JP7356545B2 - 表示デバイス - Google Patents

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Description

本開示は、表示デバイスに関する。
近年、モニタ装置等の直視型ディスプレイのみならず、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型ディスプレイ（マイクロディスプレイ）にまで、有機エレクトロルミネッセンス現象（有機ＥＬ現象）を利用して画像を表示する有機ＥＬ表示装置が適用されつつある。そして、有機ＥＬ表示装置にあっては、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。光取り出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じる原因となるからである。
従来の直視型有機ＥＬ表示装置にあっては、屡々、マスク蒸着プロセスによって、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子を製造する。即ち、ＲＧＢ塗り分け構造を実現している。しかしながら、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置においてＲＧＢ塗り分け構造を採用することは、マスク位置合わせの精度等に起因して困難である。従って、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３層の発光層を全画素に亙り積層して、各発光素子において白色光を出射させる「白色方式」の構造が採用されており、各発光素子にはカラーフィルタが設けられている。そして、発光素子から出射された白色光をカラーフィルタを通過させることで、赤色光、緑色光あるいは青色光を得ている。
特開２００６－２７８２５７号公報
しかしながら白色方式では、発光素子から出射される白色光をカラーフィルタで色分解するため、カラーフィルタでの光の吸収（ロス）が大きく、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて１／３以下まで発光効率が低下するといった問題がある。これに対して、発光素子に反射膜を設け、発光素子に設けられた透明電極と反射膜との間でマイクロキャビティ（共振器構造）を形成する。そして、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３層の発光層を有する発光素子において、赤色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、赤色光を選択的に出射する赤色発光素子を設け、同様に、緑色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、緑色光を選択的に出射する緑色発光素子を設け、青色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、青色光を選択的に出射する青色発光素子を設ける技術が、例えば、特開２００６－２７８２５７号公報から周知である。しかしながら、この技術にあっては、光取り出し効率は改善されるものの、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて発光効率や色純度が低いという問題がある。
従って、本開示の目的は、高い発光効率、色純度を達成し得る構成、構造の表示デバイスを提供することにある。
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、第２ａ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第３発光層を含む第３有機層が積層されて成り、
第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２有機層、第２ｂ電極、及び、第３有機層が積層されて成り、
第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る。
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子及び第２発光素子は並置されており、第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層及び第２ａ電極から成り、第２発光素子は、第１ｂ電極、第１有機層及び第２ｂ電極から成り、
第３発光素子は、第１有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成り、
第１発光素子の光出射側には第１カラーフィルタが配設されており、
第２発光素子の光出射側には第２カラーフィルタが配設されている。
上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、及び、第２ａ電極が積層されて成り、
第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第２ｂ電極が積層されて成り、
第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る。
上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットは、
複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
各発光素子は、第１電極、複数の有機層の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極から構成されており、
各発光素子を構成する第１電極は、発光素子の間で重なり合っていない。
図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの概念図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の概念図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、実施例２の発光素子ユニット及びその変形例（１）の概念図である。 図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）、変形例（３）及び変形例（４）の概念図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、実施例３の発光素子ユニット及びその変形例（１）の概念図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）及び変形例（３）の概念図である。 図７は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（４）の概念図である。 図８は、実施例１の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図９は、実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ及び図１０Ｄは、実施例１の発光素子ユニットにおける第１電極及びコンタクトホール部の配置状態を説明するための図である。 図１１は、実施例２の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図１２は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１３は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（３）の模式的な一部断面図である。 図１５は、実施例３の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図１６は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１７は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）の模式的な一部断面図である。 図１８は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（３）の模式的な一部断面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９Ｂに引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２１は、図２０Ｂに引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２２は、図２１に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２３は、図２２に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２４は、図２３に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２５は、図２４に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２６は、図２５に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２７Ａ及び図２７Ｂは、本開示における表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示し、デジタルスチルカメラの正面図を図２７Ａに、背面図を図２７Ｂに示す。 図２８は、本開示における表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用した例を示すヘッドマウントディスプレイの外観図である。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニット、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
３．実施例２（本開示の第２の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
４．実施例３（本開示の第３の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
５．その他
〈本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニット、全般に関する説明〉
本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている形態とすることができる。
上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができる。
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、例えば、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する形態とすることができる。尚、透明導電層を上層とし（即ち、第２基板側に位置し）、半透過導電層を下層としてもよいし（即ち、第１基板側に位置させてもよいし）、透明導電層を下層とし、半透過導電層を上層としてもよい。そして、この場合、例えば、透明導電層はインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成り、半透過導電層はマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から成る形態とすることができる。更には、半透過導電層を積層構造としてもよく、この場合、上層（第２基板側に位置する層）をマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から構成し、下層（第１基板側に位置する層）をカルシウム（Ｃａ）から構成することもできる。本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおける第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極、並びに、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットにおける第２電極においても、同様とすることができる。また、本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第２ａ電極及び第２ｂ電極は、上述したと同様に、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有していてもよく、場合によっては、更に、半透過導電層を積層構造としてもよく、また、第２ｃ電極は、半透過導電層、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）から成る半透過導電層としてもよい。即ち、本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、発光素子を構成する第２電極の材料を発光素子に依って変えてもよいし、第２ａ電極及び第２ｂ電極の有する構造と第２ｃ電極の有する構造とを異ならせてもよい。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにあっては、
第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる形態とすることができる。即ち、各発光素子は共振器構造を有することが好ましい。
本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第３発光素子、あるいは又、本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおいても同様とすることができるし、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットにあっては、第１電極と有機層との界面又は光反射層によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる形態とすることができる。
そして、この場合、具体的には、
第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている形態とすることができる。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝ （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝ （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A （Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A （Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝ （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝ （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B （Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B （Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝ （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝ （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C （Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C （Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
更には、この場合、ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１であることが好ましい。
一般に、透明な材料から成る層αと層βとによって構成される反射界面では、入射した光の一部が通過し、残りは反射される。従って、反射光に位相変化（位相シフト）が生じる。層αと層βによって構成される反射界面で反射される際の光の位相変化φABは、層αの複素屈折率（ｎA，ｋA）と層βの複素屈折率（ｎB，ｋB）とを測定し、これらの値に基づき計算を行うことで求めることができる（例えば、Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 等を参照）。発光層や有機層の屈折率は、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定可能である。
発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、有機層及び層間絶縁層）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層及び層間絶縁層）の厚さで除したものである。
本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極及び第２ｂ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができるし、更には、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができる。
本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第１発光素子及び第２発光素子にあっては、第２ａ電極及び第２ｂ電極の上（あるいは上方）に第３有機層が形成されていてもよい。
本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおける第１発光素子にあっては、第２ａ電極の上（あるいは上方）に第２有機層が形成されていてもよい。
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニットを、総称して、『本開示の発光素子ユニット等』と呼ぶ場合があるし、本開示の発光素子ユニット等を構成する発光素子を、便宜上、『本開示の発光素子等』と呼ぶ場合がある。
本開示の発光素子ユニット等において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。
赤色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。赤色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層及びホール輸送層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色光が発生する。赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、赤色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して赤色光を発生させるものであり、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。
緑色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。緑色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層、ホール輸送層及び発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色光が発生する。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、緑色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して緑色光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％混合したものから成る。
青色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。青色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層、ホール輸送層及び発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色光が発生する。青色発光層は、例えば、青色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、青色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して青色光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。
ホール注入層は、ホール輸送層にホール（正孔）を注入するものであり、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）誘導体から成る。ホール輸送層は、ホール注入層から注入されたホールを発光層へ輸送するものであり、例えば、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）や、α－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。
電子輸送層は、電子を発光層へ輸送するものであり、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、バトフェナントロリン（BPhen）から成る。電子輸送層は、少なくとも１層以上から成り、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層を含んでもよい。アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層において、ホスト材料として、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３、バトフェナントロリン（BPhen）等を挙げることができるし、ドーパント材料として、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属若しくはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属を挙げることができる。そして、ホスト材料とドーパント材料とを共蒸着することで、例えば０．５質量％乃至１５質量％ドーパント材料がドープされた電子輸送層を得ることができる。
電子輸送層と第２電極との間に電子注入層を設けてもよい。電子注入層は、カソード電極からの電子注入を高めるためのものであり、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等から構成される。
但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。ホール注入層の厚さとして１ｎｍ乃至２０ｎｍ、ホール輸送層の厚さとして１０ｎｍ乃至２００ｎｍ、発光層の厚さとして５ｎｍ乃至５０ｎｍ、電子輸送層の厚さとして１０ｎｍ乃至２００ｎｍを挙げることができる。
本開示の第１の態様あるいは第３の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第１発光素子を赤色発光素子（赤色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、第２発光素子を緑色発光素子（緑色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、第３発光素子を青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第１発光素子及び第２発光素子を黄色発光素子（黄色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、あるいは又、橙色発光素子（橙色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。そして、この場合、第１カラーフィルタは赤色を選択的に通過させるフィルタとすればよいし、第２カラーフィルタは緑色を選択的に通過させるフィルタとすればよい。また、第３発光素子は青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成すればよい。
本開示の発光素子等において、第１電極を構成する材料（光反射材料）として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
一方、第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、発光層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝２：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。そして、これらの材料から構成された層の積層構造（下層：カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）／上層：マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金）とすることもできる。第２電極の厚さとして、３ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、上述した材料層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。また、透明電極のみで構成することも可能である。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
また、第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。
第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第１電極や第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。第２電極はパターニングしなくともよい。
光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。
有機層は、例えば、有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、前述したとおり、有機層は、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。発光層や有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。発光層や有機層を、所望に応じて、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
本開示の発光素子ユニット等にあっては、複数の発光素子は第１基板上に形成されている。ここで、第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、無アルカリガラス、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第２基板を介して光が出射される上面発光型にあっては、第２基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求されるし、第１基板を介して光が出射される下面発光型にあっては、第１基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求される。
本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、カラーフィルタは、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。第１基板側に備えられたカラーフィルタは、ＯＣＣＦ（オン・チップ・カラーフィルタ）とも呼ばれる。カラーフィルタは周知の材料から構成すればよく、具体的には、カラーフィルタは、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする色の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。遮光層が、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。遮光層を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。ブラックマトリクス層が、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。ブラックマトリクス層は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。
上面発光型において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられており、あるいは又、層間絶縁層の上方に設けられている。第１発光素子と第２発光素子との間、第２発光素子と第３発光素子との間にも、層間絶縁層が設けられている。第１基板上に形成された発光素子駆動部は絶縁層によって覆われており、絶縁層の上に層間絶縁層が形成されている。
発光素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。ゲート電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、ポリシリコン等から形成することができる。ゲート絶縁膜は、ゲート電極を覆うように第１基板の全面に設けられる。ゲート絶縁膜は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等から形成することができる。半導体層は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体等から成り、ゲート絶縁膜上に形成すればよい。半導体層の一部の領域によってソース／ドレイン領域が構成される。ドレイン領域とソース領域との間であってゲート電極の上方の半導体層の領域は、チャネル形成領域に相当する。これにより、第１基板上には、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが設けられる。但し、発光素子駆動部は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタに限定されず、トップゲート型の薄膜トランジスタとすることもできる。
層間絶縁層あるいは絶縁層、絶縁膜の構成材料として、ＳｉＯ2、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ2）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化バナジウム（ＶＯx）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε0）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、層間絶縁層や絶縁層、絶縁膜は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。発光素子からの光が層間絶縁層を通過するような構成、構造の下面発光型にあっては、層間絶縁層は、発光素子からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、発光素子駆動部は発光素子からの光を遮らないように形成する必要がある。下面発光型にあっては、第１電極の上方に発光素子駆動部を設けることも可能である。
有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α－ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α－Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α－Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α－Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α－ＳｉＯＮ）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2を挙げることができる。保護膜の厚さとして、１μｍ乃至８μｍを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。
第１基板と第２基板とは、接着層（封止層）によって接着（封止）することができる。接着層（封止層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。尚、下面発光型の有機ＥＬ表示装置にあっても、第２電極の上方に第２基板を配し、第１電極と第２基板の間には、第１電極側から、上述した保護膜及び接着層が形成されている形態とすることができる。
本開示の発光素子ユニット等から表示装置を構成する場合、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を挙げることができ、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、例えば、赤色光を発光する赤色発光副画素、緑色光を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。表示装置の光を出射する最外面（具体的には、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。また、本開示の発光素子ユニット等から照明装置を構成することもでき、照明装置として、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を挙げることができる。頭部装着型ディスプレイは、例えば、
（イ）観察者の頭部に装着されるフレーム、及び、
（ロ）フレームに取り付けられた画像表示装置、
を備えており、
画像表示装置は、
（Ａ）本開示における表示装置、及び、
（Ｂ）本開示における表示装置から出射された光が入射され、出射される光学装置、
を備えており、
光学装置は、
（Ｂ－１）本開示における表示装置から入射された光が内部を全反射により伝播した後、観察者に向けて出射される導光板、
（Ｂ－２）導光板に入射された光が導光板の内部で全反射されるように、導光板に入射された光を偏向させる第１偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、及び、
（Ｂ－３）導光板の内部を全反射により伝播した光を導光板から出射させるために、導光板の内部を全反射により伝播した光を複数回に亙り偏向させる第２偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、
から成る。
実施例１は、本開示の第１の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例１の発光素子ユニットの概念図を図１Ｂに示し、実施例１の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図８に示し、実施例１の発光素子ユニットにおける第１電極等の模式的な平面図を図１０Ａに示す。
実施例１の発光素子ユニットは、本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ａ、第２ａ電極２２ａ、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されて成り、
第２発光素子１０ｂは、第１有機層２３ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第２有機層２３ｂ、第２ｂ電極２２ｂ、及び、第３有機層２３ｃが積層されて成り、
第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ａ、第２有機層２３ｂ、第１ｃ電極２１ｃ、第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成る。
また、実施例１の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
複数の発光層を含む有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板への正射影像）は互いに重なり合っていない。
尚、実施例１あるいは後述する実施例３の発光素子ユニットにおいて、具体的には、第１発光素子１０ａは赤色発光素子（赤色有機ＥＬ発光素子）から構成され、第２発光素子１０ｂは緑色発光素子（緑色有機ＥＬ発光素子）から構成され、第３発光素子１０ｃは青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成されている。
そして、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３における有機ＥＬ表示装置は、このような発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る。第１基板４１の上方に、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）及び第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）が、この順に積層されている。発光層からの光は、第２基板４２を経由して外部に出射される。即ち、実施例１の表示装置は、上面発光型の表示装置である。
実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３における有機ＥＬ表示装置は、例えば、電子ビューファインダ（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用される、高精細表示装置である。あるいは又、例えば、テレビジョン受像機といった大型の有機ＥＬ表示装置である。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子１０は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）１０は画素数の３倍である。発光素子ユニットの数は画素数と等しい。
実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３においては、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）をアノード電極として用い、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）をカソード電極として用いる。第１電極２１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ－Ｎｄ合金から成る。第２電極２２は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有し、具体的には、透明導電層はＩＺＯから成り、半透過導電層はマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から成る。半透過導電層を積層構造としてもよく、この場合、上層（第２基板側に位置する層）をマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から構成し、下層（第１基板側に位置する層）をカルシウム（Ｃａ）から構成することができる。尚、第２電極２２を図面では１層で表す。第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングはされていないが（図１Ｂの概念図を参照）、場合によっては、概念図を図１Ａに示すように、一部がパターニングされていてもよい。
実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３において、第１発光素子１０ａを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部はＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ａ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層（半導体層）５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ａ及びソース／ドレイン領域５５ａから成る。ソース／ドレイン領域５５ａの間であって、ゲート電極５１ａの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ａに相当する。第２発光素子１０ｂを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部もＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ｂ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ｂ及びソース／ドレイン領域５５ｂから成る。ソース／ドレイン領域５５ｂの間であって、ゲート電極５１ｂの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ｂに相当する。第３発光素子１０ｃを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部もＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ｃ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ｃ及びソース／ドレイン領域５５ｃから成る。ソース／ドレイン領域５５ｃの間であって、ゲート電極５１ｃの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ｃに相当する。
尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極は、走査回路（図示せず）に接続されている。図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。有機ＥＬ素子駆動部は絶縁層４３によって覆われている。
第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第１ａ電極２１ａを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ａが形成されている。更には、第１有機層２３ａの上に、第２ａ電極２２ａが形成されている。第１有機層２３ａ及び第２ａ電極２２ａは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ａ電極２２ａの上方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、第２ａ電極２２ａの上には、層間絶縁層３３が形成されている。
第２発光素子１０ｂを構成する第１ｂ電極２１ｂは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３に形成されたコンタクトホール部５６ｂ，５７ｂを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｂ電極２１ｂ上から層間絶縁層３５上に亙り、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが形成されている。更には、第２有機層２３ｂの上に、第２ｂ電極２２ｂが形成されている。第２有機層２３ｂ及び第２ｂ電極２２ｂは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ｂ電極２２ｂの上方には、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、第１ｂ電極２１ｂの下方には、第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。第２ｂ電極２２ｂの上には、層間絶縁層３６が形成されている。
第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３６の上に設けられた層間絶縁層３７の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４，３５，３６に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃ，５８ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとが短絡しないように絶縁膜５９Ｂがコンタクトホール部５８ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３８が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３８上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。第１ｃ電極２１ｃの下方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ及び第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。
実施例１の発光素子ユニットにおいて、限定するものではないが、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
そして、実施例１あるいは実施例３の発光素子ユニットにあっては、
第１発光素子１０ａにおいて、第１ａ電極２１ａと第１有機層２３ａとの界面又は第１光反射層２５ａによって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極２２ａと第１有機層２３ａとの界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極２２ａから出射させ、
第２発光素子１０ｂにおいて、第１ｂ電極２１ｂと第２有機層２３ｂとの界面又は第２光反射層２５ｂによって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極２２ｂと第２有機層２３ｂとの界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極２２ｂから出射させ、
第３発光素子１０ｃにおいて、第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面又は第３光反射層２５ｃによって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極２２ｃと第３有機層２３ｃとの界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極２２ｃから出射させる。尚、後述する実施例２にあっては、第３発光素子１０ｃにおいて、第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面又は第３光反射層２５ｃによって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極２２ｃと第３有機層２３ｃとの界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極２２ｃから出射させる。即ち、各発光素子は共振器構造を有する。図１Ａ、図１Ｂ、後述する図２Ｂ、図３Ａ、図４Ｃ、図５Ａ、図７において、共振器構造を白抜きの矢印で示す。
具体的には、
第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝ （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝ （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A （Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A （Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝ （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝ （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B （Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B （Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝ （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝ （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C （Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C （Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
そして、この場合、限定するものではないが、ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である。
尚、図１Ａ、図１Ｂ、図５Ａ（実施例３）に示す例では、第１ａ界面を第１ａ電極２１ａと第１有機層２３ａとの界面から構成し、第２ａ界面を第１ｂ電極２１ｂと第２有機層２３ｂとの界面から構成し、第３ａ界面を第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面から構成したが、代替的に、図２Ｂ［実施例１の変形例（２）］、図７［実施例３の変形例（４）］に示すように、第１ａ電極２１ａの下方の層間絶縁層３１に第１光反射層２５ａを形成し、第１ｂ電極２１ｂの下方の層間絶縁層３４に第２光反射層２５ｂを形成し、第１ｃ電極２１ｃの下方の層間絶縁層３７に第３光反射層２５ｃを形成し、第１ａ界面を第１光反射層２５ａから構成し、第２ａ界面を第２光反射層２５ｂから構成し、第３ａ界面を第３光反射層２５ｃから構成してもよい。また、図４Ｃ（実施例２の変形例（４））に示すように、第１ｃ電極２１ｃの下方の層間絶縁層３７に第３光反射層２５ｃを形成し、第１ａ界面を第１光反射層２５ａから構成し、第２ａ界面を第２光反射層２５ｂから構成し、第３ａ界面を第３光反射層２５ｃから構成してもよい。第１光反射層２５ａ、２光反射層２５ｂ、第３光反射層２５ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層から構成することができるし、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃは、透明導電材料から構成すればよい。
実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３において、第１基板４１はシリコン基板、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されており、第２基板４２は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。第２ｃ電極２２ｃの上には、ＳｉＮから成る保護膜４４が形成されており、第１基板４１と第２基板４２とは、図示しない接着層（封止層）によって接着されている（貼り合わされている）。第１発光素子１０ａと第２発光素子１０ｂとの間に対応する第２基板４２の領域、第１発光素子１０ａと第３発光素子１０ｃとの間に対応する第２基板４２の領域、第２発光素子１０ｂと第３発光素子１０ｃとの間に対応する第２基板４２の領域に、ブラックマトリクス層ＢＭを形成してもよい。
以下、第１基板等の模式的な一部端面図である、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１、図２２、図２３、図２４、図２５及び図２６を参照して、実施例１の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。
［工程－１００］
先ず、第１基板４１を準備し、第１基板４１上に、周知の方法で、第１発光素子１０ａ、第２発光素子１０ｂ及び第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴを含む有機ＥＬ素子駆動部を設け、次いで、全面に絶縁層４３を周知の方法で形成する。
［工程－１１０］
その後、第１発光素子１０ａを形成する。
［工程－１１０Ａ］
具体的には、レーザエッチング法によって、絶縁層４３に孔部を形成し、孔部の底部に一方のソース／ドレイン領域５５ａ，５５ｂ，５５ｃを露出させる。そして、孔部内を含む絶縁層４３の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５６ａ，５６ｂ，５６ｃを形成する。次いで、全面に層間絶縁層３１を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５６ａの上方の層間絶縁層３１に、コンタクトホール部５６ａが露出した凹部を形成する（図１９Ａ参照）。
［工程－１１０ｃ］
次いで、凹部を含む層間絶縁層３１の上に、第１ａ電極２１ａを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ａ電極２１ａを形成する。第１ａ電極２１ａと一方のソース／ドレイン領域５５ａは、コンタクトホール部５６ａによって電気的に接続されている。
［工程－１１０Ｃ］
次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３２をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３２に開口部を形成する。開口部の底部に第１ａ電極２１ａが露出している。
［工程－１１０Ｄ］
その後、第１ａ電極２１ａから層間絶縁層３２の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第１有機層２３ａを得ることができる。
［工程－１１０Ｅ］
次いで、全面に、第２ａ電極２２ａを、例えば、蒸着法によって形成する（図１９Ｂ参照）。そして、次に述べるコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜５９Ａを形成した後（図２０Ａ参照）、ＳｉＮから成る層間絶縁層３３を例えばＣＶＤ法によって全面に形成する。
［工程－１１０］
次に、第２発光素子１０ｂを形成する。
［工程－１２０Ａ］
具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層３３、絶縁膜５９Ａ、層間絶縁層３２，３１に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部５６ｂ，５６ｃを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層３３の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃを形成する（図２０Ｂ参照）。
［工程－１２０Ｂ］
次いで、全面に層間絶縁層３４を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５７ｂの上方の層間絶縁層３４に、コンタクトホール部５７ｂが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層３４の上に、第１ｂ電極２１ｂを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ｂ電極２１ｂを形成する（図２１参照）。第１ｂ電極２１ｂと一方のソース／ドレイン領域５５ｂは、コンタクトホール部５７ｂ，５６ｂによって電気的に接続されている。
［工程－１２０Ｃ］
次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３５をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３５に開口部を形成する。開口部の底部に第１ｂ電極２１ｂが露出している。
［工程－１２０Ｄ］
その後、第１ｂ電極２１ｂから層間絶縁層３５の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第２有機層２３ｂを得ることができる。
［工程－１２０Ｅ］
次いで、全面に、第２ｂ電極２２ｂを、例えば、蒸着法によって形成する（図２２参照）。そして、次に述べるコンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜５９Ｂを形成する（図２３参照）。次に、ＳｉＮから成る層間絶縁層３６を例えばＣＶＤ法によって全面に形成する（図２４参照）。
［工程－１３０］
次に、第３発光素子１０ｃを形成する。
［工程－１３０Ａ］
具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層３６、絶縁膜５９Ｂ、層間絶縁層３５，３４に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部５７ｃを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層３６の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５８ｃを形成する。
［工程－１３０Ｂ］
次いで、全面に層間絶縁層３７を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５８ｃの上方の層間絶縁層３７に、コンタクトホール部５８ｃが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層３７の上に、第１ｃ電極２１ｃを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ｃ電極２１ｃを形成する（図２５参照）。第１ｃ電極２１ｃと一方のソース／ドレイン領域５５ｃは、コンタクトホール部５８ｃ，５７ｃ，５６ｃによって電気的に接続されている。
［工程－１３０Ｃ］
次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３８をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３８に開口部を形成する。開口部の底部に第１ｃ電極２１ｃが露出している。
［工程－１３０Ｄ］
その後、第１ｃ電極２１ｃから層間絶縁層３７の上に亙り、をホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第３有機層２３ｃを得ることができる。
［工程－１３０Ｅ］
次いで、全面に、第２ｃ電極２２ｃを、例えば、蒸着法によって形成する（図２６参照）。
［工程－１４０］
その後、全面にＳｉＮから成る保護膜４４を形成し、次いで、第１基板４１と第２基板４２とを、図示しない接着層（封止層）によって接着する（貼り合わせる）。以上により、有機ＥＬ表示装置を完成することができる。
以上に説明した実施例１の発光素子ユニットにおいて、各発光素子は、第１有機層、第２有機層及び第３有機層が積層されて成るので、即ち、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせが不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子は、第１ａ電極、第１有機層及び第２ａ電極から成る第１発光部を有し、第２発光素子は、第１ｂ電極、第２有機層及び第２ｂ電極から成る第２発光部を有し、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、あるいは又、各発光素子は、各発光素子を構成する第１電極が発光素子の間で重なり合っていない第１電極、有機層及び第２電極の発光部を有するので、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。
実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図２Ａに示し、模式的な一部断面図を図９に示すように、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとを結ぶ第２電極２２の部分、及び、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
上述した実施例１にあっては、図１０Ａに示すように、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃに隣接して、コンタクトホール部５６ａ，５７ｂ，５８ｃを形成した。但し、コンタクトホール部の形成はこれに限定するものではなく、例えば、図１０Ｂに示すように、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃの下にコンタクトホール部５６ａ，５７ｂ，５８ｃを形成してもよい。また、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ、第２ｃ電極２２ｃを、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続する代わりに、図１０Ｃに示すように、コンタクトホール部６６，６７，６８を介して有機ＥＬ素子駆動部に個別に接続してもよいし、図１０Ｄに示すように、コンタクトホール部６９を介して、発光素子ユニット毎に、有機ＥＬ素子駆動部に接続してもよい。以下に説明する実施例２～実施例３においても同様とすることができる。
実施例２は、本開示の第２の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例２の発光素子ユニットの概念図を図３Ａに示し、実施例２の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図１１に示す。
実施例２の発光素子ユニットは、３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
第１発光素子１０ａ及び第２発光素子１０ｂは並置されており、第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ｄ及び第２ａ電極２２ａから成り、第２発光素子１０ｂは、第１ｂ電極２１ｂ、第１有機層２３ｄ及び第２ｂ電極２２ｂから成り、
第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ｄ、第１ｃ電極２１ｃ、第３発光層を含む第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成り、
第１発光素子１０ａの光出射側には第１カラーフィルタ２４ａが配設されており、
第２発光素子１０ｂの光出射側には第２カラーフィルタ２４ｂが配設されている。
ここで、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとは共通であり、以下、『共通第２電極２２ｄ』と表現する場合がある。
また、実施例２の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
複数の発光層を含む有機層２３（２３ｄ，２３ｄ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ｄ，２３ｄ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板４１への正射影像）は互いに重なり合っていない。
実施例２の発光素子ユニットにおいて、第１発光素子１０ａ及び第２発光素子１０ｂを黄色発光素子（黄色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、あるいは又、橙色発光素子（橙色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。即ち、有機層２３ｄは黄色光あるいは橙色光を出射する。そして、この場合、第１カラーフィルタ２４ａは赤色を選択的に通過させるフィルタとすればよいし、第２カラーフィルタ２４ｂは緑色を選択的に通過させるフィルタとすればよい。また、第３発光素子１０ｃは青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成すればよいし、有機層２３ｃは青色光を出射する。カラーフィルタとカラーフィルタとの間に、ブラックマトリクス層ＢＭを備えていてもよい。
第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第２発光素子１０ｂを構成する第１ａ電極２１ａも、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ｂを介して接続されている。第１ａ電極２１ａ及び第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ及び第１ｂ電極２１ｂの上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ｄが形成されている。更には、第１有機層２３ｄの上に、共通第２電極２２ｄが形成されている。第１有機層２３ｄ及び共通第２電極２２ｄは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域以外の領域に位置する共通第２電極２２ｄの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、共通第２電極２２ｄの上には、層間絶縁層３３が形成されている。
第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｃと共通第２電極２２ｄとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３５上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされている。
実施例２の発光素子ユニットにおいても、限定するものではないが、共通第２電極２２ｄ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
実施例２の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置は、実施例１において説明した発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法と、実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
以上に説明した実施例２の発光素子ユニットにおいて、第１発光素子及び第２発光素子は第１有機層から成り、第３発光素子は第１有機層及び第３有機層が積層されて成るので、即ち、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせが不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子と第２発光素子とは第１有機層を共有しているので、第１発光素子及び第２発光素子の構造の簡素化を図ることができ、製造が容易である。また、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、第３発光部においてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。尚、カラーフィルタは２種類でよいので、発光効率の低下をより少なくすることができる。
尚、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図３Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１２に示すように、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域に位置する共通第２電極２２ｄの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されていてもよい。
また、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）の概念図を図４Ａに示し、模式的な一部断面図を図１３に示すように、第２ａ電極２２ａ及び第２ｂ電極２２ｂには、同じ電位が与えられる形態とすることができるし、更には、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃには、同じ電位が与えられる形態とすることができる。具体的には、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
更には、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の変形例である変形例（３）の概念図を図４Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１４に示すように、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域に位置する第２ａ電極２２ａ及び第２ｂ電極２２ｂの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されていてもよい。
実施例３は、本開示の第３の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例３の発光素子ユニットの概念図を図５Ａに示し、実施例３の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図１５に示す。
実施例３の発光素子ユニットは、３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ａ、及び、第２ａ電極２２ａが積層されて成り、
第２発光素子１０ｂは、第１有機層２３ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第２ｂ電極２２ｂが積層されて成り、
第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ａ、第２有機層２３ｂ、第１ｃ電極２１ｃ、第３発光層を含む第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成る。
また、実施例３の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
複数の発光層を含む有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板４１への正射影像）は互いに重なり合っていない。
第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第１ａ電極２１ａを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ａが形成されている。更には、第１有機層２３ａの上に、第２ａ電極２２ａが形成されている。第１有機層２３ａ及び第２ａ電極２２ａは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ａ電極２２ａの上方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが設けられていない。また、第２ａ電極２２ａの一部の上には、層間絶縁層３３が形成されている。
第２発光素子１０ｂを構成する第１ｂ電極２１ｂは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３に形成されたコンタクトホール部５６ｂ，５７ｂを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｂ電極２１ｂ上から層間絶縁層３５上に亙り、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが形成されている。更には、第２有機層２３ｂの上に、第２ｂ電極２２ｂが形成されている。第２有機層２３ｂ及び第２ｂ電極２２ｂは、パターニングされている。第２ｂ電極２２ｂの上方には、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが設けられていない。また、第１ｂ電極２１ｂの下方には、第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。第２ｂ電極２２ｂの一部の上には、層間絶縁層３６が形成されている。
第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３６の上に設けられた層間絶縁層３７の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４，３５，３６に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃ，５８ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとが短絡しないように絶縁膜５９Ｂがコンタクトホール部５８ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３８が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３８上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされている。第１ｃ電極２１ｃの下方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ及び第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。
実施例３の発光素子ユニットにおいても、限定するものではないが、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
実施例３の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置は、実施例１において説明した発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法と、実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
以上に説明した実施例３の発光素子ユニットにおいても、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせは不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子は、第１ａ電極、第１有機層及び第２ａ電極から成る第１発光部を有し、第２発光素子は、第１ｂ電極、第２有機層及び第２ｂ電極から成る第２発光部を有し、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。
尚、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図５Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１６に示すように、第２ａ電極２２ａの上（あるいは上方）に第２有機層２３ｂが形成されていてもよい。即ち、第１発光素子１０ａの領域の領域に位置する第２ａ電極２２ａの上方に、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが積層されていてもよい。
また、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）の概念図を図６Ａに示し、模式的な一部断面図を図１７に示すように、また、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の変形例（３）の概念図を図６Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１８に示すように、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとを結ぶ第２電極２２の部分、及び、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した発光素子ユニット、発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。実施例１、実施例３においては、（第１発光素子，第２発光素子，第３発光素子）を、（赤色発光素子，緑色発光素子，青色発光素子）から構成したが、代替的に、（赤色発光素子，青色発光素子，緑色発光素子）、（緑色発光素子，赤色発光素子，青色発光素子）、（緑色発光素子，青色発光素子，赤色発光素子）、（青色発光素子，赤色発光素子，緑色発光素子）、（青色発光素子，緑色発光素子，赤色発光素子）の組合せとすることもできる。第１有機層、第２有機層及び第３有機層を、所望に応じて、例えば、帯状にパターニングしてもよい。
或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光層を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光層を形成してもよい。このように遮光層を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。あるいは又、ブラックマトリクス層ＢＭに遮光性を付与してもよい。
本開示における表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図２７Ａに示し、背面図を図２７Ｂに示す。このレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示における表示装置を用いることができる。
あるいは又、本開示における表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用することができる。図２８に外観図を示すように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイから構成されている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示における表示装置を用いることができる。
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子ユニット：第１の態様》
３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、第２ａ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第３発光層を含む第３有機層が積層されて成り、
第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２有機層、第２ｂ電極、及び、第３有機層が積層されて成り、
第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
［Ａ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ａ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０４］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ａ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ａ０４］又は［Ａ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０７］第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０８］第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ａ０７］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝ （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝ （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A （Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A （Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝ （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝ （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B （Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B （Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝ （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝ （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C （Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C （Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ａ０９］ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ａ０８］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０１］《発光素子ユニット：第２の態様》
３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子及び第２発光素子は並置されており、第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層及び第２ａ電極から成り、第２発光素子は、第１ｂ電極、第１有機層及び第２ｂ電極から成り、
第３発光素子は、第１有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成り、
第１発光素子の光出射側には第１カラーフィルタが配設されており、
第２発光素子の光出射側には第２カラーフィルタが配設されている発光素子ユニット。
［Ｂ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ｂ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０４］第２ａ電極及び第２ｂ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ｂ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｂ０４］又は［Ｂ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０７］第２ｃ電極は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０８］第２ａ電極及び第２ｂ電極の有する構造と、第２ｃ電極の有する構造とは異なっている［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０９］第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ１０］第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ｂ０９］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝ （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝ （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C （Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C （Ｃ－４）
ここで、
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ｂ１１］ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ｂ１０］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０１］《発光素子ユニット：第３の態様》
３つの発光素子から構成されており、
第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、及び、第２ａ電極が積層されて成り、
第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第２ｂ電極が積層されて成り、
第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
［Ｃ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ｃ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０４］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ｃ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｃ０４］又は［Ｃ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０７］第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０８］第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ｃ０７］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝ （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝ （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A （Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A （Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝ （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝ （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B （Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B （Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝ （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝ （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C （Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C （Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ｃ０９］ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ｃ０８］に記載の発光素子ユニット。
［Ｄ０１］《発光素子ユニット：第４の態様》
複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
各発光素子は、第１電極、複数の有機層の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極から構成されており、
各発光素子を構成する第１電極は、発光素子の間で重なり合っていない発光素子ユニット。
［Ｅ０１］《有機エレクトロルミネッセンス表示装置》
［Ａ０１］乃至［Ｄ０１］のいずれか１項に記載の発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［Ｅ０２］《表示装置》
［Ａ０１］乃至［Ｄ０１］のいずれか１項に記載の発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置。
１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）・・・発光素子、１０ａ・・・第１発光素子、１０ｂ・・・第２発光素子、１０ｃ・・・第３発光素子、２１ａ・・・第１ａ電極、２１ｂ・・・第１ｂ電極、２１ｃ・・・第１ｃ電極、２２ａ・・・第２ａ電極、２２ｂ・・・第２ｂ電極、２２ｃ・・・第２ｃ電極、２２ｄ・・・共通第２電極（第２ａ電極及び第２ｂ電極）、２３ａ・・・第１発光層を含む第１有機層、２３ｂ・・・第２発光層を含む第２有機層、２３ｃ・・・第３発光層を含む第３有機層、２３ｄ・・・第１有機層及び第２有機層、２４ａ，２４ｂ・・・カラーフィルタ、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ・・・光反射層、ＢＭ・・・ブラックマトリクス層、３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８・・・層間絶縁層、４１・・・第１基板、４２・・・第２基板、４３・・・絶縁層、４４・・・保護膜、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ・・・ゲート電極、５２・・・ゲート絶縁膜、５３・・・シリコン層（半導体層）、５４ａ，５４ｂ，５４ｃ・・・チャネル形成領域、５５ａ，５５ｂ，５５ｃ・・・ソース／ドレイン領域、５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５７ｂ，５７ｃ，５８ｃ、６６，６７，６８，６９・・・コンタクトホール部、５９Ａ，５９Ｂ・・・絶縁膜

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた少なくとも第１発光素子駆動部、第２発光素子駆動部及び第３発光素子駆動部を含む複数の発光素子駆動部と、
    前記複数の発光素子駆動部上に設けられた少なくとも第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子を含む複数の発光素子と、
    を備え、
    前記第１発光素子と前記第２発光素子とは隣接し、前記第２発光素子と前記第３発光素子とは隣接し、
    前記第１発光素子は、第１アノード電極、第１発光層を含む第１有機層の一部の領域を含む第１発光部、及び、第１カソード電極を有し、
    前記第２発光素子は、第２アノード電極、前記第１有機層の他の一部の領域を含む第２発光部、及び、第２カソード電極を有し、
    前記第３発光素子は、光反射層、第３アノード電極、第２発光層を含む第２有機層の一部の領域を含む第３発光部、及び、第３カソード電極を有し、前記光反射層と前記第３カソード電極との間で、前記第３発光部で発光した光を共振させて、その一部を前記第３カソード電極から出射させ、
    前記第３発光素子は、前記第１有機層のさらなる他の一部の領域をさらに有し、
    前記光反射層及び前記第３アノード電極の間に配置された絶縁膜をさらに備え、
    前記基板の上面から前記第１発光素子に対応する前記第１発光層の最大発光位置までの距離を第１の距離とし、前記基板の上面から前記第２発光素子に対応する前記第１発光層の最大発光位置までの距離を第２の距離とし、前記基板の上面から前記第３発光素子に対応する前記第２発光層の最大発光位置までの距離を第３の距離とし、前記第１の距離と前記第２の距離とは同じであり、前記第２の距離と前記第３の距離とは異なり、
    前記基板の上面から前記第１カソード電極までの距離を第４の距離とし、前記基板の上面から前記第２カソード電極までの距離を第５の距離とし、前記基板の上面から前記第３カソード電極までの距離を第６の距離とし、前記第４の距離と前記第５の距離とは同じであり、前記第５の距離と前記第６の距離とは異なり、
    前記第１アノード電極と前記第２アノード電極と前記第３アノード電極とは、表示デバイスの平面視において、互いに重なり合っておらず、
    前記第１カソード電極と前記第２カソード電極と前記第３カソード電極とは、前記平面視において、互いに重なり合っておらず、
    前記第１カソード電極と前記第２カソード電極と前記第３カソード電極とは、共通の層として形成されている、
    表示デバイス。
  2. 前記共通の層は、同一材料からなる、請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 前記共通の層は、前記表示デバイスの断面視において、異なる高さの２つのレベルに跨って延在する、
    請求項１又は２に記載の表示デバイス。
  4. 前記第１発光部と前記第２発光部とは、同じ波長の光を出射し、
    前記第１発光素子の光出射側には、第１カラーフィルタが配設されており、
    前記第２発光素子の光出射側には、第２カラーフィルタが配設されている、
    請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  5. 前記共通の層は、積層構造を有する、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
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