TWI494286B - 無鹼玻璃 - Google Patents

無鹼玻璃 Download PDF

Info

Publication number
TWI494286B
TWI494286B TW099108165A TW99108165A TWI494286B TW I494286 B TWI494286 B TW I494286B TW 099108165 A TW099108165 A TW 099108165A TW 99108165 A TW99108165 A TW 99108165A TW I494286 B TWI494286 B TW I494286B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
less
content
glass
alkali
free glass
Prior art date
Application number
TW099108165A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201036927A (en
Inventor
Takashi Murata
Shinkichi Miwa
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co filed Critical Nippon Electric Glass Co
Publication of TW201036927A publication Critical patent/TW201036927A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI494286B publication Critical patent/TWI494286B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

無鹼玻璃
本發明是有關於一種無鹼玻璃(alkali-free Glass)，具體而言是有關於一種適合於液晶顯示器、有機電激發光(Electroluminescence，EL)顯示器等的平面顯示器(flat display)用玻璃基板，晶片尺寸封裝(Chip Size Package，CSP)、電荷耦合元件(Charge Couple Device，CCD)、接觸式影像感測器(Contact Image Sensor，CIS)等的影像感測器用玻璃基板的無鹼玻璃。
近年來，CSP等的影像感測器正越來越向小型化、薄型化、輕量化發展。以前，該些感測器部是利用樹脂的封裝(package)來進行保護。而近年來，為了推進更小型化等，正採用將玻璃基板貼附於Si晶片(Si-chip)上以對該Si晶片進行保護的方式。
而且，對於該玻璃基板而言，為了實現裝置的小型化等亦要求進一步薄壁化，從而正逐漸採用板厚較薄的玻璃基板(例如，板厚小於等於0.5 mm的玻璃基板)。
此外，關於該玻璃基板，為了防止於熱處理工序中鹼離子(alkali ion)向已成膜的半導體物質中擴散的事態發生，通常是使用實質不含有鹼金屬氧化物的無鹼玻璃(參照專利文獻1)。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-344927號公報
如上述般，於CSP等的用途的情況下是將玻璃基板與Si晶片直接貼附在一起。然而，若無鹼玻璃與Si的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion)不匹配，則會因兩者的熱膨脹係數差而於玻璃基板上發生翹曲(warpage)。特別是玻璃基板的板厚越薄，則玻璃基板上越容易發生翹曲。
為了解決上述問題，必需使無鹼玻璃與Si的熱膨脹係數嚴格地匹配。然而，Si的熱膨脹係數非常低，為32×10-7 /℃～34×10-7 /℃，若為了與Si的熱膨脹係數匹配而使無鹼玻璃的熱膨脹係數降低，則難以製作出高品質的玻璃基板。亦即，對於無鹼玻璃而言，若使熱膨脹係數降低，則玻璃的黏性(stickiness)會增高，因此難以提高氣泡品質，從而難以獲得高品質的玻璃基板。
而且，對於CSP等的影像感測器而言，由於在約2 mm左右的Si晶片中存放有數百萬畫素量的資訊，因此即便是極微小的缺陷也有可能造成問題，而不能與液晶顯示器、有機EL顯示器等的畫素相比。此外，將影像感測器與玻璃基板貼合的工序大致為最後工序，因而若由於玻璃基板的缺陷而導致裝置的良率(yield)降低，則裝置的生產性會顯著降低。
此外，對於無鹼玻璃而言，為了提高氣泡品質而必需使用澄清劑(clarifying agent)，以前是使用As2 O3 、Sb2 O3 來作為澄清劑。然而，As2 O3 、Sb2 O3 是環境負荷物質(environmental load substances)，從環保的觀點考慮，較佳為應儘量減少該些環境負荷物質的使用量。
因此，對用於上述用途的無鹼玻璃特別要求：(1)具有與Si匹配的熱膨脹係數；(2)氣泡品質優異；(3)不含有環境負荷物質(特別是As2 O3 、Sb2 O3 )；此外亦要求：(4)輕量；(5)以低成本便可成形出薄板；(6)表面品質優異；(7)具有於玻璃與樹脂貼合時可維持玻璃品質的耐熱性等。
鑒於上述情況，本發明的技術性課題在於提供一種滿足CSP等的用途所要求的各種特性的無鹼玻璃，特別是提供一種具有與Si匹配的熱膨脹係數，而且即便不使用As2 O3 、Sb2 O3 ，氣泡品質亦優異並且能以低成本成形出薄板的無鹼玻璃。
本發明者等人反覆進行各種實驗後發現：藉由將無鹼玻璃的玻璃組成範圍限制在規定範圍內，並且將玻璃特性限制在規定範圍內，而可解決上述技術性課題，從而提出了本發明。亦即，本發明的無鹼玻璃的特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有45%～70%的SiO2 、10%～30%的Al2 O3 、11%～20%的B2 O3 ，As2 O3 的含量小於0.1%，Sb2 O3 的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%，且熱膨脹係數(30℃～380℃)為30×10-7 /℃～35×10-7 /℃。此處，「熱膨脹係數(30℃～380℃)」是指利用膨脹計(dilatometer)測定出的值，且指30℃～380℃的溫度範圍內的平均值。
第二，本發明的無鹼玻璃的特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%～70%的SiO2 、11%～23%的Al2 O3 、11.5%～20%的B2 O3 、0%～8%的MgO、1%～10%的CaO、0%～2%的SrO、0%～2%的BaO、5%～12%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.001%～1%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O的合計量)的含量小於0.1%，且熱膨脹係數(30℃～380℃)為30×10-7 /℃～35×10-7 /℃。
第三，本發明的無鹼玻璃的特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%～70%的SiO2 、11%～16%的Al2 O3 、13%～19%的B2 O3 、0%～6%的MgO、1%～9%的CaO、0%～1%的SrO、0%～1%的BaO、7%～10%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.01%～0.5%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%，且熱膨脹係數(30℃～380℃)為30×10-7 /℃～35×10-7 /℃。
第四，本發明的無鹼玻璃的特徵在於：利用溢流下拉法(overflow downdraw)或流孔下拉法(slot downdraw)而成形，特別是利用溢流下拉法而成形。藉此可提高玻璃的表面品質。
第五，本發明的無鹼玻璃的特徵在於其為平板形狀。
第六，本發明的無鹼玻璃的特徵在於板厚小於等於0.6 mm。
第七，本發明的無鹼玻璃的特徵在於用於CSP。
第八，本發明的無鹼玻璃的特徵在於用於有機EL顯示器。本發明的無鹼玻璃因耐熱性優異，故而於多晶矽薄膜電晶體(p-Si．TFT(Thin-Film Transistor))的製造工序等中不易熱收縮，從而亦適合於本用途。
第九，本發明的無鹼玻璃的特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有45%～70%的SiO2 、10%～30%的Al2 O3 、11%～20%的B2 O3 、3%～12%的CaO，BaO的含量小於0.5%，As2 O3 的含量小於0.01%，Sb2 O3的含量小於0.05%，F的含量小於0.05%，Cl的含量小於0.05%，鹼金屬氧化物的含量小於1%，且熱膨脹係數(30℃～380℃)為33×10-7 /℃～35×10-7 /℃，波長300 nm～800 nm處的分光透過率(spectral transmittance)大於等於85%，α射線釋放量小於等於5000×10-4 C/cm2 /h。此處，「波長300 nm～800 nm處的分光透過率」是指以板厚0.1 mm～0.5 mm中的任一值(較佳為板厚0.5 mm)所測定出的值。而且，「α射線釋放量」可利用氣流(gas-flow)比例計數器(proportional counter)測定裝置等進行測定。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明的無鹼玻璃中，以下將表示以上述方式限定玻璃組成中的各成分的含量的理由。另外，除作特別告知外，關於以下的%的表示是指質量百分比(mass%)。
SiO2 的含量為45%～70%，較佳為50%～70%，更佳為55%～65%，進而更佳為57%～63%，最佳為58%～62%。若SiO2 的含量少於45%，則難以實現玻璃的低密度化。另一方面，若SiO2 的含量多於75%，則除會導致高溫黏度增高從而熔融性降低之外，玻璃中亦容易發生失透結晶(白矽石(cristobalite))等的缺陷。
Al2 O3 的含量為10%～30%。若Al2 O3 的含量少於10%，則難以提高耐熱性，或使高溫黏性增高從而熔融性容易降低。而且，Al2 O3 具有提高楊氏模量(Young'smodulus)從而提高比楊氏模量(specific Young's modulus)的作用，若Al2 O3 的含量少於10%，則楊氏模量容易降低。Al2 O3 的較佳下限範圍為大於等於10%，更佳為大於等於11%，進而佳為大於等於12%，進而更佳為大於等於13%，進一步更佳為大於等於14%，此外更佳為大於等於14.5%，此外更佳為大於等於15%，尤佳為大於等於15.5%。另一方面，若Al2 O3 的含量多於30%，則液相溫度(liquidus temperature)增高，從而耐失透性(devitrification resistance)容易降低。Al2 O3 的較佳上限範圍為小於等於23%，更佳為小於等於20%，進而佳為小於等於19%，進而更佳為小於等於18%，進一步更佳為小於等於17%，尤佳為小於等於16%。
B2 O3 發揮著熔劑(flux)的作用，是用來降低高溫黏性以提高熔融性的成分，其含量為11%～20%。若B2 O3 的含量少於11%，則熔劑的作用不充分，高溫黏性增高，從而玻璃的氣泡品質容易降低。而且難以實現玻璃的低密度化。B2 O3 的較佳下限範圍為大於等於11%，更佳為大於等於11.5%，進而佳為大於等於12%，進而更佳為大於等於13%，進一步更佳為大於等於14%，此外更佳為大於等於15%，尤佳為大於等於15.5%。另一方面，若B2 O3 的含量多於20%，則耐熱性及楊氏模量容易降低。B2 O3 的較佳上限範圍為小於等於20%，更佳為小於等於19%，進而佳為小於等於18%，尤佳為小於等於17%。
關於本發明的無鹼玻璃，除了上述成分以外，亦可向玻璃組成中添加其他成分至25%為止，較佳為添加至15%為止。
MgO+CaO+SrO+BaO是用來降低液相溫度以使玻璃中不易產生結晶異物的成分，而且是用來提高熔融性及成形性的成分，其含量較佳為5%～12%，更佳為7%～10%，進而佳為7.5%～9.5%，尤佳為8%～9%。若MgO+CaO+SrO+BaO的含量較少，則無法充分發揮出熔劑的作用，除導致熔融性降低外，熱膨脹係數亦變得過低，從而難以與Si的熱膨脹係數匹配。另一方面，若MgO+CaO+SrO+BaO的含量較多，則密度上升而難以實現玻璃的輕量化，而且導致比楊氏模量降低，同時熱膨脹係數變得過高。
MgO是不會使應變點(strain point)下降而降低高溫黏性以提高熔融性的成分，而且在鹼土類金屬(alkaline-earth metal)氧化物中該MgO是最具有降低密度的效果的成分，其含量較佳為0%～8%，更佳為0%～6%，進而佳為0%～2%，進而更佳為0%～1%，進一步更佳為0%～0.5%，尤佳為0%～0.1%。然而，若MgO的含量過多，則液相溫度上升從而耐失透性容易降低。另外，若質量比MgO/B2 O3 的值大於等於0.6，則容易引起分相(phase separation)。因此，質量比MgO/B2 O3 的值較佳為小於等於0.5，更佳為小於等於0.3，進而佳為小於等於0.1，進而更佳為小於0.08，尤佳為小於0.05。
CaO是不會使應變點下降而降低高溫黏性以顯著提高熔融性的成分，於本發明的玻璃組成系中，該CaO是抑制玻璃的失透(devitrification)的效果高的成分，且使該CaO的含量在鹼土類金屬氧化物中相對增加，則容易實現玻璃的低密度化。CaO的較佳下限範圍為大於等於1%，更佳為大於等於2%，進而佳為大於等於3%，進而更佳為大於等於5%，尤佳為大於等於7%。另一方面，若CaO的含量多於10%，則熱膨脹係數及密度會變得過高，或者玻璃組成的成分平衡被破壞，從而耐失透性容易降低。CaO的較佳上限範圍為小於等於10%，更佳為小於等於9.5%，尤佳為小於等於9%。
SrO是不會使應變點下降而降低高溫黏性以提高熔融性的成分，但若SrO的含量增多，則密度及熱膨脹係數容易上升。而且，若SrO的含量增多，則為了與Si的熱膨脹係數匹配，CaO或MgO的含量會相對地減少，結果耐失透性降低，或高溫黏性容易增高。SrO的含量較佳為0%～2%，更佳為0%～1.5%，進而佳為0%～1%，進而更佳為0%～0.5%，尤佳為0%～0.1%。
BaO是不會使應變點下降而降低高溫黏性以提高熔融性的成分，但若BaO的含量增多，則密度及熱膨脹係數容易上升。而且，若BaO的含量增多，則為了與Si的熱膨脹係數匹配，CaO或MgO的含量會相對地減少，結果，耐失透性降低，或高溫黏性容易增高。BaO的含量較佳為0%～2%，更佳為0%～1.5%，進而佳為0%～1%，進而更佳為0%～0.5%，進一步更佳為0%～小於0.5%，尤佳為0%～小於0.1%。
SnO2 是於高溫域(high-temperature range)具有良好澄清作用的成分，並且是使高溫黏性降低的成分，其含量較佳為0%～1%，更佳為0.001%～1%，進而佳為0.01%～0.5%，進而更佳為0.01%～0.6%，尤佳為0.05%～0.3%。若SnO2 的含量多於1%，則SnO2 的失透結晶容易於玻璃中析出。另外，若SnO2 的含量少於0.001%，則難以享有上述效果。
ZnO是用來提高熔融性的成分，但若於玻璃組成中大量地含有該ZnO，則玻璃容易失透，應變點容易降低，而且密度亦容易上升。因此，ZnO的含量較佳為0%～5%，更佳為0%～3%，進而佳為0%～0.5%，尤佳為0%～0.3%，較理想的是玻璃組成中實質不含有ZnO。此處，「實質不含有ZnO」是指玻璃組成中的ZnO的含量小於等於0.1%的情況。
ZrO2 是用來提高楊氏模量的成分，其含量較佳為0%～5%，更佳為0%～3%，進而佳為0%～0.5%，尤佳為0.01%～0.2%。若ZrO2 的含量多於5%，則液相溫度上升，從而鋯(zircon)的失透結晶容易析出。而且，若ZrO2 的含量過多，則α射線的計數值容易上升，因此難以適用於CSP等的裝置中。因此，若藉由其他成分獲得所需特性，則理想的是實質不含有ZrO2 。此處，「實質不含有ZrO2 」是指玻璃組成中的ZrO2 的含量小於等於0.01%的情況。
TiO2 是用來降低高溫黏性以提高熔融性的成分，並且是抑制曝曬(solarization)的成分，但若於玻璃組成中較多地含有該TiO2 ，則玻璃著色從而透過率容易降低。因此，TiO2 的含量較佳為0%～5%，更佳為0%～3%，進而佳為0%～1%，尤佳為0%～0.02%。
P2 O5 是用來提高耐失透性的成分，但若於玻璃組成中較多地含有該P2 O5 ，則除了於玻璃中產生分相、乳白之外，耐水性亦會顯著降低。因此，P2 O5 的含量較佳為0%～5%，更佳為0%～1%，尤佳為0%～0.5%。
Y2 O3 具有提高應變點、楊氏模量等的作用。然而，若Y2 O3 的含量多於5%，則密度容易增加。Nb2 O5 具有提高應變點、楊氏模量等的作用。然而，若Nb2 O5 的成分的含量多於5%，則密度容易增加。La2 O3 具有提高應變點、楊氏模量等的作用。然而，若La2 O3 的含量多於5%，則密度容易增加。
如上述般，本發明的無鹼玻璃原則上實質不含有鹼金屬氧化物，且該鹼金屬氧化物的含量小於0.1%。然而，於一定程度地容許含有鹼金屬氧化物的情況下，可在0.01%～小於1%的範圍內添加鹼金屬氧化物。
如上述般，本發明的無鹼玻璃中，較佳為添加SnO2 來作為澄清劑，但只要不破壞玻璃特性，亦可代替SnO2 或者與SnO2 併用，而添加CeO2 、SO3 、C、金屬粉末(例如Al、Si等)至5%為止來作為澄清劑。
AS2 O3 、Sb2 O3 亦可有效用作澄清劑，本發明的無鹼玻璃並非完全排除含有該些成分，而是如上述般，自環境的觀點考慮，應將該些成分的含量分別限制為小於0.1%，較佳為小於0.05%。而且，F、Cl等的鹵素(halogen)具有使熔融溫度低溫化同時促進澄清劑的作用，結果可一方面使玻璃的熔融成本低廉化，且一方面實現玻璃製造爐(furnace)的長壽命化。然而，若F、Cl的含量過多，則於CSP等的用途中有時會導致形成於玻璃基板上的金屬的配線圖案發生腐蝕。因此，F、Cl的含量分別較佳為小於等於1%，更佳為小於等於0.5%，進而佳為小於0.1%，進而更佳為小於等於0.05%，進一步更佳為小於0.05%，尤佳為小於等於0.01%。
於本發明的無鹼玻璃中，若以如下方式規定各成分，則容易與Si的熱膨脹係數匹配，且高溫黏度容易降低，並且液相黏度容易增高。(1)以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%～70%的SiO2 、11%～16%的Al2 O3 、13%～19%的B2 O3 、7%～10%的MgO+CaO+SrO+BaO、0%～6%的MgO、3%～9%的CaO、0%～1%的SrO、0%～1%的BaO，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%。
(2)以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%～70%的SiO2 、13%～16%的Al2 O3 、13%～18%的B2 O3 、7%～9%的MgO+CaO+SrO+BaO、0%～2%的MgO、5%～9%的CaO、0%～0.5%的SrO、0%～0.5%的BaO、0.01%～0.6%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%。
(3)以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%～70%的SiO2 、13%～16%的Al2 O3 、14%～18%的B2 O3 、7%～9%的MgO+CaO+SrO+BaO、0%～1%的MgO、7%～9%的CaO、0%～0.1%的SrO、0%～0.1%的BaO、0.01%～0.6%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.01%，Sb2 O3 的含量小於0.01%，F的含量小於0.05%，Cl的含量小於0.05%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%。
本發明的無鹼玻璃中，熱膨脹係數(30℃～380℃)的下限範圍較佳為大於等於30×10-7 /℃，尤佳為大於等於31×10-7 /℃，而且上限範圍較佳為小於等於35×10-7 /℃，尤佳為小於等於34×10-7 /℃，最佳熱膨脹係數(30℃～380℃)為33×10-7 /℃。若熱膨脹係數超出上述範圍，則將無鹼玻璃與Si晶片貼合時，玻璃基板的翹曲量容易增大。而且，玻璃基板的板厚越薄，則由熱膨脹係數的差所引起的玻璃基板的翹曲量越增大。因此，當玻璃基板的板厚較薄時(例如，玻璃基板的板厚小於等於0.6 mm時)，將熱膨脹係數限制在上述範圍內的意義重大。
本發明的無鹼玻璃中，密度較佳為小於2.45 g/cm3 ，更佳為小於2.42 g/cm3 ，進而佳為小於2.40 g/cm3 ，進而更佳為小於2.38 g/cm3 ，進一步更佳為小於2.35 g/cm3 ，尤佳為小於2.34 g/cm3 。若密度大於等於2.45 g/cm3 ，則難以實現玻璃的輕量化，而且當本發明的無鹼玻璃為平板形狀時，玻璃會因自重而容易撓曲。此處，「密度」是指利用周知的阿基米德法(Archimedes method)所測定出的值。
於本發明的無鹼玻璃中，應變點較佳為大於等於600℃，更佳為大於等於620℃，進而佳為大於等於630℃，進而更佳為大於等於640℃，進一步更佳為大於等於650℃，尤佳為大於等於660℃。如上述般，若應變點較低，則玻璃與樹脂貼合時，有可能會破壞玻璃品質。而且，若應變點較低，則當將無鹼玻璃用作有機EL用玻璃基板時，於p-Si‧TFT的製造工序中，玻璃容易熱收縮。
高溫熔融會增加玻璃熔融爐的負擔。例如，玻璃熔融爐中所使用的氧化鋁(alumina)或氧化鋯(zirconia)等的耐火物越達到高溫，則被熔融玻璃所侵蝕的程度越嚴重。若該耐火物的侵蝕量增多，則玻璃熔融爐的生命週期(life cycle)縮短，結果，玻璃的製造成本增加。而且，當進行高溫熔融時，對於玻璃熔融爐的構成構件而言必需使用高耐熱性的構成構件，因此玻璃熔融爐的構成構件價格較高，結果，玻璃的熔融成本增加。此外，高溫熔融中必需將玻璃熔融爐的內部保持為高溫，因此與低溫熔融相比，運營成本(running cost)增高。本發明的無鹼玻璃中，102.5 dPa‧s時的溫度較佳為小於等於1590℃，更佳為小於等於1580℃，進而佳為小於等於1570℃，進而更佳為小於等於1560℃，尤佳為小於等於1550℃。若102.5 dPa‧s時的溫度高於1590℃，則低溫熔融變得困難，而且玻璃的氣泡品質容易降低，結果玻璃的製造成本容易增高。此處，「102.5 dPa‧s時的溫度」是利用鉑球提拉法所測定出的值。
本發明的無鹼玻璃中，液相溫度較佳為小於等於1180℃，更佳為小於等於1100℃，進而佳為小於等於1070℃，尤佳為小於等於1060℃。這樣，玻璃中不易發生失透結晶，因此利用溢流下拉法等容易成形出玻璃，且可提高玻璃的表面品質，同時使玻璃的製造成本低廉化。另外，液相溫度是玻璃的耐失透性的指標，液相溫度越低，則耐失透性越優異。此處，「液相溫度」是將通過標準篩(standard sieve)30網目(mesh)(500 μm)而殘留於50網目(300 μm)中的玻璃粉末放入至鉑晶舟中，並於溫度梯度爐中保持24小時，從而對結晶析出的溫度進行測定所得的值。
本發明的無鹼玻璃中，液相黏度較佳為大於等於104.5 dPa‧s，更佳為大於等於105.0 dPa‧s，進而佳為大於等於105.5 dPa‧s，進而更佳為大於等於105.7 dPa‧s，尤佳為大於等於106.0 dPa‧s。如此，成形時不易發生失透結晶，因此利用溢流下拉法等容易成形出玻璃，且可提高玻璃的表面品質，而且，可使玻璃的製造成本低廉化。另外，液相黏度是成形性的指標，液相黏度越高則成形性越優異。此處，「液相黏度」是指利用鉑球提拉法對液相溫度下的玻璃的黏度進行測定所得的值。
本發明的無鹼玻璃中，波長300 nm～800 nm的分光透過率較佳為大於等於85%，更佳為大於等於86%，進而佳為大於等於87%，尤佳為大於等於88%。本發明的無鹼玻璃可用於量子點(quantum dots)矽型太陽電池、薄膜矽型太陽電池用基板或蓋玻璃(cover glass)。於該些用途中，要求包含紫外線區域(ultraviolet region)的分光透過率高。對此，若將波長300 nm～800 nm的分光透過率限制在上述範圍內，則可較佳地用於該些用途中。另外，關於玻璃原料，若使用特定的原料、玻璃製造設備(例如Fe的含量少的原料、Fe難以混入的玻璃製造設備)，則可提高波長300 nm～800 nm的分光透過率。
本發明的無鹼玻璃中，α射線釋放量較佳為小於等於5000×10-4 C/cm2 /h，更佳為小於等於3000×10-4 C/cm2 /h，進而佳為小於等於1000×10-4 C/cm2 /h，尤佳為小於等於500×10-4 C/cm2 /h。當由玻璃基板等產生的α射線射入至元件時，藉由α射線的能量而誘發電洞、電子對，從而有可能會因此而發生瞬間在圖像中產生亮點或白點的所謂軟性誤差(soft error)。對此，若降低α射線釋放量，則可容易防止此種不良。另外，作為玻璃原料，若使用放射性同位元素的含量少且α射線釋放量少的高純度原料，則可降低α射線釋放量。而且，於玻璃的熔融、澄清工序中，只要使放射性同位元素不自玻璃製造設備混入至熔融玻璃中，則可有效降低α射線釋放量。
本發明的無鹼玻璃可藉由如下步驟而製作：將以達到規定的玻璃組成的方式調合而成的玻璃原料投入至連續式玻璃熔融爐中，對該玻璃原料進行加熱熔融，將所獲得的熔融玻璃澄清後供給至成形裝置，然後成形為平板形狀等。
本發明的無鹼玻璃較佳為利用溢流下拉法而成形。如此，未研磨便可獲得表面品質良好的平板形狀的玻璃。此處，溢流下拉法是如下方法，即，使熔融玻璃自耐熱性的流槽(launder)狀構造物的兩側溢流，且使溢出的熔融玻璃在流槽狀構造物的下端處合流，同時向下方延伸成形而製作出平板形狀的玻璃。當使用溢流下拉法時，應成為玻璃的表面的面並不與流槽狀耐火物相接觸，而是以自由表面的狀態成形，因此可提高玻璃的表面品質。關於流槽狀構造物的構造或材質，只要使玻璃的尺寸或表面品質成為所需狀態而可實現所需品質即可，並無特別限定。而且，為了進行朝向下方的延伸成形亦可利用任一方法來對玻璃施加力。例如，亦可採用使具有充分大的寬度的耐熱性輥在與玻璃接觸的狀態下旋轉而延伸的方法，還可採用使多對耐熱性輥僅與玻璃的端面附近接觸而延伸的方法。本發明的無鹼玻璃因耐失透性優異、並且具有適合於成形的黏度特性，故而可利用溢流下拉法而高效地成形出平板形狀的玻璃。
本發明的無鹼玻璃除了使用溢流下拉法來成形以外，亦可採用各種成形方法。例如，可採用流孔下拉法、浮法(float)、輾平法(rollout)等的成形方法。另外，若使用流孔下拉法，則可高效地成形出板厚薄的平板形狀的玻璃。
本發明的無鹼玻璃較佳為具有平板形狀。如此，可適用於液晶顯示器、有機EL顯示器等的平面顯示器用玻璃基板，CSP、CCD、CIS等的影像感測器用玻璃基板。而且，當本發明的無鹼玻璃為平板形狀時，其板厚較佳為小於等於0.6 mm，更佳為小於等於0.5 mm，進而佳為小於等於0.3 mm，進而更佳為小於等於0.2 mm，尤佳為小於等於0.1 mm。板厚越薄，則越能夠使玻璃輕量化，結果，裝置亦越容易輕量化。另外，本發明的無鹼玻璃的液相黏度較高，因此具有如下優點：利用溢流下拉法容易成形出玻璃，且可廉價製作出表面品質良好的薄板玻璃。
【實例1】
以下，根據實例詳細說明本發明。
表1表示本發明的實例(試樣No.1～No.11)。
以如下方式製作試樣No.1～No.11。首先，將以成為表中的玻璃組成的方式調合而成的玻璃原料放入鉑坩堝內，以1600℃熔融24小時後，流出至碳板上而成形為平形板狀。另外，考慮到分光透過率T及α射線釋放量，而使用雜質少的玻璃原料。其次，對於所獲得的各試樣，評估密度、熱膨脹係數α、應變點Ps、徐冷點(annealing point)Ta、軟化點Ts、104 dPa‧s時的溫度、103 dPa‧s時的溫度、102.5 dPa‧s時的溫度、楊氏模量、液相溫度TL、液相黏度logηTL、分光透過率T、及α射線釋放量。
密度是利用周知的阿基米德法所測定出的值。
熱膨脹係數α是利用膨脹計所測定出的值，且是30℃～380℃的溫度範圍內的平均值。
應變點Ps、徐冷點Ta及軟化點Ts是基於ASTM C336的方法所測定出的值。
104.0 dPa‧s時的溫度、103.0 dPa‧s時的溫度及102.5 dPa‧s時的溫度是利用鉑球提拉法測定出的值。
楊氏模量是利用共振法測定出的值。楊氏模量越大，則比楊氏模量(楊氏模量/密度)越容易增大，當無鹼玻璃為平板形狀時，玻璃不易因自重而撓曲。另外，本發明的無鹼玻璃中，楊氏模量較佳為大於等於64 GPa。
液相溫度TL是將通過標準篩30網目(500 μm)而殘留於50網目(300 μm)中的玻璃粉末放入至鉑晶舟中，並於溫度梯度爐中保持24小時，從而對結晶析出的溫度進行測定所得的值。
液相黏度logηTL是利用鉑球提拉法對液相溫度TL下的玻璃的黏度進行測定所得的值。
分光透過率T是使用分光光度計(spectrophotometer)而於波長300 nm～800 nm處測定出的值。另外，將利用[實例2]的方法所製作的平板形狀的玻璃作為測定試樣，將300 nm的分光透過率的值作為代表值來表示。
α射線釋放量是利用氣流比例計數器測定裝置所測定出的值。
根據表1可知，試樣No.1~No.11中的玻璃組成被限制在規定範圍內，因此密度小於等於2.40g/cm3 ，應變點大於等於620℃，102.5 dPa．s時的溫度小於等於1600℃，熱膨脹係數為31.4×10-7 /℃~33.4×10-7 /℃，且因玻璃組成中不含有As2 O3 、Sb2 O3 ，故而氣泡品質良好。尤其於試樣No.1~No.3、No.10、No.11中，液相溫度小於等於1170℃，液相黏度大於等於104.7 dPa．s，且耐失透性及成形性優異。
【實例2】
於試驗熔融爐中將表1所記載的試樣No.1、No.2、No.10、No.11熔融，利用溢流下拉法而成形出厚度0.5mm的平板形狀的玻璃。其結果，玻璃的翹曲小於等於0.075%，波紋(waviness)(WCA)小於等於0.15μm(截止(cutoff)fh：0.8mm、f1：8mm)，表面粗糙度(Ry)小於等於20Å(截止λc：9μm)。於成形時對拉伸輥的速度、冷卻輥的速度、加熱裝置的溫度分布、熔融玻璃的溫度、玻璃的流量、板拉速度、攪拌器(stirrer)的轉數等進行適當調整，藉此來調節玻璃的表面品質。另外，「翹曲」是將玻璃放置於光學定盤上，使用JIS B-7524中所記載的測隙規(feeler gauge)而測定出的值。「波紋」是使用觸針式的表面形狀測定裝置來對JIS B-0610中所記載的WCA(濾波中心線波紋)進行測定所得的值，該測定是以SEMI STD D15-1296「平板顯示器(Flat Panel Display，FPD)玻璃基板的表面波紋的測定方法」為依據。「平均表面粗糙度 (Ry)」是藉由以SEMI D7-94「FPD玻璃基板的表面粗糙度的測定方法」為依據的方法而測定出的值。
[產業上的可利用性]
本發明的無鹼玻璃可較佳地用於液晶顯示器、有機EL顯示器等的平面顯示器用玻璃基板，晶片尺寸封裝(CSP)、電荷耦合元件(CCD)、接觸式影像感測器(CIS)等的影像感測器用玻璃基板中。
而且，本發明的無鹼玻璃可較佳地用於投影(projection)用途的顯示器裝置，例如數位微鏡裝置(digital micromirror device，DMD)、反射式矽基板液晶顯示(Liquid Crystyal ON Silicon，LCOS)的蓋玻璃或間隔件(spacer)中。該些裝置中，對顯示器等進行驅動的電子電路(electronic circuit)形成於Si晶圓上，並且藉由紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、玻璃料(glass frit)等而將蓋玻璃、間隔件等黏著於Si晶圓上。當用於該些用途時，為了減少翹曲或應變，較理想的是使蓋玻璃等的熱膨脹係數與Si晶圓的熱膨脹係數嚴格地匹配。本發明的無鹼玻璃因熱膨脹係數受到嚴格限制而適用於本用途。
此外，本發明的無鹼玻璃可較佳地用於量子點矽型太陽電池、薄膜矽型太陽電池基板或蓋玻璃。該些裝置在基板上形成著Si膜層。當適用於該些用途時，為了減少翹曲或應變，較理想的是使玻璃基板等的熱膨脹係數與Si膜層的熱膨脹係數嚴格地匹配。本發明的無鹼玻璃因熱膨脹係數受到嚴格限制而適用於本用途。另外，當適用於該些 用途時，如上述般，亦要求玻璃基板等的分光透過率包含紫外線區域且非常高。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。

Claims (9)

  1. 一種無鹼玻璃，其特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有45%~70%的SiO2 、10%~30%的Al2 O3 、15.5%~20%的B2 O3 、0%~1%的MgO，As2 O3 的含量小於0.1%，Sb2 O3 的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%，且熱膨脹係數(30℃~380℃)為30×10-7 /℃~35×10-7 /℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之無鹼玻璃，其中以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%~70%的SiO2 、11%~23%的Al2 O3 、15.5%~20%的B2 O3 、0%~1%的MgO、1%~10%的CaO、0%~2%的SrO、0%~2%的BaO、5%~12%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.001%~1%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於0.1%，且熱膨脹係數(30℃~380℃)為30×10-7 /℃~35×10-7 /℃。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之無鹼玻璃，其中以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有50%~70%的SiO2 、11%~16%的Al2 O3 、15.5%~19%的B2 O3 、0%~1%的MgO、1%~9%的CaO、0%~1%的SrO、0%~1%的BaO、7%~10%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.01%~0.5%的SnO2 ，As2 O3 的含量小於0.05%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.1%，Cl的含量小於0.1%，鹼金屬氧化物的含量小於 0.1%，且熱膨脹係數(30℃~380℃)為30×10-7 /℃~35×10-7 /℃。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之無鹼玻璃，其利用溢流下拉法或流孔下拉法而成形。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之無鹼玻璃，其為平板形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之無鹼玻璃，其板厚小於等於0.6mm。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之無鹼玻璃，其用於晶片尺寸封裝。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之無鹼玻璃，其用於有機電激發光顯示器。
  9. 一種無鹼玻璃，其特徵在於：以下述氧化物換算的質量百分比(mass%)計，玻璃組成含有45%~70%的SiO2 、10%~30%的Al2 O3 、15.5%~20%的B2 O3 、3%~12%的CaO、0%~1%的MgO，BaO的含量小於0.5%，As2 O3 的含量小於0.01%，Sb2 O3 的含量小於0.05%，F的含量小於0.05%，Cl的含量小於0.05%，鹼金屬氧化物的含量小於1%，且熱膨脹係數(30℃~380℃)為33×10-7 /℃~35×10-7 /℃，波長300nm~800nm處的分光透過率大於等於85%，α射線釋放量小於等於5000×10-4 C/cm2 /h。
TW099108165A 2009-03-19 2010-03-19 無鹼玻璃 TWI494286B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009067142 2009-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201036927A TW201036927A (en) 2010-10-16
TWI494286B true TWI494286B (zh) 2015-08-01

Family

ID=42739767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099108165A TWI494286B (zh) 2009-03-19 2010-03-19 無鹼玻璃

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8835335B2 (zh)
JP (1) JP5748087B2 (zh)
KR (1) KR101446971B1 (zh)
CN (1) CN102448901B (zh)
TW (1) TWI494286B (zh)
WO (1) WO2010107111A1 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4376625B2 (ja) 2001-08-28 2009-12-02 明治製菓株式会社 植物の病害抵抗性誘導組成物およびその製造法
US9394196B2 (en) 2006-12-14 2016-07-19 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for reinforcement applications
US8697591B2 (en) 2006-12-14 2014-04-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Low dielectric glass and fiber glass
US9156728B2 (en) 2006-12-14 2015-10-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for ballistic applications
US9056786B2 (en) 2006-12-14 2015-06-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Low density and high strength fiber glass for ballistic applications
US7829490B2 (en) * 2006-12-14 2010-11-09 Ppg Industries Ohio, Inc. Low dielectric glass and fiber glass for electronic applications
US8975199B2 (en) 2011-08-12 2015-03-10 Corsam Technologies Llc Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass
JP5874304B2 (ja) * 2010-11-02 2016-03-02 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
DE112011104339B4 (de) * 2010-12-08 2019-07-04 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glas mit hohem Brechungsindex
JP5812242B2 (ja) * 2010-12-08 2015-11-11 日本電気硝子株式会社 高屈折率ガラス
TWI490183B (zh) * 2011-07-01 2015-07-01 Avanstrate Inc 平面顯示器用玻璃基板及其製造方法
TWI614227B (zh) * 2012-02-29 2018-02-11 康寧公司 低ｃｔｅ之無鹼硼鋁矽酸鹽玻璃組成物及包含其之玻璃物件
JP6037117B2 (ja) * 2012-12-14 2016-11-30 日本電気硝子株式会社 ガラス及びガラス基板
CN105121370B (zh) * 2013-04-23 2017-08-08 旭硝子株式会社 无碱玻璃基板及其制造方法
JP6584013B2 (ja) 2013-08-15 2019-10-02 コーニング インコーポレイテッド Ｃｔｅが中程度から高いガラスおよびそれを備えたガラス物品
KR20220003632A (ko) * 2013-08-15 2022-01-10 코닝 인코포레이티드 알칼리-도핑 및 알칼리가-없는 보로알루미노실리케이트 유리
JP6691315B2 (ja) * 2014-04-03 2020-04-28 日本電気硝子株式会社 ガラス
CN107108333B (zh) * 2015-01-20 2021-09-21 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 具有高的紫外线透射率和耐晒性的低cte玻璃
WO2016125792A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 旭硝子株式会社 光選択透過型ガラスおよび積層基板
WO2016176171A1 (en) 2015-04-28 2016-11-03 Corning Incorporated Method of laser drilling through holes in substrates using an exit sacrificial cover layer; corresponding workpiece
JP7047757B2 (ja) 2016-05-25 2022-04-05 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US10134657B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
WO2020184175A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 日本電気硝子株式会社 ガラス板
US20220274863A1 (en) * 2019-08-01 2022-09-01 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass film and glass roll using same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6417124B1 (en) * 1999-08-21 2002-07-09 Schott Glas Alkali-free aluminoborosilicate glass, and uses thereof
US6468933B1 (en) * 1998-09-22 2002-10-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass and method of producing the same
US20070213194A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-13 Saint Gobain Glass France Glass Substrates for flat screens
US20080206494A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Nh Techno Glass Corporation Glass substrate for display and display

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169047B1 (en) * 1994-11-30 2001-01-02 Asahi Glass Company Ltd. Alkali-free glass and flat panel display
WO1997011920A1 (fr) * 1995-09-28 1997-04-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Substrat de verre exempt d'alcalis
WO1997011919A1 (fr) * 1995-09-28 1997-04-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Substrat de verre exempt d'alcalis
US6060168A (en) * 1996-12-17 2000-05-09 Corning Incorporated Glasses for display panels and photovoltaic devices
JP2001151534A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
JP2002308643A (ja) * 2001-02-01 2002-10-23 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス及びディスプレイ用ガラス基板
JP3988456B2 (ja) * 2001-12-21 2007-10-10 日本電気硝子株式会社 ガラス及びディスプレイ用ガラス基板
JP4453240B2 (ja) * 2002-05-16 2010-04-21 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス及びこれを用いたディスプレイ用ガラス基板
AU2003242057A1 (en) * 2002-06-10 2003-12-22 Asahi Glass Company, Limited Glass and method for production of glass
JP4305817B2 (ja) 2002-12-11 2009-07-29 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
CN100546041C (zh) * 2003-02-19 2009-09-30 日本电气硝子株式会社 半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
JP2005060215A (ja) * 2003-07-29 2005-03-10 Nippon Electric Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
JP2005053712A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス
ATE508471T1 (de) 2003-08-08 2011-05-15 Nippon Electric Glass Co Glasröhre für eine externelektroden- fluoreszenzlampe
JP4400362B2 (ja) 2003-08-08 2010-01-20 日本電気硝子株式会社 外部電極蛍光ランプ用外套容器
JP2007217192A (ja) 2004-01-30 2007-08-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス物品、およびその製造方法
JP4737709B2 (ja) * 2004-03-22 2011-08-03 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ基板用ガラスの製造方法
JP5348598B2 (ja) * 2005-05-10 2013-11-20 日本電気硝子株式会社 半導体素子用ガラス基板およびそれを用いたチップスケールパッケージ
FR2886288B1 (fr) * 2005-05-27 2007-07-06 Saint Gobain Substrats de verre pour ecrans plats
WO2007002865A1 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 Corning Incorporated Fining of boroalumino silicate glasses
DE112006002184B4 (de) * 2005-08-15 2017-02-23 Avanstrate Inc. Glaszusammensetzung
SG169374A1 (en) * 2005-08-15 2011-03-30 Avanstrate Inc Jp Glass composition and process for producing glass composition
DE102005052421A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von Abdeckgläsern für strahlungsempfindliche Sensoren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4923556B2 (ja) 2005-12-16 2012-04-25 日本電気硝子株式会社 情報記録媒体用ガラス基板
DE102006016256B4 (de) 2006-03-31 2013-12-12 Schott Ag Aluminoborosilikatglas und dessen Verwendung
DE102006016257B4 (de) * 2006-03-31 2014-04-30 Schott Ag Aluminoborosilikatglas und dessen Verwendung
JP5088670B2 (ja) 2006-04-11 2012-12-05 日本電気硝子株式会社 ディスプレイ用ガラス基板
JP2007311454A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Sony Corp 固体撮像装置
JP5703535B2 (ja) * 2006-05-23 2015-04-22 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
JP5808069B2 (ja) * 2007-02-16 2015-11-10 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
JP4863168B2 (ja) 2007-04-17 2012-01-25 日本電気硝子株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
JP5435394B2 (ja) * 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
JP5234387B2 (ja) * 2007-06-12 2013-07-10 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラスおよび無アルカリガラス基板並びにその製造方法
JP2008013434A (ja) * 2007-09-03 2008-01-24 Nippon Electric Glass Co Ltd 耐クラック性に優れた無アルカリガラス
DE102008056323B8 (de) * 2007-11-21 2019-01-03 Schott Ag Verwendung von alkalifreien Aluminoborosilikatgläsern für Leuchtmittel mit außen- oder innenliegender Kontaktierung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6468933B1 (en) * 1998-09-22 2002-10-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass and method of producing the same
US6417124B1 (en) * 1999-08-21 2002-07-09 Schott Glas Alkali-free aluminoborosilicate glass, and uses thereof
US20070213194A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-13 Saint Gobain Glass France Glass Substrates for flat screens
US20080206494A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Nh Techno Glass Corporation Glass substrate for display and display

Also Published As

Publication number Publication date
CN102448901B (zh) 2015-11-25
US8835335B2 (en) 2014-09-16
CN102448901A (zh) 2012-05-09
TW201036927A (en) 2010-10-16
KR101446971B1 (ko) 2014-10-06
KR20110091576A (ko) 2011-08-11
JP5748087B2 (ja) 2015-07-15
WO2010107111A1 (ja) 2010-09-23
US20110318561A1 (en) 2011-12-29
JP2010241676A (ja) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494286B (zh) 無鹼玻璃
TWI623505B (zh) 無鹼玻璃
TWI570086B (zh) 無鹼玻璃
TWI555715B (zh) 無鹼玻璃
TWI543953B (zh) 無鹼玻璃
JP5703535B2 (ja) 無アルカリガラス基板
TWI391357B (zh) 無鹼玻璃以及無鹼玻璃基板
TWI593653B (zh) 無鹼玻璃
JP5333984B2 (ja) 無アルカリガラス
JP6852962B2 (ja) ガラス
JP5234387B2 (ja) 無アルカリガラスおよび無アルカリガラス基板並びにその製造方法
JPWO2019177070A1 (ja) ガラス
WO2020080163A1 (ja) 無アルカリガラス板
JP5071878B2 (ja) 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス基板
JP2020172423A (ja) 無アルカリガラス板
JP6354943B2 (ja) ガラス
JP5648982B2 (ja) 太陽電池用ガラス基板
JP5742084B2 (ja) 太陽電池用ガラス基板
WO2021256466A1 (ja) 無アルカリガラス板