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Description
第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層、第2a電極、第2発光層を含む第2有機層、及び、第3発光層を含む第3有機層が積層されて成り、
第2発光素子は、第1有機層、第1b電極、第2有機層、第2b電極、及び、第3有機層が積層されて成り、
第3発光素子は、第1有機層、第2有機層、第1c電極、第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成る。
第1発光素子及び第2発光素子は並置されており、第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層及び第2a電極から成り、第2発光素子は、第1b電極、第1有機層及び第2b電極から成り、
第3発光素子は、第1有機層、第1c電極、第3発光層を含む第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成り、
第1発光素子の光出射側には第1カラーフィルタが配設されており、
第2発光素子の光出射側には第2カラーフィルタが配設されている。
第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層、及び、第2a電極が積層されて成り、
第2発光素子は、第1有機層、第1b電極、第2発光層を含む第2有機層、及び、第2b電極が積層されて成り、
第3発光素子は、第1有機層、第2有機層、第1c電極、第3発光層を含む第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成る。
複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
各発光素子は、第1電極、複数の有機層の内のいずれか1層の有機層、及び、第2電極から構成されており、
各発光素子を構成する第1電極は、発光素子の間で重なり合っていない。
1.本開示の第1の態様~第4の態様に係る発光素子ユニット、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様、第4の態様に係る発光素子ユニット)
3.実施例2(本開示の第2の態様、第4の態様に係る発光素子ユニット)
4.実施例3(本開示の第3の態様、第4の態様に係る発光素子ユニット)
5.その他
本開示の第1の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、共通の第2電極から構成されている形態とすることができる。
第1発光素子において、第1a電極と第1有機層との界面又は第1光反射層によって構成された第1a界面と、第2a電極と第1有機層との界面によって構成された第2a界面との間で、第1発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2a電極から出射させ、
第2発光素子において、第1b電極と第2有機層との界面又は第2光反射層によって構成された第1b界面と、第2b電極と第2有機層との界面によって構成された第2b界面との間で、第2発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2b電極から出射させ、
第3発光素子において、第1c電極と第3有機層との界面又は第3光反射層によって構成された第1c界面と、第2c電極と第3有機層との界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極から出射させる形態とすることができる。即ち、各発光素子は共振器構造を有することが好ましい。
第1発光層の最大発光位置から第1a界面までの距離をL1A、光学距離をOL1A、第1発光層の最大発光位置から第2a界面までの距離をL2A、光学距離をOL2Aとし、m1A及びm2Aを整数としたとき、以下の式(A-1)、式(A-2)、式(A-3)及び式(A-4)を満たしており、
第2発光層の最大発光位置から第1b界面までの距離をL1B、光学距離をOL1B、第2発光層の最大発光位置から第2b界面までの距離をL2B、光学距離をOL2Bとし、m1B及びm2Bを整数としたとき、以下の式(B-1)、式(B-2)、式(B-3)及び式(B-4)を満たしており、
第3発光層の最大発光位置から第1c界面までの距離をL1C、光学距離をOL1C、第3発光層の最大発光位置から第2c界面までの距離をL2C、光学距離をOL2Cとし、m1C及びm2Cを整数としたとき、以下の式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)及び式(C-4)を満たしている形態とすることができる。
0.7{-Φ1A/(2π)+m1A}≦2×OL1A/λA≦1.2{-Φ1A/(2π)+m1A} (A-1)
0.7{-Φ2A/(2π)+m2A}≦2×OL2A/λA≦1.2{-Φ2A/(2π)+m2A} (A-2)
L1A<L2A (A-3)
m1A<m2A (A-4)
0.7{-Φ1B/(2π)+m1B}≦2×OL1B/λB≦1.2{-Φ1B/(2π)+m1B} (B-1)
0.7{-Φ2B/(2π)+m2B}≦2×OL2B/λB≦1.2{-Φ2B/(2π)+m2B} (B-2)
L1B<L2B (B-3)
m1B<m2B (B-4)
0.7{-Φ1C/(2π)+m1C}≦2×OL1C/λC≦1.2{-Φ1C/(2π)+m1C} (C-1)
0.7{-Φ2C/(2π)+m2C}≦2×OL2C/λC≦1.2{-Φ2C/(2π)+m2C} (C-2)
L1C<L2C (C-3)
m1C<m2C (C-4)
ここで、
λA :第1発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第1発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1A:第1a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1A≦0
Φ2A:第2a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2A≦0
λB :第2発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第2発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1B:第1b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1B≦0
Φ2B:第2b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2B≦0
λC :第3発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第3発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1C:第1c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1C≦0
Φ2C:第2c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2C≦0
である。
OL1=L1×nave
OL2=L2×nave
の関係がある。ここで、平均屈折率naveとは、有機層(あるいは、有機層及び層間絶縁層)を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層(あるいは、有機層及び層間絶縁層)の厚さで除したものである。
(イ)観察者の頭部に装着されるフレーム、及び、
(ロ)フレームに取り付けられた画像表示装置、
を備えており、
画像表示装置は、
(A)本開示における表示装置、及び、
(B)本開示における表示装置から出射された光が入射され、出射される光学装置、
を備えており、
光学装置は、
(B-1)本開示における表示装置から入射された光が内部を全反射により伝播した後、観察者に向けて出射される導光板、
(B-2)導光板に入射された光が導光板の内部で全反射されるように、導光板に入射された光を偏向させる第1偏向手段(例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る)、及び、
(B-3)導光板の内部を全反射により伝播した光を導光板から出射させるために、導光板の内部を全反射により伝播した光を複数回に亙り偏向させる第2偏向手段(例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る)、
から成る。
3つの発光素子10(10a,10b,10c)から構成されており、
第1発光素子10aは、第1a電極21a、第1発光層を含む第1有機層23a、第2a電極22a、第2発光層を含む第2有機層23b、及び、第3発光層を含む第3有機層23cが積層されて成り、
第2発光素子10bは、第1有機層23a、第1b電極21b、第2有機層23b、第2b電極22b、及び、第3有機層23cが積層されて成り、
第3発光素子10cは、第1有機層23a、第2有機層23b、第1c電極21c、第3有機層23c、及び、第2c電極22cが積層されて成る。
複数の発光層を含む有機層23(23a,23b,23c)が積層された積層構造を有する発光素子10(10a,10b,10c)の複数から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)は、第1電極21(21a,21b,21c)、複数の有機層23(23a,23b,23c)の内のいずれか1層の有機層、及び、第2電極22(22a,22b,22c)から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)を構成する第1電極21(21a,21b,21c)は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第1電極21(21a,21b,21c)の正射影像(第1基板への正射影像)は互いに重なり合っていない。
第1発光素子10aにおいて、第1a電極21aと第1有機層23aとの界面又は第1光反射層25aによって構成された第1a界面と、第2a電極22aと第1有機層23aとの界面によって構成された第2a界面との間で、第1発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2a電極22aから出射させ、
第2発光素子10bにおいて、第1b電極21bと第2有機層23bとの界面又は第2光反射層25bによって構成された第1b界面と、第2b電極22bと第2有機層23bとの界面によって構成された第2b界面との間で、第2発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2b電極22bから出射させ、
第3発光素子10cにおいて、第1c電極21cと第3有機層23cとの界面又は第3光反射層25cによって構成された第1c界面と、第2c電極22cと第3有機層23cとの界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極22cから出射させる。尚、後述する実施例2にあっては、第3発光素子10cにおいて、第1c電極21cと第3有機層23cとの界面又は第3光反射層25cによって構成された第1c界面と、第2c電極22cと第3有機層23cとの界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極22cから出射させる。即ち、各発光素子は共振器構造を有する。図1A、図1B、後述する図2B、図3A、図4C、図5A、図7において、共振器構造を白抜きの矢印で示す。
第1発光層の最大発光位置から第1a界面までの距離をL1A、光学距離をOL1A、第1発光層の最大発光位置から第2a界面までの距離をL2A、光学距離をOL2Aとし、m1A及びm2Aを整数としたとき、以下の式(A-1)、式(A-2)、式(A-3)及び式(A-4)を満たしており、
第2発光層の最大発光位置から第1b界面までの距離をL1B、光学距離をOL1B、第2発光層の最大発光位置から第2b界面までの距離をL2B、光学距離をOL2Bとし、m1B及びm2Bを整数としたとき、以下の式(B-1)、式(B-2)、式(B-3)及び式(B-4)を満たしており、
第3発光層の最大発光位置から第1c界面までの距離をL1C、光学距離をOL1C、第3発光層の最大発光位置から第2c界面までの距離をL2C、光学距離をOL2Cとし、m1C及びm2Cを整数としたとき、以下の式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)及び式(C-4)を満たしている。
0.7{-Φ2A/(2π)+m2A}≦2×OL2A/λA≦1.2{-Φ2A/(2π)+m2A} (A-2)
L1A<L2A (A-3)
m1A<m2A (A-4)
0.7{-Φ1B/(2π)+m1B}≦2×OL1B/λB≦1.2{-Φ1B/(2π)+m1B} (B-1)
0.7{-Φ2B/(2π)+m2B}≦2×OL2B/λB≦1.2{-Φ2B/(2π)+m2B} (B-2)
L1B<L2B (B-3)
m1B<m2B (B-4)
0.7{-Φ1C/(2π)+m1C}≦2×OL1C/λC≦1.2{-Φ1C/(2π)+m1C} (C-1)
0.7{-Φ2C/(2π)+m2C}≦2×OL2C/λC≦1.2{-Φ2C/(2π)+m2C} (C-2)
L1C<L2C (C-3)
m1C<m2C (C-4)
λA :第1発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第1発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1A:第1a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1A≦0
Φ2A:第2a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2A≦0
λB :第2発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第2発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1B:第1b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1B≦0
Φ2B:第2b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2B≦0
λC :第3発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第3発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1C:第1c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1C≦0
Φ2C:第2c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2C≦0
である。
先ず、第1基板41を準備し、第1基板41上に、周知の方法で、第1発光素子10a、第2発光素子10b及び第3発光素子10cを駆動するためのTFTを含む有機EL素子駆動部を設け、次いで、全面に絶縁層43を周知の方法で形成する。
その後、第1発光素子10aを形成する。
具体的には、レーザエッチング法によって、絶縁層43に孔部を形成し、孔部の底部に一方のソース/ドレイン領域55a,55b,55cを露出させる。そして、孔部内を含む絶縁層43の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部56a,56b,56cを形成する。次いで、全面に層間絶縁層31を周知の方法で形成し、コンタクトホール部56aの上方の層間絶縁層31に、コンタクトホール部56aが露出した凹部を形成する(図19A参照)。
次いで、凹部を含む層間絶縁層31の上に、第1a電極21aを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第1a電極21aを形成する。第1a電極21aと一方のソース/ドレイン領域55aは、コンタクトホール部56aによって電気的に接続されている。
次に、例えば、酸窒化シリコン(SiON)から成る層間絶縁層32をスパッタリング法やCVD法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層32に開口部を形成する。開口部の底部に第1a電極21aが露出している。
その後、第1a電極21aから層間絶縁層32の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第1有機層23aを得ることができる。
次いで、全面に、第2a電極22aを、例えば、蒸着法によって形成する(図19B参照)。そして、次に述べるコンタクトホール部57b,57cと第2a電極22aとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜59Aを形成した後(図20A参照)、SiNから成る層間絶縁層33を例えばCVD法によって全面に形成する。
次に、第2発光素子10bを形成する。
具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層33、絶縁膜59A、層間絶縁層32,31に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部56b,56cを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層33の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部57b,57cを形成する(図20B参照)。
次いで、全面に層間絶縁層34を周知の方法で形成し、コンタクトホール部57bの上方の層間絶縁層34に、コンタクトホール部57bが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層34の上に、第1b電極21bを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第1b電極21bを形成する(図21参照)。第1b電極21bと一方のソース/ドレイン領域55bは、コンタクトホール部57b,56bによって電気的に接続されている。
次に、例えば、酸窒化シリコン(SiON)から成る層間絶縁層35をスパッタリング法やCVD法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層35に開口部を形成する。開口部の底部に第1b電極21bが露出している。
その後、第1b電極21bから層間絶縁層35の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第2有機層23bを得ることができる。
次いで、全面に、第2b電極22bを、例えば、蒸着法によって形成する(図22参照)。そして、次に述べるコンタクトホール部58cと第2b電極22bとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜59Bを形成する(図23参照)。次に、SiNから成る層間絶縁層36を例えばCVD法によって全面に形成する(図24参照)。
次に、第3発光素子10cを形成する。
具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層36、絶縁膜59B、層間絶縁層35,34に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部57cを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層36の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部58cを形成する。
次いで、全面に層間絶縁層37を周知の方法で形成し、コンタクトホール部58cの上方の層間絶縁層37に、コンタクトホール部58cが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層37の上に、第1c電極21cを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第1c電極21cを形成する(図25参照)。第1c電極21cと一方のソース/ドレイン領域55cは、コンタクトホール部58c,57c,56cによって電気的に接続されている。
次に、例えば、酸窒化シリコン(SiON)から成る層間絶縁層38をスパッタリング法やCVD法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層38に開口部を形成する。開口部の底部に第1c電極21cが露出している。
その後、第1c電極21cから層間絶縁層37の上に亙り、をホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第3有機層23cを得ることができる。
次いで、全面に、第2c電極22cを、例えば、蒸着法によって形成する(図26参照)。
その後、全面にSiNから成る保護膜44を形成し、次いで、第1基板41と第2基板42とを、図示しない接着層(封止層)によって接着する(貼り合わせる)。以上により、有機EL表示装置を完成することができる。
第1発光素子10a及び第2発光素子10bは並置されており、第1発光素子10aは、第1a電極21a、第1発光層を含む第1有機層23d及び第2a電極22aから成り、第2発光素子10bは、第1b電極21b、第1有機層23d及び第2b電極22bから成り、
第3発光素子10cは、第1有機層23d、第1c電極21c、第3発光層を含む第3有機層23c、及び、第2c電極22cが積層されて成り、
第1発光素子10aの光出射側には第1カラーフィルタ24aが配設されており、
第2発光素子10bの光出射側には第2カラーフィルタ24bが配設されている。
複数の発光層を含む有機層23(23d,23d,23c)が積層された積層構造を有する発光素子10(10a,10b,10c)の複数から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)は、第1電極21(21a,21b,21c)、複数の有機層23(23d,23d,23c)の内のいずれか1層の有機層、及び、第2電極22(22a,22b,22c)から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)を構成する第1電極21(21a,21b,21cは、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第1電極21(21a,21b,21c)の正射影像(第1基板41への正射影像)は互いに重なり合っていない。
第1発光素子10aは、第1a電極21a、第1発光層を含む第1有機層23a、及び、第2a電極22aが積層されて成り、
第2発光素子10bは、第1有機層23a、第1b電極21b、第2発光層を含む第2有機層23b、及び、第2b電極22bが積層されて成り、
第3発光素子10cは、第1有機層23a、第2有機層23b、第1c電極21c、第3発光層を含む第3有機層23c、及び、第2c電極22cが積層されて成る。
複数の発光層を含む有機層23(23a,23b,23c)が積層された積層構造を有する発光素子10(10a,10b,10c)の複数から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)は、第1電極21(21a,21b,21c)、複数の有機層23(23a,23b,23c)の内のいずれか1層の有機層、及び、第2電極22(22a,22b,22c)から構成されており、
各発光素子10(10a,10b,10c)を構成する第1電極21(21a,21b,21c)は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第1電極21(21a,21b,21c)の正射影像(第1基板41への正射影像)は互いに重なり合っていない。
[A01]《発光素子ユニット:第1の態様》
3つの発光素子から構成されており、
第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層、第2a電極、第2発光層を含む第2有機層、及び、第3発光層を含む第3有機層が積層されて成り、
第2発光素子は、第1有機層、第1b電極、第2有機層、第2b電極、及び、第3有機層が積層されて成り、
第3発光素子は、第1有機層、第2有機層、第1c電極、第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成る発光素子ユニット。
[A02]第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、共通の第2電極から構成されている[A01]に記載の発光素子ユニット。
[A03]第2a電極、第2b電極及び第2c電極には、同じ電位が与えられる[A01]又は[A02]に記載の発光素子ユニット。
[A04]第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[A05]透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物(IZO)から成る[A04]に記載の発光素子ユニット。
[A06]半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る[A04]又は[A05]に記載の発光素子ユニット。
[A07]第1発光素子において、第1a電極と第1有機層との界面又は第1光反射層によって構成された第1a界面と、第2a電極と第1有機層との界面によって構成された第2a界面との間で、第1発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2a電極から出射させ、
第2発光素子において、第1b電極と第2有機層との界面又は第2光反射層によって構成された第1b界面と、第2b電極と第2有機層との界面によって構成された第2b界面との間で、第2発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2b電極から出射させ、
第3発光素子において、第1c電極と第3有機層との界面又は第3光反射層によって構成された第1c界面と、第2c電極と第3有機層との界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極から出射させる[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[A08]第1発光層の最大発光位置から第1a界面までの距離をL1A、光学距離をOL1A、第1発光層の最大発光位置から第2a界面までの距離をL2A、光学距離をOL2Aとし、m1A及びm2Aを整数としたとき、以下の式(A-1)、式(A-2)、式(A-3)及び式(A-4)を満たしており、
第2発光層の最大発光位置から第1b界面までの距離をL1B、光学距離をOL1B、第2発光層の最大発光位置から第2b界面までの距離をL2B、光学距離をOL2Bとし、m1B及びm2Bを整数としたとき、以下の式(B-1)、式(B-2)、式(B-3)及び式(B-4)を満たしており、
第3発光層の最大発光位置から第1c界面までの距離をL1C、光学距離をOL1C、第3発光層の最大発光位置から第2c界面までの距離をL2C、光学距離をOL2Cとし、m1C及びm2Cを整数としたとき、以下の式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)及び式(C-4)を満たしている[A07]に記載の発光素子ユニット。
0.7{-Φ1A/(2π)+m1A}≦2×OL1A/λA≦1.2{-Φ1A/(2π)+m1A} (A-1)
0.7{-Φ2A/(2π)+m2A}≦2×OL2A/λA≦1.2{-Φ2A/(2π)+m2A} (A-2)
L1A<L2A (A-3)
m1A<m2A (A-4)
0.7{-Φ1B/(2π)+m1B}≦2×OL1B/λB≦1.2{-Φ1B/(2π)+m1B} (B-1)
0.7{-Φ2B/(2π)+m2B}≦2×OL2B/λB≦1.2{-Φ2B/(2π)+m2B} (B-2)
L1B<L2B (B-3)
m1B<m2B (B-4)
0.7{-Φ1C/(2π)+m1C}≦2×OL1C/λC≦1.2{-Φ1C/(2π)+m1C} (C-1)
0.7{-Φ2C/(2π)+m2C}≦2×OL2C/λC≦1.2{-Φ2C/(2π)+m2C} (C-2)
L1C<L2C (C-3)
m1C<m2C (C-4)
ここで、
λA :第1発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第1発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1A:第1a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1A≦0
Φ2A:第2a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2A≦0
λB :第2発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第2発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1B:第1b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1B≦0
Φ2B:第2b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2B≦0
λC :第3発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第3発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1C:第1c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1C≦0
Φ2C:第2c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2C≦0
である。
[A09]m1A=0,m2A=1,m1B=0,m2B=1,m1C=0,m2C=1である[A08]に記載の発光素子ユニット。
[B01]《発光素子ユニット:第2の態様》
3つの発光素子から構成されており、
第1発光素子及び第2発光素子は並置されており、第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層及び第2a電極から成り、第2発光素子は、第1b電極、第1有機層及び第2b電極から成り、
第3発光素子は、第1有機層、第1c電極、第3発光層を含む第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成り、
第1発光素子の光出射側には第1カラーフィルタが配設されており、
第2発光素子の光出射側には第2カラーフィルタが配設されている発光素子ユニット。
[B02]第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、共通の第2電極から構成されている[B01]に記載の発光素子ユニット。
[B03]第2a電極、第2b電極及び第2c電極には、同じ電位が与えられる[B01]又は[B02]に記載の発光素子ユニット。
[B04]第2a電極及び第2b電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する[B1]乃至[B03]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[B05]透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物(IZO)から成る[B04]に記載の発光素子ユニット。
[B06]半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る[B04]又は[B05]に記載の発光素子ユニット。
[B07]第2c電極は、マグネシウム及び銀の合金から成る[B1]乃至[B03]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[B08]第2a電極及び第2b電極の有する構造と、第2c電極の有する構造とは異なっている[B1]乃至[B03]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[B09]第3発光素子において、第1c電極と第3有機層との界面又は第3光反射層によって構成された第1c界面と、第2c電極と第3有機層との界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極から出射させる[B01]乃至[B06]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[B10]第3発光層の最大発光位置から第1c界面までの距離をL1C、光学距離をOL1C、第3発光層の最大発光位置から第2c界面までの距離をL2C、光学距離をOL2Cとし、m1C及びm2Cを整数としたとき、以下の式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)及び式(C-4)を満たしている[B09]に記載の発光素子ユニット。
0.7{-Φ1C/(2π)+m1C}≦2×OL1C/λC≦1.2{-Φ1C/(2π)+m1C} (C-1)
0.7{-Φ2C/(2π)+m2C}≦2×OL2C/λC≦1.2{-Φ2C/(2π)+m2C} (C-2)
L1C<L2C (C-3)
m1C<m2C (C-4)
ここで、
λC :第3発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第3発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1C:第1c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1C≦0
Φ2C:第2c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2C≦0
である。
[B11]m1C=0,m2C=1である[B10]に記載の発光素子ユニット。
[C01]《発光素子ユニット:第3の態様》
3つの発光素子から構成されており、
第1発光素子は、第1a電極、第1発光層を含む第1有機層、及び、第2a電極が積層されて成り、
第2発光素子は、第1有機層、第1b電極、第2発光層を含む第2有機層、及び、第2b電極が積層されて成り、
第3発光素子は、第1有機層、第2有機層、第1c電極、第3発光層を含む第3有機層、及び、第2c電極が積層されて成る発光素子ユニット。
[C02]第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、共通の第2電極から構成されている[C01]に記載の発光素子ユニット。
[C03]第2a電極、第2b電極及び第2c電極には、同じ電位が与えられる[C01]又は[C02]に記載の発光素子ユニット。
[C04]第2a電極、第2b電極及び第2c電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する[C01]乃至[C03]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[C05]透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物(IZO)から成る[C04]に記載の発光素子ユニット。
[C06]半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る[C04]又は[C05]に記載の発光素子ユニット。
[C07]第1発光素子において、第1a電極と第1有機層との界面又は第1光反射層によって構成された第1a界面と、第2a電極と第1有機層との界面によって構成された第2a界面との間で、第1発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2a電極から出射させ、
第2発光素子において、第1b電極と第2有機層との界面又は第2光反射層によって構成された第1b界面と、第2b電極と第2有機層との界面によって構成された第2b界面との間で、第2発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2b電極から出射させ、
第3発光素子において、第1c電極と第3有機層との界面又は第3光反射層によって構成された第1c界面と、第2c電極と第3有機層との界面によって構成された第2c界面との間で、第3発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2c電極から出射させる[C01]乃至[C06]のいずれか1項に記載の発光素子ユニット。
[C08]第1発光層の最大発光位置から第1a界面までの距離をL1A、光学距離をOL1A、第1発光層の最大発光位置から第2a界面までの距離をL2A、光学距離をOL2Aとし、m1A及びm2Aを整数としたとき、以下の式(A-1)、式(A-2)、式(A-3)及び式(A-4)を満たしており、
第2発光層の最大発光位置から第1b界面までの距離をL1B、光学距離をOL1B、第2発光層の最大発光位置から第2b界面までの距離をL2B、光学距離をOL2Bとし、m1B及びm2Bを整数としたとき、以下の式(B-1)、式(B-2)、式(B-3)及び式(B-4)を満たしており、
第3発光層の最大発光位置から第1c界面までの距離をL1C、光学距離をOL1C、第3発光層の最大発光位置から第2c界面までの距離をL2C、光学距離をOL2Cとし、m1C及びm2Cを整数としたとき、以下の式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)及び式(C-4)を満たしている[C07]に記載の発光素子ユニット。
0.7{-Φ1A/(2π)+m1A}≦2×OL1A/λA≦1.2{-Φ1A/(2π)+m1A} (A-1)
0.7{-Φ2A/(2π)+m2A}≦2×OL2A/λA≦1.2{-Φ2A/(2π)+m2A} (A-2)
L1A<L2A (A-3)
m1A<m2A (A-4)
0.7{-Φ1B/(2π)+m1B}≦2×OL1B/λB≦1.2{-Φ1B/(2π)+m1B} (B-1)
0.7{-Φ2B/(2π)+m2B}≦2×OL2B/λB≦1.2{-Φ2B/(2π)+m2B} (B-2)
L1B<L2B (B-3)
m1B<m2B (B-4)
0.7{-Φ1C/(2π)+m1C}≦2×OL1C/λC≦1.2{-Φ1C/(2π)+m1C} (C-1)
0.7{-Φ2C/(2π)+m2C}≦2×OL2C/λC≦1.2{-Φ2C/(2π)+m2C} (C-2)
L1C<L2C (C-3)
m1C<m2C (C-4)
ここで、
λA :第1発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第1発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1A:第1a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1A≦0
Φ2A:第2a界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2A≦0
λB :第2発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第2発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1B:第1b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1B≦0
Φ2B:第2b界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2B≦0
λC :第3発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、第3発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1C:第1c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ1C≦0
Φ2C:第2c界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)
但し、-2π<Φ2C≦0
である。
[C09]m1A=0,m2A=1,m1B=0,m2B=1,m1C=0,m2C=1である[C08]に記載の発光素子ユニット。
[D01]《発光素子ユニット:第4の態様》
複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
各発光素子は、第1電極、複数の有機層の内のいずれか1層の有機層、及び、第2電極から構成されており、
各発光素子を構成する第1電極は、発光素子の間で重なり合っていない発光素子ユニット。
[E01]《有機エレクトロルミネッセンス表示装置》
[A01]乃至[D01]のいずれか1項に記載の発光素子ユニットが2次元マトリクス状に配列されて成る有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
[E02]《表示装置》
[A01]乃至[D01]のいずれか1項に記載の発光素子ユニットが2次元マトリクス状に配列されて成る表示装置。
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に設けられた少なくとも第1発光素子駆動部と第2発光素子駆動部とを含む複数の発光素子駆動部と、
前記複数の発光素子駆動部上に設けられた少なくとも第1発光素子と第2発光素子とを含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子上に設けられた少なくとも前記第1発光素子に対応する第1カラーフィルタと前記第2発光素子に対応する第2カラーフィルタを含む複数のカラーフィルタと、
を備える、表示デバイスであって、
前記第1発光素子と前記第2発光素子とは隣接し、
第1発光層及び第2発光層が積層された積層構造を有する有機層が、前記複数の発光素子駆動部上に設けられており、
前記第1発光素子は、第1光反射層、第1アノード電極、前記第1発光層の一部の領域を含む第1発光部、及び、第1カソード電極を有し、前記第1光反射層と前記第1カソード電極との間で、前記第1発光部で発光した光を共振させて、その一部を前記第1カソード電極から出射させ、
前記第2発光素子は、第2光反射層、第2アノード電極、前記第2発光層の一部の領域を含む第2発光部、及び、第2カソード電極を有し、前記第2光反射層と前記第2カソード電極との間で、前記第2発光部で発光した光を共振させて、その一部を前記第2カソード電極から出射させ、
前記第1光反射層の上面から前記第1カソード電極の下面までの距離と、前記第2光反射層の上面から前記第2カソード電極の下面までの距離とは、異なり、
前記第1発光素子の前記第1アノード電極は、第1コンタクトホールを介して前記第1発光素子駆動部と電気的に接続され、
前記第2発光素子の前記第2アノード電極は、第2コンタクトホールを介して前記第2発光素子駆動部と電気的に接続され、
前記第1発光素子駆動部は、前記表示デバイスの断面視において、前記第1発光部と少なくとも一部が重なり合っており、
前記第2発光素子駆動部は、前記断面視において、前記第2発光部と少なくとも一部が重なり合っており、
前記第1発光部と前記第2発光部とは、前記表示デバイスの平面視において、互いに重なり合っておらず、
前記第1アノード電極と前記第2アノード電極とは、前記平面視において、互いに重なり合っておらず、
前記基板の上面から前記第1アノード電極までの距離を第1の距離とし、前記基板の上面から前記第2アノード電極までの距離を第2の距離とし、前記第1の距離と前記第2の距離とは異なり、
前記第2コンタクトホールは、前記平面視において、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間であって、前記第2発光素子の第1の端を通り且つ前記第1発光素子と前記第2発光素子とが配列する第1方向と平行であって前記第2発光素子の領域に接する第1線と、前記第2発光素子における前記第1の端と反対側の第2の端を通り且つ前記第1方向と平行であって前記第2発光素子の前記領域と接する第2線と、のうち前記第1線よりも前記第2線に近い位置に配置され、
前記第1コンタクトホールは、前記平面視において、前記第2発光素子と対向する前記第1発光素子の第5の端を通り且つ前記第1方向と垂直であって前記第1発光素子の領域に接する第5線と、前記第1発光素子における前記第5の端と反対側の第6の端を通り且つ前記第1方向と垂直であって前記第1発光素子の領域に接する第6線と、のうち前記第5線よりも前記第6線に近い位置に配置され、
前記第1カラーフィルタと前記第2カラーフィルタの色が異なる、
表示デバイス。 - 前記第1発光部と前記第2発光部とは、異なる色の光を出射する、
請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記複数の発光素子駆動部は、前記基板上に設けられた第3発光素子駆動部をさらに含み、
前記複数の発光素子は、前記複数の発光素子駆動部上に設けられた第3発光素子をさらに含み、
前記複数のカラーフィルタは、前記複数の発光素子上に設けられた前記第3発光素子に対応する第3カラーフィルタをさらに含み、
前記第2発光素子と前記第3発光素子とは隣接し、
前記有機層は、前記第1発光層及び前記第2発光層に積層された第3発光層を含み、
前記第3発光素子は、第3光反射層、第3アノード電極、前記第3発光層の一部の領域を含む第3発光部、及び、第3カソード電極を有し、前記第3光反射層と前記第3カソード電極との間で、前記第3発光部で発光した光を共振させて、その一部を前記第3カソード電極から出射させ、
前記第3光反射層の上面から前記第3カソード電極の下面までの距離は、前記第1光反射層の上面から前記第1カソード電極の下面までの距離、及び、前記第2光反射層の上面から前記第2カソード電極の下面までの距離とは異なり、
前記第3発光素子の前記第3アノード電極は、第3コンタクトホールを介して前記第3発光素子駆動部と電気的に接続され、
前記第3発光素子駆動部は、前記断面視において、前記第3発光部と少なくとも一部が重なり合っており、
前記第3発光部は、前記平面視において、前記第1発光部及び前記第2発光部とは互いに重なり合っておらず、
前記第3アノード電極は、前記平面視において、前記第1アノード電極と前記第2アノード電極とは互いに重なり合っておらず、
前記基板の上面から前記第3アノード電極までの距離である第3の距離は、前記第1の距離、及び、前記第2の距離とは異なり、
前記第3コンタクトホールは、前記平面視において、前記第2発光素子と前記第3発光素子との間であって、前記第3発光素子の第3の端を通り且つ前記第2発光素子と前記第3発光素子とが配列する前記第1方向と平行であって前記第3発光素子の領域に接する第3線と、前記第3発光素子における前記第3の端と反対側の第4の端を通り且つ前記第1方向と平行であって前記第3発光素子の前記領域に接する第4線と、のうち前記第3線よりも前記第4線に近い位置に配置され、
前記第3カラーフィルタの色は、前記第1カラーフィルタ及び前記第2カラーフィルタの色とは異なる、
請求項1又は2に記載の表示デバイス。 - 前記第1カソード電極、前記第2カソード電極及び前記第3カソード電極のうちの少なくとも1つは、積層構造を有する、
請求項3に記載の表示デバイス。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102676592B1 (ko) * | 2019-01-18 | 2024-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN110854302B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
KR102670023B1 (ko) * | 2020-03-04 | 2024-05-27 | 주식회사 디비하이텍 | 유기발광 표시장치 및 제조방법 |
KR200497443Y1 (ko) * | 2021-10-27 | 2023-11-09 | 김진성 | 보조 투명 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 언더 디스플레이 카메라 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195775A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
JP2004119219A (ja) | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、パネル基板及び電子機器 |
JP2006278257A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法 |
JP2006302748A (ja) | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2016100074A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 株式会社Joled | 発光素子およびそれを備えた表示装置 |
JP2016115905A (ja) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US20170104035A1 (en) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device, organic light emitting display device having the same, and method of manufacturing the same |
JP2017174553A (ja) | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
EP0956741B1 (en) | 1996-12-23 | 2005-03-09 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting articles with light reflecting structures |
US5917280A (en) * | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US5953587A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | The Trustees Of Princeton University | Method for deposition and patterning of organic thin film |
JP4507964B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
US7327081B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-02-05 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Stacked organic electroluminescent device and method for manufacturing thereof |
JP4462155B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 |
JP5147320B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2013-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7498603B2 (en) * | 2006-12-06 | 2009-03-03 | General Electric Company | Color tunable illumination source and method for controlled illumination |
JP2009049135A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009064703A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sony Corp | 有機発光表示装置 |
JP5522991B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2010056075A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Sony Corp | 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP5463882B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-04-09 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
TW201324761A (zh) * | 2011-12-08 | 2013-06-16 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板之畫素結構 |
US8981391B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-03-17 | Industrial Technology Research Institute | Display panel with high transparency |
KR102178256B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-11-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102053443B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2019-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
JP2016048602A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2016195070A (ja) | 2015-04-01 | 2016-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2017027872A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP6601047B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-11-06 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置 |
JP2017062884A (ja) | 2015-09-24 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | 表示装置及び発光装置 |
JP2017062941A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
US10170521B2 (en) * | 2015-12-30 | 2019-01-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device |
US10256277B2 (en) * | 2016-04-11 | 2019-04-09 | Abl Ip Holding Llc | Luminaire utilizing a transparent organic light emitting device display |
CN109791994B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-10-01 | 夏普株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
KR102642304B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2024-02-28 | 삼성전자주식회사 | 광전자 소자 및 전자 장치 |
CN109216329B (zh) * | 2017-07-07 | 2020-09-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 微型led显示面板及其制备方法 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195775A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
JP2004119219A (ja) | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、パネル基板及び電子機器 |
JP2006278257A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sony Corp | 有機発光装置およびその製造方法 |
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