KR20010100875A - 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치 - Google Patents

반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010100875A
KR20010100875A KR1020010018347A KR20010018347A KR20010100875A KR 20010100875 A KR20010100875 A KR 20010100875A KR 1020010018347 A KR1020010018347 A KR 1020010018347A KR 20010018347 A KR20010018347 A KR 20010018347A KR 20010100875 A KR20010100875 A KR 20010100875A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
epoxy
inorganic filler
particle size
Prior art date
Application number
KR1020010018347A
Other languages
English (en)
Inventor
이가라시카즈마사
Original Assignee
가마이 고로
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가마이 고로, 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 가마이 고로
Publication of KR20010100875A publication Critical patent/KR20010100875A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/40—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

필수 성분으로서 (A) 에폭시 수지; (B) 페놀성 수지; (C) 경화 촉진제; 및 (D) 4 내지 100 μm 의 평균 입자 크기 및 1.5 μm 이상의 평균 쉘 두께를 갖는 공동 (hollow) 무기 충전재를 포함하는 반도체 장치 캡슐화용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 성분 (A) 및 성분 (B) 의 양이 X 및 Y(X+Y) [식 중, X 는 에폭시 수지 (A) 의 에폭시 당량이고, Y 는 페놀성 수지 (B) 의 히드록실기 당량임] 의 총량이 350 이상이도록 조절되는 에폭시 수지 조성물; 및 에폭시 수지 조성물로 캡슐화된 반도체 요소를 포함하는 반도체 장치.

Description

반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 에폭시 수지가 현저하게 감소된 비유전상수를 갖는 반도체 캡슐화용 저유전상수 에폭시 수지 조성물 및 반도체 원소가 상기 에폭시 수지 조성물을 사용하여 수지-캡슐화되는 반도체 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체 요소, 예를 들어 트랜지스터, IC 또는 LSI 및 캡슐화 재료, 예를 들어 에폭시 수지 조성물을 포함하며, 반도체 요소가 이송 성형에 의해 캡슐화 물질을 성형함으로써 캡슐화되는 수지-캡슐화형 반도체 장치가, 수지-캡슐화형 반도체 장치의 신뢰도, 대량생산성 및 저비용의 이유로, 세라믹-캡슐형 반도체 장치와 더불어 널리 사용되어 왔다.
그러나, 최근, 마이크로프로세서 등의 반도체 요소의 고기능화 및 고성능성이 고안되고 있다. 그러한 고안품을 사용하면, 작업 주파수가 월등히 증가하는 경향이 있다. 또한, 정보 통신과 관계된 분야에서는, 휴대용 전화기 및 PHS 와 같은 최소화된 전자 장치에서 기가-헤르츠에 가까운 주파수대가 사용되었고, 2-디지트 기가-헤르츠대를 사용하는 통신 발달이 널리 진척되어 왔다.
반도체 장치에서의 고주파수 발달 경향과 함께, 최근 탁월한 고주파수 특성을 갖는 세라믹-캡슐형 반도체 장치가, 높은 신뢰도를 요구하는 다수의 반도체 장치에서 사용되어 왔다. 그러나 한편으로, 현재의 프로젝트는 대량생산성 및 상기 언급한 각종 신뢰성에서 탁월한 저비용의 수지-캡슐형 반도체 장치를 사용하는 것이다. 그러므로, 수지-캡슐형 반도체 장치에서 사용되기 위한, 저압력 이송 성형을 위한 저유전상수를 갖는 에폭시 수지 조성물의 발달이 요구된다.
또한, 저유전상수를 갖는 실리콘 수지를 사용하여 반도체를 수지-캡슐화하는 방법; 외부층에는 통상적인 에폭시 수지를 사용하고, 내부 층에는 반도체 요소를 저유전 상수 수지를 사용하여 성형하는, 이중 성형 기술을 사용하는 방법 (일본 특허 공개 소 61-237455); 유리 공동 (hollow) 스피어와 같은 공동 무기 충전재를 사용하는 방법 (일본 특허 공개 평 5-283561) 등이 제안되었다. 그러나, 캡슐화 수지의 유전상수를 저하시키는데는 한계가 있다. 반도체 요소의 고주파수 발달 경향에서의 현재 증가하고 있는 진보와 함께, 유전상수의 바람직한 저하는 아직 성취될 수 없다.
또한, 반도체 요소를 수지-캡슐화하는데 사용되는, 저압력 이송 성형용 공동 무기 충전재를 사용한 에폭시 수지 조성물로서, 일본 특허 공개 소 62-161851 은 그의 내부에 빈 공간을 갖는 실리카가 무기 충전재의 전부 또는 일부로서 사용되는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 공보는 경화품의 유전특성에 대해서는 언급하지 않는다. 한편, 일본 특허 공개 평 5-9270은 조성물이 저유전상수를 갖고, 공동 무기 중전재가 무기 충전재의 30 내지 100 중량% 를 이루는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 공동 구조는 각종 첨가 성분의 용융-분산 또는 혼련시 적용되는 전단력에 의해 파쇄되기 때문에, 생산성의 관점에서 모든 원료가 동시에 혼련될 수 없다는 단점이 있다. 또한, 일본 특허 공개 평 5-206325 는 수지 조성물의 경화품의 유전상수가 1 MHz 내지 50 MHz 의 주파수대 및 50 ℃ 에서 3.5 미만인, 기체 함유 충전재를 사용한 반도체 캡슐화용 수지 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 공보에서 개시된 수지 조성물은 최근 발달하는 좁은-피치 (pitched) 와이어 구조를 갖는 반도체를 알맞게 캡슐화하는 충전재-함유 수지 조성물이라고 말할 수 없다.
따라서, 고주파수 반도체 요소 개발을 진전시키는 관점에서, 본 발명의 목적은 고주파수 개발 경향의 요구를 따르면서 더욱 감소된 비유전상수를 갖고, 좁은-피치 와이어 구조를 갖는 일련의 반도체에 알맞으며, 탁월한 생산성을 갖는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 에폭시 수지 조성물을 사용함으로써 수지-캡슐화 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적은 하기 기재된 것으로부터 명백해질 것이다.
발명의 요약
본 발명의 첫번째 구현예는 하기 필수 성분을 포함하는 반도체 장치 캡슐화용 에폭시 수지 조성물에 관계된 것이다:
(A) 에폭시 수지;
(B) 페놀성 수지;
(C) 경화 촉진제; 및
(D) 4 내지 100 μm 의 평균 입자 크기 및 1.5 μm 이상의 평균 쉘 두께를 갖는 공동 무기 충전재,
여기서, 성분 (A) 및 성분 (B) 의 양은 X 및 Y(X+Y) [식 중, X 는 에폭시 수지 (A) 의 에폭시 당량이고, Y 는 페놀성 수지 (B) 의 히드록실기 당량임] 의 총 양이 350 이상이도록 조절됨.
본 발명의 두번째 구현예는 상기 기재된 에폭시 수지 조성물로 캡슐화된 반도체 요소를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
상기 목적을 성취하는 관점에서 예의 연구한 결과, 본 발명자들은 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 유기 성분인, 에폭시 수지 및 페놀성 수지에 주목하였고, 상기 성분의 반응 후 형성되는 생성물의 2 차 히드록실기의 농도 감소가 유전상수의 저하, 즉 에폭시 수지의 에폭시 당량 및 페놀성 수지의 히드록실 당량의 총량을 특정 값 이상으로 조절하는데 효과적이라는 것을 발견해냈다. 또한, 본 발명자들은 유기 성분에서의 상기 조절 외에도, 공동 무기 충전재가 상기 언급된 에폭시 수지 조성물의 유기 성분과 함께 무기 충전재로서 사용되기 때문에, 에폭시 수지 조성물의 비유전상수가 더욱 감소될 수 있다는 것을 발견해냈다. 상기 비유전상수는 반도체 요소의 고주파수 경향의 발달에 부응하는 것이다.
또한, 예를 들어 공동 실리카 기구 (balloon), 공동 Shirasu 기구, 공동 유리 기구, 또는 규소 산화물 및 알루미늄 산화물을 포함하는 공동 스피어, 및 각종 다른 세라믹을 포함하는 공동 물질이 기체 (공기)-함유 공동 무기 충전재로서 통상적인 에폭시 수지 조성물 제조를 위한 통상적인 방법에 제공될 경우, 강한 전단력이 혼련기, 가열 로울러 등에 의해 적용되는 가열 및 혼련-분산 과정에서 공동 물질이 파쇄되기 쉽다. 그러므로, 상기 언급된 가열 및 혼련-분산 과정을 견디기에 충분히 강한 쉘 강도를 갖는 공동 무기 충전재를 사용할 필요가 있다.
또한, 반도체 요소가 와이어 결합법에 따라 80 내지 100 μm 의 좁은-피치 와이어링과 함께 제공되는데, 이는 최근의 유행하는 반도체 요소의 전자 와이어링의 전형적인 예이다. 그러므로, 본 발명자들은 에폭시 수지 조성물에 사용되는 무기 충전재의 입자 크기가, 최대 입자 크기가 와이어링을 방해하지 않기 위하여 더욱 더 작게 제조되도록 조절되어야 한다는 것을 발견하였다.
또한, 반도체 패키지가 점점 얇고 소형화되어, 패키지를 캡슐화하는 저압력 이송 성형용 에폭시 수지 조성물의 용융 점도의 점도를 더욱 저하시키도록 하였다. 따라서, 일찍이 무기 충전재를 구형화하여 점도를 저하시키도록 하였다.
구체적으로는, 상기 발견을 기초로 예의 연구한 결과, 본 발명자들은 에폭시 수지의 에폭시 당량 및 페놀성 수지의 히드록실 당양의 총량을 특정 값 이상으로 조절할 경우, 반응 후 형성되는 생성물의 2 차 히드록실기의 농도가 감소함으로써, 유전상수 저하에 효과적이게 하고, 특성 비평균 입자 크기 및 특정 쉘 두께를 갖는 공동 무기 충전재 (D) 가 또한 사용될 경우, 심지어 강한 전단력이 원료 제조 과정동안 적용되는 경우에도 상기 언급한 공동 무기 충전재를 파쇄하지 않고도 유전상수를 더욱 저하시킬 수 있다는 것을 발견해냈다.
그러므로, 에폭시 수지 (A) 로서 화학식 1 로 나타내는 특정 에폭시 수지를 페놀성 수지 (B) 로서 화학식 2 로 나타내는 특정 페놀성 수지와 함께 사용하는데 있어서, 에폭시 당량 및 히드록실기 당량의 총량을 높게 하여 에폭시 수지 조성물의 생성된 경화품의 비유전상수가 더더욱 감소되도록 하는 것이 바람직하다.
특히, 공동 무기 충전재로서 공동 유리 기구를 사용하는 것이 바람직한데, 이는 유전상수를 저하시킬 수 있고, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 성형시킴으로써 수득한 반도체 장치의 중량을 감소시킬 수 있는 효과가 나타나기 때문이다.
본 발명의 상세한 설명
다음으로, 본 발명의 구현예가 하기에서 상세하게 기재될 것이다.
본 발명의 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 (이하에서 간단히 "에폭시 수지 주성물" 로서 언급됨) 은 에폭시 수지 [성분 (A)], 페놀성 수지 [성분 (B)], 경화 촉진제 [성분 (C)], 및 비공동무기 충전재 [성분 (D)] 로부터 수득되고, 에폭시 수지 조성물은 통상적으로는 분말 형태이거나 정제로 정제화된다. 별법으로, 에폭시 수지 조성물이 용융-혼련된 후, 조성물을 대략의 실린더형의 과립 형태로 성형한다.
에폭시 수지 [성분 (A)] 로서, 하기 언급된 에폭시 수지의 에폭시 당량 및 페놀성 수지의 히드록실기 당량의 총량이 특정값 이상이고, 에폭시 수지가 실온 (25 ℃) 에서 고체인 이상, 임의의 통상적으로 공지된 각종 에폭시 수지가 특정 제한없이 사용될 수 있다. 에폭시 수지는, 예를 들어 비페닐 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등을 포함한다. 상기 에폭시 수지는 단독으로 또는 2 종류 이상을 배합하여 사용할 수 있다. 에폭시 수지의 구체적인 예는 하기 화학식으로 나타내는 에폭시 수지를 포함한다:
[식 중, n 은 0 또는 양수임];
[식 중, n 은 0 또는 양의 정수임];
; 및
[식 중, n 은 0 또는 양수임].
페놀성 수지 [성분 (B)] 는 에폭시 수지 [성분 (A)] 의 경화제로서 작용하는 임의의 것일 수 있고, 상기 언급된 에폭시 수지의 에폭시 당량 및 페놀성 수지의 히드록실기 당량의 총량이 특정 값 이상인 한 임의의 페놀성 수지가 사용될 수 있다. 페놀성 수지는, 예를 들어 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락, 비스페놀 A 노볼락, 나프톨 노볼락, 페놀 아르알킬 노볼락 등을 포함한다. 상기 페놀성 수지는 단독으로 또는 2 종 이상을 배합하여 사용할 수 있다. 페놀성 수지의 구체적인 예는 하기 화학식으로 나타내는 것을 포함한다:
[식 중, m 은 0 또는 양수임];
[식 중, m 은 0 또는 양수임];
[식 중, m 은 0 또는 양수임]; 및
[식 중, m 은 0 또는 양의 정수임].
에폭시 수지 [성분 (A)] 와 페놀성 수지 [성분 (B)] 의 비가 페놀성 수지의 히드록실기 당량이, 에폭시 수지의 에폭시기 1 당량 당 0.5 내지 1.6, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.2 의 범위 안에 있도록 조절되는 것이 바람직하다.
다음으로, 성분 (A) 및 성분 (B) 와 함께 사용되는 경화 촉진제 [성분 (C)] 는 특별히 한정되지 않고, 임의의 통상적으로 공지된 것이 사용될 수 있다. 그의 구체적인 예는 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7; 3 차 아민, 예를 들어 트리에틸렌디아민; 이미다졸, 예를 들어 2-메틸이미다졸; 인-함유 경화 촉진제, 예를 들어 트리페닐포스핀 및 테트라페닐포스포늄 테트라페닐 보레이트 등을 포함한다. 상기 경화 촉진제는 단독으로 또는 2 종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
경화 촉진제 [성분 (C)] 의 함량은 페놀성 수지 [성분 (B)] 100 질량부에 기재하여 0.5 내지 10 질량부로 조절되는 것이 바람직하다.
성분 (A) 내지 (C) 와 함께 사용되는 특정 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 로서, 평균 입자 크기가 4 내지 100 μm 이고, 공동 무기 충전재를 구성하는 쉘의 두께가 1.5 μm 이상인 공동 무기 충전재가 요구조건을 만족시킨다. 최대 입자 크기가 150 μm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 평균 입자 크기가 10 내지 70 μm 이고, 공동 무기 충전재를 구성하는 쉘의 두께가 1.5 내지 4 μm 이하이고, 최대 입자 크기가 110 μm 이하인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 평균 입자 크기가 4 μm 미만인 경우, 공동 입자에 함유된 기체 (공기) 함량이 낮아지고, 유전 상수를 바람직한 수준으로 저하시킬 수 없다. 또한, 평균 입자 크기가 100 μm 를 초과하는 경우, 반도체 요소의 전기 와이어링에 장애가 생긴다. 또한, 쉘의 두께가 1.5 μm 미만인 경우, 강력한 전단력이 혼련기 및 가열 로울러를 사용하여 적용되는 가열 및 혼련-분산 과정에서, 공동 입자의 힘이 부족하여 파쇄될 수 있다. 또한, 최대 입자 크기가 150 μm 를 초과하는 경우, 반도체 요소의 전기 와이어링에 장애가 있을 수 있다.
상기 정의된 공동 무기 충전재는, 예를 들어 공동 실리카 기구, 공동 Shirasu 기구, 공동 유리 기구, 규소 산화물 및 알루미늄 산화물을 포함하는 조성물로 구성된 공동 스피어, 공동 물질, 예를 들어 각종 세라믹 등을 포함한다. 그 중에서, 공동 유리 기구가 쉘의 강력성의 관점에서 바람직하게 사용된다. 더욱 바람직하게는, 평균 입자 크기가 30 내지 60 μm 이고, 최대 입자 크기가 110 μm 이하이고, 쉘의 평균 두께가 2 내지 4 μm 이고, 진밀도가 0.70 내지 0.80 g/㎝3인공동 유리 기구가, 6864 N/㎝3의 정수압이 가해질 경우 10 % 미만이 파쇄되도록 하는 고-압축력을 갖는다. 또한, 공동 무기 충전재 입자의 표면이 하기 기재된 실란 커플링제로 예비 코팅될 경우, 상기 기재된 페놀성 수지 및 에폭시 수지와 같은 유기 성분 및 무기 충전재의 경계면에서의 점착이 개선되기 때문에 바람직하며, 이로 인해, 습기가 흡수될 경우, 유전 특성을 바람직하게 안정화시킨다.
본 발명에서, 통상적인 각종 무기 충전재가 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 와 함께 사용될 수 있다. 통상적인 무기 충전재는, 예를 들어 실리카 분말, 예를 들어 융합 실리카, 알루미나, 규소 질화물, 알루미늄 질화물, 붕소 질화물, 마그네시아, 칼슘 실리케이트, 수산화마그네슘, 백색 티타늄 등을 포함한다. 무기 충전재 중에서, 구형 실리카 분말, 분쇄 실리카 분말, 분쇄성 실리카 분말 등이 바람직하게 사용된다. 무기 충전재로서, 100 μm 미만의 최대 입자 크기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 정의된 최대 입자 크기 외에도, 1 내지 20 μm 의 평균 입자 크기를 갖는 것이 바람직하다. 그러므로, 통상적인 무기 충전재가 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 와 함께 사용될 경우, 통상적인 무기 충전재의 제형율을 전체 충전재 (공동 무기 충전재 및 통상적인 무기 충전재 모두) 의 30 질량% 이하로 조절하는 것이 바람직하다. 이는 통상적인 무기 충전재의 제형비가 30 질량% 를 초과할 경우, 유전 상수를 바람직한 수준으로 저하시키는 것이 어렵기 때문이다.
여기서, 통상적인 무기 충전재 및 공동 무기 충전재의 평균 입자 크기 및 최대 입자 크기를, 예를 들어 레이저 회절 산란형 입자 크기 분포 분석기를 사용하여측정할 수 있다. 또한, 공동 무기 충전재의 쉘 두께를 예를 들어 의도적으로 파쇄시킨 샘플을 전자 현미경으로 관찰하여 측정할 수 있다.
공동 무기 충전재 [성분 (D)] 의 함량 비율 (또는 공동 무기 충전재가 통상적인 무기 충전재와 함께 사용되는 경우, 통상적인 무기 충전재 및 공동 무기 충전재의 총 함량 비율) 은 전체 에폭시 수지 조성물의 40 내지 70 질량 %, 더욱 바람직하게는 40 내지 60 질량 % 의 범위로 조절된다. 구체적으로는, 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 의 함량 비율이 40 질량% 미만인 경우, 유전상수를 바람직한 수준으로 저하시키기 어렵다. 또한, 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 의 함량 비율이 70 질량 % 를 초과할 경우, 에폭시 수지 조성물의 용융 점도가 현저하게 높아지고 유동성이 저하됨으로써 저압 이송 성형에 의하여 에폭시 수지 조성물을 성형하는 것이 어렵게 된다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에서, 에폭시 수지 [성분 (A)], 페놀성 수지 [성분 (B)], 경화 촉진제 [성분 (C)], 공동 무기 충전재 [성분 (D)], 및 통상적인 무기 충전재 외에, 적절한 양의 성형-방출제, 유연성 부여제, 염료, 방염제 및 커플링제로서 각종 보조제가 임의로 첨가될 수 있다.
성형-방출제는 폴리에틸렌 왁스, 카르나우바 왁스, 지방산염 등을 포함한다.
유연성 부여제는 실리콘 화합물, 예를 들어 측쇄 에틸렌 글리콜형 디메틸 실록산; 아크릴로니트릴-부타디엔 고무; 등을 포함한다.
염료는 카본 블랙, 티타늄 산화물 등을 포함한다.
방염제는 할로겐-기재 방염제, 예를 들어 브롬화 에폭시 수지를 포함하고,이는 안티모니 삼산화물과 같은 방염 보조제와 함께 사용된다.
또한, 상기 언급한 할로겐-기재 방염제 이외의 방염제로서, 하기 화학식 9 로 나타내는 다면형의 복합 금속 수산화물이 사용될 수 있다:
M1-XQX(OH)2
[식 중, M 은 Mg, Ca, Sn 및 Ti 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 원자이고; Q 는 Mn, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 원자이고; X 는 0.01 내지 0.5 의 양수임].
상기 복합 금속 수산화물은 다면형의 결정 구조이다. 통상적인 육면형, 또는 결정 구조의 인상 형태와 같은 얇은 두께를 갖는 평면 형태가 아니다. 그보다는, 길이와 너비 방향 및 두께 방향 (c-축 방향) 에 있어서 결정이 크게 성장한 복합 금속 수산화물을 이르는데, 예를 들어 두께 방향 (c-축 방향) 에서 평면 결정의 결정 성장에 의해 입체 및 구형을 닮은 과립 결정 형태, 대략의 12 면체, 대략의 8 면체, 대략의 4 면체 등을 포함하는 과립 결정형태를 갖는 것을 포함한다.
예를 들어, 길이와 너비 방향 및 두께 방향 (c-축 방향) 에서 결정이 크게 성장한 복합 급속 수산화물, 및 대략 12 면체, 대략 8 면체, 대략 4 면체 등의 형태인 바람직한 다면 결정형이, 복합 금속 수산화물의 제조 방법에 있어서의 각종 조건을 조절함으로써 수득될 수 있으며, 통상적으로 각종형태의 혼합물일 수 있다.
상기 언급한 다면형의 복합 금속 수산화물의 구체적인 대표예는 마그네슘 산화물 및 니켈 산화물의 수화물, 마그네슘 산화물 및 아연 산화물의 수화물, 마그네슘 산화물 및 구리 산화물의 수화물 등을 포함한다.
또한, 다면 형태인 복합 금속 수산화물은 레이저 회절 입자 크기 분석기로 측정하여, 하기 입자 크기 분포 (α) 내지 (γ)를 갖는다:
(α) 1.3 μm 미만의 입자 크기를 갖는 10 내지 35 질량 %;
(β) 1.3 μm 이상 2.0 μm 미만의 입자 크기를 갖는 50 내지 65 질량 %; 및
(γ) 2.0 μm 이상의 입자 크기를 갖는 10 내지 30 질량 %.
또한, 다면 형태를 갖는 복합 금속 수산화물은 1 내지 8, 더욱 바람직하게는 1 내지 7, 더욱 바람직하게는 1 내지 4 의 측면 비를 갖는다. 본원에서 언급되는 측면비는 복합 금속 수산화물의 너비에 대한 길이비로 나타낸다. 측면비가 8 을 초과하는 경우에는, 복합 금속 수산화물을 포함하는 에폭시 수지 조성물이 용융될 경우 점도 감소에 대한 효과가 불량해진다. 복합 금속 수산화물이 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 구성 성분으로서 사용되는 경우, 일반적으로 1 내지 4 의 측면비를 갖는 것이 사용될 수 있다.
커플링제는 실란 커플링제, 예를 들어 γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡시실란 등을 포함한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지 및 페놀성 수지가, X 및 Y(X+Y) [식 중, X 는 에폭시 수지 (A) 의 에폭시 당량이고, Y 는 페놀성 수지 (B) 의 히드록실기 당량임] 의 총량이 350 이상이 되도록 배합되어 사용된다. 특히, 총량 (X+Y) 가 400 이상인 배합이 바람직하다. 또한, 총량 (X+Y) 의 상한은2000 정도이다. 구체적으로는, 총량 (X+Y) 가 350 미만인 경우, 생성되는 에폭시 수지 조성물의 경화품의 유전 상수를 만족스럽게 감소시키는 효과를 얻을 수 없다. 에폭시 수지 [성분 (A)] 및 페놀성 수지 [성분 (B)] 의 배합에 관해서는, 상기 화학식 1 로 나타내는 에폭시 수지 및 상기 화학식 2 로 나타내는 페놀성 수지를 배합하여 사용하는 것이, 에폭시 당량 및 히드록실기 당량의 특히 높은 총 양을 얻을 수 있고, 그럼으로써 유전상수를 만족스럽게 감소시킬 수 있다는 관점에서 바람직하다. 또한, 2 개 이상의 수지가 에폭시 수지 (A) 와 배합되어 사용되는 경우, 상기 복수의 에폭시 수지의 에폭시 당량의 평균 질량이 에폭시 당량 X 로서 정의된다. 2 개 이상의 수지가 페놀성 수지 (B) 와 배합되어 사용되는 경우, 상기 복수의 페놀성 수지의 히드록실기 당량의 평균 질량은 히드록실기 당량 Y 로서 정의된다. 상기 에폭시 당량 및 히드록실기 당량 각각은 g/eq 로 표현된다. 본 발명에서, 상기 정의된 에폭시 당량 X 및 히드록실기 당량 Y 의 총량 (X+Y) 는 브롬화 에폭시 수지와 같은 방염제로서 사용되는 에폭시 수지의 에폭시 당량을 포함하지 않는다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 예를 들어 하기와 같이 제조될 수 있다. 구체적으로는, 바람직한 에폭시 수지 조성물이 에폭시 수지 [성분 (A)], 페놀성 수지 [성분 (B)], 경화 촉진제 [성분 (C)], 공동 무기 촉진제 [성분 (D)], 및 각종 보조제, 예를 들어 소정량의 성형-방출제를 첨가하고, 가열 로울러 및 압출기-혼련기를 사용하여 용융-분산하여 성분을 충분히 혼합하고, 혼합물을 냉각시키고, 혼합물을 분쇄하고, 임의로 혼합물을 정제 형태로 압축-성형하는 것을 포함하는 일련의단계로 제조될 수 있다.
또한, 상기 언급한 바와 같이, 에폭시 수지 조성물이, 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 를 실란 커플링제와 예비 혼합함으로써 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 의 표면에 실란 커플링제를 표면 코팅시킨 후, 상기 기재된 단계 실행을 위한 잔류 성분들을 첨가함으로써 제조될 수 있다. 상기 기재한 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 의 표면을 예비 표면-코팅하여 공동 무기 충전재 및 유기 성분의 경계면 점착을 개선시킴으로써 캡슐화된 수지 (경화품) 가 습기를 흡수할 경우 유전상수를 안정화시킬 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 상기 기재된 에폭시 수지 조성물로 캡슐화된 반도체 요소를 포함한다. 여기서, 캡슐화는 특히 한정되지 않고, 저압력 이송 성형과 같은 통상적으로 공지된 성형 방법으로 실행될 수 있다.
상기 기재된 바와 같이 수득된 반도체 장치는 탁월한 고주파수 특성을 갖는다. 이는 반도체 장치용 캡슐화 수지 조성물로서 사용되는 에폭시 수지 조성물이, 히드록실기 당량 및 에폭시 수지의 에폭시 당량의 총량이 측정 값 이상이고 기체 (공기)-함유 공동 무기 충전재가 특정량으로 포함되도록 배합 사용되는 페놀성 수지 및 에폭시 수지를 포함하여, 생성되는 에폭시 수지 조성물이 현저하게 저하된 비유전상수를 갖는 저유전상수를 갖게 되기 때문이다. 특히, 고주파수 반도체 요소 경향과 함께, 본 발명의 에폭시 수지 조성물로 캡슐화되는 반도체 장치는 리드 핀 (lead pin) 간의 적은 상말단 용량을 가져서, 고주파수 시그날 전달시 손실이 감소될 수 있다.
실시예
이제, 이하에서 실시예가 비교예와 함께 기재된다.
먼저, 실시예 실행에 앞서, 각각의 하기 성분을 제조하였다.
[에폭시 수지 1a]
하기 화학식 1a 로 나타내는 에폭시 수지 (에폭시 당량: 195 g/eq., 연화점: 74 ℃):
[에폭시 수지 1b]
하기 화학식 1b 로 나타내는 에폭시 수지 (에폭시 당량: 192 g/eq., 연화점: 107 ℃):
[에폭시 수지 1c]
하기 화학식 1c 로 나타내는 에폭시 수지 (에폭시 당량: 273 g/eq., 연화점: 61 ℃):
[에폭시 수지 1d]
하기 화학식 1d 로 나타내는 에폭시 수지 (에폭시 당량: 290 g/eq., 연화점: 95 ℃):
[페놀성 수지 2a]
하기 화학식 2a 로 나타내는 페놀성 수지 (히드록실기 당량: 106 g/eq., 연화점: 82 ℃):
[페놀성 수지 2b]
하기 화학식 2b 로 나타내는 페놀성 수지 (히드록실기 당량: 162 g/eq., 연화점: 60 ℃):
[페놀성 수지 2c]
하기 화학식 2c 로 나타내는 페놀성 수지 (히드록실기 당량: 170 g/eq., 연화점: 70 ℃):
[페놀성 수지 2d]
하기 화학식 2d 로 나타내는 페놀성 수지 (히드록실기 당량: 208 g/eq., 연화점: 69 ℃):
[경화 촉진제]
테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트
[공동 무기 충전재 a]
공동 유리 기구 (보로실리케이트 유리로 제조함, 평균 입자 크기: 40 μm, 최대 입자 크기: 110 μm, 평균 쉘 두께: 2 μm, 진밀도: 0.75 g/㎝3, 파쇄율: 6864 N/㎝3의 정수압으로 가압할 경우 6 %)
[공동 무기 충전재 b]
공동 유리 기구 (보로실리케이트 유리로 제조함, 평균 입자 크기: 40 μm, 최대 입자 크기: 80 μm, 평균 쉘 두께: 1 μm, 진밀도: 0.39 g/㎝3, 파쇄율: 2451 N/㎝3의 정수압으로 가압할 경우 6 %)
[실리카 분말 a]
구형 융합 실리카 분말 (평균 입자 크기: 0.5 μm, 최대 입자 크기: 1 μm)
[실리카 분말 b]
구형 융합 실리카 분말 (평균 입자 크기: 15 μm, 최대 입자 크기: 96 μm)
[성형-방출제]
폴리에틸렌 왁스
[방염제]
브롬화 페놀 노볼락형 에폭시 수지 (에폭시 당량: 280 g/eq.)
[방염 보조제]
삼산화 안티몬
[염료]
카본 블랙
[실란 커플링제]
β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡시실란
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4
표 1 또는 2 에 나타낸 원료 각각을 표에 나타낸 비율로 동시에 첨가하고, 혼합물을 가열 로울러를 사용하여 95 ℃ 로 충분한 시간 동안 가열한 후 (가열 로울러에 의한 혼련 시간을 표 1 및 2 에 나타냄), 냉각시켰다. 그 후, 생성물을 분쇄하여 10 메쉬-패스 분말 에폭시 수지 조성물을 수득하였다.
상기 기재된 실시예 및 비교예에서 수득한 각각의 분말 에폭시 수지 조성물을 하기 기재된 방법에 따라 비유전상수, 유리 전이 온도 및 내습 신뢰도에 대하여 평가하였다. 결과를 표 3 및 4 에 나타내었다.
[비유전상수의 측정]
각각의 분말 에폭시 수지 조성물을 6.9 MPa 의 성형압, 175 ℃ 의 성형 온도, 및 2 분간의 성형 시간의 조건 하에서 이송 성형한 후, 성형품을 175 ℃ 에서 5 시간 동안 후경화하여 3 mm 의 두께 및 50 mm 의 직경을 갖는 디스ㅡ형 경화품을 제조하였다. 그 후, 30 mm 직경의 주 전극, 32 mm 직경의 가드 (guard) 전극, 및 45 mm 직경의 반대 전극을 포함하는 은 전극을 은 페이스트로부터 제조하였다. 그 후, 경화품의 콘덴서를 1 MHz 의 주파수 및 25 ℃ 의 온도 조건에서 측정하고, 비유전상수를 하기 식으로부터 계산하였다:
[식 중, ε는 비유전상수이고; εo는 진공 (공기) 유전상수 [=0.0885 (pF/cm)] 이고; r 은 주 전극의 반지름 (cm) 이고; t 는 테스트편의 두께 (㎝) 이고; CX는 테스트편의 콘덴서 (pF) 임].
[유리 전이 온도]
분말 에폭시 수지 조성물 각각을 상기와 동일한 조건 하에서 이송 성형하여 길이 20 mm, 너비 3 mm, 및 두께 3 mm 의 경화품을 제조하고, 경화품을 175 ℃ 에서 5 시간 동안 후-경화시켰다. 생성품의 유리 전이 온도 (Tg) 를 5 ℃/분 의 가열율로 열기계 분석기 (Rigaku 로부터 상업적으로 입수가능한 TMA 장치, 모델 번호 MG800GM) 를 사용하여 측정하였다.
[내습성 신뢰도]
각각의 분말 에폭시 수지 조성물을 상기와 동일한 조건 하에서 이송 성형하여 42-Alloy 로 제조된 16-핀-DIP (이중 인-라인 패키지) 납 프레임에서 성형하고, 이를 금 와이어와 결합된 알루미늄 와이어의 부식의 평가용 요소로 설정하였다. 성형품을 175 ℃ 에서 5 시간 동안 후-경화시켜서 반도체 장치를 제조하였다. 생성된 반도체 장치를 121 ℃ 및 202.6 kPa 의 조건 하에서 압력 요리기구 테스트 (PCT 테스트) 하여 전기 전도성이 측정되지 않는 (전기 끊김) 시간을 측정하였다.
표 3 및 4 에 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 모든 실시예가 심지어 용융-혼련 과정 후에도 낮은 비유전상수를 나타내고, 내습성 신뢰도에서 탁월하였다. 특히 에폭시 당량 및 히드록실기 당량의 총 양이 400 이상인 실시예 1, 6 및 7 에서, 비유전상수의 감소 효과가 탁월하였다. 또한, 유리 전이 온도에 관하여, 본 발명의 실시예의 에폭시 수지 조성물의 경화품은 철저히 악화된 값을 갖지 않는다.
한편, 비교예 1 에서, 공동 유리 기구가 용융-혼련 동안 파쇄되는데, 이는 비유전상수가 높고 평균 쉘 두께가 얇고, 심지어 유리 전이 온도가 높음에도 불구하고 내습성 신뢰도가 높기 때문이다. 비교예 2 는 높은 비유전상수를 가져서, 공동 유리 기구 첨가 효과가 실시예 1 과 비교하여 나타난다. 비교예 3 및 4 각각은 350 미만의 에폭시 당량 및 히드록실기 당량의 총량을 가져서, 고비유전상수가 높다. 그러므로, 상기 비교예와 비교하여, 본 발명의 실시예는 히드록실기 농도가 감소하는 에폭시 수지 조성물의 유기 성분의 효과를 나타낸다.
상기 기재된 바와 같이, 본 발명은 에폭시 수지의 에폭시 당량 및 페놀성 수지의 히드록실기 당량의 총량이 특정 값 이상으로 조절되는, 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 제공하고, 본 조성물은 또한 특정 평균 입자 크기 및 특정 평균 쉘 두께를 갖는 공동 무기 충전재 [성분 (D)] 를 포함한다. 상기 에폭시 수지 조성물은 비유전상수가 현저하게 감소된 저유전상수, 및 공동 무기 충전재가 에폭시 수지 조성물의 제조 과정에서 다른 원료와 함께 용융-혼련되고 첨가되는 경우에도 공동 구조를 파쇄시키지 않는 탁월한 생산성을 갖는 이점이 있다. 따라서, 상기 에폭시 수지 조성물의 수지-캡슐화로부터 제조되는 반도체 장치는 고주파수 발달 경향에 부응하는 탁월한 고-파장 특정을 갖는다.
또한, 에폭시 수지로서 화학식 1 로 나타내는 특정 에폭시 수지 및 페놀성 수지로서 화학식 2 로 나타내는 특정 페놀성 수지를 배합하여 사용할 경우, 생성되는 에폭시 수지 조성물의 경화품의 비유전상수가 더더욱 현저하게 감소하였다.
또한, 공동 유리 기구가 공동 무기 충전재로서 사용되어 유전상수를 저하시킬 수 있다. 또한, 반도체 장치가 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 성형함으로써 수득되어서, 반도체 장치의 중량을 감소시킬 수 있다.
상기 발견으로부터, 본 발명의 반도체 장치는 고주파수 개발 경향에 부응하는 수지-캡슐화형 반도체 장치이고, 이는 각종 신뢰성 및 대량 생산성, 그리고 저비용에 있어서 탁월한 일련의 통상적인 특정 외에도, 통상적인 세라믹-캡슐형 반도체 장치를 잘 대체할 수 있다.
동등물
이에따라 본 발명이 기술되었고, 동일한 것이 다방면으로 다양할 수 있음이 명백하다. 그러한 변형은 본 발명의 범위 및 취지에서 벗어나는 것으로 간주되어서는 안되며, 당업계의 숙련자에게 명확한 바와 같이 그러한 모든 변형은 하기 청구항의 범위 안에 포함되는 것으로 의도된다.
상기 발견으로부터, 본 발명의 반도체 장치는 고주파수 개발 경향에 부응하는 수지-캡슐화형 반도체 장치이고, 이는 각종 신뢰성 및 대량 생산성, 그리고 저비용에 있어서 탁월한 일련의 통상적인 특정 외에도, 통상적인 세라믹-캡슐형 반도체 장치를 잘 대체할 수 있다.

Claims (7)

  1. 필수 성분으로서 하기를 포함하는 반도체 장치 캡슐화용 에폭시 수지 조성물:
    (A) 에폭시 수지;
    (B) 페놀성 수지;
    (C) 경화 촉진제; 및
    (D) 평균 입자 크기 4 내지 100 μm 및 평균 쉘 두께 1.5 μm 이상의 공동 (hollow) 무기 충전재,
    [여기서, 성분 (A) 및 성분 (B) 의 양은 X 및 Y(X+Y) (식 중, X 는 에폭시 수지 (A) 의 에폭시 당량이고, Y 는 페놀성 수지 (B) 의 히드록실기 당량임] 의 총량이 350 이상이도록 조절됨].
  2. 제 1 항에 있어서, 에폭시 수지 (A) 가 하기 화학식 1 로 나타내는 에폭시 수지이고, 페놀성 수지 (B) 가 하기 화학식 2 로 나타내는 페놀성 수지인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]
    [식 중, n 은 0 또는 양수임];
    [화학식 2]
    [식 중, m 은 0 또는 양수임].
  3. 제 1 항에 있어서, 페놀성 수지의 히드록실기 당량 및 에폭시 수지의 에폭시 당량의 비가 0.5 내지 1.6 의 범위 안에 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 공동 무기 충전재 (D) 가 150 μm 이하의 최대 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서, 공동 무기 충전재 (D) 가 공동 유리 기구인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 공동 무기 충전재 (D) 가 전체 에폭시 수지 조성물의 40 내지 70 질량% 의 양으로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 에폭시 수지 조성물에 의하여 캡슐화된 반도체 요소를 포함하는 반도체 장치.
KR1020010018347A 2000-04-06 2001-04-06 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치 KR20010100875A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-105055 2000-04-06
JP2000105055 2000-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010100875A true KR20010100875A (ko) 2001-11-14

Family

ID=18618493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010018347A KR20010100875A (ko) 2000-04-06 2001-04-06 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6383660B2 (ko)
EP (1) EP1142952A1 (ko)
KR (1) KR20010100875A (ko)
CN (1) CN1217972C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140638A (ko) * 2014-03-31 2016-12-07 메이와가세이가부시키가이샤 페놀 수지, 상기 페놀 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물을 가지는 반도체 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674172B2 (en) * 2001-05-08 2004-01-06 International Business Machines Corporation Flip-chip package with underfill having low density filler
WO2004083150A1 (ja) * 2003-03-20 2004-09-30 Yazaki Corporation セラミックス中空粒子、セラミックス中空粒子含有複合材料及び摺動部材
CN1301296C (zh) * 2004-06-14 2007-02-21 江苏中电华威电子股份有限公司 一种环氧树脂组合物
US20050287350A1 (en) * 2004-06-28 2005-12-29 Crouthamel David L Encapsulating compound having reduced dielectric constant
JP4383324B2 (ja) * 2004-11-10 2009-12-16 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2009182095A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
JP5708486B2 (ja) 2009-06-03 2015-04-30 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
US8969132B2 (en) 2010-09-20 2015-03-03 Nuvotronics, Llc Device package and methods for the fabrication thereof
JP5961055B2 (ja) * 2012-07-05 2016-08-02 日東電工株式会社 封止樹脂シート、電子部品パッケージの製造方法及び電子部品パッケージ
US9337152B2 (en) * 2013-03-15 2016-05-10 Nuvotronics, Inc Formulation for packaging an electronic device and assemblies made therefrom
CN104292755B (zh) * 2014-10-16 2017-02-01 苏州思莱特电子科技有限公司 一种高分子led封装材料及其制备方法
CN105419236B (zh) * 2015-12-18 2017-11-07 无锡创达新材料股份有限公司 一种用于封装半导体元件的环氧模塑料
FR3048972B1 (fr) * 2016-03-15 2018-04-06 Mbda France Materiau de leurrage ultrasonore, en particulier pour systeme d'arme
CN105860905A (zh) * 2016-06-02 2016-08-17 安徽众博新材料有限公司 一种耐高温环氧树脂灌封材料及其制备方法
EP3258487B1 (en) 2016-06-15 2020-08-05 ABB Schweiz AG High voltage power electronics module for subsea applications
TWI698484B (zh) * 2018-10-12 2020-07-11 台燿科技股份有限公司 無溶劑之樹脂組合物及其應用
CN113402850B (zh) * 2021-07-13 2022-04-19 深圳先进电子材料国际创新研究院 低介电常数、低翘曲的环氧塑封料组合物、制备及应用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH059270A (ja) * 1991-06-24 1993-01-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物およびその製造方法
JPH10298407A (ja) * 1997-04-23 1998-11-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140638A (ko) * 2014-03-31 2016-12-07 메이와가세이가부시키가이샤 페놀 수지, 상기 페놀 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물을 가지는 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1217972C (zh) 2005-09-07
EP1142952A1 (en) 2001-10-10
US6383660B2 (en) 2002-05-07
US20020006986A1 (en) 2002-01-17
CN1316447A (zh) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010100875A (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 그를 사용한반도체 장치
JP6066865B2 (ja) 高誘電率エポキシ樹脂組成物および半導体装置
EP1582546B1 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same
JP2001172473A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2001354754A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
US6027812A (en) Encapsulant of crystalline epoxy resin and phenolic resin-crystalline epoxy resin reaction product
JP3565118B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
CN111527145B (zh) 用于封装半导体设备的环氧树脂组合物、以及使用该环氧树脂组合物封装的半导体设备
TWI793258B (zh) 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法
EP1538182B1 (en) Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby
KR101266542B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
CN111492009A (zh) 用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及使用其包封的半导体装置
JP5275697B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物およびその製造方法
JPH05299537A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2001040182A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2006257309A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP7460025B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2001189407A (ja) 表面処理済み無機質充填剤の製法および半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置
JP5226957B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008156403A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001072743A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR101112043B1 (ko) 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
JP4850599B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置
WO2019106953A1 (ja) 樹脂シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4742467B2 (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid