TWI489574B - 蝕刻基板的設備 - Google Patents
蝕刻基板的設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI489574B TWI489574B TW101115399A TW101115399A TWI489574B TW I489574 B TWI489574 B TW I489574B TW 101115399 A TW101115399 A TW 101115399A TW 101115399 A TW101115399 A TW 101115399A TW I489574 B TWI489574 B TW I489574B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- etchant
- nozzle
- etching chamber
- frame
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
本案案主張2012年2月3日向韓國智慧財產權局(Korean Intellectual Property Office)申請的韓國專利申請案第10-2012-0011490號的優先權及權利,該申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明涉及一種蝕刻基板的設備,且更特定地說,涉及一種蝕刻基板的設備,其中蝕刻劑是從頂部向下噴射到複數個垂直裝載基板,以便隨著蝕刻劑沿基板的表面流動而使基板的厚度變微薄;將蝕刻劑噴射到複數個垂直裝載基板的噴射裝置經排列為可從蝕刻腔的內部取出,以便促進維護;且安裝到構成噴射裝置的複數個噴射模組的噴嘴的耦合位置經改進以防止渣滓積聚於噴嘴棒內部。
隨著半導體及顯示設備的近期工業發展,並根據需要輕型、薄、簡單且緊密的產品的消費者的需求,已迫切需要使由玻璃自身製造或呈與玻璃耦合的形式的顯示面板變薄的開發技術。
亦即,已要求用於液晶顯示器(LCD)等等的基板中的玻璃具有超微薄厚度,以便與設備的緊密度保持同步,且經由蝕刻顯示面板而實現超微薄厚度。舉例而言,浸漬方法、噴射方法等等已被廣泛地稱為使面板變薄的一般化學蝕刻方法。
然而,此類蝕刻方法必須不可避免地從外部噴射蝕刻劑或為浸漬中的蝕刻提供氣泡,且因此,由於蝕刻表面上的微小顆粒或劃痕而難以實現玻璃蝕刻及基於玻璃蝕刻的變薄工序。
為了解決此問題,本案申請人已在2010年2月23日申請名為「自頂向下噴射型基板蝕刻裝置(top-down spray type substrate etching device)」的專利申請案(韓國專利申請案第10-2010-0016078號),且此專利已發佈。
「自頂向下噴射型基板蝕刻裝置」使用噴射裝置將蝕刻劑噴射到裝載於匣子中的複數個基板。具體而言,如圖1所示,上述裝置包括:匣子20,至少一個基板垂直地裝載於匣子20中;及噴射裝置10,噴射裝置10排列於匣子20的頂部上並將蝕刻劑噴射到垂直地裝載於匣子20中的基板。
因此,垂直地裝載基板,且接著將蝕刻劑從基板的頂部噴射到基板,使得可隨著所噴射的蝕刻劑以蝕刻劑自重流動而蝕刻基板的兩側。
此處,噴射裝置10排列於蝕刻腔的頂部上,且匣子20設置於蝕刻腔內部,同時處於噴射裝置10下方。在此結構的情況下,噴射裝置10將蝕刻劑從頂部向下噴射到裝載於匣子20中的複數個基板。
噴射裝置10由工人週期性地清理。在前述結構中,噴射裝置10固定於蝕刻腔內部,且因此存在如下問題:工人可能會不可避免地進入蝕刻腔,以便維護或清理噴射裝置10,或即使她/他不進入蝕刻腔,亦必須經歷顯著麻煩且複雜的工序。
此外,參看圖2,應用於一般普通噴射裝置10的噴射模組11經配置成使得噴嘴11b耦合到形成於噴嘴棒11a中的噴射孔11a。
然而,如圖2所示,噴嘴棒11a的外徑與內徑之間的厚度如此薄以致於當噴嘴11b耦合到噴射孔11a時,噴嘴11b的耦合部分可從噴嘴棒11a向內伸出。
因此,當將蝕刻劑供應到噴嘴棒11a的內部且經由噴嘴11b而噴射蝕刻劑時,蝕刻劑連續地流入從噴嘴棒11a向內伸出的噴嘴11b的耦合部分,使得因為蝕刻劑未圍繞從噴嘴棒11a向內伸出的噴嘴11b的耦合部分平滑地流動,所以渣滓可積聚於從噴嘴棒11a向內伸出的噴嘴11b的耦合部分上。
因此,本發明經構思以解決前述問題,且本發明的態樣是提供一種蝕刻基板的設備,其中蝕刻劑是從頂部向下噴射到複數個垂直裝載基板,以便隨著蝕刻劑沿基板的表面流動而使基板的厚度變微薄;將蝕刻劑噴射到複數個垂直裝載基板的噴射裝置經排列為可從蝕刻腔的內部取出,以便促進維護;且安裝到構成噴射裝置的複數個噴射模組的噴嘴的耦合位置經改進以防止渣滓積聚於噴嘴棒內部。
根據本發明的示範性實施例,提供一種蝕刻基板的設備,設備包括:蝕刻腔;匣子,匣子以至少一個基板垂直地裝載於匣子中的狀態排列於蝕刻腔內部;及噴射裝置,噴射裝置排列於蝕刻腔內部以在匣子上方噴射蝕刻劑,噴射裝置包括:框架供應管,框架供應管是經由在蝕刻腔中使四個框架管彼此連接而形成,框架供應管是矩形地且水平地安置並從外部接收蝕刻劑;支架,支架分別支撐構成框架供應管的四個框架管當中彼此相對的框架管以穩定地安放於蝕刻腔的內壁上;及複數個噴射模組,每一個噴射模組的兩端分別與構成框架供應管的四個框架管當中的相對框架管連通並耦合,且複數個噴射模組從框架供應管接收蝕刻劑並將蝕刻劑噴射到基板。
支架可固定地耦合到蝕刻腔的內壁。
支架可滑動地耦合到蝕刻腔的內壁,使得可經由形成於蝕刻腔的側壁中的可拆卸門而取出噴射裝置。
支架可包括在支架的下端中的滑件,且蝕刻腔的內壁包括導軌,滑件可在導軌上水平地移動。
噴射模組可耦合到除了由支架支撐並安放的相對框架管之外的相對框架管。
噴射模組可包括:噴嘴棒,噴嘴棒的兩端都耦合到緊固部分,緊固部分分別形成於相對框架管中,且該噴嘴棒具備複數個噴射孔,複數個噴射孔是按行縱長地排列並彼此隔開;噴嘴耦合板,噴嘴耦合板附接於噴嘴棒的縱向方向上並具備複數個噴嘴耦合孔,複數個噴嘴耦合孔分別在垂直方向上與複數個噴射孔連通;及噴嘴,噴嘴耦合到噴嘴耦合孔並將蝕刻劑噴射到基板,蝕刻劑從噴射孔出來。
耦合到噴嘴耦合孔的噴嘴的頂部可經定位成低於噴射孔。
如上文所描述,提供一種蝕刻基板的設備,且因此存在如下優勢:蝕刻劑是從頂部向下噴射到複數個垂直裝載基板,以便隨著蝕刻劑沿基板的表面流動而使基板的厚度變微薄;將蝕刻劑噴射到複數個垂直裝載基板的噴射裝置經排列為可從蝕刻腔的內部取出,以便促進維護;且安裝到構成噴射裝置的複數個噴射模組的噴嘴的耦合位置經改進以防止渣滓積聚於噴嘴棒內部。
在下文中,將參看隨附圖式詳細地描述根據具有前述問題、解決方案及效果的本發明的蝕刻基板的設備的示範性實施例。
此處,圖式所示的元件的大小、形狀等等可出於說明清晰性及便利性起見而誇示。此外,在特定地考慮本發明的配置及操作的情況下而界定的術語可取決於使用者或操作員的意圖或習慣而變化。另外,此類術語必須基於貫穿本說明書的內容予以界定。
圖3是根據示範性實施例的蝕刻基板的設備的透視圖。如圖3所示,根據此示範性實施例的蝕刻基板的設備包括蝕刻腔30、放置於蝕刻腔30內的匣子20,及放置於蝕刻腔30內並安置於匣子20上方的噴射裝置10。
蝕刻腔30提供關於裝載於匣子20中的基板而執行蝕刻工序或變微薄工序的空間。蝕刻腔30可被獨立地配置,或直列式連接到裝載/卸載腔(未圖示)及清理腔(未圖示),由此使基板經受各種工序。
若蝕刻腔30直列式連接到裝載/卸載腔(未圖示)及清理腔(未圖示),則連接到清理腔(未圖示)或裝載/卸載腔(未圖示)的部分經形成有門,匣子20經由門而進出。
另外,蝕刻腔30經形成有可拆卸門(參看圖6中的「33」),可拆卸門具有預定形狀,使得噴射裝置10可從蝕刻腔取出
來。由於噴射裝置10是經由可拆卸門33取出來,故易於實行對噴射裝置10的維護。
匣子20及噴射裝置10放置於蝕刻腔30內部。具體而言,匣子20放置於蝕刻腔30的內底上,且噴射裝置10安置於匣子20上方。
匣子20可具有各種形狀以將待經受蝕刻工序的基板裝載於匣子20中。然而,匣子20必須具有垂直地將至少一個基板裝載於匣子20中的結構。匣子20在垂直方向上裝載至少一個基板的原因是:當蝕刻劑從安置於匣子20上方的噴射裝置10朝向基板1噴射時,蝕刻劑可蝕刻基板1,同時歸因於蝕刻劑自重而向下流動。
因此,匣子20具有複數個基板1可在垂直方向上裝載的結構。另外,若提供複數個腔(在蝕刻腔30直列式連接到裝載/卸載腔及清理腔的情況下),則匣子20經配置以在腔之間移動。舉例而言,若滾筒提供於匣子20的底部下方且軌道形成於腔的底部上,則可驅動匣子20以在腔之間移動。
噴射裝置10安置於匣子20上方,匣子20放置於蝕刻腔30內部,同時在垂直方向上裝載有至少一個基板(如同上述)。噴射裝置10經配置以在匣子20上方噴射蝕刻劑。
只要噴射裝置10可在匣子20上方朝向裝載於匣子20中的複數個基板噴射蝕刻劑,噴射裝置10就可具有各種結構。本
示範性實施例提出噴射裝置10的結構,此結構可容易製造、具有簡單結構、無渣滓且容易維護。
在此示範性實施例中,噴射裝置10的配置是如圖4及圖5所示。圖4圖示噴射裝置10固定於蝕刻腔30中,且圖5圖示噴射裝置10在蝕刻腔30內可水平地移動並可在外部取出。
如圖4及圖5所示,噴射裝置10是經由在蝕刻腔30內部使四個框架管13a及13b彼此耦合而形成,且經配置以包括:框架供應管13,框架供應管13是矩形地且水平地安置並從外部接收蝕刻劑;支架15,支架15分別支撐構成框架供應管13的四個框架管當中彼此相對的框架管,使得框架管可穩定地安放於蝕刻腔30的內壁上;及複數個噴射模組11,每一個噴射模組11的兩端分別與構成框架供應管13的四個框架管當中彼此相對的框架管連通並耦合,且複數個噴射模組11從框架供應管13接收蝕刻劑並將蝕刻劑噴射到基板1。
如圖4及圖5所示,框架供應管13是經由連接四個框架管13a及13b而配置,四個框架管13a及13b分別與蝕刻腔30的四個壁彼此平行地排列。四個框架管13a及13b彼此連接以由此形成矩形框架供應管13,且四個框架管13a及13b水平地安置於蝕刻腔30中。
換言之,框架供應管13包括:第一對框架管13a,第一對框架管13a經配置為形成一對的兩個相對框架管;及第二對框架管13b,第二對框架管13b經配置為形成一對的兩個相對框
架管(除了第一對框架管13a之外)。
框架供應管13與矩形管道相似,矩形管道形成蝕刻劑被裝填並流動的空間。另外,框架供應管13從蝕刻腔30的外部接收蝕刻劑。
具體而言,放置於蝕刻腔30外部的蝕刻劑槽(未圖示)的蝕刻劑由蝕刻劑供應泵(未圖示)抽吸且供應到框架供應管13。框架供應管13經形成有蝕刻劑入口管13d,蝕刻劑入口管13d彼此面對且從外部接收蝕刻劑並朝向框架供應管13引導蝕刻劑。
亦即,如圖4及圖5所示,蝕刻劑入口管13d從外部接收蝕刻劑並將蝕刻劑引導到框架供應管13,每一個蝕刻劑入口管13d的一端分別連接到構成第一對框架管13a或第二對框架管13b且彼此相對的框架管。蝕刻劑入口管13d的另一端連接到蝕刻劑分配管(未圖示),蝕刻劑分配管連接到放置於蝕刻腔30外部的蝕刻劑供應泵(未圖示)。因此,由蝕刻劑供應泵(未圖示)抽吸的蝕刻劑經由蝕刻劑分配管(未圖示)而供應到蝕刻劑入口管13d,且供應到蝕刻劑入口管13d的蝕刻劑被引導到框架供應管。因此,被引導到框架供應管13的蝕刻劑被分割且供應到與框架供應管13連通並連接的噴射模組11。
由於框架供應管13水平地排列於蝕刻腔30上方,故框架供應管13必須穩定地安裝到蝕刻腔30。為此,支架15分別支
撐構成框架供應管13的四個框架管當中彼此相對的兩個框架管,由此穩定地將兩個框架管安放於蝕刻腔30的內壁上。
詳細而言,支架15分別支撐彼此面對且構成第一對框架管13a或第二對框架管13b的兩個框架管,由此穩定地將兩個框架管安裝於蝕刻腔30的內壁上。穩定地支撐框架供應管13的支架15緊固到(參看圖4)或可滑動地耦合到(參看圖5)蝕刻腔30的內壁,此稍後將予以描述。
如同上述,由支架15穩定地支撐的框架供應管13接收蝕刻劑並將蝕刻劑供應到分支噴射模組11。因此,如圖4及圖5所示,複數個噴射模組11中的每一個與框架供應管13連通並連接。
舉例而言,複數個噴射模組11經排列以從框架供應管13接收蝕刻劑並將蝕刻劑噴射到垂直地裝載於匣子20中的複數個基板,每一個噴射模組11的兩端分別與構成框架供應管13的四個框架管當中彼此相對而排列的兩個框架管連通並耦合。
參看圖4及圖5,每一個噴射模組11的兩端分別緊固到彼此面對且分別形成於彼此相對而排列的兩個框架管中的緊固部分13c。在圖4及圖5中,緊固部分13c分別形成於構成第二對框架管13b且彼此相對的框架管中。亦即,複數個緊固部分13c是按行水平地形成於彼此相對的每一個框架管上。另外,形成於個別框架管中的緊固部分13c彼此對應並面對。因
此,噴射模組11的兩端分別緊固到彼此對應並面對的兩個緊固部分13c。
因此,框架供應管13中的蝕刻劑被分割且經由每一個噴射模組11的兩端而供應到個別噴射模組11。亦即,從每一個噴射模組11的兩端引導的蝕刻劑供應於基板上方,此稍後將予以描述。稍後將描述噴射模組11的詳細結構。
如上文所描述,因為噴射模組11的兩端經由緊固部分13c而與框架供應管13連通並緊固到框架供應管13,所以經由蝕刻劑入口管13d而引入的蝕刻劑經由框架供應管13而直接供應到噴射模組11且接著噴射到基板。
換言之,在未經由複雜結構(其中蝕刻劑分配管(未圖示)是一對一地連接到個別噴射模組)將蝕刻劑噴射到基板的情況下,蝕刻劑可經由簡單結構(其中蝕刻劑是經由蝕刻劑入口管13d及一個框架供應管13而從一個蝕刻劑分配管(未圖示)供應到複數個噴射模組11)而供應到複數個基板。
前述噴射裝置10被穩定地支撐於蝕刻腔30的內壁上(如上文所描述)。具體而言,構成噴射裝置10的支架15穩定地安放於蝕刻腔30的內壁上,使得噴射裝置10可穩定地安裝到蝕刻腔30的內壁。
為了使支架15穩定地安裝到蝕刻腔30的內壁(如同上述),底座部件31從蝕刻腔30中彼此面對的每一個內壁水平
地伸出(如圖4及圖5所示)。
支架15固定地緊固到或可滑動地耦合到蝕刻腔30的內壁上的底座部件31。亦即,支架15固定地緊固到或可滑動地耦合到蝕刻腔30的內壁上的底座部件31(如圖4所示),或可滑動地耦合到蝕刻腔30的內壁上的底座部件31(如圖5所示)。
儘管圖4展示支架15固定地緊固到或可滑動地耦合到蝕刻腔30的內壁上的底座部件31,但支架15可滑動地耦合到底座部件31,以便促進維護。
亦即,如圖5及圖6所示,支架15可滑動地耦合到蝕刻腔30的內壁,使得噴射裝置10可經由形成於蝕刻腔30的側壁中的可拆卸門33取出。
具體而言,滑件17提供於支架15的下端中,且導軌19形成於底座部件31(底座部件31形成於蝕刻腔30的內壁中)上,使得滑件17可在導軌19上水平地移動。由此,由支架15穩定地安放並支撐的噴射裝置10可經配置以在形成於蝕刻腔30的內壁中的底座部件31上滑動。
為了從蝕刻腔30向外取出噴射裝置10,在蝕刻腔30的側壁上形成具有預定形狀的可拆卸門33(如圖6所示)。因此,在打開可拆卸門33之後,操作員用他/她的手或工具向外拉動框架供應管13,使得噴射裝置10可從蝕刻腔30向外取出(如
圖6所示)。
只要噴射裝置10可經由可拆卸門33向外取出,可拆卸門33就可具有各種形狀。舉例而言,如圖6所示,若噴射裝置10經設計為以蝕刻劑入口管13d耦合到框架供應管13的狀態向外取出,則可拆卸門33可呈「」形狀。此時,連接到蝕刻劑入口管13d的另一端及蝕刻劑供應泵(未圖示)的蝕刻劑分配管(未圖示)在噴射裝置10向外取出之前被分離,且因此不存在對取出噴射裝置10的干擾。
如此,噴射裝置10可容易從蝕刻腔30向外取出,使得可提高工人的安全性且可基於噴射裝置10的分離而促進維護。
同時,在對噴射裝置10的維護工作完成之後,噴射裝置10通常被組裝並放回到蝕刻腔30。此時,使用O型環及遮蓋物關閉可拆卸門33。
如上文所描述,根據本發明的示範性實施例的蝕刻基板的設備具有如下優勢:簡化了將蝕刻劑噴射到基板的噴射裝置10的結構,且促進了噴射裝置10的維護。
同時,由於構成噴射裝置10的複數個噴射模組11的兩端分別緊固到兩個相對框架管13a或13b,故複數個噴射模組11逐一耦合。噴射模組11可緊固到由支架15支撐並安放的框架管,但較佳的是,噴射模組11緊固到除了由支架15支撐並安放的框架管之外的框架管。
亦即,噴射模組11可緊固到除了由支架15支撐並安放的相對框架管之外的相對框架管。舉例而言,如圖4及圖5所示,需要如下簡易排列:構成框架供應管13的第一對框架管13a由支架15支撐並安放,且噴射模組11緊固到第二對框架管13b,第二對框架管13b對應於除了第一對框架管13a之外的框架管。
用於此示範性實施例中的噴射模組11具有與現有普通噴射模組的結構不同的結構。亦即,此示範性實施例中的噴射模組11具有使渣滓的積聚最小化的結構。
具體而言,如圖7及圖8所示,用於此示範性實施例中的噴射模組包括:噴嘴棒11a,噴嘴棒11a的兩端都耦合到緊固部分13c,緊固部分13c分別形成於相對框架管中,且噴嘴棒11a具備複數個噴射孔11a',複數個噴射孔11a'是按行縱長地排列並彼此隔開;噴嘴耦合板11c,噴嘴耦合板11c附接於噴嘴棒11a的縱向方向上並具備複數個噴嘴耦合孔11c',複數個噴嘴耦合孔11c'分別在垂直方向上與複數個噴射孔11a'連通;及噴嘴11b,噴嘴11b耦合到噴嘴耦合孔11c'並將蝕刻劑噴射到基板,蝕刻劑從噴射孔11a'出來。
噴嘴棒11a是與普通噴射模組的噴嘴棒相似地形成。亦即,噴嘴棒11a的形狀類似於由抵抗蝕刻劑的材料製成的管的形狀。然而,根據本發明的示範性實施例的噴嘴棒11a經形成有待緊固到緊固部分13c(緊固部分13c在緊固部分13c的兩端
處連接到框架供應管13)的耦合部分11a",使得不是一端而是兩端可連接到框架供應管13。因此,若在噴嘴棒11a的兩端與緊固部分13c會合之後使耦合部分11a"旋轉,則耦合部分11a"與緊固部分13c螺旋耦合,由此緊固噴嘴棒11a。
此外,與噴嘴被螺旋耦合到的現有噴嘴棒相反,複數個噴射孔11a'(沿噴嘴棒11a的縱長方向以預定間隔而形成)不與噴嘴螺旋耦合,但充當僅僅朝向噴嘴11b引導蝕刻劑的通道。
噴嘴耦合板11c附接並耦合到噴嘴棒11a,噴嘴棒11a經形成有沿噴嘴棒11a的縱向方向的噴射孔11a'。另外,噴嘴耦合板11c經形成有複數個噴嘴耦合孔11c',且噴嘴耦合板11c耦合到噴嘴棒11a,使得噴嘴耦合孔11c可垂直地與噴射孔11a'連通。亦即,噴嘴耦合孔11c'具有與噴射孔11a'的數目及間隔相同的數目及間隔。
噴嘴耦合孔11c'為與噴嘴11b被耦合到的部分。亦即,噴嘴11b不螺旋耦合到噴嘴棒11a,但螺旋耦合到形成於新加的噴嘴耦合板11c上的噴嘴耦合孔11c'。因此,噴嘴11b耦合到噴嘴耦合孔11c',且將蝕刻劑噴射到基板,蝕刻劑經由噴射孔而出來。
由於噴嘴11b耦合到噴嘴耦合板11c的噴嘴耦合孔11c',故耦合到噴嘴耦合孔11c'的噴嘴11b的頂部11b'經定位成低於噴射孔11a'(如圖8所示)。亦即,噴嘴11b的頂部11b'未從噴
嘴棒11a向內伸出。因此,與一般噴射模組相對比,根據本發明的示範性實施例的噴射模組11可防止渣滓積聚於噴嘴棒11a內部。
因此,延長了清理噴射模組11的工作週期,且因此有可能減少維護的時間、成本及精力。此外,積聚於噴嘴棒內部的渣滓顯著地少於一般噴嘴棒的渣滓,且因此進一步有可能容易移除渣滓並減少移除渣滓的時間、成本及精力。
儘管已圖示並描述本發明的少許示範性實施例,但本領域技藝人士應瞭解,可在此等實施例中進行改變而不脫離本發明的原則及精神,本發明的範疇是在附加申請專利範圍及申請專利範圍等效者中予以界定。
1‧‧‧基板
10‧‧‧噴射裝置
11‧‧‧噴射模組
11a‧‧‧噴嘴棒
11a'‧‧‧噴射孔
11a"‧‧‧耦合部分
11b‧‧‧噴嘴
11b'‧‧‧頂部
11c‧‧‧噴嘴耦合板
11c'‧‧‧噴嘴耦合孔
13‧‧‧框架供應管
13a‧‧‧框架管
13b‧‧‧框架管
13c‧‧‧緊固部分
13d‧‧‧蝕刻劑入口管
15‧‧‧支架
17‧‧‧滑件
19‧‧‧導軌
20‧‧‧匣子
30‧‧‧蝕刻腔
31‧‧‧底座部件
33‧‧‧可拆卸門
根據示範性實施例的以下描述連同隨附圖式,本發明的上述態樣及/或其他態樣將變得顯而易見且更容易被瞭解,其中:圖1是一般自頂向下噴射型基板蝕刻裝置的示意圖;圖2是用於一般自頂向下噴射型基板蝕刻裝置中的噴射模組的詳細視圖;圖3是根據示範性實施例的蝕刻基板的設備的透視圖;
圖4是根據示範性實施例的噴射裝置的第一配置圖,噴射裝置用於蝕刻基板的設備中;圖5是根據示範性實施例的噴射裝置的第二配置圖,噴射裝置用於蝕刻基板的設備中;圖6是根據示範性實施例的圖示噴射裝置的滑動狀態的示意圖,噴射裝置用於蝕刻基板的設備中;圖7是根據示範性實施例的包括於噴射裝置中的噴射模組的分解透視圖,噴射裝置用於蝕刻基板的設備中;及圖8圖示根據示範性實施例的包括於噴射裝置中的噴射模組的耦合視圖及部分詳細視圖,噴射裝置用於蝕刻基板的設備中。
1‧‧‧基板
10‧‧‧噴射裝置
11‧‧‧噴射模組
13‧‧‧框架供應管
15‧‧‧支架
20‧‧‧匣子
30‧‧‧蝕刻腔
33‧‧‧可拆卸門
Claims (7)
- 一種蝕刻一基板的設備,該設備包含:一蝕刻腔;一匣子,該匣子以至少一個基板垂直地裝載於該匣子中的狀態排列於該蝕刻腔內部;及一噴射裝置,該噴射裝置排列於該蝕刻腔內部以在該匣子上方噴射一蝕刻劑,該噴射裝置包含:一框架供應管,該框架供應管是藉由在該蝕刻腔中使四個框架管彼此連接而形成,該框架供應管是矩形地且水平地安置並從外部接收該蝕刻劑;複數個支架,該等支架分別支撐構成該框架供應管的該四個框架管當中彼此相對的框架管以穩定地安放於該蝕刻腔的一內壁上;及複數個噴射模組,每一噴射模組的兩端分別與構成該框架供應管的該四個框架管當中的該等相對框架管連通並耦合,且該複數個噴射模組從該框架供應管接收該蝕刻劑並將該蝕刻劑噴射到該基板。
- 如請求項1述及之設備,其中該等支架分別固定地耦合到該蝕刻腔的該內壁。
- 如請求項1述及之設備,其中該等支架分別可滑動地耦合到該蝕刻腔的該內壁,使得可經由形成於該蝕刻腔的一側壁中的一可拆卸門而取出該噴射裝置。
- 如請求項3述及之設備,其中該等支架分別包含在該等支架的一下端中的一滑件,且該蝕刻腔的該內壁包含一導軌,該滑件可在該導軌上水平地移動。
- 如請求項2或請求項3述及之設備,其中該噴射模組耦合到除了分別由該等支架支撐並安放的該等相對框架管之外的該等相對框架管。
- 如請求項5述及之設備,其中該噴射模組包含:一噴嘴棒,該噴嘴棒的兩端都耦合到緊固部分,該等緊固部分分別形成於該等相對框架管中,且該噴嘴棒具備複數個噴射孔,該複數個噴射孔是按一行縱長地排列並彼此隔開;一噴嘴耦合板,該噴嘴耦合板附接於該噴嘴棒的一縱向方向上並具備複數個噴嘴耦合孔,該複數個噴嘴耦合孔分別在一垂直方向上與該複數個噴射孔連通;及一噴嘴,該噴嘴耦合到該噴嘴 耦合孔並將該蝕刻劑噴射到該基板,該蝕刻劑從該噴射孔出來。
- 如請求項6述及之設備,其中耦合到該噴嘴耦合孔的該噴嘴的一頂部經定位成低於該噴射孔。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120011490A KR101151296B1 (ko) | 2012-02-03 | 2012-02-03 | 기판 에칭 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201334096A TW201334096A (zh) | 2013-08-16 |
TWI489574B true TWI489574B (zh) | 2015-06-21 |
Family
ID=46688532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101115399A TWI489574B (zh) | 2012-02-03 | 2012-04-30 | 蝕刻基板的設備 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5064604B1 (zh) |
KR (1) | KR101151296B1 (zh) |
CN (1) | CN103241956B (zh) |
TW (1) | TWI489574B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101491069B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2015-02-10 | 주식회사 위스코하이텍 | 기판연마장치 |
CN104888996B (zh) * | 2015-06-29 | 2017-08-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 喷淋组件以及具有该喷淋组件的湿刻设备 |
CN110078381B (zh) * | 2019-05-05 | 2023-06-09 | 蚌埠市羚旺新工艺材料研发科技有限公司 | 一种喷淋式玻璃基板减薄线 |
CN115094420B (zh) * | 2022-07-12 | 2023-09-26 | 深圳市杰昌实业有限公司 | 一种金属表面化学刻蚀处理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200741850A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for etching a substrate |
KR20080025880A (ko) * | 2006-09-19 | 2008-03-24 | (주)에스티아이 | 식각장치 및 식각방법 |
TW201002636A (en) * | 2008-04-10 | 2010-01-16 | M M Tech Co Ltd | Downward type apparatus for slimming substrate and slimming system of the same |
CN102161570A (zh) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | 株式会社M-M技术 | 上部向下喷射式基板蚀刻装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080088949A (ko) * | 2007-03-30 | 2008-10-06 | 김용노 | 유리기판 에칭장치 |
KR100860294B1 (ko) | 2008-01-09 | 2008-09-25 | 주식회사 이코니 | 유리기판 에칭 장치와 상기 에칭 장치에 의하여 제조된유리박판 |
KR101108974B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2012-01-31 | 주식회사 이코니 | 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치 |
-
2012
- 2012-02-03 KR KR1020120011490A patent/KR101151296B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-04-20 JP JP2012096811A patent/JP5064604B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-30 TW TW101115399A patent/TWI489574B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-05-02 CN CN201210137087.8A patent/CN103241956B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200741850A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for etching a substrate |
KR20080025880A (ko) * | 2006-09-19 | 2008-03-24 | (주)에스티아이 | 식각장치 및 식각방법 |
TW201002636A (en) * | 2008-04-10 | 2010-01-16 | M M Tech Co Ltd | Downward type apparatus for slimming substrate and slimming system of the same |
CN102161570A (zh) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | 株式会社M-M技术 | 上部向下喷射式基板蚀刻装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101151296B1 (ko) | 2012-06-08 |
CN103241956B (zh) | 2014-10-08 |
CN103241956A (zh) | 2013-08-14 |
JP5064604B1 (ja) | 2012-10-31 |
JP2013162119A (ja) | 2013-08-19 |
TW201334096A (zh) | 2013-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5272197B2 (ja) | 下向き式基板薄型化装置及びこれを用いた薄型化システム | |
TWI489574B (zh) | 蝕刻基板的設備 | |
KR101580712B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR101068113B1 (ko) | 유리기판 에칭장치 | |
JP2008311657A (ja) | 基板エッチング装置及び基板の処理方法 | |
KR101108974B1 (ko) | 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치 | |
TW200830399A (en) | Substrate cleaning apparatus | |
KR101085429B1 (ko) | 노즐유닛의 교체가 용이한 식각 장치 | |
KR20100059444A (ko) | 복합형 에칭 장치 및 이를 이용한 에칭 시스템 | |
JP2015160148A (ja) | 洗浄装置 | |
CN101954790B (zh) | 清扫单元、具有它的处理液涂敷装置和利用它的清扫方法 | |
KR101037171B1 (ko) | 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치 | |
JP5430429B2 (ja) | スリットノズル及びスリットノズル清掃装置及びスリットノズル清掃方法 | |
KR20140089894A (ko) | 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법 | |
KR101368193B1 (ko) | 유리기판 식각장치 | |
KR101240959B1 (ko) | 에칭액 분사를 위한 노즐을 포함하는 에칭액 공급장치 및 유리기판 에칭 장치 | |
CN101412587B (zh) | 衬底薄化设备、方法和组件 | |
KR20080101466A (ko) | 보조 챔버가 구비된 아쿠아나이프 | |
KR20120116580A (ko) | 기판 수세 장치 | |
KR101391078B1 (ko) | 유리기판 에칭장치 | |
KR101292648B1 (ko) | 상부 하향식 기판 에칭 장치 | |
KR102157838B1 (ko) | 노즐 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법 | |
JP2011153732A (ja) | 平板カセットの乾燥装置及びその方法 | |
JP5748327B2 (ja) | 洗浄装置 | |
KR101208970B1 (ko) | 하향식 기판 박형화 장치용 사각 타입 에칭액 유출 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |