JP5485965B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
2 陽極
3 有機層
31 ホール注入層
32 ホール輸送層
33 発光層
34 電子輸送層
4 陰極
5 隔壁部
6 バンド吸収フィルタ
7 フィルタ支持基板
図1及び図2は、共通の基板1に赤色(R),緑色(G),青色(B)に発光する3個の発光素子(R,G,B)を配置してRGBユニットを形成した一例を示す。図1は、発光素子(R,G,B)の縦断面図であり、図2は、平面図である。なお、実際の表示装置は、基板1に多数の発光素子(R,G,B)を配列して表示領域を形成し、図示しない表示領域外に配置された駆動回路によってパッシブ駆動又は素子毎にも駆動回路を配置してアクティブ駆動される構成である。
本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、バンド吸収フィルタ6で制御する対象色を赤色(R)にした実施形態である。
本実施形態は、第1及び第2の実施形態の変形例であり、バンド吸収フィルタ6で制御する対象色を青色(B)と赤色(R)の両方にした実施形態である。
なお、第1〜第3の実施形態では、ホール注入層31の厚みを変えてRGBの共振器光路長を調整した一例を説明した。但し、これに限定されることはなく、図14に示すように、発光層33の厚みを変えてRGBの共振器光路長を調整するようにしてもよい。
さらに、第1〜第4の実施形態では、トップエミッション構造の発光素子を一例に挙げて説明した。しかし、この構造に限定されることはなく、図15に示すように、ボトムエミッション構造であってもよい。図15は、図1の反射電極21を半透過電極とし、陰極4を反射電極とすることによって、ボトムエミッション構造とした例を示す。この場合のバンド吸収フィルタ6は、図15に示すように基板1に配置してもよく、あるいは図1に示したようなフィルタ支持基板7を用いて基板1と対向するように配置してもよい。但し、構造が限定されることはない。
続いて、図1に示したRGB発光素子を製造する手順について、一例を説明する。
まず、例えば蒸着やスパッタ法などを用いて反射電極21、透明電極22を順に成膜する。これら電極21,22のパターニングは、例えばフォトリソグラフィー法によって行うことができる。次に、例えばフッ素成分を含有する感光性樹脂を基板1上に塗布し、乾燥させて成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法によって図1に示すようなパターンを有する隔壁部5を形成する。例えばパッシブ型の場合は、電極21,22をストライプ状に形成した後、隔壁部5を形成する。一方、例えばアクティブ型の場合は、駆動回路毎に接続されたアイランド状に電極21,22を形成した後、隔壁部5を形成する。
Claims (5)
- 第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、
前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、
前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が620±20nmの範囲内であり
前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が減少し、前記共振器出力スペクトルの中心波長から短波長側に向かって単調に吸収率が増加していることを特徴とする発光素子。 - 前記共振器出力スペクトルの最大値となる波長における前記バンド吸収フィルタの透過率をT(0)とし、最大値となる波長から−10nmの波長における透過率をT(−10)としたときに、透過率の比ΔT[=T(−10)/T(0)]が0.9以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透過率の比ΔTが0.7以下であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記共振器出力スペクトルの中心波長(λB)における吸収スペクトルの勾配を、波長λBの吸収率で除した、以下の式で表わされる前記バンド吸収フィルタの吸収変化率RAが+0.01[1/nm]以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子。
吸収変化率RA[1/nm]=〔dA(λB)/dλ〕/A(λB) - 色度座標のNTSCの色純度からのズレΔu’v’が0.05以内であるか、またはNTSCの色再現範囲を拡大する色度座標であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子。
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