기 EL 표시 장치는, 더한층의 광 추출 효율의 향상을 도모하기 위해, 공진기 구조를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제1 전극의 하방에 마련된 광반사층과 그 위에 위치하는 층간 절연층과의 계면에 의해 구성된 제1 계면과, 제2 전극과 유기층과의 계면에 의해 구성된 제2 계면의 사이에서, 발광층에서 발광한 광을 공진시켜서, 그 일부를 제2 전극으로부터 출사시킨다. 그리고, 발광층의 최대 발광 위치부터 제1 계면까지의 거리를 L1, 광학 거리를 OL1, 발광층의 최대 발광 위치부터 제2 계면까지의 거리를 L2, 광학 거리를 OL2로 하여, m1 및 m2을 정수로 하였을 때, 이하의 식(1-1), 식(1-2), 식(1-3) 및 식(1-4)을 충족시키고 있다.
0.7{-Φ1/(2π)+m1}≤2×OL1/λ≤1.2{-Φ1/(2π)+m1} (1-1)
0.7{-Φ2/(2π)+m2}≤2×OL2/λ≤1.2{-Φ2/(2π)+m2} (1-2)
L1<L2 (1-3)
m1<m2 (1-4)
여기서,
λ : 발광층에서 발생한 광의 스펙트럼의 최대 피크 파장(또는 또한, 발광층에서 발생한 광 중의 소망하는 파장)
Φ1 : 제1 계면에서 반사된 광의 위상 시프트량(단위 : 라디안)
단, -2π<Φ1≤0
Φ2 : 제2 계면에서 반사된 광의 위상 시프트량(단위 : 라디안)
단, -2π<Φ2≤0
이다.
여기서, 가장 광 추출 효율을 높게 할 수 있는 m1=0, m2=1인 형태로 할 수 있다.
또한, 발광층의 최대 발광 위치부터 제1 계면까지의 거리(L1)는, 발광층의 최대 발광 위치부터 제1 계면까지의 실제의 거리(물리적 거리)를 가리키고, 발광층의 최대 발광 위치부터 제2 계면까지의 거리(L2)는, 발광층의 최대 발광 위치부터 제2 계면까지의 실제의 거리(물리적 거리)를 가리킨다. 또한, 광학 거리란, 광로 길이라고도 불리고, 일반적으로, 굴절률 n의 매질중을 거리(L)만큼 광선이 통과한 때의 n×L을 가리킨다. 이하에서도, 마찬가지이다. 따라서, 평균굴절률을 nave로 하였을 때,
OL1=L1×nave
OL2=L2×nave
의 관계가 있다. 여기서, 평균 굴절률(nave)이란, 유기층 및 층간 절연층을 구성하는 각 층의 굴절률과 두께의 곱을 합계하고, 유기층 및 층간 절연층의 두께로 나눈 것이다.
광반사층 및 제2 전극은 입사한 광의 일부를 흡수하고, 나머지를 반사하다. 따라서, 반사된 광에 위상 시프트가 생긴다. 이 위상 시프트량(Φ1, Φ2)은, 광반사층 및 제2 전극을 구성하는 재료의 복소 굴절률의 실수 부분과 허수 부분의 값을, 예를 들면 엘립소미터를 이용하여 측정하고, 이들의 값에 의거한 계산을 행함으로써 구할 수 있다(예를 들면, "Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974(PERGAMON PRESS) 참조). 또한, 유기층이나 층간 절연층 등의 굴절률도 엘립소미터를 이용하여 측정함으로써 구할 수 있다.
이와 같이, 공진기 구조를 갖는 유기 EL 표시 장치에서는, 실제로는, 백색 발광 소자가 적색 컬러 필터를 구비함으로써 구성된 적색 발광 소자는, 발광층에서 발광한 적색광을 공진시켜서, 불그스름한 광(적색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극으로부터 출사한다. 또한, 백색 발광 소자가 녹색 컬러 필터를 구비함으로써 구성된 녹색 발광 소자는, 발광층에서 발광한 녹색광을 공진시켜서, 녹미를 띤 광(녹색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극으로부터 출사한다. 나아가서는, 백색 발광 소자가 청색 컬러 필터를 구비함으로써 구성된 청색 발광 소자는, 발광층에서 발광한 청색광을 공진시켜서, 청미를 띤 광(청색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극으로부터 출사한다. 즉, 발광층에서 발생한 광중의 소망하는 파장(λ)(구체적으로는, 적색의 파장, 녹색의 파장, 청색의 파장)을 결정하고, 식(1-2), 식(1-2), 식(1-3), 식(1-4)에 의거하여, 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자, 청색 발광 소자의 각각에서의 OL1, OL2 등의 각종 파리미터를 구하여, 각 발광 소자를 설계하면 좋다. 예를 들면, 일본 특개2012-216495의 단락 번호[0041]에는, 발광층(유기층)을 공진부로 한 공진기 구조를 갖는 유기 EL 소자가 개시되어 있고, 발광점부터 반사면까지의 거리를 적절하게 조정하는 것이 가능해지기 때문에, 유기층의 막두께는, 80㎚ 이상 500㎚ 이하인 것이 바람직하고, 150㎚ 이상 350㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다고 기재되어 있다.
유기 EL 표시 장치에서는, 정공 수송층(정공 공급층)의 두께와 전자 수송층(전자 공급층)의 두께는, 대강 동등한 것이 바람직하다. 또는 또한, 정공 수송층(정공 공급층)보다도 전자 수송층(전자 공급층)을 두껍게 하여도 좋고, 이에 의해, 낮은 구동 전압으로 고효율화에 필요하며, 또한, 발광층에의 충분한 전자 공급이 가능해진다. 즉, 애노드 전극에 상당하는 제1 전극과 발광층의 사이에 정공 수송층을 배치하고, 게다가, 전자 수송층보다도 얇은 막두께로 형성함으로써, 정공의 공급을 증대시키는 것이 가능해진다. 그리고, 이에 의해, 정공과 전자의 과부족이 없고, 또한, 캐리어 공급량도 충분히 많은 캐리어 밸런스를 얻을 수 있기 때문에, 높은 발광 효율을 얻을 수 있다. 또한, 정공과 전자의 과부족이 없음으로써, 캐리어 균형이 깨지기 어렵고, 구동 열화가 억제되고, 발광 수명을 길게 할 수 있다.
표시 장치는, 예를 들면, 퍼스널 컴퓨터를 구성하는 모니터 장치로서 사용할 수 있고, 텔레비전 수상기나 휴대 전화, PDA(휴대 정보 단말, Personal Digital Assistant), 게임기기에 조립된 모니터 장치로서 사용할 수 있다. 또는 또한, 전자 뷰 파인더(Electronic View Finder, EVF)나 두부 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)에 적용할 수 있다. 또는 또한, 전자 북, 전자 신문 등의 전자 페이퍼, 간판, 포스터, 칠판 등의 게시판, 프린터 용지 대체의 리라이터블 페이퍼, 가전 제품의 표시부, 포인트 카드 등의 카드 표시부, 전자 광고, 전자 POP에서의 화상 표시 장치를 구성할 수 있다. 본 개시의 표시 장치를 발광 장치로서 사용하고, 액정 표시 장치용의 백라이트 장치나 면형상 광원 장치를 포함하는 각종 조명 장치를 구성할 수 있다. 두부 장착형 디스플레이는, 예를 들면,
(ㄱ) 관찰자의 두부에 장착되는 프레임, 및,
(ㄴ) 프레임에 부착되는 화상 표시 장치를 구비하고 있고,
화상 표시 장치는,
(A) 본 개시의 표시 장치, 및,
(B) 본 개시의 표시 장치로부터 출사되는 광이 입사되고, 출사되는 광학 장치를 구비하고 있고,
광학 장치는,
(B-1) 본 개시의 표시 장치로부터 입사된 광이 내부를 전반사에 의해 전파된 후, 관찰자를 향하여 출사되는 도광판,
(B-2) 도광판에 입사된 광이 도광판의 내부에서 전반사되도록, 도광판에 입사된 광을 편향시키는 제1 편향 수단(예를 들면, 체적 홀로그램 회절 격자막으로 이루어진다), 및,
(B-3) 도광판의 내부를 전반사에 의해 전파된 광을 도광판으로부터 출사시키기 위해, 도광판의 내부를 전반사에 의해 전파된 광을 복수회에 걸쳐서 편향시키는 제2 편향 수단(예를 들면, 체적 홀로그램 회절 격자막으로 이루어진다)로 이루어진다.
실시례 1
실시례 1은, 본 개시의 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 도 1에 본 개시의 표시 장치의 모식적인 일부 단면도를 도시한다. 실시례 1의 표시 장치는, 구체적으로는, 유기 EL 표시 장치로 이루어지고, 실시례 1의 발광 소자는, 구체적으로는, 유기 EL 소자로 이루어진다.
실시례 1의 표시 장치, 또는, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법에서의 표시 장치는,
제1 발광 소자(10R), 제2 발광 소자(10G) 및 제3 발광 소자(10B)로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지고,
화소는, 최하층·층간 절연층(30), 최하층·층간 절연층(30)상에 형성된 제1 층간 절연층(31), 제1 층간 절연층(31)상에 형성된 제2 층간 절연층(32), 및, 최상층·층간 절연층(33)을 갖고 있고,
각 발광 소자(10R, 10G, 10B)는,
최상층·층간 절연층(33)상에 형성된 제1 전극(51),
적어도 제1 전극(51)이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층(33)의 영역의 위에 형성된 절연막(60),
제1 전극(51)상부터 절연막(60)상에 걸쳐서 형성되고, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 갖는 유기층(53), 및,
유기층(53)상에 형성된 제2 전극(52)을 구비하고 있고,
제1 발광 소자(10R)는, 최하층·층간 절연층(30)상에 형성된 제1 광반사층(36R)을 구비하고 있고,
제2 발광 소자(10G)는, 제1 층간 절연층(31)상에 형성된 제2 광반사층(36G)을 구비하고 있고,
제3 발광 소자(10B)는, 제2 층간 절연층(32)상에 형성된 제3 광반사층(36B)을 구비하고 있다.
그리고, 실시례 1의 표시 장치에서는,
최상층·층간 절연층(33)은, 최하층·층간 절연층(30), 제1 광반사층(36R), 제2 광반사층(36G) 및 제3 광반사층(36B)을 덮고 있고,
제1 발광 소자(10R)와 제2 발광 소자(10G)의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층(33)의 부분에는 제1 홈부(421)가 형성되어 있고,
제2 발광 소자(10G)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층(33)의 부분에는 제2 홈부(422)가 형성되어 있고,
제1 발광 소자(10R)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층(33)의 부분에는 제3 홈부(423)가 형성되어 있다. 그리고,
제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)의 내부에는 차광층(44)이 형성되어 있고,
제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층(36R)의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고,
제2 홈부(422)의 저부(432)의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층(36G)의 정상면보다도 높은 곳에 위치한다.
환언하면, 제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층(36R)의 정상면보다도, 최상층·층간 절연층(33)의 정상면측에 위치하고, 제2 홈부(422)의 저부(432)의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층(36G)의 정상면보다도, 최상층·층간 절연층(33)의 정상면측에 위치한다. 또한, 제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분, 제2 홈부(422)의 저부(432)의 가장 낮은 부분, 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분이란, 최하층·층간 절연층(30)에 가장 가까운 부분을 가리킨다.
또한, 제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자(10B)보다도 제1 발광 소자(10R)에 가까운 곳에 위치하고, 제2 홈부(422)의 저부(432)의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자(10B)보다도 제2 발광 소자(10G)에 가까운 곳에 위치한다.
또한, 제1 층간 절연층(31), 제2 층간 절연층(32) 및 최상층·층간 절연층(33)을 총칭하여, 층간 절연층·적층 구조체(34)라고 부른다. 최하층·층간 절연층(30), 층간 절연층·적층 구조체(34), 유기층(53) 및 제2 전극(52)은, 복수의 발광 소자에서 공통화되어 있다. 절연막(60)은 제1 전극(51)의 연부상(緣部上)까지 연재되어 있다.
실시례 1의 표시 장치는, 다른 표현을 하면, 제1 기판(11), 제2 기판(12), 및, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)에 의해 끼여진 화상 표시부(13)를 구비하고 있고, 화상 표시부(13)에는, 실시례 1의 발광 소자(10R, 10G, 10B)가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 있다. 여기서, 제1 기판(11)측에 발광 소자가 형성되어 있다. 그리고, 실시례 1의 표시 장치는, 제2 기판(12)으로부터 광을 출사하는 톱 이미션 방식(상면 발광 방식)의 표시 장치(상면 발광형 표시 장치)이다. 상면 발광형 표시 장치에서는, 제1 기판(11)과 대향하는 제2 기판(12)의 면측에 컬러 필터(CFR, CFG, CFB) 및 블랙 매트릭스층(BM)이 형성되어 있다. 하나의 발광 소자에 의해 하나의 부화소가 구성되어 있다.
하나의 화소는, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G) 및 청색 발광 소자(10B)의 3개의 발광 소자로 구성되어 있다. 제2 기판(12)은, 컬러 필터(CFR, CFG, CFB)를 구비하고 있다. 유기 EL 소자는 백색광을 발광하고, 각 발광 소자(10R, 10G, 10B)는, 백색광을 발광하는 백색 발광 소자와 컬러 필터(CFR, CFG, CFB)의 조합으로 구성되어 있다. 즉, 발광층은, 전체로서 백색을 발광한다. 또한, 컬러 필터와 컬러 필터의 사이에, 블랙 매트릭스층(BM)을 구비하고 있다. 화소수는, 예를 들면 1920×1080이고, 하나의 발광 소자(표시 소자)는 하나의 부화소를 구성하고, 발광 소자(구체적으로는 유기 EL 소자)는 화소수의 3배이다.
제1 전극(51)은 애노드 전극으로서 기능하고, 제2 전극(52)은 캐소드 전극으로서 기능한다. 제1 전극(51)은, 두께 0.01㎛ 내지 0.1㎛의 ITO라는 투명 도전 재료로 이루어지고, 제2 전극(52)은, 두께 4㎚ 내지 20㎚의 Mg-Ag 합금으로 이루어진다. 제1 전극(51)은, 진공 증착법과 에칭법의 조합에 의거하여 형성되어 있다. 또한, 제2 전극(52)은, 특히 진공 증착법과 같은 성막 입자의 에너지가 작은 성막 방법에 의해 성막되어 있고, 패터닝되어 있지 않다. 유기층(53)도 패터닝되어 있지 않다. 제1 광반사층(36R), 제2 광반사층(36G), 제3 광반사층(36B)은, 알루미늄(Al)-구리(Cu)/티탄(Ti)의 적층 구조로 이루어진다. 나아가서는, 제1 기판(11)은 실리콘 반도체 기판으로 이루어지고, 제2 기판(12)은 유리 기판으로 이루어진다.
또한, 차광층(44)은 텅스텐(W)으로 이루어지고, 최하층·층간 절연층(30)은 SiO2 로 이루어지고, 제1 층간 절연층(31)은 SiN으로 이루어지고, 제2 층간 절연층(32)은 SiO2로 이루어지고, 최상층·층간 절연층(33)은 SiO2로 이루어지고, 절연막(60)은 SiON으로 이루어지지만, 이들의 재료로 한정하는 것이 아니다.
실시례 1에서, 유기층(53)은, 정공 주입층(HIL : Hole Injection Layer), 정공 수송층(HTL : Hole Transport Layer), 발광층, 전자 수송층(ETL : Electron Transport Layer), 및, 전자 주입층(EIL : Electron Injection Layer)의 적층 구조를 갖는다. 발광층은, 다른 색을 발광하는 적어도 2층의 발광층으로 구성되어 있고, 유기층(53)으로부터 출사되는 광은 백색이다. 구체적으로는, 발광층은, 적색을 발광하는 적색 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 발광층, 및, 청색을 발광하는 청색 발광층의 3층이 적층된 구조를 갖는다. 발광층을, 청색을 발광하는 청색 발광층, 및, 황색을 발광하는 황색 발광층의 2층이 적층된 구조로 할 수도 있고, 청색을 발광하는 청색 발광층, 및, 등색을 발광하는 등색 발광층의 2층이 적층된 구조로 할 수 있다. 적색을 표시하여야 할 적색 발광 소자(10R)에는 적색 컬러 필터(CFR)가 구비되어 있고, 녹색을 표시하여야 할 녹색 발광 소자(10G)에는 녹색 컬러 필터(CFG)가 구비되어 있고, 청색을 표시하여야 할 청색 발광 소자(10B)에는 청색 컬러 필터(CB)가 구비되어 있다. 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G) 및 청색 발광 소자(10B)는, 컬러 필터, 광반사층의 위치를 제외하고, 같은 구성, 구조를 갖는다. 컬러 필터(CF)와 컬러 필터(CF)의 사이에는 블랙 매트릭스층(BM)이 형성되어 있다. 그리고, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스층(BM)은, 제1 기판(11)과 대향하는 제2 기판(12)의 면측에 형성되어 있다. 이에 의해, 발광층과 컬러 필터(CF) 사이의 거리를 단축할 수 있고, 발광층에서 출사한 광이 인접하는 타색의 컬러 필터(CF)에 입사하여 혼색이 생기는 것을 억제할 수 있다.
정공 주입층은, 정공 주입 효율을 높이는 층임과 함께, 리크를 방지하는 버퍼층으로서 기능하고, 두께는, 예를 들면 2㎚ 내지 10㎚ 정도이다. 정공 주입층은, 예를 들면, 이하의 식(A) 또는 식(B)으로 표시되는 헥사아자트리페닐렌 유도체로 이루어진다.
여기서, R1∼R6은, 각각, 독립적으로, 수소, 할로겐, 히드록시기, 아미노기, 아릴아미노기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐에스테르기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알케닐기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕시기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 니트릴기, 시아노기, 니트로기, 또는, 실릴기로부터 선택되는 치환기이고, 인접하는 Rm(m=1∼6)은 환상 구조를 통하여 서로 결합하여도 좋다. 또한, X1∼X6는, 각각, 독립적으로, 탄소 또는 질소 원자이다.
정공 수송층은 발광층에의 정공 수송 효율을 높이는 층이다. 발광층에서는, 전계가 가하여지면 전자와 정공과의 재결합이 일어나, 광을 발생한다. 전자 수송층은 발광층으로의 전자 수송 효율을 높이는 층이고, 전자 주입층은 발광층으로의 전자 주입 효율을 높이는 층이다.
정공 수송층은, 예를 들면, 두께가 40㎚ 정도의 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민<m-MTDATA> 또는 α-나프틸페닐디아민<αNPD>으로 이루어진다.
발광층은, 혼색에 의해 백색광이 생기는 발광층이고, 예를 들면, 상술한 바와 같이, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층되어 이루어진다.
적색 발광층에서는, 전계가 가하여짐에 의해, 제1 전극(51)으로부터 주입된 정공의 일부와, 제2 전극(52)으로부터 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 적색의 광이 발생한다. 이와 같은 적색 발광층은, 예를 들면, 적색 발광 재료, 정공 수송성 재료, 전자 수송성 재료 및 양 전하 수송성 재료 중, 적어도 1종류의 재료를 포함하고 있다. 적색 발광 재료는, 형광성의 재료라도 좋고, 인광성의 재료라도 좋다. 두께가 5㎚ 정도의 적색 발광층은, 예를 들면, 4,4-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐<DPVBi>에, 2,6-비스[(4'-메톡시디페닐아미노)스티릴]-1,5-디시아노나프탈렌<BSN>을 30질량% 혼합함으로써 이루어진다.
녹색 발광층에서는, 전계가 가하여짐에 의해, 제1 전극(51)으로부터 주입된 정공의 일부와, 제2 전극(52)으로부터 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 녹색의 광이 발생한다. 이와 같은 녹색 발광층은, 예를 들면, 녹색 발광 재료, 정공 수송성 재료, 전자 수송성 재료 및 양 전하 수송성 재료 중, 적어도 1종류의 재료를 포함하고 있다. 녹색 발광 재료는, 형광성의 재료라도 좋고, 인광성의 재료라도 좋다. 두께가 10㎚ 정도의 녹색 발광층은, 예를 들면, DPVBi에, 쿠마린6을 5질량% 혼합함으로써 이루어진다.
청색 발광층에서는, 전계가 가하여짐에 의해, 제1 전극(51)으로부터 주입된 정공의 일부와, 제2 전극(52)으로부터 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 청색의 광이 발생한다. 이와 같은 청색 발광층은, 예를 들면, 청색 발광 재료, 정공 수송성 재료, 전자 수송성 재료 및 양 전하 수송성 재료 중, 적어도 1종류의 재료를 포함하고 있다. 청색 발광 재료는, 형광성의 재료라도 좋고, 인광성의 재료라도 좋다. 두께가 30㎚ 정도의 청색 발광층은, 예를 들면, DPVBi에, 4,4'-비스[2-{4-(N,N-디페닐아미노)페닐}비닐]비페닐<DPAVBi>을 2.5질량% 혼합함으로써 이루어진다.
두께가 20㎚ 정도의 전자 수송층은, 예를 들면, 8-히드록시퀴놀린알루미늄<Alq3>으로 이루어진다. 두께가 0.3㎚ 정도의 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 Li2O 등으로 이루어진다.
제2 전극(52)의 상방에는, 유기층(53)에의 수분의 도달 방지를 목적으로 하여, 절연성 또는 도전성의 보호막(14)(구체적으로는, 예를 들면 SiN이나 ITO, IGZO, IZO로 이루어진다)가 마련되어 있다. 또한, 보호막(14)과 제2 기판(12)은, 예를 들면 에폭시계 접착제로 이루어지는 수지층(밀봉 수지층)(15)을 통하여 접합되어 있다.
그리고, 최하층·층간 절연층(30), 층간 절연층·적층 구조체(34), 유기층(53) 및 제2 전극(52)은, 복수의 발광 소자에서 공통화되어 있다. 즉, 최하층·층간 절연층(30), 층간 절연층·적층 구조체(34), 유기층(53) 및 제2 전극(52)은, 패터닝되어 있지 않고, 이른바 베타막의 상태에 있다. 이와 같이, 발광 소자마다 발광층을 나누어 칠하여 형성하는(패터닝 형성하는) 것이 아니고, 전 발광 소자에서 공통의 발광층을 베타 성막함으로써, 예를 들면 화각(畵角)이 몇 인치 이하이며, 화소 피치가 수십마이크로미터 이하인, 소형이며, 또한, 고해상도의 표시 장치에도 대응 가능해진다.
발광 소자는, 유기층(53)을 공진부(共振部)로 한 공진기 구조를 갖고 있다. 또한, 발광면부터 반사면까지의 거리(구체적으로는, 발광면부터 광반사층(36R, 36G, 36B) 및 제2 전극(52)까지의 거리)를 적절하게 조정하기 위해, 유기층(53)의 두께는, 8×10-8m 이상, 5×10-7m 이하인 것이 바람직하고, 1.5×10-7m 이상, 3.5×10-7m 이하인 것이 보다 바람직하다. 공진기 구조를 갖는 유기 EL 표시 장치에서는, 실제로는, 적색 발광 소자(10R)는, 발광층에서 발광한 적색광을 공진시켜서, 불그스름한 광(적색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극(52)으로부터 출사한다. 또한, 녹색 발광 소자(10G)는, 발광층에서 발광한 녹색광을 공진시켜서, 녹미를 띤 광(녹색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극(52)으로부터 출사한다. 나아가서는, 청색 발광 소자(10B)는, 발광층에서 발광한 청색광을 공진시켜서, 청미를 띤 광(청색의 영역에 광스펙트의 피크를 갖는 광)을 제2 전극(52)으로부터 출사한다.
실시례 1에서, 최하층·층간 절연층(30)의 아래에는, 실리콘 반도체 기판(제1 기판(11))에 형성된 트랜지스터(구체적으로는, 예를 들면, MOSFET)(20)가 구비되어 있다. 그리고, 제1 전극(51)과 실리콘 반도체 기판(제1 기판(11))에 형성된 트랜지스터(20)는, 최하층·층간 절연층(30) 및 층간 절연층·적층 구조체(34)에 형성된 콘택트 홀(콘택트 플러그)을 통하여 접속되어 있다. 또한, 콘택트 홀은 도시하고 있지 않다. 여기서, MOSFET로 이루어지는 트랜지스터(20)는, 게이트 전극(21), 게이트 절연층(22), 채널 형성 영역(23), 소스/드레인 영역(24)으로 구성되어 있고, 각 트랜지스터(20)의 사이에는 소자 분리 영역(25)이 형성되고, 이에 의해, 트랜지스터(20)는 서로 분리되어 있다.
이하, 최하층·층간 절연층 등의 모식적인 일부 단면도인 도 2A, 도 2B, 도 2C, 도 3A, 도 3B, 도 4A, 도 4B, 도 5A, 도 5B, 도 6을 참조하여, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
[공정-100]
우선, 실리콘 반도체 기판(제1 기판(11))에 발광 소자 구동부를 공지의 MOSFET 제조 프로세스에 의거하여 형성한다.
[공정-110]
뒤이어, 최하층·층간 절연층(30), 패터닝된 제1 층간 절연층(31), 및, 패터닝된 제2 층간 절연층(32)을 형성한다. 구체적으로는, CVD법에 의거하여 전면에 최하층·층간 절연층(30)을 형성한 후, 최하층·층간 절연층(30)상에, CVD법에 의거하여 제1 층간 절연층(31) 및 제2 층간 절연층(32)을, 순차적으로, 형성한다. 그리고, 주지의 RIE법에 의거하여, 제2 층간 절연층(32)을 패터닝하고, 또한, 제1 층간 절연층(31)을 패터닝한다. 이렇게 하여, 도 2A에 도시하는 구조를 얻을 수 있다.
[공정-120]
그 후, 스퍼터링법에 의거하여 전면에 광반사층(35)을 형성한 후(도 2B 참조), 포토 리소그래피 기술에 의거하여 레지스트층(37)을 형성한다. 이렇게 하여, 도 2C에 도시하는 구조를 얻을 수 있다.
그리고, 주지의 RIE법에 의거하여 광반사층(35)을 패터닝한다. 이렇게 하여, 제1 발광 소자(10R)를 형성하여야 할 최하층·층간 절연층(30)의 영역상에 제1 광반사층(36R)을 형성하고, 제2 발광 소자(10G)를 형성하여야 할 제1 층간 절연층(31)의 영역상에 제2 광반사층(36G)을 형성하고, 제3 발광 소자(10B)를 형성하여야 할 제2 층간 절연층(32)의 영역상에 제3 광반사층(36B)을 형성할 수 있다(도 3A 참조).
[공정-130]
그 후, 제1 발광 소자(10R)와 제2 발광 소자(10G)의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층(31)의 부분(실시례 1에서는, 구체적으로는, 제1 발광 소자(10R)와 제2 발광 소자(10G)의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층(30)의 부분 및 제1 층간 절연층(31)의 부분)을 에칭하여 제1 오목부(411)를 형성한다. 아울러서, 제2 발광 소자(10G)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 적어도 제2 층간 절연층(32)의 부분(실시례 1에서는, 구체적으로는, 제2 발광 소자(10G)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 제1 층간 절연층(31)의 부분 및 제2 층간 절연층(32)의 부분)을 에칭하여 제2 오목부(412)를 형성한다. 아울러서, 제1 발광 소자(10R)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층(31)의 부분 및 제2 층간 절연층(32)의 부분(실시례 1에서는, 구체적으로는, 제1 발광 소자(10R)와 제3 발광 소자(10B)의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층(30)의 부분, 제1 층간 절연층(31)의 부분 및 제2 층간 절연층(32)의 부분)을 에칭하여 제3 오목부(413)를 형성한다. 이상의 공정에 관해서는, 도 3B 및 도 4A를 참조할 것. 그리고, 레지스트층(37)을 제거한다. 이렇게 하여, 도 4B에 도시하는 구조를 얻을 수 있다.
[공정-140]
다음에, 플라즈마 CVD법에 의거하여, 전면에 최상층·층간 절연층(33)을 형성한 후(도 5A 참조), CMP법에 의거하여, 최상층·층간 절연층(33)에 평탄화 처리를 시행한다. 이렇게 하여, 도 5B에 도시하는 바와 같이, 제1 오목부(411), 제2 오목부(412) 및 제3 오목부(413)의 상방의 최상층·층간 절연층(33)의 부분에, 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)를 형성한다. 이들의 홈부(421, 422, 423)는 셀프·얼라인 방식으로 형성된다.
[공정-150]
그 후, 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)의 내부에 차광층(44)을 형성한다. 구체적으로는, 텅스텐 CVD법에 의거하여 전면에 텅스텐층을 형성하고, CMP법에 의거하여 최상층·층간 절연층(33)상의 텅스텐층을 제거한다. 이렇게 하여, 도 6에 도시하는 구조를 얻을 수 있다.
제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층(36R)의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고, 제2 홈부(422)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층(36G)의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고 있다. 또한, 제1 홈부(421)의 저부(431)의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부(423)의 저부(433)의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자(10B)보다도 제1 발광 소자(10R)에 가까운 곳에 위치하고 있고, 제2 홈부(422)의 저부(432)의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자(10B)보다도 제2 발광 소자(10G)에 가까운 곳에 위치하고 있다.
[공정-160]
다음에, 트랜지스터(20)의 일방의 소스/드레인 영역의 상방에 위치하는 최하층·층간 절연층(30) 및 층간 절연층·적층 구조체(34)의 부분에, 포토 리소그래피 기술 및 에칭 기술에 의거하여 접속 구멍을 형성한다. 그 후, 접속 구멍을 포함하는 최상층·층간 절연층(33)의 위에 금속층을, 예를 들면, 스퍼터링법에 의거하여 형성하고, 뒤이어, 포토 리소그래피 기술 및 에칭 기술에 의거하여 금속층을 패터닝함으로써, 최상층·층간 절연층(33)의 위에 제1 전극(51)을 형성할 수 있다. 제1 전극(51)은, 각 발광 소자마다 분리되어 있다. 아울러서, 접속 구멍내에 제1 전극(51)과 트랜지스터(20)를 전기적으로 접속한 도시하지 않은 콘택트 홀(콘택트 플러그)를 형성할 수 있다. 또한, 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)의 내부에 차광층(44)을 형성하는 동시에, 콘택트 홀을 형성하여도 좋다.
[공정-170]
다음에, 예를 들면, CVD법에 의거하여, 전면에 절연막(60)을 형성한 후, 포토 리소그래피 기술 및 에칭 기술에 의거하여, 제1 전극(51)상의 절연막(60)의 일부에 개구부(61)를 형성한다. 개구부(61)의 저부에 제1 전극(51)이 노출하고 있다.
[공정-180]
그 후, 제1 전극(51) 및 절연막(60)의 위에, 유기층(53)을, 예를 들면, 진공 증착법이나 스퍼터링법이라는 PVD법, 스핀 코트법이나 다이 코트법 등의 코팅법 등에 의해 성막한다. 뒤이어, 예를 들면 진공 증착법 등에 의거하여, 유기층(53)의 전면에 제2 전극(52)을 형성한다. 이와 같이 하여, 제1 전극(51)상에, 유기층(53) 및 제2 전극(52)을, 예를 들면, 진공 분위기에서 연속해서 성막할 수 있다. 그 후, 예를 들면 CVD법 또는 PVD법에 의해, 전면에 보호막(14)을 형성한다. 최후에, 수지층(밀봉 수지층)(15)을 통하여 보호막(14)과 제2 기판(12)을 맞붙인다. 또한, 제2 기판(12)에는, 미리 컬러 필터(CFR, CFG, CFB), 및, 블랙 매트릭스층(BM)을 형성하여 둔다. 그리고, 컬러 필터(CF)가 형성된 면을 맞붙임면으로 한다. 이렇게 하여, 도 1에 도시한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 실시례 1의 표시 장치의 제조 방법에서는, [공정-150]에서 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)의 내부에 차광층(44)을 형성하기 때문에, 또한, 실시례 1의 표시 장치에서는, 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)의 내부에는 차광층(44)이 형성되어 있기 때문에, 인접 발광 소자로의 광의 침입이 생기기 어려운 표시 장치를 제조할 수 있다. 즉, 어떤 발광 소자로부터 출사한 광이 인접 발광 소자에 침입하는 비율을 저감시킬 수가 있어서, 혼색이 발생하고, 화소 전체의 색도가 소망하는 색도로부터 어긋나 버린다는 현상의 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 혼색을 방지할 수 있기 때문에, 화소를 단색 발광시킨 때의 색 순도가 증가하고, 색도점이 깊어진다. 그러므로, 색역이 넓게 되고, 표시 장치의 색 표현의 폭이 넓어진다. 또한, 색 순도를 올리기 위해 각 화소에 대해 컬러 필터를 배치하고 있는데, 컬러 필터의 박막화 또는 컬러 필터의 생략이 가능해지고, 컬러 필터에서 흡수되어 있던 광을 취출하는 것이 가능해지고, 결과로서 발광 효율의 향상에 이어진다.
게다가, [공정-140,]에서 전면에 최상층·층간 절연층(33)을 형성하고, 뒤이어, 최상층·층간 절연층(33)에 평탄화 처리를 시행함으로써 제1 홈부(421), 제2 홈부(422) 및 제3 홈부(423)을 이른바 셀프·얼라인 방식으로 형성할 수 있기 때문에, 발광 소자의 미세화에 대응할 수 있다. 나아가서는, 홈부의 저부(431, 432, 433)의 가장 낮은 부분과 광반사층(36R, 36G, 36B)의 정상면의 높이 관계가 규정되어 있기 때문에, 홈부(421, 422, 423)와 광반사층(36R, 36G, 36B)이 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 발광색에 편차가 생긴다는 문제의 발생을 회피할 수 있다.
실시례 2
실시례 2는 실시례 1의 변형이다. 모식적인 일부 단면도를 도 7에 도시하는 바와 같이, SiON 또는 SiO2, 또는 또한, 폴리이미드 수지로 이루어지는 절연막(62)은, 제1 전극(51)이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층(33)의 영역의 위에 형성되어 있다. 유기층(53)은, 전체로서 평탄한 제1 전극(51) 및 절연막(62)의 위에 형성되어 있고, 유기층(53)도 평탄하다. 이와 같이, 전체로서 평탄한 제1 전극(51) 및 절연막(62)의 위에 유기층(53)을 형성함으로써, 절연막의 개구부 단부에 있어서 이상 발광이라는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
실시례 2의 표시 장치는, 예를 들면, 실시례 1의 [공정-170]과 같은 공정에서, 예를 들면, CVD법에 의거하여, 전면에 절연막(62)을 형성한 후, 평탄화 처리를 행함으로써, 제1 전극(51)이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층(33)의 영역의 위에 절연막(62)을 남겨 두면 좋다. 이상의 점을 제외하고, 실시례 2의 발광 소자, 표시 장치는, 실시례 1의 발광 소자, 표시 장치와 같은 구성, 구조로 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
실시례 3
실시례 3도, 실시례 1의 변형이다.
그런데, 어떤 발광 소자에서의 제1 전극과 인접 발광 소자를 구성하는 제2 전극의 사이에, 누설 전류가 흐른다는 현상이 생기는 경우가 있다. 그리고, 이와 같은 현상이 생기면, 본래, 발광하지 않아야 할 발광 소자에 발광이 생기는 한편, 발광하여야 할 발광 소자에서의 전계 강도의 저하를 초래하고, 그 결과, 화상에 번짐(渗み)이 생기거나, 화소 전체의 색도가 소망하는 색도로부터 어긋나 버릴 우려가 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 실시례 3에서는, 유기층(53)의 성막시, 유기층(53)의 일부(구체적으로는, 예를 들면, 정공 주입층)의 적어도 일부분을, 절연막(60)의 단부(端部)에서, 구체적으로는, 절연막(60)에 마련된 개구부(61)의 연부에서, 불연속한 상태로 한다. 이와 같이, 예를 들면, 정공 주입층의 적어도 일부분을 불연속한 상태로 함으로써, 정공 주입층이 고저항화 되고, 어떤 발광 소자에서의 제1 전극과 인접 발광 소자를 구성하는 제2 전극의 사이에 누설 전류가 흐른다는 현상의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.
정공 주입층의 적어도 일부분을 불연속한 상태로 하기 위해서는, 절연막(60)에 마련된 개구부(61)의 연부의 경사 상태의 최적화, 정공 주입층의 성막 조건의 최적화를 도모하면 좋다. 또는 또한, 예를 들면, 실시례 1에서 설명한 표시 장치에서, 절연막(60)의 위에, 개구부(61)에 돌출한 단부(처마형상(庇狀)의 단부)를 갖는 제2 절연막을 형성하고, 제2 절연막의 돌출 단부의 곳에서, 정공 주입층의 적어도 일부분을 불연속한 상태로 하면 좋다.
또는 또한, 실시례 1의 [공정-160]를 실행한 후, 일종의 희생층을 전면에 형성한다. 뒤이어, 실시례 1의 [공정-170]과 마찬가지로 하여, 절연막(60)을 형성하고, 절연막(60)의 일부에 개구부(61)를 형성한다. 개구부(61)의 저부에는 희생층이 노출한다. 제1 전극(51)과 제1 전극(51)의 사이에 위치하는 최상층·층간 절연층(33)의 부분에 형성된 희생층은 절연막(60)에 의해 덮여 있다. 그리고, 개구부(61)의 저부에 노출한 희생층의 부분을 제거한다. 제1 전극(51)과, 제1 전극(51)의 상방에 위치하는 절연막(60)의 부분의 사이에는, 희생층이 제거됨에 의해 간극이 생긴다. 즉, 제1 전극(51)의 상방에 위치하는 절연막(60)의 부분은, 일종의, 차양 상태가 된다. 그러므로, 이 상태에서 정공 주입층을 형성하면, 정공 주입층의 적어도 일부분을 불연속한 상태로 할 수 있다.
이상, 본 개시를 바람직한 실시례에 의거하여 설명하였지만, 본 개시는 이들의 실시례로 한정하는 것이 아니다. 실시례에서 설명한 표시 장치(유기 EL 표시 장치), 발광 소자(유기 EL 소자)의 구성, 구조의 구성은 예시이고, 적절히, 변경할 수 있고, 표시 장치의 제조 방법도 예시이고, 적절히, 변경할 수 있다. 실시례에서는, 오로지, 백색 발광 소자와 컬러 필터의 조합으로부터 3개의 부화소로 하나의 화소를 구성하였지만, 예를 들면, 백색을 출사하는 발광 소자를 가한 4개의 부화소로 하나의 화소를 구성하여도 좋다. 실시례에서는, 발광 소자 구동부를 MOSFET로 구성하였지만, TFT로 구성할 수도 있다.
실시례에서는, 최하층·층간 절연층, 패터닝된 제1 층간 절연층, 및, 패터닝된 제2 층간 절연층을 형성하고, 그 후, 전면에 광반사층을 형성한 후, 광반사층을 패터닝함으로써, 제1 광반사층, 제2 광반사층 및 제3 광반사층을 형성하고, 뒤이어, 제1 오목부, 제2 오목부, 제3 오목부를 형성하였지만, 즉, 본 개시의 표시 장치의 제조 방법에서의 공정(A), (B), (C)를 실행하였지만, 대체적으로, 예를 들면,
[공정-A] 제1 발광 소자를 형성하여야 할 최하층·층간 절연층의 영역상에 제1 광반사층을 형성하고, 뒤이어,
[공정-B] 최하층·층간 절연층의 위에 제1 층간 절연층을 형성한 후, 제1 층간 절연층상에 제2 광반사층을 형성하고, 그 후,
[공정-C] 제1 층간 절연층의 위에 제2 층간 절연층을 형성한 후, 제2 층간 절연층상에 제3 광반사층을 형성하고, 뒤이어,
[공정-D] 제2 층간 절연층, 제1 층간 절연층 및 최하층·층간 절연층의 소망하는 영역을 에칭에 의해 제거하고,
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분(구체적으로는, 예를 들면, 최하층·층간 절연층의 부분 및 제1 층간 절연층의 부분)에, 제1 오목부를 형성하고, 아울러서,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제2 층간 절연층의 부분(구체적으로는, 예를 들면, 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분)에, 제2 오목부를 형성하고, 아울러서,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분(구체적으로는, 예를 들면, 최하층·층간 절연층의 부분, 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분)에, 제3 오목부를 형성한다,
라는 공정을 채용하여도 좋다.
또한, 본 개시는, 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[A01] ≪표시 장치의 제조 방법≫
제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지고,
화소는, 최하층·층간 절연층, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 층간 절연층, 및, 최상층·층간 절연층을 갖고 있고,
각 발광 소자는,
최상층·층간 절연층상에 형성된 제1 전극,
적어도 제1 전극이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층의 영역의 위에 형성된 절연막,
제1 전극상으로부터 절연막상에 걸쳐서 형성되고, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 갖는 유기층, 및,
유기층상에 형성된 제2 전극을
구비하고 있고,
제1 발광 소자는, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 광반사층을 구비하고 있고,
제2 발광 소자는, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 광반사층을 구비하고 있고,
제3 발광 소자는, 제2 층간 절연층상에 형성된 제3 광반사층을 구비하고 있는 표시 장치의 제조 방법으로서,
(A) 최하층·층간 절연층, 패터닝된 제1 층간 절연층, 및, 패터닝된 제2 층간 절연층을 형성하고, 그 후,
(B) 전면에 광반사층을 형성한 후, 광반사층을 패터닝함으로써, 제1 발광 소자를 형성하여야 할 최하층·층간 절연층의 영역상에 제1 광반사층을 형성하고, 제2 발광 소자를 형성하여야 할 제1 층간 절연층의 영역상에 제2 광반사층을 형성하고, 제3 발광 소자를 형성하여야 할 제2 층간 절연층의 영역상에 제3 광반사층을 형성하고, 뒤이어,
(C) 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제1 오목부를 형성하고, 아울러서,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제2 오목부를 형성하고, 아울러서,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 적어도 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제3 오목부를 형성한 후,
(D) 전면에 최상층·층간 절연층을 형성하고, 뒤이어, 최상층·층간 절연층에 평탄화 처리를 시행함으로써, 제1 오목부, 제2 오목부 및 제3 오목부의 상방의 최상층·층간 절연층의 부분에, 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부를 형성하고, 그 후,
(E) 제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에 차광층을 형성하는,
각 공정으로 이루어지는 표시 장치의 제조 방법.
[A02] 공정(C)에서,
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층의 부분 및 제1 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제1 오목부를 형성하고, 아울러서,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제2 오목부를 형성하고, 아울러서,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최하층·층간 절연층의 부분, 제1 층간 절연층의 부분 및 제2 층간 절연층의 부분을 에칭하여 제3 오목부를 형성하는 [A01]에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
[A03] 제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하는 [A01] 또는 [A02]에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
[A04] 제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제1 발광 소자에 가까운 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제2 발광 소자에 가까운 곳에 위치하는 [A01] 내지 [A03]의 어느 한 항에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
[B01] ≪표시 장치≫
제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자로 구성된 화소가, 복수, 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지는 표시 장치로서,
화소는, 최하층·층간 절연층, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 층간 절연층, 및, 최상층·층간 절연층을 갖고 있고,
각 발광 소자는,
최상층·층간 절연층상에 형성된 제1 전극,
적어도 제1 전극이 형성되지 않은 최상층·층간 절연층의 영역의 위에 형성된 절연막,
제1 전극상으로부터 절연막상에 걸쳐서 형성되고, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을 갖는 유기층, 및,
유기층상에 형성된 제2 전극을
구비하고 있고,
제1 발광 소자는, 최하층·층간 절연층상에 형성된 제1 광반사층을 구비하고 있고,
제2 발광 소자는, 제1 층간 절연층상에 형성된 제2 광반사층을 구비하고 있고,
제3 발광 소자는, 제2 층간 절연층상에 형성된 제3 광반사층을 구비하고 있고,
최상층·층간 절연층은, 최하층·층간 절연층, 제1 광반사층, 제2 광반사층 및 제3 광반사층을 덮고 있고,
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제1 홈부가 형성되어 있고,
제2 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제2 홈부가 형성되어 있고,
제1 발광 소자와 제3 발광 소자의 경계 영역에 위치하는 최상층·층간 절연층의 부분에는 제3 홈부가 형성되어 있고,
제1 홈부, 제2 홈부 및 제3 홈부의 내부에는 차광층이 형성되어 있고,
제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제1 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제2 광반사층의 정상면보다도 높은 곳에 위치하는 표시 장치.
[B02] 제1 홈부의 저부의 가장 낮은 부분 및 제3 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제1 발광 소자에 가까운 곳에 위치하고,
제2 홈부의 저부의 가장 낮은 부분은, 제3 발광 소자보다도 제2 발광 소자에 가까운 곳에 위치하는 [B01]에 기재된 표시 장치.
10R : 제1 발광 소자(적색 발광 소자)
10G : 제2 발광 소자(녹색 발광 소자)
10B : 제3 발광 소자(청색 발광 소자)
11 : 제1 기판
12 : 제2 기판
13 : 화상 표시부
14 : 보호막
15 : 수지층(밀봉 수지층)
CF, CFR, CFG, CFB : 컬러 필터
BM : 블랙 매트릭스층
20 : 트랜지스터
21 : 게이트 전극
22 : 게이트 절연층
23 : 채널 형성 영역
24 : 소스/드레인 영역
25 : 소자 분리 영역
30 : 최하층·층간 절연층
31 : 제1 층간 절연층
32 : 제2 층간 절연층
33 : 최상층·층간 절연층
34 : 층간 절연층·적층 구조체
35 : 광반사층
36R : 제1 광반사층
36G : 제2 광반사층
36B : 제3 광반사층
37 : 레지스트층
411, 412, 413 : 오목부
421, 422, 423 : 홈부
431, 432, 433 : 홈부의 저부
44 : 차광층
51 : 제1 전극
52 : 제2 전극
53 : 유기층
60, 62 : 절연막
61 : 개구부

Claims (13)

  1. 기판,
    상기 기판 상에 마련된 복수의 트랜지스터,
    상기 복수의 트랜지스터 위에 배치된 절연층,
    제1 발광 소자, 제2 발광 소자 및 제3 발광 소자를 포함하고, 상기 절연층 상에 2차원 매트릭스형상으로 마련된 복수의 발광 소자,
    상기 제1 발광 소자에 대응하는 제1 영역, 상기 제2 발광 소자에 대응하는 제2 영역 및 상기 제3 발광 소자에 대응하는 제3 영역을 구비하고, 상기 복수의 발광 소자의 발광측에 배치되는 컬러 필터,
    상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자 사이에 배치되는 제1 차광층 및
    상기 제2 발광 소자와 상기 제3 발광 소자 사이에 배치되는 제2 차광층을 구비하고,
    상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자의 각각은 광반사층, 발광층 및 제1 광투과층을 포함하고, 상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자의 각각의 상기 발광층은 상기 복수의 발광 소자 전체에 걸쳐 연장되고,
    상기 제1 발광 소자에서 상기 광반사층은 상기 제1 영역으로부터 제1 거리에 마련되고, 상기 제2 발광 소자에서 상기 광반사층은 상기 제2 영역으로부터 제2 거리에 마련되고, 상기 제3 발광 소자에서 상기 광반사층은 상기 제3 영역으로부터 제3 거리에 마련되고, 상기 제1 거리, 상기 제2 거리 및 상기 제3 거리는 다르고,
    상기 제1 차광층의 최하면과 상기 제1 차광층의 최상면 사이의 거리는 상기 제2 차광층의 최하면과 상기 제2 차광층의 최상면 사이의 거리와 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층의 최하면과 상기 제1 차광층의 최상면 사이의 거리는 상기 제2 차광층의 최하면과 상기 제2 차광층의 최상면 사이의 거리보다도 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자는 상기 제2 발광 소자에 인접하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층의 제1 측면과 상기 제1 차광층의 제2 측면 사이의 거리는 상기 제2 차광층의 제1 측면과 상기 제2 차광층의 제2 측면 사이의 거리와 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층의 제1 측면과 상기 제1 차광층의 제2 측면 사이의 거리는 상기 제2 차광층의 제1 측면과 상기 제2 차광층의 제2 측면 사이의 거리보다도 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층의 저면의 최하부는 상기 제2 차광층의 저면의 최하부와 단면에서 볼 때 높이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자의 각각은 백색을 발광하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광반사층은 알루미늄, 알루미늄 합금, Al/Ti 적층 구조, 크롬, 은, 은 합금 또는 이들의 조합을 포함하는 금속층인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층의 저면의 최하부는 상기 제2 차광층의 저면의 최하부보다도 낮은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자 및 상기 제3 발광 소자의 각각은 제2 광투과층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 광투과층은 캐소드 전극이고, 상기 제2 광투과층은 애노드 전극인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광층은 제1 부분 및 제2 부분을 갖고, 상기 제1 부분은 제1 높이를 갖고, 상기 제2 부분은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
KR1020237014494A 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법 KR102653050B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020247010015A KR20240044541A (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-187573 2015-09-25
JP2015187573A JP2017062941A (ja) 2015-09-25 2015-09-25 表示装置及びその製造方法
PCT/JP2016/073096 WO2017051622A1 (ja) 2015-09-25 2016-08-05 表示装置及びその製造方法
KR1020187007220A KR102528609B1 (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187007220A Division KR102528609B1 (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247010015A Division KR20240044541A (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230062890A KR20230062890A (ko) 2023-05-09
KR102653050B1 true KR102653050B1 (ko) 2024-04-01

Family

ID=58386048

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247010015A KR20240044541A (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법
KR1020237014494A KR102653050B1 (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법
KR1020187007220A KR102528609B1 (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247010015A KR20240044541A (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187007220A KR102528609B1 (ko) 2015-09-25 2016-08-05 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10381424B2 (ko)
JP (1) JP2017062941A (ko)
KR (3) KR20240044541A (ko)
CN (3) CN111276625B (ko)
WO (1) WO2017051622A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
CN108878472B (zh) * 2017-05-12 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN107170772A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管阵列基板的封装结构
JP2019114484A (ja) 2017-12-26 2019-07-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示素子、及び電子機器
WO2019172121A1 (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子ユニット
WO2019215530A1 (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法
CN108447895B (zh) * 2018-05-21 2021-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109244116A (zh) * 2018-09-27 2019-01-18 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR102575029B1 (ko) * 2018-11-14 2023-09-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200091059A (ko) 2019-01-21 2020-07-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210031085A (ko) 2019-09-11 2021-03-19 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20220030361A (ko) * 2020-08-28 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
CN111883576B (zh) * 2020-09-09 2022-09-02 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置及成型方法
CN116018633A (zh) * 2020-09-11 2023-04-25 索尼半导体解决方案公司 显示设备、发光设备和电子装置
KR20220043993A (ko) * 2020-09-28 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112102783B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备
KR20220065135A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2022215938A1 (ko) * 2021-04-05 2022-10-13 삼성전자 주식회사 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치
CN113270469A (zh) * 2021-05-31 2021-08-17 合肥维信诺科技有限公司 显示模组和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007213026A (ja) * 2006-01-10 2007-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2013165014A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、及び電子機器

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6528824B2 (en) * 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4046948B2 (ja) 2001-02-26 2008-02-13 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
US6963169B2 (en) * 2001-11-13 2005-11-08 Kuan-Chang Peng Organic electro-luminescence device
US6737800B1 (en) * 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
WO2005115062A1 (en) * 2004-05-20 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP2006339028A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP2007108248A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Sony Corp 表示装置
JP4978138B2 (ja) * 2006-09-29 2012-07-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4893392B2 (ja) * 2007-03-15 2012-03-07 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2008226746A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP5260019B2 (ja) 2007-10-11 2013-08-14 合同資源産業株式会社 粒状ヨウ化ナトリウムの製造方法
KR101447996B1 (ko) * 2008-01-22 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 제조하는 방법
JP2010056015A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp 表示装置及びその製造方法
CN102668706B (zh) * 2009-11-17 2015-03-25 联合创新技术有限公司 有机el显示器
KR101789058B1 (ko) * 2010-10-20 2017-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광장치 및 그 제조방법
TWI562423B (en) * 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
JP2014142368A (ja) * 2011-05-13 2014-08-07 Sharp Corp 光拡散部材およびその製造方法、表示装置
JP2013058446A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Canon Inc 表示装置
WO2013047621A1 (ja) 2011-09-30 2013-04-04 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI464491B (zh) * 2011-11-08 2014-12-11 Au Optronics Corp 顯示裝置
TWI508279B (zh) * 2012-01-19 2015-11-11 Joled Inc 顯示器及其製造方法，單元，轉印方法，有機電致發光單元及其製造方法，以及電子裝置
JP5988624B2 (ja) * 2012-03-09 2016-09-07 キヤノン株式会社 発光装置及びこれを用いた撮像装置、画像形成装置
KR102021027B1 (ko) * 2013-02-28 2019-09-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP6164402B2 (ja) * 2013-03-27 2017-07-19 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、および有機ｅｌ装置
JP2014220121A (ja) * 2013-05-08 2014-11-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2015002075A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 ソニー株式会社 発光素子、表示装置及び照明装置
JP6230328B2 (ja) * 2013-08-15 2017-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6199667B2 (ja) * 2013-09-11 2017-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 入力機能付き有機エレクトロルミネセンス装置
JP6159946B2 (ja) * 2013-10-09 2017-07-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP2015144087A (ja) 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 有機電界発光装置および電子機器
KR20150141338A (ko) * 2014-06-10 2015-12-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102239842B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016085968A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP5918340B2 (ja) 2014-11-25 2016-05-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラー表示装置及びその製造方法
CN107851407A (zh) * 2015-07-09 2018-03-27 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法
JP2017117594A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007213026A (ja) * 2006-01-10 2007-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2013165014A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20190333975A1 (en) 2019-10-31
US20180269267A1 (en) 2018-09-20
CN111200003A (zh) 2020-05-26
KR20230062890A (ko) 2023-05-09
CN111276625A (zh) 2020-06-12
US10381424B2 (en) 2019-08-13
KR20240044541A (ko) 2024-04-04
CN108029175A (zh) 2018-05-11
US11145701B2 (en) 2021-10-12
KR20180056646A (ko) 2018-05-29
US20200258962A1 (en) 2020-08-13
WO2017051622A1 (ja) 2017-03-30
CN108029175B (zh) 2020-02-21
US10580844B2 (en) 2020-03-03
KR102528609B1 (ko) 2023-05-04
JP2017062941A (ja) 2017-03-30
CN111276625B (zh) 2023-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102653050B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102582169B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법, 및, 표시 장치
US11532680B2 (en) Light emitting element and display device including light emitting element
US11417708B2 (en) Light emitting element and display device
KR20210125480A (ko) 발광 소자 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant