JP7428144B2 - 発光素子及び表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光素子、及び、係る発光素子を複数備えた表示装置に関する。

近年、発光素子として有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）の開発が進んでいる。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、画素毎に分離して形成された第１電極（下部電極、例えば、アノード電極）の上に、少なくとも発光層を含む有機層、及び、第２電極（上部電極、例えば、カソード電極）が形成された発光素子を、複数、有する。そして、例えば、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子のそれぞれが副画素として設けられ、これらの副画素から１画素が構成され、第２電極（上部電極）を介して発光層からの光が外部に出射される。

このような表示装置において、光取り出し効率を向上させ、また、正面輝度を増加させるために、各発光素子の光出射側にレンズ部材が配設されている。例えば、特開２０１３－０５８４４７号公報には、有機ＥＬ素子の光取り出し側に、色変換部材と、低屈折率層と、マイクロレンズとを、この順に設け、低屈折率層の屈折率が色変換部材及びマイクロレンズの屈折率よりも小さい有機ＥＬ発光装置が開示されている。

特開２０１３－０５８４４７号公報 特開２０１２－００７０４６号公報

レンズ部材の光学的パワーの増加のためには、レンズ部材のレンズ面と、レンズ面と接する部材との間の屈折率差が重要である。しかしながら、上記の特許公開公報には、レンズ面と接する部材については、何ら、言及されていない。凹凸の加工処理を施した光学フィルム、及び、光学フィルムの凹凸面に粘接着剤層を有する光学積層シートであって、粘接着剤層が凹凸の加工処理された光学フィルムの凸部の一部に形成されており、凸部の高さの５％～９０％が粘接着剤層で埋められている光学積層シートが、特開２０１２－００７０４６号公報に開示されている。ここで、光学フィルムによってマイクロレンズが構成され、凸部と凸部との間には空気層が存在する。凸部と凸部との間に屈折率１の空気層が存在するが故に、レンズ部材の光学的パワーの増加を図ることができる。しかしながら、屈折率差が大きくなり過ぎ、有機ＥＬ表示装置に適用した場合、光取り出し効率、正面輝度の増加を図れなくなるといった問題がある。

従って、本開示の目的は、光取り出し効率、正面輝度の増加を図ることができる構成、構造を有する発光素子、係る発光素子を備えた表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子は、
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されている。

そして、本開示の第１の態様に係る発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっている。

また、本開示の第２の態様に係る発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

更には、本開示の第３の態様に係る発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の外縁部側と接しており、
第２被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の中央部側と接しており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

上記の目的を達成するための本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置は、
第１基板及び第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に形成された複数の発光素子、
を備えた表示装置であって、
各発光素子は、
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
各発光素子において、発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されている。

そして、本開示の第１の態様に係る表示装置にあっては、
各発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

また、本開示の第２の態様に係る表示装置にあっては、
各発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の外縁部側と接しており、
第２被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の中央部側と接しており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２は、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例１の発光素子の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例２の表示装置の模式的な一部断面図である。 図４は、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例２の発光素子の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例３の表示装置の模式的な一部断面図である。 図６は、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例３の発光素子の模式的な一部断面図である。 図７は、実施例４の表示装置の模式的な一部断面図である。 図８は、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例４の発光素子の模式的な一部断面図である。 図９は、実施例５の表示装置の模式的な一部断面図である。 図１０は、実施例１の表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図である。 図１１は、実施例１の表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図である。 図１２は、実施例１の表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図である。 図１３は、実施例１の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例１の表示装置の変形例－５の模式的な一部断面図である。 図１５は、実施例１の表示装置の変形例－６の模式的な一部断面図である。 図１６は、光路制御手段を光反射部材から構成した表示装置の模式的な一部断面図である。 図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄは、実施例１の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃは、図１に示した実施例１の発光素子におけるレンズ部材の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、本開示の表示装置をレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示し、デジタルスチルカメラの正面図を図１９Ａに、背面図を図１９Ｂに示す。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、実施例５の表示装置における発光素子と基準点との位置関係を示す模式図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、実施例５の表示装置の変形例における発光素子と基準点との位置関係を模式的に示す図である。 図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃ及び図２２Ｄは、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を模式的に示す図である。 図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃ及び図２３Ｄは、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を模式的に示す図である。 図２４Ａ、図２４Ｂ、図２４Ｃ及び図２４Ｄは、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を模式的に示す図である。 図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ及び図２５Ｄは、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を模式的に示す図である。 図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃは、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２７は、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２８Ａ及び図２８Ｂは、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図２９は、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係を説明するための概念図である。 図３０Ａ及び図３０Ｂは、共振器構造を有する第１例及び第２例の発光素子の概念図である。 図３１Ａ及び図３１Ｂは、共振器構造を有する第３例及び第４例の発光素子の概念図である。 図３２Ａ及び図３２Ｂは、共振器構造を有する第５例及び第６例の発光素子の概念図である。 図３３Ａは、共振器構造を有する第７例の発光素子の概念図であり、図３３Ｂ及び図３３Ｃは、共振器構造を有する第８例の発光素子の概念図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１～実施例４の変形）
７．その他

〈本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置〉
本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置を構成する発光素子（以下、これらの発光素子を総称して、便宜上、『本開示の発光素子等』と呼ぶ場合がある）において、光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凸状である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第１構成の発光素子』と呼ぶ。

第１構成の発光素子において、光路制御手段の光入射面は中間層の頂面と接している構成とすることができる。そして、このような好ましい構成を含む第１構成の発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う構成とすることができ、更には、この場合、第１被覆層は、更に、中間層を覆う構成とすることができる。更には、これらの好ましい構成を含む第１構成の発光素子において、光路制御手段は正の光学的パワーを有する構成、あるいは又、光路制御手段は凸レンズ部材から成る構成とすることができる。第１被覆層は中間層上に形成されている。第２被覆層は第１被覆層よりも光出射側に位置しており、後述する第２構成の発光素子、第３構成の発光素子及び第４構成の発光素子においても同様である。

あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凸状である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第２構成の発光素子』と呼ぶ。

第２構成の発光素子において、光路制御手段の光出射面は平坦である構成とすることができる。そして、このような好ましい構成を含む第２構成の発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う構成とすることができ、更には、これらの好ましい構成を含む第２構成の発光素子において、光路制御手段は正の光学的パワーを有する構成、あるいは又、光路制御手段は凸レンズ部材から成る構成とすることができる。第１被覆層は中間層上に形成されており、光路制御手段は第１被覆層上に形成されている。

更には、以上に説明した各種の好ましい構成を含む第１構成の発光素子において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₀
を満足する形態とすることが好ましい。ここで、限定するものでないが、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．３０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足することが好ましい。また、以上に説明した各種の好ましい構成を含む第２構成の発光素子において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₂＜ｎ₁＜ｎ₀
を満足する形態とすることが好ましい。ここで、限定するものでないが、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．３０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足することが好ましい。

あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凹状である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第３構成の発光素子』と呼ぶ。

第３構成の発光素子において、光路制御手段の光入射面は中間層の頂面と接している構成とすることができる。そして、このような好ましい構成を含む第３構成の発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う構成とすることができ、更には、これらの好ましい構成を含む第３構成の発光素子において、光路制御手段は負の光学的パワーを有する構成、あるいは又、光路制御手段は凹レンズ部材から成る構成とすることができる。

あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凹状である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第４構成の発光素子』と呼ぶ。

第４構成の発光素子において、光路制御手段の光出射面は平坦である構成とすることができる。そして、このような好ましい構成を含む第４構成の発光素子において、
第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う構成とすることができ、更には、これらの好ましい構成を含む第４構成の発光素子において、光路制御手段は負の光学的パワーを有する構成、あるいは又、光路制御手段は凹レンズ部材から成る構成とすることができる。第１被覆層は中間層上に形成されており、光路制御手段の一部も中間層上に形成されている。あるいは又、第１被覆層は中間層上に形成されており、光路制御手段は第１被覆層上に形成されている。

更には、以上に説明した各種の好ましい構成を含む第３構成の発光素子において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₁＜ｎ₂
を満足する形態とすることが好ましい。ここで、限定するものでないが、
０．１５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足することが好ましい。また、以上に説明した各種の好ましい構成を含む第４構成の発光素子において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₂＜ｎ₁
を満足する形態とすることが好ましい。ここで、限定するものでないが、
０．１５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足することが好ましい。

以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段を構成する凸レンズ部材の光軸に沿った厚さ、あるいは、凹レンズ部材の光軸に沿った厚さ（凹レンズ部材の対向する２つのレンズ面の光軸に沿った距離）を、便宜上、『光路制御手段の高さ』と呼ぶとき、光路制御手段の高さＨ₀と、隣接する発光素子を構成する光路制御手段の間の最小距離Ｌ₀とは、
０≦Ｌ₀／Ｈ₀≦０．５
を満足する形態とすることができる。また、発光素子の大きさ（画素あるいは副画素の１辺の長さ）を１．００としたとき、Ｌ₀は０．１以下であることが好ましい。

あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは接している形態とすることができるし、隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段との間には隙間が存在する形態とすることができる。前者の場合、光路制御手段の平面形状を正六角形とするハニカム構造を採用すればよい。また、前者の場合、隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とが重なるように接していてもよい。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段の高さＨ₀と、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆う第１被覆層の厚さＨ₁とは、
０．１０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．９０
望ましくは、
０．３０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．７０
を満足する形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、中間層には波長選択部が含まれる形態とすることができるし、あるいは又、光路制御手段及び被覆層よりも光出射側に波長選択部が形成されている形態とすることができる。発光部に対する光路制御手段の正射影像は、発光部に対する波長選択部の正射影像と一致する形態とすることができるし、あるいは又、発光部に対する波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。更には、これらの場合、距離Ｄ₀（後述する）の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、発光部の中心を通る法線とは一致している形態とすることができ、あるいは又、距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。また、隣接する発光素子の波長選択部の間には光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができる。波長選択部の中心とは、波長選択部が占める領域の面積重心点を指す。あるいは又、波長選択部の平面形状が、円形、楕円形、正方形、長方形、正多角形の場合、これらの図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形の一部が切り欠かれた図形である場合、切り欠かれた部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当するし、これらの図形が連結された図形である場合、連結部分を除去し、除去した部分を補完した図形の中心が波長選択部の中心に該当する。隣接する発光素子の波長選択部の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）を形成することでも、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。波長選択部は、例えば、カラーフィルタ層から構成することができ、カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。あるいは又、波長選択部は、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜、量子ドットから構成することもできる。以下、カラーフィルタ層で波長選択部を代表して説明を行うが、波長選択部はカラーフィルタ層に限定するものではない。尚、発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光素子の波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。また、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、発光部の中心を通る法線とカラーフィルタ層の中心を通る法線との間の距離（オフセット量）ｄ₀に応じて、適宜、変えてもよい。波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の平面形状は、光路制御手段の平面形状と同じであってもよいし、相似であってもよいし、異なっていてもよい。

更には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、隣接する発光素子の光路制御手段の間には光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができる。隣接する発光素子の光路制御手段の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）を形成することでも、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。

これらの光吸収層（ブラックマトリクス層）は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものを挙げることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、第１被覆層の頂面は、平坦である形態とすることができるし、あるいは又、中間層に向かって凹んでいる形態とすることができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、発光部は有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態とすることができる。即ち、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成る形態とすることができるし、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る形態とすることができる。ここで、本開示の表示装置は、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。

以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段は、上述したとおり、凸レンズ部材（オンチップマイクロ凸レンズ）から成り、あるいは又、凹レンズ部材（オンチップマイクロ凹レンズ）から成るだけでなく、光反射部材から構成することもできる。以下の説明において、凸レンズ部材及び凹レンズ部材を纏めて『レンズ部材』と呼ぶ場合がある。レンズ部材は、球面レンズとすることもできるし、非球面レンズとすることもできる。また、凸レンズ部材は平凸レンズから構成することができるし、凹レンズ部材は平凹レンズから構成することができる。更には、レンズ部材は、屈折型レンズとすることもできるし、回折型レンズとすることもできる。

そして、各発光素子において、発光部の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ₀としたとき、表示装置を構成する発光素子の少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ₀の値は０でない形態とすることができる。また、表示装置にあっては、基準点（基準領域）が想定されており、距離Ｄ₀は基準点（基準領域）から発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ₁に依存する形態とすることができる。尚、基準点（基準領域）は或る程度の広がりを含み得る。ここで、各種の法線は、表示装置の光出射面に対する垂直線である。発光部の中心とは、第１電極と有機層（後述する）とが接する領域の面積重心点を指す。第１電極が有機層の一部と接している構成とすることができるし、有機層が第１電極の一部と接している構成とすることができる。具体的には、第１電極の大きさは有機層よりも小さい構成とすることができるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層と同じ大きさであるが、第１電極と有機層との間の一部分に絶縁層が形成されている構成とすることもできるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層より大きい構成とすることもできる。

表示装置の全体から出射される光（画像）を、集束系とするか、発散系とするかは、表示装置の仕様に依るし、表示装置にどの程度の視野角依存性、広視野角特性が要求されるかにも依存する。

以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子等において、光路制御手段を凸レンズ部材（オンチップマイクロ凸レンズ）から構成する場合、即ち、第１構成の発光素子あるいは第２構成の発光素子において、光路制御手段、第１被覆層及び第２被覆層を構成する材料として、以下の材料を挙げることができる。
［第１構成の発光素子］
光路制御手段
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂（屈折率：１．７２）
ＳｉＮ（屈折率：１．７４）
第１被覆層
中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
第２被覆層
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂（屈折率１．６４）
［第２構成の発光素子］
光路制御手段
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂（屈折率：１．７２）
ＳｉＮ（屈折率：１．７４）
第１被覆層
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂（屈折率１．６４）
第２被覆層
中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）

一方、光路制御手段を凹レンズ部材（オンチップマイクロ凹レンズ）から構成する場合、即ち、第３構成の発光素子あるいは第４構成の発光素子において、光路制御手段、第１被覆層及び第２被覆層を構成する材料として、以下の材料を挙げることができる。
［第３構成の発光素子］
光路制御手段
中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
ＳｉＯ₂（屈折率：１．５２）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
第１被覆層
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂（屈折率１．６４）
第２被覆層
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂（屈折率：１．７２）
ＳｉＮ（屈折率：１．７４）
［第４構成の発光素子］
光路制御手段
中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
ＳｉＯ₂（屈折率：１．５２）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
第１被覆層
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂（屈折率：１．７２）
ＳｉＮ（屈折率：１．７４）
第２被覆層
フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）
アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）
エポキシ系透明樹脂（屈折率：１．５５）
Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂（屈折率１．６４）

レンズ部材は、レンズ部材を構成する透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、グレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることもできるし、ナノインプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。レンズ部材（マイクロレンズ）を構成する材料として、高屈折樹脂材料（凸レンズ用）、高屈折無機膜（凸レンズ用）、低屈折樹脂材料（凹レンズ用）、低屈折無機膜（凹レンズ用）を挙げることができる。

第１被覆層の形成方法として、スピンコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、各種ロールコート法を挙げることができるし、第２被覆層の形成方法として、スピンコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、各種ロールコート法、ディップコート法を挙げることができる。第１被覆層を塗布法に基づき形成する場合、粘度が低く、濡れ性の良い材料を選択することが好ましい。また、第１被覆層は、一定の強度を有することが、表示装置に強度を付与するといった観点から望ましい。第２被覆層は、高い封止性を有することが、表示装置に高い信頼性を付与するといった観点から望ましい。また、第２被覆層は封止樹脂層を兼ねることもでき、この場合、形成方法として、真空注入法や液晶滴下法を挙げることができる。

更には、第１構成の発光素子において、［光路制御手段を構成する材料，第１被覆層を構成する材料，第２被覆層を構成する材料］の組み合わせとして、限定するものではないが、
［アクリル系透明樹脂，中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂］
［エポキシ系透明樹脂，中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂］
［ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂，アクリル系透明樹脂］
［ＳｉＮ無機膜，フッ素系低屈折率透明樹脂，アクリル系透明樹脂］
を挙げることができるし、第２構成の発光素子において、［光路制御手段を構成する材料，第１被覆層を構成する材料，第２被覆層を構成する材料］の組み合わせとして、限定するものではないが、
［アクリル系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂，中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂］
［エポキシ系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂，中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂］
［ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂，アクリル系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂］
［ＳｉＮ無機膜，アクリル系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂］
を挙げることができるし、第３構成の発光素子において、［光路制御手段を構成する材料，第１被覆層を構成する材料，第２被覆層を構成する材料］の組み合わせとして、
［フッ素系低屈折率透明樹脂，アクリル系透明樹脂，ＳｉＮ無機膜］
［アクリル系透明樹脂，Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂，ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂］
［ＳｉＯ₂無機膜，Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂，ＳｉＮ無機膜］
［中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂，アクリル系透明樹脂］
を挙げることができるし、第４構成の発光素子において、［光路制御手段を構成する材料，第１被覆層を構成する材料，第２被覆層を構成する材料］の組み合わせとして、限定するものではないが、
［フッ素系低屈折率透明樹脂，ＳｉＮ無機膜，アクリル系透明樹脂］
［アクリル系透明樹脂，ＴｉＯ₂分散アクリル系透明樹脂，Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂］
［ＳｉＯ₂無機膜，ＳｉＮ無機膜，Ａｌ₂Ｏ₃分散アクリル系透明樹脂］
［中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂，アクリル系透明樹脂，フッ素系低屈折率透明樹脂］
を挙げることができる。

本開示の第２の態様に係る発光素子、本開示の第２の態様に係る表示装置を構成する発光素子において、光路制御手段を構成する光反射部材として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができるし、本開示の発光素子等において、光反射部材として、発光部からの光が、中間層、被覆層を通過し、光反射部材と衝突したとき、光反射部材によって全反射されるような屈折率を有する材料を挙げることができる。具体的には、光路制御手段は、例えば、被覆層と被覆層との間を充填する光反射部材から構成されている構成とすることができる。光反射部材は、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）とすることが好ましい。光反射部材の軸線を含む仮想平面で光反射部材を切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、線分から構成されていてもよい。

本開示の表示装置において、画素（あるいは副画素）の配列として、デルタ配列を挙げることができるし、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列を挙げることができる。波長選択部の配列も、画素（あるいは副画素）の配列に準拠して、デルタ配列、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列とすればよい。

以下、発光部に着目し、発光素子を構成する発光部が有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態に関して、即ち、本開示の表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成る形態に関して、説明を行う。

有機ＥＬ表示装置は、
第１基板、及び、第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
第１基板の上に形成された基体上に設けられた各発光素子は、
第１電極、
第２電極、及び、
第１電極と第２電極とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層から成る発光層を含む）、
を少なくとも備えており、
有機層からの光が、第２基板を介して外部に出射される。

第２電極の上には中間層が形成されており、中間層上には光路制御手段が設けられており、被覆層が少なくとも光路制御手段を覆っている。第１電極は、各発光素子毎に設けられている。有機層は、各発光素子毎に設けられており、あるいは又、発光素子に共通して設けられている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。基体の下方あるいは下には第１基板が配置されており、第２電極の上方に第２基板が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光部は基体上に設けられている。

そして、有機層は白色光を出射する形態とすることができ、この場合、有機層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態とすることができる。具体的には、有機層は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色発光層、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色発光層、及び、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色発光層の３層が積層された積層構造を有する形態とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。有機層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。このような白色を発光する有機層（発光部）と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで赤色発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで緑色発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで青色発光素子が構成される。赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子といった副画素の組合せによって１画素が構成される。場合によっては、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子及び白色（あるいは第４の色）を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態にあっては、実際には、異なる色を発光する発光層が混合し、明確に各層に分離されていない場合がある。

あるいは又、有機層は、１層の発光層から構成されている形態とすることができる。この場合、発光素子を、例えば、赤色発光層を含む有機層を有する赤色発光素子、緑色発光層を含む有機層を有する緑色発光素子、あるいは、青色発光層を含む有機層を有する青色発光素子から構成することができる。カラー表示の表示装置の場合、これらの３種類の発光素子（副画素）から１画素が構成される。あるいは又、赤色発光層を含む有機層を有する赤色発光素子、緑色発光層を含む有機層を有する緑色発光素子、及び、青色発光層を含む有機層を有する青色発光素子の積層構造から構成することもできる。尚、カラーフィルタ層の形成は、原則、不要であるが、色純度向上のためにカラーフィルタ層を設けてもよい。

基体は第１基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。

基体の下あるいは下方には、限定するものではないが、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は、例えば、第１基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）や、第１基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。発光素子駆動部を構成するトランジスタやＴＦＴと第１電極とは、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている形態とすることができる。発光素子駆動部は、周知の回路構成とすることができる。第２電極は、表示装置の外周部において、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して発光素子駆動部と接続される。第１基板側に発光素子が形成されている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。

第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型表示装置であるが故に、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。

第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入特性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、後述する光反射層を設ける場合、第１電極を構成する材料として、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ₄）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ₂Ｏ₄構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金（例えば、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入特性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層（発光層）に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ及びＡｌ－Ｃｕから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。

有機層は有機発光材料を含む発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。

発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。遮光部を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ₂等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光部は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。

前述したとおり、第２電極と第２基板との間には中間層（保護層とも呼ばれる）が形成されている。場合によっては、前述したとおり、中間層はカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。このような中間層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタ層を配設すればよい。このように中間層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と中間層とは近接しているので、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。但し、カラーフィルタ層を、中間層とは別に、独立して、中間層上あるいは上方に設けてもよい。

中間層（保護層）を構成する材料として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、各種無機材料（例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂）を例示することができる。中間層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。中間層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。

表示装置の光を出射する最外面（具体的には、例えば、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。

表示装置においては、絶縁層や層間絶縁層が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、ＳｉＯ₂、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ₂）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯ_X系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯ_x）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化バナジウム（ＶＯ_x）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε₀）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、以上に説明した材料から構成してもよい。絶縁層や層間絶縁層、基体は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。

有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取り出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第１電極と有機層との界面（あるいは、第１電極の下に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と層間絶縁層との界面によって構成された界面）によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離をＬ₁、光学距離をＯＬ₁、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離をＬ₂、光学距離をＯＬ₂とし、ｍ₁及びｍ₂を整数としたとき、以下の式（１－１）及び式（１－２）を満たす構成とすることができる。

０．７｛－Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛－Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝ （１－１）
０．７｛－Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛－Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝ （１－２）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生し た光の内の所望の波長）
Φ₁：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ₁≦０
Φ₂：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ₂≦０
である。

ここで、ｍ₁の値は０以上の値であり、ｍ₂の値は、ｍ₁の値と独立して、０以上の値であるが、（ｍ₁，ｍ₂）＝（０，０）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（０，１）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（１，０）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（１，１）である形態を例示することができる。

発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ₁とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ₂とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎ_aveとしたとき、
ＯＬ₁＝Ｌ₁×ｎ_ave
ＯＬ₂＝Ｌ₂×ｎ_ave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎ_aveとは、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁層）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁層）の厚さで除したものである。

発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、例えば、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき発光素子におけるＯＬ₁，ＯＬ₂等の各種パラメータを求めて、発光素子を設計すればよい。

第１電極又は光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ₁，Φ₂は、第１電極又は光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 参照）。有機層や層間絶縁層等の屈折率も、あるいは又、第１電極が入射した光の一部を吸収し、残りを反射する場合、エリプソメータを用いて測定することで求めることができる。

光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）を挙げることができる。そして、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。光反射層を構成する材料に依っては、成膜される光反射層の結晶状態の制御のために、例えば、ＴｉＮから成る下地層を形成しておくことが好ましい。

このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色光を発光する有機層から構成された赤色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで構成された赤色発光素子］は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。また、白色光を発光する有機層から構成された緑色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで構成された緑色発光素子］は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。更には、白色光を発光する有機層から構成された青色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する中間層）とを組み合わせることで構成された青色発光素子］は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるＯＬ₁，ＯＬ₂等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開２０１２－２１６４９５号公報の段落番号［００４１］には、有機層を共振部とした共振器構造を有する有機ＥＬ素子が開示されており、発光点（発光面）から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、８０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上、３５０ｎｍ以下であることがより好ましいと記載されている。通常、（Ｌ₁＋Ｌ₂＝Ｌ₀）の値は、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異なる。

有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。

表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置、プロジェクタに組み込まれた表示装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができるし、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用、あるいは、ＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。

実施例１は、本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様～第２の態様に係る表示装置に関し、より具体的には、第１構成の発光素子に関する。実施例１の表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例１の発光素子の模式的な一部断面図を図２に示す。尚、図２あるいは後述する図４、図６及び図８において、ハッチング線は省略した。

実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、本開示の第１の態様～第２の態様に係る発光素子に則って説明すれば、
発光部３０、
発光部３０を覆う中間層３４、
中間層３４の上又は上方に設けられた光路制御手段５０、及び、
少なくとも光路制御手段５０を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部３０から出射された光は、中間層３４を通過し、光路制御手段５０に入射し、光路制御手段５０から出射し、
被覆層は、第１被覆層３５及び第２被覆層３６から構成されており、
第１被覆層３５は、光路制御手段５０の外面の中間層３４側の一部を覆っており、
第２被覆層３６は、第１被覆層３５及び光路制御手段５０の外面の残部を覆っている。

そして、光路制御手段５０を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層３５を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層３６を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、第１被覆層３５は、第２被覆層３６を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

あるいは又、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、本開示の第３の態様に係る発光素子に則って説明すれば、
発光部３０、
発光部３０を覆う中間層３４、
中間層３４の上又は上方に設けられた光路制御手段５０、及び、
少なくとも光路制御手段５０を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部３０から出射された光は、中間層３４を通過し、光路制御手段５０に入射し、光路制御手段５０から出射し、
被覆層は、第１被覆層３５及び第２被覆層３６から構成されており、
第１被覆層３５は、光路制御手段５０の外面のうち、光路制御手段５０の外縁部側と接しており、
第２被覆層３６は、光路制御手段５０の外面のうち、光路制御手段５０の中央部側と接している。そして、光路制御手段５０を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層３５を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層３６を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、第１被覆層３５は、第２被覆層３６を構成する材料とは異なる材料から構成されている。

実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、有機層全体として屈折率１．８を有する発光部３０は、有機エレクトロルミネッセンス層（発光層）３３を含む。即ち、表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成り、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る。また、表示装置は、屈折率１．４５を有する第２基板１２から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。発光部３０は、更に、第１電極３１及び第２電極３２を含んでいる。

即ち、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の表示装置は、
第１基板１１及び第２基板１２、並びに、
第１基板１１と第２基板１２との間に形成された複数の発光素子（具体的には、２次元状に配列された複数の発光素子）、
を備えた表示装置であって、
各発光素子は、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）から成る。

そして、第１基板１１の上に形成された基体２６上に設けられた各発光素子（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、
第１電極３１、
第２電極３２、及び、
第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層から成る発光層を含む）３３、
を少なくとも備えており、
実施例１にあっては、有機層３３からの光が、第２基板１２を介して外部に出射される。発光部３０は、上述したとおり、第１電極３１、有機層３３及び第２電極３２を含んでいる。

実施例１において、光路制御手段５０は中間層３４の上に設けられている。

実施例１の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₀
を満足する。ここで、具体的には、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．３０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足する。具体的には、実施例１の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、光路制御手段５０は、アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）から成り、第１被覆層３５は、中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）から成り、第２被覆層３６は、フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）から成る。

実施例１の発光素子１０ａにおいて、光路制御手段５０の光出射面（外面）５１は、中間層３４の頂面を基準として凸状である。光路制御手段５０の光入射面５２は中間層３４の頂面と接している。第１被覆層３５は、光路制御手段５０の光出射面（外面）５１の中間層側の一部を覆っており、第２被覆層３６は、第１被覆層３５及び光路制御手段５０の光出射面（外面）５１の残部を覆っている。あるいは又、第１被覆層３５は、光路制御手段５０の外面のうち、光路制御手段５０の外縁部側と接しており、第２被覆層３６は、光路制御手段５０の外面のうち、光路制御手段５０の中央部側と接している。第２被覆層３６は第１被覆層３５よりも光出射側に位置する。第１被覆層３５は、更に、中間層３４を覆っている。また、光路制御手段５０は正の光学的パワーを有し、あるいは又、光路制御手段５０は凸レンズ部材（オンチップマイクロ凸レンズ）、具体的には、平凸レンズから成る。光出射面（外面）５１はレンズ面を構成する。第１被覆層３５は中間層３４の上に形成されている。

実施例１の発光素子１０ａにおいて、第２電極３２の上に形成された中間層３４には、周知の材料から成るカラーフィルタ層ＣＦ（赤色カラーフィルタ層ＣＦ_R、緑色カラーフィルタ層ＣＦ_G、青色カラーフィルタ層ＣＦ_B）が含まれる。即ち、中間層３４は、カラーフィルタ層ＣＦから成る上層中間層、及び、カラーフィルタ層ＣＦの下に設けられた下層中間層３４’から構成されている。下層中間層３４’はアクリル系樹脂から成る。上層中間層を構成するカラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bの上には、光路制御手段（レンズ部材、オンチップマイクロ凸レンズ）５０が設けられている。実施例２の発光素子１０ｂ、実施例３の発光素子１０ｃ及び実施例４の発光素子１０ｄにおいても同様とすることができる。

屈折率
第２基板１２ １．４５
光路制御手段５０ １．５４（＝ｎ₀）
第１被覆層３５ １．２５（＝ｎ₁）
第２被覆層３６ １．３８（＝ｎ₂）
カラーフィルタ層ＣＦ １．７
下層中間層３４ １．８
有機層 １．８

第２被覆層３６は、第２基板１２に封止樹脂層３８を介して貼り合わされている。封止樹脂層３８を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。カラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bは、第１基板側に形成されたＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ層）である。そして、これによって、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、有機層３３から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタ層ＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができるし、光路制御手段５０の幅広いレンズ設計が可能となる。

有機ＥＬ素子から成る実施例１の発光素子１０において、有機層３３は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の積層構造を有する。１つの画素は、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂの３つの発光素子から構成されている。発光素子１０を構成する有機層３３は白色光を発光し、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、白色光を発光する有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bとの組合せから構成されている。赤色を表示すべき赤色発光素子１０Ｒには赤色カラーフィルタ層ＣＦ_Rが備えられており、緑色を表示すべき緑色発光素子１０Ｇには緑色カラーフィルタ層ＣＦ_Gが備えられており、青色を表示すべき青色発光素子１０Ｂには青色カラーフィルタ層ＣＦ_Bが備えられている。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂは、カラーフィルタ層、発光層の位置を除き、同じ構成、構造を有する。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の３倍である。実施例１の表示装置にあっては、副画素の配列として、図１７Ａに示すデルタ配列を挙げることができる。但し、図１７Ｂ、図１７Ｃに示すようなストライプ配列等とすることもできる。場合によっては、図１７Ｄに示すように、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、青色発光素子１０Ｂ及び白色を出射する発光素子１０Ｗ（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。白色を出射する発光素子１０Ｗにあっては、カラーフィルタ層を設ける代わりに、透明なフィルタ層を設ければよい。

ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ₂から成る基体（層間絶縁層）２６の下方には、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は周知の回路構成とすることができる。発光素子駆動部は、第１基板１１に相当するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから成るトランジスタ２０は、第１基板１１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板１１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。トランジスタ２０と第１電極３１とは、基体２６に設けられたコンタクトプラグ２７を介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの発光素子駆動部につき、１つのトランジスタ２０を図示した。

第２電極３２は、表示装置の外周部において、基体（層間絶縁層）２６に形成された図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して発光素子駆動部と接続されている。表示装置の外周部において、第２電極３２の下方に第２電極３２に接続された補助電極を設け、補助電極を発光素子駆動部と接続してもよい。

第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。第１電極３１は、光反射材料層、具体的には、例えば、Ａｌ－Ｎｄ合金層、Ａｌ－Ｃｕ合金層、Ａｌ－Ｔｉ合金層とＩＴＯ層の積層構造から成り、第２電極３２は、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る。第１電極３１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、基体（層間絶縁層）２６の上に形成されている。また、第２電極３２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。有機層３３もパターニングされていない。但し、これに限定するものではなく、有機層３３をパターニングしてもよい。即ち、有機層３３を副画素毎に塗り分け、赤色発光素子の有機層３３を赤色を発光する有機層から構成し、緑色発光素子の有機層３３を緑色を発光する有機層から構成し、青色発光素子の有機層３３を青色を発光する有機層から構成してもよい。

実施例１において、有機層３３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron InjectionLayer）の積層構造を有する。発光層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されており、前述したとおり、有機層３３から出射される光は白色である。具体的には、有機層は、赤色を発光する赤色発光層、緑色を発光する緑色発光層、及び、青色を発光する青色発光層の３層が積層された構造を有する。有機層を、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることもできるし、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができる。

正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。尚、正孔注入層の端面が第２電極と接した状態になると、画素間の輝度バラツキ発生の主たる原因となり、表示画質の低下につながる。

ここで、Ｒ¹～Ｒ⁶は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲ^m（ｍ＝１～６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ¹～Ｘ⁶は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。

正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。

正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）又はα－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。

発光層は、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、上述したとおり、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層されて成る。

赤色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種類の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが５ｎｍ程度の赤色発光層は、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に、２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。

緑色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種類の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが１０ｎｍ程度の緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、クマリン６を５質量％混合したものから成る。

青色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種類の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。

厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等から成る。

但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。

発光素子１０は、有機層３３を共振部とした共振器構造を有している。発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から第１電極３１及び第２電極３２までの距離）を適切に調整するために、有機層３３の厚さは、８×１０^-8ｍ以上、５×１０^-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０^-7ｍ以上、３．５×１０^-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。また、緑色発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。更には、青色発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。

以下、図１に示した実施例１の発光素子１０の製造方法の概要を説明する。

［工程－１００］
先ず、シリコン半導体基板（第１基板１１）に発光素子駆動部を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。

［工程－１１０］
次いで、ＣＶＤ法に基づき全面に基体（層間絶縁層）２６を形成する。

［工程－１２０］
そして、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域の上方に位置する基体２６の部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成する。次いで、接続孔を含む基体２６の上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、基体２６の一部分の上に第１電極３１を形成することができる。第１電極３１は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に第１電極３１とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７を形成することができる。

［工程－１３０］
次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁層２８を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１電極３１と第１電極３１との間の基体２６の上に絶縁層２８を残す。

［工程－１４０］
その後、第１電極３１及び絶縁層２８の上に、有機層３３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。場合によっては、有機層３３を所望の形状にパターニングしてもよい。

［工程－１５０］
次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第２電極３２を形成する。場合によっては、第２電極３２を所望の形状にパターニングしてもよい。このようにして、第１電極３１上に、有機層３３及び第２電極３２を形成することができる。

［工程－１６０］
その後、塗布法に基づき全面に下層中間層３４’を形成した後、下層中間層３４’の頂面を平坦化処理する。塗布法に基づき下層中間層３４’を形成することができるので、加工プロセスの制約が少なく、材料選択幅が広く、高屈折率材料の使用が可能となる。その後、周知の方法で、下層中間層３４’上に、上層中間層を構成するカラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bを形成し、更に、カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B）の上に光路制御手段５０を形成する。具体的には、図１８Ａに示すように、カラーフィルタ層ＣＦの上に、光路制御手段５０を形成するためのレンズ部材形成層６０を形成し、その上にレジスト材料層６１を形成する。そして、レジスト材料層６１をパターニングし、更に、加熱処理を施すことで、レジスト材料層６１をレンズ部材形状とする（図１８Ｂ参照）。次いで、レジスト材料層６１及びレンズ部材形成層６０をエッチバックすることで、レジスト材料層６１に形成された形状をレンズ部材形成層６０に転写する（図１８Ｃ参照）。こうして、光路制御手段５０を得ることができる。

［工程－１７０］
そして、カラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B及び光路制御手段５０の上に、第１被覆層３５、第２被覆層３６を、順次、形成し、第２被覆層３６に平坦化処理を施す。第１被覆層３５をスピンコート法に基づき形成し、第２被覆層３６をスピンコート法に基づき形成する。第１被覆層３５の頂面（第１被覆層３５と第２被覆層３６との界面３７）は平坦である。次いで、第２被覆層３６と第２基板１２とをアクリル系接着剤から成る封止樹脂層３８によって貼り合わせる。こうして、図１に示した発光素子（有機ＥＬ素子）１０ａ、実施例１の表示装置を得ることができる。このように、第２基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設けるのではなく、第１基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設ける、所謂ＯＣＣＦ型とすることで、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、光路制御手段５０の設計幅、設計自由度が広がるし、所謂ＯＣＣＦ型とするので、有機層３３との間の位置合わせに問題が生じる可能性が少ない。

実施例１の発光素子１０ａにおいては、図２に示すように、例えば、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁（点線で示す）は、光路制御手段５０と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０の光出射面（外面）５１）において、ｎ₀＞ｎ₁であるが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０の形状にも依存するが、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、光路制御手段５０と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０の光出射面（外面）５１）に対して入射角が大きくなるが、ｎ₀－ｎ₁の屈折率差が大きいが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に大きく曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、一層、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。

一方、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍よりも光路制御手段５０の中心側に向かう光線Ｒay₂（点線で示す）は、光路制御手段５０と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０の光出射面（外面）５１）において、ｎ₀＞ｎ₂であるが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０の形状にも依存するが、光路制御手段５０の中心側に向かう光線Ｒay₂は、光路制御手段５０と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０の光出射面（外面）５１）に対して入射角がそれほど大きくないが故に、ｎ₀－ｎ₂の屈折率差が大きくなくとも、十分に光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₂は、一層、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。

画素の大きさを６．８μｍ×６．８μｍとし、図１７Ｄに示すように、１画素を４つの副画素（赤色発光の副画素１０Ｒ、緑色発光の副画素１０Ｇ、青色発光の副画素１０Ｂ及び白色発光の副画素１０Ｗ）から構成し、１つの副画素の大きさを３．４μｍ×３．４μｍとし、隣接する副画素における発光素子を構成する光路制御手段５０と光路制御手段５０と間に隙間Ｌ_spaceが存在するとして、１画素の正面輝度をシミュレーションに基づき求めた。前述したとおり、ｎ₀＝１．５４、ｎ₁＝１．２５、ｎ₂＝１．３８とした。隙間Ｌ_space＝０．００μｍとは、隙間が無いことを意味する。また、光路制御手段５０を構成する凸レンズ部材の光軸に沿った厚さ（光路制御手段５０の高さ）Ｈ₀を１．７μｍとし、第１被覆層３５の厚さ（Ｈ₁）を０．７μｍとし、光路制御手段５０の底面の平面形状を楕円（短軸／長軸＝０．７８）とした。正面輝度は、被覆層を屈折率１．３８の１層から構成した比較例１の場合の正面輝度の値を１．００としたときの、規格化された値である。求められた正面輝度の値を表１に示す。また、ｎ₀＝１．５４、ｎ₁＝１．００（空気層を想定）、ｎ₂＝１．３８とした比較例２の発光素子における規格化された正面輝度も表１に示す。レンズ面（光出射面（外面）５１）の形状は、下記式のａをａ＝２．５とし、レンズ底面の短軸（Ｘ）を３．４０μｍ（－１．７０μｍ≦Ｘ≦１．７０μｍ）、レンズ底面の長軸（Ｘ）を４．３６μｍ（－２．１８μｍ≦Ｘ≦２．１８μｍ）、レンズの最大高さ（Ｙ_max）を１．７０μｍとして決定した。レンズの高さ（Ｙ）は、０．００μｍ≦Ｙ≦１．７０μｍである。
ｔ＝（１／２）［１＋［｛１－ｅｘｐ（－ａ（２ｘ－１））｝／｛１＋ｅｘｐ（－ａ（２ｘ－１））｝］×［｛１＋ｅｘｐ（－ａ）｝／｛１－ｅｘｐ（－ａ）｝］］
但し、０≦ｘ≦１であり、
ｙ＝－２ｔ³＋３ｔ²
Ｘ＝ｘ－１
Ｙ＝ｙ－０．５
但し、０≦Ｘ≦０．５の範囲と－０．５Ｘ≦０の範囲とはＹ軸に対称である。

〈表１〉
Ｌ_space 実施例１ 比較例２
０．６８μｍ １．０３ ０．９７
０．３４μｍ １．０５ １．０３
０．００μｍ １．０６ １．０４

表１から、ｎ₀、ｎ₁及びｎ₂の値を適切に選択することで、正面輝度の増加を図ることができることが判るし、隙間Ｌ_spaceの値が小さい程、正面輝度の増加を図ることができることが判る。しかしながら、ｎ₁の値が低すぎては、正面輝度の増加を図ることができないことも判る。

即ち、光路制御手段５０の高さをＨ₀、隣接する発光素子を構成する光路制御手段５０の間の最小距離をＬ₀（隙間Ｌ_spaceに相当する）としたとき、
０≦Ｌ₀／Ｈ₀≦０．５
を満足することが好ましい。また、第１被覆層３５の厚さＨ₁を種々変えたシミュレーションを行った結果
０．１０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．９０
望ましくは、
０．３０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．７０
を満足することが好ましいことが判った。

以上のとおり、実施例１の発光素子あるいは実施例１の表示装置を構成する発光素子にあっては、光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっている。従って、発光部において発光した光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射するが、光路制御手段、第１被覆層及び第２被覆層の屈折率ｎ₁，ｎ₂，ｎ₃の値を適切に選択することで、具体的には、ｎ₀＞ｎ₂＞ｎ₁＞ｎ_airとすることで、第１被覆層及び第２被覆層を通過する光の光路、並びに、第２被覆層を通過する光の光路の適切化を図ることができる結果、発光素子あるいは表示装置の光取り出し効率、正面輝度の増加を図ることができるし、混色の発生を抑制することができる。

あるいは又、実施例１の発光素子あるいは実施例１の表示装置を構成する発光素子において、第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている。従って、発光部において発光した光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射するが、第１被覆層及び第２被覆層を構成する材料を適切に選択することで、光路制御手段から出射され、第１被覆層及び第２被覆層を通過する光の光路、並びに、第２被覆層を通過する光の光路の適切化を図ることができる結果、発光素子あるいは表示装置の光取り出し効率、正面輝度の増加を図ることができるし、混色の発生を抑制することができる。

実施例２は、実施例１の変形であるが、第２構成の発光素子に関する。実施例２の表示装置の模式的な一部断面図を図３に示し、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例２の発光素子の模式的な一部断面図を図４に示す。

実施例２の発光素子において、光路制御手段５０の光入射面（外面）５３は、中間層３４の頂面に向かって凸状である。実施例２の発光素子において、光路制御手段５０の光出射面５４は平坦である。第１被覆層３５は、光路制御手段５０の光入射面（外面）５３の中間層側の一部を覆っており、第２被覆層３６は、第１被覆層３５及び光路制御手段５０の光入射面（外面）５３の残部を覆っている。第１被覆層３５は中間層３４の上に形成されており、光路制御手段５０は第１被覆層３５の上に形成されている。更には、光路制御手段５０は正の光学的パワーを有し、あるいは又、光路制御手段５０は凸レンズ部材から成る。光入射面（外面）５３はレンズ面を構成する。

実施例２の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）においては、
ｎ_air＜ｎ₂＜ｎ₁＜ｎ₀
を満足する。ここで、具体的には、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．３０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する。具体的には、実施例２の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、光路制御手段５０は、アクリル系透明樹脂（屈折率：１．５４）から成り、第１被覆層３５は、フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）から成り、２被覆層３６は、中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．２５）から成る。

実施例２の発光素子１０ｂにおいては、図４に示すように、例えば、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁（点線で示す）は、光路制御手段５０と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０の光入射面（外面）５３）において、ｎ₀＞ｎ₂であるが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０の形状にも依存するが、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、光路制御手段５０と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０の光入射面（外面）５３）に対して入射角が大きくなるが、ｎ₀－ｎ₂の屈折率差が大きいが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に大きく曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、一層、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。

一方、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍よりも光路制御手段５０の中心側に向かう光線Ｒay₂（点線で示す）は、光路制御手段５０と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０の光入射面（外面）５３）において、ｎ₀＞ｎ₁であるが故に、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０の形状にも依存するが、光路制御手段５０の中心側に向かう光線Ｒay₂は、光路制御手段５０と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０の光入射面（外面）５３）に対して入射角がそれほど大きくないが故に、ｎ₀－ｎ₁の屈折率差が大きくなくとも、十分に光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₂は、一層、光路制御手段５０の中心に向かう方向に曲げられる。

実施例３も、実施例１の変形であるが、第３構成の発光素子に関する。実施例３の表示装置の模式的な一部断面図を図５に示し、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例３の発光素子の模式的な一部断面図を図６に示す。

実施例３の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₁＜ｎ₂
を満足する。ここで、具体的には、
０．１５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足する。実施例３の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、光路制御手段５０’は、フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）から成り、第１被覆層３５は、アクリル系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．５４）から成り、第２被覆層３６は、ＳｉＮ（屈折率：１．７４）から成る。

実施例３の発光素子において、光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５は、中間層３４の頂面を基準として凹状である。光路制御手段５０’の光入射面５６は中間層３４の頂面と接している。第１被覆層３５は、光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５の中間層側の一部を覆っており、第２被覆層３６は、第１被覆層３５及び光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５の残部を覆っている。更には、光路制御手段５０’は負の光学的パワーを有し、あるいは又、光路制御手段５０’は凹レンズ部材から成る。光出射面（外面）５５はレンズ面を構成する。

実施例３の発光素子１０ｃにおいては、図６に示すように、例えば、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁（点線で示す）は、光路制御手段５０’と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５）において、ｎ₂＞ｎ₀であるが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０’の形状にも依存するが、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、光路制御手段５０’と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５）に対して入射角が大きくなるが、ｎ₂－ｎ₀の屈折率差が大きいが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に大きく曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、一層、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。

一方、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍よりも光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂（点線で示す）は、光路制御手段５０’と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５）において、ｎ₁＞ｎ₀であるが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０’の形状にも依存するが、光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂は、光路制御手段５０’と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０’の光出射面（外面）５５）に対して入射角がそれほど大きくないが故に、ｎ₁－ｎ₀の屈折率差が大きくなくとも、十分に光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂は、一層、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。

実施例４も、実施例１の変形であるが、第４構成の発光素子に関する。実施例４の表示装置の模式的な一部断面図を図７に示し、発光部から出射された光線の挙動を説明するための、実施例４の発光素子の模式的な一部断面図を図８に示す。

実施例４の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、空気の屈折率をｎ_airとしたとき、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₂＜ｎ₁
を満足する。ここで、具体的には、
０．１５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する。実施例４の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）において、光路制御手段５０’は、フッ素系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．３８）から成り、第１被覆層３５は、ＳｉＮ（屈折率：１．７４）から成り、第２被覆層３６は、アクリル系低屈折率透明樹脂（屈折率：１．５４）から成る。

実施例４の発光素子において、光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７は、中間層３４の頂面に向かって凹状である。光路制御手段５０’の光出射面５８は平坦である。更には、第１被覆層３５は、光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７の中間層側の一部を覆っており、第２被覆層３６は、第１被覆層３５及び光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７の残部を覆っている。第１被覆層３５は中間層３４の上に形成されており、光路制御手段５０の一部も中間層３４の上に形成されている。場合によっては、第１被覆層３５は中間層３４の上に形成されており、光路制御手段５０は第１被覆層３５の上に形成されていてもよい。更には、光路制御手段５０’は負の光学的パワーを有し、あるいは又、光路制御手段５０’は凹レンズ部材から成る。光入射面（外面）５７はレンズ面を構成する。

実施例４の発光素子１０ｄにおいては、図８に示すように、例えば、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁（点線で示す）は、第１被覆層３５と光路制御手段５０’との界面（光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７）において、ｎ₁＞ｎ₀であるが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０’の形状にも依存するが、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、光路制御手段５０’と第１被覆層３５との界面（光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７）に対して入射角が大きくなるが、ｎ₁－ｎ₀の屈折率差が大きいが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に大きく曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍に向かう光線Ｒay₁は、一層、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。

一方、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の周縁部近傍よりも光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂（点線で示す）は、第１被覆層３５と第２被覆層３６との界面３７において、ｎ₁＞ｎ₂であるが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。そして、更に、光路制御手段５０’と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７）において、ｎ₂＞ｎ₀であるが故に、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。光路制御手段５０’の形状にも依存するが、光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂は、光路制御手段５０’と第２被覆層３６との界面（光路制御手段５０’の光入射面（外面）５７）に対して入射角がそれほど大きくないが故に、ｎ₂－ｎ₀の屈折率差が大きくなくとも、十分に光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。以上の結果として、発光部３０の中心から出射し、光路制御手段５０’の中心側に向かう光線Ｒay₂は、一層、光路制御手段５０’の中心に向かう方向に曲げられる。

実施例５は、実施例１～実施例４の変形である。実施例５にあっては、発光部の中心を通る法線ＬＮと、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’と、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との関係、及び、その変形例を説明する。

実施例５の表示装置を構成する表示パネルにあっては、基準点（基準領域）Ｐが想定されており、距離Ｄ₀は、基準点（基準領域）Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ₁に依存する。

そして、基準点Ｐは表示装置を構成する表示パネル内に想定されている構成とすることができ、この場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置していない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置している構成とすることができるし、更には、これらの場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、一部の発光素子において距離Ｄ₀の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ₀の値は０でない構成とすることができる。

あるいは又、基準点Ｐが１つ想定されている場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができるし、あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に含まれる構成とすることができる。また、基準点Ｐが複数想定されている場合、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない構成とすることができる。

あるいは又、基準点Ｐは表示パネルの外側（外部）に想定されている構成とすることができ、この場合、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし、あるいは又、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることができる。そして、これらの場合、全ての発光素子において距離Ｄ₀の値は０でない構成とすることができる。

更には、各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する（集光される）形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する形態とすることができるし、あるいは又、各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、平行光である形態とすることができる。

更には、実施例５の表示装置にあっては、発光素子が表示パネルを占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ₀の値が異なる形態とすることができる。具体的には、
基準点Ｐが設定されており、
複数の発光素子は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
基準点Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ₁とし、距離Ｄ₀の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ_0-X，Ｄ_0-Yとし、距離Ｄ₁の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ_1-X，Ｄ_1-Yとしたとき、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化する形態とすることができる。

あるいは又、実施例５の表示装置において、
基準点Ｐが設定されており、
基準点Ｐから発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ₁としたとき、距離Ｄ₁の値が増加するに従い、距離Ｄ₀の値が増加する形態とすることができる。

ここで、Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ_0-X＝ｋ_X・Ｄ_1-X
Ｄ_0-Y＝ｋ_Y・Ｄ_1-Y
が成立することを意味する。但し、ｋ_X，ｋ_Yは定数である。即ち、Ｄ_0-X，Ｄ_0-Yは、１次関数に基づき変化する。一方、Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化するとは、
Ｄ_0-X＝ｆ_X（Ｄ_1-X）
Ｄ_0-Y＝ｆ_Y（Ｄ_1-Y）
が成立することを意味する。ここで、ｆ_X，ｆ_Yは、１次関数ではない関数（例えば、２次関数）である。

あるいは又、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を、階段状の変化とすることもできる。そして、この場合、階段状の変化を全体として眺めたとき、変化が線形に変化する形態とすることもできるし、変化が非線形に変化する形態とすることもできる。更には、表示パネルをＭ×Ｎの領域に区分したとき、１つの領域内では、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を、不変としてもよいし、一定の変化としてもよい。１つの領域内の発光素子の数として、限定するものではないが、１０×１０を挙げることができる。

更には、実施例５の表示装置において、光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致し、又は、波長選択部の正射影像に含まれる形態とすることができる。後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。更には、これらの場合、距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、
（ａ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、発光部の中心を通る法線ＬＮとは一致している形態
（ｂ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している形態
（ｃ）波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、発光部の中心を通る法線ＬＮとは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と、光路制御手段の中心を通る法線ＬＮ’とは一致していない形態
とすることができる。（ｂ）あるいは（ｃ）後者の構成を採用することで、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。

実施例５の表示装置の模式的な一部断面図を図９に示す。

実施例５にあっては、発光部の中心を通る法線ＬＮと光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’との間の距離（オフセット量）をＤ₀としたとき、表示装置を構成する表示パネルに備えられた発光素子１０ｅの少なくとも一部において、距離（オフセット量）Ｄ₀の値は０でない。表示装置にあっては、基準点（基準領域）が想定されており、距離Ｄ₀は基準点（基準領域）から発光部の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ₁に依存する。

実施例５の表示装置において、基準点Ｐは表示パネル内に想定されている。但し、基準点Ｐは表示パネルの中心領域に位置していない（含まれない）。図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１Ａ、図２１Ｂにおいては、表示パネルの中心領域を黒三角印で示し、発光素子１０ｅを四角印で示し、発光部３０の中心を黒四角印で示し、基準点Ｐを黒丸で示す。そして、発光素子１０ｅと基準点Ｐとの位置関係を模式的に図２０Ａに示すが、１つの基準点Ｐが想定されている。基準点Ｐは或る程度の広がりを含み得るので、一部の発光素子１０ｅ（具体的には、基準点Ｐに含まれる１又は複数の発光素子１０ｅ）において距離Ｄ₀の値は０であり、残りの発光素子１０ｅにおいて距離Ｄ₀の値は０でない。発光素子が表示パネルに占める位置に応じて距離（オフセット量）Ｄ₀の値は異なる。

実施例の表示装置において、各発光素子１０ｅから出射され、光路制御手段５０を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する（集光される）。あるいは又、各発光素子１０ｅから出射され、光路制御手段５０を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。あるいは又、各発光素子１０ｅから出射され、光路制御手段５０を通過した光は、平行光である。光路制御手段５０を通過した光を、収束光とするか、発散光とするか、平行光とするかは、表示装置に要求される仕様に基づく。そして、この仕様に基づき、光路制御手段５０のパワー等を設計すればよい。光路制御手段５０を通過した光が収束光である場合、表示装置から出射された画像が形成される空間の位置は、基準点Ｐの法線上にある場合もあるし、無い場合もあり、表示装置に要求される仕様に依存する。表示装置から出射された画像の表示寸法、表示位置等を制御するために表示装置から出射された画像が通過する光学系を配置してもよい。如何なる光学系を配置するかも表示装置に要求される仕様に依存するが、例えば、結像レンズ系を例示することができる。

また、実施例５の表示装置において、基準点Ｐが設定されており、複数の発光素子１０ｅは、第１の方向（具体的には、Ｘ方向）及び第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、Ｙ方向）に配列されている。そして、基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ₁とし、距離Ｄ₀の第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）のそれぞれの値をＤ_0-X，Ｄ_0-Yとし、距離Ｄ₁の第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）のそれぞれの値をＤ_1-X，Ｄ_1-Yとしたとき、
［Ａ］Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｂ］Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｃ］Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化するように設計してもよいし、
［Ｄ］Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化するように設計してもよい。

図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃ、図２２Ｄ、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃ、図２３Ｄ、図２４Ａ、図２４Ｂ、図２４Ｃ、図２４Ｄ、図２５Ａ、図２５Ｂ、図２５Ｃ及び図２５Ｄに、Ｄ_1-Xの変化に対するＤ_0-Xの変化、Ｄ_1-Yの変化に対するＤ_0-Yの変化を模式的に示す。これらの図において、白抜きの矢印は線形の変化を示し、黒矢印は非線形の変化を示す。また、矢印が表示パネルの外側に向かっている場合、光路制御手段５０を通過した光が発散光であることを示し、矢印が表示パネルの内部に向かっている場合、光路制御手段５０を通過した光が収束光あるいは平行光であることを示す。

あるいは又、基準点Ｐが設定されており、基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離をＤ₁としたとき、距離Ｄ₁の値が増加するに従い、距離Ｄ₀の値が増加するように設計してもよい。

即ち、Ｄ_1-X，Ｄ_1-Yの変化に依存したＤ_0-X，Ｄ_0-Yの変化は、表示装置に要求される仕様に基づき決定すればよい。

実施例５の表示装置において、複数の基準点Ｐが想定されている構成とすることもできる。尚、複数の基準点Ｐは、表示パネルの表示領域内に配置されている。発光素子１０ｅと基準点Ｐ₁，Ｐ₂との位置関係を模式的に図２０Ｂに示すが、図示した例では、２つの基準点Ｐ₁，Ｐ₂が想定されている。具体的には、表示パネルの中心を対称点として、２つの基準点Ｐ₁，Ｐ₂は２回・回転対称に配置されている。ここで、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない。図示した例では、２つの基準点Ｐ₁，Ｐ₂は、表示パネルの中心領域には含まれない。一部の発光素子（具体的には、基準点Ｐに含まれる１又は複数の発光素子）において距離Ｄ₀の値は０であり、残りの発光素子において距離Ｄ₀の値は０でない。基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ₁に関しては、或る発光部３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ₁とする。

実施例５の変形例の表示装置において、基準点Ｐは表示パネルの外側に想定されている。発光素子１０ｅと基準点Ｐ，Ｐ₁，Ｐ₂との位置関係を模式的に図２１Ａ及び図２１Ｂに示すが、１つの基準点Ｐが想定されている構成とすることができるし（図２１Ａ参照）、あるいは又、複数の基準点Ｐ（図２１Ｂには２つの基準点Ｐ₁，Ｐ₂を示す）が想定されている構成とすることもできる。表示パネルの中心を対称点として、２つの基準点Ｐ₁，Ｐ₂は２回・回転対称に配置されている。全ての発光素子において距離Ｄ₀の値は０でない。基準点Ｐから発光部３０の中心を通る法線ＬＮまでの距離Ｄ₁に関しては、或る発光部３０の中心を通る法線ＬＮからより近い基準点Ｐとの間の距離を距離Ｄ₁とする。そして、これらの場合、各発光素子１０ｅから出射され、光路制御手段５０を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する（集光される）。あるいは又、各発光素子１０ｅから出射され、光路制御手段５０を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する。

概念図を図２６Ａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合がある。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＝０である。尚、ｄ₀は、前述したとおり、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”との間の距離（オフセット量）である。

また、図９に示した例では、概念図を図２６Ｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致しているが、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致していない。即ち、Ｄ₀≠ｄ₀＝０である。

更には、概念図を図２６Ｃに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＞０である。

また、概念図を図２７に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光部の中心と光路制御手段５０の中心（図２７において黒丸で示す）とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心（図２７において黒四角で示す）が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心までの距離をＬＬ₁、厚さ方向の波長選択部の中心から光路制御手段５０の中心までの距離をＬＬ₂としたとき、
Ｄ₀＞ｄ₀＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
ｄ₀：Ｄ₀＝ＬＬ₁：（ＬＬ₁＋ＬＬ₂）
を満足することが好ましい。

あるいは又、概念図を図２８Ａに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＝０である。

また、概念図を図２８Ｂに示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”と光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致している場合もある。即ち、Ｄ₀＝ｄ₀＞０である。

更には、概念図を図２９に示すように、発光部の中心を通る法線ＬＮと波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”及び光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’とは一致しておらず、光路制御手段５０の中心を通る法線ＬＮ’は、発光部の中心を通る法線ＬＮ及び波長選択部の中心を通る法線ＬＮ”とは一致していない場合もある。ここで、発光部の中心と光路制御手段５０の中心とを結ぶ直線ＬＬ上に、波長選択部の中心が位置することが好ましい。具体的には、厚さ方向の発光部の中心から波長選択部の中心（図２９において黒四角で示す）までの距離をＬＬ₁、厚さ方向の波長選択部の中心から光路制御手段５０の中心（図２９において黒丸で示す）までの距離をＬＬ₂としたとき、
ｄ₀＞Ｄ₀＞０
であり、製造上のバラツキを考慮した上で、
Ｄ₀：ｄ₀＝ＬＬ₂：（ＬＬ₁＋ＬＬ₂）
を満足することが好ましい。

共振器構造を設ける場合、前述したとおり、有機層３３を共振部とし、第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよいし、第１電極３１よりも下方に（第１基板１１側に）光反射層４０を形成し、有機層３３を共振部とし、光反射層４０と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよい。即ち、基体２６の上に光反射層４０を設け、光反射層４０の上に層間絶縁層４１を設け、層間絶縁層４１の上に第１電極３１を設ける場合、第１電極３１、光反射層４０、層間絶縁層４１を、前述した材料から構成すればよい。光反射層４０は、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７に接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。

以下、図３０Ａ（第１例）、図３０Ｂ（第２例）、図３１Ａ（第３例）、図３１Ｂ（第４例）、図３２Ａ（第５例）、図３２Ｂ（第６例）、図３３Ａ（第７例）、並びに、図３３Ｂ及び図３３Ｃ（第８例）を参照して、第１例～第８例に基づき共振器構造について説明する。ここで、第１例～第４例、第７例において、第１電極及び第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。一方、第５例～第６例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有し、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。また、第８例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有する場合もあるし、同じ厚さを有する場合もあり、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。

尚、以下の説明において、第１発光素子１０ｅ₁、第２発光素子１０ｅ₂及び第３発光素子１０ｅ₃を構成する発光部を参照番号３０₁，３０₂，３０₃で表し、第１電極を参照番号３１₁，３１₂，３１₃で表し、第２電極を参照番号３２₁，３２₂，３２₃で表し、有機層を参照番号３３₁，３３₂，３３₃で表し、光反射層を参照番号４０₁、４０₂、４０₃で表し、層間絶縁層を参照番号４１₁，４１₂，４１₃，４１₁’，４１₂’，４１₃’で表す。以下の説明において、使用する材料は例示であり、適宜、変更することができる。

図示した例では、式（１－１）及び式（１－２）から導かれる第１発光素子１０ｅ₁、第２発光素子１０ｅ₂及び第３発光素子１０ｅ₃の共振器長を、第１発光素子１０ｅ₁、第２発光素子１０ｅ₂、第３発光素子１０ｅ₃の順で短くしたが、即ち、Ｌ₀の値を、第１発光素子１０ｅ₁、第２発光素子１０ｅ₂、第３発光素子１０ｅ₃の順で短くしたが、これに限定するものではなく、ｍ₁，ｍ₂の値を、適宜、設定することで最適な共振器長を決定すればよい。

共振器構造の第１例を有する発光素子の概念図を図３０Ａに示し、共振器構造の第２例を有する発光素子の概念図を図３０Ｂに示し、共振器構造の第３例を有する発光素子の概念図を図３１Ａに示し、共振器構造の第４例を有する発光素子の概念図を図３１Ｂに示す。第１例～第６例、第８例の一部において、発光部３０の第１電極３１の下に層間絶縁層４１，４１’が形成されており、層間絶縁層４１，４１’の下に光反射層４０が形成されている。第１例～第４例において、層間絶縁層４１，４１’の厚さは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。そして、層間絶縁層４１₁，４１₂，４１₃，４１₁’，４１₂’，４１₃’の厚さを適切に設定することで、発光部３０の発光波長に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

第１例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第１界面（図面においては、点線で示す）は同じレベルとされる一方、第２界面（図面においては、一点鎖線で示す）のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。また、第２例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第１界面は異なるレベルとされる一方、第２界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において同じである。

第２例において、層間絶縁層４１₁’，４１₂’，４１₃’は、光反射層４０の表面が酸化された酸化膜から構成されている。酸化膜から成る層間絶縁層４１’は、光反射層４０を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層４０の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層４０が形成された第１基板１１を浸漬する。また、光反射層４０と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層４０を陽極として、光反射層４０を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層４０と陰極との電位差に比例する。それ故、光反射層４０₁、４０₂、４０₃のそれぞれに発光部３０₁，３０₂，３０₃に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、厚さの異なる酸化膜から成る層間絶縁層４１₁’，４１₂’，４１₃’を、一括して、光反射層４０の表面に形成することができる。光反射層４０₁、４０₂、４０₃の厚さ、層間絶縁層４１₁’，４１₂’，４１₃’の厚さは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

第３例にあっては、光反射層４０の下に下地膜４２が配設されており、下地膜４２は、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０₁、発光部３０₂、発光部３０₃の順に、下地膜４２の厚さは厚い。

第４例にあっては、成膜時の光反射層４０₁，４０₂，４０₃の厚さが、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。第３例～第４例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

第５例～第６例においては、第１電極３１₁，３１₂，３１₃の厚さが、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。光反射層４０は各発光部３０において同じ厚さを有する。

第５例において、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において同じである一方、第２界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

第６例においては、光反射層４０の下に下地膜４２が配設されており、下地膜４２は、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０₁、発光部３０₂、発光部３０₃の順に、下地膜４２の厚さは厚い。第６例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

第７例において、第１電極３１₁，３１₂，３１₃は光反射層を兼ねており、第１電極３１₁，３１₂，３１₃を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。例えば、発光部３０₁の第１電極３１₁を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０₂の第１電極３１₂と発光部３０₃の第１電極３１₃をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。

また、第８例において、第１電極３１₁，３１₂は光反射層を兼ねており、第１電極３１₁，３１₂を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０₁，３０₂において異なる。例えば、発光部３０₁の第１電極３１₁を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０₂の第１電極３１₂と発光部３０₃の第１電極３１₃をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。第８例では、例えば、発光部３０₁，３０₂に第７例を適用し、発光部３０₃に第１例を適用している。第１電極３１₁，３１₂，３１₃の厚さは、異なっていてもよいし、同じであってよい。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置（有機ＥＬ表示装置）、発光素子（有機ＥＬ素子）の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。場合によっては、第２構成の発光素子あるいは第４構成の発光素子において、第２基板側に光路制御手段を設け、第１基板と第２基板とを貼り合わせてもよい。実施例においては、発光素子駆動部をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。第１電極や第２電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。

実施例１の変形例－１として、模式的な一部断面図を図１０に示すように、隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは接している形態とすることができる。場合によっては、実施例１の変形例－２として、模式的な一部断面図を図１１に示すように、隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは重なり合っている形態とすることができる。

実施例においては、第１被覆層３５の頂面（第１被覆層３５と第２被覆層３６との界面３７）は平坦である形態を説明したが、第１被覆層３５を構成する材料あるいは第１被覆層３５の形成方法によっては、実施例１の変形例－３の模式的な一部断面図を図１２に示すように、第１被覆層３５の頂面（界面３７）は中間層３４に向かって凹んでいる形態とすることができる。この場合、レベリング剤の添加量を調整した中空シリカ含有フッ素系低屈折率透明樹脂から成る第１被覆層３５をスピンコート法に基づき形成し、フッ素系低屈折率透明樹脂から成る第２被覆層３６をスピンコート法に基づき形成することで、第１被覆層３５の頂面（界面３７）が中間層３４に向かって凹んでいる状態を得ることができる。

実施例１の変形例－４の模式的な一部断面図を図１３に示すように、光路制御手段５０及び被覆層３５，３６よりも光出射側にカラーフィルタ層ＣＦが形成されている形態とすることができる。光路制御手段５０及び第１被覆層３５は、中間層３４上に形成されている。

実施例１の表示装置の変形例－５を構成する発光素子の模式的な一部断面図を図１４に示すように、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている形態とすることができる。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成る。また、実施例１の表示装置の変形例－６を構成する発光素子の模式的な一部断面図を図１５に示すように、隣接する発光素子の光路制御手段５０の間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されている形態とすることもできる。また、これらの変形例－５及び変形例－６を組み合わせることもできる。

以上に説明した変形例は、実施例２～実施例４に対しても適用することができる。

模式的な一部断面図を図１６に示すように、光路制御手段を光反射部材５０”から構成することもできる。光反射部材５０”として、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属の単体又は合金、誘電体多層膜を挙げることができる。あるいは又、光反射部材５０”として、発光部３０からの光が、中間層３４、第１被覆層３５あるいは第１被覆層３５及び第２被覆層３６を通過し、光反射部材５０”と衝突したとき、光反射部材５０”によって全反射されるような屈折率ｎ₃を有する材料（例えば、ｎ₃＝１．５２のＳｉＯ₂）を挙げることができる。具体的には、光路制御手段を構成する光反射部材５０”は、被覆層３５，３６と被覆層３５，３６との間を充填している。光反射部材５０”は、順テーパー状（光入射面側から光出射面側に向かって広がっている形状）である。光反射部材５０”の軸線を含む仮想平面で光反射部材５０”を切断したときの順テーパー状の斜面の断面は、曲線から構成されていてもよいし、図１６に示すように線分から構成されていてもよい。

実施例においては、１つの発光部に対して１つの光路制御手段を設けたが、場合によっては、複数の発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよい。例えば、正三角形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計３つの発光素子を配置し）、これらの３つの発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよいし、矩形の頂点のそれぞれに発光素子を配置し（合計４つの発光素子を配置し）、これらの４つの発光素子で１つの光路制御手段を共有してもよい。あるいは又、１つの発光部に対して複数の光路制御手段を設けてもよい。

或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光部を形成してもよい。このように遮光部を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を向上させるため各画素に対してカラーフィルタ層を配置しているが、発光素子の構成に依っては、カラーフィルタ層の薄膜化若しくはカラーフィルタ層の省略が可能となり、カラーフィルタ層で吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。あるいは又、光吸収層（ブラックマトリクス層）に遮光性を付与してもよい。

本開示の表示装置をレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図１９Ａに示し、背面図を図１９Ｂに示す。このレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ装置２１４が設けられている。モニタ装置２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子：第１の態様》
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっている発光素子。
［Ａ０２］《第１構成の発光素子》
光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凸状である［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０３］光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面と接している［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０４］第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う［Ａ０２］又は［Ａ０３］に記載の発光素子。
［Ａ０５］第１被覆層は、更に、中間層を覆う［Ａ０４］に記載の発光素子。
［Ａ０６］光路制御手段は、正の光学的パワーを有する［Ａ０２］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］光路制御手段は、凸レンズ部材から成り、又は、凸レンズ状である［Ａ０２］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］《第２構成の発光素子》
光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凸状である［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０９］光路制御手段の光出射面は、平坦である［Ａ０８］に記載の発光素子。
［Ａ１０］第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う［Ａ０８］又は［Ａ０９］に記載の発光素子。
［Ａ１１］光路制御手段は、正の光学的パワーを有する［Ａ０８］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１２］光路制御手段は、凸レンズ部材から成り、又は、凸レンズ状である［Ａ０８］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１３］空気の屈折率をｎ_airとしたとき、光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凸状である場合、
ｎ_air＜ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₀
を満足し、
光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凸状である場合、
ｎ_air＜ｎ₂＜ｎ₁＜ｎ₀
を満足する［Ａ０２］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１４］光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凸状である場合、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．３０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凸状である場合、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．３０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する［Ａ１３］に記載の発光素子。
［Ａ１５］《第３構成の発光素子》
光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凹状である［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ１６］光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面と接している［Ａ１５］に記載の発光素子。
［Ａ１７］第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う［Ａ１５］又は［Ａ１６］に記載の発光素子。
［Ａ１８］光路制御手段は、負の光学的パワーを有する［Ａ１５］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１９］光路制御手段は、凹レンズ部材から成り、又は、凹レンズ状である［Ａ１５］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２０］《第４構成の発光素子》
光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凹状である［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ２１］光路制御手段の光出射面は、平坦である［Ａ２０］に記載の発光素子。
［Ａ２２］第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う［Ａ２０］又は［２１］に記載の発光素子。
［Ａ２３］光路制御手段は、負の光学的パワーを有する［Ａ２０］乃至［Ａ２２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２４］光路制御手段は、凹レンズ部材から成り、又は、凹レンズ状である［Ａ２０］乃至［Ａ２２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２５］空気の屈折率をｎ_airとしたとき、光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凹状である場合、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₁＜ｎ₂
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凹状である場合、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₂＜ｎ₁
を満足する［Ａ１５］乃至［Ａ２４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２６］光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凹状である場合、
０．１５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凹状である場合、
０．１５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する［Ａ２５］に記載の発光素子。
［Ａ２７］光路制御手段の高さをＨ₀、隣接する発光素子を構成する光路制御手段の間の最小距離をＬ₀としたとき、
０≦Ｌ₀／Ｈ₀≦０．５
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ２６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２８］発光素子の大きさを１．００としたとき、隣接する発光素子を構成する光路制御手段の間の最小距離Ｌ₀は０．１以下である［Ａ０１］乃至［Ａ２７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ２９］光路制御手段の高さをＨ₀、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆う第１被覆層の厚さをＨ₁としたとき、
０．１０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．９０
望ましくは、
０．３０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．７０
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ２８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３０］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む［Ａ０１］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３１］隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは接している［Ａ０１］乃至［Ａ３０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３２］隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは離間されている［Ａ０１］乃至［Ａ３０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３３］中間層にはカラーフィルタ層が含まれる［Ａ０１］乃至［Ａ３２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３４］光路制御手段及び被覆層よりも光出射側にはカラーフィルタ層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ３２］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ３５］第１被覆層の頂面は、平坦であり、又は、中間層に向かって凹んでいる［Ａ０１］乃至［Ａ３４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｂ０１］《発光素子：第２の態様》
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている発光素子。
［Ｂ０２］《発光素子：第３の態様》
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
第１被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の外縁部側と接しており、
第２被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の中央部側と接しており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている発光素子。
［Ｃ０１］《第１構成の発光素子》
光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凸状である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ０２］光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面と接している［Ｃ０１］に記載の発光素子。
［Ｃ０３］第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ０４］第１被覆層は、更に、中間層を覆う［Ｃ０３］に記載の発光素子。
［Ｃ０５］光路制御手段は、正の光学的パワーを有する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０６］光路制御手段は、凸レンズ部材から成り、又は、凸レンズ状である［Ｃ０１］乃至［Ｃ０４］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ０７］《第２構成の発光素子》
光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凸状である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ０８］光路制御手段の光出射面は、平坦である［Ｃ０７］に記載の発光素子。
［Ｃ０９］第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う［Ｃ０７］又は［Ｃ０８］に記載の発光素子。
［Ｃ１０］光路制御手段は、正の光学的パワーを有する［Ｃ０７］乃至［Ｃ０９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１１］光路制御手段は、凸レンズ部材から成り、又は、凸レンズ状である［Ｃ０７］乃至［Ｃ０９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１２］空気の屈折率をｎ_airとしたとき、光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凸状である場合、
ｎ_air＜ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₀
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凸状である場合、
ｎ_air＜ｎ₂＜ｎ₁＜ｎ₀
を満足する［Ｃ０１］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１３］光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凸状である場合、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．３０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凸状である場合、
０．２５≦ｎ₀－ｎ₂≦０．５０
０．１５≦ｎ₀－ｎ₁≦０．３０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する［Ｃ１２］に記載の発光素子。
［Ｃ１４］《第３構成の発光素子》
光路制御手段の光出射面は、中間層の頂面を基準として凹状である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ１５］光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面と接している［Ｃ１４］に記載の発光素子。
［Ｃ１６］第１被覆層は、光路制御手段の光出射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光出射面の残部を覆う［Ｃ１４］又は［Ｃ１５］に記載の発光素子。
［Ｃ１７］光路制御手段は、負の光学的パワーを有する［Ｃ１４］乃至［Ｃ１６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１８］光路制御手段は、凹レンズ部材から成り、又は、凹レンズ状である［Ｃ１４］乃至［Ｃ１６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ１９］《第４構成の発光素子》
光路制御手段の光入射面は、中間層の頂面に向かって凹状である［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子。
［Ｃ２０］光路制御手段の光出射面は、平坦である［Ｃ１９］に記載の発光素子。
［Ｃ２１］第１被覆層は、光路制御手段の光入射面の中間層側の一部を覆い、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の光入射面の残部を覆う［Ｃ１９］又は［Ｃ２０］に記載の発光素子。
［Ｃ２２］光路制御手段は、負の光学的パワーを有する［Ｃ１９］乃至［Ｃ２１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２３］光路制御手段は、凹レンズ部材から成り、又は、凹レンズ状である［Ｃ１９］乃至［Ｃ２１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２４］空気の屈折率をｎ_airとしたとき、光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凹状である場合、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₁＜ｎ₂
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凹状である場合、
ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₂＜ｎ₁
を満足する［Ｃ１４］乃至［Ｃ２３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２５］光路制御手段の光出射面が中間層の頂面を基準として凹状である場合、
０．１５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₂－ｎ₁≦０．３０
を満足し、光路制御手段の光入射面が中間層の頂面に向かって凹状である場合、
０．１５≦ｎ₂－ｎ₀≦０．３０
０．２５≦ｎ₁－ｎ₀≦０．５０
０．１０≦ｎ₁－ｎ₂≦０．３０
を満足する［Ｃ２４］に記載の発光素子。
［Ｃ２６］光路制御手段の高さをＨ₀、隣接する発光素子を構成する光路制御手段の間の最小距離をＬ₀としたとき、
０≦Ｌ₀／Ｈ₀≦０．５
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｃ２５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２７］発光素子の大きさを１．００としたとき、隣接する発光素子を構成する光路制御手段の間の最小距離Ｌ₀は０．１以下である［Ｂ０１］乃至［Ｃ２６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２８］光路制御手段の高さをＨ₀、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆う第１被覆層の厚さをＨ₁としたとき、
０．１０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．９０
望ましくは、
０．３０≦Ｈ₁／Ｈ₀≦０．７０
を満足する［Ｂ０１］乃至［Ｃ２７］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ２９］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む［Ｂ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ３０］隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは接している［Ｂ０１］乃至［Ｃ２９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ３１］隣接する発光素子を構成する光路制御手段と光路制御手段とは離間されている［Ｂ０１］乃至［Ｃ２９］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ３２］中間層にはカラーフィルタ層が含まれる［Ｂ０１］乃至［Ｃ３１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ３３］光路制御手段及び被覆層よりも光出射側にはカラーフィルタ層が形成されている［Ｂ０１］乃至［Ｃ３１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｃ３４］第１被覆層の頂面は、平坦であり、又は、中間層に向かって凹んでいる［Ｂ０１］乃至［Ｃ３３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ｄ０１］《表示装置：第１の態様》
第１基板及び第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に形成された複数の発光素子、
を備えた表示装置であって、
各発光素子は、
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
各発光素子において、発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
第１被覆層は、光路制御手段の外面の中間層側の一部を覆っており、
第２被覆層は、第１被覆層及び光路制御手段の外面の残部を覆っており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている表示装置。
［Ｄ０２］《表示装置：第２の態様》
第１基板及び第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に形成された複数の発光素子、
を備えた表示装置であって、
各発光素子は、
発光部、
発光部を覆う中間層、
中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
少なくとも光路制御手段を覆う被覆層、
から構成されており、
各発光素子において、発光部から出射された光は、中間層を通過し、光路制御手段に入射し、光路制御手段から出射し、
被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
第１被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の外縁部側と接しており、
第２被覆層は、光路制御手段の外面のうち、光路制御手段の中央部側と接しており、
光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、又は、
第１被覆層は、第２被覆層を構成する材料とは異なる材料から構成されている表示装置。
［Ｄ０３］《表示装置：第３の態様》
第１基板及び第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に形成された複数の発光素子、
を備えた表示装置であって、
各発光素子は、［Ａ０１］乃至［Ｃ３４］のいずれか１項に記載の発光素子から成る表示装置。
［Ｅ０１］発光部の中心を通る法線と光路制御手段の中心を通る法線との間の距離をＤ₀としたとき、表示パネルに備えられた発光素子の少なくとも一部において、距離Ｄ₀の値は０でない［Ｄ０３］に記載の表示装置。
［Ｅ０２］基準点Ｐが想定されており、距離Ｄ₀は基準点Ｐから発光部の中心を通る法線までの距離Ｄ₁に依存する［Ｅ０１］に記載の表示装置。
［Ｅ０３］基準点Ｐは表示パネル内に想定されている［Ｅ０１］又は［Ｅ０２］に記載の表示装置。
［Ｅ０４］基準点Ｐは、表示パネルの中心領域に位置していない［Ｅ０３］に記載の表示装置。
［Ｅ０５］複数の基準点Ｐが想定されている［Ｅ０３］又は［Ｅ０４］に記載の表示装置。
［Ｅ０６］基準点Ｐが１つ想定されている場合、基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれず、基準点Ｐが複数想定されている場合、少なくとも１つの基準点Ｐは表示パネルの中心領域には含まれない［Ｅ０３］に記載の表示装置。
［Ｅ０７］基準点Ｐは表示パネルの外側に想定されている［Ｅ０１］又は［Ｅ０２］に記載の表示装置。
［Ｅ０８］複数の基準点Ｐが想定されている［Ｅ０７］に記載の表示装置。
［Ｅ０９］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間の或る領域に収束する［Ｅ０１］乃至［Ｅ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１０］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、表示装置の外部の空間において発散する［Ｅ０１］乃至［Ｅ０８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１１］各発光素子から出射され、光路制御手段を通過した光は、平行光である［Ｅ０１］乃至［Ｅ０６］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１２］基準点Ｐが設定されており、
複数の発光素子は、第１の方向及び第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
基準点Ｐから発光部の中心を通る法線までの距離をＤ₁とし、距離Ｄ₀の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ_0-X，Ｄ_0-Yとし、距離Ｄ₁の第１の方向及び第２の方向のそれぞれの値をＤ_1-X，Ｄ_1-Yとしたとき、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは線形に変化し、又は、
Ｄ_1-Xの変化に対してＤ_0-Xは非線形に変化し、Ｄ_1-Yの変化に対してＤ_0-Yは非線形に変化する［Ｅ０１］乃至［Ｅ１１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１３］基準点Ｐが設定されており、
基準点Ｐから発光部の中心を通る法線までの距離をＤ₁としたとき、距離Ｄ₁の値が増加するに従い、距離Ｄ₀の値が増加する［Ｅ０１］乃至［Ｅ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１４］光路制御手段の光入射側又は光出射側には、波長選択部が設けられている［Ｅ０１］乃至［Ｅ１３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ１５］光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致し、又は、波長選択部の正射影像に含まれる［Ｅ１４］に記載の表示装置。
［Ｅ１６］距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、発光部の中心を通る法線とは一致している［Ｅ１４］又は［Ｅ１５］に記載の表示装置。
［Ｅ１７］距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｅ１４］又は［Ｅ１５］に記載の表示装置。
［Ｅ１８］光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像に含まれ、
距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、発光部の中心を通る法線とは一致している［Ｅ１４］に記載の表示装置。
［Ｅ１９］光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像に含まれ、
距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｅ１４］に記載の表示装置。
［Ｅ２０］光路制御手段の正射影像は、波長選択部の正射影像と一致し、
距離Ｄ₀の値が０でない発光素子において、波長選択部の中心を通る法線と、光路制御手段の中心を通る法線とは一致している［Ｅ１４］に記載の表示装置。
［Ｅ２１］隣接する発光素子の波長選択部の間には光吸収層が形成されている［Ｅ１４］乃至［Ｅ１７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ｅ２２］隣接する光路制御手段の間には光吸収層が形成されている［Ｅ０１］乃至［Ｅ２１］のいずれか１項に記載の表示装置。

１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ・・・発光素子、１１・・・第１基板、１２・・・第２基板、２０・・・トランジスタ、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・基体（層間絶縁層）、２７・・・コンタクトプラグ、２８・・・絶縁層、３０・・・発光部、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、３３・・・有機エレクトロルミネッセンス層（発光層）、３４・・・中間層、３５・・・第１被覆層、３６・・・第２被覆層、３７・・・第１被覆層と第２被覆層との界面、３８・・・封止樹脂層、４０・・・光反射層、４１・・・層間絶縁層、４２・・・下地膜、５０，５０’・・・光路制御手段、５０”・・・光路制御手段（光反射部材）、５１・・・実施例１の発光素子における光路制御手段の光出射面（外面）、５２・・・実施例１の発光素子における光路制御手段の光入射面、５３・・・実施例２の発光素子における光路制御手段の光入射面（外面）、５４・・・実施例２の発光素子における光路制御手段の光出射面、５５・・・実施例３の発光素子における光路制御手段の光出射面（外面）、５６・・・実施例３の発光素子における光路制御手段の光入射面、５７・・・実施例４の発光素子における光路制御手段の光入射面（外面）、５８・・・実施例４の発光素子における光路制御手段の光出射面、６０・・・レンズ部材形成層、６１・・・レジスト材料層、ＣＦ，ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B・・・カラーフィルタ層

Claims (6)

1. 発光部、
   前記発光部を覆う中間層、
   前記中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
   少なくとも前記光路制御手段を覆う被覆層、
   から構成されており、
   前記発光部から出射された光は、前記中間層を通過し、前記光路制御手段に入射し、前記光路制御手段から出射し、
   前記被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
   前記第１被覆層は、前記光路制御手段の外面の前記中間層側の一部を覆っており、
   前記第２被覆層は、前記第１被覆層及び前記光路制御手段の外面の残部を覆っており、
   前記光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、前記第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、前記第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、
   前記光路制御手段の光出射面は、前記中間層の頂面を基準として凹状である
   発光素子。
2. 前記第１被覆層は、前記光路制御手段の光出射面の前記中間層側の一部を覆い、
   前記第２被覆層は、前記第１被覆層及び前記光路制御手段の光出射面の残部を覆う請求項１に記載の発光素子。
3. 前記光路制御手段は、負の光学的パワーを有する請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 空気の屈折率をｎ_airとしたとき、前記光路制御手段の光出射面が前記中間層の頂面を基準として凹状である場合、
   ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₁＜ｎ₂
   を満足し、前記光路制御手段の光入射面が前記中間層の頂面に向かって凹状である場合、
   ｎ_air＜ｎ₀＜ｎ₂＜ｎ₁
   を満足する請求項１～３のいずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記発光部は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む請求項１～４のいずれか１項に記載の発光素子。
6. 第１基板及び第２基板、並びに、
   前記第１基板と前記第２基板との間に形成された複数の発光素子、
   を備えた表示装置であって、
   各前記発光素子は、
   発光部、
   前記発光部を覆う中間層、
   前記中間層の上又は上方に設けられた光路制御手段、及び、
   少なくとも前記光路制御手段を覆う被覆層、
   から構成されており、
   各前記発光素子において、前記発光部から出射された光は、前記中間層を通過し、前記光路制御手段に入射し、前記光路制御手段から出射し、
   前記被覆層は、第１被覆層及び第２被覆層から構成されており、
   前記第１被覆層は、前記光路制御手段の外面の前記中間層側の一部を覆っており、
   前記第２被覆層は、前記第１被覆層及び前記光路制御手段の外面の残部を覆っており、
   前記光路制御手段を構成する材料の屈折率の値ｎ₀と、前記第１被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₁と、前記第２被覆層を構成する材料の屈折率の値ｎ₂とは異なっており、
   前記光路制御手段の光出射面は、前記中間層の頂面を基準として凹状である、
   表示装置。

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