TWI493050B - 合金材料、接觸探針及連接端子 - Google Patents

合金材料、接觸探針及連接端子 Download PDF

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TWI493050B
TWI493050B TW102127928A TW102127928A TWI493050B TW I493050 B TWI493050 B TW I493050B TW 102127928 A TW102127928 A TW 102127928A TW 102127928 A TW102127928 A TW 102127928A TW I493050 B TWI493050 B TW I493050B
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Teruo Anraku
Masayuki Ainoya
Tomohiro Kubota
Kotaro Toyotake
Tomoyuki Minami
Noritoshi Takamura
Humio Takahashi
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Yamamoto Precious Metal Co Ltd
Shinko Metal Prod
Nhk Spring Co Ltd
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Description

合金材料、接觸探針及連接端子
本發明例如係有關合金材料，且有關由此合金材料所構成且使用於半導體積體電路與液晶面板等檢查對象的導通狀態檢查或動作特性檢查之接觸探針，以及連接電氣接點彼此的連接端子。
以往，進行半導體積體電路與液晶面板等檢查對象的導通狀態檢查與動作特性檢查時，使用一種導電性的接觸探針，其係謀求檢查對象與具有輸出檢查用信號的電路基板之信號處理裝置之間的電性連接。為了進行正確的導通狀態檢查與動作特性檢查，必須確實地進行透過接觸探針之檢查用信號的輸出入。在此，接觸探針係反覆接觸於半導體積體電路與液晶顯示裝置等檢查對象物來進行電性檢查與測量。此時，例如由於反覆的使用導致接觸探針氧化時，對檢查結果造成影響。
因此，於使用在接觸探針之材料方面，要求具有高的導電性與抗蝕性、良好的抗氧化性。針對此要求，為了提高抗氧化性，例如，可列舉使用在SK材(工具鋼)施加鍍金的材料，然而鍍覆膜會剝落而使工具鋼表面露出，造成與檢查對象物接觸時 之電阻值增加。此外，由於工具鋼表面露出，因此有時會作為異物附著在檢查對象物，而引起導通不良現象。為了排除此導通不良現象，在所使用之材料方面，即使藉由重複的檢查而進行與檢查對象物之接觸，為了要抑制接觸探針本身的磨耗，最重要的要素是電阻值低，且具有不易磨損之高硬度的特性。
具有高硬度的特性之材料中，作為金屬材料可列舉銅(Cu)-鈹(Be)合金和鎢絲，而使用為接觸探針方面則欠缺抗氧化性。含有多數貴金屬以外的金屬之Cu-Be合金與鎢絲等雖為高硬度，且具有容易氧化之性質，當產生氧化反應時導電性不佳而無法進行穩定的檢查測量。因此，使用有一種合金(例如，參照專利文獻1至5)，其係抗氧化性與導電性皆佳，而可長期間的使用，且以具有高導電性之金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、鈀(Pd)、Cu的其中之一作為主要成分。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本專利第4878401號公報
專利文獻2：日本專利第4176133號公報
專利文獻3：日本專利第4216823號公報
專利文獻4：日本特開2004-93355號公報
專利文獻5：日本特開2011-122194號公報
但是，以Pt作為主要成分之合金，會有在極細線與薄板的加工性不佳之情形。此外，以Au為主要成分之合金於加 工性方面雖佳，但不易得到因時效硬化所致之維氏硬度(Vickers hardness)的提高，因而不適合使用於接觸探針。此外，以Pd作為主要成分之合金係與以Pt或Au作為主要成分之合金相比較，加工性雖穩定，而在組成比例與添加金屬的種類方面，有時會因時效硬化而得不到所希望的硬度。
本發明係為了鑑於上述課題而研創者，其目的係在提供一種合金材料、由此合金材料所構成之接觸探針及連接端子，該合金材料之導電性佳，具高硬度且加工性佳。
為了解決上述課題，且達成目的，本發明之合金材料係在銀(Ag)、鈀(Pd)、銅(Cu)之3元合金的組成區域中，設為Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%之組成，且以該組成作為基礎，在4.5at%以下的範圍內添加有錳(Mn)、錫(Sn)、矽(Si)、銻(Sb)、鈦(Ti)及鎂(Mg)之至少1種，且該1種以上之元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加。
此外，本發明之合金材料係在上述發明中，另添加有0.01at%至0.05at%之銥(Ir)及釕(Ru)之1種或其組合。
此外，本發明之合金材料係在上述發明中，以300℃至450℃進行加熱來實施時效處理之維氏硬度為HV480至560。
再者，本發明之接觸探針係一種在長邊方向的兩端各別與接觸對象接觸之導電性的接觸探針，其至少一部分係使用 上述發明之合金材料而形成。
此外，本發明之接觸探針係在上述發明中，具有：導電性的第1柱塞，係在一端與一方的接觸對象接觸；導電性的第2柱塞，係在一端與另一方的接觸對象接觸；以及線圈彈簧，係設置前述第1及第2柱塞之間而伸縮自如地將該第1及第2柱塞予以連結，而前述第1柱塞、前述第2柱塞及前述線圈彈簧中之至少一者係由前述合金材料所構成。
再者，本發明之連接端子係一種在長邊方向的兩端各別與接觸對象接觸之導電性的連接端子，其至少一部分係使用上述發明之合金材料而形成。
依據本發明，在Ag、Pd、Cu之3元合金的組成區域中，設為Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%之組成，且以該組成作為基礎，而在4.5at%以下的範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且該至少1種元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5至3.5at%的範圍內分別予以添加，故導電性佳，而且作為接觸探針與連接端子用達成可得到高硬度且加工性佳的合金材料之效果。
1‧‧‧插座
2,2a‧‧‧接觸探針(探針)
3‧‧‧探針支持具
4‧‧‧支持具構件
5‧‧‧探針卡
6‧‧‧連接器座
21,24‧‧‧第1柱塞
21a,21,22a‧‧‧尖端部
21b‧‧‧爪部
21c,22b‧‧‧凸緣部
21d,22c‧‧‧凸台部
21e,22d‧‧‧基端部
22‧‧‧第2柱塞
23‧‧‧線圈彈簧
23a‧‧‧緊密捲繞部
23b‧‧‧寬鬆捲繞部
31‧‧‧第1構件
32‧‧‧第2構件
33,34‧‧‧支持具孔
33a,34a‧‧‧小徑部
33b,34b‧‧‧大徑部
51‧‧‧基板
52‧‧‧補強構件
53‧‧‧中介層
54‧‧‧空間變換器
55‧‧‧探針頭
56‧‧‧保持構件
57‧‧‧片狀彈簧
58‧‧‧配線
59‧‧‧公連接器
60‧‧‧母連接器
70‧‧‧晶圓夾頭
100‧‧‧半導體積體電路
100a‧‧‧半導體晶圓
101,101a‧‧‧連接用電極
200‧‧‧電路基板
201‧‧‧電極
541‧‧‧電極墊
第1圖係表示本發明實施形態之合金材料的一使用態樣之插座的概略構成之斜視圖。
第2圖係表示本發明實施形態之合金材料的一使用態樣之插 座的主要部分之構成的局部剖面圖。
第3圖係表示本發明實施形態之合金材料的一使用態樣之插座的檢查時之插座的主要部分之構成的局部剖面圖。
第4圖係表示本發明實施形態之合金材料的其他使用態樣之探針卡的構成之局部剖面圖。
第5圖係表示本發明實施形態之合金材料的其他使用態樣之探針卡的主要部分之構成的局部剖面圖。
第6圖係表示本發明之實施例之合金材料的圖。
第7圖係表示本發明之比較例之合金材料的圖。
以下，與圖式一起詳細說明用以實施本發明的形態。此外，本發明並未限定於以下的實施形態。此外，在以下的說明中參照之各圖，係僅在可理解本發明的內容之程度內概略性地顯示形狀、大小及位置關係。亦即，本發明並非僅限定於各圖所例示之形狀、大小及位置關係。
就本發明的實施形態之合金材料加以說明。本實施形態之合金材料係包含Ag-Pd-Cu之3元合金。本實施形態之Ag-Pd-Cu的3元合金係在17at%Ag-30at%Pd-53at%Cu、25at%Ag-30at%Pd-45at%Cu、17at%Ag-45at%Pd-38at%Cu、25at%Ag-45at%Pd-30at%Cu的區域內形成之合金。當為此種原子比例的合金組成時，利用400℃附近的時效處理引起使富銀相的α2 (Ag)、PdCu之β的2相出現之離相分解，故最好盡可能不使與其他的出現相混在一起。由上述理由，亦可知為了藉由2相的出現相以滿足硬度的提高而必須限定Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區 域。
Ag-Pd-Cu合金係藉由在高溫域中Ag、Pd、Cu相互溶解，而形成面心立方晶體(FCC：Face-Centered Cubic)之相。在此，Ag與Pd係具有在高溫域或在低溫域皆相互溶解之性質。再者，Pd與Cu係藉由在高溫域中溶解而在400℃附近形成化合物相之β相而與硬化有關，此時，維氏硬度頂多為HV250左右。Ag與Cu係具有雖在高溫域中溶解，但在低溫域中會分離為富銅相α1 (Cu)與α2 (Ag)之性質。在此3元合金之特定的組成區域中，由於各種相出現，故大多得不到足夠的硬度。
例如，在20at%Ag-25at%Pd-55at%Cu之組成中，在400℃附近實施時效處理時，會出現2相的α1 (Cu)、α2 (Ag)。再者，在22at%Ag-55at%Pd-23at%Cu之組成中，會出現α2 (Ag)、富鈀相的α2 (Pd)、β的3相。上述出現係對維氏硬度造成影響，尤其是α1 (Cu)與α2 (Pd)之出現量變多時，不容易得到時效處理後之維氏硬度的提高。
在此，在Pd的原子比例低且Cu的原子比例多的一部分之組成區域中，雖有α1 (Cu)的出現而因成為些許的出現量故對硬度影響不大。並且為了得到最大限度的維氏硬度之提高，在上述本實施形態之合金材料的Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區域內中，最好在18at%Ag-35at%Pd-47at%Cu、22at%Ag-35at%Pd-43at%Cu、18at%Ag-40at%Pd-42at%Cu、22at%Ag-40at%Pd-38at%Cu之區域內。
並且於本實施形態之合金材料中，係以上述Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區域內之該組成為基礎而在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1個。此外，各元素 係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加。藉此方式，可使時效處理後之維氏硬度上升到HV480至560。
相對地，以上述組成區域之Ag-Pd-Cu的3元合金為基礎而不添加Mn、Sn、Si、Sb、Ti、Mg之至少其中1個時無法提高維氏硬度。
此外，藉由針對上述組成之合金材料，復將Ir及Ru之1個或以上述組合予以添加0.01at%至0.05at%，而即使為HV480至560之維氏硬度，亦可得到加工性良好之合金材料。
依據上述實施形態，在Ag、Pd、Cu之3元合金的組成區域中，設為Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%之組成，且以該組成作為基礎，在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且該至少1種元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加，故導電性佳，而且作為接觸探針用可得到高硬度且加工性佳的合金材料。
此外，依據本實施形態，在以Ag、Pd、Cu為基礎之Ag-Pd-Cu的3元合金中，針對此3元合金作為半導體檢查裝置用的接觸探針可發現用以確保維氏硬度與導電性之添加金屬。
Ag-Pd-Cu的3元合金係在組成區域中因相變態的差異而可在時效硬化上看出差異，而依據本實施形態之合金材料，在組成區域中以佔有Ag17at%至25at%、Pd30at%至45at%、Cu30at% 至53at%的區域內之組成謀求具有最大的硬化作用之組成均衡。
在此，Pd與Cu係將化合物相予以產生且使之硬化，而即使為最大的硬度其極限為HV250左右。相對於此，適量地含有Ag時，可藉由時效硬化使α2 (Ag)與β相最大限度地進行微細分離。結果，可增大維氏硬度。
此外，依據本實施形態，在原子比例上以由Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金為基礎，在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且藉由在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加，且以300℃至450℃加熱而進行過時效處理之時效材的維氏硬度為HV480至560，故作為合金材料耐摩耗性提高，而適合作為半導體檢查用裝置的材料。
此外，依據本實施形態，Ag與Cu具有使比電阻減少之傾向，而Pd具有使比電阻與抗氧化性增大之傾向。亦即，本實施形態之合金材料係一邊確保高硬度的特性，一邊謀求具有導電性與抗氧化性之組成均衡。
有關本實施形態的合金材料之比例係作為滿足高硬度的合金材料之比例而以17at%Ag-30at%Pd-53at%Cu、25at%Ag-30at%Pd-45at%Cu、17at%Ag-45at%Pd-38at%Cu、25at%Ag-45at%Pd-30at%Cu之區域內的Ag-Pd-Cu之3元合金為基礎，且在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且該至少1種元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn 佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加，藉此以300℃至450℃予以加熱且進行過時效處理之維氏硬度會達到HV480至560。即使在此Ag-Pd-Cu3元合金之區域外的組成進行添加，亦不易提高硬度。
再者，關於針對Ag-Pd-Cu的3元合金之添加，雖然以Mn、Sn、Si、Sb、Ti、Mg之組合予以添加亦會提高硬度，但Mn、Sn、Si、Sb、Ti或Mg之單獨添加比組合添加更具效果而較理想。
此外，Mn為0.5at%、Sn為1at%，Si為0.5at%、Sb為0.5at%、Ti為0.5at%或Mg未達0.5at%時，硬度的提高小。另一方面，Mn為3.5at%、Sn為2at%、Si為2at%、Sb為3at%、Ti為2at%或Mg為3.5at%時，加工性會顯著惡化。因此，最好在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb在0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內予以添加。
再者，Mn、Sn、Si、Sb、Ti、Mg之組合超過4.5at%時，加工性會惡化而不理想。維氏硬度係以850℃將所鑄造之物進行溶體化處理，且藉由在300℃至450℃下進行加熱來發揮時效硬化。在未達300℃所引起之時效硬化下難以提高硬度，且在超過450℃之溫度所引起之時效硬化下，容易成為硬度變低之傾向，故上述溫度範圍為適當。
本實施形態之合金材料係可復將Ir、Ru之任一種或其組合添加0.01at%至0.05at%。上述添加金屬係有利於加工性， 而比起未添加者，於滾軋加工時，合金表面之細微的裂痕會減少而改善加工性。Ir、Ru的一種或其組合之添加量即使在0.05at%以上其效果亦不改變，故0.05at%為適量。Ir、Ru具有使結晶粒微細化之作用，乃因結晶粒小時於滾軋加工時不易引起晶界裂痕之故。
再者，本實施形態之合金材料比起以Pt、Au作為主要成分之合金，可達成低的材料成本。
其次，就將本實施形態之合金材料作為接觸探針來使用之情況加以說明。第1圖係表示本發明實施形態之合金材料的一使用態樣之插座(接觸探針)的概略構成之斜視圖。第1圖所示之插座1係進行作為檢查對象物之半導體積體電路100之電氣特性檢查時所使用之裝置，其係將半導體積體電路100與對半導體積體電路100輸出檢查用信號之電路基板200之間進行電性連接之裝置。
插座1具有：複數個接觸探針2(以下，簡稱為「探針2」)，係在長邊方向之一方的端部側與作為被接觸體之半導體積體電路100之一個電極(接觸對象)接觸，且在另一方的端部側與電路基板200的電極(接觸對象)分別接觸；探針支持具3，係依照預定的圖案將複數個探針2予以收容且保持；以及支持具構件4，係設置在探針支持具3的周圍，而於檢查時將產生與複數個探針2接觸之半導體積體電路100的位置偏離予以抑制。
第2圖係表示本實施形態之合金材料的一使用態樣之插座(接觸探針)的主要部分之構成的局部剖面圖，係表示收容在探針支持具3之探針2的詳細構成之圖。第2圖所示之探針2具備：第1柱塞21，係於進行半導體積體電路100的檢查時，與該 半導體積體電路100之連接用電極接觸；第2柱塞22，係與具備有檢查電路之電路基板200的電極接觸；以及線圈彈簧23，係設置在第1柱塞21與第2柱塞22之間，而伸縮自如地將2個第1柱塞21及第2柱塞22予以連結。構成探針2之第1柱塞21及第2柱塞22以及線圈彈簧23具有相同的軸線。探針2係於與半導體積體電路100接觸時，藉由線圈彈簧23朝軸線方向伸縮，以緩和半導體積體電路100對連接用電極之衝擊，同時對半導體積體電路100及電路基板200施加荷重。
第1柱塞21係在同軸上具有：尖端部21a，係具有複數個形成尖細的尖端形狀之爪部21b；凸緣部21c，係從尖端部21a的基端側延伸，且具有比尖端部21a的直徑更大的直徑；凸台部21d，係從與凸緣部21c的尖端部21a連接之側不同的端部延伸，且具有比凸緣部21c的直徑更小的直徑；以及基端部21e，係從與凸台部21d的凸緣部21c連接之側不同的端部延伸，且具有與凸台部21d的直徑大致相同的徑。此外，基端部21e係形成將尖端予以倒圓角之形狀。
第2柱塞22係在同軸上具有：尖端部22a，係具有尖細的尖端形狀；凸緣部22b，係從尖端部22a的基端側延伸，且具有比尖端部22a的直徑更大的直徑；凸台部22c，係從與凸緣部22b的尖端部22a連接之側不同的端部延伸，且具有與凸台部21d的直徑大致相同的直徑；以及基端部22d，係從與凸台部22c的凸緣部22b連接之側不同的端部延伸，且具有與凸台部21d,22c的直徑大致相同的直徑。此第2柱塞22係藉由線圈彈簧23的伸縮作用而可朝軸線方向移動，且利用線圈彈簧23的彈力而朝電路基板 200方向賦予勢能，而與電路基板200之電極接觸。
線圈彈簧23係第1柱塞21側為以與凸台部21d的直徑大致相同的內徑捲繞之緊密捲繞部23a，另一方面，第2柱塞22側為以與基端部22d的直徑以上之內徑而捲繞成預定間距之寬鬆捲繞部23b。緊密捲繞部23a的端部例如為與凸台部21d大致相等的內徑時，被壓入到凸台部21d，且抵接於凸緣部21c。另一方面，寬鬆捲繞部23b的端部被壓入到凸台部22c，且抵接於凸緣部22b。此外，線圈彈簧23最好是緊密捲繞部23a及寬鬆捲繞部23b的內徑以相同的內徑捲繞。此時，第1柱塞21及第2柱塞22與線圈彈簧23亦可利用焊接予以接合。
第1柱塞21、第2柱塞22及線圈彈簧23之至少一個係使用上述合金材料而形成，且最好所有的構件皆使用此合金材料來形成。此外，線圈彈簧23係施加有預定荷重時的寬鬆捲繞部23b之收縮量施加有初始荷重時，例如以成為比探針2收容在探針支持具3的狀態(參照第1圖)之基端部22d與緊密捲繞部23a的最短距離更大的彈簧特性之方式來設計線材的直徑以及以捲繞方式所構成的直徑。藉由使用具有此彈簧特性之線圈彈簧23，即可在探針2施加有預定荷重時使基端部22d滑動接合於緊密捲繞部23a內，而可進行基端部22d與緊密捲繞部23a之間的電性導通。
探針支持具3係使用樹脂、可加工陶瓷、矽等之絕緣性材料而形成，且將位於第2圖的上表面側之第1構件31與位於下表面側之第2構件32予以積層所構成。於第1構件31及第2構件32，分別將相同數量個用以收容複數個探針2之支持具孔33 及34予以形成，而收容探針2之支持具孔33及34係以相互的軸線一致之方式形成。支持具孔33及34的形成位置係按照半導體積體電路100的配線圖案而決定。
支持具孔33及34係皆沿著貫穿方向而形成直徑不同的階梯狀孔形狀。亦即，支持具孔33係由在探針支持具3的上端面具有開口之小徑部33a、以及直徑比此小徑部33a的直徑大的大徑部33b所構成。小徑部33a具有比起尖端部21a的直徑稍大的直徑。此外，大徑部33b係具有比凸緣部21c的直徑及/或線圈彈簧23的直徑稍大的直徑。
另一方面，支持具孔34係由在探針支持具3的下端面具有開口之小徑部34a、以及具有比此小徑部34a的直徑大的大徑部34b所構成。小徑部34a具有比尖端部22a稍大的直徑。再者，大徑部34b係具有比凸緣部22b的直徑及/或線圈彈簧23的直徑稍大的直徑。上述支持具孔33及34的形狀係按照要收容之探針2的構成而決定。
第1柱塞21的凸緣部21c係藉由抵接於支持具孔33的小徑部33a與大徑部33b之交界壁面，而具有防止探針2從探針支持具3脫落的功能。再者，第2柱塞22的凸緣部22b係藉由抵接於支持具孔34的小徑部34a與大徑部34b之交界壁面，而具有防止探針2從探針支持具3脫落的功能。此外，支持具孔33、34的各交界壁面亦可為分別對應於凸緣部21c,22b、線圈彈簧23的直徑之階梯狀形狀。
第3圖係本實施形態的合金材料之一使用態樣的插座(接觸探針)之半導體積體電路檢查時的插座之主要部分的構成 之局部剖面圖，且為表示使用有探針支持具3之半導體積體電路100的檢查時之狀態的圖。於半導體積體電路100的檢查時，藉由來自半導體積體電路100的接觸荷重，使線圈彈簧23成為沿著長邊方向被壓縮的狀態。線圈彈簧23被壓縮時，如第3圖所示，第2柱塞22之基端部22d係進入到緊密捲繞部23a內，而與緊密捲繞部23a的內周側滑動接合。此時，第2柱塞22的軸線搖晃不大，故基端部22d與緊密捲繞部23a的內周之滑動接合穩定，同時緊密捲繞部23a僅些許曲折，故基端部22d與線圈彈簧23之接觸電阻穩定，而可得到確實的導通。
檢查時從電路基板200被供應到半導體積體電路100之檢查用信號係從電路基板200的電極201分別經由探針2而到達半導體積體電路100的連接用電極101。具體而言，在探針2中，經由第2柱塞22、緊密捲繞部23a、第1柱塞21而到達半導體積體電路100的連接用電極101。以此方式，在探針2中，第1柱塞21與第2柱塞22經由緊密捲繞部23a而進行導通，故可將電氣信號的導通路徑設為最小。因此，檢查時防止信號流動到寬鬆捲繞部23b，而可謀求電感的降低及穩定化。
再者，由於爪部21b的尖端係形成為尖細，故在連接用電極101的表面形成有氧化皮膜時亦刺破氧化皮膜，而可使爪部21b的尖端與連接用電極101直接接觸。
第4圖係表示本發明實施形態之合金材料的其他使用態樣之探針卡5的構成之部分剖面圖。探針卡5係藉由在切割之前的半導體晶圓之狀態下使具有導電性之探針接觸，以進行電氣特性檢查，並檢測(晶圓位準測試)不良品。
探針卡5具備：基板51，係形成薄的圓盤狀，而謀求與檢查裝置(未圖示)之電性連接；補強構件52，係裝設在基板51之一方的面，以補強基板51；中介層53，係將來自基板51的配線予以接線；空間變換器54，係將利用中介層53進行接線之配線的間隔予以變換；以及探針頭55，係形成比基板51的直徑小的圓盤狀而被積層在空間變換器54，且對應於檢查對象的配線圖案而收容保持複數個探針2a。此外，探針卡5具備：保持構件56，係被固設在基板51，且在將中介層53及空間變換器54予以積層之狀態下整批予以保持；以及片狀彈簧57，係被固設在保持構件56且將探針頭55的端部予以固定。
再者，形成在基板51之配線58的一端係為了進行與檢查裝置的連接而連接在複數個公連接器59，該公連接器59係配設於成為基板51的表面且裝設有補強構件52之側的表面，另一方面，該配線58的另一端係透過形成在空間變換器54的下端部之電極墊541(參照第5圖)而連接在利用探針頭55收容保持之探針2a。此外，在第4圖中，為了簡略記載，僅顯示一部分的配線58。
各公連接器59係對於基板51的中心配設成放射狀，且分別與設置在於檢查裝置之連接器座6相對向之位置的母連接器60形成一對，且藉由相互的端子接觸來確立探針2a與檢查裝置之電性連接。
第5圖係表示探針卡5之主要部分的構成之局部剖面圖。第5圖所示之探針2a係以與載置在晶圓承載器(wafer chuck)70之半導體晶圓100a(參照第4圖)的連接用電極101a之配 置圖案對應而一方的尖端突出之方式來配設，且各探針2a的尖端(底面側)係從與半導體晶圓100a之複數個連接用電極101a的表面垂直的方向接觸。
探針2a具備：第1柱塞24，係尖端與空間變換器54之電極墊541(接觸對象)接觸；第2柱塞22，係與檢查對象之半導體晶圓100a的連接用電極101a(接觸對象)接觸；以及線圈彈簧23，係設置在柱塞24,22之間，而伸縮自如地將第1柱塞24、第2柱塞22予以連結。相互連結之第1柱塞24、第2柱塞22及線圈彈簧23具有相同的軸線。此外，第2柱塞22及線圈彈簧23具有上述構成。此外，於與第1圖等說明的構成相同的構成要素，係標示有相同的符號。
第1柱塞24係在同軸上具有：尖端部21f，係形成尖細的尖端形狀；凸緣部21c，係從尖端部21f的基端側延伸，且具有比尖端部21f的直徑更大的直徑；以及上述凸台部21d及基端部21e。
探針頭55例如使用陶瓷等之絕緣性材料而形成，以朝探針頭55的厚度方向(第5圖的上下方向)貫穿之方式，於探針頭55設置有按照半導體晶圓100a的連接用電極101a的排列而個別地收容探針2a之支持具孔551。支持具孔551具備小徑部551a以及大徑部551b，其中，小徑部551a係以從半導體晶圓100a側的端面至少遍及比尖端部22a之長邊方向的長度更小的長度而形成，而大徑部551b係具有與此小徑部551a相同的中心軸，且具有比小徑部551a的直徑更大的直徑。小徑孔551a的內徑係比尖端部22a的外徑稍大且比凸緣部22b的外徑稍小。因此，支持具 孔551係將第2柱塞22予以固定。
收容在探針頭55之探針2a的數量與配置圖案係按照形成在半導體晶圓100a之半導體晶片的數量與連接用電極101a的配置圖案而決定。例如，以直徑8英吋(約200mm)之半導體晶圓100a作為檢查對象時，需要數十至數千個探針2a。此外，以直徑12英吋(約300mm)的半導體晶圓100a作為檢查對象時，需要數百個至數萬個探針2a。
進行半導體晶圓100a的檢查時，亦如第3圖所示，藉由來自半導體晶圓100a之接觸荷重，線圈彈簧23係成為沿著長邊方向被壓縮的狀態。線圈彈簧23被壓縮時，第2柱塞22的基端部22d係進入到緊密捲繞部23a內，且與緊密捲繞部23a之內周側滑動接合。此時，由於第2柱塞22的軸線搖晃不大，故基端部22d與緊密捲繞部23a的內周之滑動接合穩定，而且由於緊密捲繞部23a僅些微曲折，故基端部22d與線圈彈簧23之接觸電阻穩定，而可得到確實的導通。
此外，在此說明之探針2,2a的構成僅為一例，可將上述合金材料適用於以往習知的各種類的探針。例如，不限於由如上述之柱塞與線圈彈簧所構成者，亦可為使彈簧針或金屬線彎曲成弓狀而得到荷重之金屬線探針與連接電氣接點彼此之連接端子(連接器)。
在此，連接端子係連接電氣接點彼此者，例如，如上述探針2,2a具備分別與各電氣接點接觸之導電性的2個端子以及以可自由滑動之方式保持各端子之彈性構件(或保持構件)。在此種連接端子中，至少端子係由上述合金材料所構成。
(實施例)
以下，就本發明之合金材料的實施例及比較例加以詳細說明。首先，就本實施例之合金材料的製造及測量內容加以說明。
實施例及比較例之各合金材料係以預定的組成予以調配，且進行高頻溶解來製造成圓棒(φ 5mm、長度1000mm)的鑄塊(ligot)。使用於硬度試驗之硬度試驗片係依以下的方式所製造。將上述鑄塊予以切斷，且於得到2個φ 5mm、長度50mm之切斷鑄塊後，在850℃下進行1小時加熱並施以水冷且進行溶體化處理。之後將所切斷之一方的切斷鑄塊切斷為φ 5mm、長度10mm來製造硬度試驗片。使用維氏硬度試驗機，來測量溶體化處理後之硬度試驗片(溶體化材料)的維氏硬度。再者，將進行過溶體化處理之另一方的切斷鑄塊在400℃下進行1小時加熱(時效處理)之後，將之切斷為φ 5mm、長度10mm以作為硬度試驗片(時效材)，來測量時效處理後之維氏硬度。
電氣傳導度用之試驗片係依以下的方式予以製造。將之前製造之鑄塊切斷為φ 5mm、長度200mm且在850℃下進行1小時加熱並施以水冷且進行溶體化處理。之後，利用伸線機將進行過溶體化處理之溶體化材料滾軋加工成φ 2.0mm且施加84%的加工率。之後，在400℃下將進行過滾軋加工之溶體化材料進行1小時加熱(時效處理)，將之切斷為φ 2mm、長度300mm而製造為電氣傳導度用之試驗片。使用電阻測量機，測量此電氣傳導度用之試驗片的電阻值，以求取電氣傳導度。
加工性係利用光學顯微鏡觀察在電氣傳導度用之試 驗片施加有84%的加工率(滾軋加工)時之加工性的可否以及表面的裂痕。加工性的評估係將不會破裂而可進行加工且無裂痕者設為○，將不破裂而可進行加工但有裂痕者設為△，而將破裂無法進行加工者設為×。
接著，就本實施例之合金材料的各金屬之原子比例加以說明。第1表係表示第1至第32實施例之合金材料的原子比例(組成)與測量結果。第2表係表示第1至17比較例之合金材料的原子比例與測量結果。第1至13實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Mn添加3.5at%之組成，或在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，而將Mn添加0.5at%至3.5at%，復將Ir、Ru之1個或上述組合添加0.01at%至0.05at%之組成。此外，在第2比較例中，藉由Mn、Ir、Ru的添加，而使Ag及Pd的最終原子比例低於17at%。此外，在第1實施例中，藉由Mn及Ir的添加，而使Cu的最終原子比例低於30at%。
第14至16實施例係以原子比例為Ag17at%至 25at%、Pd30至45at%、Cu30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Sn添加1at%至2at%，復將Ir、Ru之種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。此外，在第14實施例中，藉由Sn及Ru的添加，而使Ag之最終原子比例小於17at%。
第17,18實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至 25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Si添加0.5at%至2at%，復將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。
第19,20實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Sb添加0.5at%至3at%，復將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。
第21,22實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Ti添加0.5at%至2at%，復將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。
第23,24實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Mg添加0.5at%至3.5at%，復將Ir、Ru之1個或上述組合添加0.01at%至0.05at%之組成。
第25至32實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，在不超出4.5at%之範圍內添加Mn0.5at%至3.5at%、Sn1at%至2at%、Si0.5at%至2at%、Sb0.5at%至3at%，Ti0.5at% 至2at%、Mg0.5at%至3.5at%之組合，復將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。
第1至5比較例係在原子比例上Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金。第6比較例係從上述組成區域偏離之組成。
第7,8比較例係在原子比例上從Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%之範圍偏離之Ag量低的組成。此外，第7比較例係以此Ag-Pd-Cu之3元合金作為基礎，將Mn添加3.5at%之組成，第8比較例係將Sn添加2at%之組成。
第9比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(最終原子比例20.00at%)、Pd佔30at%至45at%(36.00at%)、Cu佔30at%至53at%(40.00at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Mn添加4at%(>3.5at%)之組成。
第10比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(17.50at%)、Pd佔30at%至45at%(38.80at%)、Cu佔30at%至53at%(40.66at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Sn添加3at%(>2at%)，且將Ir添加0.04at%之組成。
第11比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(21.30at%)、Pd佔30至45at%(36.30at%)、Cu佔30至53at%(39.35at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金將Si添加3at%(>2at%)，且將Ir添加0.05at%之組成。
第12比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(17.20at%)、Pd佔30at%至45at%(33.40at%)、Cu佔30at%至 53at%(45.37at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Sb添加4at%(>3at%)，且將Ru添加0.03at%之組成。
第13比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(21.40at%)、Pd佔30at%至45at%(33.80at%)、Cu佔30at%至53at%(41.75at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Ti添加3at%(>2at%)，且將Ru添加0.05at%之組成。
第14比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(21.20at%)、Pd佔30at%至45at%(38.40at%)、Cu佔30at%至53at%(36.35at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Mg添加4at%(>3.5at%)，且添加有Ir0.03at%與Ru0.02at%之組合之組成。
第15比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(20.00at%)、Pd佔30at%至45at%(35.50at%)、Cu佔30at%至53at%(40.00at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，添加有Mn3.5at%與Sn2at%的組合之組成。
第16比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(24.35at%)、Pd佔30at%至45at%(33.05at%)、Cu佔30at%至53at%(41.55at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，將銦(In)添加1at%、且將Ir添加0.05at%之組成。
第17比較例係在原子比例上在Ag佔17at%至25at%(20.00at%)、Pd佔30at%至45at%(35.50at%)、Cu佔30at%至53at%(39.95at%)所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金，添加Mn3.5at%與In1at%之組合，且添加Ir 0.05at%之組成。
以下，就第1至32實施例及第1至17比較例之測量結果加以說明。第1實施例係確認到時效處理後之維氏硬度在 HV480以上(HV543)。此外，確認到比對Ag-Pd-Cu之3元合金不添加Mn的組成之第1至6比較例，時效處理後之維氏硬度較硬，且藉由添加Mn使維氏硬度提高。再者，第6比較例係分別從Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%的範圍偏離之組成，且確認到比起第1至5比較例，硬度特別低。但是，關於第1至第6比較例，由於在1小時內得不到充分的硬化，故在400℃下進行2小時的加熱且進行切斷，來測量時效處理後的硬度。
此外，與對Ag-Pd-Cu之3元合金添加有Mn3.5at%的組成之第7比較例相比較時，確認到3元合金係藉由在Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%的範圍內，時效處理後的維氏硬度會提高。並且在第9比較例中，確認到不論上述Ag-Pd-Cu3元合金的組成區域為何，若將Mn添加4.0at%，反而不容易產生時效硬化，而無法確認維氏硬度的提高，且加工性亦惡化。
第2至13實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu之3元合金作為基礎，將Mn添加0.5at%至3.5at%，且將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第2至13實施例係時效處理後之維氏硬度為HV487至554，加工性亦良好。依此結果，確認到比起不添加Mn與Ir、Ru之第1至5比較例，Mn與Ir、Ru的添加與維氏硬度的提高有關。
第6圖係表示本發明第8實施例之合金材料的圖，且為加工率84%之φ 2.0mm合金表面的圖像。如第6圖所示，於 合金材料的表面無細微的裂痕，表面良好。
第14至16實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Sn添加1at%至2at%，且將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第14至16實施例係時效處理後之維氏硬度為HV506至553，加工性亦良好。依據此結果，比起不添加Sn之第1至5比較例，確認到Sn的添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，第8比較例雖添加有Sn，但在Ag-Pd-Cu的3元合金中係從上述Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%的組成區域偏離之組成，且在此組成中，確認到看不出維氏硬度的提高。
再者，第10比較例係在本實施形態之組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Sn添加3at%(>2at%)之組成，雖可得到硬度提高的效果，但確認到其加工性惡化。
第17,18實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Si添加0.5at%至2at%，且將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第17,18實施例係時效處理後之維氏硬度為HV523、HV494，其加工性亦佳。結果，比起第1至5比較例，確認到Si的添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，第11比較例係在本實施形態之組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金，將Si添加3at%(>2at%)之組成，雖可得到硬度提高的效果，但確認到其加工性惡化。
第19,20實施例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金為基礎，將Sb添加0.5at%至3at%，將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第19,20實施例係時效處理後之維氏硬度為HV512、HV524，加工性亦佳。依據此結果，比起第1至5比較例，確認到Sb的添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，在第12比較例中，不論上述Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區域為何，若將Sb添加4at%(>3at%)時，反而不容易產生時效硬化，而確認到其加工性惡化。
第21,22比較例係在在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金為基礎，將Ti添加0.5at%至2at%，且將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第21,22比較例係時效處理後之維氏硬度為HV515、HV526，其加工性亦佳。依據此結果，比起第1至5比較例，確認到Ti的添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，在第13比較例中，不論上述Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區域為何，若將Ti添加3at%(>2at%)時，反而不容易產生時效硬化，而確認到其加工性惡化。
第23,24比較例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Mg添加0.5at%至3.5at%，且將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第23,24比較例係時效處理後之維氏硬度為HV511,523，其加工性亦佳。依據此結 果，比起第1至5比較例，確認到Mg的添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，在第14比較例中，不論上述Ag-Pd-Cu之3元合金的組成區域為何，若將Mg添加4at%(>3.5at%)時，反而不容易產生時效硬化，而確認到其加工性惡化。
第25至32比較例係在原子比例上以Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且該至少1種元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加，將Ir、Ru之1種或其組合添加0.01at%至0.05at%之組成。第25至32比較例係時效處理後之維氏硬度為HV523至530，其加工性亦佳。依據此結果，比起第1至5比較例，確認到Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg的組合添加與維氏硬度的提高有關。
相對於此，第15比較例係以本實施形態之組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，添加有Mn3.5at%、Sn2at%之組合之組成。第15比較例比起第25至32比較例，維氏硬度雖不變，但其加工性會惡化。依據此結果，確認到以Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之組合成為4.5at%以上時加工性會惡化，而不適合作為合金材料。
再者，第16比較例係以本實施形態之組成區域內的Ag-Pd-Cu之3元合金作為基礎，將In添加1at%以及將Ir添加0.05at之組成。第16比較例係維氏硬度為HV470，比起第1至5比較 例可得到硬度之提高，而比起將類似組成之Mn添加1at%的組成之第10實施例以及將Sn添加1at%的組成之第16實施例，維氏硬度的提高較小。此外，第16比較例比起將類似組成之Si、Sb、Ti、Mg的任一者予以組合而添加0.5at%的組成之第17、19、21、23實施例時，維氏硬度的提高較小。
再者，第17比較例係以本實施形態之組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Mn3.5at%與In1at%的組合予以添加，且將Ir添加0.05at%之組成。第17比較例比起Mn、Sn、Si、Sb、Ti、Mg之單獨添加與組合添加，無大的硬度之變化且其加工性些許惡化。藉此方式，確認到因添加金屬對於Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%所構成之Ag-Pd-Cu的3元合金之不同所產生之維氏硬度，係Mn、Sn、Si、Sb、Ti、Mg比In更具效果。
第7圖係表示本發明第17比較例之合金材料的圖，且為加工率84%之φ 2.0mm合金表面的圖像。如第7圖所示，於合金材料的表面，可看到細微的裂痕。
再者，在上述第1至32實施例及第1至17實施例中，設為將時效處理之溫度設為400℃進行處理之實施例加以說明，而在第7實施例之組成中，係將時效處理的溫度設為300℃(第7-1實施例)、350℃(第7-2實施例)、450℃(第7-3實施例)進行處理之硬度、電氣傳導度、加工性顯示在第1表。此外，在與第7-1實施例至第7-3實施例之添加金屬相同的合金材料(以本實施形態之組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金作為基礎，將Mn3.5at%與Ir0.05at%之組合予以添加)中，係將時效處理的溫度設為275℃(第 18-1比較例)、475℃(第18-2比較例)進行處理之硬度、電氣傳導度、加工性表示在第2表。
第7-1實施例、第7-2實施例、第7-3實施例係時效處理後之維氏硬度為HV481至541，其加工性亦佳。依據此結果，確認到即使時效處理的溫度為300℃、350℃、450℃，亦可得到良好的維氏硬度之合金材料。另一方面，第18-1比較例、第18-2比較例係時效處理後的維氏硬度為HV380、401。依據此結果，時效處理的溫度為比300℃更低溫，或比450℃更高溫時，無法得到良好的維氏硬度之合金材料。
此外，在電氣傳導度測量中，確認到於上述第1至32實施例、第7-1、7-2、7-3實施例中導電性良好。
此外，第1實施例與第3至10實施例、第15至17實施例、第19至32實施例係上述組成區域內之以18at%Ag-35at%Pd-47at%Cu、22at%Ag-35at%Pd-43at%Cu、18at%Ag-40at%Pd-42at%Cu、22at%Ag-40at%Pd-38at%Cu的各組成作為基礎，在4.5at%以下之範圍內添加有Mn、Sn、Si、Sb、Ti及Mg之至少1種，且在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別添加之組成。第1實施例與第3至10實施例、第15至17實施例、第19至32實施例比起第2比較例與第11至14實施例、第18實施例，維氏硬度的提高較大，故為了得到最大限度之硬度，更佳的是使用此組成區域內之Ag-Pd-Cu的3元合金。
(產業上之可利用性)
如以上所述，本發明之合金材料、由此合金材料所構成之接觸探針及連接端子係在導電性、硬度及加工性之方面，有助於作為接觸探針用。
1‧‧‧插座
2‧‧‧接觸探針(探針)
3‧‧‧探針支持具
4‧‧‧支持具構件
100‧‧‧半導體積體電路
200‧‧‧電路基板

Claims (5)

  1. 一種合金材料，係在銀(Ag)、鈀(Pd)、銅(Cu)之3元合金的組成區域中，設為Ag佔17at%至25at%、Pd佔30at%至45at%、Cu佔30at%至53at%之組成，且以該組成作為基礎，在4.5at%以下的範圍內添加有錳(Mn)、錫(Sn)、矽(Si)、銻(Sb)、鈦(Ti)及鎂(Mg)之至少1種，且該1種以上的元素係在Mn佔0.5at%至3.5at%、Sn佔1at%至2at%、Si佔0.5at%至2at%、Sb佔0.5at%至3at%、Ti佔0.5at%至2at%、Mg佔0.5at%至3.5at%之範圍內分別予以添加，另以0.01at%至0.05at%之範圍內添加有銥(Ir)及釕(Ru)之1種或其組合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之合金材料，其中，以300℃至450℃進行加熱來實施時效處理後之維氏硬度為HV480至560。
  3. 一種接觸探針，係在長邊方向的兩端分別與接觸對象接觸之導電性的接觸探針，其至少一部分係使用申請專利範圍第1或2項所述之合金材料而形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之接觸探針，其具有：導電性的第1柱塞，係在一端與一方的接觸對象接觸；導電性的第2柱塞，係在一端與另一方的接觸對象接觸；以及線圈彈簧，係設置在前述第1及第2柱塞之間而伸縮自如地將該第1及第2柱塞予以連結，而前述第1柱塞、前述第2柱塞及前述線圈彈簧中之至少一者係由前述合金材料所構成。
  5. 一種連接端子，係在長邊方向的兩端分別與接觸對象接觸之導電性的連接端子，其至少一部分係使用申請專利範圍第1或2項所述之合金材料而形成。
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