WO2021261310A1 - 発光素子及び表示装置 - Google Patents

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WO2021261310A1
WO2021261310A1 PCT/JP2021/022496 JP2021022496W WO2021261310A1 WO 2021261310 A1 WO2021261310 A1 WO 2021261310A1 JP 2021022496 W JP2021022496 W JP 2021022496W WO 2021261310 A1 WO2021261310 A1 WO 2021261310A1
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light emitting
layer
light
emitting element
electrode
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PCT/JP2021/022496
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章志 首藤
純 吉田
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ソニーグループ株式会社
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Definitions

  • This disclosure relates to a light emitting element and a display device.
  • a display device organic EL display
  • EL organic electroluminescence
  • a light emitting portion including at least a light emitting layer and a second electrode upper electrode, for example, an upper electrode
  • a first electrode lower electrode, for example, an anode electrode
  • Cathode electrode is formed.
  • a red light emitting element in which a light emitting unit that emits white light and a red color filter layer are combined
  • a green light emitting element in which a light emitting unit that emits white light and a green color filter layer are combined, and white light.
  • Each of the blue light emitting elements in which the light emitting unit and the blue color filter layer are combined is provided as sub-pixels, and one pixel is composed of these sub-pixels, for example, a second electrode (upper electrode).
  • the light from the light emitting layer is emitted to the outside through the light emitting layer.
  • An organic EL element (light emitting element) having a bipolar layer (intermediate layer) located between the two light emitting layers is known from, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-172762.
  • the bipolar layer (intermediate layer) includes a hole transporting material and an electron transporting material.
  • an object of the present disclosure is to provide a light emitting element having a configuration capable of achieving high efficiency, and a display device having such a light emitting element.
  • the light emitting device of the present disclosure for achieving the above object is 1st electrode, 2nd electrode and The light emitting part sandwiched between the first electrode and the second electrode, At least have The light emitting unit has at least two light emitting layers that emit different colors and an intermediate layer located between the two light emitting layers.
  • the intermediate layer contains a first organic material having a hole transport property and a second organic material having an electron transport property.
  • the display device of the present disclosure for achieving the above object is composed of a plurality of light emitting elements arranged in a first direction and a second direction different from the first direction.
  • Each light emitting element 1st electrode, 2nd electrode and The light emitting part sandwiched between the first electrode and the second electrode At least have The light emitting unit has at least two light emitting layers that emit different colors and an intermediate layer located between the two light emitting layers.
  • the intermediate layer contains a first organic material having a hole transport property and a second organic material having an electron transport property.
  • FIG. 1A is a diagram showing an energy band gap of a light emitting unit constituting the light emitting element of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a graph showing the results of obtaining the external quantum efficiency ratios of the light emitting devices in Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the display device and the light emitting element of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 1 of the display device and the light emitting element of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the display device and the light emitting element of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view of a modification 3 of the display device and the light emitting element of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view of the display device and the light emitting element of the second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 1 of the display device and the light emitting element of the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the display device and the light emitting element of the second embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic partial cross-sectional view of Modification 3 of the display device and the light emitting element of the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic partial cross-sectional view of a modified example -4 of the display device of the second embodiment in which the optical path control means is composed of a light reflecting member.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit and the normal LN'passing through the center of the optical path control means in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 12A is a schematic diagram showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 12B is a schematic diagram showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 13A is a diagram schematically showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the modified example of the display device of the second embodiment.
  • FIG. 12A is a schematic diagram showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the modified example of the display device of the second embodiment.
  • FIG. 13B is a diagram schematically showing the positional relationship between the light emitting element and the reference point in the modified example of the display device of the second embodiment.
  • Figure 14A is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 14B is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 14C is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 14D is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 15A is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 15B is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 15C is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 15D is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 16A is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 16B is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 16C is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 16D is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 17A is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 17B is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • Figure 17C is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • FIG. 17D is a display device of Example 2, changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X, is a diagram schematically showing changes in D 0-Y to changes in D 1-Y.
  • FIG. 18A shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment. It is a conceptual diagram for explaining.
  • FIG. 18B shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment.
  • FIG. 18C shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment.
  • FIG. 19 shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment. It is a conceptual diagram for explaining.
  • FIG. 20A shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment. It is a conceptual diagram for explaining.
  • FIG. 20B shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment. It is a conceptual diagram for explaining.
  • FIG. 20A shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment. It is a conceptual diagram for explaining.
  • FIG. 20B shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the
  • FIG. 21 shows the relationship between the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN'passing through the center of the optical path control means, and the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit in the display device of the third embodiment.
  • FIG. 22A is a conceptual diagram of the light emitting elements of the first example and the second example having the resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 22B is a conceptual diagram of the light emitting elements of the first example and the second example having the resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 23A is a conceptual diagram of the light emitting elements of the third and fourth examples having a resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 23B is a conceptual diagram of the light emitting elements of the third and fourth examples having a resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 24A is a conceptual diagram of the light emitting elements of the fifth and sixth examples having a resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 24B is a conceptual diagram of the light emitting elements of the fifth and sixth examples having the resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 25A is a conceptual diagram of the light emitting element of the seventh example having a resonator structure in the display device of the fourth embodiment.
  • FIG. 25B is a conceptual diagram of the light emitting device of the eighth example having a resonator structure.
  • FIG. 25C is a conceptual diagram of a light emitting device of the eighth example having a resonator structure.
  • FIG. 26A is a front view of a digital still camera showing an example in which the display device of the present disclosure is applied to an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera.
  • FIG. 26B is a rear view of a digital still camera showing an example in which the display device of the present disclosure is applied to an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera.
  • Example 1 Light emitting element of the present disclosure and display device of the present disclosure in general.
  • Example 2 Modification of Example 1
  • Example 3 Modifications of Example 1 to Example 2
  • Example 4 Variariations of Examples 1 to 3) 6. others
  • the first organic material In the light emitting element of the present disclosure or the light emitting element constituting the display device of the present disclosure (hereinafter, these light emitting elements may be collectively referred to as "light emitting element of the present disclosure" for convenience), the first organic material.
  • the HOMO value of is HOMO HTM
  • the HOMO value of one adjacent light emitting layer is HOMO 1
  • the HOMO value of the other adjacent light emitting layer is HOMO 2 .
  • the LUMO value of the second organic material is LUMO ETM
  • the LUMO value of one adjacent light emitting layer is LUMO 1
  • the LUMO value of the other adjacent light emitting layer is LUMO 2.
  • the electron mobility of the second organic material is EM ETM
  • the electron mobility of the material constituting one of the adjacent light emitting layers is EM 1 .
  • EM 1 E ⁇ EM ETM Preferably, EM 1 E ⁇ EM ETM With this, it is possible to suppress the generation of charge accumulation between the intermediate layer and one of the light emitting layers, and to stabilize the driving of the light emitting element.
  • the mass of the first organic material occupying the intermediate layer is referred to as M HTM
  • M ETM the mass of the second organic material occupying the intermediate layer
  • one light emitting layer may be referred to as a "first light emitting layer” for convenience, and the other light emitting layer may be referred to as a “second light emitting layer” for convenience.
  • the light emitting layer can be in a form including an organic electroluminescence layer. That is, the light emitting element or the like in the present disclosure including the various preferable forms described above can be in the form composed of an organic electroluminescence element (organic EL element), and the display device of the present disclosure is organic. It can be in the form of an electroluminescence display device (organic EL display device).
  • the display device of the present disclosure can be expressed differently.
  • the first board, the second board, and A plurality of light emitting elements arranged two-dimensionally between the first substrate and the second substrate, Equipped with Each light emitting element is composed of the light emitting elements and the like of the present disclosure including the preferred embodiments described above.
  • the light from the light emitting unit is emitted to the outside through the second substrate, or is emitted to the outside through the first substrate.
  • the display device of the present disclosure may be a top emission type (top emission type) display device (top emission type display device) that emits light from the second substrate, or emits light from the first substrate. It can also be a bottom emission type (bottom emission type) display device (bottom emission type display device).
  • top emission type top emission type
  • bottom emission type bottom emission type display device
  • Examples of the main material constituting the first light emitting layer include naphthalene derivative, anthracene derivative, pyrene derivative, phenanthrene derivative, aromatic amine, carbazole derivative, triazine derivative and the like. Blue light emission can be obtained by doping with a blue light emitting material.
  • examples of the main material constituting the second light emitting layer include naphthalene derivative, anthracene derivative, pyrene derivative, tetracene derivative, aromatic amine, carbazole derivative, and triazine derivative, and these materials include DBP and Ir (). red emission can be obtained by doping with a red emission dopant such as piq) 3.
  • the first organic material having a hole transporting property a naphthacene derivative, a phenanthrene derivative, an anthracene derivative, a pyrene derivative, a tetracene derivative, a carbazole derivative and an aromatic amine can be exemplified, and a second having an electron transporting property can be exemplified.
  • organic material examples include naphthacene derivatives, phenanthrene derivatives, anthracene derivatives, pyrene derivatives, tetracene derivatives, carbazole derivatives, fluoranthene derivatives, phenanthroline derivatives, pyridine derivatives, diazine derivatives, triazine derivatives, imidazole derivatives, and phenazine derivatives.
  • the present disclosure is applicable to a light emitting element using an organic substance or an organic metal compound such as a fluorescent light emitting material, a phosphorescent light emitting material, and a thermally activated delayed fluorescent material, and a light emitting element structure in which these are combined. Further, the combination of emission colors is not limited to blue and red.
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an inkjet printing method
  • a lamination of a laser absorption layer and an organic layer formed on a transfer substrate
  • PVD method physical vapor deposition method
  • a laser transfer method in which the organic layer on the laser absorption layer is separated by irradiating the structure with a laser and the organic layer is transferred, and various coating methods can be exemplified.
  • a so-called metal mask is used, and the organic layer can be obtained by depositing a material that has passed through an opening provided in the metal mask.
  • the HOMO value can be obtained, for example, based on ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS method), and the LUMO value can be obtained from ⁇ (HOMO value) + E b ⁇ .
  • the bandgap energy E b can be obtained from the wavelength ⁇ (optical absorption edge wavelength, the unit is nm) that is optically absorbed based on the following equation.
  • the electron mobility can be measured based on the Hall measurement method, or can be measured based on the TOF (Time of Flight) method or the impedance spectroscopy.
  • the light emitting portion includes the first electrode, at least two light emitting layers that emit different colors, and an intermediate layer (hereinafter, these layers) located between the two light emitting layers. May be collectively referred to as an "organic layer").
  • the first electrode may be in contact with a part of the organic layer, or the organic layer may be in contact with a part of the first electrode.
  • the size of the first electrode can be smaller than that of the organic layer, or the size of the first electrode is the same as that of the organic layer, but the first electrode and the organic layer are organic.
  • An insulating layer may be formed in a part between the layers, or the size of the first electrode may be larger than that of the organic layer.
  • the size of the organic layer (light emitting portion) is the size of the region (light emitting region) in which the first electrode and the organic layer are in contact with each other.
  • the organic layer can be in the form of emitting white light, and in this case, the organic layer is composed of at least two light emitting layers that emit different colors as described above. Specifically, the organic layer includes a red light emitting layer that emits red (wavelength: 620 nm to 750 nm), a blue light emitting layer that emits blue (wavelength: 450 nm to 495 nm), and green (wavelength: 495 nm to 570 nm). ) Can be configured to have a laminated structure in which three layers of a green light emitting layer are laminated, and emit white light as a whole.
  • the blue light emitting layer corresponds to the first light emitting layer
  • the red light emitting layer corresponds to the second light emitting layer
  • An intermediate layer is provided between the and.
  • the green light emitting layer may be referred to as a "third light emitting layer" for convenience.
  • the organic layer is laminated with two layers, a blue light emitting layer (corresponding to the first light emitting layer) that emits blue light and a yellow light emitting layer (corresponding to the second light emitting layer) that emits yellow light. It can have a structure that emits white light as a whole.
  • the organic layer is laminated with two layers, a blue light emitting layer (corresponding to the first light emitting layer) that emits blue light and an orange light emitting layer (corresponding to the second light emitting layer) that emits orange light. It can have a structure that emits white light as a whole.
  • the size of the light emitting portion of the second light emitting element is larger than the size of the light emitting portion of the first light emitting element and the size of the light emitting portion of the third light emitting element. It can be in a large form. Then, by this, the light emitting amount of the second light emitting element can be made larger than the light emitting amount of the first light emitting element and the light emitting amount of the third light emitting element, or also, the light emitting amount of the first light emitting element, the first.
  • the amount of light emitted from the two light emitting elements and the amount of light emitted from the third light emitting element can be optimized, and the image quality can be improved.
  • the size of the light emitting region of the second light emitting element or the fourth light emitting element is larger than the size of the light emitting region of the first light emitting element or the third light emitting element. Further, from the viewpoint of the life of the light emitting element, it is preferable that the size of the light emitting region of the third light emitting element is larger than the size of the light emitting region of the first light emitting element, the second light emitting element, and the fourth light emitting element. However, it is not limited to these.
  • the organic layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be individually provided in each light emitting element.
  • An optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit passes for example, a lens member may be provided.
  • the optical path control means will be described in detail in the second embodiment.
  • the organic EL display device preferably has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency.
  • the resonator structure will be described in detail in Example 4.
  • the light emitting element may include a wavelength selection unit in addition to the organic layer (light emitting unit) that emits white light.
  • the light emitted from the light emitting unit is incident on the wavelength selection unit.
  • the wavelength selection unit can be composed of, for example, a color filter layer, and the color filter layer is composed of a resin to which a colorant composed of a desired pigment or dye is added.
  • the wavelength selection unit is a wavelength selection element to which a photonic crystal or plasmon is applied (a color filter layer having a conductor lattice structure in which a lattice-shaped hole structure is provided in a conductor thin film.
  • a photonic crystal or plasmon a color filter layer having a conductor lattice structure in which a lattice-shaped hole structure is provided in a conductor thin film.
  • a color filter layer having a conductor lattice structure in which a lattice-shaped hole structure is provided in a conductor thin film.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177191 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177191. It can also be composed of a thin film made of an inorganic material such as amorphous silicon and quantum dots.
  • the wavelength selection unit will be described as a representative of the color filter layer, but the wavelength selection unit is not limited to the color filter layer.
  • the size of the wavelength selection unit may be appropriately changed according to the light emitted by the light emitting element, or the wavelength selection unit (for example, the color filter layer) of the adjacent light emitting element may be changed as appropriate. ), The size of the light absorption layer (black matrix layer) may be appropriately changed according to the light emitted by the light emitting element when the light absorption layer (black matrix layer) is provided. Further, the size of the wavelength selection unit (for example, the color filter layer) is determined by the distance (offset amount) d 0 (described later) between the normal passing through the center of the light emitting unit and the normal passing through the center of the color filter layer. It may be changed as appropriate depending on the situation.
  • the planar shape of the wavelength selection unit (for example, the color filter layer) may be the same as the planar shape of the optical path control means, may be a similar shape, may be an approximate shape, or may be different. You may.
  • a red light emitting element (first light emitting element) is configured by combining such an organic layer (light emitting portion) that emits white light and a red color filter layer (or a flattening layer that functions as a red color filter layer).
  • a green light emitting element (second light emitting element) is formed by combining an organic layer (light emitting portion) that emits white light and a green color filter layer (or a flattening layer that functions as a green color filter layer) to form white.
  • a blue light emitting element (third light emitting element) is configured by combining an organic layer (light emitting portion) that emits light and a blue color filter layer (or a flattening layer that functions as a blue color filter layer). The flattening layer will be described later.
  • a light emitting element unit (1 pixel) is composed of a combination of sub-pixels such as a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element.
  • a light emitting element unit (1 pixel) is provided by a red light emitting element, a green light emitting element, a blue light emitting element, and a light emitting element that emits white (or a fourth color) (or a light emitting element that emits complementary color light). ) May be configured.
  • Examples of the arrangement of the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element in the pixel include a delta arrangement, a stripe arrangement, a diagonal arrangement, a rectangular arrangement, and a pentile arrangement.
  • the arrangement of the wavelength selection unit may be a delta arrangement, or a stripe arrangement, a diagonal arrangement, a rectangle arrangement, or a pentile arrangement according to the arrangement of pixels (or sub-pixels).
  • the first electrode, the organic layer, and the second electrode are sequentially formed on the substrate.
  • the substrate is formed on or above the first substrate.
  • an insulating material such as SiO 2 , SiN, and SiON can be exemplified.
  • the substrate is formed by a forming method suitable for the material constituting the substrate, specifically, various printing methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering method and vacuum vapor deposition method, screen printing method, and plating. It can be formed based on known methods such as a method, an electrodeposition method, a dipping method, and a sol-gel method.
  • a drive circuit is provided below or below the substrate, but not limited to.
  • the drive circuit is composed of, for example, a transistor (specifically, for example, MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate constituting the first substrate, and a thin film transistor (TFT) provided on various substrates constituting the first substrate. Has been done.
  • the transistor or TFT constituting the drive circuit and the first electrode can be connected to each other via a contact hole (contact plug) formed in a substrate or the like.
  • the drive circuit may have a well-known circuit configuration.
  • the second electrode is connected to the drive circuit, for example, at the outer peripheral portion of the display device (specifically, the outer peripheral portion of the pixel array portion) via a contact hole (contact plug) formed in a substrate or the like.
  • the first substrate or the second substrate may be a silicon semiconductor substrate, a high-strain point glass substrate, a soda glass (Na 2 O / CaO / SiO 2 ) substrate, or a borosilicate glass (Na 2 O / B 2 O 3 / SiO 2 ) substrate.
  • the materials constituting the first substrate and the second substrate may be the same or different.
  • the second substrate is required to be transparent to the light from the light emitting element
  • the first substrate is the light from the light emitting element.
  • it is required to be transparent.
  • the first electrode is provided for each light emitting element.
  • the second electrode may be a common electrode in a plurality of light emitting elements. That is, the second electrode may be a so-called solid electrode.
  • the first substrate is arranged below or below the substrate, and the second substrate is arranged above the second electrode.
  • a light emitting element is formed on the first substrate side, and the light emitting portion is provided on the substrate.
  • the first electrode functions as an anode electrode as a material constituting the first electrode
  • platinum Pt
  • gold Au
  • silver Ag
  • chromium Cr
  • tungsten W
  • nickel Ni
  • Copper Cu
  • Iron Fe
  • Cobalt Co
  • Tantal Ta
  • other metals or alloys with high work functions for example, silver as the main component and 0.3% by mass to 1% by mass of palladium (for example).
  • Ag—Pd—Cu alloy containing Pd) and 0.3% by mass to 1% by mass of copper (Cu), Al—Nd alloy, Al—Cu alloy, Al—Cu—Ni alloy) can be mentioned. ..
  • hole injection is performed by providing an appropriate hole injection layer. By improving the characteristics, it can be used as an anode electrode.
  • a conductive material having a small work function value such as aluminum (Al) and an alloy containing aluminum and having a high light reflectance
  • hole injection is performed by providing an appropriate hole injection layer. By improving the characteristics, it can be used as an anode electrode.
  • the thickness of the first electrode 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m can be exemplified.
  • the first electrode is required to be transparent to the light from the light emitting element, and therefore, as a material constituting the first electrode, Indium oxide, indium-tin oxide (including ITO, Indium Tin Oxide, Sn-doped In 2 O 3 , crystalline ITO and amorphous ITO), indium-zinc oxide (IZO, Indium Zinc Oxide), indium-gallium oxidation.
  • IGO indium-doped gallium-zinc oxide
  • IGZO indium-doped gallium-zinc oxide
  • IFO F-doped In 2 O 3
  • ITOO Ti-doped In 2 O 3
  • InSn, InSnZnO oxidation.
  • a highly light-reflecting reflective film such as a dielectric multilayer film or aluminum (Al) or an alloy thereof (for example, Al—Cu—Ni alloy), an oxide of indium and tin (ITO) or indium and zinc. It is also possible to have a structure in which a transparent conductive material having excellent hole injection characteristics such as an oxide (IZO) of aluminum is laminated.
  • a transparent conductive material having excellent hole injection characteristics such as an oxide (IZO) of aluminum is laminated.
  • the first electrode functions as a cathode electrode, it is desirable that the first electrode is made of a conductive material having a small work function and a high light reflectance, but a conductive material having a high light reflectance used as an anode electrode is used. It can also be used as a cathode electrode by improving the electron injection characteristics by providing an appropriate electron injection layer.
  • the second electrode When the second electrode functions as a cathode electrode as a material (semi-light transmitting material or light transmitting material) constituting the second electrode, it transmits emitted light and efficiently transmits electrons to the organic layer (light emitting layer). It is desirable to construct it from a conductive material with a small work function value so that it can be injected in a positive manner, for example, aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na), strontium ( Sr), alkali metal or alkaline earth metal and silver (Ag) [for example, an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) (Mg-Ag alloy)], an alloy of magnesium-calcium (Mg-Ca alloy) , Metals or alloys having a small work function such as an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (Al-Li alloy) can be mentioned.
  • a conductive material with a small work function value so that it can be injected in
  • Mg—Ag alloy is preferable, and magnesium and silver have a volume ratio of magnesium.
  • the thickness of the second electrode 4 nm to 50 nm, preferably 4 nm to 20 nm, and more preferably 6 nm to 12 nm can be exemplified.
  • at least one material selected from the group consisting of Ag-Nd-Cu, Ag-Cu, Au and Al-Cu can be mentioned.
  • the second electrode is laminated from the organic layer side with the above-mentioned material layer and a so-called transparent electrode made of, for example, ITO or IZO (for example, a thickness of 3 ⁇ 10 -8 m to 1 ⁇ 10 -6 m). It can also be a structure.
  • a bus electrode (auxiliary electrode) made of a low resistance material such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, copper, copper alloy, gold, and gold alloy is provided for the second electrode to reduce the resistance of the second electrode as a whole. May be planned.
  • the average light transmittance of the second electrode is preferably 50% to 90%, preferably 60% to 90%.
  • the second electrode functions as an anode electrode, it is desirable that the second electrode is made of a conductive material that transmits emitted light as needed and has a large work function value.
  • Examples of the method for forming the first electrode and the second electrode include an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor phase growth method (CVD method), a MOCVD method, and an ion. Combination of plating method and etching method; Various printing methods such as screen printing method, inkjet printing method, metal mask printing method; Plating method (electric plating method and electroless plating method); Lift-off method; Laser ablation method; Zol gel The law etc. can be mentioned. According to various printing methods and plating methods, it is possible to directly form the first electrode and the second electrode having a desired shape (pattern).
  • the second electrode When the second electrode is formed after the organic layer is formed, it may be formed based on a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small, or a film forming method such as a MOCVD method. , It is preferable from the viewpoint of preventing the occurrence of damage to the organic layer.
  • a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small
  • a film forming method such as a MOCVD method.
  • a protective layer is formed so as to cover the second electrode. Then, the flattening layer can be further formed on or above the protective layer. As described above, a flattening layer that functions as a wavelength selection unit may be provided.
  • a light-shielding portion may be provided between the light-emitting element and the light-emitting element.
  • the light-shielding material constituting the light-shielding portion light such as titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), aluminum (Al), and MoSi 2 can be shielded. Materials can be mentioned.
  • the light-shielding portion can be formed by an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like.
  • the layer) can be formed, whereby the generation of color mixing between adjacent light emitting elements can be reliably suppressed.
  • the light absorption layer (black matrix layer) is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant, or is also a thin film. It is composed of a thin film filter that utilizes the interference of.
  • the thin film filter is formed by stacking two or more thin films made of, for example, a metal, a metal nitride or a metal oxide, and attenuates light by utilizing the interference of the thin films.
  • Specific examples of the thin film filter include those in which Cr and chromium (III) oxide (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated.
  • acrylic resin and epoxy resin can be exemplified, and various inorganic materials (for example, SiO 2 , SiN, SiON, SiC, amorphous silicon ( ⁇ -Si), etc.) can be exemplified. Al 2 O 3 and TiO 2 ) can also be exemplified.
  • the protective layer and the flattening layer may be composed of a single layer or may be composed of a plurality of layers.
  • the protective layer and the flattening layer As a method for forming the protective layer and the flattening layer, it can be formed based on known methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including a sputtering method and a vacuum vapor deposition method, and various printing methods such as a screen printing method. .. Further, as a method for forming the protective layer and the flattening layer, an ALD (Atomic Layer Deposition) method can also be adopted.
  • the protective layer and the flattening layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be individually provided in each light emitting element.
  • the flattening layer and the second substrate are joined via, for example, a resin layer (sealing resin layer).
  • a resin layer laminated resin layer
  • heat-curable adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and cyanoacrylate adhesives and ultraviolet curable adhesives
  • the agent can be mentioned.
  • the resin layer (sealing resin layer) may also serve as a flattening layer.
  • the flattening layer may be in a form having a function as a color filter layer.
  • a flattening layer may be made of a well-known color resist material.
  • a transparent filter may be provided for the light emitting element that emits white color.
  • the flattening layer also function as a color filter layer in this way, the organic layer and the flattening layer (color filter layer) are close to each other, so that color mixing can be prevented even if the light emitted from the light emitting element is widened. It can be effectively achieved and the viewing angle characteristics are improved.
  • the color filter layer may be provided on or above the flattening layer and below or below the flattening layer independently of the flattening layer.
  • An ultraviolet absorbing layer, a contamination prevention layer, a hard coat layer, and an antistatic layer may be formed or protected on the outermost surface (specifically, for example, the outer surface of the second substrate) that emits light from the display device.
  • Members eg, cover glass
  • an insulating layer, an interlayer insulating layer, and an interlayer insulating material layer are formed, and the insulating materials constituting these are SiO 2 , NSG (non-doped silicate glass), and BPSG (boron phosphorus silicate).
  • SiO X- based materials silicon oxide film
  • SiN-based materials including SiON-based materials; SiOC; SiOF; SiCN.
  • inorganic insulating materials such as (Nb 2 O 5 ), tin oxide (SnO 2 ), and vanadium oxide (VO x).
  • fluorocarbon specifically, for example, fluorocarbon, cycloperfluorocarbon polymer, benzocyclobutene, cyclic fluororesin, polytetrafluoroethylene, amorphous tetrafluoroethylene, polyaryl ether, fluoride aryl ether, foot.
  • Polyimide polyimide
  • amorphous carbon parylene (polyparaxylylene), fullerene fluoride
  • Silk a trademark of The Dow Chemical Co., a coating type low dielectric constant interlayer insulating film material
  • Flare It is a trademark of Honeywell Electronic Materials Co., and a polyallyl ether (PAE) -based material
  • PAE polyallyl ether
  • the substrate may be composed of the materials described above.
  • various printing methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering method and vacuum vapor deposition method, screen printing method, plating method, electrodeposition method, immersion method, sol -It can be formed based on a known method such as a gel method.
  • the display device can be used, for example, as a monitor device constituting a personal computer, a television receiver, a mobile phone, a PDA (personal digital assistant), a monitor device incorporated in a game device, and a projector. It can be used as a display device built into the computer. Alternatively, it can be applied to electronic view finder (Electronic View Finder, EVF), head-mounted display (Head Mounted Display, HMD), eyewear, AR glass, EVR, for VR (Virtual Reality), MR. It can be applied to a display device for (Mixed Reality) or AR (Augmented Reality).
  • a display device can be configured.
  • the display device of the present disclosure can be used as a light emitting device to configure various lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device.
  • the first embodiment relates to the light emitting element of the present disclosure and the display device of the present disclosure.
  • FIG. 1A shows an energy bandgap diagram of a light emitting portion constituting the light emitting element of the first embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic partial cross-sectional view of the display device and the light emitting element of the first embodiment.
  • the light emitting element is composed of an organic electroluminescence element (organic EL element)
  • the display device is composed of an organic electroluminescence display device (organic EL display device). It is also an active matrix display device.
  • the light emitting layer includes an organic electroluminescence layer.
  • the light emitting element 10 of Example 1 or Examples 2 to 4 described later is First electrode 31, made of aluminum with a thickness of 0.1 ⁇ m, A second electrode 32 composed of a LiF layer having a thickness of 0.3 nm, a Ca layer having a thickness of 5 nm, and an Mg—Ag alloy layer having a thickness of 5 nm, and The light emitting portion 30 (organic layer 33) sandwiched between the first electrode 31 and the second electrode 32, At least have The light emitting unit 30 (organic layer 33) is located between at least two light emitting layers (first light emitting layer 33a and second light emitting layer 33b) and two light emitting layers 33a and 33b that emit different colors. It has an intermediate layer 33d located and The intermediate layer 33d contains a first organic material 33e having a hole transporting property and a second organic material 33f having an electron transporting property.
  • the bandgap energy of the first organic material 33e is BG HTM , and the material having the maximum bandgap energy among the materials constituting the two adjacent light emitting layers (first light emitting layer 33a and second light emitting layer 33b).
  • the energy bandgap diagram of the light emitting portion shown in FIG. 1A the energy bandgap of the first light emitting layer 33a, the second light emitting layer 33b, the third light emitting layer 33c described later, and the first organic material 33e is shown by a solid line. 2
  • the energy band gap of the organic material 33f is shown by a dotted line.
  • the display device of Example 1 or Examples 2 to 4 described later is composed of a plurality of light emitting elements arranged in a first direction and a second direction different from the first direction.
  • Each light emitting element 1st electrode 31, Second electrode 32 and The light emitting portion 30 (organic layer 33) sandwiched between the first electrode 31 and the second electrode 32 At least have The light emitting unit 30 (organic layer 33) is located between at least two light emitting layers (first light emitting layer 33a and second light emitting layer 33b) and two light emitting layers 33a and 33b that emit different colors. It has an intermediate layer 33d located and The intermediate layer 33d contains a first organic material 33e having a hole transporting property and a second organic material 33f having an electron transporting property.
  • the bandgap energy of the first organic material 33e is BG HTM , and the band of the material having the maximum bandgap energy among the materials constituting the two adjacent light emitting layers (first light emitting layer 33a and second light emitting layer 33b).
  • the gap energy is BG max , BG HTM- BG max ⁇ 0.2 eV To be satisfied.
  • the display device of Example 1 or Examples 2 to 4 described later is The first substrate 51, the second substrate 52, and It is located between the first substrate 51 and the second substrate 52, and is provided with a plurality of light emitting elements arranged in a two-dimensional manner. Each light emitting element is composed of the light emitting element 10 of Example 1 or Examples 2 to 4 described later.
  • the light from the light emitting unit 30 is emitted to the outside via the second substrate 52, or is emitted to the outside via the first substrate 51.
  • the display device of the first embodiment is a top emission type (top light emitting type) display device (top light emitting type display device) that emits light from the second substrate 52.
  • the light emitting unit 30 is composed of at least two light emitting layers (first light emitting layer 33a and second light emitting layer 33b) that emit light of different colors, and emits white light.
  • the organic layer 33 includes a blue light emitting layer (first light emitting layer 33a) that emits blue light (wavelength: 450 nm to 495 nm) and a red light emitting layer that emits red light (wavelength: 620 nm to 750 nm). It is composed of (second light emitting layer 33b) and an intermediate layer 33d provided between the blue light emitting layer (first light emitting layer 33a) and the red light emitting layer (second light emitting layer 33b).
  • a green light emitting layer (third light emitting layer 33c) that emits green light (wavelength: 495 nm to 570 nm) is provided on the side opposite to the intermediate layer 33d in contact with the blue light emitting layer (first light emitting layer 33a). These four layers are laminated.
  • the organic layer 33 is common to a plurality of light emitting elements. Then, the wavelength selection section that passes through the organic layer 33 (the light emitting portion 30) a red emitting such white (e.g., a red color filter layer CF R) and the red light emitting device 10R by combining are configured, white wavelength selection section passing through the organic layer 33 (the light emitting portion 30) a green emitting (e.g., a green color filter layer CF G) and the green light emitting element 10G by combining are configured, the organic layer 33 for emitting white
  • the blue light emitting element 10B is configured by combining (light emitting unit 30) and a wavelength selection unit (for example, a blue color filter layer CF B) that passes through blue.
  • a light emitting element unit (1 pixel) is configured by a combination of sub-pixels such as a red light emitting element 10R, a green light emitting element 10G, and a blue light emitting element 10B.
  • a light emitting element unit may be provided by a red light emitting element 10R, a green light emitting element 10G, a blue light emitting element 10B, and a light emitting element (or a light emitting element that emits complementary color light) that emits white (or a fourth color).
  • (1 pixel) may be configured.
  • the arrangement of the first light emitting element 10G, the second light emitting element 10R, and the third light emitting element 10B is a delta arrangement, but the arrangement is not limited to this.
  • the first electrode 31, the organic layer 33, and the second electrode 32 are sequentially formed on the substrate 26. Further, the substrate 26 is formed on the first substrate 51.
  • an insulating material such as SiO 2 , SiN, and SiON can be exemplified.
  • a drive circuit is provided below or below the substrate 26.
  • the drive circuit is composed of, for example, a transistor (specifically, for example, a MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate constituting the first substrate 51.
  • the transistor constituting the drive circuit and the first electrode 31 are connected via, for example, a contact hole (contact plug) 27A formed on the substrate 26, a pad portion 27C, and a contact hole (contact plug) 27B.
  • the first electrode 31 is provided for each light emitting element.
  • the organic layer 33 is commonly provided in the light emitting element.
  • the second electrode 32 is a common electrode in a plurality of light emitting elements. That is, the second electrode 32 is a so-called solid electrode.
  • the first substrate 51 is arranged below the substrate 26, and the second substrate 52 is arranged above the second electrode 32.
  • a light emitting element is formed on the first substrate side, and the light emitting portion 30 is provided on the substrate 26.
  • a protective layer 34 made of SiN having a thickness of 1 ⁇ m is formed so as to cover the second electrode 32, and a wavelength selection unit [color filter layer] made of a well-known material by a well-known method is formed on the protective layer 34.
  • CF CF R, CF G, CF B
  • a flattening layer 35 is formed on the wavelength selection unit (color filter layer CF), and the flattening layer 35 and the second substrate 52 are joined via, for example, a resin layer (sealing resin layer) 36.
  • the outer shapes of the light emitting unit 30 and the color filter layer CF are, for example, circular, but the shape is not limited to such a shape.
  • the material constituting the sealing resin layer 36 examples include heat-curable adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and cyanoacrylate adhesives, and ultraviolet curable adhesives. be able to.
  • the color filter layer CF is an OCCF (on-chip color filter layer) formed on the first substrate side. As a result, the distance between the organic layer 33 and the color filter layer CF can be shortened, and the light emitted from the organic layer 33 is incident on the adjacent color filter layer CF of another color to cause color mixing. Can be suppressed. In some cases, the flattening layer 35 may be omitted, and the color filter layer CF may be attached to the second substrate 52 via the sealing resin layer 36.
  • the organic layer 33 includes the red light emitting layer 33b, the intermediate layer 33d, the blue light emitting layer 33a, and the green light emitting layer 33c.
  • the organic layer 33 has a laminated structure of.
  • one light emitting element unit (one pixel) is composed of three light emitting elements, a red light emitting element 10R, a green light emitting element 10G, and a blue light emitting element 10B.
  • the organic layer 33 constituting the light emitting element 10 emits white light, the light-emitting elements 10R, 10G, 10B, the organic layer 33 and the color filter layer for emitting white light CF R, CF G, a combination of a CF B It is configured.
  • the red light-emitting elements 10R should display red is provided with a red color filter layer CF R
  • the green light emitting element 10G to be displayed green provided with a green color filter layer CF G
  • the blue light emitting element 10B which should display blue, is provided with a blue color filter layer CF B.
  • the red light emitting element 10R, the green light emitting element 10G, and the blue light emitting element 10B have substantially the same configuration and structure except for the configuration of the color filter layer and the arrangement position of the light emitting layer in the thickness direction of the organic layer.
  • the number of pixels is, for example, 1920 ⁇ 1080, one light emitting element (display element) constitutes one sub-pixel, and the light emitting element (specifically, an organic EL element) is three times the number of pixels.
  • a drive circuit is provided below the substrate 26 made of SiO 2 formed by the CVD method.
  • the drive circuit may have a well-known circuit configuration.
  • the drive circuit is composed of a transistor (specifically, a MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate corresponding to the first substrate 51.
  • the transistor 20 composed of the MOSFET includes a gate insulating layer 22 formed on the first substrate 51, a gate electrode 21 formed on the gate insulating layer 22, and a source / drain region 24 formed on the first substrate 51. It is composed of a channel forming region 23 formed between the source / drain region 24, and an element separation region 25 surrounding the channel forming region 23 and the source / drain region 24.
  • the substrate 26 is composed of a lower interlayer insulating layer 26A and an upper interlayer insulating layer 26B.
  • the transistor 20 and the first electrode 31 are attached to the contact plug 27A provided on the lower interlayer insulating layer 26A, the pad portion 27C provided on the lower interlayer insulating layer 26A, and the upper interlayer insulating layer 26B. It is electrically connected via the provided contact plug 27B.
  • one transistor 20 is shown for each drive circuit.
  • the second electrode 32 is a drive circuit (light emitting element drive unit) via a contact hole (contact plug) (not shown) formed on the substrate 26 on the outer peripheral portion of the display device (specifically, the outer peripheral portion of the pixel array portion). ) Is connected.
  • a contact hole contact plug
  • an auxiliary electrode connected to the second electrode 32 may be provided below the second electrode 32, and the auxiliary electrode may be connected to the drive circuit.
  • the first electrode 31 functions as an anode electrode
  • the second electrode 32 functions as a cathode electrode.
  • the first electrode 31 is composed of a light reflecting material layer, specifically, for example, an Al—Nd alloy layer, an Al—Cu alloy layer, an Al—Ti alloy layer and an ITO layer
  • the second electrode 32 is a laminated structure. It is made of a transparent conductive material such as ITO.
  • the first electrode 31 is formed on the substrate 26 based on a combination of a vacuum vapor deposition method and an etching method.
  • the second electrode 32 is formed by a film forming method such as a vacuum vapor deposition method in which the energy of the formed particles is small, and is not patterned.
  • the organic layer 33 is also not patterned.
  • the present invention is not limited to this.
  • the light emitting element 10 has a resonator structure having an organic layer 33 as a resonance portion.
  • the thickness of the organic layer 33 is 8 ⁇ 10 ⁇ . It is preferably 8 m or more and 5 ⁇ 10 -7 m or less, and more preferably 1.5 ⁇ 10 -7 m or more and 3.5 ⁇ 10 -7 m or less.
  • the red light emitting element 10R resonates the red light emitted by the light emitting layer to cause reddish light (the optical spectrum in the red region).
  • the green light emitting element 10G resonates the green light emitted in the light emitting layer, and emits greenish light (light having a peak in the optical spectrum in the green region) from the second electrode 32.
  • the blue light emitting element 10B resonates the blue light emitted in the light emitting layer, and emits bluish light (light having a peak in the optical spectrum in the blue region) from the second electrode 32.
  • a drive circuit is formed on a silicon semiconductor substrate (first substrate 51) based on a known MOSFET manufacturing process.
  • the lower interlayer insulating layer 26A is formed on the entire surface based on the CVD method. Then, a connection hole is formed in the portion of the lower interlayer insulating layer 26A located above one source / drain region 24 of the transistor 20 based on the photolithography technique and the etching technique, and the lower interlayer insulating layer 26A including the connection hole is formed.
  • a contact hole (contact plug) 27A and a pad portion 27C are formed by forming a conductive material layer on the surface based on, for example, a sputtering method, and further patterning the conductive material layer based on a photolithography technique and an etching technique. Can be done.
  • the upper interlayer insulating layer 26B is formed on the entire surface, and a connecting hole is formed in the portion of the upper interlayer insulating layer 26B located above the desired pad portion 27C based on the photolithography technique and the etching technique, and includes the connecting hole.
  • a conductive material layer is formed on the upper interlayer insulating layer 26B, for example, by a sputtering method, and then patterning the conductive material layer based on a photolithography technique and an etching technique, a first layer is formed on a part of the substrate 26.
  • the electrode 31 can be formed.
  • the first electrode 31 is separated for each light emitting element.
  • a contact hole (contact plug) 27B for electrically connecting the first electrode 31 and the transistor 20 can be formed in the connection hole.
  • the insulating layer 28 is placed on the substrate 26 between the first electrode 31 and the first electrode 31 based on the photolithography technique and the etching technique. Leave.
  • the organic layer 33 is formed on the first electrode 31 and the insulating layer 28 by, for example, a PVD method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method, a coating method such as a spin coating method or a die coating method, or the like. In some cases, the organic layer 33 may be patterned into a desired shape.
  • a PVD method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method
  • a coating method such as a spin coating method or a die coating method, or the like.
  • the organic layer 33 may be patterned into a desired shape.
  • the second electrode 32 is formed on the entire surface based on, for example, a vacuum vapor deposition method. In some cases, the second electrode 32 may be patterned into a desired shape. In this way, the organic layer 33 and the second electrode 32 can be formed on the first electrode 31.
  • the protective layer 34 is formed on the entire surface, and then the top surface of the protective layer 34 is flattened. Since the protective layer 34 can be formed based on the coating method, there are few restrictions on the processing process, the material selection range is wide, and a high refractive index material can be used. Thereafter, in a known manner, the color filter layer CF on the protective layer 34 (CF R, CF G, CF B) to form a.
  • the flattening layer 35 is formed on the color filter layer CF.
  • the flattening layer 35 and the second substrate 52 are bonded together by a sealing resin layer 36 made of an acrylic adhesive.
  • a sealing resin layer 36 made of an acrylic adhesive.
  • the light emitting element of the example and the light emitting element of the comparative example having the same configuration and structure were prototyped.
  • the materials constituting the first light emitting layer, the material constituting the second light emitting layer, the material constituting the third light emitting layer, and the second organic material in Examples and Comparative Examples are as shown in Table 1 below.
  • "BG" represents the bandgap energy (unit: eV).
  • "thickness” represents the thickness of each layer. Examples thereof include LiF as a material constituting the electron injection layer, Bfine as a material constituting the electron transport layer, ⁇ NPD as a material constituting the hole transport layer, and HAT-CN as a material constituting the hole injection layer. can.
  • the first organic material is as shown in Table 2 below.
  • Table 2 and FIG. 1B show the results of obtaining the external quantum efficiency ratio of the light emitting device having the light emitting unit composed of the various materials described above.
  • the horizontal axis of FIG. 1B indicates the value of ⁇ BG.
  • BG max 3.0 eV.
  • FIG. 1B "A” indicates the result of Example 1-A, “B” indicates the result of Example 1-B, “C” indicates the result of Example 1-C, and “d”.
  • “” Indicates the result of Comparative Example 1-d, "e” indicates the result of Comparative Example 1-e, and "f” indicates the result of Comparative Example 1-f.
  • the HOMO value of the first organic material 33e is HOMO HTM
  • the HOMO value of one adjacent light emitting layer 33a is HOMO 1
  • the HOMO value of the other adjacent light emitting layer 33b is HOMO 2 , hole accumulation.
  • FIG. 3 a schematic partial cross-sectional view of a modification 1 of the display device of the first embodiment is shown on the inner surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51, and the color filter layer CF (CF) is placed on the inner surface of the second substrate 52.
  • R, CF G, CF B) may be provided.
  • the color filter layer CF and the flattening layer 35 are bonded to each other by a sealing resin layer 36 made of an acrylic adhesive.
  • the flattening layer 35 may be omitted, and the color filter layer CF and the protective layer 34 may be bonded to each other by the sealing resin layer 36.
  • a schematic partial cross-sectional view of Modification 2 of the display device of Example 1 is a light absorption layer (black matrix layer) between the color filter layers CF of the adjacent light emitting elements. It can be in the form in which the BM is formed.
  • the black matrix layer BM is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant.
  • FIG. 5 a schematic partial cross-sectional view of a modification 3 of the display device of the first embodiment is shown in FIG. Matrix layer) BM'can also be formed. Further, these modified examples-2 and modified examples-3 can be combined, and various modified examples or combinations of these modified examples can be applied to other examples.
  • the flattening layer can also be in the form of having a function as a color filter layer. That is, the flattening layer having such a function may be made of a well-known color resist material.
  • the flattening layer also function as a color filter layer in this way, the organic layer and the flattening layer can be arranged close to each other, and even if the light emitted from the light emitting element is widened, color mixing is prevented. Can be effectively achieved, and the viewing angle characteristics are improved.
  • Example 2 is a modification of Example 1.
  • the display device of the second embodiment includes an optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit passes.
  • a schematic partial cross-sectional view of the display device and the light emitting element of the second embodiment is shown in FIGS. 6, 7, 8, 9, and 10.
  • an optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit passes may be provided.
  • the optical path control means is provided above or above the light emitting unit.
  • the optical path control means is formed above or above the protective layer, or the wavelength selection unit is formed above or above the protection layer and the optical path control means is above or above the wavelength selection unit. Is formed, or the optical path control means is formed on or above the protective layer, and the wavelength selection unit is formed on or above the optical path control means.
  • the optical path control means is provided on the first substrate side or the second substrate side. In the form in which the optical path control means is formed on the wavelength selection unit, a base layer for flattening the unevenness of the wavelength selection unit is formed between the wavelength selection unit and the optical path control means. Morphology is included.
  • the optical path control means may be, for example, a lens member, a hemisphere, or a part of a sphere, and broadly, a shape suitable for functioning as a lens. It can be in the form of a lens.
  • the optical path control means may be composed of a convex lens member (on-chip micro-convex lens) or a concave lens member (on-chip micro-concave lens).
  • the convex lens member and the concave lens member may be collectively referred to as a "lens member".
  • the lens member may be a spherical lens or an aspherical lens.
  • the convex lens member can be composed of a plano-convex lens
  • the concave lens member can be composed of a plano-concave lens
  • the lens member may be a refraction type lens or a diffraction type lens.
  • the four sides and one top surface of the rectangular parallelepiped have a convex shape, and the ridge portion where the side surfaces intersect is rounded.
  • the ridge portion where the top surface and the side surface intersect is also rounded, and the lens member having a rounded three-dimensional shape as a whole can be used.
  • the lens member can be obtained by melt-flowing the transparent resin material constituting the lens member, or by etching back, and can be obtained by etching back with a photolithography technique using a gray tone mask. It can be obtained by a combination of methods, or it can be obtained by a method such as forming a transparent resin material into a lens shape based on the nanoimprint method.
  • the material constituting the lens member include a high refraction resin material (for convex lens), a high refraction inorganic film (for convex lens), a low refraction resin material (for concave lens), and a low refraction inorganic film (for concave lens). Can be done.
  • the lens member (on-chip microlens) which is an optical path control means can be made of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polycarbonate resin, a polyimide resin, or a transparent inorganic material such as SiO 2. ..
  • the optical path control means may be formed of a light emission direction control member having a rectangular or isosceles trapezoidal cross-sectional shape when cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the thickness direction. can.
  • the optical path control means can be in the form of a light emission direction control member whose cross-sectional shape is constant or changes along the thickness direction thereof.
  • the display device In order to improve the light utilization efficiency of the display device as a whole, it is preferable to effectively collect the light at the outer edge of the light emitting element.
  • the effect of condensing light near the center of the light emitting element to the front is large, but the effect of condensing light near the outer edge of the light emitting element may be small.
  • the side surface of the light emission direction control member is surrounded by a material or layer having a refractive index n 2 lower than the refractive index n 1 of the material constituting the light emission direction control member. Therefore, the light emission direction control member has a function as a kind of lens, and moreover, the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member can be effectively enhanced.
  • the incident angle and the reflection angle are equal to each other, so that it is difficult to improve the extraction in the front direction.
  • the wave analysis (FDTD) the light extraction efficiency in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member is improved.
  • the light extraction efficiency in the front direction of the entire light emitting element is improved. Therefore, it is possible to achieve high efficiency of light emission of the display device. That is, it is possible to realize high brightness and low power consumption of the display device. Further, since the light emission direction control member has a flat plate shape, it is easy to form, and the manufacturing process can be simplified.
  • a cylindrical shape, an elliptical column shape, a long columnar shape, a cylindrical shape, a prismatic shape (including a hexagonal column, an octagonal column, and a prismatic shape with rounded edges) examples thereof include a truncated cone and a truncated prism (including a truncated prism with a rounded ridge).
  • Prism and truncated pyramids include regular prisms and truncated pyramids. The portion of the ridge where the side surface and the top surface of the light emission direction control member intersect may be rounded.
  • the bottom surface of the truncated pyramid shape may be located on the first substrate side or may be located on the second electrode side.
  • the planar shape of the light emission direction control member may specifically include a circle, an ellipse and an oval, and a polygon including a triangle, a quadrangle, a hexagon and an octagon.
  • the polygon includes a regular polygon (including a regular polygon such as a rectangle or a regular hexagon (honeycomb shape)).
  • the light emission direction control member can be made of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a polycarbonate resin, or a polyimide resin, or a transparent inorganic material such as SiO 2.
  • the cross-sectional shape of the side surface of the light emission direction control member in the thickness direction may be linear, convexly curved, or concavely curved. That is, the side surface of the prism or the truncated pyramid may be flat, may be curved in a convex shape, or may be curved in a concave shape.
  • An extending portion of the light emission direction control member having a thickness thinner than that of the light emission direction control member may be formed between the adjacent light emission direction control member and the light emission direction control member.
  • the top surface of the light emission direction control member may be flat, may have an upward convex shape, or may have a concave shape, but the image display area of the display device may be formed. From the viewpoint of improving the brightness in the front direction of the (display panel), it is preferable that the top surface of the light emission direction control member is flat.
  • the light emission direction control member can be obtained, for example, by a combination of a photolithography technique and an etching method, or can be formed based on a nanoprint method.
  • the size of the planar shape of the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the size of the planar shape of the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or one. The values may be the same in the two sub-pixels except for the sub-pixels, or may be different values in the three sub-pixels. Further, the refractive index of the material constituting the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the refractive index of the material constituting the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel. The values may be the same in the two sub-pixels except for one sub-pixel, or may be different in the three sub-pixels.
  • the planar shape of the light emission direction control member is preferably similar to the light emitting region, or the light emission region is preferably included in the normal projection image of the light emission direction control member.
  • the normal projection image is a normal projection image when projected onto the first substrate, and the same applies to the following.
  • the side surface of the light emission direction control member is vertical or substantially vertical.
  • the inclination angle of the side surface of the light emission direction control member is 80 degrees to 100 degrees, preferably 81.8 degrees or more, 98.2 degrees or less, more preferably 84.0 degrees or more, and 96.0 degrees.
  • 86.0 degrees or more, 94.0 degrees or less, particularly preferably 88.0 degrees or more, 92.0 degrees or less, and most preferably 90 degrees can be exemplified.
  • the average height of the light emission direction control member can be exemplified as 1.5 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less, thereby effectively enhancing the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member. Can be done.
  • the height of the light emission direction control member may be changed depending on the light emitting element. For example, when one pixel is composed of three sub-pixels, the height of the light emission direction control member may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or one sub-pixel may be used. Except for the two sub-pixels, the same value may be used, or the three sub-pixels may have different values.
  • the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members is 0.4 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less, preferably 0.6 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less, more preferably 0.8 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less. More preferably, 0.8 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less can be mentioned.
  • the minimum value of the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members is about the same as the lower limit value of the wavelength band of visible light.
  • the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member can be effectively enhanced.
  • the maximum value of the shortest distance between the side surfaces of the adjacent light emission direction control members as 1.2 ⁇ m, the size of the light emission direction control member can be reduced, and as a result, the outer edge of the light emission direction control member can be reduced. The light-collecting effect in the vicinity of the portion can be effectively enhanced.
  • the distance between the centers of adjacent light emission direction control members is preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and by setting it to 10 ⁇ m or less, the wave nature of light is remarkably exhibited, so that the light emission direction It is possible to impart a high light-collecting effect to the control member.
  • the maximum distance (maximum distance in the height direction) from the light emitting unit to the bottom surface of the light emitting direction control member is more than 0.35 ⁇ m and 7 ⁇ m or less, preferably 1.3 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or less, more preferably 2.8 ⁇ m or more. , 7 ⁇ m or less, more preferably 3.8 ⁇ m or more, and 7 ⁇ m or less.
  • the maximum distance from the light emitting portion to the light emitting direction control member exceeds 0.35 ⁇ m, the light collecting effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emitting direction controlling member can be effectively enhanced.
  • the maximum distance from the light emitting unit to the light emitting direction control member is 7 ⁇ m or less, deterioration of the viewing angle characteristic can be suppressed.
  • the number of light emission direction control members for one pixel is essentially arbitrary, and may be 1 or more.
  • one light emission direction control member may be provided corresponding to one sub-pixel, or one light may be provided corresponding to a plurality of sub-pixels.
  • An emission direction control member may be provided, or a plurality of light emission direction control members may be provided corresponding to one sub-pixel.
  • p ⁇ q light emission direction control members are provided corresponding to one sub-pixel, the values of p and q may be 10 or less, 5 or less, and 3 or less.
  • the optical path control means may be composed of a light reflecting member.
  • the light reflecting member include a single metal such as aluminum (Al) and silver (Ag), an alloy, and a dielectric multilayer film.
  • the light reflecting member is from a light emitting unit.
  • the material have a refractive index such that when light passes through the flattening layer and the coating layer and collides with the light reflecting member, the light is totally reflected by the light reflecting member.
  • the light reflecting member may be in the form of filling between the coating layer and the coating layer, for example.
  • the light reflecting member preferably has a forward taper shape (a shape extending from the light incident surface side toward the light emitting surface side).
  • the cross section of the forward-tapered slope when the light-reflecting member is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the axis of the light-reflecting member may be composed of a curved line or a line segment. ..
  • the orthophoto image of the optical path control means can be in a form that matches the orthophoto image of the wavelength selection unit, or can be included in the orthophoto image of the wavelength selection unit. By adopting the latter configuration, it is possible to reliably suppress the occurrence of color mixing between adjacent light emitting elements.
  • the light emitting light constituting the display device is formed.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 may be non-zero in at least a part of the element.
  • the reference point (reference area) P is assumed, the distance D 0 is a distance D 1 of the reference point from (reference area) P to the normal line LN passing through the center of the light emitting portion It can be a dependent form.
  • the reference point (reference region) may include a certain degree of spread.
  • the various normals are vertical lines with respect to the light emitting surface of the display device.
  • the center of the light emitting portion refers to the area center of gravity of the region where the first electrode and the organic layer are in contact with each other.
  • the value of D 0 may be the same value in the three sub-pixels constituting one pixel, or two sub-pixels except one sub-pixel. The same value may be used for the pixels, or different values may be used for the three sub-pixels.
  • the light (image) emitted from the entire display device is a focusing system or a divergent system depends on the specifications of the display device, and the degree of viewing angle dependence and wide viewing angle characteristics of the display device. Depends on what is required.
  • FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view of the display device of the second embodiment, the lens member (on-chip microlens) 60, which is an optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit 30 passes, emits light.
  • the lens member (on-chip microlens) 60 which is an optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit 30 passes, emits light.
  • the color filter layer CF provided on the protective layer 34.
  • the protective layer 34 and the lens member 60 are covered with the flattening layer 35, and the flattening layer 35 and the second substrate 52 are joined via, for example, a resin layer (sealing resin layer) 36.
  • the lens member 60 can be manufactured, for example, by the following method. That is, a lens member forming layer for forming the lens member 60 is formed on the color filter layer CF, and a resist material layer is formed on the lens member forming layer. Then, the resist material layer is patterned and further heat-treated to form the resist material layer into a lens member shape. Next, by etching back the resist material layer and the lens member forming layer, the shape formed in the resist material layer is transferred to the lens member forming layer. In this way, the lens member 60 can be obtained.
  • FIG. 7 a schematic partial cross-sectional view is shown on the surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51.
  • the lens member 60 and the second substrate 52 are covered with a flattening layer 35', and the flattening layer 35'and the color filter layer CF are, for example, a resin layer (sealing resin layer) 36. 'It is joined through.
  • the light emission direction control member 61 which is an optical path control means, is above the light emitting unit 30. Specifically, it is provided on the color filter layer CF provided on the protective layer 34.
  • the protective layer 34 and the light emission direction control member 61 are covered with the flattening layer 35, and the flattening layer 35 and the second substrate 52 are joined via, for example, a resin layer (sealing resin layer) 36.
  • the cross-sectional shape of the light emission direction control member 61 when the light emission direction control member is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the thickness direction of the light emission direction control member 61 is rectangular.
  • the three-dimensional shape of the light emission direction control member 61 is, for example, a cylindrical shape. If the refractive index of the material constituting the light emission direction control member 61 is n 1 and the refractive index of the material constituting the flattening layer 35 is n 2 ( ⁇ n 1 ), the light emission direction control member 61 is the flattening layer. Since it is surrounded by 35, the light emission direction control member 61 has a function as a kind of lens, and moreover, the light collection effect in the vicinity of the outer edge portion of the light emission direction control member 61 can be effectively enhanced. Further, since the light emission direction control member 61 has a flat plate shape, it is easy to form, and the manufacturing process can be simplified.
  • the light emission direction control member 61 may be surrounded by a material different from the material constituting the flattening layer 35 as long as the refractive index condition (n 2 ⁇ n 1) is satisfied.
  • the light emission direction control member 61 may be surrounded by, for example, an air layer or a pressure reducing layer (vacuum layer).
  • FIG. 9 a schematic partial cross-sectional view is shown between the optical path control means 60 and 61 of the adjacent light emitting elements, and the light absorption layer (black). It is also possible to form a form in which the matrix layer) BM ”is formed, whereby the generation of color mixing between adjacent light emitting elements can be reliably suppressed.
  • the optical path control means may be configured from the light reflection member 62.
  • the light reflecting member 62 include simple substances or alloys of metals such as aluminum (Al) and silver (Ag), and dielectric multilayer films.
  • refraction such that the light from the light emitting unit 30 passes through the coating layer 34 and the flattening layer 35 and is totally reflected by the light reflecting member 62 when colliding with the light reflecting member 62.
  • the light reflecting member 62 constituting the optical path control means fills the space between the flattening layer 35 and the flattening layer 35.
  • the light reflecting member 62 has a forward taper shape (a shape extending from the light incident surface side toward the light emitting surface side).
  • the cross section of the forward-tapered slope when the light-reflecting member 62 is cut in a virtual plane (vertical virtual plane) including the axis of the light-reflecting member 62 may be composed of a curved line, or as shown in FIG. It may be composed of a line segment.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting unit 30 and the normal LN'passing through the centers of the optical path control means 60 and 61 when the distance between the (offset) as the D 0, at least part of the light emitting element 10 constituting a display device, a distance (offset amount) a value of D 0 may be in the form not zero.
  • the straight line LL is a straight line connecting the center of the light emitting unit 30 and the center of the optical path control means 60, 61.
  • the center of the light emitting unit 30 refers to the area center of gravity of the region where the first electrode 31 and the organic layer 33 are in contact with each other.
  • the optical path control means 60 and 61 may be collectively expressed by the optical path control means 60.
  • a reference point (reference region) P is assumed, and the distance D 0 may depend on the distance D 1 from the reference point (reference region) P to the normal LN passing through the center of the light emitting unit 30. can.
  • the reference point (reference region) may include a certain degree of spread.
  • the various normals are vertical lines with respect to the light emitting surface of the display device.
  • the reference point P can be configured as assumed in the display panel, and in this case, the reference point P is the central region of the display panel. It can be configured not to be located at, or the reference point P can be configured to be located in the central region of the display panel, and in these cases, one reference point P. Can be assumed, or a plurality of reference points P can be assumed. In these cases, the value of the distance D 0 in a part of the light-emitting element is 0, the value of the distance D 0 in the remaining light-emitting element can have a structure not zero.
  • the reference point P when one reference point P is assumed, the reference point P can be configured not to be included in the central region of the display panel. Alternatively, the reference point P can be configured to be included in the central region of the display panel. Further, when a plurality of reference points P are assumed, at least one reference point P can be configured not to be included in the central region of the display panel.
  • the reference point P can be configured to be assumed on the outside (outside) of the display panel, and in this case, one reference point P can be configured to be assumed, or also. It is possible to have a configuration in which a plurality of reference points P are assumed. In these cases, the value of the distance D 0 can be non-zero in all the light emitting elements.
  • the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means 60 converges on a certain region of the space outside the display device. It can be in the form of (condensing) (condensing), or the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means 60 is emitted in the space outside the display device. Or, the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means 60 can be in the form of parallel light.
  • the value of the distance (offset amount) D 0 may be different depending on the position where the light emitting element occupies the display panel.
  • the reference point P is set,
  • the plurality of light emitting elements are arranged in a first direction and a second direction different from the first direction.
  • D 1 be the distance from the reference point P to the normal LN passing through the center of the light emitting part
  • D 0-X and D 0-Y be the respective values of the distance D 0 in the first direction and the second direction.
  • the values of the first direction and the second direction of the distance D 1 are D 1-X and D 1-Y , respectively.
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed linearly, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed linearly, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes nonlinearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly, or, D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear, D 0-Y with respect to the change in D 1-Y can be in the form of changes nonlinearly.
  • the value of the distance D 0 can be increased as the value of the distance D 1 increases. That is, in the display device of the second embodiment, The reference point P is set, The distance from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting portion when the D 1, as the value of the distance D 1 is increased, it is possible that the value of the distance D 0 is a form increases.
  • the D 0-X with respect to the change in D 1-X changes linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y varies linearly
  • the D 0-X k X ⁇ D 1-X
  • D 0-Y k Y ⁇ D 1-Y Means that holds true.
  • k X and k Y are constants. That is, D 0-X and D 0-Y change based on the linear function.
  • the D 0-X with respect to the change in D 1-X changes nonlinearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y varies linearly
  • the D 0-X f X (D 1-X )
  • D 0-Y f Y (D 1-Y ) Means that holds true.
  • f X and f Y are functions that are not linear functions (for example, quadratic functions).
  • changes in the D 0-X with respect to a change in D 1-X may be a step change.
  • the change when the step-like change is viewed as a whole, the change may be in a form in which the change changes linearly, or may be in a form in which the change changes non-linearly.
  • the change in D 0-X with respect to a change in D 1-X a change in the D 0-Y to changes in D 1-Y , It may be unchanged or it may be a constant change.
  • the number of light emitting elements in one region is not limited, but 10 ⁇ 10 can be mentioned.
  • the reference point P is assumed in the display device. That is, the normal projection image of the reference point P is included in the image display area (display panel) of the display device, but the reference point P is not located in the central area of the display device (display area of the display device, display panel). ..
  • the central region is indicated by a black triangle mark
  • the light emitting element is indicated by a square mark
  • the center of the light emitting unit 30 is indicated by a black square mark.
  • one reference point P is assumed. The positional relationship between the light emitting element 10 and the reference point P is schematically shown in FIGS.
  • the reference point P is indicated by a black circle.
  • one reference point P is assumed, and in FIG. 12B, a plurality of reference points P (two reference points P 1 and P 2 are shown in FIG. 12B) are assumed. .. Since the reference point P may include some extent, the value of the distance D 0 is 0 at some light emitting elements (specifically, one or more light emitting elements included in the normal projection image of the reference point P). The value of the distance D 0 is not 0 in the remaining light emitting elements. The value of the distance (offset amount) D 0 differs depending on the position occupied by the light emitting element on the display panel.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the optical path control means 60 is converged (condensed) to a certain area of the space outside the display device.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the optical path control means 60 is emitted in the space outside the display device.
  • the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the optical path control means 60 is parallel light. Whether the light that has passed through the optical path control means 60 is convergent light, divergent light, or parallel light is based on the specifications required for the display device. Then, based on this specification, the power of the optical path control means 60 and the like may be designed.
  • the position of the space in which the image emitted from the display device is formed may or may not be on the normal line of the reference point P, and is displayed. It depends on the specifications required for the device. In order to control the display dimension, display position, etc. of the image emitted from the display device, an optical system through which the image emitted from the display device passes may be arranged. What kind of optical system is arranged also depends on the specifications required for the display device, but for example, an imaging lens system can be exemplified.
  • the reference point P is set, and the plurality of light emitting elements 10 have a first direction (specifically, an X direction) and a second direction different from the first direction. They are arranged in the direction (specifically, the Y direction). Then, the distance from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting unit 30 is set to D 1, and the respective values of the distance D 0 in the first direction (X direction) and the second direction (Y direction) are set.
  • D 0-X and D 0-Y are used and the values of the first direction (X direction) and the second direction (Y direction) of the distance D 1 are D 1-X and D 1-Y , respectively.
  • D 0-X with respect to changes in the [A] D 1-X is changed linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary linearly
  • D 0-X is changed linearly relative to changes in the [B] D 1-X
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary nonlinearly
  • D 0-X to changes in [C] D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y is may be designed to vary linearly
  • [D] D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y may be designed to vary nonlinearly.
  • the distance D 0 increases as the value of the distance D 1 increases. It may be designed to increase the value.
  • the changes in D 0-X and D 0-Y depending on the changes in D 1-X and D 1-Y may be determined based on the specifications required for the display device.
  • these orthophoto images are orthophoto images with respect to the first substrate.
  • the outer shapes of the light emitting unit 30, the color filter layer CF, and the optical path control means 60 are circular for convenience, but are not limited to such shapes.
  • the value of the distance D 0 is not zero, for example, as shown in FIG. 18B, the color filter layer CF R, CF G, a normal line LN "passing through the center of the CF B, the center of the light emitting portion It is consistent with the normal LN passing through.
  • the display device is set when the distance between the normal line LN passing through the center of the light emitting unit and the normal line LN'passing through the center of the optical path control means is D 0. Since the value of the distance D 0 is not 0 in at least a part of the constituent light emitting elements, the direction of the light emitted from the light emitting layer and passing through the optical path control means depends on the position of the light emitting element in the display device. It can be controlled reliably and accurately. That is, it is possible to reliably and accurately control to which region of the external space the image from the display device is emitted in what state.
  • the optical path control means it is possible not only to increase the brightness (luminance) of the image emitted from the display device and prevent color mixing between adjacent pixels, but also to obtain light according to the required viewing angle. Can be appropriately diverged, and the life of the light emitting element and the display device can be extended and the brightness can be increased. Therefore, it is possible to reduce the size, weight, and quality of the display device.
  • the applications for eyewear, AR (Augmented Reality) glass, and EVR will be greatly expanded.
  • the reference point P is assumed to be outside the display device.
  • the positional relationship between the light emitting element 10 and the reference points P, P 1 , and P 2 is schematically shown in FIGS. 13A and 13B, but one reference point P can be assumed (see FIG. 13A). ), or alternatively, it may be a structure in which a plurality of reference points P (showing two reference points P 1, P 2 in FIG. 13B) is assumed.
  • the two reference points P 1, P 2 are arranged in two-rotation symmetric.
  • at least one reference point P is not included in the central region of the display panel.
  • the two reference points P 1, P 2 is not included in the central region of the display panel. (Specifically, one or more light emitting elements included in the reference point P) portion of the light emitting element value of the distance D 0 in is 0, the value of the distance D 0 in the remaining light-emitting element not zero. With respect to the distance D 1 of the from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting portion 30, the distance D 1 the distance between the reference point P closer to the normal LN passing through the center of a certain light emitting unit 30 do. Alternatively, the value of the distance D 0 is not 0 in all the light emitting elements.
  • the distance D 1 of the from the reference point P to the normal line LN passing through the center of the light emitting portion 30 do. Then, in these cases, the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the optical path control means 60 converges (condenses) on a certain region of the space outside the display device. Alternatively, the light emitted from each light emitting element 10 and passing through the optical path control means 60 is emitted in the space outside the display device.
  • one optical path control means may be shared by a plurality of light emitting elements.
  • a light emitting element may be arranged at each of the vertices of an equilateral triangle (a total of three light emitting elements are arranged), and one optical path control means may be shared by these three light emitting elements, or each of the vertices of the rectangle may be shared.
  • a light emitting element may be arranged in (a total of four light emitting elements are arranged), and one optical path control means may be shared by these four light emitting elements.
  • a plurality of optical path control means may be provided for one light emitting unit.
  • the normal LN that passes through the center of the wavelength selection section does not match the normal LN that passes through the center of the light emitting section, and the wavelength
  • the normal line LN ”passing through the center of the selection unit and the normal line LN ′ passing through the center of the optical path control means may be in a form that does not match.
  • the center of the wavelength selection unit refers to the area center of gravity point of the area occupied by the wavelength selection unit.
  • the planar shape of the wavelength selection part is circular, elliptical, square (including a square with rounded corners), rectangular (including a rectangle with rounded corners), and a regular polygon (corner part).
  • the center of these figures corresponds to the center of the wavelength selection part, and if a part of these figures is a notched figure, it is notched. If the center of the figure that complements the part corresponds to the center of the wavelength selection part and these figures are connected, the connected part is removed and the center of the figure that complements the removed part is the center of the wavelength selection part. Corresponds to the center.
  • the center of the optical path control means refers to the area center of gravity point of the area occupied by the optical path control means.
  • the planar shape of the optical path control means is circular, elliptical, square (including a square with rounded corners), rectangular (including a rectangular with rounded corners), and a regular polygon (corners). In the case of (including a rounded regular polygon), the center of these figures corresponds to the center of the optical path control means.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60 coincide with each other.
  • d 0 is between the normal LN passing through the center of the light emitting section and the normal LN passing through the center of the wavelength selection section.
  • Distance (offset amount) is the offset amount
  • the values of d 0 and D 0 may be the same in the three sub-pixels constituting one pixel, except for one sub-pixel.
  • the two sub-pixels may have the same value, or the three sub-pixels may have different values.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting portion and the normal LN passing through the center of the wavelength selection section coincide with each other, but the normal LN passing through the center of the light emitting section is coincident with each other.
  • the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60 are one.
  • the conceptual diagram coincides with the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60.
  • the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60 does not match the normal LN passing through the center of the light emitting portion and the normal LN passing through the center of the wavelength selection section.
  • the center of the wavelength selection unit (indicated by a black square mark in FIG. 19) may be located on the straight line LL connecting the center of the light emitting unit and the center of the optical path control means 60 (indicated by a black circle in FIG. 19). preferable.
  • the distance from the center of the light emitting unit in the thickness direction to the center of the wavelength selection unit is LL 1
  • the distance from the center of the wavelength selection unit in the thickness direction to the center of the optical path control means 60 is LL 2 .
  • the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60 coincide with each other.
  • the conceptual diagram is one of the normal LN passing through the center of the light emitting unit, the normal LN passing through the center of the wavelength selection unit, and the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60.
  • the normal LN'passing through the center of the optical path control means 60 does not match the normal LN passing through the center of the light emitting portion and the normal LN passing through the center of the wavelength selection section.
  • the center of the wavelength selection unit is located on the straight line LL connecting the center of the light emitting unit and the center of the optical path control means 60.
  • the distance from the center of the light emitting unit in the thickness direction to the center of the wavelength selection unit is LL 1
  • the optical path control means 60 is from the center of the wavelength selection unit in the thickness direction.
  • Example 4 is a modification of Examples 1 to 3, and the display device of Example 4 has a resonator structure. That is, it is preferable that the organic EL display device has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency.
  • the organic layer 33 may be used as a resonance portion, and the resonator structure may be sandwiched between the first electrode 31 and the second electrode 32, or may be below the first electrode 31 ( A light reflecting layer 37 is formed (on the side of the first substrate 51), an interlayer insulating material layer 38 is formed between the first electrode 31 and the light reflecting layer 37, and the organic layer 33 and the interlayer insulating material layer 38 are used as resonance portions.
  • the resonator structure may be sandwiched between the light reflecting layer 37 and the second electrode 32. That is, when the light reflecting layer 37 is provided on the substrate 26, the interlayer insulating material layer 38 is provided on the light reflecting layer 37, and the first electrode 31 is provided on the interlayer insulating material layer 38, the first electrode 31
  • the interlayer insulating material layer 38 may be made of the above-mentioned material.
  • the light reflecting layer 37 may or may not be connected to the contact hole (contact plug) 27.
  • a first interface composed of an interface between the first electrode and the organic layer (or an interlayer insulating material layer is provided under the first electrode, and a light reflection layer is provided under the interlayer insulating material layer.
  • a first interface formed by the interface between the light reflecting layer and the interlayer insulating material layer and the second interface formed by the interface between the second electrode and the organic layer.
  • the light emitted from the light emitting layer is resonated, and a part of the light is emitted from the second electrode.
  • the optical distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface is OL 1
  • the optical distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the second interface is OL 2
  • m 1 and m 2 are integers.
  • the configuration can satisfy the following equations (1-1) and (1-2).
  • ⁇ Maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the light emitting layer (or the desired wavelength of the light generated in the light emitting layer)
  • ⁇ 1 Phase shift amount of light reflected at the first interface (unit: radian).
  • -2 ⁇ ⁇ 1 ⁇ 0 ⁇ 2 Phase shift amount of light reflected at the second interface (unit: radian).
  • the value of m 1 is larger than or equal to zero
  • the value of m 2 is independently a value of m 1, is a value of 0 or more
  • (m 1, m 2) (0,0 )
  • (M 1 , m 2 ) (0, 1)
  • (m 1 , m 2 ) (1, 0)
  • the distance L 1 from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface, and is the second from the maximum light emitting position of the light emitting layer.
  • the distance L 2 to the interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the second interface.
  • the optical distance is also referred to as an optical path length, and generally refers to n ⁇ L when a light ray passes through a medium having a refractive index n by a distance L. The same applies to the following.
  • the average refractive index n ave is the sum of the products of the refractive index and the thickness of each layer constituting the organic layer (or the organic layer, the first electrode, and the interlayer insulating material layer), and the organic layer (or organic). It is divided by the thickness of the layer, the first electrode, and the interlayer insulating material layer).
  • the desired wavelength ⁇ (specifically, for example, the wavelength of red, the wavelength of green, and the wavelength of blue) in the light generated in the light emitting layer is determined, and the formulas (1-1) and (1-2) are used.
  • the light emitting element may be designed by obtaining various parameters such as OL 1 and OL 2 in the light emitting element based on the above.
  • the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode absorb a part of the incident light and reflect the rest. Therefore, a phase shift occurs in the reflected light.
  • the phase shift amounts ⁇ 1 and ⁇ 2 the values of the real and imaginary parts of the complex refractive index of the material constituting the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode are measured using, for example, an ellipsometer, and these are measured. It can be calculated by performing a calculation based on the value (see, for example, "Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)).
  • the refractive index of can also be determined by measuring with an ellipsometer.
  • Materials constituting the light reflecting layer include aluminum, aluminum alloys (for example, Al—Nd and Al—Cu), Al / Ti laminated structure, Al—Cu / Ti laminated structure, chromium (Cr), silver (Ag), and silver. Alloys (eg, Ag-Cu, Ag-Pd-Cu, Ag-Sm-Cu) can be mentioned, for example, an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, and a CVD method.
  • It can be formed by a method or an ion plating method; a plating method (electroplating method or an electrolytic plating method); a lift-off method; a laser ablation method; a sol-gel method or the like.
  • a base layer made of, for example, TiN in order to control the crystal state of the light-reflecting layer to be formed.
  • a red light emitting element composed of an organic layer that emits white light [in some cases, an organic layer that emits white light]
  • a red light emitting element configured by combining with a red color filter layer (or a flattening layer that functions as a red color filter layer)] resonates the red light emitted by the light emitting layer to produce reddish light (or reddish light).
  • Light having a peak in the optical spectrum in the red region) is emitted from the second electrode.
  • a green light emitting element composed of an organic layer that emits white light [in some cases, an organic layer that emits white light and a green color filter layer (or a flattening layer that functions as a green color filter layer) are combined.
  • the green light emitting element configured by these means resonates the green light emitted by the light emitting layer, and emits greenish light (light having a peak of the optical spectrum in the green region) from the second electrode.
  • a blue light emitting element composed of an organic layer that emits white light [in some cases, an organic layer that emits white light and a blue color filter layer (or a flattening layer that functions as a blue color filter layer) is provided.
  • the blue light emitting element configured by combining] resonates the blue light emitted by the light emitting layer, and emits bluish light (light having a peak of the optical spectrum in the blue region) from the second electrode. .. That is, the desired wavelength ⁇ (specifically, the wavelength of red, the wavelength of green, the wavelength of blue) in the light generated in the light emitting layer is determined, and the formulas (1-1) and (1-2) are used. Based on the above, various parameters such as OL 1 and OL 2 in each of the red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element may be obtained, and each light emitting element may be designed.
  • the first electrode and the second electrode have the same thickness in each light emitting portion.
  • the first electrode has a different thickness in each light emitting portion, and the second electrode has the same thickness in each light emitting portion.
  • the first electrode may have a different thickness in each light emitting portion or may have the same thickness, and the second electrode may have the same thickness in each light emitting portion.
  • the first light emitting element 10 1 represented by the second reference number 30 1 a light-emitting portion constituting the light-emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3, 30 2, 30 3,
  • the first electrode expressed by reference numeral 31 1, 31 2, 31 3, reference number 32 1 and the second electrode, 32 represents a two
  • 32 3 represents an organic layer by reference numeral 33 1, 33 2, 33 3
  • the materials used are examples and can be changed as appropriate.
  • All of the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3 may have a wavelength selection unit, or two light emitting elements except one light emitting element have a wavelength selection unit. It may be necessary, or all three light emitting elements may not have a wavelength selection unit.
  • FIG. 22A A conceptual diagram of a light emitting element having a first example of the resonator structure is shown in FIG. 22A
  • FIG. 22B a conceptual diagram of a light emitting element having a second example of the resonator structure is shown in FIG. 22B
  • a light emitting element having a third example of the resonator structure is shown.
  • FIG. 23A A conceptual diagram of the element is shown in FIG. 23A
  • a conceptual diagram of a light emitting element having a fourth example of the resonator structure is shown in FIG. 23B.
  • the interlayer insulating material layer 38, 38' is formed under the first electrode 31 of the light emitting portion 30, and the interlayer insulating material layer 38, 38'is formed.
  • a light reflecting layer 37 is formed below.
  • the thicknesses of the interlayer insulating material layers 38 and 38' are different in the light emitting portions 30 1 , 30 2 and 30 3.
  • an interlayer insulating material layer 38 1, 38 2, 38 3, 38 1 ', 38 2', 38 3 the thickness of the 'by appropriately setting, the optimum resonance to the emission wavelength of the light emitting portion 30 The resulting optical distance can be set.
  • the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3 (in the drawings, shown in dotted lines) the first interface while is the same level
  • the second interface (in the drawings, shown by the one-dot chain line)
  • the level of is different in the light emitting units 30 1 , 30 2 , 30 3 .
  • the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3 while the first interface is different levels, the level of the second interface is the same in the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3 be.
  • the interlayer insulating material layer 38 1 ', 38 2', 38 3 ', the surface of the light reflecting layer 37 is composed of an oxide film which is oxidized.
  • the interlayer insulating material layer 38'consisting of an oxide film is composed of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide and the like, depending on the material constituting the light reflecting layer 37.
  • Oxidation of the surface of the light reflecting layer 37 can be performed by, for example, the following method. That is, the first substrate 51 on which the light reflecting layer 37 is formed is immersed in the electrolytic solution filled in the container. Further, the cathode is arranged so as to face the light reflecting layer 37.
  • the light reflecting layer 37 is anodized with the light reflecting layer 37 as an anode.
  • the thickness of the oxide film due to anodization is proportional to the potential difference between the light reflecting layer 37, which is the anode, and the cathode. Therefore, anodic oxidation in a state in which a voltage corresponding to the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3 in each of the light-reflecting layer 37 1, 37 2, 37 3 is applied.
  • an interlayer insulating material layer 38 1 made of different oxide film thicknesses', 38 2 ', 38 3', can be collectively form on the surface of the light reflecting layer 37.
  • the base film 39 has the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3, a different thickness. That is, in the illustrated example, the thickness of the base film 39 is thicker in the order of the light emitting unit 30 1 , the light emitting unit 30 2 , and the light emitting unit 30 3.
  • the light reflective layer 37 1 at the time of film formation, 37 2, 37 thickness of 3 is different in the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3.
  • the second interface is the same level, the level of the first interface, the light emitting unit 30 1, 30 2, 30 3 different.
  • the thicknesses of the first electrodes 31 1 , 31 2 and 31 3 are different in the light emitting portions 30 1 , 30 2 and 30 3 .
  • the light reflecting layer 37 has the same thickness in each light emitting portion 30.
  • the level of the first interface is the same in the light emitting units 30 1 , 30 2 and 30 3 , while the level of the second interface is different in the light emitting parts 30 1 , 30 2 and 30 3 .
  • the base film 39 is disposed under the light reflecting layer 37, and the base film 39 has different thicknesses in the light emitting portions 30 1 , 30 2 , and 30 3. That is, in the illustrated example, the thickness of the base film 39 is thicker in the order of the light emitting unit 30 1 , the light emitting unit 30 2 , and the light emitting unit 30 3.
  • the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 also serve as a light reflecting layer, and the optical constants (specifically, the phases) of the materials constituting the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 are phased.
  • the shift amount) is different in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 .
  • the first electrode 31 1 of the light emitting portion 30 1 composed of copper (Cu)
  • the first electrode 31 3 of the first electrode 31 2 and the light emitting portion 30 3 of the light emitting portion 30 2 of aluminum (Al) Just do it.
  • the first electrode 31 1, 31 2 serves as a light reflecting layer (specifically, the amount of phase shift) optical constant of the material forming the first electrode 31 1, 31 2 ,
  • the light emitting units 30 1 and 30 2 are different.
  • the first electrode 31 1 of the light emitting portion 30 1 composed of copper (Cu)
  • the seventh example is applied to the light emitting unit 30 1, 30 2, it is applied a first example the light emitting portion 30 3.
  • the thicknesses of the first electrodes 31 1 , 31 2 and 31 3 may be different or the same.
  • the present disclosure has been described above based on preferable examples, the present disclosure is not limited to these examples.
  • the configuration and structure of the display device (organic EL display device) and the light emitting element (organic EL element) described in the examples are examples, which can be appropriately changed, and the manufacturing method of the display device is also an example. , Can be changed as appropriate.
  • the drive circuit (light emitting element drive unit) is composed of MOSFETs, but it can also be composed of TFTs.
  • the first electrode and the second electrode may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • a light-shielding portion is provided between the light-emitting element and the light-emitting element in order to prevent light emitted from the light-emitting element from entering the light-emitting element adjacent to the light-emitting element and causing optical crosstalk.
  • You may. That is, a groove may be formed between the light emitting element and the light emitting element, and the groove may be embedded with a light shielding material to form a light shielding portion.
  • the color filter layer is arranged for each pixel in order to improve color purity, depending on the configuration of the light emitting element, the color filter layer can be thinned or the color filter layer can be omitted, and the color filter can be omitted. It becomes possible to take out the light absorbed by the layer, and as a result, the light emission efficiency is improved.
  • the light absorption layer black matrix layer
  • the display device of the present disclosure can be applied to an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera.
  • a front view of the digital still camera is shown in FIG. 26A, and a rear view is shown in FIG. 26B.
  • This interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 212 on the front right side of the camera body (camera body) 211, and is grasped by the photographer on the front left side. It has a grip portion 213 for using the lens.
  • a monitor 214 is provided substantially in the center of the back surface of the camera body 211.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 215 is provided above the monitor 214.
  • the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 212 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the electronic viewfinder 215.
  • the present disclosure may also have the following structure.
  • ⁇ Light emitting element >> 1st electrode, 2nd electrode and The light emitting part sandwiched between the first electrode and the second electrode, At least have The light emitting unit has at least two light emitting layers that emit different colors and an intermediate layer located between the two light emitting layers.
  • the intermediate layer contains a first organic material having a hole transport property and a second organic material having an electron transport property.
  • the bandgap energy of the first organic material is BG HTM
  • the bandgap energy of the material having the maximum bandgap energy among the materials constituting the adjacent two light emitting layers is BG max .
  • BG HTM- BG max ⁇ 0.2 eV
  • the HOMO value of the first organic material is HOMO HTM
  • the HOMO value of one adjacent light emitting layer is HOMO 1
  • the HOMO value of the other adjacent light emitting layer is HOMO 2 .
  • EM 1 E ⁇ EM ETM Preferably, EM 1 E ⁇ EM ETM
  • [A05] When mass M HTM first organic material occupying the intermediate layer, the mass of the second organic material occupying the intermediate layer was set to M ETM, M HTM ⁇ M ETM The light emitting device according to any one of [A01] to [A04], which satisfies the above.
  • Each light emitting element 1st electrode, 2nd electrode and The light emitting part sandwiched between the first electrode and the second electrode At least have The light emitting unit has at least two light emitting layers that emit different colors and an intermediate layer located between the two light emitting layers.
  • the intermediate layer contains a first organic material having a hole transport property and a second organic material having an electron transport property.
  • the bandgap energy of the first organic material is BG HTM
  • the bandgap energy of the material having the maximum bandgap energy among the materials constituting the adjacent two light emitting layers is BG max .
  • BG HTM- BG max ⁇ 0.2 eV A display device that satisfies.
  • Display device >> The first board, the second board, and A plurality of light emitting elements arranged two-dimensionally between the first substrate and the second substrate, Equipped with Each light emitting element is composed of the light emitting element according to any one of [A01] to [A05].
  • an optical path control means through which the light emitted from the light emitting unit passes is provided.
  • the reference point P is set, When the distance from the reference point P to the normal passing through the center of the light emitting portion is D 1, and the distance between the normal passing through the center of the light emitting portion and the normal passing through the center of the optical path control means is D 0 .
  • the display device according to [C01] wherein the distance D 0 depends on the distance D 1.
  • the reference point P is the display device according to [C01] or [C02] assumed in the display panel.
  • [C04] The display device according to [C03], wherein the reference point P is not located in the central region of the display panel.
  • [C05] The display device according to [C03] or [C04], wherein a plurality of reference points P are assumed.
  • [C06] When one reference point P is assumed, the reference point P is not included in the central area of the display panel, and when a plurality of reference points P are assumed, at least one reference point P is the display panel.
  • the display device according to [C03] which is not included in the central region.
  • [C07] The display device according to [C01] or [C02], wherein the reference point P is assumed to be outside the display panel.
  • [C08] The display device according to [C07], wherein a plurality of reference points P are assumed.
  • [C09] The display device according to any one of [C01] to [C06], wherein the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means converges on a certain region of the space outside the display device.
  • [C10] The display device according to any one of [C01] to [C06], wherein the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means is emitted in the space outside the display device.
  • [C11] The display device according to any one of [C01] to [C06], wherein the light emitted from each light emitting element and passing through the optical path control means is parallel light.
  • the plurality of light emitting elements are arranged in a first direction and a second direction different from the first direction.
  • the values in the first direction and the second direction of the distance D 0 are D 0-X and D 0-Y, and the values in the first direction and the second direction of the distance D 1 are D 1-.
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes nonlinearly
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y changes linearly
  • D 0-X with respect to the change in D 1-X is changed to a non-linear
  • D 0-Y with respect to the change in D 1-Y in any one of varies nonlinearly [C01] to [C11]
  • [C13] The display device according to any one of [C01] to [C12], wherein the value of the distance D 0 increases as the value of the distance D 1 increases.
  • [C14] The display device according to any one of [C01] to [C13], wherein a wavelength selection unit is provided on the light incident side or the light emitting side of the optical path control means.
  • the orthophoto image of the optical path control means with respect to the first substrate matches the orthophoto image of the wavelength selection unit with respect to the first substrate, or is included in the orthophoto image of the wavelength selection unit with respect to the first substrate [C14].
  • [C16] The method according to [C14] or [C15], wherein in a light emitting element in which the value of the distance D 0 is not 0, the normal passing through the center of the wavelength selection section and the normal passing through the center of the light emitting section coincide with each other.
  • Display device. [C18] The normal projection image of the optical path control means with respect to the first substrate is included in the normal projection image of the wavelength selection unit with respect to the first substrate.
  • the display device wherein in a light emitting element in which the value of the distance D 0 is not 0, the normal passing through the center of the wavelength selection section and the normal passing through the center of the light emitting section coincide with each other.
  • the normal projection image of the optical path control means with respect to the first substrate is included in the normal projection image of the wavelength selection unit with respect to the first substrate.
  • the display device wherein in a light emitting element in which the value of the distance D 0 is not 0, the normal passing through the center of the wavelength selection unit and the normal passing through the center of the optical path control means coincide with each other.
  • [C20] The normal projection image of the optical path control means with respect to the first substrate coincides with the normal projection image of the wavelength selection unit with respect to the first substrate.
  • [C21] The display device according to any one of [C14] to [C20], wherein a light absorption layer is formed between wavelength selection portions of adjacent light emitting elements.
  • [C22] The display device according to any one of [C01] to [C21], wherein a light absorption layer is formed between adjacent optical path control means.
  • [C23] The display device according to any one of [C01] to [C22], wherein the light emitting unit constituting the light emitting element includes an organic electroluminescence layer.
  • second organic material 34 ... protective layer, 35 , 35'... flattening layer, 36, 36'... resin layer (sealing resin layer), 37 ... light reflecting layer, 38 ... interlayer insulating material layer, 39 ... base layer, CF, CF R, CF G, CF B ⁇ color filter layer, 51 ... first substrate, 52 ... second substrate, 60, 61 ... optical path control means, 62 ... light reflection member , BM, BM', BM "... Light absorption layer (black matrix layer)

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Abstract

本開示の発光素子（１０）は、第１電極（３１）、第２電極（３２）、及び、第１電極（３１）と第２電極（３２）とによって挟まれた発光部（３０）を少なくとも備えており、発光部３０は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層（３３ａ，３３ｂ）、及び、２層の発光層（３３ａ，３３ｂ）の間に位置する中間層（３３ｄ）を有しており、中間層（３３ｄ）は、正孔輸送性を有する第１有機材料（３３ｅ）、及び、電子輸送性を有する第２有機材料３３ｆを含んでおり、第１有機材料（３３ｅ）のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層（３３ａ，３３ｂ）を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶを満足する。

Description

発光素子及び表示装置
　本開示は、発光素子及び表示装置に関する。
　近年、発光素子として有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の開発が進んでいる。この表示装置では、例えば、画素毎に分離して形成された第１電極（下部電極、例えば、アノード電極）の上に、少なくとも発光層を含む発光部、及び、第２電極（上部電極、例えば、カソード電極）が形成されている。そして、例えば、白色光を発光する発光部と赤色カラーフィルタ層とが組み合わされた赤色光発光素子、白色光を発光する発光部と緑色カラーフィルタ層とが組み合わされた緑色光発光素子、白色光を発光する発光部と青色カラーフィルタ層とが組み合わされた青色光発光素子のそれぞれが、副画素として設けられ、これらの副画素から１画素が構成され、例えば、第２電極（上部電極）を介して発光層からの光が外部に出射される。そして、２層の発光層の間に位置するバイポーラ層（中間層）を有する有機ＥＬ素子（発光素子）が、例えば、特開２００６－１７２７６２号公報から知られている。このバイポーラ層（中間層）には、ホール輸送性材料及び電子輸送性材料が含まれる。
特開２００６－１７２７６２号公報
　ところで、発光素子の高効率化を図ることで表示装置の高輝度化を達成するためには、中間層において励起、生成する発光を抑制することが重要である。しかしながら、特開２００６－１７２７６２号公報に開示された技術では、このような発光の抑制は充分とは云い難い。
　従って、本開示の目的は、高効率化を図ることを可能とする構成の発光素子、及び、係る発光素子を有する表示装置を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示の発光素子は、
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
を少なくとも備えており、
　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、複数の発光素子が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列されて成り、
　各発光素子は、
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
を少なくとも備えており、
　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する。
図１Ａは、実施例１の発光素子を構成する発光部のエネルギーバンドギャップを示す図である。 図１Ｂは、実施例１及び比較例１における発光素子の外部量子効率比を求めた結果を示すグラフである。 図２は、実施例１の表示装置及び発光素子の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例１の表示装置及び発光素子の変形例－１の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例１の表示装置及び発光素子の変形例－２の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例１の表示装置及び発光素子の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図６は、実施例２の表示装置及び発光素子の模式的な一部断面図である。 図７は、実施例２の表示装置及び発光素子の変形例－１の模式的な一部断面図である。 図８は、実施例２の表示装置及び発光素子の変形例－２の模式的な一部断面図である。 図９は、実施例２の表示装置及び発光素子の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図１０は、光路制御手段を光反射部材から構成した実施例２の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図である。 図１１は、実施例２の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との関係を説明するための概念図である。 図１２Ａは、実施例２の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図である。 図１２Ｂは、実施例２の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図である。 図１３Ａは、実施例２の表示装置の変形例における発光素子と基準点との位置関係を模式的に示す図である。 図１３Ｂは、実施例２の表示装置の変形例における発光素子と基準点との位置関係を模式的に示す図である。 図１４Ａは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１４Ｂは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１４Ｃは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１４Ｄは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１５Ａは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１５Ｂは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１５Ｃは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１５Ｄは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１６Ａは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１６Ｂは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１６Ｃは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１６Ｄは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１７Ａは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１７Ｂは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１７Ｃは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１７Ｄは、実施例２の表示装置において、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す図である。 図１８Ａは、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図１８Ｂは、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図１８Ｃは、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図１９は、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２０Ａは、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２０Ｂは、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２１は、実施例３の表示装置における、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２２Ａは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第１例及び第２例の発光素子の概念図である。 図２２Ｂは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第１例及び第２例の発光素子の概念図である。 図２３Ａは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第３例及び第４例の発光素子の概念図である。 図２３Ｂは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第３例及び第４例の発光素子の概念図である。 図２４Ａは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第５例及び第６例の発光素子の概念図である。 図２４Ｂは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第５例及び第６例の発光素子の概念図である。 図２５Ａは、実施例４の表示装置における、共振器構造を有する第７例の発光素子の概念図である。 図２５Ｂは、共振器構造を有する第８例の発光素子の概念図である。 図２５Ｃは、共振器構造を有する第８例の発光素子の概念図である。 図２６Ａは、本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示す、デジタルスチルカメラの正面図である。 図２６Ｂは、本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示す、デジタルスチルカメラの背面図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の発光素子及び本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の発光素子及び本開示の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１～実施例２の変形）
５．実施例４（実施例１～実施例３の変形）
６．その他
〈本開示の発光素子及び本開示の表示装置、全般に関する説明〉
　本開示の発光素子あるいは本開示の表示装置を構成する発光素子（以下、これらの発光素子を総称して、便宜上、「本開示の発光素子等」と呼ぶ場合がある）において、第１有機材料のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯHTM、隣接する一方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ1、隣接する他方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ2としたとき、
｜ＨＯＭＯ2｜≦｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
より好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜＜｜ＨＯＭＯ1｜
を満足する形態とすることができ、これによって、正孔を確実に他方の発光層から一方の発光層に移動させることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、第２有機材料のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯETM、隣接する一方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ1、隣接する他方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ2としたとき、
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ2｜
好ましくは、
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ2｜
を満足する形態とすることができ、これによって、中間層と発光層との間における電荷溜まりの発生を抑制し、発光素子の駆動の安定化を図ることができるし、電子の移動測度の低下の抑制、発光素子の駆動電圧の高電圧化の抑制を図ることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、第２有機材料の電子移動度をＥＭETM、隣接する一方の発光層を構成する材料の電子移動度をＥＭ1としたとき、
ＥＭ1Ｅ≦ＥＭETM
好ましくは、
ＥＭ1Ｅ＜ＥＭETM
を満足する形態とすることができ、これによって、中間層と一方の発光層との間における電荷溜まりの発生を抑制し、発光素子の駆動の安定化を図ることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等にあっては、中間層を占める第１有機材料の質量をＭHTM、中間層を占める第２有機材料の質量をＭETMとしたとき、
ＭHTM≧ＭETM
を満足する形態とすることができ、これによって、中間層へのエネルギーの移動が抑制され得る。
　以下の説明において、一方の発光層を、便宜上、『第１発光層』と呼び、他方の発光層を、便宜上、『第２発光層』と呼ぶ場合がある。
　以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態とすることができる。即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示における発光素子等は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されている形態とすることができるし、本開示の表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されている形態とすることができる。
　ここで、本開示の表示装置は、表現を変えれば、
　第１基板、及び、第２基板、並びに、
　第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
　各発光素子は、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等から構成されており、
　発光部からの光が、第２基板を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板を介して外部に出射される。
　即ち、本開示の表示装置を、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）とすることもできるし、第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）とすることもできる。
　第１発光層を構成する主たる材料として、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フェナントレン誘導体、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体等を挙げることができる、これらの材料にＴＢＰやＦＩｒｐｉｃ等の青色発光材料をドープすることにより青色発光が得られる。また、第２発光層を構成する主たる材料として、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、トリアジン誘導体を挙げることができ、これらの材料にＤＢＰやＩｒ（ｐｉｑ）3等の赤色発光ドーパントをドープすることで赤色発光が得られる。また、正孔輸送性を有する第１有機材料として、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族アミンを例示することができるし、電子輸送性を有する第２有機材料として、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオランテン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ジアジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、フェナジン誘導体を例示することができる。更には、（第１発光層を構成する主たる材料，第２発光層を構成する主たる材料，第１有機材料，第２有機材料）の好ましい組合せとして、（アントラセン誘導体，アントラセン誘導体，芳香族アミン，アントラセン誘導体）、（アントラセン誘導体，テトラセン誘導体，芳香族アミン，アントラセン誘導体）、（アントラセン誘導体，カルバゾール誘導体，芳香族アミン，カルバゾール誘導体）、（カルバゾール誘導体，カルバゾール誘導体，芳香族アミン，カルバゾール誘導体）、（カルバゾール誘導体，カルバゾール誘導体，カルバゾール誘導体，カルバゾール誘導体）を例示することができる。尚、本開示は、例えば蛍光発光性材料、燐光発光材料、熱活性型遅延蛍光材料等、有機物若しくは有機金属化合物を用いた発光素子対して適用可能であり、また、これらを組み合わせた発光素子構造においても適用可能であり、更には、発光色の組み合わせも、青色、赤色に限定されるものではない。
　有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。
　ＨＯＭＯの値は、例えば、紫外光電子分光法（ＵＰＳ法）に基づき求めることができるし、ＬＵＭＯの値は、｛（ＨＯＭＯの値）＋Ｅb｝から求めることができる。更には、バンドギャップエネルギーＥbは、光学的に吸収する波長λ（光学的な吸収端波長であり、単位はｎｍ）から、以下の式に基づき求めることができる。また、電子移動度は、ホール測定法に基づき測定することができるし、ＴＯＦ（Time　of　Flight）法若しくはインピーダンス分光法に基づき測定することができる。
Ｅb＝ｈν＝ｈ（ｃ／λ）＝１２３９．８／λ［ｅＶ］
　発光部は、第１基板側から、上述したとおり、第１電極、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層（以下、これらの層を総称して、『有機層』と呼ぶ場合がある）を有する。第１電極が有機層の一部と接している構成とすることができるし、有機層が第１電極の一部と接している構成とすることができる。具体的には、第１電極の大きさは有機層よりも小さい構成とすることができるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層と同じ大きさであるが、第１電極と有機層との間の一部分に絶縁層が形成されている構成とすることもできるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層より大きい構成とすることもできる。有機層（発光部）の大きさとは、第１電極と有機層が接している領域（発光領域）の大きさである。
　そして、有機層は白色光を出射する形態とすることができ、この場合、有機層は、上述したとおり、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている。具体的には、有機層は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色光発光層、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色光発光層、及び、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色光発光層の３層が積層された積層構造を有する形態とすることができ、全体として白色を発光する。ここで、青色光発光層が第１発光層に相当し、赤色光発光層が第２発光層に相当し、青色光発光層（第１発光層）と赤色光発光層（第２発光層）との間に中間層が設けられている。緑色光発光層を、便宜上、『第３発光層』と呼ぶ場合がある。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色光発光層（第１発光層に相当する）、及び、黄色を発光する黄色光発光層（第２発光層に相当する）の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色光発光層（第１発光層に相当する）、及び、橙色を発光する橙色光発光層（第２発光層に相当する）の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。
　更には、これらの好ましい形態を含む本開示の表示装置において、第２発光素子の発光部の大きさは、第１発光素子の発光部の大きさ及び第３発光素子の発光部の大きさよりも大きい形態とすることができる。そして、これによって、第２発光素子の発光量を、第１発光素子の発光量、第３発光素子の発光量よりも多くすることができるし、あるいは又、第１発光素子の発光量、第２発光素子の発光量、第３発光素子の発光量の適切化を図ることができ、画質の向上を図ることができる。第２発光素子が緑色光を出射し、第１発光素子が赤色光を出射し、第３発光素子が青色光を出射し、第４発光素子が白色光を出射すると想定した場合、輝度の観点からは、第２発光素子や第４発光素子の発光領域の大きさを、第１発光素子や第３発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。また、発光素子の寿命の観点からは、第３発光素子の発光領域の大きさを、第１発光素子や第２発光素子、第４発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。但し、これらに限定するものではない。
　有機層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　発光部から出射された光が通過する光路制御手段、例えば、レンズ部材を設けてもよい。光路制御手段については、実施例２において詳しく説明する。また、有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。共振器構造については、実施例４において詳しく説明する。
　そして、発光素子は、このような白色を発光する有機層（発光部）に加えて、波長選択部を備えていてもよい。波長選択部には、発光部から出射された光が入射する。発光部から出射された光が通過する光路制御手段が設けられている場合、発光部から出射された光は、波長選択部、光路制御手段の順に通過する形態とすることができるし、光路制御手段、波長選択部の順に通過する形態とすることもできる。波長選択部は、例えば、カラーフィルタ層から構成することができ、カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。あるいは又、波長選択部は、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜、量子ドットから構成することもできる。以下、カラーフィルタ層で波長選択部を代表して説明を行うが、波長選択部はカラーフィルタ層に限定するものではない。
　尚、発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光素子の波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、発光部の中心を通る法線とカラーフィルタ層の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ0（後述する）に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の平面形状は、光路制御手段の平面形状と同じであってもよいし、相似形であってもよいし、近似形であってもよいし、異なっていてもよい。
　そして、このような白色を発光する有機層（発光部）と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで赤色光発光素子（第１発光素子）が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで緑色光発光素子（第２発光素子）が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで青色光発光素子（第３発光素子）が構成される。平坦化層については、後述する。赤色光発光素子、緑色光発光素子及び青色光発光素子といった副画素の組合せによって、発光素子ユニット（１画素）が構成される。場合によっては、赤色光発光素子、緑色光発光素子、青色光発光素子及び白色（あるいは第４の色）を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって、発光素子ユニット（１画素）を構成してもよい。画素における第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列を挙げることができる。波長選択部の配列も、画素（あるいは副画素）の配列に準拠して、デルタ配列、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列とすればよい。
　第１電極、有機層及び第２電極は、具体的には、基体の上に、順次、形成されている。基体は、第１基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　基体の下あるいは下方には、限定するものではないが、駆動回路が設けられている。駆動回路は、例えば、第１基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）や、第１基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。駆動回路を構成するトランジスタやＴＦＴと第１電極とは、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている形態とすることができる。駆動回路は、周知の回路構成とすることができる。第２電極は、例えば、表示装置の外周部（具体的には、画素アレイ部の外周部）において、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動回路と接続される。
　第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型表示装置の場合、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求されるし、下面発光型表示装置の場合、第１基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。
　第１電極は、発光素子毎に設けられている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。基体の下方あるいは下には第１基板が配置されており、第２電極の上方に第２基板が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光部は基体上に設けられている。
　第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入特性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、後述する共振器構造を構成する光反射層を設ける場合、発光素子からの光に対して透明であることが第１電極には要求されるので、第１電極を構成する材料として、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium　Tin　Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium　Zinc　Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ4）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ2Ｏ4構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金（例えば、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入特性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
　第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層（発光層）に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ及びＡｌ－Ｃｕから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、必要に応じて発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
　第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。
　第２電極を覆うように保護層が形成されていることが好ましい。そして、保護層の上あるいは上方に更に平坦化層が形成されている形態とすることができる。前述したとおり、波長選択部として機能する平坦化層を設けてもよい。
　発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。遮光部を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光部は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。
　波長選択部と波長選択部との間には、あるいは又、波長選択部と波長選択部との間の上方には、あるいは又、隣接する光路制御手段の間には、光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができ、これによって、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。光吸収層（ブラックマトリクス層）は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。
　保護層や平坦化層を構成する材料として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂を例示することができるし、各種無機材料（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2）を例示することもできる。保護層や平坦化層は、単層構成とすることもできるし、複数層から構成することもできる。保護層や平坦化層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、保護層や平坦化層の形成方法として、更には、ＡＬＤ（Atomic　Layer　Deposition）法を採用することもできる。保護層や平坦化層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　平坦化層と第２基板とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合される。樹脂層（封止樹脂層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。樹脂層（封止樹脂層）が平坦化層を兼用していてもよい。
　上述したとおり、場合によっては、平坦化層はカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。このような平坦化層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層（カラーフィルタ層）とが近接するので、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。但し、カラーフィルタ層を、平坦化層とは別に、独立して、平坦化層上あるいは上方、平坦化層の下あるいは下方に設けてもよい。
　表示装置の光を出射する最外面（具体的には、例えば、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。
　表示装置においては、絶縁層や層間絶縁層、層間絶縁材料層が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、ＳｉＯ2、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low　Temperature　Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ2）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化バナジウム（ＶＯx）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε0）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The　Dow　Chemical　Co.　の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell　Electronic　MaterialsCo.　の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、以上に説明した材料から構成してもよい。絶縁層や層間絶縁材料層、基体は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal　Digital　Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置、プロジェクタに組み込まれた表示装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic　View　Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head　Mounted　Display，ＨＭＤ）、アイウエア、ＡＲグラス、ＥＶＲに適用することができるし、ＶＲ（Virtual　Reality）用、ＭＲ（Mixed　Reality）用、あるいは、ＡＲ（Augmented　Reality）用の表示装置に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。
　実施例１は、本開示の発光素子及び本開示の表示装置に関する。実施例１の発光素子を構成する発光部のエネルギーバンドギャップ図を図１Ａに示し、実施例１の表示装置及び発光素子の模式的な一部断面図を図２に示す。実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４において、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されており、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されており、また、アクティブマトリクス表示装置である。発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４の発光素子１０は、
　厚さ０．１μｍのアルミニウムから成る第１電極３１、
　厚さ０．３ｎｍのＬｉＦ層／厚さ５ｎｍのＣａ層／厚さ５ｎｍのＭｇ－Ａｇ合金層から成る第２電極３２、及び、
　第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた発光部３０（有機層３３）、
を少なくとも備えており、
　発光部３０（有機層３３）は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層（第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ）、及び、２層の発光層３３ａ，３３ｂの間に位置する中間層３３ｄを有しており、
　中間層３３ｄは、正孔輸送性を有する第１有機材料３３ｅ、及び、電子輸送性を有する第２有機材料３３ｆを含んでいる。
　そして、第１有機材料３３ｅのバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層（第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ）を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ΔＢＧ＝ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する。
　尚、図１Ａに示す発光部のエネルギーバンドギャップ図において、第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ、後述する第３発光層３３ｃ及び第１有機材料３３ｅのエネルギーバンドギャップを実線で示し、第２有機材料３３ｆのエネルギーバンドギャップを点線で示した。
　また、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４の表示装置は、複数の発光素子が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列されて成り、
　各発光素子は、
　第１電極３１、
　第２電極３２、及び、
　第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた発光部３０（有機層３３）、
を少なくとも備えており、
　発光部３０（有機層３３）は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層（第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ）、及び、２層の発光層３３ａ，３３ｂの間に位置する中間層３３ｄを有しており、
　中間層３３ｄは、正孔輸送性を有する第１有機材料３３ｅ、及び、電子輸送性を有する第２有機材料３３ｆを含んでおり、
　第１有機材料３３ｅのバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層（第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ）を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する。
　あるいは又、云い換えれば、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４の表示装置は、
　第１基板５１、及び、第２基板５２、並びに、
　第１基板５１と第２基板５２との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、を備えており、
　各発光素子は、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４の発光素子１０から構成されており、
　発光部３０からの光が、第２基板５２を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板５１を介して外部に出射される。具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例４にあっては、第２基板５２を介して外部に出射される。即ち、実施例１の表示装置は、第２基板５２から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。
　発光部３０（有機層３３）は、上述したとおり、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層（第１発光層３３ａ、第２発光層３３ｂ）から構成されており、白色光を出射する。具体的には、有機層３３は、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色光発光層（第１発光層３３ａ）、及び、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色光発光層（第２発光層３３ｂ）、並びに、青色光発光層（第１発光層３３ａ）と赤色光発光層（第２発光層３３ｂ）との間に設けられた中間層３３ｄから構成されている。また、青色光発光層（第１発光層３３ａ）に接して、中間層３３ｄとは反対側に、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色光発光層（第３発光層３３ｃ）が設けられており、これらの４層が積層されている。
　また、有機層３３は、複数の発光素子において共通化されている。そして、このような白色を発光する有機層３３（発光部３０）と赤色を通過する波長選択部（例えば、赤色カラーフィルタ層ＣＦR）とを組み合わせることで赤色光発光素子１０Ｒが構成され、白色を発光する有機層３３（発光部３０）と緑色を通過する波長選択部（例えば、緑色カラーフィルタ層ＣＦG）とを組み合わせることで緑色光発光素子１０Ｇが構成され、白色を発光する有機層３３（発光部３０）と青色を通過する波長選択部（例えば、青色カラーフィルタ層ＣＦB）とを組み合わせることで青色光発光素子１０Ｂが構成される。そして、赤色光発光素子１０Ｒ、緑色光発光素子１０Ｇ及び青色光発光素子１０Ｂといった副画素の組合せによって、発光素子ユニット（１画素）が構成される。場合によっては、赤色光発光素子１０Ｒ、緑色光発光素子１０Ｇ、青色光発光素子１０Ｂ及び白色（あるいは第４の色）を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって、発光素子ユニット（１画素）を構成してもよい。
　実施例１の表示装置にあっては、第１発光素子１０Ｇ、第２発光素子１０Ｒ及び第３発光素子１０Ｂの配列をデルタ配列としたが、これに限定するものではない。
　第１電極３１、有機層３３及び第２電極３２は、具体的には、基体２６の上に、順次、形成されている。また、基体２６は、第１基板５１の上に形成されている。基体２６を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。
　基体２６の下あるいは下方に、駆動回路が設けられている。駆動回路は、例えば、第１基板５１を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。駆動回路を構成するトランジスタと第１電極３１とは、例えば、基体２６に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ａ、パッド部２７Ｃ、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ｂを介して接続されている。
　第１電極３１は、発光素子毎に設けられている。有機層３３は、発光素子に共通して設けられている。第２電極３２は、複数の発光素子において共通電極とされている。即ち、第２電極３２は、所謂ベタ電極とされている。基体２６の下には第１基板５１が配置されており、第２電極３２の上方に第２基板５２が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光部３０は基体２６の上に設けられている。
　第２電極３２を覆うように、厚さ１μｍのＳｉＮから成る保護層３４が形成されているし、保護層３４の上に、周知の方法で、周知の材料から成る波長選択部［カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）］が形成されている。波長選択部（カラーフィルタ層ＣＦ）の上には平坦化層３５が形成されており、平坦化層３５と第２基板５２とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）３６を介して接合されている。尚、発光部３０及びカラーフィルタ層ＣＦの外形形状を、例えば円形としたが、このような形状に限定されるものではない。封止樹脂層３６を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。カラーフィルタ層ＣＦは、第１基板側に形成されたＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ層）である。そして、これによって、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、有機層３３から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタ層ＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができる。場合によっては、平坦化層３５を省略し、カラーフィルタ層ＣＦを封止樹脂層３６を介して第２基板５２に貼り合わせてもよい。
　有機ＥＬ素子から構成された実施例１～実施例４の発光素子１０において、前述したとおり、有機層３３は、赤色光発光層３３ｂ、中間層３３ｄ、青色光発光層３３ａ及び緑色光発光層３３ｃの積層構造を有する。前述したように、１つの発光素子ユニット（１画素）は、赤色光発光素子１０Ｒ、緑色光発光素子１０Ｇ及び青色光発光素子１０Ｂの３つの発光素子から構成されている。発光素子１０を構成する有機層３３は白色光を発光し、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、白色光を発光する有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBとの組合せから構成されている。前述したとおり、赤色を表示すべき赤色光発光素子１０Ｒには赤色カラーフィルタ層ＣＦRが備えられており、緑色を表示すべき緑色光発光素子１０Ｇには緑色カラーフィルタ層ＣＦGが備えられており、青色を表示すべき青色光発光素子１０Ｂには青色カラーフィルタ層ＣＦBが備えられている。赤色光発光素子１０Ｒ、緑色光発光素子１０Ｇ及び青色光発光素子１０Ｂは、カラーフィルタ層の構成、有機層の厚さ方向における発光層の配置位置を除き、実質的に同じ構成、構造を有する。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の３倍である。
　ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ2から成る基体２６の下方には、駆動回路が設けられている。駆動回路は周知の回路構成とすることができる。駆動回路は、第１基板５１に相当するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから構成されたトランジスタ２０は、第１基板５１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板５１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。基体２６は、下層層間絶縁層２６Ａ及び上層層間絶縁層２６Ｂから構成されている。
　そして、発光素子１０において、トランジスタ２０と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ、上層層間絶縁層２６Ｂに設けられたコンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの駆動回路につき、１つのトランジスタ２０を図示した。
　第２電極３２は、表示装置の外周部（具体的には、画素アレイ部の外周部）において、基体２６に形成された図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動回路（発光素子駆動部）と接続されている。表示装置の外周部において、第２電極３２の下方に第２電極３２に接続された補助電極を設け、補助電極を駆動回路と接続してもよい。
　第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。第１電極３１は、光反射材料層、具体的には、例えば、Ａｌ－Ｎｄ合金層、Ａｌ－Ｃｕ合金層、Ａｌ－Ｔｉ合金層とＩＴＯ層の積層構造から成り、第２電極３２は、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る。第１電極３１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、基体２６の上に形成されている。また、第２電極３２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。有機層３３もパターニングされていない。但し、これに限定するものではない。
　発光素子１０は、有機層３３を共振部とした共振器構造を有している。発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から第１電極３１及び第２電極３２までの距離）を適切に調整するために、有機層３３の厚さは、８×１０-8ｍ以上、５×１０-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０-7ｍ以上、３．５×１０-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色光発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。また、緑色光発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。更には、青色光発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。
　以下、図２に示した実施例１の発光素子１０の製造方法の概要を説明する。
　　［工程－１００］
　先ず、シリコン半導体基板（第１基板５１）に駆動回路を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。
　　［工程－１１０］
　次いで、ＣＶＤ法に基づき全面に下層層間絶縁層２６Ａを形成する。そして、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域２４の上方に位置する下層層間絶縁層２６Ａの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む下層層間絶縁層２６Ａの上に導電材料層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層をパターニングすることで、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ａ及びパッド部２７Ｃを形成することができる。
　　［工程－１２０］
　そして、全面に上層層間絶縁層２６Ｂを形成し、所望のパッド部２７Ｃの上方に位置する上層層間絶縁層２６Ｂの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む上層層間絶縁層２６Ｂの上に導電材料層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層をパターニングすることで、基体２６の一部分の上に第１電極３１を形成することができる。第１電極３１は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に第１電極３１とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ｂを形成することができる。
　　［工程－１３０］
　次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁層２８を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１電極３１と第１電極３１との間の基体２６の上に絶縁層２８を残す。
　　［工程－１４０］
　その後、第１電極３１及び絶縁層２８の上に、有機層３３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。場合によっては、有機層３３を所望の形状にパターニングしてもよい。
　　［工程－１５０］
　次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第２電極３２を形成する。場合によっては、第２電極３２を所望の形状にパターニングしてもよい。このようにして、第１電極３１上に、有機層３３及び第２電極３２を形成することができる。
　　［工程－１６０］
　その後、塗布法に基づき、全面に保護層３４を形成した後、保護層３４の頂面を平坦化処理する。塗布法に基づき保護層３４を形成することができるので、加工プロセスの制約が少なく、材料選択幅が広く、高屈折率材料の使用が可能となる。その後、周知の方法で、保護層３４の上にカラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）を形成する。
　　［工程－１７０］
　そして、カラーフィルタ層ＣＦの上に平坦化層３５を形成する。その後、平坦化層３５と第２基板５２とをアクリル系接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わせる。こうして、図１、図２に示した発光素子（有機ＥＬ素子）１０、実施例１の表示装置を得ることができる。このように、第２基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設けるのではなく、第１基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設ける、所謂ＯＣＣＦ型とすることで、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができる。
　第１有機材料として使用した材料が異なる点を除き、同じ構成、構造の実施例の発光素子及び比較例の発光素子を試作した。実施例及び比較例における第１発光層を構成する材料、第２発光層を構成する材料、第３発光層を構成する材料、第２有機材料は、以下の表１のとおりである。尚、表１及び表２中、「ＢＧ」がバンドギャップエネルギー（単位：ｅＶ）を表す。また、表１及び表２中、「厚さ」は各層の厚さを表す。尚、電子注入層を構成する材料としてＬｉＦ、電子輸送層を構成する材料としてＢｐｈｅｎｅ、正孔輸送層を構成する材料としてαＮＰＤ、正孔注入層を構成する材料としてＨＡＴ－ＣＮを例示することができる。
〈表１〉
　　　　　　　　　　厚さ　　　材料名　　　質量割合　　　ＢＧ(ｅＶ)
第１発光層　　　　　１０ｎｍ
　　構成する材料
　　　　ホスト　　　　　　　　ＭＡＤＮ　　９５　　　　　３．０
　　　　ドーパント　　　　　　ＴＢＰ　　　　５　　　　　２．８
第２発光層　　　　　１０ｎｍ
　　構成する材料
　　　　ホスト　　　　　　　　Ｒubrene　　９９　　　　　２．２
　　　　ドーパント　　　　　　ＤＢＰ　　　　１　　　　　１．９
第３発光層　　　　　１０ｎｍ
　構成する材料
　　　　ホスト　　　　　　　　ＭＡＤＮ　　９５　　　　　３．０
　　　　ドーパント　　　　　　ＴＴＰＡ　　　５　　　　　２．４
中間層　　　　　　　１０ｎｍ
　　第１有機材料　　　　　　　表２参照　　５０　　　　　表２参照
　　第２有機材料　　　　　　　ＭＡＤＮ　　５０　　　　　３．０
　また、第１有機材料は、以下の表２のとおりである。
〈表２〉
　　　　　　　　材料名　　　ＢＧ(ｅＶ)　ΔＢＧ　　外部量子効率比
実施例１－Ａ　　ＰＣＺＡＣ　３．２　　　０．２　　　１．００
実施例１－Ｂ　　ＢＢＴＣ　　３．３２　　０．３２　　０．９７
実施例１－Ｃ　　ＴＣＰ　　　３．５　　　０．５　　　０．９２
比較例１－ｄ　　αＮＰＤ　　３．１　　　０．１　　　０．７１
比較例１－ｅ　　ＴＤＰ　　　３．１　　　０．１　　　０．７０
比較例１－ｆ　　ＮＰＢ　　　３．０　　　０．０　　　０．５７
　以上に説明した各種材料から構成された発光部を有する発光素子の外部量子効率比を求めた結果を、表２及び図１Ｂに示す。図１Ｂの横軸は、ΔＢＧの値を示す。ここで、表１から、ＢＧmax＝３．０ｅＶである。また、図１Ｂにおいて、「Ａ」は実施例１－Ａの結果を示し、「Ｂ」は実施例１－Ｂの結果を示し、「Ｃ」は実施例１－Ｃの結果を示し、「ｄ」は比較例１－ｄの結果を示し、「ｅ」は比較例１－ｅの結果を示し、「ｆ」は比較例１－ｆの結果を示す。
　図１Ｂから、ΔＢＧの値が０．２ｅＶ以上で、高い外部量子効率比が得られることが判る。
　以上の結果から、第１有機材料３３ｅのＨＯＭＯ値をＨＯＭＯHTM、隣接する一方の発光層３３ａのＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ1、隣接する他方の発光層３３ｂのＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ2としたとき、ホール溜まりの発生抑制といった観点から、
｜ＨＯＭＯ2｜≦｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
より好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜＜｜ＨＯＭＯ1｜
を満足することが好ましく、また、第２有機材料３３ｆのＬＵＭＯ値をＬＵＭＯETM、隣接する一方の発光層３３ａのＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ1、隣接する他方の発光層３３ｂのＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ2としたとき、電子溜まりの発生抑制といった観点から、
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ2｜
好ましくは、
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ2｜
を満足することが好ましいことが判った。また、中間層と一方の発光層との間における電荷溜まりの発生を抑制し、発光素子の駆動の安定化を図るといった観点から、
ＥＭ1Ｅ≦ＥＭETM
好ましくは、
ＥＭ1Ｅ＜ＥＭETM
を満足することが好ましいことが判った。更には、中間層へのエネルギーの移動が抑制されるといった観点から、
ＭHTM≧ＭETM
を満足することが好ましいことが判った。
　以上のとおり、実施例１の発光素子にあっては、ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶを満足するが故に、発光層から中間層への不要なエネルギー移動（エネルギーロス）を防止することが可能となり、発光素子の高効率化及び表示装置の長寿命化を達成することができる。
　実施例１の表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図を図３に示すように、第１基板５１と対向する第２基板５２の内面の上に、カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）を設けてもよい。カラーフィルタ層ＣＦと平坦化層３５とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わされている。平坦化層３５を省略し、封止樹脂層３６によってカラーフィルタ層ＣＦと保護層３４とを貼り合わせてもよい。
　また、実施例１の表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図を図４に示すように、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている形態とすることができる。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成る。
　更には、実施例１の表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図を図５に示すように、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間の上方には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されている形態とすることもできる。また、これらの変形例－２及び変形例－３を組み合わせることもできるし、これらの各種の変形例あるいは変形例の組合せを他の実施例に適用することもできる。
　平坦化層がカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。即ち、このような機能を有する平坦化層を、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層とを近接して配置することが可能となり、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。
　実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の表示装置は、発光部から出射された光が通過する光路制御手段を備えている。実施例２の表示装置及び発光素子の模式的な一部断面図を図６、図７、図８、図９、図１０に示す。また、実施例２の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図を図１２Ａ及び図１２Ｂ、並びに、図１３Ａ及び図１３Ｂに示し、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ及び図１４Ｄ、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ及び図１５Ｄ、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ及び図１６Ｄ、並びに、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄに示す。
　即ち、本開示の表示装置あるいは発光素子にあっては、発光部から出射された光が通過する光路制御手段を設けてもよい。光路制御手段は、発光部の上又は上方に設けられている。具体的には、保護層の上あるいは上方に光路制御手段が形成されている形態、あるいは又、保護層の上あるいは上方に波長選択部が形成され、波長選択部の上あるいは上方に光路制御手段が形成されている形態、あるいは又、保護層の上あるいは上方に光路制御手段が形成され、光路制御手段の上あるいは上方に波長選択部が形成されている形態とすることができる。光路制御手段は第１基板側あるいは第２基板側に設けられている。波長選択部の上に光路制御手段が形成されている形態にあっては、波長選択部と光路制御手段との間に、波長選択部の凹凸を平坦化するための下地層が形成されている形態が含まれる。
　光路制御手段は、例えば、レンズ部材から成り、半球状、あるいは、球の一部から構成されている形態とすることができるし、広くは、レンズとして機能するのに適した形状から構成されている形態とすることができる。具体的には、光路制御手段は、凸レンズ部材（オンチップマイクロ凸レンズ）から成り、あるいは又、凹レンズ部材（オンチップマイクロ凹レンズ）から成る構成することができる。以下の説明において、凸レンズ部材及び凹レンズ部材を纏めて『レンズ部材』と呼ぶ場合がある。レンズ部材は、球面レンズとすることもできるし、非球面レンズとすることもできる。また、凸レンズ部材は平凸レンズから構成することができるし、凹レンズ部材は平凹レンズから構成することができる。更には、レンズ部材は、屈折型レンズとすることもできるし、回折型レンズとすることもできる。
　あるいは又、底面が正方形あるいは長方形の直方体を想定し、この直方体の４つの側面及び１つの頂面が凸状の形状を有し、且つ、側面と側面とが交わる稜の部分は丸みを帯びており、頂面と側面とが交わる稜の部分も丸みを帯びており、全体として丸みを帯びた立体形状を有するレンズ部材とすることもできる。
　レンズ部材は、レンズ部材を構成する透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、グレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることもできるし、ナノインプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。レンズ部材（マイクロレンズ）を構成する材料として、高屈折樹脂材料（凸レンズ用）、高屈折無機膜（凸レンズ用）、低屈折樹脂材料（凹レンズ用）、低屈折無機膜（凹レンズ用）を挙げることができる。光路制御手段であるレンズ部材（オンチップマイクロレンズ）は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ2等の透明無機材料から構成することができる。
　あるいは又、光路制御手段は、厚さ方向を含む仮想平面（垂直仮想平面）で切断したときの断面形状が矩形や等脚台形である光出射方向制御部材から構成されている形態とすることもできる。云い換えれば、光路制御手段は、断面形状が、その厚さ方向に沿って、一定であり、又は、変化する光出射方向制御部材から構成されている形態とすることができる。
　表示装置全体として光利用効率を上げるためには、発光素子の外縁部の光を効果的に集光することが好ましい。しかしながら、半球状のレンズでは、発光素子の中央付近の光を正面へ集光する効果は大きいが、発光素子の外縁部付近の光を集光する効果が小さい場合がある。
　光出射方向制御部材の側面は、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率ｎ1よりも低い屈折率ｎ2を有する材料あるいは層で囲まれている。それ故、光出射方向制御部材は一種のレンズとしての機能を有し、しかも、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。幾何光学で考えた場合、光線が光出射方向制御部材の側面に入射した場合、入射角と反射角が等しくなるため、正面方向の取り出しは向上し難い。しかしながら、波動解析（ＦＤＴＤ）で考えると、光出射方向制御部材の外縁部近傍の光取出し効率が向上する。それ故、発光素子の外縁部付近の光を効果的に集光することができる結果、発光素子全体の正面方向の光取出し効率が向上する。従って、表示装置の発光の高効率化を達成することができる。即ち、表示装置の高輝度化及び低消費電力化を実現することができる。また、光出射方向制御部材は平板状であるが故に、形成も容易であり、作製プロセスの簡素化を図ることができる。
　具体的には、光出射方向制御部材の立体形状として、円柱形、楕円柱形、長円柱形、シリンドリカル形状、角柱形（六角柱や八角柱、稜が丸みを帯びた角柱形を含む）、切頭円錐形、切頭角錐形（稜が丸みを帯びた切頭角錐形を含む）を例示することができる。角柱や切頭角錐形には、正角柱や正切頭角錐形が含まれる。光出射方向制御部材の側面と頂面とが交わる稜の部分は、丸みを帯びていてもよい。切頭角錐形の底面は、第１基板側に位置していてもよいし、第２電極側に位置していてもよい。あるいは又、光出射方向制御部材の平面形状は、具体的には、円形、楕円形及び長円形、並びに、三角形、四角形、六角形及び八角形を含む多角形を挙げることができる。多角形には正多角形（長方形や正六角形（ハニカム状）等の正多角形を含む）が含まれる。光出射方向制御部材は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ2等の透明無機材料から構成することができる。
　厚さ方向の光出射方向制御部材の側面の断面形状は、直線状であってもよいし、凸状に湾曲していてもよいし、凹状に湾曲していてもよい。即ち、上記の角柱や切頭角錐形の側面は、平坦であってもよいし、凸状に湾曲していてもよいし、凹状に湾曲していてもよい。
　隣接する光出射方向制御部材と光出射方向制御部材との間に、光出射方向制御部材よりも厚さが薄い光出射方向制御部材延在部が形成されていてもよい。
　光出射方向制御部材の頂面は、平坦であってもよいし、上に凸の形状を有していてもよいし、凹の形状を有していてもよいが、表示装置の画像表示領域（表示パネル）の正面方向の輝度向上といった観点からは、光出射方向制御部材の頂面は平坦であることが好ましい。光出射方向制御部材は、例えば、フォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることができるし、ナノプリント法に基づき形成することもできる。
　光出射方向制御部材の平面形状の大きさを、発光素子に依って変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材の平面形状の大きさは、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。また、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率を、発光素子に依って変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材を構成する材料の屈折率は、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　光出射方向制御部材の平面形状は、発光領域と相似形であることが好ましく、あるいは又、発光領域は光出射方向制御部材の正射影像に含まれることが好ましい。尚、正射影像は、第１基板に射影したときの正射影像であり、以下においても同様である。
　光出射方向制御部材の側面は、垂直、あるいは、概ね垂直であることが好ましい。具体的には、光出射方向制御部材の側面の傾斜角度として、８０度乃至１００度、好ましくは８１．８度以上、９８．２度以下、より好ましくは８４．０度以上、９６．０度以下、一層好ましくは８６．０度以上、９４．０度以下、特に好ましくは８８．０度以上、９２．０度以下、最も好ましくは９０度を例示することができる。
　また、光出射方向制御部材の平均高さとして１．５μｍ以上、２．５μｍ以下を例示することができ、これによって、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。発光素子に依って、光出射方向制御部材の高さを変えてもよい。例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、光出射方向制御部材の高さは、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離として、０．４μｍ以上、１．２μｍ以下、好ましくは０．６μｍ以上、１．２μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上、１．２μｍ以下、一層好ましくは０．８μｍ以上、１．０μｍ以下を挙げることができる。隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離の最低値を０．４μｍと規定することで、隣接する光出射方向制御部材の間の最短距離を可視光の波長帯域の下限値と同程度とすることができるので、光出射方向制御部材を囲む材料あるいは層の機能低下を抑制することができる結果、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。一方、隣接する光出射方向制御部材の側面間の最短距離の最大値を１．２μｍと規定することで、光出射方向制御部材のサイズを小さくすることができる結果、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。
　隣接する光出射方向制御部材の中心と中心との間の距離は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下に設定することによって、光の波動性が顕著に表れるため、光出射方向制御部材に高い集光効果を付与することができる。
　発光部から光出射方向制御部材の底面までの最大距離（高さ方向の最大距離）は、０．３５μｍを超え、７μｍ以下、好ましくは１．３μｍ以上、７μｍ以下、より好ましくは２．８μｍ以上、７μｍ以下、一層好ましくは３．８μｍ以上、７μｍ以下であることが望ましい。発光部から光出射方向制御部材までの最大距離が０．３５μｍを超えると規定することで、光出射方向制御部材の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。一方、発光部から光出射方向制御部材までの最大距離が７μｍ以下であると規定することで、視野角特性の低下を抑制することができる。
　１つの画素に対する光出射方向制御部材の数は、本質的に任意であり、１以上であればよい。例えば、１つの画素が複数の副画素から構成されている場合、１つの副画素に対応して１つの光出射方向制御部材を設けてもよいし、複数の副画素に対応して１つの光出射方向制御部材を設けてもよいし、１つの副画素に対応して複数の光出射方向制御部材を設けてもよい。１つの副画素に対応してｐ×ｑ個の光出射方向制御部材を設ける場合、ｐ，ｑの値として、１０以下、５以下、３以下を挙げることができる。
　あるいは又、光路制御手段を光反射部材から構成してもよい。光反射部材として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができるし、本開示の発光素子等において、光反射部材として、発光部からの光が、平坦化層、被覆層を通過し、光反射部材と衝突したとき、光反射部材によって全反射されるような屈折率を有する材料を挙げることができる。具体的には、光反射部材は、例えば、被覆層と被覆層との間を充填している形態とすることができる。光反射部材は、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）とすることが好ましい。光反射部材の軸線を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光反射部材を切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、線分から構成されていてもよい。
　光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致する形態とすることができるし、あるいは又、波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　そして、各発光素子において、発光部の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ0としたとき、表示装置を構成する発光素子の少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ0の値は０でない形態とすることができる。また、表示装置にあっては、基準点（基準領域）Ｐが想定されており、距離Ｄ0は、基準点（基準領域）Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に依存する形態とすることができる。尚、基準点（基準領域）は或る程度の広がりを含み得る。ここで、各種の法線は、表示装置の光出射面に対する垂直線である。発光部の中心とは、第１電極と有機層とが接する領域の面積重心点を指す。
　例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、Ｄ0の値は、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　表示装置の全体から出射される光（画像）を、集束系とするか、発散系とするかは、表示装置の仕様に依るし、表示装置にどの程度の視野角依存性、広視野角特性が要求されるかにも依存する。
　実施例２の表示装置の模式的な一部断面図を図６に示すように、発光部３０から出射された光が通過する光路制御手段であるレンズ部材（オンチップマイクロレンズ）６０が、発光部３０の上方に、具体的には、保護層３４の上に設けられたカラーフィルタ層ＣＦの上に設けられている。保護層３４及びレンズ部材６０は平坦化層３５で覆われており、平坦化層３５と第２基板５２とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）３６を介して接合されている。
　レンズ部材６０は、例えば、以下の方法で作製することができる。即ち、カラーフィルタ層ＣＦの上に、レンズ部材６０を形成するためのレンズ部材形成層を形成し、その上にレジスト材料層を形成する。そして、レジスト材料層をパターニングし、更に、加熱処理を施すことで、レジスト材料層をレンズ部材形状とする。次いで、レジスト材料層及びレンズ部材形成層をエッチバックすることで、レジスト材料層に形成された形状をレンズ部材形成層に転写する。こうして、レンズ部材６０を得ることができる。
　あるいは又、実施例２の表示装置の変形例－１として、模式的な一部断面図を図７に示すように、レンズ部材６０は第２基板５２の第１基板５１と対向する面の上に設けられており、レンズ部材６０及び第２基板５２は平坦化層３５’で覆われており、平坦化層３５’とカラーフィルタ層ＣＦとは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）３６’を介して接合されている。
　あるいは又、実施例２の表示装置の変形例－２として、模式的な一部断面図を図８に示すように、光路制御手段である光出射方向制御部材６１は、発光部３０の上方に、具体的には、保護層３４の上に設けられたカラーフィルタ層ＣＦの上に設けられている。保護層３４及び光出射方向制御部材６１は平坦化層３５で覆われており、平坦化層３５と第２基板５２とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）３６を介して接合されている。この光出射方向制御部材６１の厚さ方向を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光出射方向制御部材を切断したときの光出射方向制御部材６１の断面形状は、矩形である。光出射方向制御部材６１の立体形状は、例えば、円柱形である。光出射方向制御部材６１を構成する材料の屈折率をｎ1、平坦化層３５を構成する材料の屈折率をｎ2（＜ｎ1）とすれば、光出射方向制御部材６１が平坦化層３５によって囲まれているので、光出射方向制御部材６１は一種のレンズとしての機能を有し、しかも、光出射方向制御部材６１の外縁部近傍における集光効果を効果的に高めることができる。また、光出射方向制御部材６１は平板状であるが故に、形成も容易であり、作製プロセスの簡素化を図ることができる。光出射方向制御部材６１は、屈折率の条件（ｎ2＜ｎ1）を満足すれば、平坦化層３５を構成する材料とは異なる材料によって囲まれていてもよい。あるいは又、光出射方向制御部材６１は、例えば、空気層や減圧層（真空層）によって囲まれていてもよい。
　また、実施例２の表示装置の変形例－３として、模式的な一部断面図を図９に示すように、隣接する発光素子の光路制御手段６０，６１の間に、光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ”が形成されている形態とすることもでき、これによって、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　実施例２の変形例－４として模式的な一部断面図を図１０に示すように、光路制御手段を光反射部材６２から構成することもできる。光反射部材６２として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができる。あるいは又、光反射部材６２として、発光部３０からの光が、被覆層３４及び平坦化層３５を通過し、光反射部材６２と衝突したとき、光反射部材６２によって全反射されるような屈折率ｎ3を有する材料（例えば、ｎ3＝１．５２のＳｉＯ2）を挙げることができる。具体的には、光路制御手段を構成する光反射部材６２は、平坦化層３５と平坦化層３５との間を充填している。光反射部材６２は、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）である。光反射部材６２の軸線を含む仮想平面（垂直仮想平面）で光反射部材６２を切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、図１０に示すように線分から構成されていてもよい。
　図１１に概念図を示すように、実施例２の表示装置においては、前述したとおり、発光部３０の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段６０，６１の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ0としたとき、表示装置を構成する発光素子１０の少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ0の値は０でない形態とすることができる。直線ＬＬは、発光部３０の中心と光路制御手段６０，６１の中心とを結ぶ直線である。尚、発光部３０の中心とは、第１電極３１と有機層３３とが接する領域の面積重心点を指す。また、以下の説明においては、光路制御手段６０，６１を纏めて光路制御手段６０で表現する場合がある。
　そして、基準点（基準領域）Ｐが想定されており、距離Ｄ0は基準点（基準領域）Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に依存する形態とすることができる。尚、基準点（基準領域）は或る程度の広がりを含み得る。ここで、各種の法線は、表示装置の光出射面に対する垂直線である。
　上記の好ましい形態を含む実施例２の表示装置を構成する表示パネルにおいて、基準点Ｐは表示パネル内に想定されている構成とすることができ、この場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置していない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置している構成とすることができるし、更には、これらの場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、一部の発光素子において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない構成とすることができる。
　あるいは又、上記の好ましい形態を含む実施例２の表示装置において、基準点Ｐが１つ想定されている場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に含まれる構成とすることができる。また、基準点Ｐが複数想定されている場合、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができる。
　あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの外側（外部）に想定されている構成とすることができ、この場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、全ての発光素子において距離Ｄ0の値は０でない構成とすることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む実施例２の表示装置において、各発光素子から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束（集光）する（集光される）形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、平行光である形態とすることができる。
　更には、実施例２の表示装置にあっては、発光素子が表示パネルを占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ0の値が異なる形態とすることができる。具体的には、
　基準点Ｐが設定されており、
　複数の発光素子は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
　基準点Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1とし、距離Ｄ0の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ0-X，Ｄ0-Yとし、距離Ｄ1の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ1-X，Ｄ1-Yとしたとき、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化する形態とすることができる。
　あるいは又、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加する形態とすることができる。即ち、実施例２の表示装置において、
　基準点Ｐが設定されており、
　基準点Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1としたとき、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加する形態とすることができる。
　ここで、Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ0-X＝ｋX・Ｄ1-X
Ｄ0-Y＝ｋY・Ｄ1-Y
が成立することを意味する。但し、ｋX，ｋYは定数である。即ち、Ｄ0-X，Ｄ0-Yは、１次関数に基づき変化する。一方、Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ0-X＝ｆX（Ｄ1-X）
Ｄ0-Y＝ｆY（Ｄ1-Y）
が成立することを意味する。ここで、ｆX，ｆYは、１次関数ではない関数（例えば、２次関数）である。
　あるいは又、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を、階段状の変化とすることもできる。そして、この場合、階段状の変化を全体として眺めたとき、変化が線形に変化する形態とすることもできるし、変化が非線形に変化する形態とすることもできる。更には、表示パネルをＭ×Ｎの領域に区分したとき、１つの領域内では、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を、不変としてもよいし、一定の変化としてもよい。１つの領域内の発光素子の数として、限定するものではないが、１０×１０を挙げることができる。
　図１２Ａ、図１２Ｂに概念図を示す実施例２の表示装置において、基準点Ｐは表示装置内に想定されている。即ち、基準点Ｐの正射影像は、表示装置の画像表示領域（表示パネル）に含まれるが、基準点Ｐは表示装置（表示装置の表示領域、表示パネル）の中心領域に位置していない。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂにおいては、中心領域を黒三角印で示し、発光素子を四角印で示し、発光部３０の中心を黒四角印で示す。そして、１つの基準点Ｐが想定されている。発光素子１０と基準点Ｐとの位置関係を模式的に図１２Ａ、図１２Ｂに示すが、基準点Ｐを黒丸で示す。尚、図１２Ａにおいては、１つの基準点Ｐが想定されており、図１２Ｂにおいては、複数の基準点Ｐ（図１２Ｂには２つの基準点Ｐ1，Ｐ2を示す）が想定されている。基準点Ｐは或る程度の広がりを含み得るので、一部の発光素子（具体的には、基準点Ｐの正射影像に含まれる１又は複数の発光素子）において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。発光素子が表示パネルに占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ0の値は異なる。
　実施例２の表示装置において、各発光素子１０から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束（集光）される。あるいは又、各発光素子１０から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。あるいは又、各発光素子１０から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、平行光である。光路制御手段６０を通過した光を、収束光とするか、発散光とするか、平行光とするかは、表示装置に要求される仕様に基づく。そして、この仕様に基づき、光路制御手段６０のパワー等を設計すればよい。光路制御手段６０を通過した光が収束光である場合、表示装置から出射された画像が形成される空間の位置は、基準点Ｐの法線上にある場合もあるし、無い場合もあり、表示装置に要求される仕様に依存する。表示装置から出射された画像の表示寸法、表示位置等を制御するために表示装置から出射された画像が通過する光学系を配置してもよい。如何なる光学系を配置するかも表示装置に要求される仕様に依存するが、例えば、結像レンズ系を例示することができる。
　また、実施例２の表示装置において、基準点Ｐが設定されており、複数の発光素子１０は、第１の方向（具体的には、Ｘ方向）及び第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、Ｙ方向）に配列されている。そして、基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1とし、距離Ｄ0の第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）のそれぞれの値をＤ0-X，Ｄ0-Yとし、距離Ｄ1の第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）のそれぞれの値をＤ1-X，Ｄ1-Yとしたとき、
［Ａ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｂ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｃ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｄ］Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化するように設計してもよい。
　図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、図１４Ｄ、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１５Ｄ、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄ、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄに、Ｄ1-Xの変化に対するＤ0-Xの変化、Ｄ1-Yの変化に対するＤ0-Yの変化を模式的に示す。これらの図において、白抜きの矢印は線形の変化を示し、黒矢印は非線形の変化を示す。また、矢印が表示パネルの外側に向かっている場合、光路制御手段６０を通過した光が発散光であることを示し、矢印が表示パネルの内部に向かっている場合、光路制御手段６０を通過した光が収束光あるいは平行光であることを示す。
　あるいは又、基準点Ｐが設定されており、基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ1としたとき、距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加するように設計してもよい。
　即ち、Ｄ1-X，Ｄ1-Yの変化に依存したＤ0-X，Ｄ0-Yの変化は、表示装置に要求される仕様に基づき決定すればよい。
　また、光路制御手段６０の正射影像は、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBの正射影像に含まれる。尚、これらの正射影像は、前述したとおり、第１基板に対する正射影像である。発光部３０、カラーフィルタ層ＣＦ及び光路制御手段６０の外形形状を、便宜的に円形としたが、このような形状に限定されるものではない。更には、距離Ｄ0の値が０でない発光素子１０において、例えば、図１８Ｂに示すように、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBの中心を通る法線ＬＮ”と、発光部の中心を通る法線ＬＮとは一致している。
　実施例２の表示装置の好ましい形態にあっては、発光部の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離をＤ0としたとき、表示装置を構成する発光素子の少なくとも一部において、距離Ｄ0の値は０でないので、表示装置における発光素子の位置に依存して、発光層から出射され、光路制御手段を経由した光の進む方向を、確実に、且つ、的確に制御することができる。即ち、外部の空間のどの領域に向けて表示装置からの画像をどのような状態で出射するかを、確実に、且つ、的確に制御することができる。また、光路制御手段を設けることで、表示装置から出射される画像の明るさ（輝度）の増加、隣接画素間の混色防止を図ることができるだけでなく、必要とされる視野角に応じて光を、適宜、発散させることができるし、発光素子、表示装置の長寿命化、高輝度化が実現可能である。従って、表示装置の小型、軽量化、高品位化を図ることが可能である。また、アイウエア、ＡＲ（拡張現実，Augmented　Reality）グラス、ＥＶＲへの用途が格段に広がる。
　あるいは又、実施例２の表示装置の変形例において、基準点Ｐは表示装置外に想定されている。発光素子１０と基準点Ｐ，Ｐ1，Ｐ2の位置関係を模式的に図１３Ａ及び図１３Ｂに示すが、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし（図１３Ａ参照）、あるいは又、複数の基準点Ｐ（図１３Ｂには２つの基準点Ｐ1，Ｐ2を示す）が想定されている構成とすることもできる。表示パネルの中心を対称点として、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は２回・回転対称に配置されている。ここで、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない。図示した例では、２つの基準点Ｐ1，Ｐ2は、表示パネルの中心領域には含まれない。一部の発光素子（具体的には、基準点Ｐに含まれる１又は複数の発光素子）において距離Ｄ0の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光部３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。あるいは又、全ての発光素子において距離Ｄ0の値は０でない。基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ1に関しては、或る発光部３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ1とする。そして、これらの場合、各発光素子１０から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する（集光される）。あるいは又、各発光素子１０から出射され、光路制御手段６０を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。
　１つの発光部に対して１つの光路制御手段を設けたが、場合によっては、複数の発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよい。例えば、正三角形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計３つの発光素子を配置し）、これらの３つの発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよいし、矩形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計４つの発光素子を配置し）、これらの４つの発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよい。あるいは又、１つの発光部に対して複数の光路制御手段を設けてもよい。
　実施例３においては、発光部、波長選択部及び光路制御手段の配置関係について説明する。ここで、距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、
（ａ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、発光部の中心を通る法線ＬＮとは一致している形態
（ｂ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している形態
（ｃ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、発光部の中心を通る法線ＬＮとは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’とは一致していない形態
とすることができる。（ｂ）あるいは（ｃ）後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。ここで、波長選択部の中心とは、波長選択部が占める領域の面積重心点を指す。あるいは又、波長選択部の平面形状が、円形、楕円形、正方形（コーナー部が丸みを帯びた正方形を含む）、長方形（コーナー部が丸みを帯びた長方形を含む）、正多角形（コーナー部が丸みを帯びた正多角形を含む）の場合、これらの図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形の一部が切り欠かれた図形である場合、切り欠かれた部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形が連結された図形である場合、連結部分を除去し、除去した部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当する。また、光路制御手段の中心とは、光路制御手段が占める領域の面積重心点を指す。あるいは又、光路制御手段の平面形状が、円形、楕円形、正方形（コーナー部が丸みを帯びた正方形を含む）、長方形（コーナー部が丸みを帯びた長方形を含む）、正多角形（コーナー部が丸みを帯びた正多角形を含む）の場合、これらの図形の中心が光路制御手段の中心に該当する。
　概念図を図１８Ａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合がある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＝０である。尚、ｄ0は、前述したとおり、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との間の距離（オフセット量）である。
　例えば、１画素が３つの副画素から構成されている場合、ｄ0、Ｄ0の値は、１画素を構成する３つの副画素において同じ値であってもよいし、１つの副画素を除き２つの副画素において同じ値であってもよいし、３つの副画素において異なった値であってもよい。
　また、概念図を図１８Ｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致しているが、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致していない場合もある。即ち、Ｄ0≠ｄ0＝０である。
　更には、概念図を図１８Ｃに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＞０である。
　また、概念図を図１９に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光部の中心と光路制御手段６０の中心（図１９において黒丸で示す）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心（図１９において黒四角印で示す）が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心までの距離をＬＬ1、厚さ方向の波長選択部の中心から光路制御手段６０の中心までの距離をＬＬ2としたとき、
Ｄ0＞ｄ0＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
ｄ0：Ｄ0＝ＬＬ1：（ＬＬ1＋ＬＬ2）
を満足することが好ましい。
　あるいは又、概念図を図２０Ａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＝０である。
　また、概念図を図２０Ｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ0＝ｄ0＞０である。
　更には、概念図を図２１に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、光路制御手段６０の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光部の中心と光路制御手段６０の中心とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心（図２１において黒四角印で示す）までの距離をＬＬ1、厚さ方向の波長選択部の中心から光路制御手段６０の中心（図２１において黒丸で示す）までの距離をＬＬ2としたとき、
ｄ0＞Ｄ0＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
Ｄ0：ｄ0＝ＬＬ2：（ＬＬ1＋ＬＬ2）
を満足することが好ましい。
　実施例４は、実施例１～実施例３の変形であり、実施例４の表示装置は共振器構造を有する。即ち、有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。共振器構造を設ける場合、前述したとおり、有機層３３を共振部とし、第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよいし、第１電極３１よりも下方に（第１基板５１側に）光反射層３７を形成し、第１電極３１と光反射層３７との間に層間絶縁材料層３８を形成し、有機層３３及び層間絶縁材料層３８を共振部とし、光反射層３７と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよい。即ち、基体２６の上に光反射層３７を設け、光反射層３７の上に層間絶縁材料層３８を設け、層間絶縁材料層３８の上に第１電極３１を設ける場合、第１電極３１、層間絶縁材料層３８を、前述した材料から構成すればよい。光反射層３７は、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７に接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。
　具体的には、第１電極と有機層との界面によって構成された第１界面（あるいは、第１電極の下に層間絶縁材料層が設けられ、層間絶縁材料層の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と層間絶縁材料層との界面によって構成された第１界面）と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの光学距離をＯＬ1、発光層の最大発光位置から第２界面までの光学距離をＯＬ2とし、ｍ1及びｍ2を整数としたとき、以下の式（１－１）及び式（１－２）を満たす構成とすることができる。
０．７｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝≦２×ＯＬ1／λ≦１．２｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝　
　　　　　　（１－１）
０．７｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝≦２×ＯＬ2／λ≦１．２｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝　
　　　　　　（１－２）
ここで、
λ　：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ1≦０
Φ2：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ2≦０
である。
　ここで、ｍ1の値は０以上の値であり、ｍ2の値は、ｍ1の値と独立して、０以上の値であるが、（ｍ1，ｍ2）＝（０，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（０，１）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，１）である形態を例示することができる。
　発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁材料層）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁材料層）の厚さで除したものである。
　発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、例えば、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき発光素子におけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、発光素子を設計すればよい。
　第１電極又は光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ1，Φ2は、第１電極又は光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、”Principles　of　Optic”,　Max　Born　and　Emil　Wolf,　1974　(PERGAMON　PRESS)参照）。有機層や層間絶縁材料層等の屈折率も、あるいは又、第１電極の屈折率も、あるいは又、第１電極が入射した光の一部を吸収し、残りを反射する場合の第１電極の屈折率も、エリプソメータを用いて測定することで求めることができる。
　光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。光反射層を構成する材料に依っては、成膜される光反射層の結晶状態の制御のために、例えば、ＴｉＮから成る下地層を形成しておくことが好ましい。
　このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色光を発光する有機層から構成された赤色光発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された赤色光発光素子］は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。また、白色光を発光する有機層から構成された緑色光発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された緑色光発光素子］は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。更には、白色光を発光する有機層から構成された青色光発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された青色光発光素子］は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき、赤色光発光素子、緑色光発光素子、青色光発光素子のそれぞれにおけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開２０１２－２１６４９５号公報の段落番号［００４１］には、有機層を共振部とした共振器構造を有する有機ＥＬ素子が開示されており、発光点（発光面）から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、８０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、３５０ｎｍ以下であることがより好ましいと記載されている。通常、（Ｌ1＋Ｌ2＝Ｌ0）の値は、赤色光発光素子、緑色光発光素子及び青色光発光素子において異なる。
　以下、図２２Ａ（第１例）、図２２Ｂ（第２例）、図２３Ａ（第３例）、図２３Ｂ（第４例）、図２４Ａ（第５例）、図２４Ｂ（第６例）、図２５Ａ（第７例）、並びに、図２５Ｂ及び図２５Ｃ（第８例）を参照して、第１例～第８例に基づき共振器構造について説明する。ここで、第１例～第４例、第７例において、第１電極及び第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。一方、第５例～第６例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有し、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。また、第８例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有する場合もあるし、同じ厚さを有する場合もあり、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。
　尚、以下の説明において、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3を構成する発光部を参照番号３０1，３０2，３０3で表し、第１電極を参照番号３１1，３１2，３１3で表し、第２電極を参照番号３２1，３２2，３２3で表し、有機層を参照番号３３1，３３2，３３3で表し、光反射層を参照番号３７1、３７2、３７3で表し、層間絶縁材料層を参照番号３８1，３８2，３８3，３８1’，３８2’，３８3’で表す。以下の説明において、使用する材料は例示であり、適宜、変更することができる。
　第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3の全てが波長選択部を備えていてもよいし、１つの発光素子を除き２つの発光素子が波長選択部を備えていてもよいし、３つの発光素子の全てが波長選択部を備えていなくてもよい。
　図示した例では、式（１－１）及び式（１－２）から導かれる第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3の共振器長を、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2、第３発光素子１０3の順で短くしたが、即ち、Ｌ0の値を、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2、第３発光素子１０3の順で短くしたが、これに限定するものではなく、ｍ1，ｍ2の値を、適宜、設定することで最適な共振器長を決定すればよい。
　共振器構造の第１例を有する発光素子の概念図を図２２Ａに示し、共振器構造の第２例を有する発光素子の概念図を図２２Ｂに示し、共振器構造の第３例を有する発光素子の概念図を図２３Ａに示し、共振器構造の第４例を有する発光素子の概念図を図２３Ｂに示す。第１例～第６例、第８例の一部において、発光部３０の第１電極３１の下に層間絶縁材料層３８，３８’が形成されており、層間絶縁材料層３８，３８’の下に光反射層３７が形成されている。第１例～第４例において、層間絶縁材料層３８，３８’の厚さは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。そして、層間絶縁材料層３８1，３８2，３８3，３８1’，３８2’，３８3’の厚さを適切に設定することで、発光部３０の発光波長に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　第１例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第１界面（図面においては、点線で示す）は同じレベルとされる一方、第２界面（図面においては、一点鎖線で示す）のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。また、第２例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第１界面は異なるレベルとされる一方、第２界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において同じである。
　第２例において、層間絶縁材料層３８1’，３８2’，３８3’は、光反射層３７の表面が酸化された酸化膜から構成されている。酸化膜から成る層間絶縁材料層３８’は、光反射層３７を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層３７の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層３７が形成された第１基板５１を浸漬する。また、光反射層３７と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層３７を陽極として、光反射層３７を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層３７と陰極との電位差に比例する。それ故、光反射層３７1、３７2、３７3のそれぞれに発光部３０1，３０2，３０3に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、厚さの異なる酸化膜から成る層間絶縁材料層３８1’，３８2’，３８3’を、一括して、光反射層３７の表面に形成することができる。光反射層３７1、３７2、３７3の厚さ、層間絶縁材料層３８1’，３８2’，３８3’の厚さは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第３例にあっては、光反射層３７の下に下地膜３９が配設されており、下地膜３９は、発光部３０1，３０2，３０3において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０1、発光部３０2、発光部３０3の順に、下地膜３９の厚さは厚い。
　第４例にあっては、成膜時の光反射層３７1，３７2，３７3の厚さが、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。第３例～第４例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第５例～第６例においては、第１電極３１1，３１2，３１3の厚さが、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。光反射層３７は各発光部３０において同じ厚さを有する。
　第５例において、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において同じである一方、第２界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第６例においては、光反射層３７の下に下地膜３９が配設されており、下地膜３９は、発光部３０1，３０2，３０3において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０1、発光部３０2、発光部３０3の順に、下地膜３９の厚さは厚い。第６例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第７例において、第１電極３１1，３１2，３１3は光反射層を兼ねており、第１電極３１1，３１2，３１3を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。例えば、発光部３０1の第１電極３１1を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０2の第１電極３１2と発光部３０3の第１電極３１3をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。
　また、第８例において、第１電極３１1，３１2は光反射層を兼ねており、第１電極３１1，３１2を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０1，３０2において異なる。例えば、発光部３０1の第１電極３１1を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０2の第１電極３１2と発光部３０3の第１電極３１3をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。第８例では、例えば、発光部３０1，３０2に第７例を適用し、発光部３０3に第１例を適用している。第１電極３１1，３１2，３１3の厚さは、異なっていてもよいし、同じであってよい。
　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置（有機ＥＬ表示装置）、発光素子（有機ＥＬ素子）の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、駆動回路（発光素子駆動部）をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。第１電極や第２電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。
　或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光部を形成してもよい。このように遮光部を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を向上させるため各画素に対してカラーフィルタ層を配置しているが、発光素子の構成に依っては、カラーフィルタ層の薄膜化若しくはカラーフィルタ層の省略が可能となり、カラーフィルタ層で吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。あるいは又、光吸収層（ブラックマトリクス層）に遮光性を付与してもよい。
　本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図２６Ａに示し、背面図を図２６Ｂに示す。このレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子》
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
を少なくとも備えており、
　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する発光素子。
［Ａ０２］第１有機材料のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯHTM、隣接する一方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ1、隣接する他方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ2としたとき、
｜ＨＯＭＯ2｜≦｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
より好ましくは、
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜＜｜ＨＯＭＯ1｜
を満足する［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］第２有機材料のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯETM、隣接する一方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ1、隣接する他方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ2としたとき、
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜≦｜ＬＵＭＯ2｜
好ましくは、
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ1｜
｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ2｜
を満足する［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０４］第２有機材料の電子移動度をＥＭETM、隣接する一方の発光層を構成する材料の電子移動度をＥＭ1としたとき、
ＥＭ1Ｅ≦ＥＭETM
好ましくは、
ＥＭ1Ｅ＜ＥＭETM
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０５］中間層を占める第１有機材料の質量をＭHTM、中間層を占める第２有機材料の質量をＭETMとしたとき、
ＭHTM≧ＭETM
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《表示装置》
　複数の発光素子が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
　各発光素子は、
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
を少なくとも備えており、
　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
を満足する表示装置。
［Ｂ０２］《表示装置》
　第１基板、及び、第２基板、並びに、
　第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
　各発光素子は、［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子から構成されており、
　発光部からの光が、第２基板を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板を介して外部に出射される表示装置。
［Ｃ０１］発光部から出射された光が通過する光路制御手段を更に備えており、
　基準点Ｐが設定されており、
　基準点Ｐから発光部の中心を通る法線までの距離をＤ1とし、発光部の中心を通る法線と光路制御手段の中心を通る法線との間の距離をＤ0としたとき、表示装置に備えられた表示パネルを構成する発光素子の少なくとも一部において、距離Ｄ0の値は０でない［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の表示装置。
［Ｃ０２］距離Ｄ0は、距離Ｄ1に依存する［Ｃ０１］に記載の表示装置。
［Ｃ０３］基準点Ｐは表示パネル内に想定されている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の表示装置。
［Ｃ０４］基準点Ｐは、表示パネルの中心領域に位置していない［Ｃ０３］に記載の表示装置。
［Ｃ０５］複数の基準点Ｐが想定されている［Ｃ０３］又は［Ｃ０４］に記載の表示装置。
［Ｃ０６］基準点Ｐが１つ想定されている場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれず、基準点Ｐが複数想定されている場合、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない［Ｃ０３］に記載の表示装置。
［Ｃ０７］基準点Ｐは表示パネルの外側に想定されている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の表示装置。
［Ｃ０８］複数の基準点Ｐが想定されている［Ｃ０７］に記載の表示装置。
［Ｃ０９］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１０］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１１］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、平行光である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１２］複数の発光素子は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
　距離Ｄ0の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ0-X，Ｄ0-Yとし、距離Ｄ1の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ1-X，Ｄ1-Yとしたとき、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは線形に変化し、又は、
　Ｄ1-Xの変化に対してＤ0-Xは非線形に変化し、Ｄ1-Yの変化に対してＤ0-Yは非線形に変化する［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１３］距離Ｄ1の値が増加するに従い、距離Ｄ0の値が増加する［Ｃ０１］乃至［Ｃ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１４］光路制御手段の光入射側又は光出射側には、波長選択部が設けられている［Ｃ０１］乃至［Ｃ１３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ１５］第１基板に対する光路制御手段の正射影像は、第１基板に対する波長選択部の正射影像と一致し、又は、第１基板に対する波長選択部の正射影像に含まれる［Ｃ１４］に記載の表示装置。
［Ｃ１６］距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、発光部の中心を通る法線とは一致している［Ｃ１４］又は［Ｃ１５］に記載の表示装置。
［Ｃ１７］距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｃ１４］又は［Ｃ１５］に記載の表示装置。
［Ｃ１８］第１基板に対する光路制御手段の正射影像は、第１基板に対する波長選択部の正射影像に含まれ、
　距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、発光部の中心を通る法線とは一致している［Ｃ１４］に記載の表示装置。
［Ｃ１９］第１基板に対する光路制御手段の正射影像は、第１基板に対する波長選択部の正射影像に含まれ、
　距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｃ１４］に記載の表示装置。
［Ｃ２０］第１基板に対する光路制御手段の正射影像は、第１基板に対する波長選択部の正射影像と一致し、
　距離Ｄ0の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｃ１４］に記載の表示装置。
［Ｃ２１］隣接する発光素子の波長選択部の間には光吸収層が形成されている［Ｃ１４］乃至［Ｃ２０］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ２２］隣接する光路制御手段の間には光吸収層が形成されている［Ｃ０１］乃至［Ｃ２１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｃ２３］発光素子を構成する発光部は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む［Ｃ０１］乃至［Ｃ２２］のいずれか１項に記載の表示装置。
１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・発光素子、２０・・・トランジスタ、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・基体、２６Ａ・・・下層層間絶縁層、２６Ｂ・・・上層層間絶縁層、２７Ａ，２７Ｂ・・・コンタクトホール（コンタクトプラグ）、２７Ｃ・・・パッド部、２８・・・絶縁層、３０・・・発光部、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、３３・・・有機層、３３ａ・・・第１発光層、３３ｂ・・・第２発光層、３３ｃ・・・第３発光層、３３ｄ・・・中間層、３３ｅ・・・第１有機材料、３３ｆ・・・第２有機材料、３４・・・保護層、３５，３５’・・・平坦化層、３６，３６’・・・樹脂層（封止樹脂層）、３７・・・光反射層、３８・・・層間絶縁材料層、３９・・・下地層、ＣＦ，ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB・・・カラーフィルタ層、５１・・・第１基板、５２・・・第２基板、６０，６１・・・光路制御手段、６２・・・光反射部材、ＢＭ，ＢＭ’，ＢＭ”・・光吸収層（ブラックマトリクス層）

Claims (6)

  1. 　第１電極、
    　第２電極、及び、
    　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
    を少なくとも備えており、
    　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
    　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
    　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
    ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
    を満足する発光素子。
  2. 　第１有機材料のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯHTM、隣接する一方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ1、隣接する他方の発光層のＨＯＭＯ値をＨＯＭＯ2としたとき、
    ｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯHTM｜≦｜ＨＯＭＯ1｜
    を満足する請求項１に記載の発光素子。
  3. 　第２有機材料のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯETM、隣接する一方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ1、隣接する他方の発光層のＬＵＭＯ値をＬＵＭＯ2としたとき、
    ｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ1｜
    ｜ＬＵＭＯETM｜＜｜ＬＵＭＯ2｜
    を満足する請求項１に記載の発光素子。
  4. 　第２有機材料の電子移動度をＥＭETM、隣接する一方の発光層を構成する材料の電子移動度をＥＭ1としたとき、
    ＥＭ1Ｅ＜ＥＭETM
    を満足する請求項１に記載の発光素子。
  5. 　中間層を占める第１有機材料の質量をＭHTM、中間層を占める第２有機材料の質量をＭETMとしたとき、
    ＭHTM≧ＭETM
    を満足する請求項１に記載の発光素子。
  6. 　複数の発光素子が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
    　各発光素子は、
    　第１電極、
    　第２電極、及び、
    　第１電極と第２電極とによって挟まれた発光部、
    を少なくとも備えており、
    　発光部は、少なくとも、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層、及び、２層の発光層の間に位置する中間層を有しており、
    　中間層は、正孔輸送性を有する第１有機材料、及び、電子輸送性を有する第２有機材料を含んでおり、
    　第１有機材料のバンドギャップエネルギーをＢＧHTM、隣接する２層の発光層を構成する材料の内、最大のバンドギャップエネルギーを有する材料のバンドギャップエネルギーをＢＧmaxとしたとき、
    ＢＧHTM－ＢＧmax≧０．２ｅＶ
    を満足する表示装置。
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