TWI499631B - 半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置 - Google Patents

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Description

半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置
本發明係關於半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置。
電子機器之小型化、輕量化、高性能化的要求不停，半導體元件(以下亦稱為「元件」、「晶片」)之高積體化、高密度化正逐年進展著，進而於半導體裝置(以下亦稱為「封裝」)的安裝方式上，亦出現表面安裝技術，並持續普及著。而由於此種半導體裝置之周邊技術的進步，對於將半導體裝置密封的樹脂組成物的要求亦日益嚴格。例如，在表面安裝步驟中，係使經吸濕的半導體裝置於焊錫處理時曝露於高溫下，受到急速汽化之水蒸氣的爆發性應力而發生裂痕或內部剝離，使半導體裝置之動作可靠性顯著降低。再者，由於鉛使用廢止的契機，而改為使用融點較習知高的無鉛焊錫，安裝溫度變得較習知提高約20℃，而使上述焊錫處理時之應力問題更加深刻。如此由於表面安裝技術之普及與無鉛焊錫的轉用，對半導體密封用樹脂組成物而言，耐焊性成為重要的技術課題之一。
另外，在近年環境問題的背景之下，放棄使用習知之溴化環氧樹脂或氧化銻等難燃劑的社會性要求高漲，所以需要有不使用此等難燃劑，而賦予與習知同等之難燃性的技術。作為此種替代難燃化技術，例如提案有應用低黏度之結晶性環氧樹脂，並調配較多無機填充劑的手法(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。然而，此等手法亦無法稱得上充分滿足耐焊性與難燃性。
再者，近年來，出現了於1封裝內積層晶片之構造、或使導線線徑較習知細的半導體裝置。於此種半導體裝置中，由於樹脂密封部分之厚度變得較習知薄而容易發生未填充，或容易發生成形中之導線流動等，而有密封步驟之產率降低之虞。因此，為了提升樹脂組成物之流動特性，雖然容易思及使用低分子量之環氧樹脂或酚樹脂硬化劑的手法，但藉由此手法，將有容易發生因樹脂組成物(錠)彼此之固黏所造成之成形步驟中的搬送不良、設備停止(操作性降低)，發生因硬化性降低而損及耐焊性、耐燃性、成形性之任一特性等不良情形的情況。如上述般，因半導體裝置之細線化、薄型化，使樹脂組成物取得流動性、操作性、耐焊性、耐燃性及成形性之均衡係成為重要課題。
專利文獻1：日本專利特開平7-130919號公報
專利文獻2：日本專利特開平8-20673號公報
本發明經濟性地提供一種流動性、操作性、耐焊性、耐燃性及連續成形性之均衡良好的半導體密封用樹脂組成物，以及藉其硬化物密封半導體元件而成之可靠性優越的半導體裝置。
本發明之半導體密封用樹脂組成物，其特徵為，含有：酚樹脂(A)，係含有1或2種以上成分者，其包括由含有下述構造單位之聚合物所構成的成分(A1)：以下述一般式(1)所示之構造單位：
[化1]
(上述一般式(1)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R2、R3、R4及R5彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。)與
以下述一般式(2)所示之構造單位：
[化2]
(上述一般式(2)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。R7、R8、R9及R10彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。)；
環氧樹脂(B)；與無機填充劑(C)。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述成分(A1)為由1或2種以上之聚合體所構成，藉場致脫附質量分析的測定，相當於上述成分(A1)之聚合物之相對強度的合計，可設為相對於上述酚樹脂(A)之合計相對強度為10%以上、80%以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)可進一步含有成分(A2)，該成分(A2)係由含有以上述一般式(1)所示之構造單位、且不含以上述一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)可進一步含有成分(A3)，該成分(A3)係由含有以上述一般式(2)所示之構造單位、且不含以上述一般式(1)所示之構造單位的聚合物所構成。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)整體中之以上述一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以上述一般式(2)所示之構造單位的合計數的比可設為30/70~95/5。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述以上述一般式(2)所示之構造單位中之R6為甲基，b為1~3。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)於150℃下之ICI黏度可設為1.5dPa‧s以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)之軟化點可設為63℃以上且85℃以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，根據標準聚苯乙烯換算的凝膠滲透層析(GPC)法，上述酚樹脂(A)中之2核體成分的面積比率可為20%以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述酚樹脂(A)可於總硬化劑中含有20質量%以上且100質量%以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述環氧樹脂(B)可為選自由聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、蒽二酚型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂、二羥基萘型環氧樹脂、將二羥基萘之2聚物進行環氧丙基醚化而得的環氧樹脂、具有甲氧基萘骨架之酚醛清漆型環氧樹脂、三環氧丙基三聚異氰酸酯、單烯丙基二環氧丙基三聚異氰酸酯、二環戊二烯改質酚型環氧樹脂所組成群的至少1種環氧樹脂。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述無機填充劑(C)之含量可設為80質量%以上且93質量%以下。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，可含有硬化促進劑(D)。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述硬化促進劑(D)可包括選自由四取代鏻化合物、磷甜菜化合物、膦化合物與醌化合物之加成物、鏻化合物與矽烷化合物之加成物所構成群的至少1種硬化促進劑。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，可含有在構成芳香環之2個以上鄰接之碳原子上分別鍵結了羥基的化合物(E)。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，可含有偶合劑(F)。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述偶合劑(F)可包括具2級胺基之矽烷偶合劑。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，亦可含有無機難燃劑(G)。
再者，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，上述無機難燃劑(G)可包括金屬氫氧化物或複合金屬氫氧化物。
本發明之半導體裝置的特徵在於，係以上述半導體密封用樹脂組成物之硬化物將半導體裝置密封而得。
尚且，以上構成要素之任意組合、將本發明之表現於方法、裝置等之間予以變換者，亦可有效作為本發明態樣。
依照本發明，可經濟性地得到使流動性提升至習知以上，且操作性、耐焊性、耐燃性及連續成形性之均衡良好的半導體密封用樹脂組成物，以及藉其硬化物將半導體元件密封而成之可靠性優越的半導體裝置。
上述目的及其他目的、特徵、優點係可藉由下述較佳實施形態及所隨附之圖式而更加明白了解。
本發明之半導體密封用樹脂組成物的特徵在於，含有：酚樹脂(A)，係含有1或2種以上成分者，其包括由含有以下述一般式(1)所示之構造單位及以下述一般式(2)所示之構造單位之聚合物所構成的成分(A1)；環氧樹脂(B)；與無機填充劑(C)。藉此，可得到使流動性提升至習知以上，且操作性、耐焊性、耐燃性及連續成形性之均衡良好的半導體密封用樹脂組成物。又，本發明之半導體裝置的特徵在於藉由上述半導體密封用樹脂組成物之硬化物將半導體元件密封而得。藉此，可經濟性地得到可靠性優越的半導體裝置。以下，針對本發明進行詳細說明。
首先，針對半導體密封用樹脂組成物進行說明。本發明之半導體密封用樹脂組成物中，係使用酚樹脂(A)作為環氧樹脂之硬化劑，其為含有1或2種以上之成分者，並包括由含有以下述一般式(1)所示之構造單位及以下述一般式(2)所示之構造單位之聚合物所構成的成分(A1)。
[化3]
於此，上述一般式(1)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R2、R3、R4及R5彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。
[化4]
於此，上述一般式(2)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。R7、R8、R9及R10彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。較佳係一般式(2)所示之構造單位中之R6為甲基，b為1~3。
酚樹脂(A)中之成分(A1)係藉由具有與具伸苯基骨架之酚芳烷基型酚樹脂相類似之骨架構造而顯示良好之硬化性與耐焊性，進而由於一般式(2)所示之構造單位之取代基R6為疏水性，故可顯示良好的耐濕性。再者，酚樹脂(A)中之成分(A1)係相較於具有同程度分子量之具伸苯基骨架的酚芳烷基樹脂，亦具有不易發生固黏，而顯示良好操作性的特徵。有關不易發生固黏的理由，其詳細原因尚不明，但推測係藉由部分性地含有取代基R6，而使分子間力(凡得瓦力)局部增強，藉此約束分子運動，結果使軟化點相對地上升所致。使用了酚樹脂(A)之樹脂組成物可不致損及操作性而顯示優越的流動性與硬化性，且其硬化物具有耐燃性優越、吸水率低、耐焊裂性提升的特徵。
酚樹脂(A)係含有由含有以一般式(1)所示之構造單位及以一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成之成分(A1)者，但亦可進一步含有由雖含有以一般式(1)所示之構造單位但不含以一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成之成分(A2)，或雖含有以一般式(2)所示之構造單位但不含以一般式(1)所示之構造單位的聚合物所構成之成分(A3)。此種酚樹脂(A)整體中之以一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以一般式(2)所示之構造單位的合計數的比，較佳為30/70~95/5、更佳40/60~90/10、特佳50/50~85/15。於此，本發明中之「~」均指含有其上下兩端者。藉由使兩構造單位之合計數的平均值的比為上述範圍，則可得到耐燃性、操作性、連續成形性及耐焊性之均衡優越的半導體密封用樹脂組成物。尚且，酚樹脂(A)整體中之以一般式(1)所示之構造單位之合計數、與以一般式(2)所示之構造單位之合計數的比，可藉由場致脫附質量分析(FD-MS)測定予以求得。針對依檢測質量(m/z)範圍50~2000所測定之由FD-MS分析所檢測到的各波峰，可由檢測質量(m/z)得到分子量及重複數。再者，藉由將各波峰強度比作為含有比例(質量)而進行算術計算，則可求得一般式(1)及一般式(2)之各構造單位的含有比。
於此，本發明之半導體密封用樹脂組成物中，成分(A1)為由1或2種以上之聚合物所構成，於場致脫附質量分析的測定中，相當於成分(A1)之聚合物之相對強度之合計，係相對於酚樹脂(A)之合計相對強度，較佳為10%以上且80%以上，更佳為10%以上且60%以下，再更佳為10%以上且40%以下。藉由使相當於成分(A1)之聚合物之相對強度的合計成為上述範圍內，則可得到硬化性與耐焊性之均衡優越的半導體密封用樹脂組成物。
另外，酚樹脂(A)於150℃下之ICI黏度較佳為0.1dPa‧s以上且1.5dPa‧s，更佳為0.3dPa‧s以上且0.7dPa‧s以下。藉由使酚樹脂(A)於150℃下之ICI黏度為上述範圍，可得到填充性優越的半導體密封用樹脂組成物。
另外，酚樹脂(A)之軟化點較佳為63℃以上且85℃以下，更佳為64℃以上且80℃以下。若使酚樹脂(A)之軟化點為上述範圍，則可得到耐燃性或操作性優越的半導體密封用樹脂組成物。
作為此種酚樹脂(A)之聚合方法並無特別限定，可舉例如：使酚化合物、以下述一般式(3)所示之化合物及以下述一般式(4)所示之化合物進行共聚縮合而得的方法(以下亦稱為「第1製法」)；使以下述一般式(5)所示之烷基取代芳香族化合物與醛類反應後，加入以下述一般式(3)所示之化合物及酚化合物並進行共聚合而得的方法(以下亦稱為「第2製法」)等；亦可適當組合此等聚合方法而進行聚合。此等之中，由於可廉價地取代原材料，故以第2製法為較佳。
[化5]
於此，於一般式(3)中，R2、R3、R4及R5彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。X為鹵原子、羥基或碳數1~6之烷氧基。R11及R12彼此獨立為碳數1~5之烴基或氫原子。
[化6]
於此，一般式(4)中，R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。R7、R8、R9及R10彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。X為鹵原子、羥基或碳數1~6之烷氧基。R13及R14彼此獨立為碳數1~5之烴基或氫原子。
[化7]
於此，一般式(5)中，R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。
作為酚樹脂(A)製造中所使用之酚化合物，可舉例如酚、鄰甲酚、對甲酚、間甲酚、酚、乙基酚、正丙基酚、異丙基酚、第三丁基酚、二甲酚、甲基丙基酚、甲基丁基酚、二丙基酚、二丁基酚、壬基酚、米酚、2,3,5-三甲基酚、2,3,6-三甲基酚等，但並不限定於此等。此等之中，較佳為酚、鄰甲酚，進而由與環氧樹脂間之反應性的觀點而言，更佳為酚。於酚樹脂(A)之製造中，此等之酚化合物可單獨使用1種，亦可並用2種以上。
酚樹脂(A)之製造所使用之一般式(3)所示之化合物中的R2、R3、R4及R5中之碳數1~6之烴基的例子，可舉例如甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、2,4-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、3,4-二甲基丁基、4,4-二甲基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、環己基及苯基等。
酚樹脂(A)之製造中所使用之以一般式(3)所示之化合物中的=CR11R12(亞烷基)，可舉例如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞正丁基、亞異丁基、亞第三丁基、亞正戊基、2-甲基亞丁基、3-甲基亞丁基、亞第三戊基、亞正己基、1-甲基亞戊基、2-甲基亞戊基、3-甲基亞戊基、4-甲基亞戊基、2,2-二甲基亞丁基、2,3-二甲基亞丁基、2,4-二甲基亞丁基、3,3,-二甲基亞丁基、3,4-二甲基亞丁基、4,4-二甲基亞丁基、2-乙基亞丁基、1-乙基亞丁基及亞環己基等。
酚樹脂(A)之製造中所使用之以一般式(3)所示之化合物中之X的鹵原子，可舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。又，酚樹脂(A)之製造中所使用之以一般式(3)所示之化合物中之X的碳數1~6之烷氧基，可舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、2-甲基丁氧基、3-甲基丁氧基、第三戊氧基、正己氧基、1-甲基戊氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基、2,2-二甲基丁氧基、2,3-二甲基丁氧基、2,4-二甲基丁氧基、3,3-二甲基丁氧基、3,4-二甲基丁氧基、4,4-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基及1-乙氧丁氧基等。
酚樹脂(A)之製造中，以一般式(3)所示之化合物可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。其中，對二甲苯二醇由於可依較低溫進行合成，反應副產物之餾除或處理容易，故較佳。在X為鹵原子時，可利用因微量水分存在而發生之鹵化氫作為酸觸媒。
酚樹脂(A)之製造所使用之一般式(4)所示之化合物中的R7、R8、R9、R10及R6中之碳數1~6之烴基的例子，可舉例如甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、2,4-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、3,4-二甲基丁基、4,4-二甲基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、環己基及苯基等。
酚樹脂(A)之製造中所使用之以一般式(4)所示之化合物中的=CR13R14(亞烷基)，可舉例如亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞正丁基、亞異丁基、亞第三丁基、亞正戊基、2-甲基亞丁基、3-甲基亞丁基、亞第三戊基、亞正己基、1-甲基亞戊基、2-甲基亞戊基、3-甲基亞戊基、4-甲基亞戊基、2,2-二甲基亞丁基、2,3-二甲基亞丁基、2,4-二甲基亞丁基、3,3,-二甲基亞丁基、3,4-二甲基亞丁基、4,4-二甲基亞丁基、2-乙基亞丁基、1-乙基亞丁基及亞環己基等。
酚樹脂(A)之製造中所使用之以一般式(4)所示之化合物中之X中，作為鹵原子，可舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。作為碳數1~6之烷氧基，可舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、2-甲基丁氧基、3-甲基丁氧基、第三戊氧基、正己氧基、1-甲基戊氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基、2,2-二甲基丁氧基、2,3-二甲基丁氧基、2,4-二甲基丁氧基、3,3-二甲基丁氧基、3,4-二甲基丁氧基、4,4-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基及1-乙氧丁氧基等。
酚樹脂(A)之製造中，以一般式(4)所示之化合物可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。其中，由樹脂組成物之耐燃性與耐濕性之均衡的觀點而言，較佳係R6為甲基、b為1~3。在X為甲氧基時，由於反應副產物之餾除或處理容易，故較佳；在X為鹵原子時，可利用因微量水分存在而發生之鹵化氫作為酸觸媒。
酚樹脂(A)之製造所使用之一般式(5)所示之化合物中的R6中，作為碳數1~6之烴基可舉例如甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、2,4-二甲基丁基、3,3-二甲基丁基、3,4-二甲基丁基、4,4-二甲基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、環己基及苯基等。作為此種烷基取代芳香族化合物，可舉例如甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯、1,2,3-三甲基苯、1,2,4-三甲基苯、乙基苯、鄰二乙基苯、間二乙基苯、對二乙基苯、1,3,5-三乙基苯、1,2,3-三乙基苯、1,2,4-三乙氧苯、異丙苯、鄰異丙甲苯、間異丙甲苯、對異丙甲苯、正丁基苯、第二丁基苯、第三丁基苯、戊基苯、二戊基苯等。此等之中，由原料價格或樹脂組成物之耐燃性與耐濕性之均衡的觀點而言，較佳為甲苯、二甲基苯、三甲基苯、四甲基苯。酚樹脂(A)之製造中，一般式(5)所示之化合物可單獨使用1種，亦可並用2種以上。
作為酚樹脂(A)製造中所使用之醛類，可舉例如甲醛、對甲醛、乙醛、苯醛等。此等之中，由樹脂組成物之硬化性、原料成本的觀點而言，較佳為甲醛、對甲醛。
有關酚樹脂(A)之合成方法並無特別限定，例如於第1製法的情況，係相對於酚化合物1莫耳，將一般式(3)所示之化合物與一般式(4)所示之化合物的合計0.1~0.6莫耳，甲酸、草酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、鹽酸、硫酸、磷酸、醋酸、路易斯酸等之酸性觸媒0.005~0.05莫耳，於50~200℃之溫度下，一邊藉氮氣流將發生氣體及水分排出至系統外，一邊反應2~20小時，反應結束後將殘留之單體藉減壓蒸餾、水蒸氣蒸餾等方法予以餾除，藉此即可獲得。又，酚樹脂(A)整體中之以一般式(1)所示之構造單位之合計數與以一般式(2)所示之構造單位之合計數的比率，幾乎反映所使用的原料比率，該調配比率之較佳範圍可舉例如：以莫耳比計，以一般式(3)所示之化合物：以一般式(4)所示之化合物=20：80~80：20。
由第1製法所得之酚樹脂(A)，係由下述一般式(6)所示，m較佳為0~20之整數，n較佳為0~20之整數的聚合物的混合物。
[化8]
於此，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。R2、R3、R4、R5、R7、R8、R9及R10彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。分子末端為氫原子或者取代或無取代的羥基苯基。一般式(6)中之R2、R3、R4、R5係與一般式(3)相同，一般式(6)中之R7、R8、R9及R10係與一般式(4)相同。
若將一般式(6)所示、m較佳為0~20之整數、n較佳為0~20之整數的聚合物的混合物中之m及n的值以平均值記載，則m之平均值較佳為1~7、更佳1.2~2.5，n之平均值較佳為0.2~2、更佳0.4~1。藉由使m之平均值設為上述下限值以上，則可抑制所得之樹脂組成物之操作性或樹脂組成物之硬化性的降低。又，藉由將m之平均值設為上述上限值以下，則由於酚樹脂本身的黏度較高，可抑制所得樹脂組成物之流動性降低。又，藉由將n之平均值設為上述下限值以上，可抑制所得樹脂組成物之耐焊性及搬送性的降低。又，藉由將n之平均值設為上述上限值以下，則可抑制樹脂組成物之流動性與硬化性的降低，並抑制成形性之降低。又，m及n之值可藉由FD-MS分析法求得。一般式(6)之化合物藉FD-MS分析法所測定的分子量，較佳為300以上且1500以下，更佳為500以上且900以下。若考慮到酚樹脂(A)本身之操作容易性、作為樹脂組成物之流動性、硬化性、耐燃性及耐焊性之均衡，由含有以一般式(1)所示之構造單位及以一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成的成分(A1)中，以第1製法所得之酚樹脂(A)之總量作為基準，較佳為5質量%以上且80質量%以下，更佳為8質量%以上且70質量%以下，特佳為11質量%以上且50質量%以下。
作為調整第1製法所得之酚樹脂(A)中所含成分(A1)的方法，例如藉由採用增加一般式(4)所示之化合物的調配量，或將一般式(3)所示之化合物慢慢加入至反應系統中等方法，則可提高成分(A1)之含有比例。
另外，酚樹脂(A)之合成方法中，在第2製法的情況，例如係相對於一般式(5)所示之烷基取代芳香族化合物1莫耳，加入醛類1~2.5莫耳，作為觸媒之氫氧化鈉、氫氧化鉀等之鹼金屬觸媒或對甲苯磺酸、二甲苯磺酸、硫酸等之強酸0.1~2.5莫耳，在鹼金屬觸媒的情況係於5~80℃的溫度下，在酸性觸媒的情況係於100~150℃的溫度下，反應0.5~5小時而得到反應中間體。接著，加入一般式(3)所示之化合物0.2~5莫耳及酚化合物1~20莫耳，草酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、鹽酸、硫酸、磷酸、醋酸、路易斯酸等之酸性觸媒0.005~0.05莫耳，於50~200℃之溫度下，一邊藉氮氣流將發生氣體排出至系統外，一邊進行共縮合反應2~20小時，反應結束後將殘留之單體及水分藉減壓蒸餾、水蒸氣蒸餾等方法予以餾除，藉此即可獲得。又，在一般式(3)中X為鹵原子的情況，可使用因微量水分存在所發生之鹵化氫作為酸觸媒。
由第2製法所得之酚樹脂(A)，係由下述一般式(7)所示，i較佳為0~20之整數，j較佳為0~20之整數，k較佳為0~20之整數的聚合物的混合物。
[化9]
於此，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數。R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數。R2、R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10、R15及R16彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基。分子末端為氫原子或者取代或無取代的羥基苯基或碳數1~6之烴基為經1~4個取代的苯基。一般式(7)中之R2、R3、R4、R5係與一般式(3)相同，一般式(7)中之R7、R8、R9及R10係與一般式(4)相同。作為一般式(7)中之R15及R16中之碳數1~6之烴基的例子，係與一般式(3)中之R2相同。
若將一般式(7)所示、i較佳為0~20之整數、j較佳為0~20之整數、k較佳為0~20之整數的聚合物的混合物中之i、j及k的值以平均值記載，則i之平均值較佳為0.5~7、更佳1~4，j之平均值較佳為0.2~3、更佳0.4~2，k之平均值較佳為0~5、更佳0~3。藉由使i設為上述下限值以上，則可抑制所得之樹脂組成物之硬化性的降低。又，藉由將i之平均值設為上述上限值以下，則由於酚樹脂本身的黏度較高，可抑制所得樹脂組成物之流動性降低。又，藉由將j設為上述下限值以上，則所得酚樹脂不易固黏，可抑制所得樹脂組成物之耐焊性的降低。藉由將j之平均值設為上述上限值以下，則可抑制樹脂組成物之流動性與硬化性的降低。又，藉由將k設為上述下限值以上，則可抑制硬化性降低。藉由將k設為上述上限值以下，可抑制樹脂組成物之耐燃性降低。尚且，i、j及k之值可藉由FD-MS分析法求得。一般式(7)之化合物藉FD-MS分析法所測定的分子量，較佳為350以上且1200以下，更佳為400以上且900以下。若考慮到酚樹脂(A)本身之操作容易性、作為樹脂組成物之流動性、硬化性、耐燃性及耐焊性之均衡，由含有以一般式(1)所示之構造單位及以一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成的成分(A1)中，以第2製法所得之酚樹脂(A)之總量作為基準，較佳為5質量%以上且80質量%以下，更佳為8質量%以上且70質量%以下，特佳為11質量%以上且50質量%以下。
於此，作為於第2製法所得之酚樹脂(A)中，使由含有以一般式(1)所示之構造單位與以一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成之成分(A1)之含有比例提高的手法，可舉例如減低一般式(3)所示之化合物的調配量，或將一般式(3)所示之化合物慢慢加入至反應系統中等方法。
第2製法所得之酚樹脂(A)中，雖可依副產物之型式得到不含以一般式(1)所示之構造單位、且不含以一般式(2)所示之構造單位的聚合物(一般式(7)中，i=0、j=0的成分)，但在不損及作為酚樹脂(A)之操作性或樹脂組成物之硬化性、流動性及耐燃性的範圍內，亦可含有此等副產物。又，作為使上述副產物含量減低的手法，可舉例如藉由減低甲醛調配量，或使殘留於反應中間體中之未反應醛類進行再結晶或減壓等之公知方法予以去除的方法等。
第2製法所得之酚樹脂(A)中有時含有2核體成物。有關此等之含有比例，藉標準聚苯乙烯換算之凝膠滲透層析(GPC)的面積法所求得之含量(面積比)，較佳為20%以下、更佳15%以下。藉由將2核體量設為上述上限值以下，則可抑制酚樹脂的黏連發生，並抑制樹脂組成物之硬化性降低。作為減低上述2核體的方法，可於酚樹脂合成後，於水蒸氣蒸餾或減壓蒸餾下，提高減壓度、或延長處理時間等，藉此可減低2核體成分。
於此，為了得到更低黏度的酚樹脂，可使用藉由增加酚化合物之調配量、減低甲醛成分、減少酸觸媒調配量、在發生鹵化氫氣體時將其藉氮氣流等迅速排出至系統外、降低共縮合溫度等手法，而減低高分子量成分之生成的方法。此時，反應的進行亦可藉由對一般式(3)、一般式(4)、反應中間體與酚之反應所副產生之水、鹵化氫、醇之氣體發生狀況、或反應途中之生成物進行採樣，藉凝膠滲透層析法確認分子量。
本發明所使用之酚樹脂(A)，係含有1或2種以上成分者，其包括由含有以一般式(1)所示之構造單位與以一般式(2)所示之構造單位之聚合物所構成的成分(A1)，具體而言，係以下述1)、2)之成分作為必須成分，並可含有下述3)~6)之成分。
1)與具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂相同的構造，且伸苯基骨架之一部分氫原子被碳數1~6之烴基所取代的樹脂
2)與使具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂及酚酚醛清漆型樹脂進行共聚合之酚樹脂相同的構造，且伸苯基骨架之一部分氫原子被碳數1~6之烴基所取代的樹脂
3)具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂
4)酚酚醛清漆型樹脂
5)使具有伸苯基骨架之酚芳烷基與酚酚醛清漆型進行共聚合的酚樹脂
6)於上述1)~5)之酚樹脂中，在分子之末端部或羥基苯基之取代基上，使經碳數1~6之烴基1~4個取代的苯基直接或經由對伸茬基而鍵結的聚合物
藉由含有上述複數構造之聚合物，則相較於具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂，呈更低黏度且難以固黏，故操作性良好，且不損及硬化性，耐焊性、耐燃性優越，亦表現良好之連續成形性。尤其在第2製法的情況，原料成本較具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂廉價，可依低成本進行製造。
一般式(6)之m、n之值及一般式(7)之i、j、k之值可藉由FD-MS測定求得。針對依檢測質量(m/z)範圍50~2000所測定之藉FD-MS分析所檢測的各波峰，由檢測質量(m/z)可得到分子量、及重複數(m、n及i、j、k)值，進而藉由以各波峰強度比作為含有比例(質量)而進行算術計算，可求得m、n之各平均值及i、j、k之各平均值。
在酚樹脂(A)含有酚酚醛清漆型樹脂的情況，酚樹脂(A)中之酚酚醛清漆型樹脂的含量係相對於酚樹脂(A)總量，較佳為5~20質量%、更佳5~15質量%。藉由設為上述範圍，可得到良好之硬化性與耐燃性。
本發明之半導體密封用樹脂組成物中之酚樹脂(A)的調配量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為0.5質量%以上、更佳1質量%以上、再更佳1.5質量%以上。若下限值為上述範圍內，則所得之樹脂組成物具有良好流動性。又，半導體密封用樹脂組成物中之酚樹脂(A)的量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為10質量%以下、更佳9質量%以下、再更佳8質量%以下。若上限值為上述範圍內，則所得之樹脂組成物具有良好的耐焊性與硬化性。
本發明之半導體密封用樹脂組成物中，在不損及因使用上述酚樹脂(A)所得效果的範圍內，可並用他其硬化劑。作為可並用之硬化劑，可舉例如聚加成型之硬化劑、觸媒型之硬化劑、縮合型之硬化劑等。作為聚加成型之硬化劑，可舉例如包括二乙三胺(DETA)、三乙四胺(TETA)、甲基茬二胺(MXDA)等之脂肪族多胺，二胺基二苯基甲烷(DDM)、間苯二胺(MPDA)、二胺基二苯基碸(DDS)等之芳香族多胺，二氰二醯胺(DICY)、有機酸二肼等之多胺化合物；包括六氫酞酸酐(HHPA)、甲基四氫酞酸酐(MTHPA)等之脂環族酸酐、偏苯三甲酸酐(TMA)、苯均四酸(PMDA)、二苯基酮四羧酸(BTDA)等之芳香族酸酐等的酸酐；酚醛清漆型酚樹脂、酚聚合物等之聚酚化合物；多硫化物、硫酯、硫醚等之多巰化合物；異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等之異氰酸酯化合物；含有羧酸之聚酯樹脂等之有機酸類等。
作為觸媒型之硬化劑，可舉例如苄基二甲基胺(BDMA)、2,4,6-參二甲基胺基甲基酚(DMP-30)等之3級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)等之咪唑化合物；BF3 錯合物等之路易斯酸等。
作為縮合型之硬化劑，可舉例如酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂等之酚樹脂系硬化劑；含羥甲基之尿素樹脂般之尿素樹脂；含羥甲基之三聚氰胺樹脂般之三聚氰胺樹脂等。
此等之中，由耐燃性、耐濕性、電特性、硬化性、保存穩定性等之均衡的觀點而言，較佳為酚樹脂系硬化劑。酚樹脂系硬化劑係指一分子內具有2個以上酚性羥基之單體、寡聚物、聚合物整體，其分子量、分子構造並無特別限定，可舉例如酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型樹脂；三酚甲烷型酚樹脂等之多官能型酚樹脂；萜烯改質酚樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂等之改質酚樹脂；具有伸苯基骨架及/或伸聯苯基骨架之酚芳烷基樹脂、具有伸苯基及/或伸聯苯基骨架之萘酚芳烷基樹脂等之芳烷基型樹脂；雙酚A、雙酚F等之雙酚化合物；此等可單獨使用1種或並用2種以上。此等之中，由硬化性之觀點而言，羥基當量較佳為90g/eq以上、250g/eq以下。
在並用此種其他硬化劑的情況，作為酚樹脂(A)之調配比例之下限值，係相對於總硬化劑，較佳為20質量%以上、更佳30質量%以上、特佳50質量%以上。酚樹脂(A)之調配比例之上限值並無特別限定，例如相對於總硬化劑，可設為100質量%以下。若調配比例為上述範圍內，則可保持耐燃性、耐焊性，並表現良好之流動性。
關於硬化劑整體之調配比例的下限值並無特別限定，於總樹脂組成物中，較佳為0.8質量%以上、更佳1.5質量%以上。若調配比例之下限值為上述範圍內，則可得到充分的流動性。又，關於硬化劑整體之調配比例之上限值亦無特別限定，於總樹脂組成物中，較佳為10質量%以下、更佳8質量%以下。若調配比例之上限值為上述範圍內，可得到良好的耐焊性。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物所使用的環氧樹脂(B)，可舉例如聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、蒽二酚型環氧樹脂等之結晶性環氧樹脂；酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂；三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂等之多官能環氧樹脂；具有伸苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等之芳烷基型環氧樹脂；二羥基萘型環氧樹脂、將二羥基萘之2聚物進行環氧丙基醚化而得的環氧樹脂等之萘酚型環氧樹脂；具有甲氧基萘骨架之酚醛清漆型環氧樹脂；三環氧丙基三聚異氰酸酯、單烯丙基二環氧丙基三聚異氰酸酯等之含三核之環氧樹脂；二環戊二烯改質酚型環氧樹脂等之有橋環狀烴化合物改質酚型環氧樹脂；但並不限定於此等。由所得之半導體密封用樹脂組成物之耐濕可靠性之觀點而言，此等環氧樹脂最好儘量不含屬於離子性雜質之Na+ 離子或Cl- 離子。又，由半導體樹脂組成物之硬化性的觀點而言，環氧樹脂之環氧當量較佳為100g/eq以上、500g/eq以下。
再者，此等之中，由流動性之觀點而言，較佳為聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂等，由耐焊性之觀點而言，較佳為具有伸苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有甲氧基萘骨架之酚醛清漆型環氧樹脂。又，由單面密封型半導體裝置中之低曲翹性的觀點而言，較佳為三酚甲烷型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂、蒽二酚型環氧樹脂等。若為此種環氧樹脂，則如後述實施例所示般，藉由與本發明之酚樹脂(A)組合使用，則提升流動性，可得到使操作性、耐焊性、耐燃性及連續成形性之均衡穩定變得良好的作用效果。
半導體密封用樹脂組成物中之環氧樹脂(B)的量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為2質量%以上、更佳4質量%以上。若下限值為上述範圍內，則所得之樹脂組成物具有良好的流動性。又，半導體密封用樹脂組成物中之環氧樹脂(B)的量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為15質量%以下、更佳13質量%以下。若上限值為上述範圍內，則所得之樹脂組成物具有良好之耐焊性。
尚且，酚樹脂與環氧樹脂較佳係依總環氧樹脂之環氧基數(EP)、與總酚樹脂之酚性羥基數(OH)的當量比(EP)/(OH)為0.8以上、1.3以下之方法進行調配。若當量比為上述範圍內，則在成形所得之樹脂組成物時，可得到充分的硬化特性。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物所使用的無機填充劑(C)，可使用該領域一般使用的無機填充劑。可舉例如熔融二氧化物、球狀二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。由對金屬模具腔之填充性的觀點而言，無機填充劑之粒徑最好為0.01μm以上且150μm以下。
半導體密封用樹脂組成物中之無機填充劑(C)的量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為80質量%、更佳83質量%以上、再更佳86質量%以上。若下限值為上述範圍內，則可減低所得樹脂組成物之硬化所伴隨的吸濕量增加、或強度降低，因而可得到具有良好耐焊裂性之硬化物。又，半導體密封用樹脂組成物中之無機填充劑(C)之量，係相對於半導體密封用樹脂組成物之總質量，較佳為93質量%以下、更佳91質量%以下、再更佳90質量%以下。若上限值為上述範圍內，則所得樹脂組成物具有良好流動性，並具備良好成形性。
尚且，在使用後述之氫氧化鋁、氫氧化鎂等之金屬氫氧化物、或硼酸鋅、鉬酸鋅、三氧化銻等之無機系難燃劑的情況，最好將此等無機系難燃劑與上述無機填充劑之合計量設為上述範圍內。
本發明之半導體密封用樹脂組成物亦可含有硬化促進劑(D)。硬化促進劑(D)若為可促進環氧樹脂之環氧基與酚樹脂之羥基間的反應者即可，可使用一般使用之硬化促進劑(D)。具體例有如有機膦、四取代鏻化合物、磷甜菜化合物、膦化合物與醌化合物之加成物、鏻化合物與矽烷化合物之加成物等的含磷原子化合物；1,8-二氮雜聯環(5,4,0)十二烯-7、苄基二甲基胺、2-甲基咪唑等之含氮原子化合物等。此等之中，由硬化性之觀點而言，較佳為含磷原子化合物，由流動性與硬化性之均衡的觀點而言，更佳為四取代鏻化合物、磷甜菜化合物、膦化合物與醌化合物之加成物、鏻化合物與矽烷化合物之加成物等之具有潛伏性的觸媒。若考慮到流動性，特佳為四取代鏻化合物，另外，由耐焊性之觀點而言，特佳為磷甜菜化合物、膦化合物與醌化合物之加成物，又，若考慮到潛伏硬化性，特佳為鏻化合物與矽烷化合物之加成物。又，由連續成形性之觀點而言，較佳為四取代鏻化合物。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用的有機膦，可舉例如：乙基膦、苯基膦等之1級膦；二甲基膦、二苯基膦等之2級膦；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三苯基膦等之3級膦。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用的四取代鏻化合物，可舉例如下述一般式(8)所示之化合物等。
[化10]
一般式(8)中，P表示磷原子；R17、R18、R19及R20分別獨立表示芳香族基或烷基；A為使選自羥基、羧基及硫醇基之任一官能基至少一個鍵結於芳香環上的芳香族有機酸之陰離子；AH為使選自羥基、羧基及硫醇基之任一官能基至少一個鍵結於芳香環上的芳香族有機酸；x及y為1~3之整數，z為0~3之整數，且x=y。
一般式(8)所示之化合物，例如可如以下般進行而獲得，但並不限定於此。首先，將四取代氯化鏻與芳香族有機酸與鹼，混合於有機溶劑並均勻地混合，使該溶液系統內發生芳香族有機酸陰離子。其次，加入水時，可使一般式(8)所示之化合物沉澱。於一般式(8)所示之化合物中，由合成時之收得率與硬化促進效果之均衡優越的觀點而言，較佳的是鍵結於磷原子上之R17、R18、R19及R20為苯基，且AH係於芳香環上具有羥基之化合物、亦即酚化合物，且A較佳為該酚化合物之陰離子。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用的磷甜菜化合物，可舉例如以下述一般式(9)所示之化合物等。
[化11]
一般式(9)中，X1表示碳數1~3之烷基；Y1表示羥基；f為0~5之整數，g為0~4之整數。
一般式(9)所示之化合物，例如可如以下般進行而獲得。首先，使三級膦之三芳香族取代膦與重氮鹽接觸，經由使三芳香族取代膦與重氮鹽所具有之重氮基進行取代的步驟而獲得。然而，並不限定於此。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用的膦化合物與醌化合物之加成物，可舉例如下述一般式(10)所示之化合物等。
[化12]
一般式(10)中，P表示磷原子；R21、R22及R23分別獨立為碳數1~12之烷基或碳數6~12之芳基；R24、R25及R26分別獨立為氫原子或碳數1~12之烴基，R24與R25彼此亦可鍵結成為環。
作為於膦化合物與醌化合物之加成物中所使用之膦化合物，較佳係三苯基膦、參(烷基苯基)膦、參(烷氧基苯基)膦、三萘基膦或參(苄基)膦等之於芳香環為未取代或存在烷基、烷氧基等取代基者，作為烷基、烷氧基等取代基可舉例如具有1~6碳數者。由取得容易度的觀點而言，較佳為三苯基膦。
另外，作為於膦化合物與醌化合物之加成物中所使用之醌化合物，可舉例如鄰苯醌、對苯醌、蒽醌類，其中，由保存穩定性之觀點而言，較佳為對苯醌。
作為膦化合物與醌化合物之加成物的製造方法，可舉例如：於可溶解有機三級膦與苯醌類兩者之溶媒中，使該等接觸、混合，藉此得到加成物的方法。作為溶媒，可為丙酮或甲基乙基酮等酮類般之對加成物的溶解性較低者。但並不限定於此等。
一般式(10)所示之化合物，係鍵結於磷原子上之R21、R22及R23為苯基，且R24、R25及R26為氫原子的化合物，亦即，使1,4-苯醌與三苯基膦加成之化合物由於使樹脂組成物之硬化物熱時彈性係數降低，故較佳。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物可使用的鏻化合物與矽烷化合物之加成物，可舉例如下述一般式(11)所示之化合物等。
[化13]
一般式(11)中，P表示磷原子；Si表示矽原子；R27、R28、R29及R30分別獨立為具有芳香環或雜環之有機基或脂肪族基；X2為與基Y2及Y3鍵結之有機基。X3為與基Y4及Y5鍵結之有機基。Y2及Y3為使質子供給性取代基釋出質子而成之基，同一分子內之基Y2及Y3與矽原子鍵結形成嵌合構造。Y4及Y5為使質子供給性基釋出質子而成之基，同一分子內之基Y4及Y5與矽原子鍵結形成嵌合構造。X2及X3彼此可為相同或相異，Y2、Y3、Y4及Y5彼此可為相同或相異。Z1為具有芳香環或雜環之有機基或脂肪族基。
一般式(11)中，作為R27、R28、R29及R30，可舉例如苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羥基苯基、萘基、羥基萘基、苄基、甲基、乙基、正丁基、正辛基及環已基等。此等之中，較佳為苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羥基苯基、羥基萘基等之具有取代基之芳香族基，或未取代之芳香族基。
另外，一般式(11)中，X2為與基Y2及Y3鍵結之有機基。同樣地，X3為與基Y4及Y5鍵結之有機基。Y2及Y3為使質子供給性基釋出質子而成之基，同一分子內之基Y2及Y3與矽原子鍵結形成嵌合構造。同樣地，Y4及Y5為使質子供給性基釋出質子而成之基，同一分子內之基Y4及Y5與矽原子鍵結形成嵌合構造。基X2及X3彼此可為相同或相異，基Y2、Y3、Y4及Y5彼此可為相同或相異。此種一般式(11)中之-Y2-X2-Y3-及-Y4-X3-Y5所示之基，係由使質子供給體釋出2個質子而成之基所構成，作為質子供給體，可舉例如：鄰苯二酚、五倍子酚、1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘、2,2’-聯苯、1,1’-聯-2-萘酚、柳酸、1-羥基-2-萘甲酸、3-羥基-2-萘甲酸、氯冉酸、單寧酸、2-羥基苄基醇、1,2-環己二醇、1,2-丙二醇及甘油等。此等之中，由原料取得容易度與硬化促進效果之均衡的觀點而言，更佳為鄰苯二酚、1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘。
又，一般式(11)中之Z1表示具有芳香環或雜環之有機基或脂肪族基。作為此等之具體例，可舉例如：甲基、乙基、丙基、丁基、己基及辛基等之脂肪族烴基；苯基、苄基、萘基及聯苯基等之芳香族烴基；環氧丙基氧基丙基、巰基丙基、胺基丙基及乙烯基等之反應性取代基等；此等之中，由熱穩定性方面而言，更佳為甲基、乙基、苯基、萘基及聯苯基。
鏻化合物與矽烷化合物之加成物的製造方法，可如以下般進行而獲得：於放入了甲醇之燒瓶中，加入苯基三甲氧基矽烷等之矽烷化合物、2,3-二羥基萘等之質子供給體並使其溶解，其次於室溫攪拌下滴下甲氧化鈉-甲醇溶液。進而於其中將事先準備之使四苯基溴化鏻等之四取代鹵化鏻溶解於甲醇的溶液，於室溫攪拌下進行滴下，使結晶析出。將析出之結晶過濾、水洗，進行真空乾燥，得到鏻化合物與矽烷化合物之加成物。然而，並不限定於此。
本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用之硬化促進劑(D)之調配比例的下限值，較佳係總樹脂組成物中之0.1重量%以上。若硬化促進劑(D)之調配比例之下限值為上述範圍內，則可得到充分之硬化性。又，硬化促進劑(D)之調配比例之上限值較佳係總樹脂組成物中之1質量%以下。若硬化促進劑(D)之調配比例的上限值在上述範圍內，則可得到充分之流動性。
本發明中，可進一步使用在構成芳香環之2個以上鄰接之碳原子上分別鍵結了羥基的化合物(E)(以上有時亦簡稱為「化合物(E)」)。藉由使用在構成芳香環之2個以上鄰接之碳原子上分別鍵結了羥基的化合物(E)，則即使在使用不具潛伏性之含磷原子硬化促進劑作為促進酚樹脂與環氧樹脂間之交聯反應的硬化促進劑(D)，仍可抑制樹脂組成物於熔融混練中的反應，可穩定得到樹脂組成物。又，化合物(E)亦具有使樹脂組成物之熔融黏度下降、提升流動性的效果。作為化合物(E)，可使用下述一般式(12)所示之單環式化合物、或下述一般式(13)所示之多環式化合物等，此等化合物亦可具有羥基以外之取代基。
[化14]
一般式(12)中，R31及R35之任一者為羥基，在一者為羥基時，另一者為氫原子、羥基或羥基以外之取代基，R32、R33及R34為氫原子、羥基或羥基以外之取代基。
[化15]
一般式(13)中，R36及R42之任一者為羥基，在一者為羥基時，另一者為氫原子、羥基或羥基以外之取代基，R37、R38、R39、R40及R41為氫原子、羥基或羥基以外之取代基。
作為一般式(12)所示之單環式化合物的具體例，可舉例如鄰苯二酚、五倍子酚、沒食子酸、沒食子酸酯或此等之衍生物。又，作為一般式(13)所示之多環式化合物的具體例，可舉例如1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及此等之衍生物。此等之中，由流動性與硬化性之控制容易度而言，較佳係於構成芳香環之2個鄰接之碳原子上分別鍵結了羥基的化合物。又，在考慮到混練步驟時之揮發的情況，更佳係母核呈低揮發性且秤量穩定性高之屬於萘環的化合物。此時，可將化合物(E)具體設為例如1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及此等衍生物的具有萘環之化合物。此等化合物(E)可單獨使用1種或並用2種以上。
上述化合物(E)之調配比例的下限值，較佳係於總樹脂組成物中為0.01質量%以上、更佳0.03質量%以上、特佳0.05質量%以上。若化合物(E)之調配比例之下限值為上述範圍內，則可得到樹脂組成物之充分低黏度化與流動性提升效果。又，化合物(E)之調配比例之上限值，較佳係於總樹脂組成物中為1質量%以下、更佳0.8質量%以下、特佳0.5質量%以下。若化合物(E)之調配比例的上限值為上述範圍內，則發生樹脂組成物之硬化性降低或硬化物物性之降低的虞慮較少。
本發明之半導體密封用樹脂組成物中，為了提升環氧樹脂與無機填充劑的密黏性，可添加矽烷偶合劑等之偶合劑(F)。作為其例並無特別限定，可舉例如環氧基矽烷、胺基矽烷、脲矽烷、巰基矽烷等，若為在環氧樹脂與無機填充劑之間進行反應，提升環氧樹脂與無機填充劑之界面強度者即可。又，藉由並用矽烷偶合劑與上述之化合物(E)，則亦可提高化合物(E)之樹脂組成物之熔融黏度降低、提升流動性的效果。例如，本發明之偶合劑(F)亦可含有具2級胺基之矽烷偶合劑。
作為環氧基矽烷，可舉例如γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等。又，作為胺基矽烷，可舉例如：γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-6-(胺基己基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-(三甲氧基矽烷基丙基)-1,3-苯二甲烷等。作為脲矽烷，可舉例如γ-脲丙基三乙氧基矽烷、六甲基二矽氮烷等。亦可作成使胺基矽烷之1級胺基部位與酮或醛反應而經保護的潛在性胺基矽烷偶合劑而使用。作為巰基矽烷，可舉例如γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷之外，如雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)二硫化物般之藉由熱分解而表現與巰基矽烷偶合劑同樣機能的矽烷偶合劑等。又，此等矽烷偶合劑亦可調配預先進行了水解反應者。此等之矽烷偶合劑可單獨使用1種，亦可並用2種以上。
於本發明之情況，由耐焊性與連續成型性之均衡的觀點而言，較佳為巰基矽烷，由流動性之觀點而言，較佳為胺基矽烷，由對於矽晶片表面之聚醯亞胺或基板表面之抗阻劑等有機零件的密黏性的觀點而言，較佳為環氧基矽烷。
作為本發明之半導體密封用樹脂組成物中可使用之矽烷偶合劑等之偶合劑(F)之調配比例的下限值，係於總樹脂組成物中，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，特佳為0.1質量%以上。若矽烷偶合劑等之偶合劑(F)之調配比例的下限值為上述範圍內，則環氧樹脂與無機填充劑間之界面強度不降低，可得到半導體裝置之良好耐焊裂性。又，作為矽烷偶合劑等之偶合劑(F)之調配比例的上限值，較佳為總樹脂組成物中之1質量%以下、更佳0.8質量%以下、特佳0.6質量%以下。若矽烷偶合劑等之偶合劑(F)之調配比例之上限值為此範圍內，則環氧樹脂與無機填充劑間之界面強度不降低，可得到半導體裝置之良好耐焊裂性。又，若矽烷偶合劑等之偶合劑(F)之調配比例為上述範圍內，則樹脂組成物之硬化物吸水性不增大，可得到半導體裝置之良好耐焊裂性。
本發明之半導體密封用樹脂組成物中，為了提升難燃性，亦可添加無機難燃劑(G)。其中，由可縮短燃燒時間之觀點而言，較佳為藉由於燃燒時進行脫水、吸熱而抑制燃燒反應的金屬氫氧化物、或複合金屬氫氧化物。作為金屬氫氧化物，可舉例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鋯。作為複合金屬氫氧化物，係含有2種以上金屬元素之水滑石化合物，至少一金屬元素為鎂，且其他金屬元素可為選自鈣、鋁、錫、鈦、鐵、鈷、鎳、銅或鋅的金屬元素，作為此種複合金屬氫氧化物，氫氧化鎂‧鋅固溶物容易由市售物取得。其中，由耐焊性與連續成形性之均衡的觀點而言，較佳係氫氧化鋁、氫氧化鎂‧鋅固溶物。上述難燃劑可單獨使用或使用2種以上。又，由減低對連續成形性之影響的目的，亦可藉矽烷偶合劑等之矽化合物或蠟等之脂肪族系化合物等進行表面處理而使用。
本發明之半導體密封用樹脂組成物係除了上述成分以外，亦可適當調配：碳黑、鐵丹、氧化鈦等之著色劑；棕櫚蠟等之天然蠟、聚乙烯蠟等之合成蠟、硬脂酸或硬脂酸鋅等之高級脂肪酸或其金屬鹽、或石蠟等之脫模劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等之低應力添加劑。
本發明之半導體密封用樹脂組成物，係藉由將酚樹脂、環氧樹脂及無機填充劑、以及上述之其他添加劑等，例如使用混合機等於常溫下均勻混合，其後，視需要使用加熱輥、捏合機或擠出機等之混練機進行熔融混練，接著進行冷卻、粉碎，藉此可調整為所需之分散度或流動性等。
其次，針對本發明之半導體裝置進行說明。作為使用本發明之半導體密封用樹脂組成物製造半導體裝置的方法，可舉例如將搭載了半導體元件之引線框架或電路基板等設置於金屬模具腔內後，將半導體密封用樹脂組成物以轉移模製、壓縮模製、噴射模製等之成形方法進行成形、硬化，藉此對該半導體裝置進行密封的方法。
作為所密封的半導體元件，可舉例如積體電路、大規模積體電路、電極體、閘流體、二極體、固體攝影元件等，但並不限定於此等。
作為所得之半導體裝置之形態，並無特別限定，可舉例如：雙排型封裝(DIP)、塑料引線晶粒承載封裝(PLCC)、四面扁平封裝(QFP)、微型四邊平面封裝(LQFP)、小外型封裝(SOP)、小外型J引線封裝(SOJ)、薄型小外型封裝(TSOP)、薄型四邊平坦封裝(TQFP)、捲帶式封裝(TCP)、閘球陣列(BGA)、晶片尺寸封裝(CSP)、矩陣陣列封裝閘球陣列(MAPBGA)、晶片堆疊晶片尺寸封裝等，但並不限定於此等。
藉由半導體密封用樹脂組成物之轉移模製等成形方法密封了半導體元件的半導體裝置，係直接、或於80℃至200℃左右的溫度下，歷時10分鐘至10小時左右的時間使該樹脂組成物完全硬化後，搭載於電子機器等上。
圖1為針對使用本發明之半導體密封用樹脂組成物之半導體裝置的一例，表示其剖面構造的圖。於晶粒座3上，透過黏晶材硬化體2固定半導體元件1。半導體元件1之電極墊與引線框架5之間係藉由導線4所連接。半導體元件1係藉由半導體密封用樹脂組成物之硬化體6而密封。
圖2為針對使用本發明之半導體密封用樹脂組成物之單面密封型半導體裝置的一例，表示其剖面構造的圖。於基板8上，經由阻焊劑7及2黏晶材硬化體2固定半導體元件1。半導體元件1之電極墊與基板8上之電極墊之間係藉由導線4所連接。藉由半導體密封用樹脂組成物之硬化體6，僅對基板8之搭載了半導體元件1的單面側進行密封。基板8上之電極墊係與基板8上之非密封面側之焊球9於內部接合著。
(實施例)
以下，參照實施例詳細說明本發明，但本發明並不限定於此等實施例之記載。以下記載之各成分的調配量在未特別記載之下均設為質量份。
(硬化劑)
使用以下酚樹脂1~7作為硬化劑。
酚樹脂1：於分離燒瓶安裝攪拌裝置、溫度計、迴流冷卻器、氮導入口，秤量間二甲苯(關東化學(股)製特級試藥，間二甲苯，沸點139℃、分子量106、純度99.4%)100質量份、20質量%氫氧化鈉198質量份後，一邊進行氮置換、一邊開始加熱。將系統內溫度維持於50~60℃之溫度範圍並攪拌30分鐘，冷卻至10℃後，將對甲醛(關東化學(股)製特級試藥，對甲醛，分子量106、純度90%，粉碎為粒狀者)47.2質量份一次加入，於攪拌下反應2小時後，慢慢加入38質量%鹽酸水溶液100質量份以使系統內中和，得到含有羥甲基化物的中間體。又，從反應開始至中和結束為止，進行溫度控制操作以使系統內溫度成為10~15℃範圍。於此中間體中進一步加入酚(關東化學(股)製特級試藥，酚，融點40.9℃、分子量94、純度99.3%)847質量份、α,α’-二氯對二甲苯(東京化成工業(股)製試藥，融點100℃、分子量175、純度98%)343質量份，於氮置換及攪拌下進行加熱，將系統內溫度維持在110~120℃而進行反應5小時。因上述反應而於系統內發生的鹽酸氣體，係藉氮氣流排出至系統外。反應結束後，依150℃、2mmHg之減壓條件餾除未反應成分與水分。接著添加甲苯200質量份，使其均勻溶解後，移至分液漏斗，加入蒸餾水150質量份並振盪後，重複進行捨棄水層之操作(水洗)直到洗淨水呈中性為止，其後，對油層進行125℃減壓處理以餾除甲苯、殘留之未反應成分等之揮發成分，得到下式(14)所示之酚樹脂1(式(14)中之p為0~20之整數、q為0~20之整數、r為0~20之整數的聚合物的混合物，p、q、r之平均值分別為1.7、0.3、0.6。羥基當量175，軟化點64℃，150℃下之ICI黏度0.47dPa‧s)。將所得之酚樹脂1之GPC圖表示於圖3，其FD-MS圖表示於圖7。例如，圖7之FD-MS分析之m/z=154係相當於式(14)之(p,q,r)=(1,1,0)、左末端為氫原子、右末端為羥基苯基的成分，m/z=526係相當於式(14)之(p,q,r)=(1,1,0)、左末端為氫原子、右末端為間二甲苯的成分，可確認到酚樹脂1含有由含有一般式(1)所示之構造單位及一般式(2)所示之構造單體之聚合物所構成的成分(A1)。又，於凝膠滲透層析之面積法的測定中，2核體量為6.8%，於FD-MS之相對強度比的測定中，相當於成分(A1)之聚合物之合計量、相當於成分(A2)之聚合物之合計量、相當於成分(A3)之聚合物之合計量的相對強度比分別為28%、66%、6%。又，酚樹脂1整體中之以一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以一般式(2)所示之構造單位的合計數的比為85/15。
於此，根據凝膠滲透層析之面積法的測定，算出2核體成分含有量的方法，係如以下。
首先，進行GPC測定，根據使用聚苯乙烯標準物質所作成的標準線，算出重量平均分子量。2核體成分之含量係由所得之分子量分佈曲線，藉2核體成分相對於酚樹脂(A)整體之面積比率(%)予以算出。又，GPC測定係使用四氫呋喃作為洗提溶媒，依流量1.0ml/分鐘、管柱溫度40℃之條件實施。使用裝置如下述。
‧本體：東梭公司製「HLC-8020」
‧檢測器：東梭公司製「UV-8011」(設為波長280nm)
‧分析用管柱：將昭和電工公司製「SHODEX KF-802、KF-803、KF-805」依此順序串聯組合使用。
另外，軟化點之測定係根據JIS K7234，使用於環球法所測定之值。
另外，150℃下之ICI黏度的測定係依錐板型黏度計CV-1S(東亞工業股份有限公司製)測定。
酚樹脂2：於分離燒瓶安裝攪拌裝置、溫度計、迴流冷卻器、氮導入口，秤量甲醛37%水溶液(和光純藥工業製甲醛37%)116.3質量份、98質量%硫酸37.7質量份、間二甲苯(關東化學(股)製特級試藥，間二甲苯，沸點139℃、分子量106、純度99.4%)100質量份後，一邊進行氮置換、一邊開始加熱。將系統內溫度維持於90~100℃之溫度範圍並攪拌6小時，冷卻至室溫後，慢慢加入20質量%氫氧化鈉150重量份以使系統內中和。於此反應系統中進一步加入酚839質量份、α,α’-二氯對二甲苯338質量份，於氮置換及攪拌下進行加熱，將系統內溫度維持在110~120℃而進行反應5小時。因上述反應而於系統內發生的鹽酸氣體，係藉氮氣流排出至系統外。反應結束後，依150℃、2mmHg之減壓條件餾除未反應成分與水分。接著添加甲苯200質量份，使其均勻溶解後，移至分液漏斗，加入蒸餾水150質量份並振盪後，重複進行捨棄水層之操作(水洗)直到洗淨水呈中性為止後，對油層進行125℃減壓處理以餾除甲苯、殘留之未反應成分等之揮發成分，得到下式(14)所示之酚樹脂2(式(14)中之p為0~20之整數、q為0~20之整數、r為0~20之整數的聚合物的混合物，p、q、r之平均值分別為1.8、0.3、0.6。羥基當量180，軟化點67℃，150℃下之ICI黏度0.60dPa‧s)。將所得之酚樹脂2之GPC圖表示於圖4，其FD-MS圖表示於圖8。例如，圖8之FD-MS分析之m/z=514係相當於式(14)之(p,q,r)=(1,1,0)、左末端為氫原子、右末端為羥基苯基的成分，m/z=526係相當於式(14)之(p,q,r)=(1,1,0)、左末端為氫原子、右末端為間二甲苯的成分，可確認到酚樹脂2含有由含有一般式(1)所示之構造單位及一般式(2)所示之構造單體之聚合物所構成的成分(A1)。又，於凝膠滲透層析之面積法的測定中，2核體量為6.6%，於FD-MS之相對強度比的測定中，相當於成分(A1)之聚合物之合計量、相當於成分(A2)之聚合物之合計量、相當於成分(A3)之聚合物之合計量的相對強度比分別為30%、64%、6%。又，酚樹脂2整體中之以一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以一般式(2)所示之構造單位的合計數的比為85/15。
[化16]
酚樹脂3：於分離燒瓶中秤量酚(關東化學(股)製特級試藥，酚，融點40.9℃、分子量94、純度99.3%)100質量份、α,α’-二氯對二甲苯(東京化成工業(股)製試藥，融點100℃、分子量175、純度98%)65.2質量份、2,5-雙(氯甲基)對二甲苯(Sigma Aldrich製試藥，融點133℃、分子量203、純度98%)32.4質量份，安裝攪拌裝置、溫度計、迴流冷卻器、氮導入口，一邊氮吹泡、一邊加熱，在開始熔融之同時開始攪拌，將系統內溫度維持在110~120℃而進行反應5小時。在反應開始至結束的期間，因反應而於系統內發生的鹽酸氣體，係藉氮氣流迅速排出至系統外。反應結束後之操作係進行與酚樹脂1相同之操作，得到下式(15)所示之酚樹脂3(式(15)中之s為0~20之整數、t為0~20之整數的聚合物的混合物，s、t之平均值分別為1.6、0.6。羥基當量174，軟化點68℃，150℃下之ICI黏度0.65dPa‧s)。將GPC圖表示於圖5，FD-MS圖表示於圖9。例如，圖9之FD-MS分析之m/z=514係相當於式(15)之(s,t)=(1,1)、左末端為氫原子、右末端為羥基苯基的成分，可確認到酚樹脂3含有由含有一般式(1)所示之構造單位及一般式(2)所示之構造單體之聚合物所構成的成分(A1)。又，於凝膠滲透層析之面積法的測定中，未檢測到2核體，於FD-MS之相對強度比的測定中，相當於成分(A1)之聚合物之合計量、相當於成分(A2)之聚合物之合計量、相當於成分(A3)之聚合物之合計量的相對強度比分別為36.5%、48.5%、15.0%。又，酚樹脂3整體中之以一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以一般式(2)所示之構造單位的合計數的比為72/28。
[化17]
酚樹脂4：於酚樹脂1之合成中，除了取代間二甲苯，使用1,3,5-三甲基苯(東京化成工業(股)製鹿特級試藥，沸點165℃、分子量120、純度99%)100重量份，將20質量%氫氧化鈉之調配量變更為175質量份，將對甲醛之調配量變更為66.7質量份，將酚之調配量變更為1372質量份，將α,α’-二氯對二甲苯之調配量變更為620質量份以外，其餘進行與酚樹脂1相同之合成操作，得到下式(16)所示之酚樹脂4(式(16)中之u為0~20之整數、v為0~20之整數、w為0~20之整數的聚合物的混合物，u、v、w之平均值分別為1.9、0.1、0.9。羥基當量164，軟化點68℃，150℃下之ICI黏度0.65dPa‧s)。將所得之酚樹脂4之GPC圖表示於圖6，其FD-MS圖表示於圖10。例如，圖10之FD-MS分析之m/z=528係相當於式(16)之(u,v,w)=(1,1,0)、左末端為氫原子、右末端為羥基苯基的成分，可確認到酚樹脂4含有由含有一般式(1)所示之構造單位及一般式(2)所示之構造單體之聚合物所構成的成分(A1)。又，於凝膠滲透層析之面積法的測定中，2核體量為11%，於FD-MS之相對強度比的測定中，相當於成分(A1)之聚合物之合計量、相當於成分(A2)之聚合物之合計量、相當於成分(A3)之聚合物之合計量、不相當於(A1~A3)之(u=v=0)成分之合計量的相對強度比分別為12%、86%、1%、1%。又，酚樹脂4整體中之以一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以一般式(2)所示之構造單位的合計數的比為94/6。
[化18]
酚樹脂5：具有伸苯基骨架之酚芳烷基樹脂(三化學(股)製，XLC-4L。羥基當量168、軟化點62℃、150℃下之ICI黏度0.76dPa‧s)
酚樹脂6：於分離燒瓶中秤量酚(關東化學(股)製特級試藥，酚，融點40.9℃、分子量94、純度99.3%)100質量份、二甲苯甲醛樹脂(Fudow(股)製，NIKANOL LLL，平均分子量340)67.7質量份、對甲苯磺酸一水合物(和光純藥工業(股)製對甲苯磺酸，分子量190、純度99%)0.03質量份，一邊氮置換、一邊加熱，在開始熔融之同時開始攪拌，確認系統內達到110℃後進行反應1小時，其後，歷時30分鐘添加甲醛37%水溶液(和光純藥工業(股)甲醛37%)48.8質量份與草酸0.5質量份。接著將系統內溫度維持在100~110℃之範圍並進行反應120分鐘。在反應結束為止的期間，因反應而於系統內發生、或伴隨甲醛添加而混入至系統內的水分，係藉氮氣流排出至系統外。反應結束後，依160℃、2mmHg之減壓條件餾除未反應成分，接著添加甲苯200質量份，使其均勻溶解後，移至分液漏斗，加入蒸餾水150質量份並振盪後，重複進行捨棄水層的操作(水洗)直到洗淨水成為中性為止，其後，對油層進行125℃減壓處理以餾除甲苯、殘留之未反應成分等之揮發成分，得到下式(17)所示之酚樹脂6(羥基當量167，軟化點86℃，150℃下之ICI黏度2.1dPa‧s)。
[化19]
(x為1~10之整數，y為0~10之整數)酚樹脂7：下式(18)所示之酚樹脂(Fudow(股)製，Zaistar GP-90。羥基當量197、軟化點86℃、150℃下之ICI黏度3.1dPa‧s。)
[化20]
酚樹脂8：酚酚醛清漆樹脂(住友Bakelite(股)製，PR-HF-3，羥基當量104、軟化點80℃)。
將酚樹脂1~7之軟化點及ICI黏度整合示於下表1。再者，針對此等酚樹脂之黏連進行評價。結果記載於表1。
尚且，酚樹脂之黏連評價係如下進行。在內徑29mm、高10cm之聚丙烯製圓筒容器內，放入預先冷卻至5℃之顆粒狀酚樹脂20g，於圓筒容器內插入外形29mm、質量200g之活塞，在設定於既定溫度的恒溫槽內以垂直站立的狀態對酚樹脂施加荷重既定時間，其後將圓筒容器倒立而取出酚樹脂時，將呈原本顆粒狀且容易由容器取出者設為◎，將雖保有活塞內部形狀且容易以手撥散的情況設為○，將呈活塞內部形狀且不易以手撥散的情況設為╳，將樹脂熔融而無法取出的情況設為╳╳。
相當於含有由含有一般式(1)所示之構造單位及一般式(2)所示之構造單位之聚合物所構成之成分(A1)的酚樹脂(A)的酚樹脂1~4，相較於僅含有一般式(1)所示之構造單位的酚樹脂5(三化學(股)製XLC-4L)或僅含有一般式(2)所示之構造單位的酚樹脂6、7，其呈低黏度，且有黏連性亦優越的結果。
(環氧樹脂)
使用以上環氧樹脂1~8。
環氧樹脂1：聯苯基型環氧樹脂(Japan Epoxy Resin(股)，YX4000K。環氧當量185、軟化點107℃)
環氧樹脂2：雙酚F型環氧樹脂(東都化成(股)製，YSLV-80XY。環氧當量190、軟化點80℃)
環氧樹脂3：下式(19)所示之硫化物型環氧樹脂(東都化成(股)製，YSLV-120TE。環氧當量240、軟化點120℃)
[化21]
環氧樹脂4：具有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂(日本化藥(股)製，NC3000。環氧當量276、軟化點58℃)
環氧樹脂5：雙酚A型環氧樹脂(Japan Epoxy Resin(股)，YL6810。環氧當量172、軟化點45℃)
環氧樹脂6：具有伸苯基骨架酚芳烷基型環氧樹脂(三化學(股)製，E-XLC-3L。環氧當量238、軟化點52℃)
環氧樹脂7：二環戊二烯改質酚型環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製，HP7200L。環氧當量244、軟化點56℃)
環氧樹脂8：具有甲氧基萘骨架之酚醛清漆型環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製，EXA-7320。環氧當量251、軟化點58℃)
(無機填充劑)
作為無機填充劑，係使用電氣化學工業(股)製熔融球狀二氧化矽FB560(平均粒徑30μm)100質量份、Admatechs公司製合成球狀二氧化矽SO-C2(平均粒徑0.5μm)6.5質量份、Admatechs公司製合成球狀二氧化矽SO-C5(平均粒徑30μm)7.5質量份的摻合物。
(硬化促進劑(D))
使用以下硬化促進劑1~5。
硬化促進劑1：下式(20)所示之硬化促進劑
[化22]
硬化促進劑2：下式(21)所示之硬化促進劑
[化23]
硬化促進劑3：下式(22)所示之硬化促進劑
[化24]
硬化促進劑4：下式(23)所示之硬化促進劑
[化25]
硬化促進劑5：三苯基膦(北興化學工業(股)製，TPP)
(化合物E)
作為化合物E，使用下式(24)所示之化合物(東京化成工業(股)製，2,3-萘二醇，純度98%)。
[化26]
(矽烷偶合劑)
使用以下之矽烷偶合劑1~3。
矽烷偶合劑1：γ-巰基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製，KBM-803)
矽烷偶合劑2：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製，KBM-403)
矽烷偶合劑3：N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製，KBM-573)
(難燃劑)
使用以下之難燃劑1~2。
難燃劑1：氫氧化鋁(住友化學(股)製，CL310)
難燃劑2：氫氧化鎂‧氫氧化鋅固溶物複合金屬氫氧化物(TATEHO化學工業(股)製，ECOMAG Z-10)
(著色劑)
使用三菱化學工業(股)製之碳黑(MA600)作為著色劑。
(脫模劑)
使用日興FINE(股)製之棕櫚蠟(Nikko Carnauba，融點83℃)作為脫模劑。
(實施例1)
將下述成分以混合機於常溫下進行混合，以80℃~100℃之加熱輥進行熔融混練，其後進行冷卻，接著進行粉碎，得到半導體密封用樹脂組成物。
酚樹脂1　5.91質量份
環氧樹脂1　6.57質量份
無機填充劑1　86.5質量份
硬化促進劑1　0.4質量份
矽烷偶合劑1　0.07質量份
矽烷偶合劑2　0.07質量份
矽烷偶合劑3　0.08質量份
著色劑　0.3質量份
脫模劑　0.1質量份
對所得之半導體密封用樹脂組成物針對以下項目進行評價。將評價結果示於表2。
(評價項目)
螺旋流動：使用低壓轉移模製成形機(KOHTAKI精機股份有限公司製，KTS-15)，於根據EMMI-1-66的螺旋流動測定用之金屬模具中，依175℃、注入壓力6.9MPa、保壓時間120秒的條件注入樹脂組成物，測定流動長度。螺旋流動係流動性之參數，數之值較大者為流動性良好。單位為cm。實施例1所得之樹脂組成物係表示121cm的良好流動性。
耐燃性：使用低壓轉移模製成形機(KOHTAKI精機股份有限公司製，KTS-30)，依金屬模具溫度175℃、注入時間15秒、硬化時間120秒、注入壓力9.8MPa之條件，注入樹脂組成物而製作3.2mm厚之耐燃試驗片。針對所得之試驗片，依UL94垂直法之規格進行耐燃試驗。於表中表示Fmax、ΣF及判定後之耐燃等級。實施例1所得之樹脂組成物係顯示Fmax：5秒、ΣF：21秒、耐燃等級：V-0的良好耐燃性。
導線流動率：將經錠化的樹脂組成物以低壓轉移模製成形機，依175℃、6.9MPa、120秒之條件，成形出導線流動量評價試驗用之208引腳QFP封裝(尺寸28×28×2.4mm，Cu引線框架，測試元件：9×9mm，導線：Au，直徑1.2mils，長度約5mm)各10封裝，對成形之208引腳QFP封裝體以軟X射線透視裝置進行觀察。作為導線流動率之計算方法，係將1個封裝中最大流動(變形)之導線的流動量設為(F)，將其導線長度設為(L)，算出流動率=F/L×100(%)，表示10封裝之平均值。又，導線流動量之判定係將未滿5%者視為合格，將5%以上者視為不合格。實施例1所得之樹脂組成物顯示了2.9%之良好導線流動率。
連續成形性：將所得之樹脂組成物以粉末成形壓製機(玉川MACHINERY(股)製，S-20-A)調整為重量15g、尺寸Φ 18mm×高約30mm，以打錠壓力600Pa進行打錠而得到錠。將填充了所得錠之錠供給匣安裝於成形裝置內部。成形時，係使用低壓轉移模製自動成形機(第一精工(股)製，GP-ELF)作為成形裝置，依金屬模具溫度175℃、成形壓力9.8MPa、硬化時間120秒之條件，藉樹脂組成物將矽晶片等密封而得到80引腳QFP(Cu製引線框架，封裝外尺寸：14mm×20mm×2.0mm厚，墊尺寸：8.0mm×8.0mm，晶片尺寸7.0mm×7.0mm×0.35mm厚)，連續進行此成形直到400次射出為止。此時，每50次射出確認封裝之成形狀態(有無未填充)，於表中「填充不良」之項記載最初確認到未填充之射出數、或未發生未填充時記載○。又，安裝於成形裝置內之匣內的錠，係在實際用於成形為止的期間，於成形裝置匣內呈待機狀態，表面溫度約30℃，為最大13個垂直疊積的狀態。成形裝置內之錠的供給搬送，係藉由自匣最下部使突出銷上升，而使最上段的錠從匣上部被擠出，帶到機械式臂上而搬送至轉移模製成形用罐中。此時，若於匣內待機中的錠發生上下固黏，則造成搬送不良。於表中搬送不良之項記載最初確認到搬送不良的射出數、或未發生搬送不良時記載○。實施例1所得之樹脂組成物係於試驗中未發生錠固黏或封裝未填充，顯示良好的連續成形性。
耐焊性試驗1：使用低壓轉移模製成形機(第一精工製，GP-ELF)，依金屬模具溫度180℃、注入壓力7.4MPa、硬化時間120秒之條件，注入樹脂組成物將搭載了半導體元件(矽晶片)之引線框架等進行密封成形，製作80pQFP(Cu製引線框架，尺寸為14×20mm×厚度2.00mm、半導體元件為7×7mm×厚0.35mm，半導體元件與引線框架之內部引線部係以25μm徑之金線進行焊接)的半導體裝置。將經後熟化之於175℃加熱處理4小時之6個半導體裝置，於85℃、相對濕度60%進行加濕處理168小時後，進行IR迴焊處理(260℃，依照JEDEC‧Level3條件)。以超音波探傷機(日立建機FineTech(股)製，mi-scope10)觀察此等半導體裝置內部有無剝離及裂痕，將發生了剝離或裂痕之任一者視為不良。不良半導體裝置之個數為n個時，以n/6表示。實施例1所得之樹脂組成物顯示0/6的良好可靠性。
耐焊性試驗2：除了將上述耐焊性試驗1之加濕處理條件設為85℃、相對濕度85%、72小時加濕處理外，其餘實施與耐焊性試驗1相同的試驗。實施例1所得之樹脂組成物顯示0/6的良好可靠性。
(實施例2~20、比較例1~5)
依照表2~表5之調配，如同實施例1般製造樹脂組成物，並如實施例1般進行評價(表2~表5中各調配成分的數值單位，係與實施例1同樣地為質量份)。評價結果示於表2~表5。
實施例1~20係有如：包括含有由含有式(1)所示構造單位及式(2)所示構造單位之聚合物所構成之成分(A1)之酚樹脂(A)、環氧樹脂(B)與無機填充劑(C)的組成物；變更了酚樹脂(A)之構造單位之調配比例者；含有酚樹脂(A)以外之其他硬化劑者；變更了環氧樹脂(B)種類者；變更了硬化促進劑(D)種類者，或變更了難燃劑種類者；任一者均得到流動性(螺旋流動)或導線流動率、耐燃性、導線流動率、連續成形性、耐焊性之均衡優越的結果。
另一方面，變更為含有式(1)所示構造單位且不含式(2)所示構造單位之酚樹脂5的比較例1、變更為含有式(2)所示構造單位且不含式(1)所示構造單位之酚樹脂6及7的比較例2及3，以及並用了酚樹脂5與酚樹脂6或7之比較例4、5中，結果流動性(螺旋流動)或導線流動率、耐燃性、連續成形性、耐焊性之任一項目均不足，特性均衡差劣。
如上述結果，在含有硬化劑與環氧樹脂與無機填充劑的樹脂組成物中，僅在使用含有由含有式(1)所示構造單位及式(2)所示構造單位之聚合物所構成之成分(A1)之酚樹脂(A)作為硬化劑的情況，才可得到流動性(螺旋流動)或導線流動率、耐燃性、連續成形性、耐焊性之均衡優越的結果；相較於使用僅具有式(1)所示構造單位之酚樹脂或僅具有式(2)所示構造單位之酚樹脂作為硬化劑的情況，或並用此等的情況，本發明具有超過了可預測或期待之範圍的顯著效果。
根據本實施例，由於可得到流動性(螺旋流動)、導線流動率、操作性、耐焊性、耐燃性及連續成形性之均衡優越的半導體密封用樹脂組成物，故適合作為半導體裝置、尤其是於1封裝內積層晶片的構造或是使導線線徑較習知更細的半導體裝置的密封用。
尚且，上述實施形態及複數之變形例，當然可在不違反其內容的範圍內進行組合。又，上述實施形態及變形例中，雖具體說明了各部構造等，但該構造等可於滿足本案發明之範圍內進行各種變更。
此申請案係以平成21年6月3日申請之日本專利申請案特願2009-134319為基礎並主張其優先權，其揭示內容全部引用至此。
1‧‧‧半導體元件
2‧‧‧黏晶材硬化體
3‧‧‧晶粒座
4‧‧‧金線
5‧‧‧引線框架
6‧‧‧硬化體
7‧‧‧阻焊劑
8‧‧‧基板
9‧‧‧焊球
圖1係關於使用了本發明之半導體密封用樹脂組成物之半導體裝置的一例，顯示其剖面構造的圖。
圖2係關於使用了本發明之半導體密封用樹脂組成物之單面密封型半導體裝置的一例，顯示其剖面構造的圖。
圖3係實施例所使用之酚樹脂1的GPC圖表。
圖4係實施例所使用之酚樹脂2的GPC圖表。
圖5係實施例所使用之酚樹脂3的GPC圖表。
圖6係實施例所使用之酚樹脂4的GPC圖表。
圖7係實施例所使用之酚樹脂1的FD-MS圖表。
圖8係實施例所使用之酚樹脂2的FD-MS圖表。
圖9係實施例所使用之酚樹脂3的FD-MS圖表。
圖10係實施例所使用之酚樹脂4的FD-MS圖表。
1．．．半導體元件
2．．．黏晶材硬化體
3．．．晶粒座
4．．．金線
5．．．引線框架
6．．．硬化體
7．．．阻焊劑
8．．．基板
9．．．焊球

Claims (18)

  1. 一種半導體密封用樹脂組成物，係含有：含酚樹脂(A)之硬化劑，上述酚樹脂(A)係含有1或2種以上成分者，其包括由含有下述構造單位之聚合物所構成的成分(A1)：以下述一般式(1)所示之構造單位： (上述一般式(1)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數；R2、R3、R4及R5彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基；)與以下述一般式(2)所示之構造單位： (上述一般式(2)中，R1彼此獨立為碳數1~6之烴基，a為0~3之整數；R6彼此獨立為碳數1~6之烴基，b為1~4之整數；R7、R8、R9及R10彼此獨立為氫原子或碳數1~6之烴基)； 環氧樹脂(B)；與無機填充劑(C)；上述酚樹脂(A)之含量係相對於該半導體密封用樹脂組成物之總質量為0.5質量%以上且10質量%以下，上述環氧樹脂(B)之含量係相對於該半導體密封用樹脂組成物之總質量為2質量%以上且15質量%以下，上述無機填充劑(C)之含量係相對於該半導體密封用樹脂組成物之總質量為80質量%以上且93質量%以下；且上述酚樹脂(A)之軟化點為63℃以上且85℃以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述成分(A1)為由1或2種以上之聚合體所構成，藉場致脫附質量分析的測定，相當於上述成分(A1)之聚合物之相對強度的合計，相對於上述酚樹脂(A)之合計相對強度為10%以上、80%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述酚樹脂(A)進一步含有成分(A2)，該成分(A2)係由含有以上述一般式(1)所示之構造單位、且不含以上述一般式(2)所示之構造單位的聚合物所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述酚樹脂(A)進一步含有成分(A3)，該成分(A3)係由含有以上述一般式(2)所示之構造單位、且不含以上述一般式(1)所示之構造單位的聚合物所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述酚樹脂(A)整體中之以上述一般式(1)所示之構造單位的合計數、與以上述一般式(2)所示之構造單位的合計數的比，係為30/70~95/5。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，以上述一般式(2)所示之構造單位中之R6為甲基，b為1~3。
  7. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述酚樹脂(A)於150℃下之ICI黏度為1.5dPa‧s以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，根據標準聚苯乙烯換算的凝膠滲透層析(GPC)法，上述酚樹脂(A)中之2核體成分的面積比率為20%以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述酚樹脂(A)於總硬化劑中含有20質量%以上且100質量%以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述環氧樹脂(B)為選自由聯苯型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、蒽二酚型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸聯苯基骨架之酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂、二羥基萘型 環氧樹脂、將二羥基萘之2聚物進行環氧丙基醚化而得的環氧樹脂、具有甲氧基萘骨架之酚醛清漆型環氧樹脂、三環氧丙基三聚異氰酸酯、單烯丙基二環氧丙基三聚異氰酸酯、二環戊二烯改質酚型環氧樹脂所組成群的至少1種環氧樹脂。
  11. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，進一步含有硬化促進劑(D)。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述硬化促進劑(D)包括選自由四取代鏻化合物、磷甜菜化合物、膦化合物與醌化合物之加成物、鏻化合物與矽烷化合物之加成物所構成群的至少1種硬化促進劑。
  13. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，進一步含有在構成芳香環之2個以上之鄰接碳原子上分別鍵結了羥基的化合物(E)。
  14. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，進一步含有偶合劑(F)。
  15. 如申請專利範圍第14項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述偶合劑(F)包括具2級胺基之矽烷偶合劑。
  16. 如申請專利範圍第1項之半導體密封用樹脂組成物，其中，進一步含有無機難燃劑(G)。
  17. 如申請專利範圍第16項之半導體密封用樹脂組成物，其中，上述無機難燃劑(G)包括金屬氫氧化物或複合金屬氫氧化物。
  18. 一種半導體裝置，係藉申請專利範圍第1至17項中任一項之半導體密封用樹脂組成物之硬化物將半導體裝置密封而得。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120101413A (ko) * 2009-10-26 2012-09-13 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 봉지용 수지 조성물 및 이것을 이용한 반도체 장치
JP5353636B2 (ja) * 2009-10-29 2013-11-27 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及びこれを用いる半導体装置
JP5413127B2 (ja) * 2009-10-29 2014-02-12 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、これを用いる半導体装置及び半導体封止用樹脂組成物の製造方法
CN102558769B (zh) * 2010-12-31 2015-11-25 第一毛织株式会社 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及由该环氧树脂组合物封装的半导体器件
WO2012102336A1 (ja) * 2011-01-28 2012-08-02 住友ベークライト株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5721519B2 (ja) * 2011-04-25 2015-05-20 エア・ウォーター株式会社 フェノール系重合体、その製法およびその用途
JP6182999B2 (ja) * 2013-06-25 2017-08-23 日油株式会社 カラーフィルター保護膜用熱硬化性樹脂組成物、及びその硬化膜を備えるカラーフィルター
CN103531693B (zh) * 2013-09-29 2016-10-05 杭州杭科光电股份有限公司 一种大发光角度的cob面光源的制备方法
US9780061B2 (en) * 2014-05-26 2017-10-03 Infineon Technologies Ag Molded chip package and method of manufacturing the same
JP6989486B2 (ja) * 2016-02-25 2022-01-05 昭和電工マテリアルズ株式会社 エポキシ樹脂成形材料、成形物、成形硬化物、及び成形硬化物の製造方法
JP6907773B2 (ja) * 2016-09-05 2021-07-21 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP6993158B2 (ja) * 2016-09-30 2022-01-13 明和化成株式会社 フェノール樹脂組成物、硬化剤、エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置
JP2018119032A (ja) * 2017-01-23 2018-08-02 株式会社ダイセル 光反射用硬化性樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
JP7146643B2 (ja) * 2017-01-23 2022-10-04 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP6929069B2 (ja) * 2017-01-23 2021-09-01 株式会社ダイセル 光反射用硬化性樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
KR20190104063A (ko) * 2017-01-23 2019-09-05 주식회사 다이셀 광반사용 경화성 수지 조성물 및 그의 경화물, 그리고 광반도체 장치
JP7322368B2 (ja) * 2018-09-14 2023-08-08 株式会社レゾナック 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050267286A1 (en) * 2003-10-20 2005-12-01 Shinya Nakamura Curing accelerator for curing resin, curing resin composition, electronic component device and method for producing phosphine derivative
TW200605374A (en) * 2004-05-27 2006-02-01 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
TWI422637B (zh) * 2008-08-01 2014-01-11 Sumitomo Bakelite Co 半導體密封用樹脂組成物及使用其之半導體裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214391A (en) * 1975-07-24 1977-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for production of light-emitting diode
JPS537795A (en) * 1976-07-09 1978-01-24 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Preparatin of resins having high softening point
JPS61145255A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Chem Co Ltd 安定化された合成樹脂組成物
JP3010110B2 (ja) 1993-11-04 2000-02-14 日東電工株式会社 半導体装置
JP3033445B2 (ja) 1994-07-05 2000-04-17 信越化学工業株式会社 樹脂用無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物
JPH10279669A (ja) * 1997-04-08 1998-10-20 Sumitomo Durez Co Ltd エポキシ樹脂硬化剤
JP2964237B2 (ja) * 1998-02-18 1999-10-18 山崎産業株式会社 敷物及びその敷物の製造法
JP3755629B2 (ja) * 1998-03-11 2006-03-15 エア・ウォーター・ケミカル株式会社 フェノールアラルキル樹脂の製造方法
KR20010100875A (ko) 2000-04-06 2001-11-14 가마이 고로 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치
JP4244777B2 (ja) * 2002-10-18 2009-03-25 日立化成工業株式会社 硬化性樹脂の硬化促進剤、硬化性樹脂組成物、電子部品装置、及びホスフィン誘導体の製造方法
US7157313B2 (en) 2003-01-17 2007-01-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof
JP5268404B2 (ja) * 2008-03-28 2013-08-21 エア・ウォーター株式会社 フェノール系重合体、その製法およびその用途

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050267286A1 (en) * 2003-10-20 2005-12-01 Shinya Nakamura Curing accelerator for curing resin, curing resin composition, electronic component device and method for producing phosphine derivative
TW200605374A (en) * 2004-05-27 2006-02-01 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
TWI422637B (zh) * 2008-08-01 2014-01-11 Sumitomo Bakelite Co 半導體密封用樹脂組成物及使用其之半導體裝置

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Publication number Publication date
SG10201402583TA (en) 2014-10-30
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