KR20140089894A - 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법 - Google Patents

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Abstract

액정 표시 장치는 기판을 수용하며, 바닥부에 식각액이 배출되는 통공이 형성되고, 식각액을 수용하도록 네 개의 측벽이 형성된 수납용기 및 상기 수납용기의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제1분사 수단을 포함하고, 상기 수납용기는 상기 바닥부에 형성된 통공을 개폐시키는 개폐 구동부를 더 포함하며, 상기 제1 분사 수단은 식각액을 공급받는 공급관 및 상기 공급관에 연결되어 상기 수납용기의 바닥부를 향하는 복수개의 분사 노즐을 포함한다. 따라서, 수납용기 내부에서 발생되는 유속을 이용하여 식각을 하므로 식각의 균일도와 효과가 향상될 수 있다.

Description

기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법{ETCHING APPARATUS OF SUBSTRATE AND METHOD OF ETCHING USING THE SAME}
본 발명은 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각 수납용기 내에서의 식각액의 순환을 이용한 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것이다.
최근 평판 디스플레이 장치에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그 중에서도 액정 디스플레이(LCD) 장치는 화질이 우수하며 저전력이라는 점에서 텔레비전, 노트북 휴대용 단말장치와 같은 표시 장치에 널리 이용되고 있다.
이와 같은 디스플레이 장치에 있어서, 크기와 함께 중량을 줄이는 것은 장치 개발에 중요한 과제가 된다. 액정 디스플레이(LCD)를 포함한 평판 디스플레이 장치의 크기와 중량을 줄이는 방법으로는 여러 가지 방법이 있을 수 있으나, 가장 기본 구성이면서도 중량이 가장 큰 기판의 중량을 줄이는 것에 대하여 다양하게 연구되고 있다.
기판의 중량을 줄이는 방법으로는 기판을 식각하여 두께를 얇게 함으로써 박판 형태로 제작하는 것이 일반적이다.
기판을 박판화(slimming)하는 기술로는 크게 기계적 연마법과 화학적 식각법이 있다. 기계적 연마법은 디스플레이 개발 초기에 아주 얇은 패널이 요구되지 않아서 많이 사용되었으나, 최근에는 초슬림 제품의 요구에 따라 생산성이 우수한 화학적 식각법이 널리 사용되고 있다.
화학적 식각법은 불소산(HF) 용액을 식각액으로 사용하여 유리 기판(SiO2)과의 화학반응을 통해 유리 기판의 식각이 이루어지게 하는 방법이다. 이와 같이 불소산 용액을 포함하는 식각액을 이용한 유리 기판의 식각 과정은 유리 기판 부근의 확산층 내에 식각액 확산 과정, 유리기판 표면에 식각액 성분의 흡착 과정, 식각액 성분과 유리 기판과의 화학 반응 과정, 화학 반응 후에 만들어진 반응 생성물의 유리 기판으로부터의 이탈 과정 및 반응 생성물의 유리 기판 확산층 밖으로 제거되는 과정으로 이루어진다.
이러한 화학적 원리를 이용하는 식각법으로는 식각액의 공급과 반응 생성물 확산 등에 따라서 디핑법(deeping), 스프레이법(spraying) 및 제트플로우법(jet-flowing) 등이 있다.
디핑법은 식각액이 식각조 내에 차 있는 상태에서 식각이 이루어지므로 대량의 유리 기판을 투입하여 식각할 수 있어서 생산성이 높은 장점이 있다. 그러나, 디핑법은 반응 생성물이 식각조 내에 계속 잔류하게 되므로 반응 생성물이 유리 기판의 표면에 다시 붙는 등의 경우가 발생하여 품질 저하의 결과를 초래하게 되며 또한 유리 기판의 식각량에 제한이 있고 식각액의 사용량이 많은 단점이 있다.
스프레이법은 디핑법의 단점을 보완할 수 있는 방식으로서, 품질적인 측면에서 디핑법 보다 진보된 방법이다. 스프레이법은 노즐을 통해 식각액을 유리 기판 표면에 직각으로 분사하여 유리 기판을 식각하는 방식이다. 스프레이법은 유리 기판에 수직하게 식각액이 분사되므로 식각액의 운동에너지가 매우 크다. 따라서 신액 공급과 반응 생성물의 제거가 신속하고 균일하게 이루어질 수 있으며, 디핑법보다 우수한 품질을 얻을 수 있다.
그러나 스프레이법은 유리 기판을 한장씩 처리해야 하므로 생산성이 낮은 단점이 있고, 유리 기판에 직접 식각액을 분사하게 되므로 유리 기판에 작용하는 충격량이 커서 식각 과정에서 유리 기판의 표면에 손상이 발생할 수 있다.
제트플로우법은 디핑법과 스프레이법의 혼합된 형태로서, 식각액이 채워진 식각조 내에 유리 기판을 침적시킨 후 식각액의 흐름을 발생시켜 유리 기판의 식각이 이루어지는 방식으로 생산성을 높일 수는 있으나 초기 투자 비용이 많이 드는 단점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 식각 배스 역할을 하는 수납용기를 이용하여 상부에서 분사수단으로 식각액을 분사하고 하부에서는 식각액을 배출함으로써 수납용기 내부에서 식각액의 흐름을 발생시켜 생산성을 향상시키고 식각 효과를 증대시키는 식각 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 식각 장치를 이용한 식각 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 식각 장치는 기판을 수용하며, 바닥부에 식각액이 배출되는 통공이 형성되고, 식각액을 수용하도록 네 개의 측벽이 형성된 수납용기 및 상기 수납용기의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제1분사 수단을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수납용기는 상기 바닥부에 형성된 통공을 개폐시키는 개폐 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 분사 수단은 식각액을 공급받는 공급관 및 상기 공급관에 연결되어 상기 수납용기의 바닥부를 향하는 복수개의 분사 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조, 상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부 및 상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 좌우 측벽의 하부에 형성되어 식각액을 공급하는 복수개의 통공 및 상기 통공에 연결되어 식각액을 공급하는 측면 공급부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 측면 공급부는 식각액을 공급하는 제2 분사 수단, 상기 제2 분사 수단에서 공급하는 식각액을 수용하는 몸통부 및 상기 몸통부의 하부에 형성되어 상기 수납용기 양 측면의 통공과 연결되는 복수개의 돌출된 주입구를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성된 개폐 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조, 상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부 및 상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 좌우 측벽의 하부에 형성되어 식각액을 공급하는 복수개의 통공 및 상기 통공에 연결되어 식각액을 분사하는 제2 분사 수단을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 분사 수단은 식각액을 공급받는 공급관 및 상기 공급관에 연결되어 상기 수납용기의 하부에 형성된 통공과 결합되는 복수개의 분사 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성된 개폐 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조, 상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부 및 상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 식각 장치는 기판을 수용하며, 바닥부에 식각액이 배출되는 통공이 형성되고, 식각액을 수용하도록 네 개의 측벽이 형성되는 수납용기, 상기 측벽의 내부에 배치되고 하부에 통공이 형성된 제1 내부벽, 상기 측벽의 내부에 상기 제1 내부벽과 대향하게 배치되고 하부에 통공이 형성된 제2 내부벽, 상기 수납용기의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제1분사 수단 및 상기 제1 분사 수단의 좌우에 형성되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제2 분사 수단을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성되고, 상하로 이동 되는 개폐 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조, 상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부 및 상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 식각방법은 개폐 구동부를 상부로 이동시켜 수납용기 바닥부에 형성된 통공을 폐쇄하는 단계, 바닥부가 폐쇄된 상태에서 상기 수납용기 내부에 식각액을 공급하는 단계, 상기 개폐 구동부를 하부로 이동시켜 상기 수납용기 바닥부에 형성된 통공을 개방하는 단계, 바닥부가 개방된 상태에서 상기 수납용기 내부에 식각액을 공급하는 단계 및 식각액 공급을 중지하고 식각액을 배출하는 단계를 포함한다.
식각 배스(bath) 역할을 하는 수납용기를 이용하여 수납용기 내부에서 식각이 이루어지므로 여러 매수의 기판을 동시에 식각할 수 있어 생산성이 향상된다. 또한 상기 수납용기는 기판을 수납, 이동하는 역할 및 식각 배스(bath) 역할을 하므로 설비 비용이 감소될 수 있다.
상기 수납용기 상부에서 분사수단으로 식각액을 분사하고 하부에서는 식각액을 배출함으로써 상기 기판의 표면에서 유속이 발생되어 슬러지가 기판에 달라붙지 않게 된다.
또한 분사 수단 및 개폐 구동부를 제어하여 식각액의 수위를 조절할 수 있으므로, 상기 기판의 표면에 식각액이 균일할게 접액될 수 있어 식각의 균일도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 식각부를 나타내는 사시도이다.
도 3a는 도2의 제1 분사수단을 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3b는 도2의 제1 분사수단을 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 바닥부가 폐쇄된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 바닥부가 개방된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동을 나타내는 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동에 따른 수납용기 내부 식각액 수면 높이를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 식각부의 단면도이다.
도 9는 도 8의 수납용기의 제1 측벽의 정면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 측면 공급부가 수납용기에 결합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각부의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수납용기에 제2 분사 수단이 결합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각부의 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치를 나타내는 블록도이다. 도 2는 도 1의 식각부를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치(1)는 식각부(10), 침전조(20), 필터부(30), 저장 탱크(40), 제1 펌프(50), 제2 펌프(60), 제1 이송관(70) 및 제2 이송관(80)을 포함한다.
상기 식각부(10)는 기판이 식각되는 부분으로서 상기 식각부(10)의 구성에 대하여는 후술한다.
상기 침전조(20)는 상기 식각부(10)에서 상기 식각부(10)에서 식각 과정을 거쳐 배출되는 식각액을 수용한다. 수용된 식각액은 식각 과정을 거친 식각액이므로 슬러지 등의 불순물을 포함하고 있다. 따라서, 상기 침전조(20)에서는 상기 필터부(30)에서 식각액이 걸러지기 전에 비교적 입자가 크고 무거운 불순물들이 1차적으로 침전되도록 하는 역할을 한다. 상기 침전조(20)는 불순물과 식각액의 비중차를 이용하여 식각액 여과의 효율을 높이는 것으로서, 비교적 무거운 불순물은 침전조 바닥부에 침전되고, 침전되지 않은 식각액은 그대로 상기 필터부(30)로 이송된다.
상기 식각부(10)와 상기 침전조(20)는 제1 이송관(70)에 의해 연결된다. 상기 제1 이송관(70)에는 제1 펌프(50)가 배치될 수 있다. 상기 제1 펌프(50)는 상기 식각부(10)의 하부로 배출되는 식각액을 펌핑하여 식각액이 보다 효율적으로 배출될 수 있도록 한다. 따라서, 상기 제1 펌프에 의해 상기 식각조(10) 내의 식각액의 흐름이 더 원활해 질 수 있게 된다. 그러나 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제1 펌프가 생략될 수 있으며, 이 경우에는 상기 식각부(10)의 하부에서 배출되는 식각액은 자유 낙하에 의해 상기 제1 이송관을 통해 상기 침전조(20)로 배출된다.
상기 필터부(30)는 상기 식각부(10)에서 식각 과정을 거친 식각액이 상기 침전조(20)를 거쳐 이송된 식각액을 여과하는 역할을 한다. 상기 필터부에서 식각 과정을 거친 식각액을 여과한 후 여과된 식각액은 상기 저장 탱크(40)로 이송 된다. 따라서, 상기 필터부(30)에서 여과된 반응을 거친 식각액은 상기 식각부(10)로 공급되어 다시 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치에서, 상기 필터부(30)의 여과로 인해 지속적인 식각액의 공급이 이루어질 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치가 식각액의 지속적인 공급과 배출을 수행할 수 있어 상기 식각부(10)내에서 식각액의 흐름을 발생시킬 수 있게 된다.
상기 필터부(30)에서 여과된 식각액은 상기 저장 탱크(40)로 이송되어 저장된다. 상기 저장 탱크(40)에 저장되는 식각액은 상기 식각부(10)로 공급된다. 상기 식각부(10)로 공급되는 식각액은 상기 저장 탱크(40)와 상기 식각부를 연결하는 제2 이송관(80)을 통해 공급된다. 상기 제2 이송관(80)에는 제2 펌프가 배치될 수 있다. 상기 제2 펌프(60)는 상기 저장 탱크(40)에 저장된 식각액을 펌핑하여 고압으로 상기 식각부(10)로 전달하는 역할을 한다. 상기 제2 펌프(60)에 의해 식각액이 상기 식각부로 고압으로 공급될 수 있다. 식각액이 고압으로 공급됨에 따라, 상기 식각부내에서 식각액의 흐름을 보다 효율적으로 발생시킬 수 있다. 게다가 식각되는 기판의 표면에 발생되는 슬러지 등의 불순물이 상부로 부양하지 않고 하부로 신속하게 배출될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 식각부(10)의 구성이 나타난다. 상기 식각부(10)는 제1 분사 수단(100), 수납용기(200), 및 개폐 구동부(300)를 포함한다.
상기 제1 분사 수단(100)은 상기 수납용기(200)의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급한다. 상부에 배치되는 상기 제1 분사 수단(100)은 식각액을 공급받는 복수개의 공급관(110) 및 상기 공급관(100)에 연결된 복수개의 분사 노즐(120)을 포함할 수 있다.
상기 공급관(110)은 상기 저장 탱크(40)로부터 식각액을 공급받는다. 상기 공급관(100)은 길이 방향으로 연장되는 원통형 형상을 가질 수 있다. 상기 공급관(100)은 복수개로 형성되어 서로 나란하게 배치될 수 있다. 따라서 상기 수납용기(200) 내부에 전체적으로 균일한 식각액을 공급할 수 있게 된다. 상기 공급관(100)의 형상은 원통형으로 한정되지 않으며, 상기 수납용기(200) 내부에 식각액을 균일하게 공급할 수 있는 형태라면 어떠한 형상이라도 무관하다.
상기 공급관(100) 하부에는 복수개의 분사 노즐(120)이 배치된다. 상기 분사 노즐(120)은 상기 수납용기(200)의 하부면을 향하게 배치된다. 상기 복수개의 공급관(100) 마다 복수개의 노즐이 배치되므로, 상기 수납용기(200)에 수납되는 기판에 식각액을 균일하게 공급할 수 있다.
상기 수납용기는 측벽부(210) 및 바닥부(220)로 구성된다. 상기 수납용기(200)는 식각되는 기판을 수납하고 이동하는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 수납용기(200)는 기판을 수납하고 이동하는 역할 외에 식각액을 수용하여, 상기 수납용기(200) 내부에서 식각을 진행하는 역할도 할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 수납용기는 식각 배스(bath)로서의 역할을 수행한다. 상기 측벽부(210)는 상기 바닥부(220)로부터 상기 바닥부(220)에 대해 수직인 방향으로 연장되어 수납공간을 형성한다. 본 발명의 일실시예에 따른 상기 측벽부(210)는 네면으로 이루어진 사각기둥 형태가 될 수 있으나, 그 형태는 사각기둥 형태로 한정되지 않으며 수납공간을 형성할 수 있는 다양한 형태로 될 수 있다.
상기 바닥부(220)는 식각액이 배출될 수 있는 복수개의 통공(230)이 형성된다. 상기 통공(230)은 후술할 상기 개폐 구동부(300)에 의해 개폐되며, 상기 통공(230)이 개방되면 상기 수납용기 내부에 수용된 식각액이 상기 통공(230)을 통해 배출된다.
상기 개폐 구동부(300)는 상기 수납용기(200) 하부에 배치되며, 후술할 플레이트(310) 및 돌출부(320)를 포함한다. 상기 개폐 구동부(300)는 상하로 이동하여 수납용기 하부에 형성된 통공(230)을 개폐하는 역할을 수행한다. 상기 개폐 구동부가 상부로 이동하는 경우 상기 수납용기(200)의 하부에 형성된 통공(230)이 폐쇄되며, 하부로 이동하는 경우 상기 수납용기(200)의 하부에 형성된 통공(230)이 개방되어 식각액이 배출된다. 상기 개폐 구동부(300)는 상기 수납용기(200) 하부에 형성된 상기 통공(230)을 폐쇄하거나 개방하는 과정을 반복하여, 상기 수납용기(200) 내부에 수용되는 식각액의 흐름을 발생시키게 된다. 따라서 상기 수납용기(200) 내부에 발생되는 유속에 의해 기판의 표면에 슬러지 등의 불순물이 붙지 않게 하므로 식각 효과를 증대시킬 수 있다.
도 3a는 도2의 제1 분사수단을 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3b는 도2의 제1 분사수단을 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 제1 분사수단(100)은 식각액을 공급받는 공급관(110) 및 상기 공급관(100)에 연결된 복수개의 분사 노즐(120)을 포함하는 것을 나타낸다. 또한 상기 분사 노즐(120)에서 식각액이 스프레이 형태로 분사되는 것을 나타낸다. 상기 제1 분사수단은 상기 복수개의 공급관(110) 및 상기 복수개의 분사 노즐(120)로 구성되므로, 상기 수납용기(200) 내부에 수납되는 기판에 식각액을 전체적으로 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 스프레이 형태로 분사되므로, 넓을 면적에 대하여 분사가 가능하며, 상기 수납용기(200) 내부에 수납되는 복수의 기판의 표면에 식각액을 분사하여, 기판에 붙어 있는 슬러지 등의 분술물이 씻겨 내려갈 수 있게 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 바닥부가 폐쇄된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 바닥부가 개방된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230) 및 상기 통공(230)과 분리 또는 결합되어 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)를 개폐시키는 개폐 구동부가 나타난다. 상기 개폐 구동부(300)는 상하로 이동이 가능하다. 상부로 이동하는 경우 상기 수납용기(200)의 바닥부와 결합되어 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)를 폐쇄시키며, 하부로 이동하는 경우 상기 수납용기(200)의 바닥부와 분리되어 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)를 개방시킨다.
상기 개폐 구동부(300)는 플레이트(310) 및 돌출부(320)를 포함한다. 상기 플레이트(320)는 상기 수납용기(200) 바닥부(220)와 결합되기 때문에 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)와 동일한 형상으로 형성된다. 상기 플레이트(310)에는 상기 통공(230)과 결합하여 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)를 폐쇄할 수 있도록 상기 통공의 형상과 대응하는 형상의 돌출부(320)가 형성된다.
상기 돌출부(320)가 상기 통공(230)에 용이하게 삽입될 수 있도록, 상기 돌출부(320)의 상단은 상기 통공(230)의 크기보다 작은 것이 바람직하며, 하단은 상기 통공(230)의 크기보다 크거나 같을 수 있다.
도 4는 상기 개폐 구동부(300)가 상부로 이동하여, 상기 바닥부(220)에 결합된 상태를 나타낸다. 상기 바닥부(220)의 통공과 상기 개폐 구동부(300)의 돌출부(320)가 결합되어 상기 바닥부가 폐쇄된다. 이때에는 상기 수납용기(200) 내부에 수용된 식각액은 배출되지 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 개폐 구동부(300)가 하부로 이동하여, 상기 바닥부(220)에서 분리된 상태를 나타낸다. 상기 돌출부(320)는 단면이 사다리꼴 형상을 갖는 형태로 형성된다. 상기 돌출부(320)가 단면이 상기 플레이트(310)에서 멀어질수록 좁아지는 사다리꼴 형상을 갖기 때문에, 상기 개폐 구동부(300)가 하부로 이동하는 정도에 따라 상기 바닥부(220)의 통공(230)이 개방되는 정도가 달라진다. 즉, 상기 돌출부(320)가 단면이 직사각형 형상을 가지는 경우, 상기 바닥부(220)의 통공(230)이 개방되기 위해서는 상기 돌출부(320)가 상기 통공(230)에서 완전히 분리되어야 한다. 그러나, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 돌출부(320)와 같이 단면이 상기 플레이트(310)에서 멀어질수록 좁아지는 사다리꼴 형상을 갖는 경우에는 상기 개폐 구동부(300)가 하부로 조금만 이동하는 경우에도 상기 바닥부(220)의 통공(230)이 개방될 수 있다. 또한, 하부로 이동하는 정도에 따라 개방의 정도도 달라지므로, 상기 개폐 구동부(300)의 이동을 제어하여 상기 바닥부(220)의 통공(230)으로 배출되는 식각액의 양을 조절할 수 있다. 즉, 배출되는 식각액의 양이 조절되기 때문에 식각액이 배출되면서 발생되는 유속을 조절할 수 있다. 따라서, 식각액이 배출되면서 발생되는 유속을 조절할 수 있으므로, 상기 수납용기(200)에 수용되는 식각액의 양 및 유속을 조절하여 기판의 식각 효과를 증대 시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동을 나타내는 순서도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동에 따른 수납용기 내부 식각액의 수면 높이를 나타내는 그래프이다.
이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동에 대하여 설명한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동 순서가 나타난다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동은 상부 제1 분사 수단(100)이 상기 수납용기(200)에 식각액을 공급하는 단계, 상기 수납용기(200)의 바닥부가 폐쇄되어 식각 배스(bath)를 형성하는 단계, 상기 폐쇄된 수납용기(200)에 식각액을 채우는 단계, 상기 수납용기(200) 바닥부(220)의 통공(230)을 개방하여 식각액 배출을 통한 유속을 생성하는 단계 및 식각액 공급과 배출을 반복하는 단계를 포함한다.
상기 수납용기(200) 내부에는 복수의 기판이 수납된다. 복수의 기판이 수납된 상기 수납용기(200) 먼저 세정 단계를 거치게 된다. 상기 세정단계를 거친 후, 상기 기판이 수납된 수납용기(200)는 상기 식각부(10)로 이송된다. 상기 수납용기(200)가 식각부(10)로 이송된 후, 상기 수납용기(200)의 상부에 배치된 제1 분사수단(100)에 의해 식각액이 기판이 수납된 상기 수납용기(200) 내부로 공급된다. 상기 제1 분사 수단(100)은 상기 분사 노즐(120)을 통해 스프레이 방식으로 식각액을 분사하므로, 상기 수납용기(200)에 수납된 기판의 전면에 골고루 접액될 수 있다.
상기 식각액의 공급이 시작되면 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)은 상기 개폐 구동부(300)가 상부로 이동하여 폐쇄된다. 따라서, 상기 수납용기(200)는 식각 배스(bath)의 역할을 하게 된다. 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)의 통공(230)이 폐쇄된 후에는 상기 제1 분사 수단(100)에서 공급되는 식각액이 상기 수납용기(200)를 채우게 된다.
상기 수납용기(200)가 식각액으로 채워지면서 수납된 기판이 식각액에 잠기게 되면, 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)이 개방된다. 상기 개방된 통공(230)으로 식각액이 배출되며, 식각액이 배출됨에 따라 상기 수납용기 내부에는 유속이 발생하게 된다. 이때, 상기 개방된 통공(230)을 통해 식각액과 함께 슬러지 등의 불순물들이 하부로 배출된다. 또한, 상기 식각액 배출에 따라 발생되는 유속에 의해 슬러지 등의 불순물이 기판의 표면에 붙지 않게 되므로 기판의 식각 효과가 증대될 수 있다.
상기 통공(230)을 개방하여 식각액을 배출하는 과정에서 제1 분사 수단을 통한 식각액의 공급은 계속 된다. 이 때, 배출되는 식각액의 양과 공급되는 식각액의 양을 조절하여, 상기 수납용기(200) 내부에 수용되는 식각액은 일정한 양을 유지할 수 있도록 한다. 식각액의 배출 및 공급은 식각 공정이 종료될 때까지 유지되어 상기 수납용기(200) 내부에서의 식각 반응이 유지된다. 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)을 통해 배출되는 식각액 및 슬러지 등의 불순물은 상기 침전조(20) 및 상기 필터부(30)를 거쳐, 상기 저장 탱크(40)로 저장된다. 상기 저장 탱크에 저장된 식각액은 다시 제2 펌프(60)의 펌핑을 통해 제1 분사 수단(100)에 의해 상기 수납용기(200) 내부로 공급된다. 따라서, 식각액이 순환되는 과정을 거치게 되므로 식각액의 배출 및 공급을 지속적으로 행할 수 있게 된다.
또한, 상기 개폐 구동부(300)는 상술한 바와 같이, 상하로 이동하는 정도에 따라 식각액의 배출량을 조절할 수 있으므로 상기 수납용기(200) 내부의 유속을 조절하여, 기판의 표면에 슬러지 등의 불순물이 붙지 않도록 할 수 있다. 이에 따라, 기판의 식각 효율이 높아질 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각장치가 작동할 때, 상기 수납용기 내부의 식각액의 수면 높이가 나타난다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 장치의 작동은 식각액 공급, 식각액 유지 및 식각액 배출의 세 단계로 구분된다.
상기 식각액 공급 구간에서는 상기 수납용기(200) 내부의 식각액의 수면 높이가 일정한 비율로 증가한다. 상기 개폐 구동부(300)가 상부로 이동하여 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)이 폐쇄되므로 이 과정에서는 식각액이 하부로 배출되지 않는다. 상기 식각액이 상기 수납용기(200)에 수납되는 기판이 모두 잠길 수 있는 높이까지 채워지면, 상기 개폐 구동부(300)가 하부로 이동하여 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)이 개방된다. 따라서 이 때부터는 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)을 통해 하부로 식각액이 배출된다.
상기 식각액 유지 구간에서는, 식각액이 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)을 통해 하부로 배출되는 과정에서도 상기 수납용기(200)의 상부에 배치된 제1 분사수단(100)에서는 식각액을 지속적으로 공급한다. 따라서 상기 수납용기(200) 내부에 수용되는 식각액의 양이 일정하게 유지될 수 있다. 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)을 통해 배출되는 식각액 및 슬러지 등의 불순물은 상기 침전조(20) 및 상기 필터부(30)를 거쳐, 상기 저장 탱크(40)로 저장된다. 상기 저장 탱크에 저장된 식각액은 다시 제2 펌프(60)의 펌핑을 통해 제1 분사 수단(100)에 의해 상기 수납용기(200) 내부로 공급된다. 따라서, 식각액이 순환되는 과정을 거치게 되므로 식각액의 배출 및 공급을 지속적으로 행할 수 있게 된다.
이때 상기 개폐 구동부(300)는 상하로 이동하는 정도에 따라 식각액의 배출량을 조절할 수 있으므로 상기 수납용기(200) 내부의 유속을 조절할 수 있다. 배출되는 식각액의 양이 증가되는 경우 상기 제1 분사 수단(100)에서 공급되는 식각액의 양도 이에 맞게 증가된다. 유속 조절을 통해 기판의 표면에 슬러지 등의 불순물이 붙지 않도록 할 수 있으므로, 기판에 슬러지 등의 불순물이 붙어 있는 정도에 따라 유속을 조절하여 슬러지 등의 불순물이 효과적으로 제거 될 수 있도록 할 수 있다. 이 단계는 식각 공정이 종료될 때까지 반복적으로 수행된다.
식각액 배출단계에서는, 상기 제1 분사 수단(100)에서는 식각액의 공급이 중단된다. 식각액의 공급이 중단되는 시점은 식각 공정이 종료되는 시점에 해당한다. 식각액의 공급이 중단된 상태에서 상기 수납용기(200)의 바닥부(220)에 형성된 통공(230)은 개방된 상태이므로, 상기 수납용기(200)에서는 식각액의 배출만이 이루어지게 된다. 따라서, 이때부터는 상기 수납용기(200) 내부의 식각액의 양이 일정한 비율로 감소하게 된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 식각부의 단면도이다. 도 9는 도 8의 수납용기의 제1 측벽의 정면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 수납용기(1200)는 측벽부(1210) 중 제1 측벽(1211) 및 제2 측벽(1212)의 하부에 통공(1231)이 형성되는 것이 나타난다.
상기 수납용기(1200)는 측벽부(1210) 및 바닥부(1220)로 구성된다. 상기 수납용기(1200)는 식각되는 기판을 수납하고 이동하는 역할을 한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 수납용기(1200)는 기판을 수납하고 이동하는 역할 외에 식각액을 수용하여, 상기 수납용기(1200) 내부에서 식각을 진행하는 역할도 할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 수납용기는 식각 배스(bath)로서의 역할을 수행한다. 상기 측벽부(1210)는 상기 바닥부(1220)의 네 변으로부터 상부로 연장되며, 상기 각 측벽들은 인접하는 측벽과 연결되어 폐쇄된 측면 구조를 형성한다. 상기 측벽부(1210)는 상기 수납용기(1200)의 좌측에 배치되는 제1 측벽(1211) 및 상기 수납용기(1200)의 우측에 배치되는 제2 측벽(1212)을 포함한다. 상기 제1 측벽(1211) 및 제2 측벽(1212)은 하부에 통공(1213)이 형성된다. 상기 통공(1231)은 상기 수납용기(1200)의 양 측면에 배치되는 측면 공급부(1400)와 결합되어 상기 수납용기(1200) 내부에 식각액을 공급하는 통로가 된다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 측면 공급부가 수납용기에 결합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 측면 공급부(1400)가 상기 수납용기(1200)의 상기 제1 측벽(1211) 및 상기 제2 측벽(1212)에 결합된 상태가 나타난다. 상기 측면 공급부(1400)는 제2 분사 수단(1410), 몸통부(1420) 및 주입구(1430)를 포함한다. 상기 제2 분사 수단(1410)은 상기 저장 탱크(40)로부터 식각액을 공급받으며, 상기 몸통부(1420)에 식각액을 공급하는 역할을 한다. 상기 몸통부(1420)는 상부가 개방된 형태이며, 하부에는 상기 수납용기(1200)의 제1 측벽(1211) 및 제2 측벽(1212)의 하부에 형성되는 통공(1231)과 결합되는 주입구(1430)가 형성된다. 상기 몸통부(1420)는 개방된 상부를 통해 상기 제2 분사 수단(1410)으로부터 식각액을 공급받는다. 상기 공급받은 식각액은 수압에 의해 상기 주입구(1430)를 통해 상기 수납용기(1200) 내부로 공급된다. 상기 주입구(1430)는 상기 통공(1231)에 결합되어 식각액을 공급하게 되므로, 상기 통공(1231)에 대응하는 형상으로 형성된다. 또한 상기 주입구(1430)는 상기 통공(1231)의 개수와 대응하는 개수만큼 형성된다.
상기 측면 공급부(1400)는 상기 수납용기(1200)와 분리되어 형성된다. 상기 측면 공급부(1400)는 식각 공정이 시작되기 전에는 상기 수납용기(1200)의 측면에 인접하게 배치된다. 식각 공정이 시작되면, 상기 측면 공급부(1400)는 수평방향으로 이동되어 상기 수납용기(1200)에 결합된다. 상기 측면 공급부(1400)가 상기 수납용기에 결합되면, 상기 제2 분사 수단(1410)을 통해 식각액이 공급된다. 본 실시예에서는 식각액이 제1 분사 수단(1100)에 의해 상기 수납용기(1200)의 상부로 공급되고, 상기 측면 공급부(1400)에 의해 상기 수납용기(1200)의 하부로 공급된다. 따라서, 상기 수납용기(1200) 내부에서 발생되는 유속이 보다 효과적으로 발생될 수 있다. 또한 본 실시예에서는 상기 제1 분사 수단(1100)을 제어하여, 제2 분사 수단(1410)에 의해서만 식각액을 공급할 수 도 있다. 상기 제2 분사 수단(1410)만으로 식각액을 공급하는 경우에는 식각액이 상기 측면 공급부(1400)에 의해서만 공급되므로, 수압에 의해 식각액이 상기 수납용기의 하부로부터 공급된다.
본 실시예에 따른 식각 장치는 상기 제1 측벽(1211) 및 제2 측벽(1212)의 하부에 형성되는 통공(1231) 및 측면 공급부(1400)를 제외하고는 도 1 내지 도 7의 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 내지 도 7의 식각장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각부의 구조를 보여주는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 상기 수납용기(2200)는 측벽부(2210) 및 바닥부(2220)로 구성된다. 상기 수납용기(2200)는 식각되는 기판을 수납하고 이동하는 역할을 한다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 수납용기(2200)는 기판을 수납하고 이동하는 역할 외에 식각액을 수용하여, 상기 수납용기(2200) 내부에서 식각을 진행하는 역할도 할 수 있다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 수납용기는 식각 배스(bath)로서의 역할을 수행한다. 상기 측벽부(2210)는 상기 바닥부(2220)의 네 변으로부터 상부로 연장되며, 상기 각 측벽들은 인접하는 측벽과 연결되어 폐쇄된 측면 구조를 형성한다. 상기 측벽부(2210)는 상기 수납용기(2200)의 좌측에 배치되는 제1 측벽(2211) 및 상기 수납용기(2200)의 우측에 배치되는 제2 측벽(2212)을 포함한다. 상기 제1 측벽(2211) 및 제2 측벽(2212)은 하부에 통공(2213)이 형성된다. 상기 통공(2231)은 상기 수납용기(2200)의 양 측면에 배치되는 제2 분사 수단(2400)과 결합되어 상기 수납용기(2200) 내부에 식각액을 공급하는 통로가 된다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수납용기에 제2 분사 수단이 결합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 상기 제2 분사 수단(2400)이 상기 수납용기(2200)의 상기 제1 측벽(2211) 및 상기 제2 측벽(2212)에 결합된 상태가 나타난다. 상기 제2 분사 수단(2400)은 공급관(2410) 및 분사 노즐(2420)을 포함한다. 상기 공급관(2410)은 상기 저장 탱크(40)로부터 식각액을 공급받으며, 상기 분사 노즐(2420)에 식각액을 공급하는 역할을 한다. 상기 분사 노즐(2420)은 수납용기(2200)의 제1 측벽(2211) 및 제2 측벽(2212)의 하부에 형성되는 통공(2231)과 결합된다. 따라서 상기 분사 노즐(2420)은 통공(2213)과 대응되는 형상으로 형성된다. 또한 상기 분사 노즐(2420)은 상기 통공(2231)의 개수와 대응하는 개수만큼 형성된다.
상기 제2 분사 수단(2400)은 상기 수납용기(2200)와 분리되어 형성된다. 상기 제2 분사 수단(2400)은 식각 공정이 시작되기 전에는 상기 수납용기(2200)의 측면에 인접하게 배치된다. 식각 공정이 시작되면, 제2 분사 수단(2400)은 수평방향으로 이동되어 상기 수납용기(2200)에 결합된다. 상기 제2 분사 수단(2400)이 상기 수납용기(2200)에 결합되면, 상기 분사 노즐(2420)을 통해 식각액이 공급된다. 본 실시예에서는 식각액이 제1 분사 수단(2100)에 의해 상기 수납용기(2200)의 상부로 공급되고, 상기 제2 분사 수단(2400)에 의해 상기 수납용기(2200)의 하부로 공급된다. 따라서, 상기 수납용기(2200) 내부에서 유속이 보다 효과적으로 발생될 수 있다. 또한 본 실시예에서는 상기 제1 분사 수단(2100)을 제어하여, 제2 분사 수단(2400)에 의해서만 식각액을 공급할 수 도 있다. 상기 제2 분사 수단(2400)만으로 식각액을 공급하는 경우에는 상기 분사 노즐(2420)에 의해 식각액이 상기 수납용기의 하부로부터 공급된다.
본 실시예에 따른 식각 장치는 상기 제1 측벽(2211) 및 제2 측벽(2212)의 하부에 형성되는 통공(2231) 및 제2 분사 수단(2400)을 제외하고는 도 1 내지 도 7의 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 내지 도 7의 식각장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 식각부의 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수납용기(3200)는 측벽부(3210), 바닥부(3220), 제1 내부벽(3211) 및 제2 내부벽(3212)을 포함한다. 상기 제1 내부벽(3211) 및 상기 제2 내부벽(3212)은 측벽부의 내부로 형성된 벽이다. 즉, 상기 수납용기(3200)의 좌우 측벽은 이중으로 된 구조를 가진다. 상기 제1 내부벽(3211) 및 상기 제2 내부벽(3212)에 의해 제1 내부 공간(3213), 제2 내부 공간(3214) 및 제3 내부 공간(3215)이 형성된다. 상기 제3 내부 공간에는 기판이 수납되며 식각이 이루어지는 공간이다. 상기 제1 내부벽(3211) 및 상기 제2 내부벽(3212)의 하부에는 각각 상기 제3 내부 공간과 연결되는 통공(3231)이 형성된다. 상기 통공(3231)은 식각액이 이동하는 통로가 된다.
상기 제1 내부 공간(3213) 및 상기 제2 내부 공간(3214)의 상부에는 식각액을 공급하는 제2 분사 수단(3400)이 배치된다. 상기 제3 내부 공간(3215)의 상부에는 식각액을 공급하는 제1 분사 수단(3100)이 배치된다. 따라서, 상기 제1 분사 수단(3100)에 의해 상기 수납용기(3200) 상부로 식각액이 공급되고, 상기 제2 분사 수단(3400)에 의해 상기 수납용기(3200) 하부로 식각액이 공급된다. 상기 제2 분사 수단(3400)에 의해 상기 수납용기(3200) 하부로 공급되는 식각액은 수압에 의해 상기 통공(3231)을 통해 공급된다. 따라서, 상기 수납용기(2200) 내부에서 유속이 보다 효과적으로 발생될 수 있다. 또한 본 실시예에서는 상기 제1 분사 수단(3100)을 제어하여, 제2 분사 수단(3400)에 의해서만 식각액을 공급할 수 도 있다. 상기 제2 분사 수단(3400)만으로 식각액을 공급하는 경우에는 수압에 의해 식각액이 상기 수납용기의 하부로부터 공급된다.
본 실시예에 따른 식각 장치는 상기 제1 내부벽(3211), 제2 내부벽(3212) 및 제1 내부벽(3211) 및 제2 내부벽(3212)의 하부에 형성되는 통공(3231) 및 상기 제2 분사 수단(3400)을 제외하고는 도 1 내지 도 7의 식각 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 내지 도 7의 식각장치와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략한다.
본 실시예들에 따르면, 식각 배스(bath) 역할을 하는 수납용기를 이용하여 수납용기 내부에서 식각이 이루어지므로 여러 매수의 기판을 동시에 식각할 수 있어 생산성이 향상된다. 또한 상기 수납용기는 기판을 수납, 이동하는 역할 및 식각 배스(bath) 역할을 하므로 설비 비용이 감소될 수 있다.
상기 수납용기 상부에서 분사수단으로 식각액을 분사하고 하부에서는 식각액을 배출함으로써 상기 기판의 표면에서 유속이 발생되어 슬러지가 기판에 달라붙지 않게 된다.
또한 분사 수단 및 개폐 구동부를 제어하여 식각액의 수위를 조절할 수 있으므로, 상기 기판의 표면에 식각액이 균일하게 접액될 수 있어 식각의 균일도가 향상될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 식각 장치는 다양한 형태의 식각장치에 사용될 수 있는 산업상 이용 가능성을 갖는다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1: 식각 장치 10: 식각부
20: 침전조 30: 필터부
40: 저장 탱크 50: 제1 펌프
60: 제2 펌프 70: 제1 이송관
80: 제2 이송관 100: 제1 분사 수단
110: 공급관 120: 분사 노즐
200: 수납용기 210: 측벽부
220: 바닥부 230: 통공
300: 개폐 구동부 310: 플레이트
320: 돌출부

Claims (20)

  1. 기판을 수용하며, 바닥부에 식각액이 배출되는 통공이 형성되고, 식각액을 수용하도록 측벽이 형성된 수납용기; 및
    상기 수납용기의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 분사 수단을 포함하는 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수납용기는 상기 바닥부에 형성된 통공을 개폐시키는 개폐 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 분사 수단은
    식각액을 공급받는 공급관; 및
    상기 공급관에 연결되어 상기 수납용기의 바닥부를 향하는 복수개의 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동되는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조;
    상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부; 및
    상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수납용기의 좌우 측벽의 하부에 형성되어 식각액을 공급하는 복수개의 통공; 및
    상기 통공에 연결되어 식각액을 공급하는 측면 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 측면 공급부는
    식각액을 공급하는 제2 분사 수단;
    상기 제2 분사 수단에서 공급하는 식각액을 수용하는 몸통부; 및
    상기 몸통부의 하부에 형성되어 상기 수납용기 양 측면의 통공과 연결되는 복수개의 돌출된 주입구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성된 개폐 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동되는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조;
    상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부; 및
    상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 수납용기의 좌우 측벽의 하부에 형성되어 식각액을 공급하는 복수개의 통공; 및
    상기 통공에 연결되어 식각액을 분사하는 제2 분사 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 분사 수단은
    식각액을 공급받는 공급관; 및
    상기 공급관에 연결되어 상기 수납용기의 하부에 형성된 통공과 결합되는 복수개의 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성된 개폐 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 개폐 구동부는 상하로 이동되는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조;
    상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부; 및
    상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  17. 기판을 수용하며, 바닥부에 식각액이 배출되는 통공이 형성되고, 식각액을 수용하도록 네 개의 측벽이 형성되는 수납용기;
    상기 측벽의 내부에 배치되고 하부에 통공이 형성된 제1 내부벽
    상기 측벽의 내부에 상기 제1 내부벽과 대향하게 배치되고 하부에 통공이 형성된 제2 내부벽;
    상기 수납용기의 상부에 배치되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제1분사 수단; 및
    상기 제1 분사 수단의 좌우에 형성되어 상기 수납용기 내부로 식각액을 공급하는 제2 분사 수단을 포함하는 식각 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공에 삽입되는 돌출부가 형성되고, 상하로 이동 되는 개폐 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 수납용기의 바닥부에 형성된 통공으로부터 배출되는 식각액에 포함된 불순물들이 침전되는 침전조;
    상기 침전조를 거친 식각액의 불순물을 필터링하는 필터부; 및
    상기 필터부를 거친 식각액이 공급되며, 상기 수납용기 외부에 배치되어 상기 제1 분사 수단으로 식각액을 공급하는 공급 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장치.
  20. 개폐 구동부를 상부로 이동시켜 수납용기 바닥부에 형성된 통공을 폐쇄하는 단계;
    상기 바닥부가 폐쇄된 상태에서 상기 수납용기 내부에 식각액을 공급하는 단계;
    상기 개폐 구동부를 하부로 이동시켜 상기 수납용기 바닥부에 형성된 통공을 개방하는 단계;
    상기 바닥부가 개방된 상태에서 상기 수납용기 내부에 식각액을 공급하는 단계; 및
    식각액 공급을 중지하고 식각액을 배출하는 단계를 포함하는 식각 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140089894A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법
KR102538179B1 (ko) * 2018-09-04 2023-06-01 삼성전자주식회사 습식 식각 장치
CN110078381B (zh) * 2019-05-05 2023-06-09 蚌埠市羚旺新工艺材料研发科技有限公司 一种喷淋式玻璃基板减薄线

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5196064A (en) * 1991-12-19 1993-03-23 Intel Corporation Replaceable fluid dispensing nozzle
US6332626B1 (en) * 1996-04-23 2001-12-25 J. Stephen Morrill Tow bar for towing tongueless vehicles
KR100272513B1 (ko) * 1998-09-08 2001-01-15 구본준 유리기판의 식각장치
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
US6488037B1 (en) * 1999-08-31 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Programmable physical action during integrated circuit wafer cleanup
KR100595302B1 (ko) * 2000-12-30 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조를 위한 유리기판 식각장치
JP2003231764A (ja) 2002-02-12 2003-08-19 Fuchigami Micro:Kk ポリイミドエッチング方法
WO2003102475A1 (fr) * 2002-06-03 2003-12-11 Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. Module d'assemblage propre, appareillage de production le contenant, robot industriel et systeme antipollution
US6841083B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Ethicon, Inc. Device and process for improved scouring efficiency
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050061775A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Kuo-Tang Hsu Novel design to eliminate wafer sticking
TWI282586B (en) * 2004-02-24 2007-06-11 Innolux Display Corp Etching system and de-ion water adding set
KR20050113042A (ko) 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 습식 식각 방법
JP4285456B2 (ja) * 2005-07-20 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクの製造方法、成膜方法及び電気光学装置の製造方法
US8211810B2 (en) * 2007-09-21 2012-07-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution
CN102348331B (zh) * 2010-08-05 2013-10-02 宏恒胜电子科技（淮安）有限公司 电路板制作治具及电路板制作方法
KR101241941B1 (ko) 2010-11-15 2013-03-11 (주)에프아이에스 분사 수단을 구비하는 침전 타입 식각 장치
KR20140089894A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법

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